CN113835259B - 显示基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种显示基板及显示装置，属于显示技术领域。本公开的显示基板，其包括：衬底基板；多个子像素和辅助功能结构，设置在所述衬底基板上，所述子像素包括设置在衬底基板上的公共电极和像素电极；第一电压供给电路、第二电压供给电路和电压选择电路，所述第一电压供给电路被配置为在显示阶段为公共电极提供公共电压信号；第二电压供给电路被配置为在所述辅助功能结构工作阶段，为所述辅助功能结构提供第一电压信号；所述电压选择电路被配置为在辅助功能结构工作阶段为所述所述公共电极提供第二电压信号，所述第二电压信号至少包括所述第一电压信号。

Description

显示基板及显示装置
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
近场通讯技术(Near Field Communication，NFC)是一种非接触式识别和互联技术，其采用近场磁场通信方式，具有传输距离近，能耗低，信号不易被干扰等特点，可在移动设备、消费类电子产品间进行近距离无线通信。
近场通讯技术已普遍应用于电子设备上进行数据交换，要利用NFC通讯技术，需要在设备上安装通讯天线用于收发电磁波信号，而通讯天线需要占据较大的空间。现有的运用NFC通讯技术的电子设备，大多是通过将独立的NFC通讯模块，外置于电子设备的主板上，因此，需要占据较大的空间，不利于设备的轻薄化设计。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板及显示装置。
第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，其包括：
衬底基板；
多个子像素和辅助功能结构，设置在所述衬底基板上，所述子像素包括设置在衬底基板上的公共电极和像素电极；
第一电压供给电路、第二电压供给电路和电压选择电路，所述第一电压供给电路被配置为在显示阶段为公共电极提供公共电压信号；第二电压供给电路被配置为在所述辅助功能结构工作阶段，为所述辅助功能结构提供第一电压信号；所述电压选择电路被配置为在辅助功能结构工作阶段为所述所述公共电极提供第二电压信号，所述第二电压信号至少包括所述第一电压信号。
其中，所述电压选择电路包括：求和子电路、第一开关子电路和第二开关子电路；
所述求和子电路的第一输入端连接所述第一电压供给电路，第二输入端连接所述第二电压供给电路和所述第二开关子电路，输出端连接第一开关子电路；所述第一开关子电路还连接所述公共电极，所述第二开关子电路还连接所述辅助功能结构。
其中，所述电压选择电路包括第一开关子电路、第二开关子电路和运算放大器；
所述第一开关子电路的第一端连接所述第一电压供给电路，第二端连接所述公共电极，控制端连接第一控制信号线；所述第二开关子电路的第一端连接电源电压端，第二端连接所述运算放大器，控制端连接第二控制信号线；所述运算放大器的正向输入端连接所述第二电压供给电路，反向输入端和输出端连接，且所述输出端还连接所述公共电极。
其中，所述第一子开关电路包括第一开关晶体管；所述第二开关子电路包括第二开关晶体管；且所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管的开关特性相反；
所述第一开关晶体管的第一极用作所述第一开关子电路的第一端，第二极用作所述第一开关子电路的第二端，控制极用作所述第一开关子电路的控制端；
所述第二开关晶体管的第一极用作所述第二开关子电路的第一端，第二极用作所述第二开关子电路的第二端，控制极用作所述第二开关子电路的控制端。
其中，所述辅助功能结构包括交叉、且电连接的设置的至少一条第一导电线和至少一条第二导电线；所述第一导电线沿第一方向延伸，所述第二导电线沿第二方向延伸；
在所述第一方向并排设置的所述子像素形成第一像素组，在所述第二方向并排设置的所述子像素形成第二像素组；位于同一所述第一像素组中的各所述子像素连接一条栅线，位于同一所述第二像素组中的各所述子像素连接同一条数据线；
所述第一导电线与所述栅线同层设置且材料相同；和/或，所述第二导电线与所述数据线同层设置且材料相同。
其中，所述第一导电线所在层与所述公共电极所在层之间的距离小于所述第一导电线所在层与所述像素电极所在层之间的距离。
