CN113838845A - 一种基于三维堆叠气密封装的tr组件及组装方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于三维堆叠气密封装的TR组件及组装方法。包括由下往上逐层堆叠的陶瓷底板、气密金属围框和陶瓷盖板；气密金属围框内设置有垂直互连组件，垂直互连组件两端分别与陶瓷底板和陶瓷盖板对位连接；陶瓷底板上设置有第一微波接入链路、微波网络和低频网络，第一微波接入链路和低频网络分别连接微波网络；垂直互连组件上至少设置有微波网络与陶瓷盖板电气连通的垂直传输链路；陶瓷盖板连接有阵列天线，陶瓷盖板上设置有垂直互连组件与阵列天线电气连通的链路。在装配时，先将垂直互连组件固定到气密金属围框上，再整体与陶瓷底板、陶瓷盖板对位焊接。本发明的TR组件微波传输路径短，具备高集成度、高功率、易装配、可扩展的特点。

Description

一种基于三维堆叠气密封装的TR组件及组装方法
技术领域
本发明涉及微波通信设备领域，尤其是一种基于三维堆叠气密封装的TR组件，以及该TR组件的组装方法。
背景技术
无线通信、微波毫米波、相控阵雷达技术不断向更高频率、更高性能、更高可靠性、更高集成度、更轻量化、更经济性方向逐步发展。这对无线通信、相控阵雷达的核心——TR组件的集成方式提出了更高的要求，随着技术的进步，TR组件势必向微波三维堆叠集成方向快速演进。
一种微波三维集成方案为硅基SIP半导体工艺，在硅基板上采用RDL、TSV、Bump等技术实现微波三维异构堆叠。如公开号为CN111276787A的专利申请“三维集成毫米波Aip相控阵阵元”。大多微波组件要保证不自激需要做分腔处理，而硅基板一般较薄，要保证硅基板的结构强度，硅基材开腔率一般不能做到大于三分之二且单个开腔尺寸不宜过大，大大制约了微波芯片封装集成度，也无法装入较大面积的多功能微波芯片。另一方面硅基板厚度有限，又因开腔率的限制，往往无法集成大容值的芯片电容和吸波材料，往往这些芯片电容需要就近放置在芯片供电端。而且由于采用晶圆级封装技术，单次流片成本高昂，往往一款成熟SIP封装芯片需要多次叠代流片才能成熟；一款SIP三维封装组件需要有超大起订量才能支撑起如此高昂的流片费用。
另一种微波三维集成方案为采用大的多层陶瓷基片做为底座，将单面开口的金属腔体倒扣焊接在多层陶瓷基板上作为气密单元组件。微波垂直互连靠外面的底座实现；如公开号为CN112466864A 的专利申请“一种基于高温共烧陶瓷的三维堆叠微波组件”，其缺点在于金属密闭腔体只有底部有开口，微波垂直互连需从先从金属腔体底部向下穿出，再向金属腔体封闭区域外部延伸，然后垂直向上到达第二层堆叠层，再向第二层腔体内部延伸。如此往返，微波垂直传输路径长，传输损耗大。
发明内容
本发明的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种基于三维堆叠气密封装的TR组件，以提供一种微波传输路径短、布局灵活的TR组件。
本发明采用的技术方案如下：
一种基于三维堆叠气密封装的TR组件，包括由下往上逐层堆叠的陶瓷底板、气密金属围框和陶瓷盖板，形成气密腔体结构；所述气密金属围框内设置有垂直互连组件，所述垂直互连组件两端分别与所述陶瓷底板和所述陶瓷盖板对位连接；所述陶瓷底板上设置有第一微波接入链路、微波网络和低频网络，所述第一微波接入链路和所述低频网络分别连接所述微波网络；所述垂直互连组件上至少设置有所述微波网络与所述陶瓷盖板电气连通的垂直传输链路；所述陶瓷盖板连接有阵列天线，所述陶瓷盖板上设置有所述垂直互连组件与所述阵列天线电气连通的链路。
