CN114057995A - 一种底填材料及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明属于芯片底填材料领域，涉及一种室温可快速填充的高Tg且可返修的底填材料及其制备方法和应用。所述底填材料中含有环氧树脂、硫醇化合物和催化剂；所述环氧树脂具有式(1)所示的结构；所述硫醇化合物的巯基与环氧树脂的环氧基团的当量比为0.01～0.5。本发明将硫醇化合物作为环氧树脂底填材料的固化剂并选用具有特定结构的环氧树脂，同时将硫醇化合物的巯基与环氧树脂的环氧基团的当量比控制在0.01～0.5，可以使得硫醇化合物能够用于环氧树脂底填材料体系中，同时确保高Tg、室温可快速填充、快速固化、高温可返修的目的。

Description

一种底填材料及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于芯片底填材料领域，特别涉及一种底填材料及其制备方法和应用。
背景技术
芯片的底部贴装技术是现在芯片跟终端互联的主要方式，为了防止芯片跟PCB板之间由于应力差异较大导致焊接焊球断裂，往往需要在芯片跟PCB板之间采用底填材料做底部填充处理。
底填材料对手机、电脑等电子材料的可靠性至关重要。一方面，为了获得更高的产能，要求底填材料在室温下即可快速流动，并且具有尽可能短的固化时间；另一方面，为了提高材料的可靠性，要求底填材料具有较高的玻璃化转变温度(Tg)，同时为了回收成本较高的PCB板和芯片，要求底填材料具有一定的返修性能。然而，当前的用于电子材料的底填材料，无法同时满足室温下可快速流动(即确保底填材料的室温粘度小于或等于1000cps)、短固化时间(SMT焊接常用温度为130℃，因此需要在130℃下达到95％固化程度所需时间小于或等于5min)、高玻璃化转变温度(Tg大于或等于120℃)、高温可返修。目前常见底填材料的固化时间一般都需要10～15分钟才能够达到95％的固化程度，且Tg一般都在100～110℃。再则，目前常见的底填材料一般不会在采用环氧树脂的基础上以硫醇化合物作为固化剂，因为硫醇化合物的使用通常会降低底填材料的Tg。此外，为了提高Tg，通常的做法是将底填材料中所含树脂的活性官能团与固化剂的活性官能团的当量比控制在1左右，如此能够使得底填材料得以最充分固化以提高Tg。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有的底填材料的固化时间长、Tg较低且可返修性较差的缺陷，而提供一种室温可快速填充及快速固化的高Tg且可返修的底填材料及其制备方法和应用。
具体地，本发明提供了一种底填材料，其中，所述底填材料中含有环氧树脂、硫醇化合物和催化剂；所述环氧树脂具有式(1)所示的结构；所述硫醇化合物的巯基与环氧树脂的环氧基团的当量比为0.01～0.5；
Figure BDA0003415910430000021
在一种优选实施方式中，相对于100重量份的所述环氧树脂，所述硫醇化合物的含量为1.2～60重量份，所述催化剂的含量为1～20重量份。
在一种优选实施方式中，所述硫醇化合物选自3-巯基丙酸甲酯、3-巯基丙酸乙酯、3-氢硫基丙酸丁酯、双(3-巯基丙酸)乙二醇、双巯基乙酸乙二醇酯、四乙烯乙二醇双(3-巯基丙酸)、3,7-二硫杂-1,9-壬二硫醇、三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、1,3,5-三(3-巯基丁酰氧基乙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮、三[2-(3-巯基丙酰氧基)乙基]异氰脲酸酯、2,3-二硫代(2-巯基)-1-丙烷硫醇、四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯、四(3-巯基丁酸)季戊四醇酯以及肌醇六(巯基丙酸酯)中的至少一种。
在一种优选实施方式中，所述催化剂选自咪唑系化合物、胺系化合物和磷系化合物中的至少一种。
在一种优选实施方式中，所述底填材料中还含有硅烷偶联剂。
在一种优选实施方式中，所述硅烷偶联剂选自γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、苯胺甲基三乙氧基硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷以及γ-脲丙基三乙氧基硅烷中的至少一种。
在一种优选实施方式中，所述硅烷偶联剂的含量为所述环氧树脂和硫醇化合物的总重量的0.01～5％。
在一种优选实施方式中，所述底填材料中还含有稳定剂。
在一种优选实施方式中，所述稳定剂选自液体硼酸酯化合物、铝螯合剂及巴比妥酸中的至少一种。
在一种优选实施方式中，所述稳定剂的含量为所述环氧树脂和硫醇化合物的总重量的0.01～1％。
在一种优选实施方式中，所述底填材料中还含有无机填料。
在一种优选实施方式中，所述无机填料选自二氧化硅、氧化铝、滑石粉、碳酸钙、硫酸钡、云母石、石英粉、玻璃粉、氢氧化铝、氧化锌、氮化铝、碳化硅、氮化硅、氮化硼、氮化钛、白云石、二氧化钛、硅酸铝、硅酸钙、膨润土、氧化镁、氢氧化镁、硅酸镁、硅酸钴、氧化锆以及钛酸钡中的至少一种。
