CN114068129A

CN114068129A - 共模扼流圈

Info

Publication number: CN114068129A
Application number: CN202110872052.8A
Authority: CN
Inventors: 松浦耕平; 比留川敦夫; 植木大志
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2020-08-05
Filing date: 2021-07-30
Publication date: 2022-02-18
Also published as: US20220044858A1; JP2022029584A; JP7322833B2

Abstract

本发明提供层叠型的共模扼流圈，即使在例如25GHz～30GHz这样的较高的频带，甚至超过30GHz的极高的频带中，也能够抑制共模噪声成分。共模扼流圈(1)具备：层叠体(2)，具有多个非导电体层(3a～3e)；和第一线圈(11)以及第二线圈(12)，内置于层叠体(2)，其中，当将第一线圈(11)的路径长度设为L1，并将第二线圈(12)的路径长度设为L2时，L1以及L2的合计长度为3.30mm以下，使第一线圈(11)中的第一线圈导体(17)与第二线圈(12)中的第二线圈导体(18)之间的非导电体层(3a～3e)的层叠方向上的间隔D为6μm以上并且26μm以下。

Description

共模扼流圈

技术领域

该发明涉及共模扼流圈，特别是涉及具备具有被层叠的多个非导电体层的层叠体、和内置于层叠体的第一线圈以及第二线圈的层叠型的共模扼流圈。

背景技术

对于该发明来说感兴趣的技术例如记载于日本特开2006－313946号公报(专利文献1)。专利文献1所记载的技术涉及层叠型的共模扼流圈，该共模扼流圈是超小型的薄膜型的扼流圈，能够进行GHz附近的传输信号的高速传输。更具体而言，在专利文献1记载了当将传输信号(差模信号)的衰减特性为－3dB的频率定义为截止频率时，该截止频率为2.4GHz以上的共模扼流圈。

专利文献1：日本特开2006－313946号公报

由于高速通信技术的发展，需要能够在更高频下，使差模信号透过，并且抑制共模噪声成分的层叠型的共模扼流圈。

发明内容

因此，该发明的目的在于提供即使在例如25GHz～30GHz这样的较高的频带，甚至在超过30GHz的极高的频带中，也能够使差模信号透过，并且抑制共模噪声成分的层叠型的共模扼流圈。

该发明所涉及的共模扼流圈具备：层叠体，具有被层叠的多个非导电体层，上述非导电体层由非导电体构成；第一线圈以及第二线圈，内置于层叠体；第一端子电极以及第二端子电极，设置于层叠体的外表面，并分别与第一线圈的相互不同的第一端以及第二端电连接；以及第三端子电极以及第四端子电极，设置于层叠体的外表面，并分别与第二线圈的相互不同的第三端以及第四端电连接。

为了解决上述的技术课题，在该发明中，第一特征在于当将第一线圈的路径长度设为L1，并将第二线圈的路径长度设为L2时，L1和L2的合计长度为3.30mm以下。

另外，在该发明中，第二特征在于第一线圈具有第一线圈导体，该第一线圈导体沿着非导电体层间的界面配置，第二线圈具有第二线圈导体，该第二线圈导体沿着与配置了第一线圈导体的非导电体层间的界面不同的非导电体层间的界面配置，第一线圈导体与第二线圈导体之间的非导电体层的层叠方向上的间隔为6μm以上并且26μm以下。

