CN113894056B - 半导体元件加压装置以及具备其的测试分选机 - Google Patents

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Abstract

本说明书的实施例提供半导体元件加压装置以及具备其的测试分选机，能够以准确且均匀的力加压半导体元件的。根据本说明书的实施例的半导体元件加压装置包括：缸衬，形成具有供流体流入的贯通孔以及所述贯通孔的相反侧的开口部的圆筒形的空间；以及活塞，插入于所述空间，并以通过所述流体的压力能够移动的方式插入于所述空间。在此，可以是，在所述活塞和所述缸衬之间形成供所述流体的一部分能够流动的流动区域，所述流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比所述第一间隔大的第二间隔形成的第二区域。

Description

半导体元件加压装置以及具备其的测试分选机
技术领域
本说明书涉及半导体元件加压装置以及具备其的测试分选机，更具体地涉及使用液压缸对半导体元件进行加压的半导体元件加压装置以及具备其的测试分选机。
背景技术
半导体(或者显示器)制造工艺是用于在基板(例如：晶圆)上制造半导体元件的工艺，例如包括曝光、蒸镀、蚀刻、离子注入、清洗等。追加地，可以对形成在基板上的各半导体元件执行检查以及封装。尤其，针对半导体元件的工艺结束之后，可以对各半导体元件的功能及/或性能执行检查。
为了针对半导体元件的检查，提供测试分选机，其用于将半导体元件保管以及转送，使半导体元件与具有用于测试的多个接触销的测试接口接触，将结束测试的半导体元件搬出。测试分选机包括用于使半导体元件与测试接口接触的半导体元件加压装置。半导体元件加压装置需要以准确且均匀的力加压半导体元件。另外，半导体元件加压装置需要在用于检查半导体元件的各种温度条件下顺畅地工作。
发明内容
因此，本说明书的实施例提供能够以准确且均匀的力加压半导体元件的半导体元件加压装置以及具备其的测试分选机。
另外，本说明书的实施例提供能够在各种温度条件下顺畅地工作的半导体元件加压装置以及具备其的测试分选机。
本说明书的实施例提供能够以准确且均匀的力加压半导体元件的半导体元件加压装置以及具备其的测试分选机。根据本发明的实施例的半导体元件加压装置包括：缸体，形成具有供流体流入的贯通孔以及所述贯通孔的相反侧的开口部的空间；缸衬，在所述空间中结合于与所述开口部相邻的内侧壁；以及活塞，以通过所述流体的压力能够移动的方式插入于所述空间。在此，可以是，在所述活塞和所述缸衬之间形成供所述流体的一部分能够流动的流动区域，所述流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比所述第一间隔大的第二间隔形成的第二区域。
在一实施例中，可以是，所述第二区域通过在所述活塞的侧面形成的槽来生成。
在一实施例中，可以是，所述槽在所述活塞的侧面沿着与所述活塞的移动方向垂直的方向形成。
在一实施例中，可以是，所述槽在所述活塞的侧面向与所述活塞的移动方向平行的方向形成。
在一实施例中，可以是，所述槽在所述活塞的侧面向相对于所述活塞的移动方向倾斜的斜线方向形成。
在一实施例中，可以是，所述第二区域通过在所述缸衬的内侧壁形成的槽来生成。
在一实施例中，可以是，所述槽在所述缸衬的内侧壁沿着与所述活塞的移动方向垂直的方向形成。
在一实施例中，可以是，所述槽在所述缸衬的内侧壁沿着与所述活塞的移动方向平行的方向形成。
在一实施例中，可以是，所述槽在所述缸衬的内侧壁沿着相对于所述活塞的移动方向倾斜的斜线方向形成。
在一实施例中，可以是，在所述活塞的中心部形成第一内部流路，并且连接所述第一内部流路和所述第二区域之间的第二内部流路形成于所述活塞，设定为在所述第一区域中流动的流体产生的第一压力小于沿着所述第二内部流路流动的流体产生的第二压力。
根据本发明的实施例的测试分选机包括：装载单元，将至少一个半导体元件通过用于测试的托盘装载；测试腔室，包括半导体元件加压装置，所述半导体元件加压装置将装载在从所述装载单元转送的托盘中的半导体元件向测试装置侧加压；以及卸载单元，卸载从所述测试腔室转送的托盘的半导体元件。可以是，所述半导体元件加压装置包括：缸体，形成具有供流体流入的贯通孔以及所述贯通孔的相反侧的开口部的圆筒形的空间；缸衬，在所述空间中结合于与所述开口部相邻的内侧壁；以及活塞，以通过所述流体的压力能够移动的方式插入于所述空间。可以是，在所述活塞和所述缸衬之间形成供所述流体的一部分能够流动的流动区域，所述流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比所述第一间隔大的第二间隔形成的第二区域。
