CN113871054A - 一种柔性透明导电薄膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种柔性透明导电薄膜及其制备方法，属于光电子学技术领域。本发明提供的柔性透明导电薄膜由聚酰亚胺(PI)和银纳米线(AgNWs)构成，是将AgNWs嵌入PI，并通过自组装层五氟苯硫酚(PFT)对其进行修饰，从而得到高电导率，高透射率，高附着力，表面功函数匹配的柔性透明导电薄膜。本发明制备的柔性透明导电薄膜，经测试薄膜的粗糙度、方块电阻和透光率，结果表明，该方法制备的柔性透明导电薄膜的方阻在20欧姆以下，光透过率(在550纳米处)达到75％以上。将其应用于聚合物薄膜太阳能电池中，取得了与ITO作为电极的器件相当的能量转换效率。

Description

一种柔性透明导电薄膜及其制备方法
技术领域
本发明属于光电子学技术领域，具体涉及一种柔性透明导电薄膜及其制备方法。
背景技术
随着柔性电子学的发展，对于柔性电极的要求越来越高，尤其在柔性光伏领域，电导率高、光透射率高的柔性电极是实现高性能柔性光伏电池的重要基础。而目前广泛应用的透明电极如铟锡氧化物(ITO)电极，由于自身易脆性，铟成本高等缺点，已经不适合于柔性器件的制备。因此，需要寻找一种可以替代ITO的，成本低廉，电导率和透射率可以与ITO相媲美的柔性导电材料作为电极，替代材料目前常见的有：金属纳米线，碳纳米管，石墨烯，金属格栅等。其中，银纳米线(AgNWs)由于成本相对较低，具有较好的挠曲性和高电导率等优点受到广泛关注。但是，AgNWs制备的导电薄膜存在表面粗糙度较大，与衬底附着力差，表面功函数与活性层不匹配等缺点。
发明内容
本发明要解决现有技术中的技术问题，提供一种柔性透明导电薄膜及其制备方法，该导电薄膜由聚酰亚胺(PI)和银纳米线(AgNWs)构成。本发明将AgNWs嵌入PI，并通过自组装层五氟苯硫酚(PFT)对其进行修饰，从而得到高电导率，高透射率，高附着力，表面功函数匹配的柔性透明导电薄膜。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案具体如下：
本发明提供一种柔性透明导电薄膜，其是由聚酰亚胺(PI)和银纳米线(AgNWs)构成的导电薄膜，所述导电薄膜上修饰有自组装层五氟苯硫酚(PFT)。
在上述技术方案中，所述导电薄膜为嵌入了AgNWs的柔性透明导电PI薄膜，其厚度为30微米。
本发明还提供一种柔性透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)将玻璃衬底清洗干净并烘干；
(2)将上述衬底置于涂膜机的托架上，在其上沉积一层水溶性聚合物薄膜；
(3)将步骤(2)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮涂方法将AgNWs沉积在水溶性聚合物薄膜上；
(4)将步骤(3)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮涂方法将PI前驱体溶液涂在AgNWs薄膜上；
(5)将步骤(4)所制备好的加工件转移到热台上，加热，使PI前驱体溶液发生酰胺化反应，形成PI薄膜；
(6)将步骤(5)所制备好的加工件转移到纯水中，待水溶性聚合物薄膜溶解后，将PI薄膜从衬底上撕脱，得到嵌入了AgNWs的柔性透明导电PI薄膜；
(7)将步骤(6)所制备好的PI薄膜浸泡在PFT乙醇溶液中，通过控制浸泡时间，得到不同表面功函数的柔性透明导电薄膜。
在上述技术方案中，步骤(2)中所述的水溶性聚合物薄膜为PEDOT:PSS(聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸盐))薄膜。
在上述技术方案中，步骤(2)中所述的水溶性聚合物薄膜的厚度为50纳米。
在上述技术方案中，步骤(3)中涂在水溶性聚合物薄膜上的AgNWs薄膜的厚度为60纳米。
在上述技术方案中，步骤(5)中加热的条件为180℃加热30分钟。
在上述技术方案中，步骤(6)中嵌入了AgNWs的柔性透明导电PI薄膜的厚度为30微米。
在上述技术方案中，步骤(7)中是将PI薄膜浸泡在1％浓度的PFT乙醇溶液中，浸泡时间为180-360s；
在上述技术方案中，进一步优选的是，浸泡时间为180s。
本发明的有益效果是：
本发明提供的柔性透明导电薄膜由聚酰亚胺(PI)和银纳米线(AgNWs)构成，是将AgNWs嵌入PI，并通过自组装层五氟苯硫酚(PFT)对其进行修饰，从而得到高电导率，高透射率，高附着力，表面功函数匹配的柔性透明导电薄膜。
