CN113917744B - 显示基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种显示基板及显示装置，属于显示技术领域。本公开的显示基板，其包括：衬底基板；多个子像素和辅助功能结构，设置在所述衬底基板上；所述子像素均包括依次设置在所述衬底基板上的公共电极和像素电极；所述辅助功能结构包括交叉、且电连接的设置的多条第一导电线和多条第二导电线；所述多条第一导电线沿第一方向延伸，所述多条第二导电线沿第二方向延伸；其中，所述第一导电线所在层与所述公共电极所在层之间的距离小于所述第一导电线所在层与所述像素电极所在层之间的距离。

Description

显示基板及显示装置
本申请要求申请日为2021年06月24日、申请号为“PCT/CN2021/102063”、发明名称为“显示基板及显示装置”的优先权。
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
近场通讯技术(Near Field Communication，NFC)是一种非接触式识别和互联技术，其采用近场磁场通信方式，具有传输距离近，能耗低，信号不易被干扰等特点，可在移动设备、消费类电子产品间进行近距离无线通信。
近场通讯技术已普遍应用于电子设备上进行数据交换，要利用NFC通讯技术，需要在设备上安装通讯天线用于收发电磁波信号，而通讯天线需要占据较大的空间。现有的运用NFC通讯技术的电子设备，大多是通过将独立的NFC通讯模块，外置于电子设备的主板上，因此，需要占据较大的空间，不利于设备的轻薄化设计。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板及显示装置。
第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，其包括：
衬底基板；
多个子像素和辅助功能结构，设置在所述衬底基板上；所述子像素均包括依次设置在所述衬底基板上的公共电极和像素电极；所述辅助功能结构包括交叉、且电连接的设置的至少一条第一导电线和至少一条第二导电线；所述第一导电线沿第一方向延伸，所述第二导电线沿第二方向延伸；其中，
所述第一导电线所在层与所述公共电极所在层之间的距离小于所述第一导电线所在层与所述像素电极所在层之间的距离。
其中，在所述第一方向并排设置的所述子像素形成第一像素组，在所述第二方向并排设置的所述子像素形成第二像素组；位于同一所述第一像素组中的各所述子像素连接一条栅线，位于同一所述第二像素组中的各所述子像素连接同一条数据线。
其中，所述第一导电线与所述栅线同层设置且材料相同；和/或，所述第二导电线与所述数据线同层设置且材料相同。
其中，至少部分所述第一像素组中设置有第一导电线，且在所述第一像素组中，所述第一导电线和该第一像素组所连接的栅线位于该第一像素组在所述第二方向的不同侧。
其中，至少部分所述第二像素组中设置有第二导电线，且在所述第二像素组中，所述第二导电线和该第二像素组所连接的数据线位于该第二像素组在所述第一方向上的不同侧。
其中，位于同一所述第二像素组中的各个所述子像素的颜色相同，且沿所述第一方向并排设置的每N个子像素构成一像素单元，N≥2；所述N为整数；沿所述第二方向并排设置的所述像素单元形成一像素单元组；每个像素单元组内设置有一条所述第二导电线。
其中，所述像素单元中的所述N个子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；所述第二导电线位于所述红色子像素内。
其中，任一所述子像素中还包括薄膜晶体管，同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线；同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；所述公共电极位于所述薄膜晶体管的源极和漏极背离衬底的一侧，且所在所述公共电极所在层和所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层之间设置有层间绝缘层，在所述公共电极所在层和所述像素电极所在层之间设置有钝化层；所述像素电极通过贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