微波接入链路即接入微波信号的链路；微波网络即接入微波信号并进行射频处理以得到射频信号的链路；低频网络即接入电源与控制信号的链路，其为微波网络提供电源与控制信号。本发明中所涉及到的链路，可以是转接、过渡、桥接等方式，具体可涉及到连接器、带状线、金属导线、转接器等结构或者组合。微波网络输出的射频信号通过设计的垂直互连组件垂直传递到陶瓷盖板，进一步传递到阵列天线进行辐射，通过设计垂直互连组件来传递射频信号（或者可以扩展以传递低频信号），以在保证气密的情况下，尽可能减少微波传输路径，减少气密腔体内的布线复杂度，提高布局设计灵活性，降低装配难度。并且，所设计的垂直互连组件可以很灵活地扩展射频或低频链路，以方便对TR组件微波网络的扩展设计。更关键的，微波网络设计在陶瓷底板上，而陶瓷底板下留有大面积的空余空间，可以方便散热结构的设置和布局设计。
进一步的，所述垂直互连组件上垂直贯穿设置有类同轴金属柱，所述类同轴金属柱的两端分别与所述微波网络和所述陶瓷盖板电气连通。
进一步的，类同轴金属柱由多层LTCC打孔填充金属浆料后逐层堆叠烧结而成。
进一步的，所述陶瓷底板上表面设置有共面波导与类同轴转换过渡焊盘、共面波导与类同轴转换过渡、芯片电容和TR芯片；所述共面波导与类同轴转换过渡、芯片电容、共面波导与类同轴转换过渡焊盘分别连接所述TR芯片；所述陶瓷底板下表面设置有下BGA球，所述下BGA球分别与所述共面波导与类同轴转换过渡和所述芯片电容对位设置；所述下BGA球与所述共面波导与类同轴转换过渡之间通过贯穿所述陶瓷底板的类同轴结构互联，所述下BGA球与所述芯片电容之间通过贯穿所述陶瓷底板的阵列供电控制结构互联。
进一步的，贯穿所述陶瓷底板设置有阵列散热结构，所述阵列散热结构所述TR芯片的位置对应。
进一步的，所述气密金属围框内设置有至少一个分腔隔筋。
进一步的，所述天线阵列与所述陶瓷盖板一体设计；或者，所述阵列天线设置于所述陶瓷盖板上表面。
进一步的，所述陶瓷盖板上表面设置有第二层微波处理模块，所述阵列天线设置于所述第二层微波处理模块上表面，所述第二层微波处理模块电气连接所述阵列天线；所述陶瓷底板上设置有第二微波接入链路；所述低频网络通过依次贯穿所述垂直互连组件、所述陶瓷盖板的低频链路连接所述第二层微波处理模块，所述第二微波接入链路通过依次贯穿所述垂直互连组件、所述陶瓷盖板的微波链路连接所述第二层微波处理模块，所述微波网络通过依次贯穿所述垂直互连组件、所述陶瓷盖板、所述第二层微波处理模块的射频链路连接所述阵列天线。
进一步的，至少所述陶瓷盖板的下表面设置有吸波材料。
本发明还提供了上述基于三维堆叠气密封装的TR组件的组装方法，在所述垂直互连组件的待焊接处预置焊锡，将所述垂直互连组件先固定到所述气密金属围框上后，分别与所述陶瓷底板和所述陶瓷盖板对位焊接，对所述垂直互连组件的待焊接处加热。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
1、本发明的TR组件在TR芯片的输出端（即微波网络的输出端）就近布置垂直互连组件，可使高频微波信号以最短的路径从陶瓷底板直达陶瓷盖板，有效减小TR芯片到阵列天线端的传输损耗，有效提高了TR组件的微波性能。
2、本发明采用垂直互连组件传递射频信号，则TR组件内部具备了在垂直方向上的三维堆叠扩展能力，使得TR组件具备高集成度的特点。
3、由于集成度越高，散热问题就越突出，本发明将阵列天线集成到陶瓷盖板上，则TR组件的底部空间则具备了较大的空间，以便于散热结构的布置。并且，TR芯片作为主要的热源，将其设置在陶瓷底板上，而陶瓷底板通过下表面的下BGA焊球与母板相连，阵列天线与其他层级结构均在母板的同一侧，则母板的另一侧就腾出了大量空间用于散热处理，有效的提高了TR组件的功率容量。
4、本发明仅将需要气密的微波网络、垂直互连组件等部分封装在气密金属围框中，将不需要气密的部件尽可能放置在腔体外，可以尽可能缩减封装腔体的体积和重量。
5、本发明所设计的TR组件的结构，将大量裸芯片与天线集成封装成气密表贴封装TR组件，集中将微组装工艺转换为表面贴装工艺，降低了对生产净化环境及生产设备的要求，同时也方便TR组件的装配，有效的提高了装配效率，节省了生产成本。