在一实施例中，可以是，所述第二区域通过在所述活塞的侧面形成的槽来生成，所述槽在所述活塞的侧面沿着与所述活塞的移动方向垂直的方向或者平行的方向形成。
在一实施例中，可以是，所述第二区域通过在所述缸衬的内侧壁形成的槽来生成，所述槽在所述缸衬的内壁沿着与所述活塞的移动方向垂直的方向或者平行的方向形成。
在一实施例中，可以是，在所述活塞的中心部形成第一内部流路，并且连接所述第一内部流路和所述第二区域之间的第二内部流路形成于所述活塞，设定为在所述第一区域中流动的流体产生的第一压力小于沿着所述第二内部流路流动的流体产生的第二压力。
在一实施例中，可以是，所述测试腔室还包括匹配板，所述匹配板包括将所述半导体元件向所述测试装置侧加压的推动器，所述活塞通过所述流体的压力加压所述推动器。
根据本发明的实施例的测试分选机包括：装载单元，将至少一个半导体元件通过用于测试的托盘装载；第一腔室，在第一温度下保管从所述装载单元转送的托盘；测试腔室，包括半导体元件加压装置，所述半导体元件加压装置将装载在从所述第一腔室转送的托盘中的半导体元件向测试装置侧加压；第二腔室，在第二温度下保管从所述测试腔室转送的托盘；以及卸载单元，卸载从所述第二腔室转送的托盘的半导体元件。在此，可以是，所述半导体元件加压装置包括：缸体，形成具有供流体流入的贯通孔以及所述贯通孔的相反侧的开口部的圆筒形的空间；缸衬，在所述空间中结合于与所述开口部相邻的内侧壁；以及活塞，以通过所述流体的压力能够移动的方式插入于所述空间，在所述活塞和所述缸衬之间形成供所述流体的一部分能够流动的流动区域。可以是，所述流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比所述第一间隔大的第二间隔形成的第二区域，所述第二区域通过在所述活塞或者所述缸衬的内侧壁形成的槽来生成。
根据本说明书的实施例，形成包括具有流体能够在活塞和缸衬之间流动的第一间隔的第一区域以及具有比第一间隔大的第二间隔的第二区域的流动区域，从而能够减少流量损失引起的不均匀性。
另外，根据本说明书的实施例，形成包括具有流体能够在活塞和缸衬之间流动的第一间隔的第一区域以及具有比第一间隔大的第二间隔的第二区域的流动区域，从而当发生低温环境引起的收缩时能够保持同心并减少流量损失，另外，当发生高温环境引起的膨胀时能够防止夹住。
附图说明
图1示出根据本说明书的实施例的测试分选机的概要结构的例子。
图2示出根据本说明书的实施例的测试腔室的概要结构的例子。
图3示出根据本说明书的实施例的测试腔室的概要结构的另一例子。
图4示出根据本说明书的实施例的用于检测半导体元件的概要结构的例子。
图5示出液压缸形态的半导体元件加压装置的例子。
图6示出根据本说明书的实施例的在活塞中形成有槽的半导体元件加压装置的例子。
图7示出根据本说明书的实施例的在缸衬中形成有槽的半导体元件加压装置的例子。
图8a以及图8b示出根据本说明书的实施例的在活塞以及缸衬中形成有槽的半导体元件加压装置的例子。
图9a以及图9b示出根据本说明书的实施例的在活塞中形成有内部流路的半导体元件加压装置的例子。
图10a以及图10b示出根据本说明书的实施例的在活塞中形成有槽的半导体元件加压装置的另一例子。
图11示出根据本说明书的实施例的在缸衬中形成有槽的半导体元件加压装置的另一例子。
图12示出根据本说明书的实施例的在活塞中形成有槽的半导体元件加压装置的又另一例子。
图13示出根据本说明书的实施例的在缸衬中形成有槽的半导体元件加压装置的又另一例子。
图14示出根据本说明书的实施例的以多个缸单元连接的流体供应管线的例子。
图15示出根据本说明书的实施例的具备多个缸单元的半导体元件加压装置的例子。
具体实施方式
以下，参照所附附图来详细说明本发明的实施例，以使得本发明所属技术领域中具有通常知识的人能够容易地实施。本发明可以以各种不同方式实现，不限于在此说明的实施例。
为了清楚地说明本发明，省略了与说明无关的部分，贯穿说明书整体对相同或类似的构成要件标注相同的附图标记。
另外，在多个实施例中，对具有相同结构的构成要件，使用相同的附图标记来仅说明代表性实施例，在其余的其它实施例中仅说明与代表性实施例不同的结构。
在说明书整体中，当表述某部分与其它部分“连接(或者结合)”时，其不仅是“直接连接(或者结合)”的情况，还包括将其它部件置于中间“间接连接(或者结合)”的情况。另外，当表述某部分“包括”某构成要件时，只要没有特别相反记载，其意指可以还包括其它构成要件而不是排除其它构成要件。
只要没有不同地定义，包括技术或科学术语在内在此使用的所有术语具有与本发明所属技术领域中具有通常知识的人一般所理解的含义相同的含义。在通常使用的词典中定义的术语之类的术语应解释为具有与相关技术文脉上具有的含义一致的含义，只要在本申请中没有明确定义，不会理想性或过度地解释为形式性含义。