根据该发明，能够降低第一线圈与第二线圈之间的杂散电容，所以能够使共模扼流圈的高频特性提高。

附图说明

图1是表示该发明的一实施方式的共模扼流圈1的外观的立体图。

图2是分解表示图1所示的共模扼流圈1的主要部分的俯视图。

图3是图1所示的共模扼流圈1的俯视图，是示意地表示在层叠方向透视内置于层叠体2的第一线圈11以及第二线圈12的图。

图4是表示图1所示的共模扼流圈1中的第一线圈11所具备的第一线圈导体17的俯视图，是用于说明线圈导体的匝数的图。

图5是沿着图1的线A－A的共模扼流圈1的剖视图。

图6是表示在为了确认该发明的效果而实施的实验例中制成的共模扼流圈的样品中，代表性地对样品9所涉及的共模扼流圈求出的共模成分的透过特性(Scc21透过特性)的图。

图7是表示对上述样品9所涉及的共模扼流圈求出的差模成分的透过特性(Sdd21透过特性)的图。

附图标记说明

1…共模扼流圈，2…层叠体，3、3a、3b、3c、3d、3e…非导电体层，5、6…主面，7、8…侧面，9、10…端面，11…第一线圈，12…第二线圈，13～16…端子电极，17、18…线圈导体，19～22…引出导体，23～26…连接端部，27、28…通孔导体，29、30…连结部，D…第一线圈导体17与第二线圈导体18之间的间隔。

具体实施方式

参照图1～图5，对该发明的一实施方式的共模扼流圈1进行说明。

如图1所示，共模扼流圈1具备具有被层叠的多个非导电体层的层叠体2。在图2图示有多个非导电体层中代表性的非导电体层3a、3b、3c、3d以及3e。以下，除了如图2所示的非导电体层3a、3b、3c、3d以及3e那样相互进行区分的情况之外，在对非导电体层进行一般的说明的情况下，对非导电体层使用“3”的参照附图标记。非导电体层3例如由包含玻璃以及陶瓷的非导电体构成。

层叠体2是具有向非导电体层3的延伸方向延伸并且相互对置的第一主面5以及第二主面6、连结第一主面5以及第二主面6间并且相互对置的第一侧面7以及第二侧面8、分别连结第一主面5以及第二主面6间和第一侧面7以及第二侧面8间并且相互对置的第一端面9以及第二端面10的长方体形状。长方体形状例如也可以是对棱线部分以及角部分赋予倒圆或者倒角的形状。

如图2以及图3所示，共模扼流圈1具备内置于层叠体2的第一线圈11以及第二线圈12。另外，如图1所示，共模扼流圈1具备设置于层叠体2的外表面的第一端子电极13、第二端子电极14、第三端子电极15以及第四端子电极16。更具体而言，第一端子电极13以及第三端子电极15设置于第一侧面7，第二端子电极14以及第四端子电极16分别具有与第一端子电极13以及第三端子电极15对称的形状，并设置于第二侧面8。

如图2所示，第一端子电极13以及第二端子电极14分别与第一线圈11的相互不同的第一端11a以及第二端11b电连接。第三端子电极15以及第四端子电极16分别与第二线圈12的相互不同的第三端12a以及第四端12b电连接。

在以下的说明中，非导电体层3a、3b、3c、3d以及3e按照图2所示的顺序由下向上层叠。

参照图2，第一线圈11具有沿着非导电体层3b以及3c间的界面配置的第一线圈导体17。第一线圈11具有分别提供第一端11a以及第二端11b的第一引出导体19以及第二引出导体20。第一引出导体19包含在层叠体2的外表面与第一端子电极13连接的第一连接端部23。第二引出导体20包含在层叠体2的外表面与第二端子电极14连接的第二连接端部24。

上述第一连接端部23沿着与配置了第一线圈导体17的非导电体层3b以及3c间的界面不同的非导电体层3a以及3b间的界面配置。另外，第一引出导体19具有与第一线圈导体17连接并且在厚度方向贯通位于第一线圈导体17与第一连接端部23之间的非导电体层3b的第一通孔导体27、和沿着配置了第一连接端部23的非导电体层3a以及3b间的界面配置并且将第一通孔导体27与第一连接端部23连接的第一连结部29。优选第一连结部29具有直线状地延伸的形状。由此，能够减小起因于第一连结部29的电感，能够使高频特性提高。