在一种优选实施方式中，所述无机填料的含量为所述环氧树脂和硫醇化合物的总重量的10～200％。
本发明还提供了所述底填材料的制备方法，其中，该方法包括将环氧树脂、硫醇化合物和催化剂以及任选的硅烷偶联剂、稳定剂和无机填料混合均匀，得到底填材料。
在一种优选实施方式中，所述混合均匀的方式为将催化剂以及任选的硅烷偶联剂、稳定剂和无机填料加入环氧树脂中并分散均匀，得到环氧树脂复合物；将硫醇化合物加入到所述环氧树脂复合物中并分散均匀，得到底填材料。
本发明还提供了所述底填材料在用于芯片和PCB板的底填中的应用。
如上所述，一方面，由于硫醇化合物的使用通常会降低环氧树脂底填材料的Tg，因此一般不会将硫醇化合物作为环氧树脂底填材料的固化剂；另一方面，通常需要将底填材料中所含树脂的活性官能团与固化剂的活性官能团的当量比控制在1左右，以使得底填材料得以最充分固化，从而提高Tg。而本发明打破了以上传统观念的局限，将硫醇化合物作为环氧树脂底填材料的固化剂并选用具有特定结构的环氧树脂，同时将硫醇化合物的巯基与环氧树脂的环氧基团的当量比控制在0.01～0.5，意外地发现，这种巧妙的配合可以使得硫醇化合物能够用于环氧树脂底填材料体系中，同时确保高Tg、室温可快速填充、快速固化、高温可返修的目的。
具体实施方式
本发明提供的底填材料中含有环氧树脂、硫醇化合物和催化剂。其中，所述硫醇化合物的巯基当量远远小于环氧树脂的环氧基团当量。其中，相对于100重量份的所述环氧树脂，所述硫醇化合物的含量优选为1.2～60重量份，如1.2、2、5、8、10、12、15、18、20、22、25、28、30、32、35、38、40、42、45、48、50、52、55、58、60重量份等；所述催化剂的含量优选为1～20重量份，如1、1.2、1.5、1.8、2、2.2、2.5、2.8、3、3.2、3.5、3.8、4、4.2、4.5、4.8、5、5.5、6、6.5、7、7.5、8、8.5、9、9.5、10、10.5、11、11.5、12、12.5、13、13.5、14、14.5、15、15.5、16、16.5、17、17.5、18、18.5、19、19.5、20重量份等。
所述环氧树脂具有式(1)所示的结构：
Figure BDA0003415910430000041
所述硫醇化合物的具体实例包括但不限于：3-巯基丙酸甲酯、3-巯基丙酸乙酯、3-氢硫基丙酸丁酯、双(3-巯基丙酸)乙二醇、双巯基乙酸乙二醇酯、四乙烯乙二醇双(3-巯基丙酸)、3,7-二硫杂-1,9-壬二硫醇、三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、1,3,5-三(3-巯基丁酰氧基乙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮、三[2-(3-巯基丙酰氧基)乙基]异氰脲酸酯、2,3-二硫代(2-巯基)-1-丙烷硫醇、四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯、四(3-巯基丁酸)季戊四醇酯以及肌醇六(巯基丙酸酯)中的至少一种。
本发明中，所述硫醇化合物的巯基当量远远小于环氧树脂的环氧基团当量。具体地，所述硫醇化合物的巯基与环氧树脂的环氧基团的当量比为0.01～0.5，如0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.1、0.12、0.15、0.18、0.2、0.22、0.25、0.28、0.3、0.32、0.35、0.38、0.4、0.42、0.45、0.48、0.5。本发明的发明人经过深入且广泛的研究之后发现，在选用具有特定结构环氧树脂的基础上将硫醇化合物的巯基和环氧树脂的环氧基团的当量比控制在0.01～0.5，能够使得使所得底填材料具有高Tg、室温可快速填充、快速固化、高温可返修。
本发明对所述催化剂的种类没有特别的限定，其具体实例包括但不限于：咪唑系化合物、胺系化合物和磷系化合物中的至少一种，可列举例如：在常温下为固体的咪唑化合物、有机酸二酰肼；胺化合物与环氧化合物的反应产物(胺-环氧加合物系)等固体分散型胺加合物；胺化合物与异氰酸酯化合物或脲化合物的反应产物等。
在一种优选实施方式中，所述底填材料中还含有硅烷偶联剂，以增强体系的粘接强度。所述硅烷偶联剂的具体实例包括但不限于：γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、苯胺甲基三乙氧基硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷以及γ-脲丙基三乙氧基硅烷中的至少一种。此外，所述硅烷偶联剂的含量优选为所述环氧树脂和硫醇化合物的总重量的0.01～5％，如0.01％、0.05％、0.1％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.6％、0.7％、0.8％、0.9％、1.0％、2.0％、3.0％、4.0％、5.0％等。
