CN113811959A - 软电缆跨接装置及制造其的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明作为一种软电缆跨接装置，包括软电缆跨接结构体及RF连接器，软电缆跨接结构体包括：覆盖层；第一金属层，其堆叠于覆盖层上并形成有回路图案；第一绝缘体层，其堆叠于第一金属层上；第一粘贴层，其涂布于第一绝缘体层上；第二金属层，其堆叠于涂布有第一粘贴层的第一绝缘体层，并形成有回路图案；耐热层，其堆叠于第二金属层上；以及端子层，其形成于耐热层的一个区域，与第一金属层及第二金属层进行电连接，RF连接器包括插头，其结合于软电缆跨接结构体的一侧，形成有与端子层进行电连接的电极，本发明的软电缆跨接装置以混合结构使用耐热性材料和低介电常数材料，从而具有耐热性及低损耗特性。

Description

软电缆跨接装置及制造其的方法
技术领域
本发明涉及一种软电缆跨接装置及制造其的方法，更为详细地，涉及一种软电缆跨接装置及制造其的方法，其可借助磁性部件的磁力实现插头和插座的连接，并具有耐热性、低介电常数及低损耗特性。
背景技术
现有的同轴电缆厚度较厚，组装电子产品(例如，便携终端)时存在作业繁琐的问题，因此需要开发用于代替同轴电缆的部件。
因此，为了代替这样的同轴电缆而需要引进软跳线(Flexible Jumper)。目前为止众所周知的软跳线制造时有需要经受高温工艺的耐热性的要求，为了解决这个问题，进行了将聚酰亚胺(Polyimide；PI)树脂作为覆盖层而使用的尝试。
聚酰亚胺在能经受240℃至260℃工艺温度的耐热性方面具有优秀的特性，但聚酰亚胺介电常数高，因此存在产生信号干涉现象的问题。
由此，实际情况是，要求开发维持耐热性的同时具有低介电常数特性的新的材料。在这样的情况下，存在作为低介电常数材料被提出的多种材料群，实际情况是，有将这些材料群的特征适用于软跳线从而对展现耐热性和低介电常数特性的新方式的软跳线结构进行开发的必要性。
此外，为了和基板乃至其他装置进行电结合，在软跳线配备有插头，并结合有与插头对应的插座，通过现有的结合方式不利于拆卸，可能会产生基板的损耗系数变差的问题。
先行技术文献
(专利文献1)美国登记专利US6,581,276B2(2003.06.24)
(专利文献2)美国公开专利US2010/0186995A1(2010.07.29)
(专利文献3)韩国登记专利第10-1664241号(2016.10.04)
(专利文献4)韩国公开实用新型第20-2009-001003号(2009.10.01.)
(专利文献5)韩国登记公报10-1912683
(专利文献6)韩国公开专利公报10-2016-0122783
发明内容
本发明为了解决上述的问题而提出，本发明目的在于，提供一种软电缆跨接装置及制造其的方法，以混合结构使用耐热性材料和低介电常数材料，从而具有耐热性及低损耗特性。
此外，目的在于，在以使得插头及插座容易拆卸的形式进行连接的RF(射频，RadioFrequency)模块基板可安装LTCC(低温共烧陶瓷，Low Temperature Co-fired Ceramic)。
根据本发明的一个方面的软电缆跨接装置包括：覆盖层；耐热层，其形成于覆盖层的上部；端子层，其形成于耐热层的一侧上部；以及插头，其形成于端子层上部，插头借助磁性(magnetic)部件的磁力和附着于电子基板的插座接触。
在此，插头和插座分别配备有孔，在孔内部插入并固定有磁性部件。
此外，孔形成至插头和插座的厚度的50％以上的深度。
此外，插头和插座的孔分别为两个以上。
此外，插头和插座分别配备有孔，插头的孔和插座的孔插入有磁性部件，或插入有磁性部件及金属部件，插头和插座互相借助磁性部件的磁力接触，或借助磁性部件和金属部件的磁力接触。
此外，在插头和插座的一侧面分别包括线形的槽。
此外，插头和插座分别为扁平的基板，或分别是弯曲形状的基板。
