CN113889502A - 显示装置 - Google Patents

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CN113889502A CN202110504061.1A CN202110504061A CN113889502A CN 113889502 A CN113889502 A CN 113889502A CN 202110504061 A CN202110504061 A CN 202110504061A CN 113889502 A CN113889502 A CN 113889502A
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Abstract

公开了显示装置，该显示装置包括包括像素的显示面板和设置在显示面板上的盖窗。盖窗包括具有第一厚度的平坦部分和具有小于平坦部分的第一厚度的第二厚度的折叠部分，折叠部分与平坦部分相邻。盖窗的平坦部分的第一应力分布不同于盖窗的折叠部分的第二应力分布，第一应力分布是从盖窗的平坦部分的表面沿着深度方向的应力变化，第二应力分布是从盖窗的折叠部分的表面沿着深度方向的应力变化。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年7月1日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0081068号韩国专利申请的优先权和利益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示装置及制造显示装置的方法，并且更具体地，涉及可折叠显示装置及制造可折叠显示装置的方法。
背景技术
移动电子设备被广泛地使用。近来，除了诸如移动电话的小型电子设备之外，平板个人计算机(PC)也已经被广泛地用作移动电子设备。
这种移动电子设备可以包括显示装置以向用户提供各种功能，例如，诸如一个图像或多个图像的视觉信息。最近，随着用于驱动显示装置的其它部件的尺寸已经减小，显示装置在电子设备中的比例已经逐渐增大，并且正在开发可以弯曲或折叠成各种形状中的任一种的显示装置。
显示装置可以包括可以保护显示装置的元件的盖窗。对于可折叠显示装置，设置在可折叠显示装置中的盖窗也应该是可折叠的，并且还应确保盖窗的耐久性。
应当理解，本背景技术部分部分地旨在为理解该技术提供有用的背景。然而，本背景技术部分也可以包括在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的思想、概念或认识。
发明内容
一个或多个实施方式提供了包括盖窗的显示装置以及制造该显示装置的方法，其中盖窗可以是可折叠的并且可以具有提高的对抗冲击的耐久性和强度。然而，上述问题仅仅是示例，并且因此不限制本公开的范围。
另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过对本公开的所呈现的实施方式的实践来获知。
根据一个或多个实施方式，显示装置可以包括包括像素的显示面板和设置在显示面板上的盖窗，其中盖窗可以包括平坦部分和折叠部分，平坦部分具有第一厚度，折叠部分具有可以小于平坦部分的第一厚度的第二厚度，折叠部分与平坦部分相邻，并且盖窗的平坦部分的第一应力分布(stress profile)可以不同于盖窗的折叠部分的第二应力分布，第一应力分布可以是从盖窗的平坦部分的表面沿着深度方向的应力变化，第二应力分布可以是从盖窗的折叠部分的表面沿着深度方向的应力变化。.
盖窗的折叠部分的第二厚度可以在约20μm至约30μm的范围内。
盖窗的平坦部分的表面上的表面压缩应力可以大于盖窗的折叠部分的表面上的表面压缩应力。
盖窗的平坦部分的表面上的表面压缩应力可以在约650MPa至约800MPa的范围内。
盖窗的平坦部分的第一应力分布在第一区间中的梯度的绝对值可以大于在与第一区间相邻的第二区间中的梯度的绝对值，第一区间可以是从盖窗的平坦部分的表面到第一过渡深度的区间，并且第二区间可以是从第一过渡深度到第一压缩深度的区间。
第一压缩深度处的压缩应力可以为约0。
第一压缩深度可以约等于或大于盖窗的平坦部分的第一厚度的约15％。
第一过渡深度可以小于盖窗的平坦部分的第一厚度的约10％。
在第一区间中的梯度的绝对值可以大于约35MPa/μm。
盖窗的折叠部分的表面上的表面压缩应力可以在约400MPa至约700MPa的范围内。
盖窗的折叠部分的第二应力分布在第三区间中的梯度的绝对值可以大于在与第三区间相邻的第四区间中的梯度的绝对值，第三区间可以是从盖窗的折叠部分的表面到第二过渡深度的区间，并且第四区间可以是从第二过渡深度到第二压缩深度的区间。
盖窗的折叠部分的第二应力分布可以在约等于或大于盖窗的折叠部分的第二过渡深度的区间中包括曲线。
第二压缩深度处的压缩应力可以为约0。
第二压缩深度可以在折叠部分的第二厚度的约20％至约25％的范围内。
第二过渡深度可以小于盖窗的折叠部分的第二厚度的20％。
在第三区间中的梯度的绝对值可以大于约40MPa/μm。
根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法可以包括：准备显示面板；准备盖窗；以及将盖窗附着到显示面板，其中盖窗可包括具有第一厚度的平坦部分以及具有小于第一厚度的第二厚度的折叠部分，折叠部分与平坦部分相邻，并且平坦部分的第一应力分布可不同于折叠部分的第二应力分布，第一应力分布可以是从平坦部分的表面沿着深度方向的应力变化，第二应力分布可以是从折叠部分的表面沿着深度方向的应力变化。
准备盖窗可以包括：准备具有第一厚度的构件；通过对构件的一部分进行处理来将折叠部分形成为第二厚度；通过使用包括第一盐和可以不同于第一盐的第二盐的混合盐来通过离子交换对构件执行第一强化操作；以及通过使用包括第一盐的单一盐来通过离子交换对构件执行第二强化操作。
第一强化操作可以在约350℃至约460℃的范围内的温度下执行约30分钟至约6小时，并且第一盐和第二盐之间的摩尔比可以为约7:3。
第二强化操作可以在约350℃至约460℃的范围内的温度下执行约5分钟至约2小时。
第一盐可以是硝酸钠(NaNO3)，并且第二盐可以是硝酸钾(KNO3)。
从附图、权利要求书和详细描述中，本公开的其它特征和优点将变得更加明显。
这些实施方式可以通过使用系统、方法、计算机程序或其组合来实现。
附图说明
从以下结合附图的描述中，本公开的实施方式的上述和其它方面、特征和优点将变得更加明显，在附图中：
图1A和图1B是根据实施方式的显示装置的立体图；
图2是示出根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图；
图3A和图3B是示出根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图；