在一种优选实施方式中，所述底填材料中还含有稳定剂，以提高体系的稳定性，延长贮存期。所述稳定剂可以为现有的各种以环氧树脂和硫化化合物为主剂的稳定剂，从提高贮存稳定效果的角度出发，所述稳定剂优选选自液体硼酸酯化合物、铝螯合物及巴比妥酸中的至少一种。其中，所述液体硼酸酯化合物的具体实例包括但不限于：2,2'-氧基双(5,5'-二甲基-1,3,2-氧杂己硼烷)、硼酸三甲酯、硼酸三乙酯、硼酸三正丙酯、硼酸三异丙酯、硼酸三正丁酯、硼酸戊酯、硼酸三烯丙酯、硼酸三己酯、硼酸三环己酯、硼酸三辛酯、硼酸三壬酯、硼酸三癸酯硼酸三(十二烷基)酯、硼酸三(十六烷基)酯、硼酸三(十八烷基)酯、硼酸三苯酯、硼酸三邻甲苯酯、硼酸三间甲苯酯、三乙醇胺硼酸酯等中的至少一种。所述液体硼酸酯化合物在常温(25℃)下为液状，因此将配合物粘度抑制为较低，故而优选。所述铝螯合物例如可以为铝螯合物A(川研精密化学公司制)。此外，所述稳定剂的含量优选为所述环氧树脂和硫醇化合物的总重量的0.01～1％，如0.01％、0.05％、0.1％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.6％、0.7％、0.8％、0.9％、1.0％等。
在一种优选实施方式中，所述底填材料中还含有无机填料，以提高体系的机械强度，降低体系的热膨胀系数。所述无机填料的具体实例包括但不限于：二氧化硅、氧化铝、滑石粉、碳酸钙、硫酸钡、云母石、石英粉、玻璃粉、氢氧化铝、氧化锌、氮化铝、碳化硅、氮化硅、氮化硼、氮化钛、白云石、二氧化钛、硅酸铝、硅酸钙、膨润土、氧化镁、氢氧化镁、硅酸镁、硅酸钴、氧化锆以及钛酸钡中的至少一种。此外，所述无机填料的含量优选为所述环氧树脂和硫醇化合物的总重量的10～30％，如10％、11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％、20％、21％、22％、23％、24％、25％、26％、27％、28％、29％、30％、50％、80％、100％、120％、150％、180％、200％等。
本发明提供的底填材料的制备方法包括将各组分混合均匀，得到底填材料。本发明对将各组分混合均匀的方式没有特别的限定，在一种优选实施方式中，所述混合均匀的方式为将催化剂以及任选的硅烷偶联剂、稳定剂和无机填料加入环氧树脂中并分散均匀，得到环氧树脂复合物；将硫醇化合物加入到所述环氧树脂复合物中并分散均匀，得到底填材料。其中，各组分的种类和用量已经在上文中有所描述，在此不作赘述。
本发明还提供了所述底填材料在用于芯片和PCB板的底填中的应用。
下面将结合实施例，对本发明作进一步说明。
实施例1(当量比0.01)
步骤一：准备好100g 4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚(具有式(1)所示的结构)、4g改性胺催化剂FXR-1020以及1.2g四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯；
步骤二：往步骤一中准备好的4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚中加入改性胺催化剂FXR-1020，通过三辊研磨分散均匀，得到环氧树脂复合物；
步骤三：将四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯加入到步骤二所得环氧树脂复合物中，在2000rpm的转速下分散均匀，即可得到底填材料。
实施例2(当量比0.12)
步骤一：准备好100g 4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚(具有式(1)所示的结构)、4g改性胺催化剂FXR-1020以及15g四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯；
步骤二：往步骤一中准备好的4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚中加入改性胺催化剂FXR-1020，通过三辊研磨分散均匀，得到环氧树脂复合物；
步骤三：将四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯加入到步骤二所得环氧树脂复合物中，在2000rpm的转速下分散均匀，即可得到底填材料。
实施例3(当量比0.5)
步骤一：准备好100g 4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚(具有式(1)所示的结构)、4g改性胺催化剂FXR-1020以及60g四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯；
步骤二：往步骤一中准备好的4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚中加入改性胺催化剂FXR-1020，通过三辊研磨分散均匀，得到环氧树脂复合物；
步骤三：将四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯加入到步骤二所得环氧树脂复合物中，在2000rpm的转速下分散均匀，即可得到底填材料。