图1示出根据本说明书的实施例的测试分选机100的概要结构的例子。图1是从顶棚侧方向观察的测试分选机100的概要结构图。在本说明书中，测试分选机100指称为了对执行完半导体工艺以及封装的半导体元件的功能及/或性能进行检查而使半导体元件与测试接口电连接的装置。另外，为了半导体元件的检查，测试分选机100可以将被传递的半导体元件向托盘转送，形成用于检查的环境(例如：温度)，将结束检查的半导体元件按照等级分类，搬出半导体元件。在本说明书中，说明测试分选机100通过测试接口与测试装置连接的情况，但是本说明书的实施例不限于此，测试分选机100和测试装置可以一体构成。即，测试分选机100可以还指称为测试装置。
参照图1，测试分选机100可以包括装载单元110、第一腔室120、测试腔室130、第二腔室140以及卸载单元150。首先，容纳要检查的半导体元件SD的定制托盘(或者C-Tray)30投放到测试分选机100。装载单元110将保管在定制托盘30中的半导体元件SD转载到测试托盘(或者T-Tray)20。在此，测试托盘20和定制托盘30彼此可以尺寸、能够容纳半导体元件SD的插槽数量或者插槽间距离中的一个彼此不同。虽未图示，装载单元110可以包括用于吸附半导体元件SD的提取装置、用于提取装置的移动的驱动部、移动导轨。安放有半导体元件SD的测试托盘20可以通过转送装置(未图示)传递到第一腔室120。
第一腔室120作为保管测试托盘20的空间，可以保持为用于测试的温度环境(第一温度)。即，第一腔室120可以在第一温度下保管从装载单元110转送的测试托盘20。第一温度是用于在测试腔室130中预先设定成用于测试半导体元件SD的测试温度的温度。即，第一温度可以是与测试温度相同或与测试温度近似的温度。第一腔室120可以指称为恒温腔室(soak chamber)。在第一腔室120中保管的测试托盘20可以通过转送装置(未图示)向测试腔室130传递。
测试腔室130作为与测试接口170结合而对半导体元件SD执行检查的空间，提供用于测试半导体元件SD的环境。测试接口170可以与半导体元件SD接触而施加电信号，将通过半导体元件SD输出的信号向测试装置(未图示)传送。在测试腔室130中可以具备为了将半导体元件SD与测试接口170接触而对半导体元件SD加压的半导体元件加压装置220。参照以下的图2至图4更详细地说明用于在测试腔室130中检查半导体元件SD的结构。在测试腔室130中结束检查的半导体元件SD可以向第二腔室140转送。
第二腔室140作为保管容纳有结束检查的半导体元件SD的测试托盘20的空间，可以保持为常温(第二温度)。即，第二腔室140可以在第二温度下保管从测试腔室130转送的测试托盘20。保管在第二腔室140中的测试托盘20可以通过转送装置(未图示)向卸载单元150传递。卸载单元150可以将从第二腔室140转送的测试托盘20的半导体元件SD按等级分类并卸载。
图2示出根据本说明书的实施例的测试腔室130的概要结构的例子。图2示出图1的测试腔室130的一例子。参照图2，在测试腔室130中可以设置有半导体元件加压装置200，并可以设置有容纳被半导体元件加压装置200加压的半导体元件SD的测试托盘20。在此，流体供应单元210既可以包括在半导体元件加压装置200中，也可以相对于半导体元件加压装置200独立构成。另外，在测试腔室130的上方和下方分别设置上FFU 240以及下FFU 250。可以在测试腔室130的一侧壁对接将半导体元件SD和测试装置连接的测试接口170。如图2那样测试托盘20以向垂直方向竖立的状态对接的方式可以指称为垂直对接系统。
图3示出根据本说明书的实施例的测试腔室的概要结构的另一例子。图3示出图1的测试腔室130的一例子。参照图3，在测试腔室130中可以设置有半导体元件加压装置200，并可以设置有容纳被半导体元件加压装置200加压的半导体元件SD的测试托盘20。在此，流体供应单元210既可以包括在半导体元件加压装置200中，也可以相对于半导体元件加压装置200独立构成。可以在测试腔室130的下方区域对接将半导体元件SD和测试装置连接的测试接口170。如图2那样测试托盘20以向水平方向平躺的状态对接的方式可以指称为水平对接系统。
图4示出根据本说明书的实施例的用于检查半导体元件的概要结构的例子。在图4中，测试接口170包括以一定间隔配置有多个测试座12的测试头10。另外，在测试腔室130中设置有容纳半导体元件SD的测试托盘20、设置成能够相对于测试座12移动的载体模组21、加压半导体元件SD的匹配板230、通过从流体供应单元210供应的流体加压匹配板230的推动器234的半导体元件加压装置220以及向半导体元件加压装置220供应预定压力的压缩空气的流体供应单元210。