图4是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的操作的流程图；
图5是示出根据实施方式的准备显示装置的盖窗的操作的流程图；
图6A至图6C是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的操作的示意性剖视图；
图7A和图7B是根据实施方式的显示装置的盖窗的平坦部分的应力分布；以及
图8A和图8B是根据实施方式的显示装置的盖窗的折叠部分的应力分布。
具体实施方式
现在将详细参考实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中相同的附图标记始终表示相同的元件。在这一点上，实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所陈述的描述。因此，以下仅通过参考附图来描述实施方式，以解释描述的方面。
术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个”旨在包括“选自……的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指“A、B或者A和B”。
本公开可以包括各种实施方式和修改，并且其实施方式将在附图中示出并且将在本文中详细描述。从以下结合附图对实施方式的描述中，本公开的效果和特征及其伴随的方法将变得显而易见。然而，本公开不限于以下描述的实施方式，并且可以以各种方式来实施。
应理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个区分开。例如，在不背离所附权利要求书的范围的情况下，在一个实施方式中被称为第一元件的元件可以在另一实施方式中被称为第二元件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可包括复数形式。
如本文中所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
还应理解，如本文中使用的，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”和“具有(have)”和/或“具有(having)”以及它们的变型指定所阐述的特征或元件的存在，但不排除一个或多个其它特征或元件的存在或添加。
应理解，当层、区、区域或元件被称为“形成”在另一层、区、区域或元件“上”时，其可以直接或间接地形成在该另一层、区、区域或元件上。也就是说，例如，可以存在居间的层、区、区域或元件。
为了便于解释，可以放大或缩小附图中的元件的尺寸。换言之，因为附图中的部件的尺寸和厚度是为了便于解释而任意地示出的，所以以下实施方式不限于此。
当实施方式可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的过程顺序。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
应理解，当层、区或元件被称为“连接”时，该层、区或元件可以直接连接或者可以利用它们之间的的居间的层、区或元件间接连接。例如，当层、区或元件电连接时，层、区或元件可以直接电连接和/或可以利用它们之间的居间的层、区或元件间接电连接。
为了易于描述，可以在本文中使用“下方”、“之下”、“下部”、“上方”、“上部”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。应理解，除了附图中所描绘的定向之外，空间相对术语旨在包括设备在使用或操作中的不同定向。例如，在附图中所示的设备被翻转的情况下，定位在另一设备“下方”或“之下”的设备可以被放置在另一设备“上方”。因此，说明性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置。设备也可以在其它方向上定向，并且因此空间相对术语可以根据定向而被不同地解释。
另外，术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以位于第二对象上方或下方或者位于第二对象的一侧，并且反之，第二对象可以位于第一对象上方或下方或者位于第一对象的一侧。另外，术语“重叠”可以包括层、堆叠、面对(face)或面对(facing)、延伸遍及、覆盖或部分地覆盖或如本领域普通技术人员将意识和理解的任何其它合适的术语。术语“面对(face)”和“面对(facing)”意指第一元件可以与第二元件直接或间接地相对。在第三元件介于第一元件和第二元件之间的情况下，尽管仍然彼此面对，但是第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接地相对。当元件被描述为与另一元件“不重叠(not overlapping)”或“不重叠(to not overlap)”时，这可包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此并排设置或者如本领域普通技术人员将意识和理解的任何其它合适的术语。
短语“在平面图中”意指从顶部观察对象，并且短语“在示意性剖视图中”意味着从侧部观察对象被垂直切割的截面。
如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所阐述的值并且意指在如本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)而确定的特定值的偏差的可接受范围内。例如，“约”可以意指在所阐述的值的一个或多个标准偏差内，或者在所阐述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
在以下实施方式中，x轴、y轴和z轴不限于矩形坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本领域技术人员通常理解的相同的含义。如常用词典中定义的术语应被解释为具有与在相关技术上下文中相同的含义，并且除非在说明书中明显地定义，否则这些术语不被理想地或过度地解释为具有正式含义。
图1A和图1B是根据本公开的实施方式的显示装置的立体图。图1A示出了显示装置展开的状态。图1B示出了显示装置折叠的状态。
参考图1A和图1B，显示装置1可以包括下盖LC、显示面板DP和盖窗CW。
下盖LC可以包括可以支撑显示面板DP的第一部分P1和第二部分P2。下盖LC可以绕第一部分P1和第二部分P2之间的折叠轴FAX折叠。在实施方式中，第一部分P1和第二部分P2之间可以定位有或设置有铰接部分HP。