实施例4(当量比0.11)
步骤一：准备好100g 4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚(具有式(1)所示的结构)、4g改性胺催化剂FXR-1020以及15g四(3-巯基丁酸)季戊四醇酯；
步骤二：往步骤一中准备好的4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚中加入改性胺催化剂FXR-1020，通过三辊研磨分散均匀，得到环氧树脂复合物；
步骤三：将四(3-巯基丁酸)季戊四醇酯加入到步骤二所得环氧树脂复合物中，在2000rpm的转速下分散均匀，即可得到底填材料。
实施例5(当量比0.12)
步骤一：准备好100g 4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚(具有式(1)所示的结构)、4g改性胺催化剂FXR-1020、0.2g巴比妥酸以及15g四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯；
步骤二：往步骤一中准备好的4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚中加入改性胺催化剂FXR-1020和巴比妥酸，通过三辊研磨分散均匀，得到环氧树脂复合物；
步骤三：将四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯加入到步骤二所得环氧树脂复合物中，在2000rpm的转速下分散均匀，即可得到底填材料。
实施列6(当量比0.12)
步骤一：准备好100g 4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚(具有式(1)所示的结构)、4g改性胺催化剂FXR-1020、3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷以及15g四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯；
步骤二：往步骤一中准备好的4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚中加入改性胺催化剂FXR-1020，通过三辊研磨分散均匀，随后再加入1g 3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷，在2000rpm的转速下分散均匀，得到4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚复合物；
步骤三：将四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯加入到步骤二所得4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚复合物中，在2000rpm的转速下分散均匀，即可得到底填材料。
实施列7(当量比0.12)
步骤一：准备好100g 4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚、4g改性胺催化剂FXR-1020、20g硅粉SO-E2以及15g四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯；
步骤二：往步骤一中准备好的4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚中加入改性胺催化剂FXR-1020和硅粉SO-E2，通过三辊研磨分散均匀，得到4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚复合物；
步骤三：将四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯加入到步骤二所得4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚复合物中，在2000rpm的转速下分散均匀，即可得到底填材料。
对比例1(当量比0.12)
按照实施例7的方法制备底填材料，不同的是，将4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚采用相同重量份的环氧树脂(购自日本dic株式会社，牌号为EXA-830CRP，其具有式(2)所示的结构，下同)替代，同时将四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯的用量由15g调整为9g以将硫醇化合物的巯基与环氧树脂的环氧基团的当量比控制在与实施例7相同的水平，具体步骤如下：
步骤一：准备好100g环氧树脂EXA-830CRP、4g改性胺催化剂FXR-1020、20g硅粉SO-E2以及9g四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯；