本发明制备的柔性透明导电薄膜，经测试薄膜的粗糙度、方块电阻和透光率，结果表明，该方法制备的柔性透明导电薄膜的方阻在20欧姆以下，光透过率(在550纳米处)达到75％以上。将其应用于聚合物薄膜太阳能电池中，取得了与ITO作为电极的器件相当的能量转换效率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明所使用的器件结构示意图；
图2为本发明所制备的聚合物太阳能电池的电流-电压特性曲线图，其中：
曲线1是实施例6在强度为100毫瓦/平方厘米的AM 1.5G模拟太阳光下测试的电流-电压特性曲线；
曲线2是实施例7在强度为100毫瓦/平方厘米的AM 1.5G模拟太阳光下测试的电流-电压特性曲线；
曲线3是实施例8在强度为100毫瓦/平方厘米的AM 1.5G模拟太阳光下测试的电流-电压特性曲线；
曲线4是实施例9在强度为100毫瓦/平方厘米的AM 1.5G模拟太阳光下测试的电流-电压特性曲线；
曲线5是对比例1在强度为100毫瓦/平方厘米的AM 1.5G模拟太阳光下测试的电流-电压特性曲线。
具体实施方式
本发明提供一种柔性透明导电薄膜，其是由聚酰亚胺(PI)和银纳米线(AgNWs)构成的导电薄膜，所述导电薄膜上修饰有自组装层五氟苯硫酚(PFT)。优选的是：所述导电薄膜为嵌入了AgNWs的柔性透明导电PI薄膜，其厚度为30微米。
本发明还提供一种柔性透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)将玻璃衬底清洗干净并烘干；
(2)将上述衬底置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将PEDOT:PSS水溶液均匀涂布在衬底上，水分挥发后得到均匀沉积了一层PEDOT:PSS薄膜的衬底；所述PEDOT:PSS薄膜的厚度优选为50纳米；
(3)将步骤(2)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将AgNWs溶液均匀的涂布在PEDOT:PSS薄膜上，溶剂挥发后，得到均匀的AgNWs薄膜，其厚度优选为60纳米；
(4)将步骤(3)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将PI前驱体溶液均匀的涂在AgNWs薄膜上；
(5)将步骤(4)所制备好的加工件转移到热台上，经过180℃加热30分钟，使PI前驱体溶液发生酰胺化反应，形成PI薄膜；
(6)将步骤(5)所制备好的加工件转移到纯水中，待PEDOT:PSS薄膜溶解后，将PI薄膜从衬底上撕脱，得到嵌入了AgNWs的柔性透明导电PI薄膜，其厚度优选为30微米。
(7)将步骤(6)所制备好PI薄膜浸泡在1％浓度的PFT乙醇溶液中，通过控制浸泡时间180至360秒钟，得到不同表面功函数的柔性透明导电薄膜。
将本发明所制备的柔性透明导电薄膜应用于聚合物薄膜太阳能电池中，下面将以PM6(聚[(2,6-(4,8-双(5-(2-乙基己基-3-氟)噻吩-2-基)-苯并[1,2-B:4,5-B']二噻吩])-ALT-(5,5-(1',3'-二-2-噻吩-5',7'-双(2-乙基己基)苯并[1',2'-C:4',5'-C']二噻吩-4,8-二酮))和Y6(12,13-二(2-乙基己基)-3,9-双十一基-12,13-二氢-[1,2,5]噻二唑并[3,4-E]噻吩并[2″,3″:4',5']噻吩并[2',3':4,5]吡咯并[3,2-G]噻吩并[2',3':4,5]噻吩并[3,2-B]吲哚-2,10-二(5,6-二氟-3-(二氰基亚甲基)茚-1-酮))体系为例做出具体说明。值得注意的是，本发明所制备的柔性透明导电薄膜可以适用于所有体系的聚合物薄膜太阳能电池，我们仅以PM6:Y6体系作为举例说明，而并非对本发明应用范围的限制。
具体的聚合物薄膜太阳能电池制备过程如下：
(1)配制共轭聚合物和富勒烯衍生物的混合溶液。在惰性气氛手套箱中，将4毫克的PM6与4.8毫克的Y6溶解于0.5毫升的氯仿中，在50摄氏度条件下，磁力搅拌1个小时，得到混合溶液。
(2)将柔性透明导电薄膜置于涂膜机的托架上，将搅拌好的PM6:Y6混合溶液通过刮刀涂布法制备出厚度为110纳米的光敏层；
(3)将涂有光敏层的加工件放入真空镀膜机中，抽真空，当真空度达4×10-4帕斯卡时，蒸发1纳米厚的氟化锂作为阴极界面层和80纳米厚的铝作为阴极层；
最终得到的聚合物薄膜太阳能电池，其器件结构为：PI/AgNWs(PFT)//PM6:Y6/LiF/Al。该电池的有效面积为8平方毫米。
测试其在100毫瓦/平方厘米的AM 1.5G模拟太阳光照射下的电流-电压特性曲线，如图2所示，其性能参数如表1所示。
为了进一步说明本发明的技术方案，下面结合实施例对本发明进行具体描述，但是需要注意的是，这些实施例仅用于进一步举例说明本发明的特征和优点，而并非对本发明的范围做出的限制。
实施例1