其中，任一所述子像素中还包括薄膜晶体管，同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线；同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；所述公共电极位于所述薄膜晶体管的源极和漏极背离衬底的一侧，且所在所述公共电极所在层和所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层之间设置有层间绝缘层，在所述公共电极所在层和所述像素电极所在层之间设置有钝化层；所述像素电极通过贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
其中，任一所述子像素中还包括薄膜晶体管，同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线；同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；所述公共电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；在所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层背离衬底基板的一侧依次设置有层间绝缘层和钝化层；所述像素电极通过贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
其中，任一所述子像素中还包括薄膜晶体管，同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线；同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；所述公共电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；在所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层背离衬底基板的一侧设置有钝化层；所述像素电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
其中，所述辅助功能结构包括所述辅助功能结构包括近场通信天线的线圈部。
第二方面，本公开实施例提供一种显示装置，其包括上述的任一显示基板。
其中，所述显示装置还包括对盒基板，所述对盒基板上设置有黑矩阵，所述辅助功能结构在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影范围之内。
附图说明
图1为一种示例性的显示基板的示意图；
图2为图1所示的显示基板的A-A＇的截面图；
图3为本公开实施例的一种显示基板平面示意图；
图4为本公开实施例的一种显示基板的结构示意图；
图5为本公开实施例的另一种显示基板的结构示意图；
图6为本公开实施例的显示基板中的求和子电路示意图；
图7为本公开实施例的另一种显示基板的结构示意图；
图8为本公开实施例的显示基板中的近场通信天线的线圈部的示意图；
图9为本公开实施例的显示基板的版图；
图10为图5所示的显示基板的B-B＇的一种截面图；
图11为图5所示的显示基板的C-C＇的一种截面图；
图12为图9所示的显示基板的D-D＇的一种截面图；
图13为图9所示的显示基板的E-E＇的截面图；
图14为图9所示的显示基板的B-B＇的另一种截面图；
图15为图9所示的显示基板的C-C＇的另一种截面图；
图16为图9所示的显示基板的D-D＇的另一种截面图；
图17为图9所示的显示基板的B-B＇的再一种截面图；
图18为图9所示的显示基板的C-C＇的再一种截面图；
图19为图9所示的显示基板的D-D＇的再一种截面图；
图20为本公开实施例的显示装置的部分截面图；
图21为本公开实施例的显示装置的部分截面图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要说明的是，本公开实施例提供一种显示基板及显示装置。该显示装置可以为液晶显示装置(Liquid Crystal Display)也可以为有机电致发光二极管OLED(OrganicLight-Emitting Diode)显示装置。当然，还可以是其他类型的显示装置，在此不一一列举。在本公开实施例中以显示装置为液晶显示装置为例进行描述。其中，液晶显示装置包括相对设置的显示基板和对盒基板，以及设置在显示基板和对盒基板之间的液晶层。其中所采用的显示基板可以为阵列基板，也可以是COA基板(Color On Array)。当显示基板为阵列基板时，对盒基板则包括彩膜层；当显示基板为COA基板时，则无需在对盒基板上设置彩膜层。在本公开实施例中，以显示基板为阵列基板为例进行说明。