并且，软电缆跨接装置在覆盖层及耐热层之间还包括：第一金属层，其堆叠于覆盖层上并形成有回路图案；第一绝缘体层，其堆叠于第一金属层上；第一粘贴层，其涂布于第一绝缘体层上；以及第二金属层，其堆叠于涂布有第一粘贴层的第一绝缘体层，并形成有回路图案。
此外，软电缆跨接装置还包括：第二绝缘体层，其堆叠于第二金属层上；第三金属层，其堆叠于第二绝缘体层上，并形成有回路图案；以及第二粘贴层，其涂布于第三金属层上；耐热层形成于涂布有第二粘贴层的第三金属层。
在此，覆盖层及耐热层是聚酰亚胺(Polyimide)。
此外，第一绝缘体层及第二绝缘体层中至少一个以上包括聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene)。
此外，第二绝缘体层的上部面及下部面至少一个以上形成有凹凸。
然后，根据本发明的一个方面的制造软电缆跨接装置的方法，包括：准备覆盖层的步骤；形成耐热层的步骤，在覆盖层的上部形成耐热层；形成端子层的步骤，在耐热层的一侧上部形成端子层；以及形成插头的步骤，在端子层上部形成插头，使用磁性(magnetic)部件的磁力使得插头和附着于电子基板的插座接触。
在此，在形成覆盖层及耐热层的步骤之间，还包括：形成第一金属层的步骤，在覆盖层上堆叠金属，对堆叠的金属进行蚀刻并形成回路图案；堆叠第一绝缘体层的步骤，在第一金属层上堆叠第一绝缘体层；涂布第一粘贴层的步骤，在第一绝缘体层上涂布第一粘贴层；以及形成第二金属层的步骤，在涂布有第一粘贴层的第一绝缘体层上堆叠金属，对堆叠的金属进行蚀刻并形成回路图案。
此外，在形成第二金属层的步骤之后，还包括：堆叠第二绝缘体层的步骤，在第二金属层上堆叠第二绝缘体层；形成第三金属层的步骤，在第二绝缘体层上堆叠金属，对金属进行蚀刻并形成回路图案，从而形成第三金属层；以及堆叠第二粘贴层的步骤，在第三金属层上堆叠第二粘贴层。
此外，在堆叠第二绝缘体的步骤之前，还包括在第二绝缘体的上部面或下部面形成凹凸的步骤。
此外，还包括在堆叠第一绝缘体层的步骤之后对第一绝缘体层的表面进行蚀刻的步骤及在堆叠第二绝缘体层的步骤之后对第二绝缘体层的表面进行蚀刻的步骤中任意一个以上的步骤。
在此，形成耐热层的步骤中，可以通过印刷方式涂布聚酰亚胺薄膜而堆叠耐热层。
并且，插头和插座分别包括孔，在孔内部插入并固定有磁性部件。
此外，孔形成至插头和插座的厚度的50％以上的深度。
根据本发明的软电缆跨接装置以混合结构堆叠并使用耐热性材料和低介电常数材料，从而发挥耐热性优秀和低损耗的效果。
并且，效果在于，插头及插座可借助磁力拆卸，在RF模块基板可安装LTCC，从而可实现小型化、工艺单纯化，损耗系数变小。
附图说明
图1是用于说明在根据本发明的一个实施例的软电缆跨接结构体组装有插头的软电缆跨接装置的外观的图。
图2是例示地示出图1所示的A区域的截面的图。
图3是用于例示地说明图1所示的A区域的软电缆跨接结构体的堆叠结构的图。
图4是例示地说明在图1所示的第二金属层和第三金属层之间配备于第二绝缘体层的上部面的凹凸结构的图。
图5是用于例示地说明本发明的软电缆跨接结构体的制造方法的制造工艺流程图。
图6是用于更详细地说明软电缆跨接结构体的制造方法的制造工艺流程图。
图7表示附着于本发明的软电缆跨接结构体的RF连接器用插座及RF连接器用插头。
图8表示安装有附着于本发明的软电缆跨接结构体的RF连接器的PCB(印刷电路板，Printed circuit board)。
图9表示附着于本发明的软电缆跨接结构体的RF连接器用插座的一个实施例。
图10至图12分别表示附着于本发明的软电缆跨接结构体的RF连接器用插座的另一个实施例。
标号说明
100：软电缆跨接结构体
110-1、110-2：覆盖层、耐热层
130-1、130-2、130-3：第一金属层、第二金属层、第三金属层
150-1、150-2：第一绝缘体层、第二绝缘体层
170-1、170-2：第一粘贴层、第二粘贴层
200：插座