一种高导电率的柔性透明导电薄膜的制备：
(1)将玻璃衬底清洗干净并烘干；
(2)将上述衬底置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将PEDOT:PSS水溶液均匀涂布在衬底上，在水分挥发后得到均匀沉积了一层PEDOT:PSS薄膜的衬底，其中PEDOT:PSS薄膜厚度50纳米；
(3)将步骤(2)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将AgNWs溶液均匀的涂布在PEDOT:PSS薄膜上，溶剂挥发后，得到均匀的AgNWs薄膜，AgNWs薄膜厚度为60纳米；
(4)将步骤(3)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将PI前驱体溶液均匀的涂在AgNWs薄膜上；
(5)将步骤(4)所制备好的加工件转移到热台上，经过180℃加热30分钟，使PI前驱体溶液发生酰胺化反应，形成PI薄膜；
(6)将步骤(5)所制备好的加工件转移到纯水中，待PEDOT:PSS薄膜溶解后，将PI薄膜从衬底上撕脱，得到嵌入了AgNWs的柔性透明导电PI薄膜，薄膜的厚度为30微米。
(7)将步骤(6)所制备好PI薄膜浸泡在1％浓度的PFT乙醇溶液中，通过控制浸泡时间180秒钟。
测试其方块电阻为20欧姆/方块，在550纳米处的光透射率为77％。
实施例2
一种高导电率的柔性透明导电薄膜的制备：
(1)将玻璃衬底清洗干净并烘干；
(2)将上述衬底置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将PEDOT:PSS水溶液均匀涂布在衬底上，在水分挥发后得到均匀沉积了一层PEDOT:PSS薄膜的衬底，其中PEDOT:PSS薄膜厚度50纳米；
(3)将步骤(2)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将AgNWs溶液均匀的涂布在PEDOT:PSS薄膜上，溶剂挥发后，得到均匀的AgNWs薄膜，AgNWs薄膜厚度为60纳米；
(4)将步骤(3)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将PI前驱体溶液均匀的涂在AgNWs薄膜上；
(5)将步骤(4)所制备好的加工件转移到热台上，经过180℃加热30分钟，使PI前驱体溶液发生酰胺化反应，形成PI薄膜；
(6)将步骤(5)所制备好的加工件转移到纯水中，待PEDOT:PSS薄膜溶解后，将PI薄膜从衬底上撕脱，得到嵌入了AgNWs的柔性透明导电PI薄膜，薄膜的厚度为30微米。
(7)将步骤(6)所制备好PI薄膜浸泡在1％浓度的PFT乙醇溶液中，通过控制浸泡时间360秒钟。
实施例3
一种高导电率的柔性透明导电薄膜的制备：
(1)将玻璃衬底清洗干净并烘干；
(2)将上述衬底置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将PEDOT:PSS水溶液均匀涂布在衬底上，在水分挥发后得到均匀沉积了一层PEDOT:PSS薄膜的衬底，其中PEDOT:PSS薄膜厚度50纳米；
(3)将步骤(2)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将AgNWs溶液均匀的涂布在PEDOT:PSS薄膜上，溶剂挥发后，得到均匀的AgNWs薄膜，AgNWs薄膜厚度为60纳米；
(4)将步骤(3)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将PI前驱体溶液均匀的涂在AgNWs薄膜上；
(5)将步骤(4)所制备好的加工件转移到热台上，经过180℃加热30分钟，使PI前驱体溶液发生酰胺化反应，形成PI薄膜；
(6)将步骤(5)所制备好的加工件转移到纯水中，待PEDOT:PSS薄膜溶解后，将PI薄膜从衬底上撕脱，得到嵌入了AgNWs的柔性透明导电PI薄膜，薄膜的厚度为30微米。
(7)将步骤(6)所制备好PI薄膜浸泡在1％浓度的PFT乙醇溶液中，通过控制浸泡时间60秒钟。
实施例4
一种高导电率的柔性透明导电薄膜的制备：
(1)将玻璃衬底清洗干净并烘干；
(2)将上述衬底置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将PEDOT:PSS水溶液均匀涂布在衬底上，在水分挥发后得到均匀沉积了一层PEDOT:PSS薄膜的衬底，其中PEDOT:PSS薄膜厚度50纳米；
(3)将步骤(2)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将AgNWs溶液均匀的涂布在PEDOT:PSS薄膜上，溶剂挥发后，得到均匀的AgNWs薄膜，AgNWs薄膜厚度为60纳米；