图1为一种示例性的显示基板的示意图；如图1所示，该显示基板具有显示区Q1和环绕显示区Q1的外围区Q2；外围区Q2包括位于显示区Q1一侧的第一焊盘区Q21。该显示基板包括衬底基板10，设置在该衬底基板10上的多条栅线GL和多条数据线DL，以及由栅线GL和数据线DL交叉设置所限定出的多个子像素。其中，多条栅线GL沿第一方向X延伸，且沿第二方向Y并排设置；多条数据线DL沿第二方向Y延伸，且沿第一方向X并排设置；沿第一方向X并排设置的多个子像素01形成一第一像素组；沿第二方向Y并排设置的多个子像素01形成一第二像素组。每个子像素至少包括薄膜晶体管20、像素电极30和公共电极40。位于同一第一像素组中的各子像素01中的薄膜晶体管20的栅极连接同一条栅线GL；位于同一第二像素组中的各子像素中的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线DL。图2为图1所示的显示基板的A-A＇的截面图；如图2所示，子像素01中的薄膜晶体管20包括沿背离衬底基板10方向依次设置的栅极、有源层、源极和漏极。薄膜晶体管20的漏极与像素电极30连接。在栅极和有源层所在层之间设置栅极绝缘层50，像素电极30位于栅极绝缘层50背离衬底基板10的一侧；在薄膜晶体管20的源极和漏极、像素电极30背离衬底基板10的一侧覆盖有钝化层60，公共电极40形成在钝化层60背离衬底基板10的一侧。其中，像素电极30采用板状电极，公共电极40采用狭缝电极。
需要说明的是，本公开实施例中所谓第一方向X和第二方向Y并非是指直线延伸的方向，而是指某一结构的走向或者某一结构的长度方向。图2中仅以薄膜晶体管20为底栅型薄膜晶体管20为例，这并不构成对本公开实施例保护范围的限制。薄膜晶体管20也可以采用顶栅型薄膜晶体管20。另外，在本公开实施例中，各子像素01中的均包括像素电极30和公共电极40，在一些示例中，公共电极40也可以设置在彩膜基板，例如TN模式的显示装置，因此公共电极40设置在显示基板上也并不构成对本公开实施例保护范围的限制。在本公开实施例中仅以像素电极30和公共电极40均设置在显示基板为例进行说明。
另外，显示基板包括呈阵列排布的多个像素单元100，每个像素单元100包括N个子像素，N≥2，且N为整数。在本公开实施例中以一个像素单元中包括三个子像素，也即N＝3为例。例如每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。在该种情况下，可以是位于同一列的子像素的发光颜色相同。
针对上述显示基板，在本公开实施例中通过在其中集成辅助功能结构，以实现显示以外的附加功能，例如信号的收发功能等。在下述描述中以辅助功能结构为近场通信天线的线圈部为例，但应当理解的是，这并不构成对本公开实施例保护范围的限制。
第一方面，图3为本公开实施例的一种显示基板的示意图；图4为本公开实施例的显示基板的结构示意图；如图3和4所示，本公开实施例提供一种显示基板，具有显示区Q1和环绕显示区Q1的周边区，显示区Q1中可以包括第一显示区域Q11和第二显示区域Q12，第一显示区域Q11和第二显示区域Q12中的至少一个中包括功能区Q111和非功能区Q112，在公开实施例中以第一显示区域Q11包括功能区Q111和非功能区Q112为例进行说明。该显示基板包括衬底基板10，设置在衬底基板10上的多个子像素和近场通信天线的线圈部70；显示基板还包括：第一电压供给电路100、第二电压供给电路200和电压选择电路300。其中，每个子像素均包括设置在衬底基板10上的公共电极40和像素电极。第一电压供给电路100被配置为在显示阶段为公共电极40提供公共电压信号；第二电压供给电路200被配置为近场通信天线工作阶段，为近场通信天线的线圈部70提供第一电压信号；电压选择电路300被配置为近场通信天线工作阶段为所述所述公共电极40提供第二电压信号，第二电压信号至少包括第一电压信号。
在本公开实施例中，在近场通信天线工作阶段，给公共电极40上加载的电压信号至少包括近场通信天线的线圈部70上的第一电压信号，故可以缩小公共电极40和近场通信天线的线圈部70上的压差，可以有效的降低近场通信天线的线圈部70和公共电极40之间的耦合，避免公共电极40上的信号对近场通信天线的线圈部70的工作造成干扰。
