CN113838918A - 具有载流子浓度增强的超结igbt器件结构及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构及制作方法，本发明在沟槽栅右侧、P柱上方引入P型浮空区结构，改变了传统超结IGBT中P柱、P型基区和发射极之间的位置关系，阻止了P柱与P型基区及发射极的直接连接，消除了在高柱区浓度下P柱及P型基区对空穴的抽取作用，在不同N、P柱区掺杂浓度下，漂移区内均发生较强的电导调制效应，器件均工作在双极导电模式下，消除了柱区掺杂浓度对正向导通压降的影响。同时P型浮空区的引入减小了器件的的台面宽度，进而提高了发射极一侧的载流子浓度，降低了导通压降。
Description
技术领域
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有载流子浓度增强的超结绝缘栅双极型晶体管。
背景技术
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结合了场效应晶体管(MOSFET)和双极结晶型晶体管(BJT)的优点，发展为现代电力电子电路中的核心电子元器件之一。IGBT既具有MOSFET易于驱动、输入阻抗低、开关速度快的优点，又具有BJT通态电流密度大、导通压降低、损耗小、稳定性好的优点。IGBT因其出色性能，广泛应用于交通、通信、家用电器及航空航天各个领域，极大地改善了电力电子系统的性能。
IGBT利用低掺杂浓度的漂移区来实现高耐压，然而击穿电压和导通电阻之间存在一定比例关系的限制，即“硅极限”。为了打破“硅极限”，人们提出了超结理论：在漂移区中引入交替排列的N、P柱，利用N、P柱的横向耗尽来改善电场分布，从而获得更高的耐压。超结器件凭借其高耐压、低导通电阻的性能，广泛应用于肖特基二极管、MOSFET以及IGBT中。相比传统的硅基IGBT器件，超结IGBT在相同的漂移区长度下具备更高的耐压，当器件关断时，N、P柱间PN结的耗尽会加速载流子的抽取，进而降低关断损耗。然而在导通时，空穴很容易被高掺杂浓度的P柱收集，进而直接从P型基区流出发射极，造成较高的导通压降。
发明内容
为了改善传统超结IGBT在不同N、P柱区掺杂浓度下正向导通时导电机制在双极-单极之间转换且在中等掺杂浓度下导通压降较大的问题，本发明提出一种具有载流子浓度增强的超结IGBT结构如图2所示，本发明在沟槽栅右侧、P柱上方引入P型浮空区结构，改变了传统超结IGBT中P柱、P型基区和发射极之间的位置关系，阻止了P柱与P型基区及发射极的直接连接，消除了在高柱区浓度下P柱及P型基区对空穴的抽取作用，在不同N、P柱区掺杂浓度下，漂移区内均发生较强的电导调制效应，器件均工作在双极导电模式下，消除了柱区掺杂浓度对正向导通压降的影响。同时P型浮空区的引入减小了器件的的台面宽度，进而提高了发射极一侧的载流子浓度，降低了导通压降。
为实现上述发明目的，本发明技术方案如下：
一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，包括：从下至上依次层叠设置的集电极金属1、P型集电区2、N型场阻止层3，N型场阻止层3上方设有超结N柱5、和超结N柱5接触的超结P柱4，位于超结N柱5上方的第一沟槽结构，所述第一沟槽结构包括栅介质层6、栅介质层6内部的栅电极7；
超结P柱4上方具有P型浮空区13，所述超结N柱5上部具有P型基区8；P型基区8位于沟槽结构左侧，P型浮空区13位于沟槽结构右侧，所述P型基区8上部具有N+发射区9与P+接触区10；所述栅介质层6、栅电极7和P型浮空区13上方具有栅隔离介质层11；所述栅隔离介质层11上部、N+发射区9上部、P+接触区10上部具有发射极金属12；所述栅电极7通过栅介质层6与超结N柱5、P型基区8、N+发射区9相连；所述栅电极7的深度大于P型基区8的结深；所述P型浮空区13的深度与P型基区8的深度相等；所述P型浮空区13的掺杂浓度与P型基区8的掺杂浓度相等；所述P型浮空区13的宽度大于超结P柱4的宽度。