显示面板DP可以包括显示区域DA。显示面板DP可以通过布置或设置在显示区域DA中的像素PX的阵列来提供一个图像或多个图像。像素PX可以定义为发光区域，在发光区域中，光可以由电连接到像素电路的发光元件发射。发光元件可以是例如有机发光二极管(OLED)。像素PX中的每个可以发射红光、绿光或蓝光。在实施方式中，像素PX中的每个可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2，它们可以定位或设置在与显示区域DA交叉或相交的折叠轴FAX的两侧上。第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以分别定位或设置在下盖LC的第一部分P1和第二部分P2上。显示面板DP可以通过使用由分别定位或设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的像素PX发射的光来提供第一图像和第二图像。在实施方式中，第一图像和第二图像可以是通过显示面板DP的显示区域DA提供的一个或一图像的部分。此外，在实施方式中，显示面板DP可以提供可以彼此独立的第一图像和第二图像。
显示面板DP可以绕折叠轴FAX折叠。在显示面板DP被折叠的情况下，显示面板DP的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以彼此面对。
尽管在图1A和图1B中折叠轴FAX在y方向上延伸，但是在实施方式中，折叠轴FAX可以在x方向上延伸。在实施方式中，xy平面中的折叠轴FAX可以在与x方向和y方向相交的方向上延伸。另外，尽管在图1A和图1B中示出了一个折叠轴FAX，但是在实施方式中，显示面板DP可以绕与显示区域DA交叉或相交的折叠轴FAX折叠多次。
盖窗CW可以定位或设置在显示面板DP上，并且可以覆盖显示面板DP或者与显示面板DP重叠。在本公开的精神和范围内，盖窗CW可以根据外力折叠或弯曲而不产生裂纹等。在显示面板DP绕折叠轴FAX折叠的情况下，盖窗CW也可以折叠并且可以覆盖显示面板DP或者与显示面板DP重叠。
图2是示出根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。图2可对应于沿着图1A的显示装置的线II-II’截取的示意性剖视图。
参考图2，显示面板DP可以具有包括衬底10、像素电路层PCL、显示元件层DEL、薄膜封装层TFE、触摸电极层TEL和光学功能层OFL的堆叠结构。
衬底10可以包括玻璃或诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。
像素电路层PCL可以定位或设置在衬底10上。在图2中，像素电路层PCL可以包括薄膜晶体管TFT以及定位或设置在薄膜晶体管TFT的元件之下或下方和/或之上的缓冲层11、第一栅极绝缘层13a、第二栅极绝缘层13b、层间绝缘层15和平坦化绝缘层17。
缓冲层11可以减少或防止外来材料、湿气或外部空气从衬底10的底部渗透，并且可以使衬底10平坦化。缓冲层11可以包括无机绝缘材料，诸如硅氮化物、硅氮氧化物或硅氧化物，并且可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
设置在缓冲层11上的薄膜晶体管TFT可以包括半导体层12，并且半导体层12可以包括多晶硅。可替代地，半导体层12可包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。半导体层12可以包括沟道区12c以及分别定位或设置在沟道区12c的两侧上或处的漏极区12a和源极区12b。栅电极14可以与沟道区12c重叠。
栅电极14可以包括低电阻金属材料。栅电极14可以包括包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括上述一种材料或多种材料的单层或多层结构。
设置在半导体层12和栅电极14之间的第一栅极绝缘层13a可以包括无机绝缘材料，诸如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO2)。
第二栅极绝缘层13b可以提供或设置成覆盖栅电极14或者与栅电极14重叠。与第一栅极绝缘层13a类似，第二栅极绝缘层13b可包括无机绝缘材料，诸如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO2)。
存储电容器Cst的上电极Cst2可以定位或设置在第二栅极绝缘层13b上。上电极Cst2可以与栅电极14重叠，栅电极14可以定位或设置在上电极Cst2下方。例如，彼此重叠的栅电极14和上电极Cst2与设置在栅电极14和上电极Cst2之间的第二栅极绝缘层13b可以形成存储电容器Cst。例如，栅电极14可以用作存储电容器Cst的下电极Cst1。
这样，存储电容器Cst和薄膜晶体管TFT可以彼此重叠。在实施方式中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠。
上电极Cst2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以具有包括上述一种材料或多种材料的单层或多层结构。
层间绝缘层15可以覆盖上电极Cst2或者与上电极Cst2重叠。层间绝缘层15可以包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO2)。层间绝缘层15可以具有包括上述一种无机绝缘材料或多种无机绝缘材料的单层或多层结构。
漏电极16a和源电极16b中的每个可以定位或设置在层间绝缘层15上。漏电极16a和源电极16b可以通过定位或设置在漏电极16a和源电极16b之下或下方的绝缘层的接触孔而分别电连接到漏极区12a和源极区12b。漏电极16a和源电极16b可以包括具有高导电性的材料。漏电极16a和源电极16b中的每个可以包括包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括上述一种材料或多种材料的单层或多层结构。在实施方式中，漏电极16a和源电极16b中的每个可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化绝缘层17可以包括有机绝缘层。平坦化绝缘层17可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有基于苯酚的基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、氟化聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物或其共混物。
显示元件层DEL可以定位或设置在具有上述结构的像素电路层PCL上。显示元件层DEL可以包括作为发光元件的有机发光二极管OLED，并且有机发光二极管OLED可以具有包括像素电极21、发光层22和公共电极23的堆叠结构。有机发光二极管OLED的像素电极21可以通过平坦化绝缘层17的接触孔电连接到薄膜晶体管TFT。