另一方面，在第二线圈12中，如以下说明的那样，也具备与第一线圈11的情况相同的要素。

第二线圈12具有沿着非导电体层3c以及3d间的界面配置的第二线圈导体18。第二线圈12具有分别提供第三端12a以及第四端12b的第三引出导体21以及第四引出导体22。第三引出导体21包含在层叠体2的外表面与第三端子电极15连接的第三连接端部25。第四引出导体22包含在层叠体2的外表面与第四端子电极16连接的第四连接端部26。

上述第三连接端部25沿着与配置了第二线圈导体18的非导电体层3c以及3d间的界面不同的非导电体层3d以及3e间的界面配置。另外，第三引出导体21具有与第二线圈导体18连接并且在厚度方向贯通位于第二线圈导体18与第三连接端部25之间的非导电体层3d的第二通孔导体28、和沿着配置了第三连接端部25的非导电体层3d以及3e间的界面配置并且将第二通孔导体28与第三连接端部25连接的第二连结部30。第二连结部30与上述的第二连结部29相同，优选具有直线状地延伸的形状。由此，能够减小起因于第二连结部30的电感，能够使高频特性提高。

共模扼流圈1以使层叠体2的第二主面6朝向安装基板侧的状态安装。在实施品中，例如层叠体2中的第一端面9与第二端面10对置的长度方向的尺寸L为0.55mm以上并且0.75mm以下，第一侧面7与第二侧面8对置的宽度方向的尺寸W为0.40mm以上并且0.60mm以下，第一主面5与第二主面6对置的高度方向的尺寸H为0.20mm以上并且0.40mm以下。

根据图2以及图3可知，共模扼流圈1优选第一线圈导体17以及第二线圈导体18各自的匝数为一匝以下。

上述的匝数如以下那样定义。第一线圈导体17以及第二线圈导体18分别具有圆弧状地延伸的部分。参照图4，对第一线圈11所具备的第一线圈导体17进行说明。如图4所示，从线圈导体17的始端朝向终端，沿着线圈导体17的外周依次绘制切线T，在该切线T旋转了360度的阶段定义为一匝。在图4所示的线圈导体17中，切线T大约旋转307度，所以能够定义为大约0.85匝。也同样地对第二线圈12所具备的第二线圈导体18定义匝数。

第一线圈导体17以及第二线圈导体18的匝数越少，越能够降低在第一线圈11与第二线圈12之间形成的杂散电容，所以能够使共模扼流圈1的高频特性提高。

如上述那样，与匝数较少相关，共模扼流圈1的第一特征在于当将第一线圈11的路径长度设为L1，并将第二线圈12的路径长度设为L2时，L1和L2的合计长度为3.30mm以下。通过具备该特征，能够降低在第一线圈11与第二线圈12之间形成的杂散电容，所以共模扼流圈1能够在较高的频带，使差模信号透过，并且抑制共模噪声成分，能够使共模扼流圈1的高频特性提高。

在图2中，第一线圈11的路径长度L1是从第一线圈11的第一端11a经由第一引出导体19具备的第一连接端部23、第一连结部29以及第一通孔导体27、第一线圈导体17、以及第二引出导体20所具备的第二连接端部24，并到达第二端11b为止的合计的路径长度，在第一线圈导体17中，沿着宽度方向的大致中央部测定路径长度。

同样地，在图2中，第二线圈12的路径长度L2是从第二线圈12的第三端12a经由第三引出导体21所具备的第三连接端部25、第二连结部30以及第二通孔导体28、第二线圈导体18、以及第四引出导体22所具备的第四连接端部26，并到达第四端12b为止的合计的路径长度，在第二线圈导体18中，沿着宽度方向的大致中央部测定路径长度。

实际上，在层叠方向对层叠体2进行研磨，使第三连接端部25以及第二连结部30露出，并利用测定显微镜测定第三连接端部25以及第二连结部30各自的路径长度。进一步进行研磨，使第二线圈导体18以及第四连接端部26露出，并利用测定显微镜测定第二线圈导体18以及第四连接端部26各自的路径长度。进一步进行研磨，使第一线圈导体17以及第二连接端部24露出，并利用测定显微镜测定第一线圈导体17以及第二连接端部24各自的路径长度。进一步进行研磨，使第一连接端部23以及第一连结部29露出，并利用测定显微镜测定第一连接端部23以及第一连结部29各自的路径长度。