作为优选方式，P型浮空区13的深度超过第一沟槽结构的深度。
作为优选方式，在P型基区8下方的超结N柱5内引入N型电荷存储层17，所述N型电荷存储层17的结深小于第一沟槽结构的深度，所述N型电荷存储层17的浓度超过超结N柱的浓度。
作为优选方式，在超结N柱5、超结P柱4两者与N型场阻止层3之间引入N-漂移区14，所述N-漂移区14的掺杂浓度低于超结N柱5的掺杂浓度。
作为优选方式，包括分离栅结构，所述分离栅结构位于栅电极7下方，包括分离栅介质层15、分离栅介质层15内的分离栅电极16；分离栅电极16上方具有栅介质层6、栅介质层6上方具有栅电极7；所述分离栅电极16与发射极金属12等电位。
作为优选方式，在P型基区8下方的超结N柱5内引入N型电荷存储层17；所述N型电荷存储层17的结深小于第一沟槽结构的深度，所述N型电荷存储层17的掺杂浓度大于超结N柱的掺杂浓度。
作为优选方式，在超结P柱4上方的P型浮空区13中引入第二沟槽结构，所述第二沟槽结构位于第一沟槽栅结构右侧，包括分离栅介质层21、分离栅介质层21内的分离栅电极20；第二沟槽结构右侧超结P柱4的上方设有P型浮空区19，P型浮空区19上方有P+接触区18，所述第二沟槽结构及P+接触区18上方具有发射极金属12，所述分离栅电极20与发射极金属12等电位。
作为优选方式，超结P柱4上方的P型浮空区13中引入第二沟槽结构，所述第二沟槽结构位于第一沟槽栅结构右侧，包括分离栅介质层21、分离栅介质层21内的分离栅电极20；第二沟槽结构右侧超结P柱4的上方设有P型浮空区19，P型浮空区19上方有P+接触区18，所述分离栅电极20与栅电极7等电位，第二沟槽结构上方有栅隔离介质层11，P+接触区18上方具有发射极金属12，P型浮空区19当分离栅电极20接高电位时全部耗尽。
本发明还提供一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构的制作方法，包括以下制作步骤：
步骤1：采用N型掺杂单晶硅片作为衬底；
步骤2：在单晶硅片上外延N型掺杂硅，然后反刻蚀掉表面多余硅，形成N型掺杂漂移区；
步骤3：在硅片表面淀积保护层，光刻出窗口进行沟槽硅刻蚀，刻蚀出p柱区沟槽；
步骤4：在p柱区沟槽中外延p型掺杂硅，对p柱沟槽进行填充，再通过化学机械平坦化去除多余的p型硅；
步骤5：在硅片上外延p型硅，然后反刻蚀掉表面多余硅，形成P型基区和P型浮空区；
步骤6：在硅片表面淀积保护层，光刻出窗口进行沟槽硅刻蚀，刻蚀出栅电极沟槽；
步骤7：1050℃～1150℃的O2气氛下在沟槽侧壁生长一层牺牲氧化层，然后去除掉牺牲氧化层再在1050℃～1150℃的O2气氛下在沟槽侧壁生长一层栅氧化层；
步骤8：在750℃～950℃在所述介质层上淀积多晶硅，然后反刻蚀掉表面多余多晶硅；
步骤9：在硅片表面生长一层预氧化层，通过离子注入N型杂质制得N+发射区，离子注入能量为60～100keV，离子注入剂量为1014～1015个/cm2，离子注入P型杂质制得P+接触区，离子注入能量为50～100KeV,离子注入剂量为1014～1015个/cm2；
步骤10：淀积二氧化硅并刻蚀掉多余的介质形成栅隔离介质层；
步骤11：器件正面淀积金属制作发射极金属；
步骤12：翻转硅片，离子注入N型杂质制得N型场阻止层，离子注入能量为200～500keV；离子注入剂量为1012～1014个/cm2，采用激光退火；离子注入P型杂质制得P+集电区，离子注入能量为50～100KeV,离子注入剂量为1012～1015个/cm2；
步骤13：淀积金属制作集电极金属。
本发明还提供一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构的制作方法，包括以下制作步骤：
步骤1：采用N型掺杂单晶硅片作为衬底；
步骤2：在单晶硅片上外延N型掺杂硅，然后反刻蚀掉表面多余硅，形成N型掺杂漂移区；
步骤3：在硅片表面淀积保护层，光刻出窗口进行沟槽硅刻蚀，刻蚀出p柱区沟槽；
步骤4：在p柱区沟槽中外延p型掺杂硅，对p柱沟槽进行填充，再通过化学机械平坦化去除多余的p型硅；