在一个示例中，图5为本公开实施例的另一种显示基板的结构示意图；如图5所示，电压选择电路300可以包括求和子电路303、第一开关子电路301和第二开关子电路302。其中，求和子电路303的第一输入端连接第一电压供给电路100，求和子电路303的第二输入端连接第二电压供给电路200和第二开关子电路302，求和子电路303的输出端连接第一开关子电路301；第一开关子电路301还连接所述公共电极40，第二开关子电路302还连接近场通信天线的线圈部70。
具体的，近场通信天线工作阶段：第二子开关电路302导通第二电压供给电路200和近场通信天线的线圈部70，此时显示基板上的近场通信天线的线圈部70由第二电压供给电路200提供第二电压信号(例如：频率为13.56MHz的信号)。与此同时，第一子开关电路301将求和子电路303的输出端和公共电极40电连接；第二电压供给电路200还将第一电压信号输出给求和子电路303的第二输入端，求和子电路303的第一输入端被写入第一电压供给电路100输出的公共电压信号，公共电压信号和第一电压信号经由求和子电路303叠加后，通过求和子电路303的输出端输出第二电压信号给公共电极40。
显示阶段：在该阶段近场通信天线的线圈部70不进行工作，第一开关子电路301导通第一电压供给电路100和公共电极40，将第一电压供给电路100提供的公共电压信号输出给公共电极40，以使各子像素正常的显示；与此同时，第二开关子电路302导通第一电压供给电路100和近场通信天线的线圈部70，将将第一电压供给电路100提供的公共电压信号输出近场通信天线的线圈部70，此时公共电极40和近场通信天线的线圈部70的信号保持一致，从而可以有效的避免二者之间信号产生干扰。
在一些示例中，第一开关子电路301和第二开关子电路302均可以包括单刀双掷开关。其中，第一开关子电路301中的单刀双掷开关称之为第一单刀双掷开关，第二开关子电路302中的单刀双掷开关称之为第二单刀双掷开关。参照图5，在近场通信天线工作阶段，第二单刀双掷开关置于触点S2，将第二电压供给电路200与近场通信天线的线圈部70导通，以使第二电压供给电路200为近场通信天线的线圈部70提供第一电压信号。第一单刀双掷开关置于触点S2，将求和子电路303与公共电极40导通，以使第一电压供给电路100输出的公共电压信号和第二电压供给电路200输出的第一电压信号叠加后输出给公共电极40。在显示阶段，第一单刀双掷开关置于触点S1点，将第一电压供给电路100与公共电极40导通，以将第一电压供给电路100输出的公共电压信号输出给公共电极40；与此同时，第二单刀双掷开关置于触点S1点，将第一电压供给电路100与近场通信天线的线圈部70导通，以将第一电压供给电路100输出的公共电压信号输出给近场通信天线的线圈部70。
进一步的，图6为本公开实施例的显示基板中的求和子电路示意图；如图6所示，该求和子电路303包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和运算放大器；其中，第一电阻R1的第一端连接运算放大器304的反向输入端和第二电阻R2的第二端，第一电阻R1的第二端连接运算放大器304的输出端；第二电阻R2的第一端连接接地端；第三电阻R3的第二端、第四电阻R4的第一端和第五电阻R5的第二端均连接运算放大器的正向输入端，第三电阻R3的第一端连接第二电压供给电路200，第五电阻R5的第一端连接第一电压供给电路100，第四电阻R4的第二端连接接地端。公共电压信号用V1表示，近场通信天线的线圈部70的第一电压信号用V2表示，求和子电路303输出端输出的信号用Vout表示，也即第二电压信号为Vout，其中Vout可以采用如下公式计算得到。
由公式可以看出，Vout的大小可以根据电阻R1、R2、R3、R4、R5的阻值来确定，通过调节R1、R2、R3、R4、R5的阻值大小，以使Vout与近场通信天线的线圈部70的第一电压信号用V2更为接近，从而避免在近场通信天线工作阶段，公共电极40上的信号对在近场通信天线的线圈部70的工作造成干扰。
在另一个示例中，图7为本公开实施例的另一种显示基板的结构示意图；如图7所示，电压选择电路300包括第一开关子电路301、第二开关子电路302和运算放大器304；第一开关子电路301的第一端连接第一电压供给电路100，第一开关子电路301的第二端连接公共电极40，第一开关子电路301的控制端连接第一控制信号线；第二开关子电路302的第一端连接电源电压端，第二开关子电路302的第二端连接运算放大器304，第二开关子电路302的控制端连接第二控制信号线；运算放大器304的正向输入端连接第二电压供给电路200，运算放大器304的反向输入端和输出端连接，且输出端还连接公共电极40。