其中，任一所述子像素中还包括薄膜晶体管，同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线；同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；所述公共电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；在所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层背离衬底基板的一侧依次设置有层间绝缘层和钝化层；所述像素电极通过贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
其中，任一所述子像素中还包括薄膜晶体管，同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线；同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；所述公共电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；在所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层背离衬底基板的一侧设置有钝化层；所述像素电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
其中，所述显示基板还包括设置在衬底基板上的第一信号引入线和第二信号引入线，所述第一信号引入线被配置为向所述公共电极提供公共电压，所述第二信号引入线被配置为向所述辅助结构提供所述公共电压。
其中，所述辅助功能结构包括近场通信天线的线圈部。
第二方面，本公开实施例提供一种显示装置，其包括任一所述的显示基板。
其中，所述显示装置还包括对盒基板，所述对盒基板上设置有黑矩阵，所述辅助功能结构在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影范围之内。
其中，所述显示装置其具有显示区和环绕显示区的外围区；所述显示区具有功能区和非功能区；所述辅助功能结构位于所述功能区；在所述第一方向上并排设置的黑矩阵为一体结构，形成第一黑矩阵条，在所述第二方向并排设置的黑矩阵为一体结构，且形成第二黑矩阵条，且所述第一黑矩阵条在所述功能区和所述非功能区沿所述第二方向的长度相等，且所述第二黑矩阵条在所述功能区和所述非功能区沿所述第一方向的长度相等。
附图说明
图1为一种示例性的显示基板的示意图；
图2为图1所示的显示基板的A-A＇的截面图；
图3为本公开实施例的一种显示基板的示意图；
图4为本公开实施例的显示基板中的近场通信天线的线圈部的示意图；
图5为本公开实施例的显示基板的版图；
图6为图5所示的显示基板的B-B＇的一种截面图；
图7为图5所示的显示基板的C-C＇的一种截面图；
图8为图5所示的显示基板的D-D＇的一种截面图；
图9为图5所示的显示基板的E-E＇的截面图；
图10为图5所示的显示基板的B-B＇的另一种截面图；
图11为图5所示的显示基板的C-C＇的另一种截面图；
图12为图5所示的显示基板的D-D＇的另一种截面图；
图13为图5所示的显示基板的B-B＇的再一种截面图；
图14为图5所示的显示基板的C-C＇的再一种截面图；
图15为图5所示的显示基板的D-D＇的再一种截面图；
图16为本公开实施例的显示装置的部分截面图；
图17为本公开实施例的显示装置的部分截面图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要说明的是，本公开实施例提供一种显示基板及显示装置。该显示装置可以为液晶显示装置(Liquid Crystal Display)也可以为有机电致发光二极管OLED(OrganicLight-Emitting Diode)显示装置。当然，还可以是其他类型的显示装置，在此不一一列举。在本公开实施例中以显示装置为液晶显示装置为例进行描述。其中，液晶显示装置包括相对设置的显示基板和对盒基板，以及设置在显示基板和对盒基板之间的液晶层。其中所采用的显示基板可以为阵列基板，也可以是COA基板(Color On Array)。当显示基板为阵列基板时，对盒基板则包括彩膜层；当显示基板为COA基板时，则无需在对盒基板上设置彩膜层。在本公开实施例中，以显示基板为阵列基板为例进行说明。