步骤5：在硅片上外延p型硅，然后反刻蚀掉表面多余硅，形成P型基区和P型浮空区；
步骤6：在硅片表面生长一层预氧化层，通过离子注入N型杂质制得N+发射区，离子注入能量为60～100keV，离子注入剂量为1014～1015个/cm2，离子注入P型杂质制得P+接触区，离子注入能量为50～100KeV,离子注入剂量为1014～1015个/cm2；
步骤7：在硅片表面淀积保护层，光刻出窗口进行沟槽硅刻蚀，刻蚀出栅电极沟槽；
步骤8：1050℃～1150℃的O2气氛下在沟槽侧壁生长一层牺牲氧化层，然后去除掉牺牲氧化层再在1050℃～1150℃的O2气氛下在沟槽侧壁生长一层栅氧化层；
步骤9：在750℃～950℃在所述介质层上淀积多晶硅，然后反刻蚀掉表面多余多晶硅；
步骤10：淀积二氧化硅并刻蚀掉多余的介质形成栅隔离介质层；
步骤11：器件正面淀积金属制作发射极金属；
步骤12：翻转硅片，离子注入N型杂质制得N型场阻止层，离子注入能量为200～500keV；离子注入剂量为1012～1014个/cm2，采用激光退火；离子注入P型杂质制得P+集电区，离子注入能量为50～100KeV,离子注入剂量为1012～1015个/cm2；
步骤13：淀积金属制作集电极金属。
本发明的工作原理
当栅极7接高于器件阈值电压的高电位、集电极金属1接高电位、发射极金属12接低电位时，器件工作在导通状态。当N、P柱区掺杂浓度较低时(5×1013～2×1014cm-3)，P型集电区2的空穴注入效率很高，漂移区内发生很强的电导调制效应，进而可以获得一个较低的导通压降；随着N、P柱掺杂浓度的提高(2×1014～3×1015cm-3)，P型集电区2的注入效率降低，且高浓度P柱对空穴的抽取能力增强，但是P型浮空区的引入阻止了P柱及P型基区对空穴的抽取，从而提高了发射极一侧的空穴浓度，进而可以获得一个较低的导通压降；当N、P柱掺杂浓度进一步提高至与发生电导调制时的浓度相当时(3×1015～1×1016cm-3)，漂移区内载流子浓度很高，致使导通压降较低。所以P型浮空区的引入使得器件在N、P柱浓度较高时仍工作在双极导电模式下，改善了N、P柱浓度对导通压降的影响。而且较窄的台面进一步增强了漂移区的电导调制作用，大大提升了导通性能。
当栅电极7和发射极金属12接低电位、集电极金属1接高电位时，器件工作在阻断状态，超结N、P柱的横向耗尽；当发射极金属12接低电位、集电极金属1接高电位，栅电极7由高电位转接低电位时，器件工作在关断状态，超结N、P柱之间的横向PN结会快速耗尽，加快了载流子的排出，关断速度提高，关断损耗降低。
本发明的有益效果表现在：
本发明通过在沟槽栅右侧、P柱上方引入P型浮空区结构，使P型基区与P型浮空区连接，改变了传统超结IGBT中P柱上方与P型基区连接、P型基区上方与发射极连接的位置关系，阻止了在高柱区浓度下P柱及P型基区对P柱中空穴的直接抽取，在不同N、P柱区掺杂浓度下，漂移区内均发生较强的电导调制效应，器件均工作在双极导电模式下，消除了柱区掺杂浓度对正向导通压降的影响。同时P型浮空区结构进一步减小了台面宽度，提高了发射极一侧的载流子浓度，从而降低了导通压降。
附图说明
图1为传统超结-IGBT的半元胞结构示意图、
图2是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT半元胞结构示意图；
图3是本发明实施例2提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT半元胞结构示意图；
图4是本发明实施例3提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT半元胞结构示意图；
图5是本发明实施例4提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT半元胞结构示意图；
图6是本发明实施例5提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT半元胞结构示意图；