在测试头10的两侧面部凸出一定距离设置有供测试托盘20的两端部接触并被支承的托盘阻挡器11。另外，各测试座12在中央部设置有与半导体元件SD的球(ball)之类端子电接通的多个接通销13，并在两侧部凸出预定厚度形成有供载体模组21接触并被支承的载体阻挡器14。另外，在测试座12的两侧部凸出形成有向载体模组21的导槽26内侧插入的一对导销15。接通销13例如可以由弹簧针(pogo pin)构成。
测试托盘20用于在测试分选机中将半导体元件SD以固定的状态进行搬运，在方框形状的金属框架中以一定间隔具备固定及解除半导体元件SD的多个载体模组21。
载体模组21包括主体22、安放部24、凸出部25。主体22以能够活动一定程度的方式设置于测试托盘20并在中央部具有空腔23。主体22具有大致方框形状，在空腔23中容纳半导体元件SD。
安放部24设置于主体22的下表面，供安放半导体元件SD。安放部24具有使半导体元件SD的端子暴露的开口。通过开口，接通销13可以与半导体元件SD的端子接通。凸出部25从具有空腔23的主体22的内侧面凸出而支承安放在安放部24中的半导体元件SD的侧面。
匹配板230利用通过半导体元件加压装置220施加的力而加压成半导体元件SD和接通销13保持接触。匹配板230包括活动板231、使活动板231移动的空压气缸233、在活动板231中以一定间隔排列并随着活动板231的移动而加压所述载体模组21的载体加压块232、可移动地设置于各载体加压块232的中央部并以预定的压力加压所述半导体元件SD的多个推动器234。
在此，各推动器234包括通过活塞222移动的活动轴235、可移动地设置于活动轴235的前端部并与半导体元件SD弹性接触的接触部237、配置于活动轴235和接触部237之间的压缩弹簧236。
半导体元件加压装置220可以包括：缸体221，形成具有供流体流入的贯通孔以及贯通孔的相反侧的开口部的圆筒形的空间；缸衬223，固定并结合于缸体221的圆筒形空间的侧面区域；以及活塞222，插入于在缸体221中形成的圆筒形的空间，并以通过流体的压力能够移动的方式插入于圆筒形的空间。缸体221和缸衬223既可以一体式构成，也可以构成为分开的模组。
图5示出液压缸形态的半导体元件加压装置220的例子。图5示出图4的半导体元件加压装置220的一例子。参照图5，半导体元件加压装置220可以包括：缸体221，形成具有供流体流入的贯通孔224以及贯通孔224的相反侧的开口部的圆筒形的空间；缸衬223，固定并结合于缸体221的圆筒形空间的侧面区域；以及活塞222，插入于在缸体221中形成的圆筒形的空间，并以通过流体的压力能够移动的方式插入于圆筒形的空间。另外，半导体元件加压装置220可以还包括：第一环部件225，在缸衬223和缸体221之间切断流体的流动；以及第二环部件226，结合于缸衬223的上方，并使缸衬223固定于缸体221。第一环部件225可以是具有一定的流动性且切断流体的O型环(O-ring)。另外，第二环部件226可以是用于使缸衬223结合于缸体221的止动环(snap ring)。
参照图5，从流体供应单元210供应的流体(例如：空气)通过贯通孔224向气缸腔室流入。流入到气缸腔室的流体加压活塞222，活塞222可以通过流体的压力向缸体221的开口部方向(或者推动器方向)移动。
另一方面，一部分的流体可以沿着在缸衬223和活塞222之间形成的缝隙(第一路径)流动。此时，沿着第一路径流动的流体漏到气缸外部而发生流量损失。此时，流体供应单元210可以通过供应流量损失量的流体来填补流量损失。但是，若由于低温环境而活塞222收缩，则由于活塞222和缸衬223之间的缝隙增加，可能发生流量损失的增加和活塞222的偏心。在将缝隙设定为非常小的尺寸的情况下，当高温膨胀时，可能发生活塞222卡于缸衬223的现象。
因此，本说明书的实施例提供在低温收缩以及高温膨胀时也能够顺畅地工作的半导体元件加压装置。根据本说明书的实施例的半导体元件加压装置220包括：缸体221，形成具有供流体流入的贯通孔224以及贯通孔224的相反侧的开口部的空间；缸衬223，在缸体221的空间中结合于与开口部相邻的内侧壁；以及活塞222，插入于圆筒形的空间，并以通过流体的压力能够移动的方式插入于圆筒形的空间。在此，可以是，在活塞222和缸衬223之间形成供流体的一部分能够流动的流动区域，流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比第一间隔大的第二间隔形成的第二区域。在此，第二区域作为流体能够滞留的空间，提供能够补偿损失流量的阻尼(damping)区间。
