CN113980596A - 一种5g芯片pvd制程用载带及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及芯片配件技术领域，尤其为一种5G芯片PVD制程用载带及其制作方法，包括均苯四甲酸二酐、二甲基乙酰、复合纳米粒子、有机溶胶、对苯二胺、聚乙二醇、乙醇、抗静电液以及复合丙烯酸胶液，且各成分按照重量比分别为：均苯四甲酸二酐30～70份、二甲基乙酰20～60份、复合纳米粒子5～15份、有机溶胶40～90份、对苯二胺30～40份、聚乙二醇20～25份、乙醇20～25份、抗静电液30～45份以及复合丙烯酸胶液20～30份，本发明可以有效解决目前现有的载带粘性不稳定，容易掉片且取下时容易残胶，制程良品率较低的问题。
Description
技术领域
本发明涉及芯片配件技术领域，具体为一种5G芯片PVD制程用载带及其制作方法。
背景技术
载带是用于5G芯片PVD制程中的承载设备。
目前现有的载带粘性不稳定，容易掉片且取下时容易残胶，制程良品率较低。
综上所述，本发明通过设计一种5G芯片PVD制程用载带及其制作方法来解决存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种5G芯片PVD制程用载带及其制作方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种5G芯片PVD制程用载带及其制作方法，包括均苯四甲酸二酐、二甲基乙酰、复合纳米粒子、有机溶胶、对苯二胺、聚乙二醇、乙醇、抗静电液以及复合丙烯酸胶液，且各成分按照重量比分别为：均苯四甲酸二酐30～70份、二甲基乙酰20～60份、复合纳米粒子5～15份、有机溶胶40～90份、对苯二胺30～40份、聚乙二醇20～25份、乙醇20～25份、抗静电液30～45份以及复合丙烯酸胶液20～30份。
作为本发明优选的方案，包括以下步骤：
S1，将有机溶胶超声分散处理35min～40min后，加入复合纳米粒子，在75℃下搅拌反应8h，再送入干燥箱中真空干燥处理12h，得到纳米类流体，将乙醇加热至105℃～110℃，然后将聚乙二醇投入乙醇中进行搅拌混合均匀，再投入纳米类流体，采用循环砂磨处理35min～40min，得到纳米聚集体；
S2，将均苯四甲酸二酐和二甲基乙酰送入反应釜中，加入对苯二胺，在6℃～8℃反应，反应过程中不断搅拌，转速为105r/min，反应4.5h，得到聚酰胺酸，黏度达到9200cp～9500cp，向聚酰胺酸中加入纳米聚集体充分搅拌，最后脱泡流延成膜即可得到PI膜；
S3，使用异丙醇稀释抗静电液，将稀释的抗静电液均匀的涂布在PI膜一面，然后再将稀释的抗静电液涂布于PI膜的另一面，从而使得PI膜两面都达到抗静电的效果，并使用离型纸/离型膜覆盖在复合丙烯酸胶液上，从而得到5G芯片PVD制程用载带。
作为本发明优选的方案，所述复合纳米粒子由纳米二氧化硅和纳米碳化硼按照质量比2∶1的比例混合制成，所述有机溶胶3-(三甲氧基硅丙基)二甲基十八烷基氯化铵与甲醇溶液按照质量比2∶3的比例混合制成。
作为本发明优选的方案，所述抗静电液为聚噻吩抗静电液。
作为本发明优选的方案，所述复合丙烯酸胶液由丙烯酸胶水、无机填料、抗老化剂、抗菌防霉剂、偶联剂、增塑剂、碳纳米管以及硫酸锂混合制成，且各成分按照重量比分别为：丙烯酸胶水50～55份、无机填料30～35份、抗老化剂0.2～1份、抗菌防霉剂0.1～0.2份、偶联剂6～12份、增塑剂7～10份、碳纳米管5～8份以及硫酸锂10～12份。
作为本发明优选的方案，所述复合丙烯酸胶液的制备方法包括以下步骤：