图7是本发明实施例6提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT半元胞结构示意图；
图8是本发明实施例7提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT半元胞结构示意图；
图9是本发明实施例8提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT半元胞结构示意图；
图10是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT形成N型衬底3后的工艺示意图；
图11是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT形成N型漂移区5后的工艺示意图；
图12是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT刻蚀形成P柱区沟槽后的工艺示意图；
图13是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT填充形成P柱区4后的工艺示意图；
图14是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT形成P型基区8和P型浮空区13后的工艺示意图；
图15是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT刻蚀形成栅沟槽后的工艺示意图；
图16是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT形成栅介质层6后的工艺示意图；
图17是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT淀积多晶形成栅电极7后的工艺示意图；
图18是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT形成N+发射区9、P+接触区10后的工艺示意图；
图19是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT形成隔离介质层11后的工艺示意图；
图20是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT形成发射极金属12后的工艺示意图；
图21是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT形成N型场阻止层3、P型集电区2后的工艺示意图；
图22是本发明实施例1提供的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT形成集电极金属1后的工艺示意图；
图1至图22中，1为集电极金属，2为P型集电区，3为N型场阻止层，4为超结P柱，5为超结N柱，6为栅介质层，7为栅电极，8为P型基区，9为N+发射区，10为P+发射区，11为栅隔离介质层，12为发射极金属，13为P型浮空区，14为N-漂移区，15为分离栅介质层，16为分离栅电极，17为N型电荷存储层，18为P+接触区，19为P型浮空区，20为分离栅电极，21为分离栅介质层。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
实施例1
一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件实施例，如图2所示，包括：从下至上依次层叠设置的集电极金属1、P型集电区2、N型场阻止层3，N型场阻止层3上方设有超结N柱5、和超结N柱5接触的超结P柱4，位于超结N柱5上方的第一沟槽结构，所述第一沟槽结构包括栅介质层6、栅介质层6内部的栅电极7；