图6示出根据本说明书的实施例的在活塞中形成有槽的半导体元件加压装置的例子。参照图6，半导体元件加压装置220可以包括：缸体221，形成具有供流体流入的贯通孔224以及贯通孔224的相反侧的开口部的圆筒形的空间；缸衬223，结合并固定于缸体221的圆筒形空间的侧面区域；以及活塞222，插入于在缸体221中形成的圆筒形的空间，并以通过流体的压力能够移动的方式插入于圆筒形的空间。另外，半导体元件加压装置220可以还包括：第一环部件225，在缸衬223和缸体221之间切断流体的流动；以及第二环部件226，结合于缸衬223的上方，并使缸衬223固定于缸体221。
在此，可以是，在活塞222和缸衬223之间形成供流体的一部分能够流动的流动区域，流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比第一间隔大的第二间隔形成的第二区域。在本实施例中，第二区域可以通过在活塞222的侧面向与活塞移动方向垂直的方向形成的槽227生成。根据本实施例，为了气缸的工作，流体填充于在活塞222的侧面形成的槽227，填充到槽227中的流体可以执行补偿损失流量的阻尼作用。
图7示出根据本说明书的实施例的在缸衬中形成有槽的半导体元件加压装置的例子。参照图7，半导体元件加压装置220可以包括：缸体221，形成具有供流体流入的贯通孔224以及贯通孔224的相反侧的开口部的圆筒形的空间；缸衬223，结合并固定于缸体221的圆筒形空间的侧面区域；以及活塞222，插入于在缸体221中形成的圆筒形的空间，并以通过流体的压力能够移动的方式插入于圆筒形的空间。另外，半导体元件加压装置220可以还包括：第一环部件225，在缸衬223和缸体221之间切断流体的流动；以及第二环部件226，结合于缸衬223的上方，并使缸衬223固定于缸体221。
在此，可以是，在活塞222和缸衬223之间形成供流体的一部分能够流动的流动区域，流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比第一间隔大的第二间隔形成的第二区域。在本实施例中，第二区域可以通过在缸衬223的内侧壁形成的槽228生成。根据本实施例，为了气缸的工作，流体填充到在缸衬223的内侧壁向与活塞移动方向垂直的方向形成的槽228，填充到槽228中的流体可以执行补偿损失流量的阻尼作用。
图8a以及图8b示出根据本说明书的实施例的在活塞222以及缸衬223中形成有槽的半导体元件加压装置的例子。图8a和图8b示出在活塞222和缸衬223中都形成有槽的情况的例子，图8a示出活塞222的槽227和缸衬223的槽228位于在活塞移动方向上相同位置的情况的例子，图8b示出活塞222的槽227和缸衬223的槽228位于在活塞移动方向上彼此不同位置的情况。
参照图8a以及图8b，半导体元件加压装置220可以包括：缸体221，形成具有供流体流入的贯通孔224以及贯通孔224的相反侧的开口部的圆筒形的空间；缸衬223，结合并固定于缸体221的圆筒形空间的侧面区域；以及活塞222，插入于在缸体221中形成的圆筒形的空间，并以通过流体的压力能够移动的方式插入于圆筒形的空间。另外，半导体元件加压装置220可以还包括：第一环部件225，在缸衬223和缸体221之间切断流体的流动；以及第二环部件226，结合于缸衬223的上方，并使缸衬223固定于缸体221。
在图8a中，可以是，在活塞222和缸衬223之间形成供流体的一部分能够流动的流动区域，流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比第一间隔大的第二间隔形成的第二区域。在本实施例中，第二区域可以通过在活塞222的侧面向与活塞移动方向垂直的方向形成的槽227以及在缸衬223的内侧壁向与活塞移动方向垂直的方向形成的槽228生成。在此，在活塞222的侧面形成的槽227和在缸衬223的内侧壁形成的槽228形成于在活塞移动方向上实质上相同的位置。在活塞222的侧面形成的槽227和在缸衬223的内侧壁形成的槽228可以具有重叠的区间。根据本实施例，流体填充于在活塞222的侧面形成的槽227和在缸衬223的内侧壁形成的槽228，填充到槽227、228中的流体可以执行补偿损失流量的阻尼作用。
在图8b中，可以是，在活塞222和缸衬223之间形成供流体的一部分能够流动的流动区域，流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比第一间隔大的第二间隔形成的第二区域。在本实施例中，第二区域可以通过在活塞222的侧面向与活塞移动方向垂直的方向形成的槽227以及在缸衬223的内侧壁向与活塞移动方向垂直的方向形成的槽228生成。在此，在活塞222的侧面形成的槽227和在缸衬223的内侧壁形成的槽228形成于在活塞移动方向上彼此不同的位置。在活塞222的侧面形成的槽227和在缸衬223的内侧壁形成的槽228可以不重叠。根据本实施例，流体填充于在缸衬223的内侧壁形成的槽228，填充到槽227、228中的流体可以执行补偿损失流量的阻尼作用。