S11，将丙烯酸胶水、无机填料、抗老化剂、抗菌防霉剂、偶联剂以及增塑剂送入可控温反应釜中，升温至75℃，启动搅拌器搅拌35min～40min，搅拌速度为155r/min～160r/min，此时制得混合物A；
S12，把碳纳米管以及硫酸锂送入反应釜内，调整搅拌速度为310r/min～350r/min，待搅拌均匀后即得到复合丙烯酸胶液。
作为本发明优选的方案，所述增塑剂为环氧增塑剂。
作为本发明优选的方案，所述S2中脱泡流延技术处理的具体步骤为：将加入纳米聚集体的聚酰胺酸涂布在载体上，送入隧道式烘箱中，分段升温，在345℃～250℃下，加热35min～40min，再在270℃～275℃下，反应45min～50min，载体上的加入纳米聚集体的聚酰胺酸在隧道式烘箱中熔融塑化成PI膜层，最后再以15℃/h的速率逐渐降温，直至温度达到室温，取出载体，并将PI膜层从载体的离型面上剥离下来。
作为本发明优选的方案，所述S1中真空干燥处理的压力为0.16MPa～0.17MPa，干燥处理的温度为60℃。
作为本发明优选的方案，所述S1中砂磨处理中的温度控制在65℃～70℃，使纳米类流体聚集成平均水力学粒径为155nm～160nm的纳米聚集体。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、本发明中，通过使用复合丙烯酸胶液，能够使载带的粘性变的稳定，硅晶片拿取时，较为方便，且硅晶片上不容易残胶，制程良品率较高。
2、本发明中，通过在PI膜两侧涂布抗静电液，抗静电液中能够使得PI膜的表面电阻率达到5～8个数量级，提高PI膜的抗静电能力，同时复合丙烯酸胶液中的碳纳米管和硫酸锂，能够提升胶液的抗静电性能，且使胶液的抗静电效果持久性更长，从而保证了载带具有良好的抗静电能力。
2、本发明中，通过加入由纳米二氧化硅和纳米氮化硅混合制成的复合纳米粒子，能够显著提高PI膜的耐高温性能。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同，本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明，本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明提供一种技术方案：
一种5G芯片PVD制程用载带及其制作方法，包括均苯四甲酸二酐、二甲基乙酰、复合纳米粒子、有机溶胶、对苯二胺、聚乙二醇、乙醇、抗静电液以及复合丙烯酸胶液，且各成分按照重量比分别为：均苯四甲酸二酐30～70份、二甲基乙酰20～60份、复合纳米粒子5～15份、有机溶胶40～90份、对苯二胺30～40份、聚乙二醇20～25份、乙醇20～25份、抗静电液30～45份以及复合丙烯酸胶液20～30份。
进一步的，包括以下步骤：
S1，将有机溶胶超声分散处理35min～40min后，加入复合纳米粒子，在75℃下搅拌反应8h，再送入干燥箱中真空干燥处理12h，得到纳米类流体，将乙醇加热至105℃～110℃，然后将聚乙二醇投入乙醇中进行搅拌混合均匀，再投入纳米类流体，采用循环砂磨处理35min～40min，得到纳米聚集体；
S2，将均苯四甲酸二酐和二甲基乙酰送入反应釜中，加入对苯二胺，在6℃～8℃反应，反应过程中不断搅拌，转速为105r/min，反应4.5h，得到聚酰胺酸，黏度达到9200cp～9500cp，向聚酰胺酸中加入纳米聚集体充分搅拌，最后脱泡流延成膜即可得到PI膜；
S3，使用异丙醇稀释抗静电液，将稀释的抗静电液均匀的涂布在PI膜一面，然后再将稀释的抗静电液涂布于PI膜的另一面，从而使得PI膜两面都达到抗静电的效果，并使用离型纸/离型膜覆盖在复合丙烯酸胶液上，从而得到5G芯片PVD制程用载带。