具体的，近场通信天线工作阶段：第二控制信号线写入工作电平信号，第二开关子电路302打开，将电源电压端的电源电压输出给运算放大器304，以使运算放大器304工作，第二电压供给电路200输出的第一电压信号不仅输出给近场通信天线的线圈部70，而且还经过运算放大器304放大1倍输出给公共电极40。其中，由于运算放大器304闭环放大倍数为1，也即为电压跟随器。也就是说，在近场通信天线工作阶段，近场通信天线的线圈部70上的信号与公共电极40上的信号相同，故可以有效的避免公共电极40上的电压对近场通信天线的线圈部70的信号传输造成干扰。
显示阶段：第一控制信号线写入工作电平信号，第一开关子电路301打开，将第一电压供给电路100和公共电极40导通，将第一电压供给电路100输出的公共电压写入公共电极40，以使子像素正常工作。
在一些示例中，第一开关子电路301和第二开关子电路302均可以为薄膜晶体管，二者的开关特性可以相同也可以相反，在本公开实施例中，将第一开关子电路301中的薄膜晶体管称之为第一开关晶体管T1，第二开关子电路302中的薄膜晶体管称之为第二开关晶体管T2，并以第一开关晶体管T1和第二开关晶体管T2的开关特性相反为例。其中，第一开关晶体管T1采用P型薄膜晶体管，第二开关晶体管T2则采用N型薄膜晶体管，否则反之。在本公开实施例中，以第一开关晶体管T1采用P型薄膜晶体管，第二开关晶体管T2采用N型薄膜晶体管为例。近场通信天线工作阶段：第二控制信号线写入高电平信号，第二开晶体管打开，将电源电压端的电源电压输出给运算放大器304，以使运算放大器304工作，第二电压供给电路200输出的第一电压信号不仅输出给近场通信天线的线圈部70，而且还经过运算放大器304放大1倍输出给公共电极40。显示阶段：第一控制信号线写入低电平信号，第一开晶体管打开，将第一电压供给电路100和公共电极40导通，将第一电压供给电路100输出的公共电压写入公共电极40，以使子像素正常工作。
在一些示例中，图8为本公开实施例的显示基板中的近场通信天线的线圈部的示意图；如图8所示，近场通信天线的线圈部70包括设置在衬底基板10上交叉设置、且电连接的至少一条第一导电线701和至少一条第二导电线702；其中，第一导电线701沿第一方向X延伸，第二导电线702沿第二方向Y延伸。在第一方向X并排设置的子像素形成第一像素组，在第二方向Y并排设置的子像素形成第二像素组；位于同一第一像素组中的各子像素连接一条栅线GL，位于同一第二像素组中的各子像素连接同一条数据线DL；第一导电线701与栅线GL同层设置且材料相同；和/或，第二导电线702与数据线DL同层设置且材料相同。在本公开实施例中以第一导电线701与栅线GL同层设置且材料相同，第二导电线702与数据线DL同层设置且材料相同为例，在该种情况下，可以在形成栅线GL的同时形成第一导电线701，在形成数据线DL的同时形成第二导电线702，故不会增加工艺步骤，而且第一导电线701与栅线GL同层设置，第二导电线702与数据线DL同层设置并不会造成显示基板的厚度的增加。
如前所述，显示基板中还设置有栅线GL，且栅线GL也是沿第一方向X延伸的，也即第一导电线701与栅线GL的延伸方向相同。在本公开实施例中以第一导电线701和第二导电线702均为多条为例进行描述的，但在实际产品中第一导电线701和第二导电线702也可以均为一条，只要二者能够形成近场通信天线的线圈部70的结构即可。如图3所示，本公开实施例的显示基板的外围区具有在第二方向Y上相对设置的第一焊盘区Q21和第二焊盘区Q22。近场通信天线的线圈部70可以设置在显示区Q1靠近第一焊盘区Q21和/或第二焊盘区Q22的一侧，以便于线圈部70的端部与驱动芯片(IC)或者柔性线路板的绑定。图3中仅以线圈部70设置在显示区Q1靠近第二焊盘区Q22的一侧为例，但不构成对本公开实施例保护范围的限制。本公开实施例中，当近场通信天线仅包括一个线圈部70时，该线圈部70的两端(分别为第一端部703和第二端部704)与控制电路连接，以形成闭合回路。在该种情况下，外设的磁感应线圈可以与近场通信天线和控制电路内形成感应电流回路，以此完成近场通信。当线圈部70为多个时，则可以通过连接跳线将多个线圈部70连接，以形成天线线圈，此时近场通信天线的两端连接控制电路，以形成闭合回路，通过外设的磁感应线圈，可在近场通信天线和控制电路内形成感应电流回路，完成近场通信。具体结构将在下述具体示例中描述。