图1为一种示例性的显示基板的示意图；如图1所示，该显示基板具有显示区Q1和环绕显示区Q1的外围区Q2；外围区Q2包括位于显示区Q1一侧的第一焊盘区Q21。该显示基板包括衬底基板10，设置在该衬底基板10上的多条栅线GL和多条数据线DL，以及由栅线GL和数据线DL交叉设置所限定出的多个子像素。其中，多条栅线GL沿第一方向X延伸，且沿第二方向Y并排设置；多条数据线DL沿第二方向Y延伸，且沿第一方向X并排设置；沿第一方向X并排设置的多个子像素01形成一第一像素组；沿第二方向Y并排设置的多个子像素01形成一第二像素组。每个子像素至少包括薄膜晶体管20、像素电极30和公共电极40。位于同一第一像素组中的各子像素01中的薄膜晶体管20的栅极连接同一条栅线GL；位于同一第二像素组中的各子像素中的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线DL。图2为图1所示的显示基板的A-A＇的截面图；如图2所示，子像素01中的薄膜晶体管20包括沿背离衬底基板10方向依次设置的栅极、有源层、源极和漏极。薄膜晶体管20的漏极与像素电极30连接。在栅极和有源层所在层之间设置栅极绝缘层50，像素电极30位于栅极绝缘层50背离衬底基板10的一侧；在薄膜晶体管20的源极和漏极、像素电极30背离衬底基板10的一侧覆盖有钝化层60，公共电极40形成在钝化层60背离衬底基板10的一侧。其中，像素电极30采用板状电极，公共电极40采用狭缝电极。
需要说明的是，本公开实施例中所谓第一方向X和第二方向Y并非是指直线延伸的方向，而是指某一结构的走向或者某一结构的长度方向。图2中仅以薄膜晶体管20为底栅型薄膜晶体管20为例，这并不构成对本公开实施例保护范围的限制。薄膜晶体管20也可以采用顶栅型薄膜晶体管20。另外，在本公开实施例中，各子像素01中的均包括像素电极30和公共电极40，在一些示例中，公共电极40也可以设置在彩膜基板，例如TN模式的显示装置，因此公共电极40设置在显示基板上也并不构成对本公开实施例保护范围的限制。在本公开实施例中仅以像素电极30和公共电极40均设置在显示基板为例进行说明。
另外，显示基板包括呈阵列排布的多个像素单元100，每个像素单元100包括N个子像素，N≥2，且N为整数。在本公开实施例中以一个像素单元中包括三个子像素，也即N＝3为例。例如每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。在该种情况下，可以是位于同一列的子像素的发光颜色相同。
针对上述显示基板，在本公开实施例中通过在其中集成辅助功能结构，以实现显示以外的附加功能，例如信号的收发功能等。在下述描述中以辅助功能结构为近场通信天线的线圈部为例，但应当理解的是，这并不构成对本公开实施例保护范围的限制。
第一方面，图3为本公开实施例的一种显示基板的示意图；图4为本公开实施例的显示基板中的近场通信天线的线圈部70的示意图；如图3和4所示，本公开实施例提供一种显示基板，其具有显示区Q1和环绕显示区Q1的周边区，显示区Q1中可以包括第一显示区域Q11和第二显示区域Q12，第一显示区域Q11和第二显示区域Q12中的至少一个中包括功能区Q111和非功能区Q112，在公开实施例中以第一显示区域Q11包括功能区Q111和非功能区Q112为例进行说明。该显示基板包括衬底基板10，设置在衬底基板10上的多个子像素和近场通信天线的线圈部70。每个子像素中均至少包括依次设置在衬底基板10上的公共电极40和像素电极30。近场通信天线的线圈部70包括设置在衬底基板10上交叉设置、且电连接的至少一条第一导电线701和至少一条第二导电线702；其中，第一导电线701沿第一方向X延伸，第二导电线702沿第二方向Y延伸。特别的是，在本公开实施例，第一导电线701所在层与公共电极40所在层之间的距离小于第一导电线701所在层与像素电极30所在层之间的距离。
需要说明的是，本公开实施例中，所谓的“A”所在层是指“A”背离衬底基板10的表面，“A”所在层与“B”所在层之间的距离则是指“A”背离衬底基板10的表面与“B”背离衬底基板10的表面之间的距离。例如：第一导电线701所在层则是指第一导电线701背离衬底基板10的表面；第一导电线701所在层与像素电极30所在层之间的距离则是指第一导电线701背离衬底基板10的表面与像素电极3背离衬底基板10的表面之间的距离。如前所述显示基板中还设置有栅线GL，且栅线GL也是沿第一方向X延伸的，也即第一导电线701与栅线GL的延伸方向相同。在本公开实施例中以第一导电线701和第二导电线702均为多条为例进行描述的，但在实际产品中第一导电线701和第二导电线702也可以均为一条，只要二者能够形成近场通信天线的线圈部70的结构即可。本公开实施例的显示基板的外围区具有在第二方向Y上相对设置的第一焊盘区Q21和第二焊盘区Q22。