附图说明
本发明将通过例子并参照附图的方式说明，其中：
图1是三维堆叠气密封装TR组件分解图。
图2是垂直互连组件结构图。
图3是气密金属围框与垂直互连组件组合结构图。
图4是去除陶瓷盖板和阵列天线后的结构图。
图5是装配完成后的TR组件外形图。
图6是图5的D-D截面图。
图7是陶瓷底板俯视图。
图中，陶瓷底板101、第一金属气密围框焊盘102、共面波导与类同轴转换过渡焊盘103、共面波导与类同轴转换过渡104、芯片电容105、下BGA球106、TR芯片107、类同轴结构108、阵列散热结构109、阵列供电控制结构110、镀金走线111、气密金属围框201、分腔隔筋202、高温固化胶203、垂直互连组件301、类同轴金属柱302、阵列金属柱303、堆叠金柱304、镀金焊盘305、陶瓷盖板401、类同轴填实金属化过孔402、填实金属化过孔403、吸波材料404、上BGA球405、天线阵列501。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。
本说明书（包括任何附加权利要求、摘要）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
实施例一
一种基于三维堆叠气密封装的TR组件，如图1、图6所示，包括由下往上依次堆叠设置的陶瓷底板101、气密金属围框201、陶瓷盖板401和天线阵列501。气密金属围框201内固定有垂直互连组件301。气密金属围框201包含一个或多个分腔隔筋202，可提高各分腔之间微波隔离度，并起到电磁屏蔽作用。
陶瓷底板101采用氮化铝或氧化铝陶瓷基板。如图1、图4-图7所示，陶瓷底板101上表面设置有第一金属气密围框焊盘102、TR芯片焊盘、芯片电容焊盘、共面波导与类同轴转换过渡焊盘103、共面波导与类同轴转换过渡104、芯片电容105、TR芯片107和镀金走线111，各焊盘上预置金锡焊料。第一金属气密围框焊盘102与气密金属围框201下表面焊接，TR芯片107安装在TR芯片焊盘处，共面波导与类同轴转换过渡104连接TR芯片107，芯片电容105安装在芯片电容焊盘处，镀金走线111在芯片电容焊盘处连接芯片电容105，芯片电容105连接TR芯片107，TR芯片107连接共面波导与类同轴转换过渡焊盘103。
陶瓷底板101下表面设置有下BGA球106，该下BGA球106为铅锡焊料，下BGA球106分别与共面波导与类同轴转换过渡104和芯片电容105对位设置。下BGA球106与共面波导与类同轴转换过渡104之间通过贯穿陶瓷底板101的类同轴结构108互联，下BGA球106与芯片电容105之间通过贯穿陶瓷底板101的阵列供电控制结构110互联。进一步的，贯穿陶瓷底板101还设置有阵列散热结构109，该阵列散热结构109与TR芯片107的位置对应。对于陶瓷底板101上的各填实过孔结构，例如类同轴结构108、阵列散热结构109和阵列供电控制结构110，通过在陶瓷基板上设置多个金属化孔，然后再采用金属电镀或金属浆料填实各金属化孔实现。在各金属化孔背离TR芯片107的一侧表面设置第一镀金BGA焊盘，各第一镀金BGA焊盘上一一设置下BGA焊球106。
陶瓷盖板401采用三氧化二铝陶瓷基板。如图1所示，陶瓷盖板401上表面设置有上BGA球405，该上BGA球405分别与贯穿陶瓷盖板401的类同轴填实金属化过孔402和填实金属化过孔403连接。类同轴填实金属化过孔402与天线阵列501连接。填实金属化过孔403用于供电和控制信号的传输、接地、导热等。