在一些示例中，第一导电线701所在层与公共电极40所在层之间的距离小于第一导电线701所在层与像素电极30所在层之间的距离。之所以如此设置，是因为由于通常显示基板中的在第一方向X上并排设置的多个子像素连接同一条栅线GL，故同时被打开，因此在第一方向X并排设置的多个子像素同时被写入数据信号，在本公开实施例中近场通信天线的线圈部70中沿第一方向X延伸的第一导电线701所在层与公共电极40所在层之间的距离小于第一导电线701所在层与像素电极30所在层之间的距离，也就是说，沿第一方向X延伸的第一导电线701与在第一方向X并排设置的多个子像素的像素电极30之间间距较大，从而可以有效的降低在像素电极30上的电压对第一导电线701的耦合，改善重载画面下对近场通信天线可见的不良问题。
以下结合具体示例说明，子像素中各膜层和近场通信天线的线圈部70各膜层的位置关系。其中，子像素中的薄膜晶体管20以底栅型薄膜晶体管20为例进行说明。但应该理解的是，薄膜晶体管20采用底栅型并不构成对本公开实施例保护范围的限制。
第一种示例：图9为本公开实施例的显示基板的版图；图10为图5所示的显示基板的B-B＇的一种截面图；图11为图5所示的显示基板的C-C＇的一种截面图；图12为图9所示的显示基板的D-D＇的一种截面图；图13为图9所示的显示基板的E-E＇的截面图；如图9-13所示，在显示基板中位于同一第一像素组内的各个子像素的薄膜晶体管20的栅极连接一条栅线GL，且由该栅线GL提供栅极扫描信号；同一第二像素组内的各个子像素的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线DL，且由该数据线DL提供数据电压信号。每个子像素中的薄膜晶体管20的漏极连接该子像素中的像素电极30。继续参照图5-9，显示基板包括衬底基板10，设置衬底基板10上的薄膜晶体管20的栅极、栅线GL和近场通信天线的线圈部70的第一导电线701，设置在薄膜晶体管20的栅极所在层背离衬底基板10一侧的栅极绝缘层50，设置在栅极绝缘层50背离衬底基板10一侧的薄膜晶体管20的有源层，设置在薄膜晶体管20的有源层背离衬底基板10一侧的薄膜晶体管20的源极和漏极、数据线DL、近场通信天线的线圈部70的第二导电线702，此时第二导电线702通过贯穿栅极绝缘层50的过孔与第一导电线701电连接，设置在薄膜晶体管20的源极和漏极所在层背离衬底基板10一侧的层间绝缘层80，设置在层间绝缘层80背离衬底基板10一侧的公共电极40，设置在公共电极40所在层背离衬底基板10一侧的钝化层60，设置在钝化层60背离衬底基板10一侧的像素电极30，此时像素电极30通过贯穿层间绝缘层80和钝化层60的过孔与薄膜晶体管20的漏极电连接。在该种示例中，由于在薄膜晶体管20的源极和漏极所在层与像素电极30所在层之间不仅设置了钝化层60，还设置了层间绝缘层80，故进一步拉大了像素电极30与第一导电线701之间的距离，从而可以有效的降低在像素电极30上的电压对第一导电线701的耦合，改善重载画面下对近场通信天线可见的不良问题。
第二种示例：图14为图9所示的显示基板的B-B＇的另一种截面图；图15为图9所示的显示基板的C-C＇的另一种截面图；图16为图9所示的显示基板的D-D＇的另一种截面图；如图9、14-16所示，在显示基板中位于同一第一像素组内的各个子像素的薄膜晶体管20的栅极连接一条栅线GL，且由该栅线GL提供栅极扫描信号；同一第二像素组内的各个子像素的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线DL，且由该数据线DL提供数据电压信号。每个子像素中的薄膜晶体管20的漏极连接该子像素中的像素电极30。继续参照图5、10-11，显示基板包括衬底基板10，设置衬底基板10上的薄膜晶体管20的栅极、栅线GL和近场通信天线的线圈部70的第一导电线701和公共电极40，设置在薄膜晶体管20的栅极所在层背离衬底基板10一侧的栅极绝缘层50，设置在栅极绝缘层50背离衬底基板10一侧的薄膜晶体管20的有源层，设置在薄膜晶体管20的有源层背离衬底基板10一侧的薄膜晶体管20的源极和漏极、数据线DL、近场通信天线的线圈部70的第二导电线702，此时第二导电线702通过贯穿栅极绝缘层50的过孔与第一导电线701电连接，设置在薄膜晶体管20的源极和漏极所在层背离衬底基板10一侧的层间绝缘层80，设置在层间绝缘层80背离衬底基板10一侧的钝化层60，设置在钝化层60背离衬底基板10一侧的像素电极30，此时像素电极30通过贯穿层间绝缘层80和钝化层60的过孔与薄膜晶体管20的漏极电连接。