超结P柱4上方具有P型浮空区13，所述超结N柱5上部具有P型基区8；P型基区8位于沟槽结构左侧，P型浮空区13位于沟槽结构右侧，所述P型基区8上部具有N+发射区9与P+接触区10；所述栅介质层6、栅电极7和P型浮空区13上方具有栅隔离介质层11；所述栅隔离介质层11上部、N+发射区9上部、P+接触区10上部具有发射极金属12；所述栅电极7通过栅介质层6与超结N柱5、P型基区8、N+发射区9相连；所述栅电极7的深度大于P型基区8的结深；所述P型浮空区13的深度与P型基区8的深度相等；所述P型浮空区13的掺杂浓度与P型基区8的掺杂浓度相等；所述P型浮空区13的宽度大于超结P柱4的宽度。
本实施例还提供一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构的制作方法，包括以下制作步骤：
步骤1：如图10所示，采用N型掺杂单晶硅片作为衬底；
步骤2：如图11所示，在单晶硅片上外延N型掺杂硅，然后反刻蚀掉表面多余硅，形成N型掺杂漂移区；
步骤3：如图12所示，在硅片表面淀积保护层，光刻出窗口进行沟槽硅刻蚀，刻蚀出p柱区沟槽；
步骤4：如图13所示，在p柱区沟槽中外延p型掺杂硅，对p柱沟槽进行填充，再通过化学机械平坦化去除多余的p型硅；
步骤5：如图14所示，在硅片上外延p型硅，然后反刻蚀掉表面多余硅，形成P型基区和P型浮空区；
步骤6：如图15所示，在硅片表面淀积保护层，光刻出窗口进行沟槽硅刻蚀，刻蚀出栅电极沟槽；
步骤7：如图16所示，1050℃～1150℃的O2气氛下在沟槽侧壁生长一层牺牲氧化层，然后去除掉牺牲氧化层再在1050℃～1150℃的O2气氛下在沟槽侧壁生长一层栅氧化层；
步骤8：如图17所示，在750℃～950℃在所述介质层上淀积多晶硅，然后反刻蚀掉表面多余多晶硅；
步骤9：如图18所示，在硅片表面生长一层预氧化层，通过离子注入N型杂质制得N+发射区，离子注入能量为60～100keV，离子注入剂量为1014～1015个/cm2，离子注入P型杂质制得P+接触区，离子注入能量为50～100KeV,离子注入剂量为1014～1015个/cm2；
步骤10：如图19所示，淀积二氧化硅并刻蚀掉多余的介质形成栅隔离介质层；
步骤11：如图20所示，器件正面淀积金属制作发射极金属；
步骤12：如图21所示，翻转硅片，离子注入N型杂质制得N型场阻止层，离子注入能量为200～500keV；离子注入剂量为1012～1014个/cm2，采用激光退火；离子注入P型杂质制得P+集电区，离子注入能量为50～100KeV,离子注入剂量为1012～1015个/cm2；
步骤13：如图22所示，淀积金属制作集电极金属。
本实施例还提供第二种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构的制作方法，包括以下制作步骤：
步骤1：采用N型掺杂单晶硅片作为衬底；
步骤2：在单晶硅片上外延N型掺杂硅，然后反刻蚀掉表面多余硅，形成N型掺杂漂移区；
步骤3：在硅片表面淀积保护层，光刻出窗口进行沟槽硅刻蚀，刻蚀出p柱区沟槽；
步骤4：在p柱区沟槽中外延p型掺杂硅，对p柱沟槽进行填充，再通过化学机械平坦化去除多余的p型硅；
步骤5：在硅片上外延p型硅，然后反刻蚀掉表面多余硅，形成P型基区和P型浮空区；
步骤6：在硅片表面生长一层预氧化层，通过离子注入N型杂质制得N+发射区，离子注入能量为60～100keV，离子注入剂量为1014～1015个/cm2，离子注入P型杂质制得P+接触区，离子注入能量为50～100KeV,离子注入剂量为1014～1015个/cm2；
步骤7：在硅片表面淀积保护层，光刻出窗口进行沟槽硅刻蚀，刻蚀出栅电极沟槽；
步骤8：1050℃～1150℃的O2气氛下在沟槽侧壁生长一层牺牲氧化层，然后去除掉牺牲氧化层再在1050℃～1150℃的O2气氛下在沟槽侧壁生长一层栅氧化层；
步骤9：在750℃～950℃在所述介质层上淀积多晶硅，然后反刻蚀掉表面多余多晶硅；
步骤10：淀积二氧化硅并刻蚀掉多余的介质形成栅隔离介质层；
步骤11：器件正面淀积金属制作发射极金属；