图9a以及9b示出根据本说明书的实施例的在活塞222中形成有槽的半导体元件加压装置220的另一例子。图9a以及图9b示出在活塞222的侧面向与活塞移动方向平行的方向形成有槽227的情况的例子，图9a示出从侧面观察半导体元件加压装置220的情况，图9b示出从上方观察半导体元件加压装置220的情况。
参照图9a以及图9b，半导体元件加压装置220可以包括：缸体221，形成具有供流体流入的贯通孔224以及贯通孔224的相反侧的开口部的圆筒形的空间；缸衬223，固定结合于缸体221的圆筒形空间的侧面区域；以及活塞222，插入于在缸体221中形成的圆筒形的空间，并以通过流体的压力能够移动的方式插入于圆筒形的空间。另外，半导体元件加压装置220可以还包括：第一环部件225，在缸衬223和缸体221之间切断流体的流动；以及第二环部件226，结合于缸衬223的上方，并使缸衬223固定于缸体221。
在此，可以是，在活塞222和缸衬223之间形成供流体的一部分能够流动的流动区域，流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比第一间隔大的第二间隔形成的第二区域。在本实施例中，第二区域可以通过在活塞222的侧面向与活塞移动方向平行的方向形成的槽227生成。根据本实施例，为了气缸的工作，流体填充于在活塞222的侧面形成的槽227，填充到槽227中的流体可以执行补偿损失流量的阻尼作用。
图10a以及图10b示出根据本说明书的实施例的在缸衬223中形成有槽的半导体元件加压装置220的另一例子。图10a以及图10b示出在缸衬223的内侧壁向与活塞移动方向平行的方向形成有槽228的情况的例子，图10a示出从侧面观察半导体元件加压装置220的情况，图10b示出从上方观察半导体元件加压装置220的情况。
参照图10a以及图10b，半导体元件加压装置220可以包括：缸体221，形成具有供流体流入的贯通孔224以及贯通孔224的相反侧的开口部的圆筒形的空间；缸衬223，固定结合于缸体221的圆筒形空间的侧面区域；以及活塞222，插入于在缸体221形成的圆筒形的空间，并以通过流体的压力能够移动的方式插入于圆筒形的空间。另外，半导体元件加压装置220可以还包括：第一环部件225，在缸衬223和缸体221之间切断流体的流动；以及第二环部件226，结合于缸衬223的上方，并使缸衬223固定于缸体221。
在此，可以是，在活塞222和缸衬223之间形成供流体的一部分能够流动的流动区域，流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比第一间隔大的第二间隔形成的第二区域。在本实施例中，第二区域可以通过在缸衬223的内侧壁向与活塞移动方向平行的方向形成的槽228生成。根据本实施例，为了气缸的工作，流体填充于在活塞222的侧面形成的槽227，填充到槽228中的流体可以执行补偿损失流量的阻尼作用。
图11示出根据本说明书的实施例的在活塞中形成有槽的半导体元件加压装置的又另一例子。图11示出在活塞222的侧面向活塞移动方向的斜线方向形成有槽227的情况的例子。即，槽227可以在活塞222的侧面构成为螺线(螺旋)形态。参照图12，半导体元件加压装置220可以包括：缸体221，形成具有供流体流入的贯通孔224以及贯通孔224的相反侧的开口部的圆筒形的空间；缸衬223，固定结合于缸体221的圆筒形空间的侧面区域；以及活塞222，插入于在缸体221中形成的圆筒形的空间，并以通过流体的压力能够移动的方式插入于圆筒形的空间。另外，半导体元件加压装置220可以还包括：第一环部件225，在缸衬223和缸体221之间切断流体的流动；以及第二环部件226，结合于缸衬223的上方，并使缸衬223固定于缸体221。
在此，可以是，在活塞222和缸衬223之间形成供流体的一部分能够流动的流动区域，流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比第一间隔大的第二间隔形成的第二区域。在本实施例中，第二区域可以通过在活塞222的侧面向相对于活塞移动方向倾斜的斜线方向形成的槽228生成。根据本实施例，流体填充于在活塞222的侧面向相对于活塞移动方向倾斜的斜线方向形成的槽227，填充到槽227中的流体可以执行补偿损失流量的阻尼作用。
图12示出根据本说明书的实施例的在缸衬223中形成有槽的半导体元件加压装置的又另一例子。图12示出在缸衬223的内侧壁向活塞移动方向的斜线方向形成有槽228的情况的例子。即，槽228可以在缸衬223的内侧壁构成为螺线(螺旋)形态。参照图12，半导体元件加压装置220可以包括：缸体221，形成具有供流体流入的贯通孔224以及贯通孔224的相反侧的开口部的圆筒形的空间；缸衬223，固定结合于缸体221的圆筒形空间的侧面区域；以及活塞222，插入于在缸体221中形成的圆筒形的空间，并以通过流体的压力能够移动的方式插入于圆筒形的空间。另外，半导体元件加压装置220可以还包括：第一环部件225，在缸衬223和缸体221之间切断流体的流动；以及第二环部件226，结合于缸衬223的上方，并使缸衬223固定于缸体221。