像素电极21可以包括导电氧化物，诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铟氧化物(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或铝锌氧化物(AZO)。在实施方式中，像素电极21可以包括反射膜，反射膜包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。在实施方式中，像素电极21可以包括在反射膜之上/之下或下方由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
具有开口19OP的像素限定膜19可以定位或设置在像素电极21上，像素电极21的中央部分可以通过开口19OP暴露。像素限定膜19可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。开口19OP可以限定发光区域，在发光区域中，光可以由有机发光二极管OLED发射。例如，开口19OP的尺寸/宽度可以对应于发光区域的尺寸/宽度。因此，像素PX的尺寸和/或宽度可以取决于像素限定膜19的开口19OP的尺寸和/或宽度。
发光层22可以定位或设置在像素限定膜19的开口19OP中。发光层22可以包括发射一定或预定颜色的光的高或低分子量有机材料。可替代地，发光层22可以包括无机发光材料，或者可以包括量子点。
尽管在图2中未示出，但是发光层22之下或下方和之上可以分别定位或设置有第一功能层和第二功能层。第一功能层可以包括例如空穴传输层(HTL)，或者可以包括HTL或空穴注入层(HIL)。第二功能层(其可以是定位或设置在发光层22之上的元件)可以是可选的。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。与如下描述的公共电极23类似，第一功能层和/或第二功能层可以是形成或设置为完全覆盖衬底10或者与衬底10重叠的公共层。
公共电极23可以定位或设置在像素电极21之上，并且可以与像素电极21重叠。公共电极23可以包括具有低功函数的导电材料。例如，公共电极23可以包括(半)透明层，其包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金。可替代地，公共电极23可以包括位于包括上述一种材料或多种材料的(半)透明层上的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层。公共电极23可以整体形成或者是整体的形成，以完全覆盖衬底10或者与衬底10重叠。
薄膜封装层TFE可以定位或设置在显示元件层DEL上，并且可以覆盖显示元件层DEL或者与显示元件层DEL重叠。薄膜封装层TFE可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，并且根据实施方式，在图2中，薄膜封装层TFE可以包括可以顺序堆叠的第一无机封装层31、有机封装层32和第二无机封装层33。
第一无机封装层31和第二无机封装层33中的每个可以包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锌氧化物、硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物中的一种或多种无机材料。有机封装层32可以包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。在实施方式中，有机封装层32可以包括丙烯酸酯。有机封装层32可以通过固化单体或施加聚合物来形成。有机封装层32可以是透明的。
包括触摸电极的触摸电极层TEL可以定位或设置在薄膜封装层TFE上，并且光学功能层OFL可以定位或设置在触摸电极层TEL上。触摸电极层TEL可以根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。光学功能层OFL可以减小从外部入射在显示装置1上的光(外部光)的反射比，和/或可以提高由显示装置1发射的光的色纯度。
在实施方式中，光学功能层OFL可以包括相位延迟器和/或偏振器。相位延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。膜型的偏振器可以包括拉长的合成树脂薄膜，并且液晶涂覆型的偏振器可以包括以一定或预定定向布置的液晶。相位延迟器和偏振器可以包括保护膜。
在实施方式中，光学功能层OFL可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括可以定位或设置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，从而减小外部光的反射比。
触摸电极层TEL和光学功能层OFL之间可以设置有粘合构件。通用粘合剂中的任何一种可以用作粘合构件。粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。
盖窗CW可以定位或设置在显示面板DP上。盖窗CW可以通过粘合构件附着到显示面板DP。粘合构件可以是例如PSA。
盖窗CW可以具有高透射率以透射从显示面板DP发射的光，并且可以具有小的厚度以最小化显示装置1的重量。此外，盖窗CW可以具有高强度和硬度以保护显示面板DP免受外部冲击。盖窗CW可以包括例如玻璃或塑料。在实施方式中，盖窗CW可以包括可以通过化学强化或热强化来强化的超薄玻璃。
尽管显示装置1可以包括图2中作为发光元件的有机发光二极管OLED，但是本公开的显示装置1不限于此。在实施方式中，显示装置1可以是包括无机发光二极管的发光显示器(例如，无机发光显示器或无机电致发光(EL)显示器)。无机发光二极管可以包括PN结二极管，该PN结二极管包括基于无机半导体的材料。在正向方向上向PN结二极管施加电压的情况下，可以注入空穴和电子，并且可以将由于空穴和电子的复合而产生的能量转换为光能，以发射一定或预定颜色的光。无机发光二极管可以具有范围为几微米至几百微米的宽度，并且在实施方式中，无机发光二极管可以被称为微发光二极管(LED)。
图3A和图3B是示出根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。图3A是示出在显示装置展开的状态下显示面板和盖窗的示意性剖视图。图3B是在显示装置折叠的状态下显示面板和盖窗的示意性剖视图。
参考图3A，盖窗CW可以包括具有第一厚度t1的平坦部分PP和具有第二厚度t2的折叠部分FP。平坦部分PP的第一厚度t1和折叠部分FP的第二厚度t2可以彼此不同，并且例如，第二厚度t2可以小于第一厚度t1。在实施方式中，第一厚度t1可以在约70μm(微米)至约100μm的范围内，并且第二厚度t2可以在约20μm至约30μm的范围内。在实施方式中，第一厚度t1可以在约70μm至约100μm的范围内，并且第二厚度t2可以是第一厚度t1的约30％。可替代地，第二厚度t2可以在约20μm至约30μm的范围内，并且第一厚度t1可以是第二厚度t2的3倍或大于第二厚度t2的3倍。因为折叠部分FP可以具有比平坦部分PP的厚度小的厚度，所以折叠部分FP可以比平坦部分PP更容易弯曲。