步骤12：翻转硅片，离子注入N型杂质制得N型场阻止层，离子注入能量为200～500keV；离子注入剂量为1012～1014个/cm2，采用激光退火；离子注入P型杂质制得P+集电区，离子注入能量为50～100KeV,离子注入剂量为1012～1015个/cm2；
步骤13：淀积金属制作集电极金属。
实施例2
一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件实施例，如图3所示，本实施例和实施例1的区别在于：P型浮空区13的深度超过第一沟槽结构的深度。
较深的P型浮空区有助于改善沟槽底部的电场分布，提高器件可靠性。
实施例3
一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件实施例，如图4所示，本实施例和实施例1的区别在于：在P型基区8下方的超结N柱5内引入N型电荷存储层17，所述N型电荷存储层17的结深小于第一沟槽结构的深度，所述N型电荷存储层17的浓度超过超结N柱的浓度。
N型电荷存储层的引入进一步提高了载流子的浓度，增强了漂移区的电导调制效应，降低了器件的导通压降。
实施例4
一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件实施例，如图5所示，本实施例和实施例1的区别在于：在超结N柱5、超结P柱4两者与N型场阻止层3之间引入N-漂移区14，所述N-漂移区14的掺杂浓度低于超结N柱5的掺杂浓度。
N-漂移区的引入有助于弥补超结工艺上的限制，制造出电压等级更高的超结IGBT。
实施例5
一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件实施例，如图6所示，本实施例和实施例1的区别在于：包括分离栅结构，所述分离栅结构位于栅电极7下方，包括分离栅介质层15、分离栅介质层15内的分离栅电极16；分离栅电极16上方具有栅介质层6、栅介质层6上方具有栅电极7；所述分离栅电极16与发射极金属12等电位。
实施例6
一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件实施例，如图7所示，本实施例和实施例5的区别在于：在P型基区8下方的超结N柱5内引入N型电荷存储层17；所述N型电荷存储层17的结深小于第一沟槽结构的深度，所述N型电荷存储层17的掺杂浓度大于超结N柱的掺杂浓度。
实施例7
一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件实施例，如图8所示，本实施例和实施例1的区别在于：在超结P柱4上方的P型浮空区13中引入第二沟槽结构，所述第二沟槽结构位于第一沟槽栅结构右侧，包括分离栅介质层21、分离栅介质层21内的分离栅电极20；第二沟槽结构右侧超结P柱4的上方设有P型浮空区19，P型浮空区19上方有P+接触区18，所述第二沟槽结构及P+接触区18上方具有发射极金属12，所述分离栅电极20与发射极金属12等电位。
P型浮空区19的引入增加了空穴通路，在器件关断时加快空穴的抽取。
实施例8
一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件实施例，如图9所示，本实施例和实施例1的区别在于：超结P柱4上方的P型浮空区13中引入第二沟槽结构，所述第二沟槽结构位于第一沟槽栅结构右侧，包括分离栅介质层21、分离栅介质层21内的分离栅电极20；第二沟槽结构右侧超结P柱4的上方设有P型浮空区19，P型浮空区19上方有P+接触区18，所述分离栅电极20与栅电极7等电位，第二沟槽结构上方有栅隔离介质层11，P+接触区18上方具有发射极金属12，P型浮空区19当分离栅电极20接高电位时全部耗尽。
器件导通时，分离栅电极20接高电位，P型浮空区19可以完全耗尽，空穴不会通过P型浮空区19流出；器件关断时，栅极20由高电位转变为低电位，P型浮空区19与发射极连接，形成空穴通路，加快空穴的抽取。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，包括：从下至上依次层叠设置的集电极金属(1)、P型集电区(2)、N型场阻止层(3)，N型场阻止层(3)上方设有超结N柱(5)、和超结N柱(5)接触的超结P柱(4)，位于超结N柱(5)上方的第一沟槽结构，所述第一沟槽结构包括栅介质层(6)、栅介质层(6)内部的栅电极(7)；