300：插头
具体实施方式
为了充分地理解本发明和本发明的操作上的优点及根据本发明的实施例实现的目的，应参照例示本发明的优选的实施的附图及附图中记载的内容。
说明本发明的优选的实施例时，对可能不必要地混淆本发明的要旨的公知的技术或反复的说明进行减少或省略。
图1是在根据本发明的一个实施例的软电缆跨接结构体组装有插头的软电缆跨接装置，图2示出图1所示的A区域的截面形状，图3表示图1所示的A区域的软电缆跨接结构体的堆叠结构。
以下，参照图1至图3对根据本发明的一个实施例的软电缆跨接装置进行说明。
根据本发明的一个实施例的软电缆跨接装置包括软电缆跨接结构体100和RF连接器，RF连接器包括插头300及插座200。
软电缆跨接结构体100在两侧或一侧组装连接有插头300，以包括插头300和后述的插座200(参照图8)的RF连接器为媒介与其他的电子装置进行电连接。
本发明的软电缆跨接结构体100以混合方式堆叠耐热性材料和低介电常数材料，从而可发挥耐热性和低损耗特性。下面对本发明的软电缆跨接结构体100的堆叠结构进行更详细的说明。图1所示的软电缆跨接结构体包括以表面组装技术(Surface MountTechnology，SMT)方式设置于端子层的插头300，通过包括插头300及插座的连接器起到将基板和基板、基板和部件之间进行电连接的接口功能。在此，插头借助磁性(magnetic)部件的磁力与附着于电子基板的插座接触，并可容易地进行拆卸。
图1所示的软电缆跨接结构体100具有耐热性和低损耗特性，从而可作为软电缆跨接装置的核心材料而使用。为了表现这样的耐热性和低损耗特性，特征在于耐热性材料和低损耗性材料的堆叠顺序及方式。以下，参考将图1所示的A区域部分放大的图2及图3，对这样的软电缆跨接结构体100的堆叠结构进行另外说明。
参照图2，软电缆跨接结构体100构成为，从成为基础层的下部覆盖层按顺序设置金属层、绝缘体层、粘贴层等的多层(Multi-Layer)，本发明的软电缆跨接结构体100在构成多层的各层的厚度、表面加工方式、各层的材料及层的堆叠顺序方面具有技术性特征。
以下参考另外的附图，对本发明的软电缆跨接装置的核心构成，即软电缆跨接结构体100的各层的材料、厚度、堆叠顺序、表面加工方式等进行说明。
参考图3，在软电缆跨接结构体100的最下部层可设置有覆盖层110-1。图3中覆盖层110-1可以成为基础层。覆盖层110-1可使用耐热性材料，优选地，可使用聚酰亚胺(Polyimide)。覆盖层110-1的厚度可以是25μm～40μm，优选地，可使用30μm～35μm的厚度。覆盖层110-1为耐热特性好的材料，因此在240℃至260℃工艺温度下也不会发生物理·化学性变化，可维持基本特性。
在覆盖层110-1的上部，可设置有具备已决定的回路图案的第一金属层130-1。第一金属层130-1可与后面说明的插头300进行电连接。第一金属层130-1可以由在导电特性优秀的铜、金、白金、银中选择的任意一种或两种以上的合金构成。
对于第一金属层130-1与插头300的电连接结构及方式，可使用多种方式。例如，可以以通孔(via hole)方式形成第一金属层130-1与端子层之间的电气路径，也可通过接口端子和插头300进行电连接。这样的方式与理解本发明的技术性思想的关联性较低，因此省略对其的详细的说明。但是，通常可适用众所周知的插头和多层金属层的电连接方式是不言自明的事项。
在第一金属层130-1的上部可以用介电常数低的材料堆叠第一绝缘体层150-1。第一绝缘体层150-1使用低介电常数材料，优选地，可使用聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene)及与其物性相似的其他材料。
下面的化学式1表示聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)的化学结构。
[化学式1]
