CN114054326A - 晶片粘接蜡片的制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种晶片粘接蜡片的制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：取粘接蜡放入辊涂热熔涂胶机中，并加热粘接蜡至其融化开启辊涂热熔涂胶机的转速5～10r/min，调节胶膜的厚度为0.1～0.15mm，并在滚筒内贴上双面不干贴纸，双面不干贴纸宽度超过20cm。使得蜡涂于双面不干贴纸上，得到涂蜡贴纸冷却，并卷绕保存，得到晶片粘接蜡片。应用具体步骤为：取待加工单晶片，将得到的晶片粘接蜡片贴于待加工单晶片一面，揭取晶片粘接蜡片的表面盖纸，贴于抛光盘上，再将抛光盘加热并压平，冷却后放到抛光机上抛光和加工。可以控制蜡片适应不同单晶片大小来改变大小，方便且效率高，适应多种不同的情况，减少加工时间，提高效率，抛光加工更准确，避免材料浪费。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶片粘接蜡片的制备方法和应用，属于晶片抛光加工用粘接蜡技术领域。
背景技术
晶片加工时，切割下来的单晶片需要进行磨圆抛光工序，就是将单晶片固定在抛光盘上，抛光结束再取下清洗的一个过程。目前固定用的材料主要是热熔的粘接蜡，具体工艺是先将抛光盘加热到粘接蜡熔点以上，然后将粘接蜡在热的抛光盘上涂抹成一层蜡液，再用滚轮或刮片将蜡液涂抹均匀，接着将单晶片(通常是4～6片)放到抛光盘上，压平并冷却，再把抛光盘移到抛光机上进行抛光。
本工艺存在一个明显的缺陷，即一次不管抛光多少片单晶片，都需要将整个抛光盘都涂上粘接蜡，造成资源浪费，而且因为蜡液的流动性高，在滚涂或刮涂时并不能控制均匀度，导致单晶片固定时不够水平，则抛光结束后晶片常有厚薄偏差超标的次品。
本发明是将粘接蜡做成厚薄均匀的蜡片，使用时根据单晶片的尺寸裁剪出同样尺寸的蜡片，贴在单晶片上再放到抛光盘上，加热压平再冷却固定，不仅厚薄均匀而且不浪费资源。
发明内容
发明目的：针对上述现有存在的问题和不足，本发明的目的是提供晶片粘接蜡片的制备方法和应用，使得晶片抛光加工更为便捷，减少加工成本，降低失败率。
技术方案：为实现上述发明目的，本发明采用以下技术方案：一种晶片粘接蜡片的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：取粘接蜡放入辊涂热熔涂胶机中，并加热粘接蜡至其融化得到溶解蜡；
步骤2：对步骤1得到的溶解蜡开启辊涂热熔涂胶机的转速5～10r/min，调节胶膜的厚度为0.1～0.15mm，并在滚筒内贴上双面不干贴纸，使得蜡涂于双面不干贴纸上，得到涂蜡贴纸；
步骤3：将步骤2得到的涂蜡贴纸冷却，并卷绕保存，得到晶片粘接蜡片。
进一步的，所述步骤1中加热时温度为较粘接蜡高2~5℃。
进一步的，所述步骤1中的粘接蜡软化点为75~95℃，在100℃时的运动粘度为110~180mm2/s，拉伸剪切强度大于40kg/cm2
进一步的，所述步骤2中的双面不干贴纸宽度超过20cm。
晶片粘接蜡片的应用，所述步骤3中得到的晶片粘接蜡片使用具体步骤为：取待加工单晶片，将步骤3得到的晶片粘接蜡片贴于待加工单晶片一面，揭取晶片粘接蜡片的表面盖纸，贴于抛光盘上，再将抛光盘加热并压平，冷却后放到抛光机上抛光和加工。
有益效果：与现有技术相比，本发明具有以下优点：这是一种新式的晶片粘接蜡片的制备方法和应用，使得晶片抛光加工更准确，避免材料浪费。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
一种晶片粘接蜡片的制备方法和应用，实施例中制备方法包括如下步骤：步骤1：取粘接蜡放入辊涂热熔涂胶机中，并加热粘接蜡至其融化得到溶解蜡，加热时温度较粘接蜡高2~5℃。此粘接蜡软化点为81℃，在100℃时的运动粘度为150mm2/s，拉伸剪切强度大于40kg/cm2。步骤2：对得到的溶解蜡开启辊涂热熔涂胶机的转速8r/min，调节胶膜的厚度为0.13mm，并在滚筒内贴上双面不干贴纸，双面不干贴纸宽度超过20cm。使得蜡涂于双面不干贴纸上，得到涂蜡贴纸。步骤3：将得到的涂蜡贴纸冷却，并卷绕保存，得到晶片粘接蜡片。
制得的晶片粘接蜡片的应用具体步骤为：取待加工单晶片，将晶片粘接蜡片贴于待加工单晶片一面，揭取晶片粘接蜡片的表面盖纸，贴于抛光盘上，再将抛光盘加热并压平，冷却后放到抛光机上抛光和加工。
通过此方法可以控制蜡片适应不同单晶片大小来改变大小，方便且效率高，适应多种不同的情况，减少加工时间，提高效率。使得晶片抛光加工更准确，避免材料浪费。
Claims (5)
1.一种晶片粘接蜡片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1：取粘接蜡放入辊涂热熔涂胶机中，并加热粘接蜡至其融化得到溶解蜡；
步骤2：对步骤1得到的溶解蜡开启辊涂热熔涂胶机的转速5～10r/min，调节胶膜的厚度为0.1～0.15mm，并在滚筒内贴上双面不干贴纸，使得蜡涂于双面不干贴纸上，得到涂蜡贴纸；
步骤3：将步骤2得到的涂蜡贴纸冷却，并卷绕保存，得到晶片粘接蜡片。
2.根据权利要求1所述的晶片粘接蜡片的制备方法，其特征在于：所述步骤1中加热时温度为较粘接蜡高2~5℃。
3.根据权利要求1所述的晶片粘接蜡片的制备方法，其特征在于：所述步骤1中的粘接蜡软化点为75~95℃，在100℃时的运动粘度为110~180mm2/s，拉伸剪切强度大于40kg/cm2。
4.根据权利要求1所述的晶片粘接蜡片的制备方法，其特征在于：所述步骤2中的双面不干贴纸宽度超过20cm。
5.根据权利要求1所述的晶片粘接蜡片的应用，其特征在于：所述步骤3中得到的晶片粘接蜡片使用具体步骤为：取待加工单晶片，将步骤3得到的晶片粘接蜡片贴于待加工单晶片一面，揭取晶片粘接蜡片的表面盖纸，贴于抛光盘上，再将抛光盘加热并压平，冷却后放到抛光机上抛光和加工。
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