折叠部分FP可以在一个方向或一方向上延伸，并且可以平行于折叠轴FAX(参见图1A)延伸。例如，折叠部分FP可以在y方向上延伸。平坦部分PP可以与折叠部分FP相邻，并且可以在与折叠部分FP可以延伸的方向垂直的x方向上定位或设置在折叠部分FP的两侧上。
平坦部分PP可以包括与显示面板DP面对的第一底表面PLS以及与第一底表面PLS相对的第一顶表面PUS。平坦部分PP的第一底表面PLS和第一顶表面PUS之间的距离可以限定第一厚度t1。类似地，折叠部分FP可以包括与显示面板DP面对的第二底表面FLS以及与第二底表面FLS相对的第二顶表面FUS。折叠部分FP的第二底表面FLS和第二顶表面FUS之间的距离可以限定第二厚度t2。
平坦部分PP的第一顶表面PUS和折叠部分FP的第二顶表面FUS可以在相同的平面上，并且可以是被用户观看到的表面。相反，平坦部分PP的第一底表面PLS和折叠部分FP的第二底表面FLS可以不在相同的平面上。第一底表面PLS可以接触显示面板DP的一个表面或一表面，并且第二底表面FLS可以与显示面板DP的一个表面或一表面以一定或预定间隔间隔开。因此，可以在显示面板DP和盖窗CW之间形成空间V。当在折叠部分FP延伸的方向上观看时，空间V的截面形状可以是大致的四边形形状(诸如，大致的矩形形状或大致的梯形形状)、具有大致的圆化拐角的大致的四边形形状或者诸如椭圆形的一部分或半圆形的形状。
空间V可以是由显示面板DP和盖窗CW密封的空间。为了防止从显示装置1发射的光或入射在显示装置1上的光被空间V折射或散射而被用户观看到，在实施方式中，空间V可以填充有与盖窗CW的折射率类似的折射率的材料。例如，丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺或聚乙烯可以填充在空间V中。在实施方式中，空间V的截面形状可以是具有大致的圆化拐角的大致的四边形形状或者诸如椭圆形的一部分或半圆形的形状，从而最小化因空间V引起的光的折射或散射，并且最小化用户对空间V的视觉识别。
参考图3B，显示装置1可以绕折叠轴FAX折叠，使得显示面板DP的一个表面或一表面的一部分可以面对该一个表面或一表面的另一部分。显示面板DP的一个表面或一表面可以是其上可以定位或设置像素以提供图像的表面。例如，显示装置1可以是内折叠型可折叠显示装置。
当显示面板DP折叠时，盖窗CW也可以绕折叠轴FAX折叠。在这种情况下，显示面板DP可以折叠成使得盖窗CW的平坦部分PP的第一顶表面PUS的部分可以彼此面对。盖窗CW的折叠部分FP可以拉长和/或收缩，使得盖窗CW可以完全折叠。这样，可以获得包括可以在显示面板DP折叠时而折叠的盖窗CW的显示装置1。
图4是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的操作的流程图。图5是示出根据实施方式的准备显示装置的盖窗的操作的流程图。
参考图4，为了制造根据实施方式的显示装置1，可以准备具有如参考图2描述的堆叠结构的显示面板DP(操作S10)，以及可以准备盖窗CW(操作S20)。接下来，可以将盖窗CW附着到显示面板DP(操作S30)。
参考图5，为了准备盖窗CW，可以准备具有第一厚度t1的构件(操作S21)。该构件可包括玻璃或塑料。为了便于解释，以下将假设构件可以包括玻璃来进行描述。
接下来，可以通过使用抛光工艺、热成形工艺或包括蚀刻工艺的光刻工艺将部件的一部分处理成第二厚度t2，并且因此可以形成折叠部分FP(操作S22)。例如，具有第一厚度t1的构件的一部分可以是平坦部分PP。
接下来，可以执行第一强化操作以提高构件的强度(操作S23)。在实施方式中，执行第一强化操作的操作S23可以使用利用离子交换的化学强化方法。例如，可以执行第一强化操作的操作S23可以是通过使用包括第一盐和第二盐的混合盐对构件执行离子交换的操作，其中第二盐可以不同于第一盐。为此，可以将构件浸没在含有包括第一盐和第二盐的混合盐的液体溶液中，并且构件中的离子可以与混合盐的离子中的至少一种进行交换。在实施方式中，第一强化操作(操作S23)可以在范围为约350℃至约460℃的温度下执行约30分钟至约6小时。在实施方式中，第一盐可以是硝酸钠(NaNO3)，第二盐可以是硝酸钾(KNO3)，并且第一盐和第二盐的摩尔比可以为约7:3。
接下来，为了进一步提高构件的强度并提高与构件中的压缩应力相关的特性，可以执行第二强化操作(操作S24)。在实施方式中，与第一强化操作(操作S23)类似，第二强化操作(操作S24)可以通过使用离子交换的化学强化方法来执行。然而，第二强化操作(操作S24)可以通过使用包括第一盐(例如，NaNO3)的单一盐对构件执行离子交换的操作来执行。可以将该构件浸没在含有包括第一盐的单一盐的液体溶液中，并且该构件中的离子可以与该单一盐的离子交换。在实施方式中，第二强化操作(操作S24)可以在范围为约350℃至约460℃的温度下执行约5分钟至约2小时。
根据实施方式，折叠部分FP可以在强化操作之前预先形成。作为比较示例，在通过于强化操作之后对构件的一部分进行处理而形成折叠部分的情况下，在强化操作中已经形成的强化特性可能在形成折叠部分的过程中退化，并且盖窗可能由于内应力而无意地弯曲。然而，因为可以预先形成折叠部分FP，并且然后可以执行强化操作，所以可以防止因内应力而引起的强化特性的退化和翘曲。
图6A至图6C是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的操作的示意性剖视图，并且可以对应于第一强化操作和/或第二强化操作。
参考图6A至图6C，在用于制造盖窗的构件M中，定位或设置在构件M的表面上或者与构件M的表面相邻的部分上的离子可以通过第一强化操作和/或第二强化操作被具有相同化合价的其它较大离子代替。例如，构件M可以包括碱金属的一价阳离子，诸如锂离子(Li+)、钠离子(Na+)、钾离子(K+)或铷离子(Rb+)，并且定位或设置在构件M的表面上或者与构件M的表面相邻的部分或区上的一价阳离子可以与具有更大半径的离子(诸如，钠离子(Na+)、钾离子(K+)、铷离子(Rb+)或铯离子(Cs+))交换。为了便于解释，以下将假设构件M可以包括钠离子(Na+)来进行描述。
参考图6A，构件M可以包括钠离子(Na+)，并且钠离子(Na+)可以分散在构件M中。
参考图6B，将构件M浸没在含有混合盐或包括硝酸钾(KNO3)的单一盐的溶液中，并且构件M可以暴露于钾离子(K+)。至少一些或预定数量的钾离子(K+)可以渗透到构件M中，并且至少一些或预定数量的钠离子(Na+)可以释放到构件M的外部，使得钾离子(K+)和钠离子(Na+)可以以一对一的方式交换。因为该溶液可以是液体溶液，所以该溶液可以被容易地提供给构件M的底表面LS和顶表面US二者，并且因此离子交换可以发生在构件M的底表面LS和顶表面US二者上。