Figure BDA0003346696200000061
聚四氟乙烯由使得很多小分子(单位体)以链条或网状进行化学结合并制作的巨大分子形成。聚四氟乙烯是属于有机聚合物系列的非可燃性氟树脂。聚四氟乙烯呈现了极少的介电损耗、高绝缘性及破坏电压等优秀的电特性。尤其，聚四氟乙烯在介电常数和介电损耗方面全部呈现了最小值，且体积电阻率极高，从而可以在广泛的温度和频率中维持稳定性，因此可用作绝缘材料。聚四氟乙烯在1MHz具有2.1的介电常数。第一绝缘体层150-1的厚度可以为100μm～150μm，优选地，为110μm～140μm。为了提高粘贴性，聚四氟乙烯在上部或下部的表面通过化学蚀刻工艺可在表面形成粗度并使用。
然后，在第一绝缘体层150-1的上部可涂布第一粘贴层170-1。第一粘贴层170-1涂布为30μm～70μm的厚度，优选地，可涂布为40μm～60μm的厚度。
在涂布有第一粘贴层170-1的表面上可堆叠有第二金属层130-2。第二金属层130-2加工成已决定的回路图案，并可提供软电缆跨接结构体的两侧的电气路径。第二金属层130-2可以由在导电特性优秀的铜、金、白金、银中选择的任意一种或两种以上的合金构成。
在第二金属层130-2的上部可堆叠有第二绝缘体层150-2。如上所述，第二绝缘体层150-2可以使用具有与第一绝缘体层150-1相同的物质和厚度且具有低介电常数的材料。例如，可使用聚四氟乙烯。
另外，在第二绝缘体层150-2的上部面及下部面中的任意一面或两面配备凹凸结构，从而即使不使用另外的粘贴剂也可提高第二金属层130-2和第三金属层130-3之间的接触力。为了更详细地说明而参考图4。
图4是例示地说明在图1所示的第二金属层和第三金属层之间配备于第二绝缘体层的上部面的凹凸结构的图。参考图4，在第二绝缘体层150-2的上部面可形成有多个凹凸151。凹凸的形态、大小、尺寸根据第二绝缘体层150-2的厚度、宽度、长度可能会有所不同。除第二绝缘体层150-2的上部面外，在下部面也可配备有凹凸，可在上部面或下部面的一部分或整体配备有凹凸。这样在第二绝缘体层150-2上部及下部配备凹凸结构，从而可提高第二金属层130-2及第三金属层130-3和第二绝缘体层150-2之间的接触力。
再次参考图3，在第二绝缘体层150-2的上部可形成有第三金属层130-3。第三金属层130-3形成有已决定的形态的回路图案，并可提供软电缆跨接装置的两侧的电气路径。
在第三金属层130-3的上部可涂布有第二粘贴层170-2。第二粘贴层170-2的厚度涂布为30μm～70μm的厚度，优选地，可涂布为40μm～60μm的厚度。第三金属层130-3可以由在导电特性优秀的铜、金、白金、银中选择的任意一种或两种以上的合金构成。
在第二粘贴层170-2的上部可堆叠耐热性材料，即耐热层110-2。在此，耐热层110-2使用耐热特征优秀的材料，优选地，可使用聚酰亚胺。耐热层110-2的厚度可以为25μm～40μm，优选地，可使用30μm～35μm的厚度。耐热层110-2为耐热特性优秀的材料，因此即使在240℃至260℃工艺温度下也不发生物理·化学性变化，可维持基本特性。用耐热层110-2对上部面进行收尾，从而在适用SMT构成插头300的工艺中也可发挥防止热变形的效果。
即，本发明的耐热性材料的覆盖层110-1及耐热层110-2使用耐热材料，即聚酰亚胺，从而可发挥显著地减少在SMT工艺后产生损坏的情况并防止在回流(reflow)工艺后产生热变形的效果。
此外，在第一金属层130-1和第二金属层130-2之间配备低介电常数材料，即第一绝缘体层150-1，在第二金属层130-2及第三金属层130-3之间配备第二绝缘体层150-2，从而可发挥低损耗效果。
并且，为了对耐热层110-2和插头300进行电连接而可形成有端子层130-4。端子层130-4可形成于软电缆跨接结构体最上部面的两侧或一侧的一个区域。端子层130-4可以由在导电特性优秀的铜、金、白金、银中选择的任意一种或两种以上的合金构成。