近场通信天线的线圈部70可以设置在显示区Q1靠近第一焊盘区Q21和/或第二焊盘区Q22的一侧，以便于线圈部70的端部与驱动芯片(IC)或者柔性线路板的绑定。图3中仅以线圈部70设置在显示区Q1靠近第二焊盘区Q22的一侧为例，但不构成对本公开实施例保护范围的限制。本公开实施例中，当近场通信天线仅包括一个线圈部70时，该线圈部70的两端(分别为第一端部703和第二端部704)与控制电路连接，以形成闭合回路。在该种情况下，外设的磁感应线圈可以与近场通信天线和控制电路内形成感应电流回路，以此完成近场通信。当线圈部70为多个时，则可以通过连接跳线将多个线圈部70连接，以形成天线线圈，此时近场通信天线的两端连接控制电路，以形成闭合回路，通过外设的磁感应线圈，可在近场通信天线和控制电路内形成感应电流回路，完成近场通信。具体结构将在下述具体示例中描述。
由于通常显示基板中的在第一方向X上并排设置的多个子像素连接同一条栅线GL，故同时被打开，因此在第一方向X并排设置的多个子像素同时被写入数据信号，在本公开实施例中近场通信天线的线圈部70中沿第一方向X延伸的第一导电线701所在层与公共电极40所在层之间的距离小于第一导电线701所在层与像素电极30所在层之间的距离，也就是说，沿第一方向X延伸的第一导电线701与在第一方向X并排设置的多个子像素的像素电极30之间间距较大，从而可以有效的降低在像素电极30上的电压对第一导电线701的耦合，改善重载画面下对近场通信天线可见的不良问题。
在一些示例中，近场通信天线的线圈部70中的第一导电线701与栅线GL同层设置，且材料相同，第二导电线702与数据线DL同层设置，且材料相同。该种设置方式可以有效的降低显示基板的厚度，且降低工艺步骤，节约制备成本。
在一些示例中，图5为本公开实施例的显示基板的版图；如图5所示，至少部分第一像素组中设置有第一导电线701，且在第一像素组中，第一导电线701和该第一像素组所连接的栅线GL位于该第一像素组在第二方向Y的不同侧。例如：第一像素组包括在第二方向Y上相对设置的第一侧(下侧)和第二侧(上侧)，栅线GL位于第一侧，则第一导电线701则设置在第二侧。该种设置方式可以使得显示基板布线均匀，且避免信号线集中设置。当然，在一些示例中，第一导电线701也可以与栅线GL分层设置，此时在第一像素组中，第一导电线701在衬底基板10上的正投影位于栅线GL在衬底基板10上的正投影内。该种设置方式可以减小第一导电线701的设置对显示基板的开口率造成影响。
在一些示例中，继续参照图5，至少部分第二像素组中设置有第二导电线702，且在所述第二像素组中，第二导电线702和该第二像素组所连接的数据线DL位于该第二像素组在第一方向X上的不同侧。例如：第二像素组包括在第一方向X上相对设置的第三侧(左侧)和第四侧(右侧)，数据线DL位于第三侧(左侧)，第二导电线702位于第四侧(右侧)。该种设置方式可以使得显示基板布线均匀，且避免信号线集中设置。当然，在一些示例中，第二导电线702也可以与数据线DL分层设置，此时在第二像素组中，第二导电线702在衬底基板10上的正投影位于数据线DL在衬底基板10上的正投影内。该种设置方式可以减小第二导电线702的设置对显示基板的开口率造成影响。
进一步的，位于同一第二像素组中的各个子像素的颜色相同，相邻设置的第二像素组中的子像素的颜色不同。其中，以显示基板中包括三种颜色的子像素为例，例如：三种颜色的子像素可以分别为红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B。沿第一方向XX并排设置的每3个子像素构成一个像素单元，也即每个像素单元中包括红色子像素R、绿色子像素G和绿色子像素B。沿第二方向YY并排设置的像素单元形成一像素单元组；一个像素单元组内设置有一条第二导电线702。例如，该第二导电线702位于红色子像素所在的第二像素组内。之所以如此设置，是因为红色子像素R的串色风险较大，因此彩膜基板中在对应红色子像素R与绿色子像素G之间位置所形成的黑矩阵的宽度相较其他位置会更宽一些，因此将触控信号线设置在该位置不会影响像素开口率。当然，也可以在第一像素单元组内的各第二像素组中均设置第二导电线702，也在本公开实施例的保护范围内。
以下结合具体示例说明，子像素中各膜层和近场通信天线的线圈部70各膜层的位置关系。其中，子像素中的薄膜晶体管20以底栅型薄膜晶体管20为例进行说明。但应该理解的是，薄膜晶体管20采用底栅型并不构成对本公开实施例保护范围的限制。