(4)将步骤(3)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将PI前驱体溶液均匀的涂在AgNWs薄膜上；
(5)将步骤(4)所制备好的加工件转移到热台上，经过180℃加热30分钟，使PI前驱体溶液发生酰胺化反应，形成PI薄膜；
(6)将步骤(5)所制备好的加工件转移到纯水中，待PEDOT:PSS薄膜溶解后，将PI薄膜从衬底上撕脱，得到嵌入了AgNWs的柔性透明导电PI薄膜，薄膜的厚度为30微米。
实施例5
(1)将玻璃衬底清洗干净并烘干；
(2)将上述衬底置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将AgNWs溶液均匀的涂布在衬底上，溶剂挥发后，得到均匀的AgNWs薄膜，AgNWs薄膜厚度为60纳米；
(3)将步骤(2)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将PI前驱体溶液均匀的涂在AgNWs薄膜上；
(4)将步骤(3)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将PI前驱体溶液均匀的涂在AgNWs薄膜上；
(5)将步骤(4)所制备好的加工件转移到热台上，经过180℃加热30分钟，使PI前驱体溶液发生酰胺化反应，形成PI薄膜；
(6)尝试将PI薄膜从衬底上撕脱，但由于无缓冲层，PI与衬底紧密粘接，导致薄膜在撕脱过程中发生破裂，无法取得完整薄膜。
实施例6
一种聚合物薄膜太阳能电池的制备(使用实施例1中所制备的柔性透明导电薄膜作为电极)：
(1)配制共轭聚合物和富勒烯衍生物的混合溶液。在惰性气氛手套箱中，将4毫克的PM6与4.8毫克的Y6溶解于0.5毫升的氯仿中，在50摄氏度条件下，磁力搅拌1个小时，得到混合溶液。
(2)将实施例1中制备的柔性透明导电薄膜置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将搅拌好的PM6:Y6混合溶液均匀涂布在上面，干燥后得到厚度为110纳米的光敏层；
(3)将涂有光敏层的加工件放入真空镀膜机中，抽真空，当真空度达4×10-4帕斯卡时，蒸发1纳米厚的氟化锂作为阴极界面层和80纳米厚的铝作为阴极层；
最终得到的聚合物薄膜太阳能电池，其器件结构为：PI/AgNWs(PFT)/PM6:Y6(110纳米)/LiF(1纳米)/Al(80纳米)。该电池的有效面积为8平方毫米。
测试其在100毫瓦/平方厘米的AM 1.5G模拟太阳光照射下的电流-电压特性曲线，如图2中曲线1所示，其性能参数如表1所示。
实施例7
聚合物薄膜太阳能电池的制备方法同实施例6，所不同的仅在于该实施例中使用实施例2所制备的柔性透明导电薄膜作为电极；最终得到的聚合物薄膜太阳能电池，其器件结构为：PI/AgNWs(PFT)/PM6:Y6(110纳米)/LiF(1纳米)/Al(80纳米)。该电池的有效面积为8平方毫米。
测试其在100毫瓦/平方厘米的AM 1.5G模拟太阳光照射下的电流-电压特性曲线，如图2中曲线2所示，其性能参数如表1所示。
实施例8
聚合物薄膜太阳能电池的制备方法同实施例6，所不同的仅在于该实施例中使用实施例3所制备的柔性透明导电薄膜作为电极；最终得到的聚合物薄膜太阳能电池，其器件结构为：PI/AgNWs(PFT)/PM6:Y6(110纳米)/LiF(1纳米)/Al(80纳米)。该电池的有效面积为8平方毫米。
测试其在100毫瓦/平方厘米的AM 1.5G模拟太阳光照射下的电流-电压特性曲线，如图2中曲线3所示，其性能参数如表1所示。
实施例9
聚合物薄膜太阳能电池的制备方法同实施例6，所不同的仅在于该实施例中使用实施例4所制备的柔性透明导电薄膜作为电极；最终得到的聚合物薄膜太阳能电池，其器件结构为：PI/AgNWs/PM6:Y6(110纳米)/LiF(1纳米)/Al(80纳米)。该电池的有效面积为8平方毫米。
测试其在100毫瓦/平方厘米的AM 1.5G模拟太阳光照射下的电流-电压特性曲线，如图2中曲线4所示，其性能参数如表1所示。
对比例1
一种聚合物薄膜太阳能电池的制备(使用氧化锌修饰的ITO作为电极)：
(1)配制共轭聚合物和富勒烯衍生物的混合溶液。在惰性气氛手套箱中，将4毫克的PM6与4.8毫克的Y6溶解于0.5毫升的氯仿中，在50摄氏度条件下，磁力搅拌1个小时，得到混合溶液。
(2)将覆在玻璃衬底上的ITO刻蚀成细条状，清洗干净后，放入烘箱，120摄氏度烘干；
(3)将上述的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将PEDOT:PSS溶液均匀的涂布在该加工件上，干燥后得30纳米厚的PEDOT:PSS薄膜；