另一方面，准备其它的层叠体2，在与层叠方向正交的方向对该层叠体2进行研磨，使第一通孔导体27以及第二通孔导体28露出，并利用测定显微镜测定第一通孔导体27以及第二通孔导体28各自的层叠方向上的长度。

接下来，将通过以上的测定得到的第三连接端部25、第二连结部30、第二通孔导体28、第二线圈导体18以及第四连接端部26的长度的合计作为第二线圈12的路径长度。同样地，将第一连接端部23、第一连结部29、第一通孔导体27、第一线圈导体17以及第二连接端部24的长度的合计作为第一线圈11的路径长度。

如图3所示，优选在层叠体2的层叠方向俯视第一线圈导体17以及第二线圈导体18时，在第一线圈导体17以及第二线圈导体18，除了相互交叉的部分之外，没有相互重合的部分。这有助于降低在第一线圈11与第二线圈12之间形成的杂散电容，作为结果，能够使共模扼流圈1的高频特性提高。

另外，根据图3可知，在层叠体2的层叠方向俯视第一线圈导体17以及第二线圈导体18时，第一线圈导体17与第二线圈导体18相互交叉的部位为两个部位。这样，通过使交叉的部位为两个部位以下，能够降低在第一线圈导体17与第二线圈导体18之间形成的杂散电容，有助于高频特性的提高。

作为共模扼流圈1的第二特征，如图5所示，第一线圈导体17与第二线圈导体18之间的非导电体层3的层叠方向上的间隔D为6μm以上并且26μm以下。由此，根据后述的实验例可知，在共模成分的透过特性(Scc21透过特性)中，能够使透过特性为最小的频率(峰值位置)例如在29GHz以上。另外，能够使在Scc21透过特性为最小的频率(峰值位置)的透过率例如为－23dB以下。

与此相对，若第一线圈导体17与第二线圈导体18之间的非导电体层3的层叠方向上的间隔D小于6μm，则有在第一线圈导体17与第二线圈导体18之间形成的杂散电容大至使高频特性降低的程度的担心。因此，根据后述的实验例可知，在Scc21透过特性中，不能透过特性为最小的频率(峰值位置)例如小于29GHz，另外，在Scc21透过特性为最小的频率(峰值位置)的透过率例如为－23dB以下。

另一方面，若第一线圈导体17与第二线圈导体18之间的非导电体层3的层叠方向上的间隔D超过26μm，则有第一线圈11与第二线圈12的耦合系数降低的担心。

此外，虽然在图2以及图5中，图示为非导电体层3a、3b、3c、3d以及3e分别为单层，但也可以至少几个非导电体层由多个层构成。因此，例如，上述的第一线圈导体17与第二线圈导体18之间的非导电体层3的层叠方向上的间隔D的调整既可以通过变更非导电体层3c的单层的厚度来进行，也可以通过变更构成非导电体层3c的层的数目来进行。

另外，优选第一线圈导体17以及第二线圈导体18各自的线宽度为10μm以上并且在24μm以下。若该线宽度小于10μm，则有线圈导体17以及18中的直流电阻较大的担心。另一方面，若该线宽度超过24μm，则有在第一线圈导体17与第二线圈导体18之间形成的杂散电容大至使高频特性降低的程度的担心。

另外，虽然端子电极13～16从第一主面5形成至第二主面6，但优选端子电极13～16各自的第一侧面7或者第二侧面8上的宽度(在图1中，以“W1”示出第一端子电极13的第一侧面7上的宽度。)为0.1mm以上并且0.25mm以下，更优选为0.15mm以上。若该宽度小于0.1mm，则有将共模扼流圈1安装于安装基板时的固定强度不足的担心。另一方面，若该宽度超过0.25mm，则有使共模扼流圈1的高频特性降低的担心。