进一步的，所述复合纳米粒子由纳米二氧化硅和纳米碳化硼按照质量比2∶1的比例混合制成，所述有机溶胶3-(三甲氧基硅丙基)二甲基十八烷基氯化铵与甲醇溶液按照质量比2∶3的比例混合制成。
进一步的，所述抗静电液为聚噻吩抗静电液。
进一步的，所述复合丙烯酸胶液由丙烯酸胶水、无机填料、抗老化剂、抗菌防霉剂、偶联剂、增塑剂、碳纳米管以及硫酸锂混合制成，且各成分按照重量比分别为：丙烯酸胶水50～55份、无机填料30～35份、抗老化剂0.2～1份、抗菌防霉剂0.1～0.2份、偶联剂6～12份、增塑剂7～10份、碳纳米管5～8份以及硫酸锂10～12份。
进一步的，所述复合丙烯酸胶液的制备方法包括以下步骤：
S11，将丙烯酸胶水、无机填料、抗老化剂、抗菌防霉剂、偶联剂以及增塑剂送入可控温反应釜中，升温至75℃，启动搅拌器搅拌35min～40min，搅拌速度为155r/min～160r/min，此时制得混合物A；
S12，把碳纳米管以及硫酸锂送入反应釜内，调整搅拌速度为310r/min～350r/min，待搅拌均匀后即得到复合丙烯酸胶液。
进一步的，所述增塑剂为环氧增塑剂。
进一步的，所述S2中脱泡流延技术处理的具体步骤为：将加入纳米聚集体的聚酰胺酸涂布在载体上，送入隧道式烘箱中，分段升温，在345℃～250℃下，加热35min～40min，再在270℃～275℃下，反应45min～50min，载体上的加入纳米聚集体的聚酰胺酸在隧道式烘箱中熔融塑化成PI膜层，最后再以15℃/h的速率逐渐降温，直至温度达到室温，取出载体，并将PI膜层从载体的离型面上剥离下来。
进一步的，所述S1中真空干燥处理的压力为0.16MPa～0.17MPa，干燥处理的温度为60℃。
进一步的，所述S1中砂磨处理中的温度控制在65℃～70℃，使纳米类流体聚集成平均水力学粒径为155nm～160nm的纳米聚集体。
具体实施案例
实施案例1：
称取丙烯酸胶水55份、无机填料35份，抗老化剂1份，抗菌防霉剂0.2份，偶联剂12份，增塑剂10份、碳纳米管5份以及硫酸锂10份，将丙烯酸胶水、无机填料、抗老化剂、抗菌防霉剂、偶联剂以及增塑剂送入可控温反应釜中，升温至75℃，启动搅拌器搅拌40min，搅拌速度为160r/min，此时制得混合物A，把碳纳米管以及硫酸锂送入反应釜内，调整搅拌速度为350r/min，待搅拌均匀后即得到复合丙烯酸胶液；
称取均苯四甲酸二酐70份、二甲基乙酰60份、复合纳米粒子5份、有机溶胶90份、对苯二胺40份、聚乙二醇25份、乙醇25份、抗静电液45份以及复合丙烯酸胶液30份；
将有机溶胶超声分散处理40min后，加入复合纳米粒子，在75℃下搅拌反应8h，再送入干燥箱中真空干燥处理12h，真空干燥处理的压力为0.17MPa，干燥处理的温度为60℃，得到纳米类流体，将乙醇加热至110℃，然后将聚乙二醇投入乙醇中进行搅拌混合均匀，再投入纳米类流体，采用循环砂磨处理40min，砂磨处理中的温度控制在70℃，使纳米类流体聚集成平均水力学粒径为160nm的纳米聚集体，得到纳米聚集体；
将均苯四甲酸二酐和二甲基乙酰送入反应釜中，加入对苯二胺，在8℃反应，反应过程中不断搅拌，转速为105r/min，反应4.5h，得到聚酰胺酸，黏度达到9500cp，向聚酰胺酸中加入纳米聚集体充分搅拌，最后脱泡流延成膜即可得到PI膜；
使用异丙醇稀释抗静电液，将稀释的抗静电液均匀的涂布在PI膜一面，然后再将稀释的抗静电液涂布于PI膜的另一面，从而使得PI膜两面都达到抗静电的效果，并使用离型纸/离型膜覆盖在复合丙烯酸胶液上，从而得到5G芯片PVD制程用载带。
实施案例2：
称取丙烯酸胶水55份、无机填料35份，抗老化剂1份，抗菌防霉剂0.2份，偶联剂12份，增塑剂10份、碳纳米管6份以及硫酸锂11份，将丙烯酸胶水、无机填料、抗老化剂、抗菌防霉剂、偶联剂以及增塑剂送入可控温反应釜中，升温至75℃，启动搅拌器搅拌40min，搅拌速度为160r/min，此时制得混合物A，把碳纳米管以及硫酸锂送入反应釜内，调整搅拌速度为350r/min，待搅拌均匀后即得到复合丙烯酸胶液；