在此，堆叠耐热层的步骤中，在粘贴层的介入下以热压(Hot press)方式对聚酰亚胺薄膜进行加热加压，从而可在第二金属层上堆叠耐热层。
软电缆跨接装置的制造方法，在完成软电缆跨接结构体后，可通过将插头以SMT方式组装于端子部的方式实现。为了将插头与软电缆跨接结构体连接而可使用SMT方式，但不限定于此。下面对制造软电缆跨接结构体的方法进行具体的说明。
图5是用于例示地说明本发明的软电缆跨接结构体的制造方法的制造工艺流程图。参考图5，可实行准备覆盖层的步骤S510。可通过在基础基板形成25μm～40μm厚度的聚酰亚胺薄膜而准备覆盖层。优选地，与喷雾方式相比，通过印刷方式准备覆盖层。
在覆盖层上可堆叠1μm～10μm厚度的金属，对金属进行蚀刻并形成已决定的回路图案，从而可形成第一金属层S520。
在第一金属层上堆叠第一绝缘体层，其堆叠厚度为100μm～150μm，优选地，可堆叠为110μm～140μm的厚度S530。第一绝缘体层可使用聚四氟乙烯，此时，可使用通过铸造或切割生产的聚四氟乙烯。为了提高粘贴性，第一绝缘体层在上部或下部的表面通过化学蚀刻工艺可在表面形成粗度并使用。其可在堆叠第一绝缘体层之前进行蚀刻，也可在堆叠第一绝缘体层后进行蚀刻。如果在堆叠绝缘体层后进行蚀刻，则有工艺单纯化的优点。
在第一绝缘体层上部可通过涂布粘贴剂而涂布第一粘贴层S540。在此，粘贴剂的厚度可使用30μm～70μm，优选地，可涂布为40μm～60μm的厚度。
在涂布有第一粘贴层的表面上堆叠金属，对金属进行蚀刻并形成已决定的回路图案，从而可形成第二金属层S550。此时，第二金属层可使用诸如1μm～10μm厚度的从铜、金、银、白金中选择的任意一种或两种以上的合金等导电性优秀的金属。
此外，在形成第二金属层后可进行形成耐热层的步骤S560。根据另一个实施例，形成第二金属层后，可进行A步骤。
参考图6，针对A工艺步骤，可进行在第二金属层上堆叠第二绝缘体层的步骤S550-1。其堆叠厚度为100μm～150μm，优选地，可堆叠为110μm～140μm的厚度。第二绝缘体层可使用聚四氟乙烯，此时，可使用通过铸造或切割生产的聚四氟乙烯。此外，可追加进行在第二绝缘体层的上部面或下部面形成凹凸的步骤。可在堆叠第二绝缘体层之前进行蚀刻，也可在堆叠第二绝缘体层后进行蚀刻。如果在堆叠绝缘体层后进行蚀刻，则有工艺单纯化的优点。
在第二绝缘体层上堆叠金属，对金属进行蚀刻并形成已决定的回路图案，从而可形成第三金属层S550-2。此时，第三金属层可使用诸如1μm～10μm厚度的从铜、金、银、白金中选择的任意一种或两种以上的合金等导电性优秀的金属。
在第三金属层上可通过涂布粘贴剂而涂布第二粘贴层S550-3。在此，粘贴剂的厚度为30μm～70μm，优选地，可涂布为40μm～60μm的厚度。在涂布第二粘贴层之后，可进行形成耐热层的步骤S560。
可进行在涂布有第二粘贴层的第三金属层上形成耐热层的步骤S560。如果在未进行A步骤的实施例中，在形成第二金属层后进行形成耐热层的步骤S560之前，可追加进行涂布粘贴剂的工艺。耐热层是为了耐热特征，为了形成耐热层可涂布25μm～40μm厚度的聚酰亚胺薄膜。
在耐热层上堆叠金属，可形成用于和插头电连接的端子层S570。此时，端子层可使用诸如1μm～10μm厚度的从铜、金、银、白金中选择的任意一种或两种以上的合金等导电性优秀的金属。
通过如上的工艺制造软电缆跨接结构体100，在此，结合配备有磁性部件的插头300，从而制造软电缆跨接装置。
如图7所示，RF连接器包括图7(a)所示的插座200及图7(b)所示的插头300。在插座200的上部一个侧面配备电极215，在插头300的上部一个侧面配备电极315。并且，插头300的电极315为了和插座200的电极215接触，插座200的磁性部件411、412、413、414具有借助磁力与插头300的磁性部件511、512、513、514连接的结构。