在此，可以是，在活塞222和缸衬223之间形成供流体的一部分能够流动的流动区域，流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比第一间隔大的第二间隔形成的第二区域。在本实施例中，第二区域可以通过在缸衬223的内侧壁向相对于活塞移动方向倾斜的斜线方向形成的槽228生成。根据本实施例，流体填充于在缸衬223的内侧壁向相对于活塞移动方向倾斜的斜线方向形成的槽227，填充到槽227中的流体可以执行补偿损失流量的阻尼作用。
图13示出根据本说明书的实施例的在活塞中形成有内部流路的半导体元件加压装置的例子。在图13中，在活塞222的中心部形成有第一内部流路1301，连接第一内部流路1301和第二流路之间(槽227)的第二内部流路形成于活塞222。图13示出在活塞222中形成有槽227的情况的例子，但是本说明书的实施例不限于此，既可以在缸衬223中形成有槽228，也可以是在活塞222中形成的槽227和在缸衬223中形成的槽228都存在。
在此，可以构成为在第一区域中流动的流体产生的第一压力P1小于沿着第二内部流路1302流动的流体产生的第二压力P2。在第二压力P2大于第一压力P1的情况下，执行阻尼作用的流量比被损失的流量更大，从而能够实现根据本说明书的实施例的第二区域带来的阻尼。
图14示出根据本说明书的实施例的以多个缸单元连接的流体供应管线的例子。图14示出半导体元件加压装置的截面图。参照图14，在缸体221中形成有多个腔室空间，在各腔室空间中配置有缸衬223以及活塞222。另外，半导体元件加压装置可以还包括：第一环部件225，在缸衬223和缸体221之间切断流体的流动；以及第二环部件226，结合于缸衬223的上方，并使缸衬223固定于缸体221。
为了向各气缸腔室供应流体，可以形成从流体供应单元210连接到各气缸腔室的流体供应管线1410。在此，流体供应管线1410可以包括在流体供应单元210中。
图15示出根据本说明书的实施例的具备多个缸单元的半导体元件加压装置的例子。图15示出半导体元件加压装置的立体图。图15示出半导体元件加压装置的截面图。参照图15，在缸体221中形成有多个腔室空间，在各腔室空间中配置有缸衬223以及活塞222。另外，半导体元件加压装置可以还包括：第一环部件225，在缸衬223和缸体221之间切断流体的流动；以及第二环部件226，结合于缸衬223的上方，并使缸衬223固定于缸体221。
图15示出在活塞222中形成有内部流路的情况的例子，但是活塞222的内部流路只是相当于一实施例，可以在活塞222中不形成内部流路。根据图15，一个流体供应单元210可以以16个气缸作为单位来提供流体。
根据本说明书的实施例，为了防止颗粒以及氧化，在活塞中相当于具备第一区域和第二区域的流动区域的侧面部可以用与活塞主体不同的材质涂层。例如，可以是，虽然活塞主体由不锈钢构成，但活塞的侧面部通过DLC(diamond-like carbon；类金刚石薄膜)涂层来进行处理。
以上，说明了本发明的各种实施例，到此为止参照的附图和记载的发明的详细说明只是本发明的示例，其仅用作用于说明本发明的目的，并不是用作用于意义限定或限制权利要求书中记载的本发明的范围。因而本技术领域的具有通常知识的人可以理解根据其进行各种变形及等同的其它实施例。因此，本发明的真实技术保护范围应通过所附的权利要求书的技术构思来确定。

Claims (18)

1.一种半导体元件加压装置，包括：
缸体，形成具有供流体流入的贯通孔以及所述贯通孔的相反侧的开口部的空间；
缸衬，在所述空间中结合于所述缸体的与所述开口部相邻的内侧壁；以及
活塞，以通过所述流体的压力能够移动的方式插入于所述空间，
在所述活塞和所述缸衬之间形成供所述流体的一部分能够流动的流动区域，
所述流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比所述第一间隔大的第二间隔形成并与所述第一区域连接的第二区域，
所述第二区域通过在所述活塞的侧面和/或所述缸衬的内侧壁形成的槽来生成，
所述流体流过所述第一区域之后填充到所述第二区域。
2.根据权利要求1所述的半导体元件加压装置，其中，
所述槽在所述活塞的侧面沿着与所述活塞的移动方向垂直的方向形成。
3.根据权利要求1所述的半导体元件加压装置，其中，
所述槽在所述活塞的侧面向与所述活塞的移动方向平行的方向形成。