步骤二：往步骤一中准备好的环氧树脂830CRP中加入改性胺催化剂FXR-1020和硅粉SO-E2，通过三辊研磨分散均匀，得到环氧树脂830CRP复合物；
步骤三：将四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯加入到步骤二所得环氧树脂830CRP复合物中，在2000rpm的转速下分散均匀，即可得到底填材料。
Figure BDA0003415910430000081
对比例2(当量比0.001)
按照实施例7的方法制备底填材料，不同的是，将四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯的用量由15g调整为0.132g以将硫醇化合物的巯基与环氧树脂的环氧基团的当量比控制在0.001，其余条件与实施例7相同，具体步骤如下：
步骤一：准备好100g 4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚、4g改性胺催化剂FXR-1020、20g硅粉SO-E2以及0.132g四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯；
步骤二：往步骤一中准备好的4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚中加入改性胺催化剂FXR-1020和硅粉SO-E2，通过三辊研磨分散均匀，得到4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚复合物；
步骤三：将四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯加入到步骤二所得4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚复合物中，在2000rpm的转速下分散均匀，即可得到底填材料。
对比例3(当量比0.83)
按照实施例7的方法制备底填材料，不同的是，将四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯的用量由15g调整为100g以将硫醇化合物的巯基与环氧树脂的环氧基团的当量比控制在0.83，其余条件与实施例7相同，具体步骤如下：
步骤一：准备好100g 4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚、4g改性胺催化剂FXR-1020、20g硅粉SO-E2以及100g四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯；
步骤二：往步骤一中准备好的4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚中加入改性胺催化剂FXR-1020和硅粉SO-E2，通过三辊研磨分散均匀，得到4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚复合物；
步骤三：将四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯加入到步骤二所得4-(二缩水甘油基氨基)苯基缩水甘油醚复合物中，在2000rpm的转速下分散均匀，即可得到底填材料。
对比例4(常规底填胶，当量比0.98)
步骤一：准备好100g环氧树脂EXA-830CRP、4g改性胺催化剂FXR-1020、100g甲基六氢苯酐；
步骤二：往步骤一中准备好的EXA-830CRP中加入改性胺催化剂FXR-1020，通过三辊研磨分散均匀，得到环氧树脂830CRP复合物；
步骤三：将甲基六氢苯酐加入到步骤二所得环氧树脂830CRP复合物中，在2000rpm的转速下分散均匀，即可得到底填材料。
测试例
(1)粘度：采用梅特勒流变仪对各实施例和对比例所得底填材料的粘度进行测试，其中，采用20mm平板转子，测试温度为25℃，转速为20s-1，平衡2分钟后测定粘度，取三组平行数据的平均值为最终粘度值。所得结果见表2。
(2)固化时间：采用DSC法测定各实施例和对比例所得底填材料在130℃下达到95％固化程度所需时间，具体地，将DSC设备(梅特勒-托利多差示扫描量热仪DSC3)预热到130℃，加入待测样品，程序设置为130℃恒温1h，根据积分曲线计算出达到95％固化程度所需要的时间。所得结果见表2。
(3)玻璃化转变温度(Tg)：将各实施例和对比例所得底填材料完全固化后制成直径8mm×4mm的圆柱形样块，之后采用美国TA仪器的Q-400型DMA测试仪在液氮氛围和薄膜拉伸模式下进行测试，测试温度范围为-40～200℃，采用升温-降温-升温三段循环，升温速率为5℃/min，测试频率为1Hz，取第二段升温曲线的拐点作为玻璃化转变温度(Tg)。结果见表2。