称取均苯四甲酸二酐70份、二甲基乙酰60份、复合纳米粒子10份、有机溶胶90份、对苯二胺40份、聚乙二醇25份、乙醇25份、抗静电液45份以及复合丙烯酸胶液30份；
将有机溶胶超声分散处理40min后，加入复合纳米粒子，在75℃下搅拌反应8h，再送入干燥箱中真空干燥处理12h，真空干燥处理的压力为0.17MPa，干燥处理的温度为60℃，得到纳米类流体，将乙醇加热至110℃，然后将聚乙二醇投入乙醇中进行搅拌混合均匀，再投入纳米类流体，采用循环砂磨处理40min，砂磨处理中的温度控制在70℃，使纳米类流体聚集成平均水力学粒径为160nm的纳米聚集体，得到纳米聚集体；
将均苯四甲酸二酐和二甲基乙酰送入反应釜中，加入对苯二胺，在8℃反应，反应过程中不断搅拌，转速为105r/min，反应4.5h，得到聚酰胺酸，黏度达到9500cp，向聚酰胺酸中加入纳米聚集体充分搅拌，最后脱泡流延成膜即可得到PI膜；
使用异丙醇稀释抗静电液，将稀释的抗静电液均匀的涂布在PI膜一面，然后再将稀释的抗静电液涂布于PI膜的另一面，从而使得PI膜两面都达到抗静电的效果，并使用离型纸/离型膜覆盖在复合丙烯酸胶液上，从而得到5G芯片PVD制程用载带。
实施案例3：
称取丙烯酸胶水55份、无机填料35份，抗老化剂1份，抗菌防霉剂0.2份，偶联剂12份，增塑剂10份、碳纳米管8份以及硫酸锂12份，将丙烯酸胶水、无机填料、抗老化剂、抗菌防霉剂、偶联剂以及增塑剂送入可控温反应釜中，升温至75℃，启动搅拌器搅拌40min，搅拌速度为160r/min，此时制得混合物A，把碳纳米管以及硫酸锂送入反应釜内，调整搅拌速度为350r/min，待搅拌均匀后即得到复合丙烯酸胶液；
称取均苯四甲酸二酐70份、二甲基乙酰60份、复合纳米粒子15份、有机溶胶90份、对苯二胺40份、聚乙二醇25份、乙醇25份、抗静电液45份以及复合丙烯酸胶液30份；
将有机溶胶超声分散处理40min后，加入复合纳米粒子，在75℃下搅拌反应8h，再送入干燥箱中真空干燥处理12h，真空干燥处理的压力为0.17MPa，干燥处理的温度为60℃，得到纳米类流体，将乙醇加热至110℃，然后将聚乙二醇投入乙醇中进行搅拌混合均匀，再投入纳米类流体，采用循环砂磨处理40min，砂磨处理中的温度控制在70℃，使纳米类流体聚集成平均水力学粒径为160nm的纳米聚集体，得到纳米聚集体；
将均苯四甲酸二酐和二甲基乙酰送入反应釜中，加入对苯二胺，在8℃反应，反应过程中不断搅拌，转速为105r/min，反应4.5h，得到聚酰胺酸，黏度达到9500cp，向聚酰胺酸中加入纳米聚集体充分搅拌，最后脱泡流延成膜即可得到PI膜；
使用异丙醇稀释抗静电液，将稀释的抗静电液均匀的涂布在PI膜一面，然后再将稀释的抗静电液涂布于PI膜的另一面，从而使得PI膜两面都达到抗静电的效果，并使用离型纸/离型膜覆盖在复合丙烯酸胶液上，从而得到5G芯片PVD制程用载带。
对实施案例1至实施案例3中的5G芯片PVD制程用载带进行性能测试，测试结果如表1所示。
表1 5G芯片PVD制程用载带性能测试结果表
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种5G芯片PVD制程用载带，包括均苯四甲酸二酐、二甲基乙酰、复合纳米粒子、有机溶胶、对苯二胺、聚乙二醇、乙醇、抗静电液以及复合丙烯酸胶液，且各成分按照重量比分别为：均苯四甲酸二酐30～70份、二甲基乙酰20～60份、复合纳米粒子5～15份、有机溶胶40～90份、对苯二胺30～40份、聚乙二醇20～25份、乙醇20～25份、抗静电液30～45份以及复合丙烯酸胶液20～30份。