第一种示例：图6为图5所示的显示基板的B-B＇的一种截面图；图7为图5所示的显示基板的C-C＇的一种截面图；图8为图5所示的显示基板的D-D＇的一种截面图；图9为图5所示的显示基板的E-E＇的截面图；如图5-9所示，在显示基板中位于同一第一像素组内的各个子像素的薄膜晶体管20的栅极连接一条栅线GL，且由该栅线GL提供栅极扫描信号；同一第二像素组内的各个子像素的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线DL，且由该数据线DL提供数据电压信号。每个子像素中的薄膜晶体管20的漏极连接该子像素中的像素电极30。继续参照图5-9，显示基板包括衬底基板10，设置衬底基板10上的薄膜晶体管20的栅极、栅线GL和近场通信天线的线圈部70的第一导电线701，设置在薄膜晶体管20的栅极所在层背离衬底基板10一侧的栅极绝缘层50，设置在栅极绝缘层50背离衬底基板10一侧的薄膜晶体管20的有源层，设置在薄膜晶体管20的有源层背离衬底基板10一侧的薄膜晶体管20的源极和漏极、数据线DL、近场通信天线的线圈部70的第二导电线702，此时第二导电线702通过贯穿栅极绝缘层50的过孔与第一导电线701电连接，设置在薄膜晶体管20的源极和漏极所在层背离衬底基板10一侧的层间绝缘层80，设置在层间绝缘层80背离衬底基板10一侧的公共电极40，设置在公共电极40所在层背离衬底基板10一侧的钝化层60，设置在钝化层60背离衬底基板10一侧的像素电极30，此时像素电极30通过贯穿层间绝缘层80和钝化层60的过孔与薄膜晶体管20的漏极电连接。在该种示例中，由于在薄膜晶体管20的源极和漏极所在层与像素电极30所在层之间不仅设置了钝化层60，还设置了层间绝缘层80，故进一步拉大了像素电极30与第一导电线701之间的距离，从而可以有效的降低在像素电极30上的电压对第一导电线701的耦合，改善重载画面下对近场通信天线可见的不良问题。
第二种示例：图10为图5所示的显示基板的B-B＇的另一种截面图；图11为图5所示的显示基板的C-C＇的另一种截面图；图12为图5所示的显示基板的D-D＇的另一种截面图；如图5、10-11所示，在显示基板中位于同一第一像素组内的各个子像素的薄膜晶体管20的栅极连接一条栅线GL，且由该栅线GL提供栅极扫描信号；同一第二像素组内的各个子像素的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线DL，且由该数据线DL提供数据电压信号。每个子像素中的薄膜晶体管20的漏极连接该子像素中的像素电极30。继续参照图5、10-11，显示基板包括衬底基板10，设置衬底基板10上的薄膜晶体管20的栅极、栅线GL和近场通信天线的线圈部70的第一导电线701和公共电极40，设置在薄膜晶体管20的栅极所在层背离衬底基板10一侧的栅极绝缘层50，设置在栅极绝缘层50背离衬底基板10一侧的薄膜晶体管20的有源层，设置在薄膜晶体管20的有源层背离衬底基板10一侧的薄膜晶体管20的源极和漏极、数据线DL、近场通信天线的线圈部70的第二导电线702，此时第二导电线702通过贯穿栅极绝缘层50的过孔与第一导电线701电连接，设置在薄膜晶体管20的源极和漏极所在层背离衬底基板10一侧的层间绝缘层80，设置在层间绝缘层80背离衬底基板10一侧的钝化层60，设置在钝化层60背离衬底基板10一侧的像素电极30，此时像素电极30通过贯穿层间绝缘层80和钝化层60的过孔与薄膜晶体管20的漏极电连接。在该种示例中，由于在薄膜晶体管20的源极和漏极所在层与像素电极30所在层之间不仅设置了钝化层60，还设置了层间绝缘层80，故进一步拉大了像素电极30与第一导电线701之间的距离，从而可以有效的降低在像素电极30上的电压对第一导电线701的耦合，改善重载画面下对近场通信天线可见的不良问题
第二种示例：图13为图5所示的显示基板的B-B＇的再一种截面图；图14为图5所示的显示基板的C-C＇的再一种截面图；图15为图5所示的显示基板的D-D＇的再一种截面图；如图5、13-15所示，在显示基板中位于同一第一像素组内的各个子像素的薄膜晶体管20的栅极连接一条栅线GL，且由该栅线GL提供栅极扫描信号；同一第二像素组内的各个子像素的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线DL，且由该数据线DL提供数据电压信号。每个子像素中的薄膜晶体管20的漏极连接该子像素中的像素电极30。