在该种示例中，由于在薄膜晶体管20的源极和漏极所在层与像素电极30所在层之间不仅设置了钝化层60，还设置了层间绝缘层80，故进一步拉大了像素电极30与第一导电线701之间的距离，从而可以有效的降低在像素电极30上的电压对第一导电线701的耦合，改善重载画面下对近场通信天线可见的不良问题
第三种示例：图17为图9所示的显示基板的B-B＇的再一种截面图；图18为图9所示的显示基板的C-C＇的再一种截面图；图19为图9所示的显示基板的D-D＇的再一种截面图；如图9、17-19所示，在显示基板中位于同一第一像素组内的各个子像素的薄膜晶体管20的栅极连接一条栅线GL，且由该栅线GL提供栅极扫描信号；同一第二像素组内的各个子像素的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线DL，且由该数据线DL提供数据电压信号。每个子像素中的薄膜晶体管20的漏极连接该子像素中的像素电极30。继续参照图5、13-15，显示基板包括衬底基板10，设置衬底基板10上的薄膜晶体管20的栅极、栅线GL和近场通信天线的线圈部70的第一导电线701和公共电极40，设置在薄膜晶体管20的栅极所在层背离衬底基板10一侧的栅极绝缘层50，设置在栅极绝缘层50背离衬底基板10一侧的薄膜晶体管20的有源层，设置在薄膜晶体管20的有源层背离衬底基板10一侧的薄膜晶体管20的源极和漏极、数据线DL、近场通信天线的线圈部70的第二导电线702，此时第二导电线702通过贯穿栅极绝缘层50的过孔与第一导电线701电连接，设置在薄膜晶体管20的源极和漏极所在层背离衬底基板10一侧钝化层60，设置在钝化层60背离衬底基板10一侧的像素电极30，此时像素电极30通过贯穿钝化层60的过孔与薄膜晶体管20的漏极电连接。
需要说明的是，子像素的结构也局限于上述三种，以上仅给出三种具体示例，但这并不构成对本公开实施例保护范围的限制。
第二方面，图20为本公开实施例的显示装置的部分截面图；图21为本公开实施例的显示装置的部分截面图；如图20-21所示，本公开实施例提供一种显示装置，其包括上述任一显示基板，以及对盒基板，其中，对盒基板上设置有黑矩阵，且栅线GL、数据线DL、近场通信天线的线圈部的第一导电线701和第二导电线702位于黑矩阵BM在衬底上的正投影范围之内。
该显示装置可以为液晶显示面板、手机、平板电脑、数码相框、导航仪等具有显示功能和通信功能的产品或器件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示基板，其包括：
衬底基板；
多个子像素和辅助功能结构，设置在所述衬底基板上，所述子像素包括设置在衬底基板上的公共电极和像素电极；
第一电压供给电路、第二电压供给电路和电压选择电路，所述第一电压供给电路被配置为在显示阶段为公共电极提供公共电压信号；第二电压供给电路被配置为在所述辅助功能结构工作阶段，为所述辅助功能结构提供第一电压信号；所述电压选择电路被配置为在辅助功能结构工作阶段为所述公共电极提供第二电压信号，所述第二电压信号至少包括所述第一电压信号；
所述辅助功能结构包括交叉、且电连接的设置的至少一条第一导电线和至少一条第二导电线；所述第一导电线沿第一方向延伸，所述第二导电线沿第二方向延伸；
在所述第一方向并排设置的所述子像素形成第一像素组，在所述第二方向并排设置的所述子像素形成第二像素组；位于同一所述第一像素组中的各所述子像素连接一条栅线，位于同一所述第二像素组中的各所述子像素连接同一条数据线；
所述第一导电线与所述栅线同层设置且材料相同；和/或，所述第二导电线与所述数据线同层设置且材料相同；
所述第一导电线所在层与所述公共电极所在层之间的距离小于所述第一导电线所在层与所述像素电极所在层之间的距离。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述电压选择电路包括：求和子电路、第一开关子电路和第二开关子电路；