具有插座200的电极215的面和具有插头300的电极315的面相对，插座200的磁性部件411可与插头300的磁性部件513连接，插座200的磁性部件412可与插头300的磁性部件514连接，插座200的磁性部件413可与插头300的磁性部件512连接，插座200的磁性部件414可与插头300的磁性部件511分别连接。
借助磁力连接的结构可意味着连接N极和S极，也可意味着连接磁石和金属。例如，插头的孔和插座的孔插入有磁性部件或金属部件，从而磁性部件之间可互相接触或磁性部件可与金属部件接触。
插座200的电极215和插头300的电极315可形成为单层或多层。电极层的材料可使用在铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、锡(Sn)、钼(Mo)中选择的任意一种，也可将这些的合金或其他的金属混合并使用。例如，可使用诸如TiCu、NiTi、TiCu、NiNb、CuMo、TiAg等的合金。在陶瓷材料的插座200和插头300互相附着的时候，由于容易破碎，因此，插座200的电极215和插头300的电极315优选地使用多层的金属层，例如，可使用Ag电极层、Ni电极层、Au电极层按顺序堆叠的多层。
插座200的电极215和插头300的电极315形成多层的情况，优选地，Ag电极层为5～15μm，Ni电极层为3～10μm，Au电极层为0.01～0.5μm。此外，Ag电极层、Ni电极层、Au电极层的多层的厚度使用10～20μm，从而可获得充分的导电性，此外也可获得缓冲层的效果。
此外，虽然未示出，但在插座200的内部可内置有EMI/ESD。因此，优点在于，无需另外设置EMI/ESD，工艺单纯化，并可实现机器的小型化。
在插头300的下部可与软电缆跨接结构体100连接。插座200及插头300可使用LTCC。据此，优点在于，可以获得RF模块的损耗系数在5G的频域即3.5G～28G变小的RF连接器。
图8表示在PCB安装有RF连接器的图。
软电缆跨接结构体的插座200与PCB10的上部的插头300借助磁性部件的磁力接触，从而软电缆跨接结构体可容易地在PCB拆卸。
为了将插座200安装于PCB10的上部而可使用一般的粘贴部件。例如，可使用诸如环氧树脂的有机粘贴部件进行固定，也可使用诸如焊接的金属粘贴部件进行固定，但不限定于此。
虽然图8中未示出，但也可使用在插座200的下部配备磁性部件，在PCB10的上部配备磁性部件，从而借助磁性部件的磁力拆卸插座200和PCB10的方法。
然后，对用于在插座或插头插入磁性部件的孔的数量及形状进行说明。供磁性部件插入的孔在插座及插头可分别配备2个以上。例如，图9(a)表示具有4个孔的插座200，图9(b)表示具有2个孔的插座200A。
如图9(a)所示，插座200可配备4个孔211、212、213、214。为了稳定地附着插座及插头，优选地，孔分别配备于插座及插头的角落。孔的形状可以是圆形或椭圆形，也可以是三角形、四边形、五边形等多边形，但不限定于此，只要是磁性部件可插入孔的形状都可以。
如图9(b)所示，插座200A可配备2个孔211A、212A。在此，与插座200A对应的插头(未示出)配备2个孔，从而配备于插头的一侧的电极和配备于插座200A的一侧的电极可借助磁性部件的磁力接触。
然后，对在插座及插头钻孔的孔的深度进行说明。为了在插座及插头固定磁性部件，在插座及插头可配备有具有一定深度的孔。孔的深度可使得磁性部件稳定地固定于插座及插头即可，可使用插座及插头的各自的厚度的25％以上，优选地，可使用插座及插头的各自的厚度的50％以上，更为优选地，可使用插座及插头的各自的厚度的75％以上。
如图10(a)所示，插座200配备有用于插入磁性部件411、412、413、414的孔211、212、213、214，孔211、212、213、214可钻孔至插座200厚度的50％。