在图1中，图示形成为端子电极13～16各自的一部分延长至第一主面5的状态。虽然在图1未图示，但端子电极13～16各自的一部分在第二主面6中也同样地延长形成。优选这样的延长部的尺寸E为0.02mm以上并且在0.2mm以下，更优选为0.17mm以下。若尺寸E小于0.02mm，则有向安装基板安装时的共模扼流圈1的固定强度降低的担心。另一方面，若尺寸E超过0.2mm，则有使共模扼流圈1的高频特性降低的担心。

接下来，对共模扼流圈1的优选的制造方法进行说明。

为了制造应该成为非导电体层3的玻璃陶瓷薄片，实施以下的工序。将K₂O、B₂O₃以及SiO₂、及根据需要的Al₂O₃称量为成为规定的比率，放入白金制的坩埚，并在烧制炉升温至1500～1600℃的温度进行熔融。通过对该熔融物进行快速冷却得到玻璃材料。

作为上述的玻璃材料，例如使用至少含有K、B以及Si，且将K换算为K₂O为0.5～5质量％，将B换算为B₂O₃为10～25质量％，将Si换算为SiO₂为70～85质量％，将Al换算为Al₂O₃为0～5质量％构成的玻璃材料。

接下来，通过将上述玻璃材料粉碎为D50(体积基准的累积百分率相当于50％的粒径)为1～3μm左右来得到玻璃粉末。

接下来，在上述的玻璃粉末添加D50均为0.5～2.0μm的氧化铝粉末与石英(SiO₂)粉末，并与PSZ介质一起放入球磨机，并且，将聚乙烯醇缩丁醛系等有机粘合剂、乙醇、甲苯等有机溶剂、以及增塑剂放入球磨机，并进行混合，从而得到玻璃陶瓷浆料。

接下来，通过刮浆法等将上述浆料成形加工为膜厚为20～30μm的片状，并将得到的薄片冲裁为矩形形状，从而得到多个玻璃陶瓷薄片。

上述的玻璃陶瓷薄片所包含的无机成分例如包含含有60～66质量％的玻璃材料，含有34～37质量％的石英，且含有0.5～4质量％的氧化铝的电介质玻璃材料。

另一方面，准备用于形成第一线圈11以及第二线圈12的将Ag作为导电成分的导电性膏体。

接下来，例如通过对规定的玻璃陶瓷薄片照射激光，设置用于配置通孔导体27以及28的贯通孔。其后，例如通过丝网印刷对规定的玻璃陶瓷薄片赋予导电性膏体，由此，形成在上述贯通孔填充了导电性膏体的状态的通孔导体27以及28，并且以图案化的状态形成线圈导体17以及18及构成引出导体19～22的连接端部23～26以及连结部29以及30。

接下来，将多个玻璃陶瓷薄片层叠为得到图2所示的非导电性体层3a～3e的层叠顺序。此时，根据需要在这些玻璃陶瓷薄片的层叠的上下进一步层叠不设置贯通孔并且不赋予导电性膏体的适当数目的玻璃陶瓷薄片。

接下来，在温度60～90℃、压力80～120MPa的条件下对层叠的多个玻璃陶瓷薄片进行热间等静压处理，得到层叠块。

接下来，利用切割机等切断层叠块，单片化为能够成为各个共模扼流圈1所具备的层叠体2的尺寸的层叠结构物。

接下来，进行了单片化的层叠结构物在烧制炉中，在860～900℃的温度下烧制1～2小时，例如在880℃的温度下烧制1.5小时，得到层叠体2。

优选通过将烧制后的层叠体2、或者烧制前的进行了单片化的层叠结构物与介质一起放入旋转桶机，并进行旋转，来对棱线部分以及角部分实施倒圆、倒角。

接下来，在层叠体2中的引出连接端部23～26的部位涂覆包含Ag以及玻璃的导电性膏体，接着，例如以800～820℃的温度烧焊导电性膏体，由此，形成用于端子电极13～16的基底膜。基底膜的厚度例如大约为5μm。接下来，通过电镀在基底膜上例如依次形成Ni膜以及Sn膜。这些Ni膜以及Sn膜的厚度例如分别为大约3μm以及大约3μm。