其特征在于：超结P柱(4)上方具有P型浮空区(13)，所述超结N柱(5)上部具有P型基区(8)；P型基区(8)位于沟槽结构左侧，P型浮空区(13)位于沟槽结构右侧，所述P型基区(8)上部具有N+发射区(9)与P+接触区(10)；所述栅介质层(6)、栅电极(7)和P型浮空区(13)上方具有栅隔离介质层(11)；所述栅隔离介质层(11)上部、N+发射区(9)上部、P+接触区(10)上部具有发射极金属(12)；所述栅电极(7)通过栅介质层(6)与超结N柱(5)、P型基区(8)、N+发射区(9)相连；所述栅电极(7)的深度大于P型基区(8)的结深；所述P型浮空区(13)的深度与P型基区(8)的深度相等；所述P型浮空区(13)的掺杂浓度与P型基区(8)的掺杂浓度相等；所述P型浮空区(13)的宽度大于超结P柱(4)的宽度。
2.根据权利要求1所述一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，其特征在于：P型浮空区(13)的深度超过第一沟槽结构的深度。
3.根据权利要求1所述一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，其特征在于：在P型基区(8)下方的超结N柱(5)内引入N型电荷存储层(17)，所述N型电荷存储层(17)的结深小于第一沟槽结构的深度，所述N型电荷存储层(17)的浓度超过超结N柱的浓度。
4.根据权利要求1所述一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，其特征在于：在超结N柱(5)、超结P柱(4)两者与N型场阻止层(3)之间引入N-漂移区(14)，所述N-漂移区(14)的掺杂浓度低于超结N柱(5)的掺杂浓度。
5.根据权利要求1所述一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，其特征在于：包括分离栅结构，所述分离栅结构位于栅电极(7)下方，包括分离栅介质层(15)、分离栅介质层(15)内的分离栅电极(16)；分离栅电极(16)上方具有栅介质层(6)、栅介质层(6)上方具有栅电极(7)；所述分离栅电极(16)与发射极金属(12)等电位。
6.根据权利要求5所述一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，其特征在于：在P型基区(8)下方的超结N柱(5)内引入N型电荷存储层(17)；所述N型电荷存储层(17)的结深小于第一沟槽结构的深度，所述N型电荷存储层(17)的掺杂浓度大于超结N柱的掺杂浓度。
7.根据权利要求1所述一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，其特征在于：在超结P柱(4)上方的P型浮空区(13)中引入第二沟槽结构，所述第二沟槽结构位于第一沟槽栅结构右侧，包括分离栅介质层(21)、分离栅介质层(21)内的分离栅电极(20)；第二沟槽结构右侧超结P柱(4)的上方设有P型浮空区(19)，P型浮空区(19)上方有P+接触区(18)，所述第二沟槽结构及P+接触区(18)上方具有发射极金属(12)，所述分离栅电极(20)与发射极金属(12)等电位。
8.根据权利要求1所述一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，其特征在于：
超结P柱(4)上方的P型浮空区(13)中引入第二沟槽结构，所述第二沟槽结构位于第一沟槽栅结构右侧，包括分离栅介质层(21)、分离栅介质层(21)内的分离栅电极(20)；第二沟槽结构右侧超结P柱(4)的上方设有P型浮空区(19)，P型浮空区(19)上方有P+接触区(18)，所述分离栅电极(20)与栅电极(7)等电位，第二沟槽结构上方有栅隔离介质层(11)，P+接触区(18)上方具有发射极金属(12)，P型浮空区(19)当分离栅电极(20)接高电位时全部耗尽。