(4)将上述的加工件放置在涂膜机的托架上，通过刮刀涂布法将搅拌好的PM6:Y6混合溶液均匀涂布在上面，干燥后得到厚度为110纳米的光敏层；
(5)将涂有光敏层的加工件放入真空镀膜机中，抽真空，当真空度达4×10-4帕斯卡时，蒸发1纳米厚的氟化锂作为阴极界面层和80纳米厚的铝作为阴极层；
最终得到的聚合物薄膜太阳能电池，其器件结构为：ITO/PEDOT:PSS/PM6:Y6(70纳米)/LiF(1纳米)/Al(80纳米)。该电池的有效面积为8平方毫米。
测试其在100毫瓦/平方厘米的AM 1.5G模拟太阳光照射下的电流-电压特性曲线，如图2中曲线5所示，其性能参数如表1所示。
表1：在强度为100毫瓦/平方厘米的AM 1.5G模拟太阳光照射下，实施例6、7、8、9和对比例1的器件性能参数对比，包括：开路电压、短路电流、填充因子和能量转换效率。
Figure BDA0003282055910000121
从上述实施例的结果可以看出，本发明制备的柔性透明导电薄膜具有优良的电导率和透光率，可以满足有机光电器件对电极材料的要求。将本发明所制备的柔性透明导电薄膜应用于聚合物太阳能电池中，该器件表现出与ITO器件相当的光伏性能。
因此，本发明所制备的柔性透明导电薄膜完全可以取代ITO，作为电极材料在有机光电领域得到进一步的广泛应用。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种柔性透明导电薄膜，其特征在于，其是由聚酰亚胺(PI)和银纳米线(AgNWs)构成的导电薄膜，所述导电薄膜上修饰有自组装层五氟苯硫酚(PFT)。
2.根据权利要求1所述的柔性透明导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜为嵌入了银纳米线的柔性透明导电聚酰亚胺薄膜，其厚度为30微米。
3.一种权利要求1所述的柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将玻璃衬底清洗干净并烘干；
(2)将上述衬底置于涂膜机的托架上，在其上沉积一层水溶性聚合物薄膜；
(3)将步骤(2)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮涂方法将AgNWs沉积在水溶性聚合物薄膜上；
(4)将步骤(3)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，通过刮涂方法将PI前驱体溶液涂在AgNWs薄膜上；
(5)将步骤(4)所制备好的加工件转移到热台上，加热，使PI前驱体溶液发生酰胺化反应，形成PI薄膜；
(6)将步骤(5)所制备好的加工件转移到纯水中，待水溶性聚合物薄膜溶解后，将PI薄膜从衬底上撕脱，得到嵌入了AgNWs的柔性透明导电PI薄膜；
(7)将步骤(6)所制备好的PI薄膜浸泡在PFT乙醇溶液中，通过控制浸泡时间，得到不同表面功函数的柔性透明导电薄膜。
4.根据权利要求3所述的柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的水溶性聚合物薄膜为(聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸盐))薄膜。
5.根据权利要求3所述的柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的水溶性聚合物薄膜的厚度为50纳米。
6.根据权利要求3所述的柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中涂在水溶性聚合物薄膜上的AgNWs薄膜的厚度为60纳米。
7.根据权利要求3所述的柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(5)中加热的条件为180℃加热30分钟。
8.根据权利要求3所述的柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(6)中嵌入了AgNWs的柔性透明导电PI薄膜的厚度为30微米。
9.根据权利要求3所述的柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(7)中是将PI薄膜浸泡在1％浓度的PFT乙醇溶液中，浸泡时间为180-360s。
10.根据权利要求9所述的柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，浸泡时间为180s。
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