参考图6C，因为交换的钾离子(K+)具有比钠离子(Na+)大的半径，所以构件M中可能发生压缩应力。随着交换的钾离子(K+)的数量增加，构件M中的压缩应力可能增大。因为可以通过构件M的底表面LS和顶表面US二者执行离子交换，所以底表面LS和顶表面US二者上的钾离子的数量(K+)可以是最大的，并且可以朝构件M的内部减小。因此，构件M中的压缩应力可以在底表面LS和顶表面US二者上是最大的，并且可以朝构件M的内部减小。因此，压缩应力可以向构件M提供抵抗外部冲击的强度和耐久性。
渗透穿过构件M的底表面LS和顶表面US二者的钾离子(K+)可以扩散到构件M的一定或预定深度。压缩应力可以在从底表面LS和顶表面US二者到一定或预定深度的部分处发生，而拉伸应力可以在构件M的可以比一定或预定深度深的中央部分中发生。例如，一定或预定深度处的压缩应力可以为约0。朝构件M的中央，拉伸应力可以增加或者可以是恒定的。存储在构件M的底表面LS和顶表面US二者中和附近的压缩应力可以与存储在构件M的中央部分中的拉伸应力平衡。由于存储在构件M中的压缩应力和拉伸应力，构件M可以具有高强度。
图7A和图7B是根据实施方式的显示装置的盖窗的平坦部分的应力分布。
图7A和图7B的应力分布各自示出了第一应力分布，第一应力分布是平坦部分PP从盖窗CW的平坦部分PP的表面沿着深度方向的应力变化，并且图7A的中间第一应力分布SP1可以是紧接在第一强化操作之后平坦部分PP的应力分布。
参考图7A，平坦部分PP的压缩应力可以根据深度变化。术语“深度”可以定义为从平坦部分PP的第一底表面PLS和第一顶表面PUS中的每个到平坦部分PP的内部的距离，并且术语“深度方向”可以定义为在+z方向上从平坦部分PP的第一底表面PLS到平坦部分PP的内部的方向以及在-z方向上从平坦部分PP的第一顶表面PUS到平坦部分PP的内部的方向。因此，该深度可以关于在±x方向上延伸并穿过平坦部分PP的第一厚度t1可以为约1/2的点处的中央线(未示出)对称。
表示图7A中的压缩应力的垂直轴的箭头方向可以是压缩应力可以增加的方向。压缩应力可以在平坦部分PP的第一底表面PLS和第一顶表面PUS中的每个上具有最大值，并且可以朝平坦部分PP的中央减小。在深度从平坦部分PP的第一底表面PLS和第一顶表面PUS达到一定或预定深度的情况下，压缩应力可以为约0，并且该一定或预定深度可以被称为第一压缩深度DOC1。例如，第一压缩深度DOC1可以是从第一顶表面PUS或第一底表面PLS到中性线NL与中间第一应力分布SP1可以彼此相交处的深度，其中，沿着中性线NL，压缩应力可以为约0。
压缩应力可以在大于第一压缩深度DOC1的深度处具有负(-)值，并且负压缩应力可以是拉伸应力。例如，平坦部分PP可以在第一压缩深度DOC1之前和之后具有不同的应力。拉伸应力可以是形成为与压缩应力对应的内应力。因为平坦部分PP形成与压缩应力对应的拉伸应力，所以可以最小化因压缩应力引起的变形，并且可以实现应力平衡。
平坦部分PP可以在约等于或大于第一压缩深度DOC1的深度处具有第一中央拉伸应力CT1。尽管拉伸应力可以在等于或大于图7A中的第一压缩深度DOC1的区间中具有恒定值，但这仅仅是示例，并且拉伸应力可以是可变的。在这种情况下，第一中央拉伸应力CT1可以定义为在约等于或大于第一压缩深度DOC1的区间中拉伸应力的平均值。
因为压缩应力和拉伸应力可以如上所述那样平衡，所以在从第一底表面PLS和第一顶表面PUS中的每个到第一压缩深度DOC1的区间中由中间第一应力分布SP1形成的面积A1和A2的总和可以与在约等于或大于第一压缩深度DOC1的区间中由中间第一应力分布SP1形成的面积A3基本上相同。
根据本公开的实施方式，通过第一强化操作获得的盖窗CW的平坦部分PP可以具有图7A的中间第一应力分布SP1。如上所述，中间第一应力分布SP1可以在平坦部分PP的第一底表面PLS和第一顶表面PUS上具有最大压缩应力，并且最大压缩应力可以被称为第一表面压缩应力CS1。第一表面压缩应力CS1可具有约等于或大于约300MPa的值。此外，根据实施方式，中间第一应力分布SP1的第一压缩深度DOC1可以具有约等于或大于平坦部分PP的第一厚度t1的约15％的值。在从第一底表面PLS和第一顶表面PUS中的每个到第一压缩深度DOC1的区间中，中间第一应力分布SP1的梯度的绝对值可以通过条件式1获得，并且可以是例如约等于或大于约6MPa/μm、约等于或大于约8MPa/μm、约等于或大于约13MPa/μm或者约等于或大于约20MPa/mm。
Figure BDA0003057605120000191
图7B的应力分布示出了在第二强化操作之后的最终第一应力分布SP1’。参考图7B，平坦部分PP的第一底表面PLS和第一顶表面PUS上和附近的压缩应力可以通过第二强化操作来增大。因此，可以获得比中间第一应力分布SP1(参见图7A)具有更提高的压缩应力特性的最终第一应力分布SP1’。因为可以在第二强化操作中执行使用单一盐的离子交换，所以最终第一应力分布SP1’可以具有表面压缩应力CS1’，表面压缩应力CS1’可以大于紧接在使用混合盐的第一强化操作之后的中间第一应力分布SP1的第一表面压缩应力CS1。在实施方式中，最终第一应力分布SP1’的表面压缩应力CS1’可以在约650MPa至约800MPa的范围内。表面压缩应力CS1’可以是平坦部分PP的最终表面压缩应力，其可以大于表面压缩应力CS2’，其中表面压缩应力CS2’可以是以下参考图8B描述的折叠部分FP的最终表面压缩应力。
此外，最终第一应力分布SP1’可以包括第一过渡点TP1，在第一过渡点TP1处，压缩应力分布的梯度可以通过第二强化操作快速改变。从平坦部分PP的第一底表面PLS和第一顶表面PUS中的每个到第一过渡点TP1的深度可以被称为第一过渡深度DOT1。第一过渡深度DOT1可以在平坦部分PP的第一底表面PLS和第一顶表面PUS中的每个与第一压缩深度DOC1之间。例如，第一过渡深度DOT1可以小于平坦部分PP的第一厚度t1的约10％。
最终第一应力分布SP1’可以包括从平坦部分PP的第一底表面PLS和第一顶表面PUS中的每个到第一过渡深度DOT1的第一区间S1以及从第一过渡深度DOT1到第一压缩深度DOC1的第二区间S2。例如，第一区间S1中最终第一应力分布SP1’的梯度的绝对值可以大于第二区间S2中最终第一应力分布SP1’的梯度的绝对值。第一区间S1中最终第一应力分布SP1’的绝对值可以满足条件式2，并且可以是例如大于约35MPa/μm、大于约50MPa/μm或大于约70MPa/μm。
Figure BDA0003057605120000201