如以上那样，完成图1所示的共模扼流圈1。

如上述那样，通过具备当将第一线圈11的路径长度设为L1，并将第二线圈12的路径长度设为L2时，L1和L2的合计长度为3.30mm以下这样的第一特征、及第一线圈导体17与第二线圈导体18之间的非导电体层3的层叠方向上的间隔D为6μm以上并且26μm以下这样的第二特征，共模扼流圈1能够在较高的频带，使差模信号透过，并且充分地抑制共模噪声成分。以下说明为了确认该情况而实施的实验例。

[实验例]

如表1所示，准备了改变“第一线圈/SG1”、“第二线圈/SG2”、“第一、第二线圈导体间的间隔/D”、“第一线圈路径长度/L1”以及“第二线圈路径长度/L2”的样品1～16所涉及的共模扼流圈。此外，各样品的共模扼流圈所具备的层叠体的尺寸使长度方向尺寸L为0.65mm，使宽度方向尺寸W为0.50mm，使高度方向尺寸H为0.30mm。另外，在各样品的共模扼流圈中，使第一线圈导体以及第二线圈导体各自的线宽度为0.018mm。

若参照图2进行说明，则在表1中，“第一线圈/SG1”是从第一线圈11中的第一线圈导体17分别到层叠体2的侧面7以及8及端面10的距离，“第二线圈/SG2”是从第二线圈12中的第二线圈导体18分别到侧面7以及8及端面9以及10的距离。在表1中，除了样品2之外，在样品1、3～16中，使SG1与SG2相互不同，但在这些样品1、3～16中，即使在SG1与SG2之差的绝对值最小的样品1、3以及16中，SG1与SG2之差的绝对值也为0.020mm。另一方面，如上述那样，第一线圈导体17以及第二线圈导体18各自的线宽度为0.018mm。因此，在使SG1与SG2相互不同的样品1、3～16中，如图3所示，在第一线圈导体17与第二线圈导体18之间，除了相互交叉的部分之外，没有相互重合的部分。

另外，在表1中，“第一、第二线圈导体间的间隔/D”是图5所示的第一线圈导体17与第二线圈导体18之间的非导电体层3的层叠方向上的间隔D。

【表1】

对样品1～16所涉及的共模扼流圈，求出共模成分的透过特性(Scc21透过特性)以及差模成分的透过特性(Sdd21透过特性)。

在图6以及图7，代表性地分别示出对样品9所涉及的共模扼流圈求出的Scc21透过特性以及Sdd21透过特性。

根据图6以及图7所示的特性图，对样品9求出了关于Scc21透过特性的峰值位置以及在峰值位置的透过率(最小值)、及关于Sdd21透过特性的20GHz、30GHz以及40GHz的各频率下的透过率。另外，通过相同的要领，也对样品1～8以及10～16求出关于Scc21透过特性的峰值位置以及在峰值位置的透过率(最小值)、及关于Sdd21透过特性的20GHz、30GHz以及40GHz的各频率下的透过率。这些结果在表1示出。

另外，在表1示出了基于“第一线圈路径长度/L1”以及“第二线圈路径长度/L2”计算出的“线圈路径长度的合计/L1+L2”。

参照表1，根据“线圈路径长度的合计/L1+L2”为3.30mm以下的样品5～16，在Scc21透过特性中，能够使透过特性为最小的频率(峰值位置)在28.3GHz以上。与此相对，在“线圈路径长度的合计/L1+L2”为3.33mm以上的样品1～4中，Scc21透过特性的峰值位置低于28.3GHz，为27.9GHz以下。