陶瓷盖板401的下表面设置有第二金属气密围框焊盘，其上预置锡银铜焊料，以与气密金属围框201上表面焊接。在该陶瓷盖板401的下表面设置有吸波材料404，用于抑制微波信号空间耦合强度，可有效解决腔体内TR芯片107因微波信号空间耦合带来的自激振荡。同样的，陶瓷盖板401上的各填实过孔结构，例如类同轴填实金属化过孔402和填实金属化过孔403，也是在陶瓷基板上设置多个金属化孔，然后再采用金属电镀或金属浆料填实各金属化孔实现，并在金属化孔下端设置有焊盘，该焊盘预置有锡银铜焊料。在各金属化孔背离TR芯片107的一侧表面设置第二镀金BGA焊盘，各第二镀金BGA焊盘上一一设置上BGA焊球405，上BGA焊球为铅锡焊料。上BGA焊球405起到气密腔体与阵列天线501之间的微波互联和维持固定关系的作用。
如图1-图3所示，垂直互连组件301上垂直贯穿设置有类同轴金属柱302和阵列金属柱303，其中类同轴金属柱302两端分别与类同轴填实金属化过孔402和类同轴转换过渡焊盘103对位连接，阵列金属柱303两端分别与填实金属化过孔403和镀金走线111对位连接。垂直互连组件301是由一层层生瓷LTCC打孔填充金属浆料后再依次堆叠烧制而成，填充的金属浆料可以是金浆料也可以是银浆料。多层LTCC堆叠的结构中包含多个从底到顶的堆叠金柱304，多个堆叠金柱304中设置有一个或多个类同轴金属柱302用来传输微波信号，其他堆叠金柱304（即阵列金属柱303）用于供电、接地、导热。垂直互连组件301的堆叠金柱304的上、下表面均设置有镀金焊盘305，垂直互连组件301下表面镀金焊盘305均预置金锡焊料，垂直互连组件301上表面镀金焊盘305均预置锡银铜焊料。采用LTCC的优点在于，通常介质打孔有孔径厚度比要求，单层LTCC较薄，孔可以打到足够小。类同轴金属柱302的微波特征阻抗为50欧姆。类同轴金属柱302中心金属柱做小一些则整个类同轴金属柱302的结构就可以做到足够小。在安装时，垂直互连组件301提前装入气密金属围框201的卡槽中，涂抹高温固化胶203将垂直互连组件301与气密金属围框201高温固化后粘接在一起，垂直互连组件301和气密金属围框201就形成一个整体，再将气密金属围框201的顶面和底面分别与陶瓷盖板401和陶瓷底板101对位焊接，所谓的对位，是指焊盘之间的对位；之后，对气密腔体内待焊接之处（例如垂直互连组件301上的待焊接处）进行梯度加热。而气密腔体外的部件之间的互联，也可通过加热焊锡的方式进行连接。本发明中涉及到的焊接工序，金锡焊料为第一温度梯度，锡银铜焊料为第二温度梯度，铅锡焊料为第三温度梯度，此三种温度梯度的焊接温度逐步依次递减。
微波信号从陶瓷底板101下表面的下BGA球106输入，经类同轴结构108传递到共面波导与类同轴转换过渡104，实现垂直与水平方向上微波信号的转换过渡，微波信号通过共面波导与类同轴转换过渡104将馈入到TR芯片107进行射频处理，TR芯片输出的射频信号经类同轴转换过渡焊盘103，实现水平与垂直方向上射频信号的转换过渡，再经过垂直互连组件301上的类同轴金属柱302将微波信号垂直向上传递到阵列天线501输出。低频信号从陶瓷底板101下表面的其他下BGA球106输入，经阵列供电控制结构110传递到芯片电容105，以为TR芯片107提供电源与控制信号。同时，低频信号还通过镀金走线111接入阵列金属柱303，为位于陶瓷盖板401上表面的第二层微波处理模块提供电源与控制信号。TR芯片107产生的热量经阵列散热结构109向远离阵列天线501的方向导出；此外，陶瓷底板101的下表面留有大面积的空间，可以方便设计流道、金属散热板等高效散热结构，实现TR组件的大功率设计。