当表面压缩应力CS1’通过第二强化操作改变时，在从第一底表面PLS和第一顶表面PUS中的每个到第一压缩深度DOC1的区间中由最终第一应力分布SP1’形成的面积A1’和A2’也可以改变。因为压缩应力和拉伸应力可以如上所述那样平衡，所以在约等于或大于第一压缩深度DOC1的区间中由最终第一应力分布SP1’形成的面积A3’可以改变为与面积A1’和A2’的总和基本上相同，并且因此第一中央拉伸应力CT1’也可以改变。
根据实施方式，盖窗CW(参见图3A)的平坦部分PP可以通过第一强化操作获得可以足够大的第一压缩深度DOC1，并且可以通过第二强化操作获得可以进一步增大的表面压缩应力CS1’。因此，可以确保平坦部分PP的耐久性的可靠性，并且可以提高抵抗外部冲击的表面强度。
图8A和图8B是根据实施方式的显示装置的盖窗的折叠部分的应力分布。
图8A和图8B的应力分布各自示出了第二应力分布，第二应力分布可以是折叠部分FP从盖窗CW的折叠部分FP的表面沿着深度方向的应力变化，并且图8A的中间第二应力分布SP2可以是在第一强化操作之后折叠部分FP的应力分布。
参考图8A，折叠部分FP的中间第二应力分布SP2可以具有与平坦部分PP的中间第一应力分布SP1(参见图7A)的分布不同的分布。应力分布可以根据盖窗CW的厚度以及离子交换的温度、时间和频率、是否执行热处理、单一盐的类型、混合盐的类型和摩尔比而变化，其中盖窗CW可以是经受离子交换的对象。根据实施方式，在第一强化操作中的离子交换的条件下，可以将平坦部分PP的第一厚度t1确定为目标。例如，因为折叠部分FP的第二厚度t2可以小于第一厚度t1，所以可以遍及整个第二厚度t2执行离子交换。因此，与平坦部分PP的中间第一应力分布SP1不同，折叠部分FP的中间第二应力分布SP2可以具有包括曲线的形状。
在折叠部分FP中，尽管离子交换可以遍及整个第二厚度t2发生，但是第二底表面FLS和第二顶表面FUS上的压缩应力可以是最大的，并且拉伸应力可以相应地在大于一定或预定深度的深度处发生。一定或预定深度可以被称为第二压缩深度DOC2，并且可以是压缩应力可以为约0处的深度。例如，第二压缩深度DOC2可以是从折叠部分FP的第二顶表面FUS或第二底表面FLS到中性线NL与中间第二应力分布SP2可以彼此相交处的点的深度。
折叠部分FP可以在大于第二压缩深度DOC2的深度处具有第二中央拉伸应力CT2。第二中央拉伸应力CT2可以被定义为在约等于或大于第二压缩深度DOC2的区间中拉伸应力的最大值。
因为压缩应力和拉伸应力可以是平衡的，所以在从第二顶表面FUS和第二底表面FLS中的每个到第二压缩深度DOC2的区间中由中间第二应力分布SP2形成的面积A1和A2的总和可以与在等于或大于第二压缩深度DOC2的区间中由中间第二应力分布SP2形成的面积A3基本上相同。
如上所述，通过第一强化操作获得的盖窗CW的折叠部分FP可以具有图8A的中间第二应力分布SP2。中间第二应力分布SP2可以在折叠部分FP的第二底表面FLS和第二顶表面FUS上具有最大压缩应力，并且该最大压缩应力可以被称为第二表面压缩应力CS2。第二表面压缩应力CS2可具有约等于或大于约150MPa的值。此外，根据实施方式，中间第二应力分布SP2的第二压缩深度DOC2可以具有范围为折叠部分FP的第二厚度t2的约20％至约25％的值。在从第二底表面FLS和第二顶表面FUS中的每个到第二压缩深度DOC2的区间中中间第二应力分布SP2的平均梯度的绝对值可以满足条件式3，并且可以为例如约等于或大于约20MPa/μm、约等于或大于约25MPa/μm、约等于或大于约30MPa/μm，或者约等于或大于约37.5MPa/mm。
Figure BDA0003057605120000221
图8B的应力分布示出了在第二强化操作之后的最终第二应力分布SP2’。参考图8B，折叠部分FP的第二底表面FLS和第二顶表面FUS上和附近的压缩应力可以通过第二强化操作增大，并且可以获得比中间第二应力分布SP2(参见图8A)具有更提高的压缩应力特性的最终第二应力分布SP2’。因为可以在第二强化操作中执行使用单一盐的离子交换，所以最终第二应力分布SP2’可以具有表面压缩应力CS2’，表面压缩应力CS2’可以大于紧接在使用混合盐的第一强化操作之后的中间第二应力分布SP2的第二表面压缩应力CS2。在实施方式中，最终第二应力分布SP2’的表面压缩应力CS2’可以在约400MPa至约700MPa的范围内。
此外，最终第二应力分布SP2’可以包括第二过渡点TP2，在第二过渡点TP2处，压缩应力分布的梯度可以通过第二强化操作快速改变。从折叠部分FP的第二底表面FLS和第二顶表面FUS中的每个到第二过渡点TP2的深度可以被称为第二过渡深度DOT2。第二过渡深度DOT2可以在折叠部分FP的第二底表面FLS和第二顶表面FUS中的每个与第二压缩深度DOC2之间。例如，第二过渡深度DOT2可以小于折叠部分FP的第二厚度t2的约20％。最终第二应力分布SP2’可以在约等于或大于第二过渡深度DOT2的区间中包括曲线的应力分布。
最终第二应力分布SP2’可以包括从折叠部分FP的第二底表面FLS和第二顶表面FUS中的每个到第二过渡深度DOT2的第三区间S3以及从第二过渡深度DOT2到第二压缩深度DOC2的第四区间S4。例如，在第三区间S3中最终第二应力分布SP2’的梯度的绝对值可以大于在第四区间S4中最终第二应力分布SP2’的平均梯度的绝对值。在第三区间S3中最终第二应力分布SP2’的梯度的绝对值可以满足条件式4，并且可以是例如大于约40MPa/μm、大于约62.5MPa/μm或者大于约137.5MPa/μm。
Figure BDA0003057605120000231
当表面压缩应力CS2’通过第二强化操作改变时，在从第二底表面FLS和第二顶表面FUS中的每个到第二压缩深度DOC2的区间中由最终第二应力分布SP2’形成的面积A1’和A2’也可以改变。因为压缩应力和拉伸应力可以如上所述那样平衡，所以在约等于或大于第二压缩深度DOC2的区间中由最终第二应力分布SP2’形成的面积A3’可以改变为与面积A1’和A2’的总和基本上相同，并且因此第二中央拉伸应力CT2’也可以改变。
根据本公开的实施方式，盖窗CW(参见图3A)的折叠部分FP可以通过第二强化操作获得足够高的表面压缩应力，并且可以提高抵抗外部冲击的表面强度。
上述应力分布可以通过使用FSM-6000LE(其是Orihara的表面应力计)非破坏性地测量，或者可以通过使用HKL-10-HPAS(其是自动应变观测器)测量。
作为比较示例，在使用单一盐或混合盐的强化操作仅执行一次的情况下，平坦部分和折叠部分之间的表面压缩应力的偏差可能增加，平坦部分可能无法具有足够的压缩深度，或者折叠部分可能无法具有足够的表面压缩应力。然而，根据实施方式，可以通过两个强化操作来确保盖窗CW的平坦部分PP和折叠部分FP中的每个的高表面压缩应力，并且还可以减小平坦部分PP和折叠部分FP之间的表面压缩应力的偏差。另外，因为平坦部分PP可以具有足够的压缩深度，所以可以确保耐久性的可靠性。因此，可以获得包括盖窗CW的显示装置1，其中盖窗CW具有足够高的强度和耐久性而不容易被外部冲击损坏。