所述求和子电路的第一输入端连接所述第一电压供给电路，第二输入端连接所述第二电压供给电路和所述第二开关子电路，输出端连接第一开关子电路；所述第一开关子电路还连接所述公共电极，所述第二开关子电路还连接所述辅助功能结构。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述电压选择电路包括第一开关子电路、第二开关子电路和运算放大器；
所述第一开关子电路的第一端连接所述第一电压供给电路，第二端连接所述公共电极，控制端连接第一控制信号线；所述第二开关子电路的第一端连接电源电压端，第二端连接所述运算放大器，控制端连接第二控制信号线；所述运算放大器的正向输入端连接所述第二电压供给电路，反向输入端和输出端连接，且所述输出端还连接所述公共电极。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第一开关子电路包括第一开关晶体管；所述第二开关子电路包括第二开关晶体管；且所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管的开关特性相反；
所述第一开关晶体管的第一极用作所述第一开关子电路的第一端，第二极用作所述第一开关子电路的第二端，控制极用作所述第一开关子电路的控制端；
所述第二开关晶体管的第一极用作所述第二开关子电路的第一端，第二极用作所述第二开关子电路的第二端，控制极用作所述第二开关子电路的控制端。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，任一所述子像素中还包括薄膜晶体管，同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线；同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；所述公共电极位于所述薄膜晶体管的源极和漏极背离衬底的一侧，且所在所述公共电极所在层和所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层之间设置有层间绝缘层，在所述公共电极所在层和所述像素电极所在层之间设置有钝化层；所述像素电极通过贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其中，任一所述子像素中还包括薄膜晶体管，同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线；同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；所述公共电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；在所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层背离衬底基板的一侧依次设置有层间绝缘层和钝化层；所述像素电极通过贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其中，任一所述子像素中还包括薄膜晶体管，同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线；同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；所述公共电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；在所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层背离衬底基板的一侧设置有钝化层；所述像素电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
8.根据权利要求1-4中任一项所述的显示基板，其中，所述辅助功能结构包括所述辅助功能结构包括近场通信天线的线圈部。
9.一种显示装置，其包括权利要求1-8中任一项所述的显示基板。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括对盒基板，所述对盒基板上设置有黑矩阵，所述辅助功能结构在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影范围之内。
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