继续参照图5、13-15，显示基板包括衬底基板10，设置衬底基板10上的薄膜晶体管20的栅极、栅线GL和近场通信天线的线圈部70的第一导电线701和公共电极40，设置在薄膜晶体管20的栅极所在层背离衬底基板10一侧的栅极绝缘层50，设置在栅极绝缘层50背离衬底基板10一侧的薄膜晶体管20的有源层，设置在薄膜晶体管20的有源层背离衬底基板10一侧的薄膜晶体管20的源极和漏极、数据线DL、近场通信天线的线圈部70的第二导电线702，此时第二导电线702通过贯穿栅极绝缘层50的过孔与第一导电线701电连接，设置在薄膜晶体管20的源极和漏极所在层背离衬底基板10一侧钝化层60，设置在钝化层60背离衬底基板10一侧的像素电极30，此时像素电极30通过贯穿钝化层60的过孔与薄膜晶体管20的漏极电连接。
需要说明的是，子像素的结构也局限于上述三种，以上仅给出三种具体示例，但这并不构成对本公开实施例保护范围的限制。
在一些示例中，本公开实施例中的显示基板不仅包括上述结构，而且还包括设置在衬底基板10上的第一信号引入线和第二信号引入线，第一信号引入线被配置为向公共电极40提供公共电压，第二信号引入线被配置为向近场通信天线的线圈部70提供公共电压。也就是说，在未进行信号传输时，近场通信天线的线圈部70上所加载的电压和公共电极40上所加载的电压均为公共电压，二者所加载信号的周期幅值相同，故可以有效的消除公共电极40上所加载的电压的波动对近场通信天线的线圈部70造成影响。当然，在一些示例中，第二信号引入线上给近场通信天线的线圈部70提供的电压也可以为一个恒定电压，并非为公共电压。在一些示例中，第一信号引入线可以直接与公共电极40电连接，第二信号引入线则可以与近场通信天线的线圈部70的第一导电线701和第二导电线702中的至少一者电连接。
第二方面，图16为本公开实施例的显示装置的部分截面图；图17为本公开实施例的显示装置的部分截面图；如图16-17所示，本公开实施例提供一种显示装置，其包括上述任一显示基板，以及对盒基板，其中，对盒基板上设置有黑矩阵，且栅线GL、数据线DL、近场通信天线的线圈部的第一导电线701和第二导电线702位于黑矩阵BM在衬底上的正投影范围之内。
在一些示例中，显示装置包括显示区和环绕显示区的外围区；显示区具有功能区和非功能区；近场通信天线的线圈部位于所述功能区；在第一方向上并排设置的黑矩阵为一体结构，形成第一黑矩阵条，在第二方向并排设置的黑矩阵为一体结构，且形成第二黑矩阵条，且第一黑矩阵条在功能区和非功能区沿第二方向的长度相等，且第二黑矩阵条在功能区和所述非功能区沿第一方向的长度相等。通过该种设置方式，以保证显示装置的显示均一性。
该显示装置可以为液晶显示面板、手机、平板电脑、数码相框、导航仪等具有显示功能和通信功能的产品或器件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种显示基板，其包括：
衬底基板；
多个子像素和辅助功能结构，设置在所述衬底基板上；所述子像素均包括依次设置在所述衬底基板上的公共电极和像素电极；所述辅助功能结构包括交叉、且电连接的设置的至少一条第一导电线和至少一条第二导电线；所述第一导电线沿第一方向延伸，所述第二导电线沿第二方向延伸；其中，
所述第一导电线所在层与所述公共电极所在层之间的距离小于所述第一导电线所在层与所述像素电极所在层之间的距离。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，在所述第一方向并排设置的所述子像素形成第一像素组，在所述第二方向并排设置的所述子像素形成第二像素组；位于同一所述第一像素组中的各所述子像素连接一条栅线，位于同一所述第二像素组中的各所述子像素连接同一条数据线。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述第一导电线与所述栅线同层设置且材料相同；和/或，所述第二导电线与所述数据线同层设置且材料相同。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其中，至少部分所述第一像素组中设置有第一导电线，且在所述第一像素组中，所述第一导电线和该第一像素组所连接的栅线位于该第一像素组在所述第二方向的不同侧。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其中，至少部分所述第二像素组中设置有第二导电线，且在所述第二像素组中，所述第二导电线和该第二像素组所连接的数据线位于该第二像素组在所述第一方向上的不同侧。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，位于同一所述第二像素组中的各个所述子像素的颜色相同，且沿所述第一方向并排设置的每N个子像素构成一像素单元，N≥2；所述N为整数；沿所述第二方向并排设置的所述像素单元形成一像素单元组；每个像素单元组内设置有一条所述第二导电线。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述像素单元中的所述N个子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；所述第二导电线位于所述红色子像素内。