上述的陶瓷底板101、气密金属围框201、垂直互连组件301和陶瓷盖板401构成了第一层微波处理模块，其为一个基础模块，可以通过堆叠的方式进行扩展。上述的第二层微波处理模块，在一些实施例中，与第一层微波处理模块结构类似，也包括陶瓷底板101、气密金属围框201、垂直互连组件301和陶瓷改变401。第二层微波处理模块的陶瓷底板101与第一层微波处理模块的陶瓷底板101的结构类似，其在第一层微波处理模块的陶瓷底板101的基础上，省去了阵列散热结构109和阵列供电控制结构110，原因是此第二层微波处理模块通常针对低功率信号，产热较少，而电源与控制信号由填实金属化过孔403通过第二层微波处理模块上的镀金走线111提供。对应于第二层微波处理模块的增加，在第一层微波处理模块的气密金属围框201内增加一组或多组垂直互连组件301，以将微波信号从第一层微波处理模块的陶瓷底板101穿过陶瓷盖板401传递到第二层微波处理模块的TR芯片。对应的，在第一层微波处理模块的陶瓷底板101和陶瓷盖板401上均需要增加填实过孔结构，以分别与增加的垂直互连组件301的两端对位连接。具体的，第一层微波处理模块的的陶瓷底板101上增加类同轴结构108，陶瓷盖板401上增加类同轴填实金属化过孔402。第一层微波处理模块的陶瓷盖板401上增加的填实过孔结构经第二层微波处理模块的类同轴转换过渡104与第二层微波处理模块的TR芯片连接，向TR芯片传输微波信号。而第一层微波处理模块的的陶瓷盖板401的填实金属化过孔403依次经第二层微波处理模块的陶瓷底板101上的镀金走线111、芯片电容105后与第二层微波处理模块的TR芯片连接，传输供电与控制信号。第二层微波处理模块的TR芯片107经第二层微波处理模块的垂直互连组件301连接第二层微波处理模块的陶瓷盖板401，进一步连接到阵列天线501。同时，第一层微波处理模块处理输出的射频信号（由陶瓷盖板401输出）依次经过第二层微波处理模块的陶瓷底板101上新增的填实过孔结构、气密金属围框201内新增的垂直互连组件301和陶瓷盖板401上新增的填实过孔结构，连接到阵列天线501。可以理解为，第一微波处理模块是一个基本单元，在需要进行多频扩展时，在第一微波处理模块与阵列天线501之间再堆叠更多的基本单元，并进行适应性地线路调整即可得到。
如果设置了第二层微波处理模块，则将该第二层微波处理模块的陶瓷盖板401与阵列天线501设计为一体，并在该陶瓷盖板401的下表面也设置一层吸波材料404。
本实施例附图仅展示了2×2通道相控阵单元，其他数量的相控阵单元同理设计。若干个气密封装TR组件可扩展阵列贴装在母板上组合形成较大阵面的相控阵TR雷达前端。
实施例二
本实施例公开了另一种基于三维堆叠气密封装的TR组件，其与实施例一的结构大体相同，唯一不同之处在于，本实施例的TR组件中，阵列天线501与陶瓷盖板401设置为一体，这样可以省去陶瓷盖板401上的上BGA焊球405，省去阵列天线501与陶瓷盖板401之间的焊接工序。
实施例三
本实施例公开了另一种基于三维堆叠气密封装的TR组件，其与实施例一的结构大体相同，唯一不同之处在于，垂直互连组件301采用LTCC多层陶瓷制作，在垂直互连组件301内部集成了无源器件。无源器件包括但不限于滤波器、耦合器、功分器、薄膜电阻、薄膜电感、薄膜电容中的一种或多种。这样，垂直互连组件301不仅具有微波垂直互连互通功能，还同时具备滤波、耦合、功率分配合成、电源分压、供电扼流等功能。
实施例四
本实施例公开了另一种基于三维堆叠气密封装的TR组件，其与实施例一的结构大体相同，唯一不同之处在于，本实施例的TR组件没有第二层微波处理模块和为该第二层微波处理模块供电的线路。具体的，陶瓷底板101省去了镀金走线111，垂直互连组件301省去了阵列金属柱303，仅保留传输射频信号的类同轴金属柱302，陶瓷盖板401省去了填实金属化过孔403和对应的上BGA焊球405。
本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。

Claims (10)