特别是，“线圈路径长度的合计/L1+L2”为3.30mm以下的样品5～16中除了样品7之外，“第一、第二线圈导体间的间隔/D”为6μm以上并且26μm以下。

即，在样品5、6、8～16中，满足“线圈路径长度的合计/L1+L2”为3.30mm以下这样的条件、和“第一、第二线圈导体间的间隔/D”为6μm以上并且26μm以下这样的条件。根据这些样品5、6、8～16，在Scc21透过特性中，能够进一步使透过特性为最小的频率(峰值位置)提高为29.8GHz以上。另外，虽然在样品7中，在Scc21透过特性为最小的峰值位置的透过率为－20.3dB，但根据样品5、6、8～16，能够进一步将该透过率降低为－23.1dB以下。

接下来，若关注Sdd21透过特性，则可知在样品5、6、8～16中，能够使20GHz下的透过特性为－1.83dB以上，使30GHz下的透过特性为－1.80dB以上，并使40GHz下的透过特性为－2.58dB以上，对差模信号来说衰减较小，能够有效地透过。

以上，与图示的实施方式相关联地对该发明进行了说明，但能够在该发明的范围内，实现其它各种变形例。

例如，也可以将第一线圈以及第二线圈的至少一方所具备的一个线圈导体分割为两个部分，分割后的第一部分以及第二部分分别沿着非导电体层间的相互不同的第一界面以及第二界面配置，并通过通孔导体连接第一部分与第二部分。该情况下，作为线圈的路径长度的一部分的线圈导体的路径长度为将线圈导体的第一部分、通孔导体以及线圈导体的第二部分加在一起的状态下的路径长度即可。

Claims

1.一种共模扼流圈，具备：

层叠体，具有被层叠的多个非导电体层，上述非导电体层由非导电体构成；

第一线圈以及第二线圈，内置于上述层叠体；

第一端子电极以及第二端子电极，设置于上述层叠体的外表面，并分别与上述第一线圈的相互不同的第一端以及第二端电连接；以及

第三端子电极以及第四端子电极，设置于上述层叠体的外表面，并分别与上述第二线圈的相互不同的第三端以及第四端电连接，

当将上述第一线圈的路径长度设为L1，并将上述第二线圈的路径长度设为L2时，上述L1和上述L2的合计长度为3.30mm以下，

上述第一线圈具有第一线圈导体，该第一线圈导体沿着上述非导电体层间的界面配置，

上述第二线圈具有第二线圈导体，该第二线圈导体沿着与配置了上述第一线圈导体的上述非导电体层间的界面不同的上述非导电体层间的界面配置，

上述第一线圈导体与上述第二线圈导体之间的上述非导电体层的层叠方向上的间隔为6μm以上并且26μm以下。

2.根据权利要求1所述的共模扼流圈，其中，

上述第一线圈导体以及上述第二线圈导体的至少一方的匝数为一匝以下。

3.根据权利要求1或者2所述的共模扼流圈，其中，

上述第一线圈具有分别提供上述第一端以及上述第二端的第一引出导体以及第二引出导体，上述第一引出导体包含第一连接端部，该第一连接端部沿着与配置了上述第一线圈导体的上述非导电体层间的界面不同的上述非导电体层间的界面配置并且在上述层叠体的外表面与上述第一端子电极连接。

4.根据权利要求3所述的共模扼流圈，其中，

上述第一引出导体具有：第一通孔导体，与上述第一线圈导体连接并且在厚度方向贯通位于上述第一线圈导体与上述第一连接端部之间的上述非导电体层；和直线状的第一连结部，沿着配置了上述第一连接端部的上述非导电体层间的界面配置并且将上述第一通孔导体与上述第一连接端部连接。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的共模扼流圈，其中，

在10GHz以上并且60GHz以下的频率下测定共模成分的透过特性亦即Scc21透过特性时，上述Scc21透过特性为最小的峰值位置的频率在29GHz以上。

6.根据权利要求5所述的共模扼流圈，其中，

在上述Scc21透过特性为最小的峰值位置的透过率为－23dB以下。