8.根据权利要求2-7中任一项所述的显示基板，其中，任一所述子像素中还包括薄膜晶体管，同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线；同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；所述公共电极位于所述薄膜晶体管的源极和漏极背离衬底的一侧，且所在所述公共电极所在层和所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层之间设置有层间绝缘层，在所述公共电极所在层和所述像素电极所在层之间设置有钝化层；所述像素电极通过贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
9.根据权利要求2-7中任一项所述的显示基板，其中，任一所述子像素中还包括薄膜晶体管，同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线；同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；所述公共电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；在所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层背离衬底基板的一侧依次设置有层间绝缘层和钝化层；所述像素电极通过贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
10.根据权利要求2-7中任一项所述的显示基板，其中，任一所述子像素中还包括薄膜晶体管，同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线；同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；所述公共电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；在所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层背离衬底基板的一侧设置有钝化层；所述像素电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
11.根据权利要求1-7中任一项所述的显示基板，其中，还包括设置在衬底基板上的第一信号引入线和第二信号引入线，所述第一信号引入线被配置为向所述公共电极提供公共电压，所述第二信号引入线被配置为向所述辅助功能结构提供所述公共电压。
12.根据权利要求1-7中任一项所述的显示基板，其中，所述辅助功能结构包括近场通信天线的线圈部。
13.一种显示装置，其包括权利要求1-12中任一项所述的显示基板。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括对盒基板，所述对盒基板上设置有黑矩阵，所述辅助功能结构在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影范围之内。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述显示装置其具有显示区和环绕显示区的外围区；所述显示区具有功能区和非功能区；所述辅助功能结构位于所述功能区；在所述第一方向上并排设置的黑矩阵为一体结构，形成第一黑矩阵条，在所述第二方向并排设置的黑矩阵为一体结构，且形成第二黑矩阵条，且所述第一黑矩阵条在所述功能区和所述非功能区沿所述第二方向的长度相等，且所述第二黑矩阵条在所述功能区和所述非功能区沿所述第一方向的长度相等。
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