(4)200℃下的返修性：采用高温胶带将PCB基板(PCB基板远离高温胶带的一侧表面锡焊有芯片，芯片与PCB基板之间采用底填材料做底部填充处理)固定在热台上，加热到200℃，采用热风枪给芯片周边的边胶(从芯片边缘溢出来的底填材料)加热，去除边胶，热风枪加热芯片，达到锡的熔点，用镊子铲除边胶，翘取芯片，用吸锡带出去PCB基板上多余的锡，去除残胶。其中，按照表1的标准计算分值T，其中，UF代表晶圆，pad代表芯片的input/output部分，traces代表信号线。所得结果见表2，其中，T≤1表明不可返修，1＜T≤3表明可返修，3＜T≤7表明可接受，7＜T≤10表明容易返修。
表1
Figure BDA0003415910430000101
表2
Figure BDA0003415910430000102
从表2的结果可以看出，将硫醇化合物作为环氧树脂底填材料的固化剂并选用具有特定结构的环氧树脂，同时将硫醇化合物的巯基与环氧树脂的环氧基团的当量比控制在0.01～0.5，可以使得硫醇化合物能够用于环氧树脂底填材料体系中，同时确保高Tg、室温可快速填充、快速固化、高温可返修的目的。从实施例7与对比例1的对比可以看出，当将具有式(1)所示结构的环氧树脂采用其他环氧树脂替代之后，所得底填材料的Tg会显著降低。从实施例7与对比例2的对比可以看出，当硫醇化合物的巯基与环氧树脂的环氧基团的当量比低于0.01时，所得底填材料的固化时间长，且不具有可返修性。从实施例7与对比例3的对比可以看出，当硫醇化合物的巯基与环氧树脂的环氧基团的当量比高于0.5时，会严重降低Tg。从实施例7与对比例4的对比可以看出，本发明提供的底填材料较常规底填材料具有更高的Tg并能够得以更快速固化。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种底填材料，其特征在于，所述底填材料中含有环氧树脂、硫醇化合物和催化剂；所述环氧树脂具有式(1)所示的结构；所述硫醇化合物的巯基与环氧树脂的环氧基团的当量比为0.01～0.5；
Figure FDA0003415910420000011
2.根据权利要求1所述的底填材料，其特征在于，相对于100重量份的所述环氧树脂，所述硫醇化合物的含量为1.2～60重量份，所述催化剂的含量为1～20重量份。
3.根据权利要求1所述的底填材料，其特征在于，所述硫醇化合物选自3-巯基丙酸甲酯、3-巯基丙酸乙酯、3-氢硫基丙酸丁酯、双(3-巯基丙酸)乙二醇、双巯基乙酸乙二醇酯、四乙烯乙二醇双(3-巯基丙酸)、3,7-二硫杂-1,9-壬二硫醇、三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、1,3,5-三(3-巯基丁酰氧基乙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮、三[2-(3-巯基丙酰氧基)乙基]异氰脲酸酯、2,3-二硫代(2-巯基)-1-丙烷硫醇、四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯、四(3-巯基丁酸)季戊四醇酯以及肌醇六(巯基丙酸酯)中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的底填材料，其特征在于，所述催化剂选自咪唑系化合物、胺系化合物和磷系化合物中的至少一种。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的底填材料，其特征在于，所述底填材料中还含有硅烷偶联剂；所述硅烷偶联剂选自γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、苯胺甲基三乙氧基硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷以及γ-脲丙基三乙氧基硅烷中的至少一种；所述硅烷偶联剂的含量为所述环氧树脂和硫醇化合物的总重量的0.01～5％。
6.根据权利要求1～4中任意一项所述的底填材料，其特征在于，所述底填材料中还含有稳定剂；所述稳定剂选自液体硼酸酯化合物、铝螯合剂及巴比妥酸中的至少一种；所述稳定剂的含量为所述环氧树脂和硫醇化合物的总重量的0.01～1％。
7.根据权利要求1～4中任意一项所述的底填材料，其特征在于，所述底填材料中还含有无机填料；所述无机填料选自二氧化硅、氧化铝、滑石粉、碳酸钙、硫酸钡、云母石、石英粉、玻璃粉、氢氧化铝、氧化锌、氮化铝、碳化硅、氮化硅、氮化硼、氮化钛、白云石、二氧化钛、硅酸铝、硅酸钙、膨润土、氧化镁、氢氧化镁、硅酸镁、硅酸钴、氧化锆以及钛酸钡中的至少一种；所述无机填料的含量为所述环氧树脂和硫醇化合物的总重量的10～200％。
8.权利要求1～7中任意一项所述的底填材料的制备方法，其特征在于，该方法包括将环氧树脂、硫醇化合物和催化剂以及任选的硅烷偶联剂、稳定剂和无机填料混合均匀，得到底填材料。
9.根据权利要求8所述的底填材料的制备方法，其特征在于，所述混合均匀的方式为将催化剂以及任选的硅烷偶联剂、稳定剂和无机填料加入环氧树脂中并分散均匀，得到环氧树脂复合物；将硫醇化合物加入到所述环氧树脂复合物中并分散均匀，得到底填材料。
10.权利要求1～7中任意一项所述的底填材料在用于芯片和PCB板的底填中的应用。
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