4.根据权利要求1所述的半导体元件加压装置，其中，
所述槽在所述活塞的侧面向相对于所述活塞的移动方向倾斜的斜线方向形成。
5.根据权利要求1所述的半导体元件加压装置，其中，
所述槽在所述缸衬的内侧壁沿着与所述活塞的移动方向垂直的方向形成。
6.根据权利要求1所述的半导体元件加压装置，其中，
所述槽在所述缸衬的内侧壁沿着与所述活塞的移动方向平行的方向形成。
7.根据权利要求1所述的半导体元件加压装置，其中，
所述槽在所述缸衬的内侧壁沿着相对于所述活塞的移动方向倾斜的斜线方向形成。
8.根据权利要求1所述的半导体元件加压装置，其中，
在所述活塞的中心部形成第一内部流路，并且连接所述第一内部流路和所述第二区域之间的第二内部流路形成于所述活塞，
设定为在所述第一区域中流动的流体产生的第一压力小于沿着所述第二内部流路流动的流体产生的第二压力。
9.一种测试分选机，包括：
装载单元，将至少一个半导体元件通过用于测试的托盘装载；
测试腔室，包括半导体元件加压装置，所述半导体元件加压装置将装载在从所述装载单元转送的托盘中的半导体元件向测试装置侧加压；以及
卸载单元，卸载从所述测试腔室转送的托盘的半导体元件，
所述半导体元件加压装置包括：
缸体，形成具有供流体流入的贯通孔以及所述贯通孔的相反侧的开口部的圆筒形的空间；
缸衬，在所述空间中结合于所述缸体的与所述开口部相邻的内侧壁；以及
活塞，以通过所述流体的压力能够移动的方式插入于所述空间，
在所述活塞和所述缸衬之间形成供所述流体的一部分能够流动的流动区域，
所述流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比所述第一间隔大的第二间隔形成并与所述第一区域连接的第二区域，
所述第二区域通过在所述活塞的侧面和/或所述缸衬的内侧壁形成的槽来生成，
所述流体流过所述第一区域之后填充到所述第二区域。
10.根据权利要求9所述的测试分选机，其中，
所述槽在所述活塞的侧面沿着与所述活塞的移动方向垂直的方向或者平行的方向形成。
11.根据权利要求9所述的测试分选机，其中，
所述槽在所述缸衬的内壁沿着与所述活塞的移动方向垂直的方向或者平行的方向形成。
12.根据权利要求9所述的测试分选机，其中，
在所述活塞的中心部形成第一内部流路，并且连接所述第一内部流路和所述第二区域之间的第二内部流路形成于所述活塞，
设定为在所述第一区域中流动的流体产生的第一压力小于沿着所述第二内部流路流动的流体产生的第二压力。
13.根据权利要求9所述的测试分选机，其中，
所述测试腔室还包括匹配板，所述匹配板包括将所述半导体元件向所述测试装置侧加压的推动器，
所述活塞通过所述流体的压力加压所述推动器。
14.一种测试分选机，其特征在于，包括：
装载单元，将至少一个半导体元件通过用于测试的托盘装载；
第一腔室，在第一温度下保管从所述装载单元转送的托盘；
测试腔室，包括半导体元件加压装置，所述半导体元件加压装置将装载在从所述第一腔室转送的托盘中的半导体元件向测试装置侧加压；
第二腔室，在第二温度下保管从所述测试腔室转送的托盘；以及
卸载单元，卸载从所述第二腔室转送的托盘的半导体元件，
所述半导体元件加压装置包括：
缸体，形成具有供流体流入的贯通孔以及所述贯通孔的相反侧的开口部的圆筒形的空间；
缸衬，在所述空间中结合于所述缸体的与所述开口部相邻的内侧壁；以及
活塞，以通过所述流体的压力能够移动的方式插入于所述空间，
在所述活塞和所述缸衬之间形成供所述流体的一部分能够流动的流动区域，
所述流动区域包括通过第一间隔形成的第一区域以及通过比所述第一间隔大的第二间隔形成并与所述第一区域连接的第二区域，
所述第二区域通过在所述活塞的侧面和/或所述缸衬的内侧壁形成的槽来生成，
所述流体流过所述第一区域之后填充到所述第二区域。
15.根据权利要求14所述的测试分选机，其中，
所述槽在所述活塞的侧面沿着与所述活塞的移动方向垂直的方向或者平行的方向形成。
16.根据权利要求14所述的测试分选机，其中，
所述槽在所述缸衬的内侧壁沿着与所述活塞的移动方向垂直的方向或者平行的方向形成。
17.根据权利要求14所述的测试分选机，其中，
在所述活塞的中心部形成第一内部流路，并且连接所述第一内部流路和所述第二区域之间的第二内部流路形成于所述活塞，
设定为在所述第一区域中流动的流体产生的第一压力小于沿着所述第二内部流路流动的流体产生的第二压力。
18.根据权利要求14所述的测试分选机，其中，
所述半导体元件加压装置还包括在所述空间的侧面设置的缸衬，
所述半导体元件加压装置还包括：
第一环部件，在所述缸衬和所述缸衬之间切断所述流体的流动；以及
第二环部件，结合于所述缸衬的上方，并使所述缸衬固定于所述缸衬。
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