根据一个或多个实施方式，可以提供包括盖窗的显示装置以及制造该显示装置的方法，其中盖窗可以是可折叠的并且具有提高的抵抗冲击的耐久性和强度。通过示例的方式，可以提供因平坦部分和折叠部分的提高的压缩应力特性导致的具有足够高的强度和耐久性而不容易被损坏的显示装置以及制造该显示装置的方法。然而，本公开的范围不受该效果限制。
应理解，本文中描述的实施方式应仅仅以描述性意义进行解释，而不是出于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应被解释为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域的普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求书限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.显示装置，包括：
显示面板，包括像素；以及
盖窗，设置在所述显示面板上，
其中，所述盖窗包括：
平坦部分，具有第一厚度；以及
折叠部分，具有小于所述平坦部分的所述第一厚度的第二厚度，所述折叠部分与所述平坦部分相邻，以及
所述盖窗的所述平坦部分的第一应力分布不同于所述盖窗的所述折叠部分的第二应力分布，所述第一应力分布是从所述盖窗的所述平坦部分的表面沿着深度方向的应力变化，所述第二应力分布是从所述盖窗的所述折叠部分的表面沿着所述深度方向的应力变化。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述盖窗的所述折叠部分的所述第二厚度在20μm至30μm的范围内。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述盖窗的所述平坦部分的所述表面上的表面压缩应力大于所述盖窗的所述折叠部分的所述表面上的表面压缩应力。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述盖窗的所述平坦部分的所述表面上的表面压缩应力在650MPa至800MPa的范围内。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述盖窗的所述平坦部分的所述第一应力分布在第一区间中的梯度的绝对值大于在与所述第一区间相邻的第二区间中的梯度的绝对值，
所述第一区间是从所述盖窗的所述平坦部分的所述表面到第一过渡深度的区间，以及
所述第二区间是从所述第一过渡深度到第一压缩深度的区间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一压缩深度处的压缩应力为0，其中，所述第一压缩深度等于或大于所述盖窗的所述平坦部分的所述第一厚度的15％，其中，所述第一过渡深度小于所述盖窗的所述平坦部分的所述第一厚度的10％，其中，在所述第一区间中的所述梯度的所述绝对值大于35MPa/μm。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述盖窗的所述折叠部分的所述表面上的表面压缩应力在400MPa至700MPa的范围内。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述盖窗的所述折叠部分的所述第二应力分布在第三区间中的梯度的绝对值大于在与所述第三区间相邻的第四区间中的梯度的绝对值，
所述第三区间是从所述盖窗的所述折叠部分的所述表面到第二过渡深度的区间，以及
所述第四区间是从所述第二过渡深度到第二压缩深度的区间。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述盖窗的所述折叠部分的所述第二应力分布在等于或大于所述盖窗的所述折叠部分的所述第二过渡深度的区间中包括曲线。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二压缩深度处的压缩应力为0，其中，所述第二压缩深度在所述盖窗的所述折叠部分的所述第二厚度的20％至25％的范围内，其中，所述第二过渡深度小于所述盖窗的所述折叠部分的所述第二厚度的20％，其中，在所述第三区间中的所述梯度的所述绝对值大于40MPa/μm。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120052271A1 (en) 2010-08-26 2012-03-01 Sinue Gomez Two-step method for strengthening glass
KR101958802B1 (ko) 2012-07-26 2019-03-18 삼성디스플레이 주식회사 접이식 표시 장치
US9517968B2 (en) * 2014-02-24 2016-12-13 Corning Incorporated Strengthened glass with deep depth of compression
KR102360009B1 (ko) 2015-05-04 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 유리 기판, 유리 기판의 제조 방법, 및 유리 기판을 포함하는 표시 장치
JP7477296B2 (ja) 2017-02-27 2024-05-01 ショット グラス テクノロジーズ （スゾウ） カンパニー リミテッド 化学強化後に低膨張を示すリチウム含有アルミノケイ酸ガラス
KR20230095128A (ko) * 2017-04-06 2023-06-28 에이지씨 가부시키가이샤 화학 강화 유리
KR102657561B1 (ko) 2018-09-03 2024-04-16 삼성디스플레이 주식회사 유리 기판 및 유리 기판의 제조 방법
KR20200049463A (ko) 2018-10-26 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109523923A (zh) * 2018-12-20 2019-03-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可弯折盖板及柔性显示装置
KR102069040B1 (ko) 2019-04-15 2020-01-22 (주)유티아이 플렉시블 커버 윈도우의 제조방법 및 이에 의해 제조된 플렉시블 커버 윈도우
US20210179482A1 (en) * 2019-12-13 2021-06-17 Corning Incorporated Low-modulus ion-exchangeable glasses

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