9.权利要求1所述的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构的制作方法，其特征在于包括以下制作步骤：
步骤1：采用N型掺杂单晶硅片作为衬底；
步骤2：在单晶硅片上外延N型掺杂硅，然后反刻蚀掉表面多余硅，形成N型掺杂漂移区；
步骤3：在硅片表面淀积保护层，光刻出窗口进行沟槽硅刻蚀，刻蚀出p柱区沟槽；
步骤4：在p柱区沟槽中外延p型掺杂硅，对p柱沟槽进行填充，再通过化学机械平坦化去除多余的p型硅；
步骤5：在硅片上外延p型硅，然后反刻蚀掉表面多余硅，形成P型基区和P型浮空区；
步骤6：在硅片表面淀积保护层，光刻出窗口进行沟槽硅刻蚀，刻蚀出栅电极沟槽；
步骤7：1050℃～1150℃的O2气氛下在沟槽侧壁生长一层牺牲氧化层，然后去除掉牺牲氧化层再在1050℃～1150℃的O2气氛下在沟槽侧壁生长一层栅氧化层；
步骤8：在750℃～950℃在所述介质层上淀积多晶硅，然后反刻蚀掉表面多余多晶硅；
步骤9：在硅片表面生长一层预氧化层，通过离子注入N型杂质制得N+发射区，离子注入能量为60～100keV，离子注入剂量为1014～1015个/cm2，离子注入P型杂质制得P+接触区，离子注入能量为50～100KeV,离子注入剂量为1014～1015个/cm2；
步骤10：淀积二氧化硅并刻蚀掉多余的介质形成栅隔离介质层；
步骤11：器件正面淀积金属制作发射极金属；
步骤12：翻转硅片，离子注入N型杂质制得N型场阻止层，离子注入能量为200～500keV；离子注入剂量为1012～1014个/cm2，采用激光退火；离子注入P型杂质制得P+集电区，离子注入能量为50～100KeV,离子注入剂量为1012～1015个/cm2；
步骤13：淀积金属制作集电极金属。
10.权利要求1所述的一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构的制作方法，其特征在于包括以下制作步骤：
步骤1：采用N型掺杂单晶硅片作为衬底；
步骤2：在单晶硅片上外延N型掺杂硅，然后反刻蚀掉表面多余硅，形成N型掺杂漂移区；
步骤3：在硅片表面淀积保护层，光刻出窗口进行沟槽硅刻蚀，刻蚀出p柱区沟槽；
步骤4：在p柱区沟槽中外延p型掺杂硅，对p柱沟槽进行填充，再通过化学机械平坦化去除多余的p型硅；
步骤5：在硅片上外延p型硅，然后反刻蚀掉表面多余硅，形成P型基区和P型浮空区；
步骤6：在硅片表面生长一层预氧化层，通过离子注入N型杂质制得N+发射区，离子注入能量为60～100keV，离子注入剂量为1014～1015个/cm2，离子注入P型杂质制得P+接触区，离子注入能量为50～100KeV,离子注入剂量为1014～1015个/cm2；
步骤7：在硅片表面淀积保护层，光刻出窗口进行沟槽硅刻蚀，刻蚀出栅电极沟槽；
步骤8：1050℃～1150℃的O2气氛下在沟槽侧壁生长一层牺牲氧化层，然后去除掉牺牲氧化层再在1050℃～1150℃的O2气氛下在沟槽侧壁生长一层栅氧化层；
步骤9：在750℃～950℃在所述介质层上淀积多晶硅，然后反刻蚀掉表面多余多晶硅；
步骤10：淀积二氧化硅并刻蚀掉多余的介质形成栅隔离介质层；
步骤11：器件正面淀积金属制作发射极金属；
步骤12：翻转硅片，离子注入N型杂质制得N型场阻止层，离子注入能量为200～500keV；离子注入剂量为1012～1014个/cm2，采用激光退火；离子注入P型杂质制得P+集电区，离子注入能量为50～100KeV,离子注入剂量为1012～1015个/cm2；
步骤13：淀积金属制作集电极金属。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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