1.一种基于三维堆叠气密封装的TR组件，其特征在于，包括由下往上逐层堆叠的陶瓷底板（101）、气密金属围框（201）和陶瓷盖板（401），形成气密腔体结构；所述气密金属围框（201）内设置有垂直互连组件（301），所述垂直互连组件（301）两端分别与所述陶瓷底板（101）和所述陶瓷盖板（401）对位连接；所述陶瓷底板（101）上设置有第一微波接入链路、微波网络和低频网络，所述第一微波接入链路和所述低频网络分别连接所述微波网络；所述垂直互连组件（301）上至少设置有所述微波网络与所述陶瓷盖板（401）电气连通的垂直传输链路；所述陶瓷盖板（401）连接有阵列天线（501），所述陶瓷盖板（401）上设置有所述垂直互连组件（301）与所述阵列天线（501）电气连通的链路。
2.如权利要求1所述的基于三维堆叠气密封装的TR组件，其特征在于，所述垂直互连组件（301）上垂直贯穿设置有类同轴金属柱（302），所述类同轴金属柱的两端分别与所述微波网络和所述陶瓷盖板（401）电气连通。
3.如权利要求2所述的基于三维堆叠气密封装的TR组件，其特征在于，类同轴金属柱（302）由多层LTCC打孔填充金属浆料后逐层堆叠烧结而成。
4.如权利要求1所述的基于三维堆叠气密封装的TR组件，其特征在于，所述陶瓷底板（101）上表面设置有共面波导与类同轴转换过渡焊盘（103）、共面波导与类同轴转换过渡（104）、芯片电容（105）和TR芯片（107）；所述共面波导与类同轴转换过渡（104）、芯片电容（105）、共面波导与类同轴转换过渡焊盘（103）分别连接所述TR芯片（107）；所述陶瓷底板（101）下表面设置有下BGA球（106），所述下BGA球（106）分别与所述共面波导与类同轴转换过渡（104）和所述芯片电容（105）对位设置；所述下BGA球（106）与所述共面波导与类同轴转换过渡（104）之间通过贯穿所述陶瓷底板（101）的类同轴结构（108）互联，所述下BGA球（106）与所述芯片电容（105）之间通过贯穿所述陶瓷底板（101）的阵列供电控制结构（110）互联。
5.如权利要求4所述的基于三维堆叠气密封装的TR组件，其特征在于，贯穿所述陶瓷底板（101）设置有阵列散热结构（109），所述阵列散热结构（109）所述TR芯片（107）的位置对应。
6.如权利要求1所述的基于三维堆叠气密封装的TR组件，其特征在于，所述气密金属围框（201）内设置有至少一个分腔隔筋（202）。
7.如权利要求1所述的基于三维堆叠气密封装的TR组件，其特征在于，所述阵列天线（501）与所述陶瓷盖板（401）一体设计；或者，所述天线阵列（501）设置于所述陶瓷盖板（401）上表面。
8.如权利要求1所述的基于三维堆叠气密封装的TR组件，其特征在于，所述陶瓷盖板（401）上表面设置有第二层微波处理模块，所述阵列天线（501）设置于所述第二层微波处理模块上表面，所述第二层微波处理模块电气连接所述阵列天线（501）；所述陶瓷底板（101）上设置有第二微波接入链路；所述低频网络通过依次贯穿所述垂直互连组件（301）、所述陶瓷盖板（401）的低频链路连接所述第二层微波处理模块，所述第二微波接入链路通过依次贯穿所述垂直互连组件（301）、所述陶瓷盖板（401）的微波链路连接所述第二层微波处理模块，所述微波网络通过依次贯穿所述垂直互连组件（301）、所述陶瓷盖板（401）、所述第二层微波处理模块的射频链路连接所述阵列天线（501）。
9.如权利要求1或8所述的基于三维堆叠气密封装的TR组件，其特征在于，至少所述陶瓷盖板（401）的下表面设置有吸波材料（404）。
10.如权利要求1~9任一所述的基于三维堆叠气密封装的TR组件的组装方法，其特征在于，在所述垂直互连组件（301）的待焊接处预置焊锡，将所述垂直互连组件（301）先固定到所述气密金属围框（201）上后，分别与所述陶瓷底板（101）和所述陶瓷盖板（401）对位焊接，对所述垂直互连组件（301）的待焊接处加热。
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