2.一种5G芯片PVD制程用载带的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1，将有机溶胶超声分散处理35min～40min后，加入复合纳米粒子，在75℃下搅拌反应8h，再送入干燥箱中真空干燥处理12h，得到纳米类流体，将乙醇加热至105℃～110℃，然后将聚乙二醇投入乙醇中进行搅拌混合均匀，再投入纳米类流体，采用循环砂磨处理35min～40min，得到纳米聚集体；
S2，将均苯四甲酸二酐和二甲基乙酰送入反应釜中，加入对苯二胺，在6℃～8℃反应，反应过程中不断搅拌，转速为105r/min，反应4.5h，得到聚/酰胺酸，黏度达到9200cp～9500cp，向聚酰胺酸中加入纳米聚集体充分搅拌，最后脱泡流延成膜即可得到PI膜；
S3，使用异丙醇稀释抗静电液，将稀释的抗静电液均匀的涂布在PI膜一面，然后再将稀释的抗静电液涂布于PI膜的另一面，从而使得PI膜两面都达到抗静电的效果，并使用离型纸/离型膜覆盖在复合丙烯酸胶液上，从而得到5G芯片PVD制程用载带。
3.根据权利要求1所述的一种5G芯片PVD制程用载带，其特征在于：所述复合纳米粒子由纳米二氧化硅和纳米碳化硼按照质量比2∶1的比例混合制成，所述有机溶胶3-(三甲氧基硅丙基)二甲基十八烷基氯化铵与甲醇溶液按照质量比2∶3的比例混合制成。
4.根据权利要求1所述的一种5G芯片PVD制程用载带，其特征在于：所述抗静电液为聚噻吩抗静电液。
5.根据权利要求1所述的一种5G芯片PVD制程用载带，其特征在于：所述复合丙烯酸胶液由丙烯酸胶水、无机填料、抗老化剂、抗菌防霉剂、偶联剂、增塑剂、碳纳米管以及硫酸锂混合制成，且各成分按照重量比分别为：丙烯酸胶水50～55份、无机填料30～35份、抗老化剂0.2～1份、抗菌防霉剂0.1～0.2份、偶联剂6～12份、增塑剂7～10份、碳纳米管5～8份以及硫酸锂10～12份。
6.根据权利要求1所述的一种5G芯片PVD制程用载带，其特征在于：所述复合丙烯酸胶液的制备方法包括以下步骤：
S11，将丙烯酸胶水、无机填料、抗老化剂、抗菌防霉剂、偶联剂以及增塑剂送入可控温反应釜中，升温至75℃，启动搅拌器搅拌35min～40min，搅拌速度为155r/min～160r/min，此时制得混合物A；
S12，把碳纳米管以及硫酸锂送入反应釜内，调整搅拌速度为310r/min～350r/min，待搅拌均匀后即得到复合丙烯酸胶液。
7.根据权利要求5所述的一种5G芯片PVD制程用载带，其特征在于：所述增塑剂为环氧增塑剂。
8.根据权利要求2所述的一种5G芯片PVD制程用载带的制作方法，其特征在于：所述S2中脱泡流延技术处理的具体步骤为：将加入纳米聚集体的聚酰胺酸涂布在载体上，送入隧道式烘箱中，分段升温，在345℃～250℃下，加热35min～40min，再在270℃～275℃下，反应45min～50min，载体上的加入纳米聚集体的聚酰胺酸在隧道式烘箱中熔融塑化成PI膜层，最后再以15℃/h的速率逐渐降温，直至温度达到室温，取出载体，并将PI膜层从载体的离型面上剥离下来。
9.根据权利要求2所述的一种5G芯片PVD制程用载带的制作方法，其特征在于：所述S1中真空干燥处理的压力为0.16MPa～0.17MPa，干燥处理的温度为60℃。
10.根据权利要求2所述的一种5G芯片PVD制程用载带的制作方法，其特征在于：所述S1中砂磨处理中的温度控制在65℃～70℃，使纳米类流体聚集成平均水力学粒径为155nm～160nm的纳米聚集体。
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