如图10(b)所示，插座200B配备有用于插入磁性部件411B、412B、413B、414B的孔211B、212B、213B、214B，孔211B、212B、213B、214B可钻孔至插座200B厚度的100％。插座200B厚度的全部被钻孔的情况，优点在于，磁性部件的固定性好，且可从插座的后面或前面插入，因此作业性变得容易。
为了在插座及插头的孔固定磁性部件，不配备特别的附着装置也可以。即，插座及插头的孔的直径可以设计为与插入的磁性部件的直径相同或稍大并进行固定。例如，如果插座及插头的孔的直径设计为比插入的磁性部件的直径大0.1％至3％并将磁性部件插入插座及插头的孔，则借助孔和磁性部件的摩擦力，磁性部件可物理固定于插座及插头的孔。
或者，插座及插头为陶瓷，因此在将磁性部件嵌入插座及插头的孔时，向插座及插头施加很多压力而容易破碎的情况，插座及插头的孔的直径可以设计为比插入的磁性部件的直径大并进行固定。例如，插座及插头的孔的直径设计为比插入的磁性部件的直径大3％至20％，也可使用环氧树脂、硅橡胶等有机粘贴剂将磁性部件固定于插座及插头的孔。在此，在缓和插座及插头的拆卸时的冲击的方面，硅橡胶比环氧树脂更优选。
然后，对在插座及插头钻孔形成的孔的结构进行说明
如图11(a)所示，插座200可配备圆形的磁性部件411、412、413、414。此外，如图11(b)所示，作为借助磁性部件的磁力使得配备于插头的一侧的电极和配备于插座的一侧的电极接触的另一个形态，插座200C配备线形的槽，在该槽可固定线形的磁性部件411C、412C。与插座200C对应的插头(未示出)也配备线形的槽，将线形的磁性部件固定于线形的槽，从而可使得插座200C的磁性部件411C、412C和插头的磁性部件通过磁力连接。如果使用线形的磁性部件411C、412C，则与使用圆形的磁性部件411、412、413、414的情况相比，优点在于，磁性部件间接触的面积增加，从而可增加插座和插头的附着力。
然后，对插座和插头的基板形状进行说明。
如图12(a)所示，插座200和插头300可使用扁平形状的基板。或者，插座和插头也可使用弯曲形状的基板。
例如，如图12(b)所示，插头300D的配备电极的面的截面为凹陷的形状，插座200D的配备电极的面的截面可使用凸起的形状。此外，如图12(c)所示，插头300F的配备电极的面的截面为凸起的形状，插座200F的配备电极的面的截面可使用凹陷的形状。将插座和插头作为弯曲形状的基板使用，从而具有可减少排列错误的优点。
以上，参照例示的图对本发明进行了说明，但不限定于记载的实施例，不脱离本发明的思想及范围可进行多种修正和变形，这对于在该技术领域具有一般知识的人员而言是不言自明的。因此，进行的修正例或变形例应属于本发明的权利要求范围，本发明的权利范围应以权利要求书为基础进行解释。

Claims (14)

1.一种软电缆跨接装置，其特征在于，包括：
覆盖层；
耐热层，其形成于覆盖层的上部；
端子层，其形成于耐热层的一侧上部；以及
插头，其形成于端子层上部，
插头借助磁性部件的磁力和附着于电子基板的插座接触。
2.根据权利要求1所述的软电缆跨接装置，其特征在于，
插头和插座分别配备有孔，
在孔内部插入并固定有磁性部件。
3.根据权利要求2所述的软电缆跨接装置，其特征在于，
插头和插座的孔分别为两个以上，
孔形成至插头和插座的厚度的50％以上的深度。
4.根据权利要求1所述的软电缆跨接装置，其特征在于，
在插头和插座的一侧面分别包括线形的槽，
在线形的槽内部插入有磁性部件。
5.根据权利要求1所述的软电缆跨接装置，其特征在于，
插头和插座分别为扁平的基板，或分别是弯曲形状的基板。
6.根据权利要求1所述的软电缆跨接装置，其特征在于，在覆盖层及耐热层之间还包括：
第一金属层，其堆叠于覆盖层上并形成有回路图案；
第一绝缘体层，其堆叠于第一金属层上；
第一粘贴层，其涂布于第一绝缘体层上；以及
第二金属层，其堆叠于涂布有第一粘贴层的第一绝缘体层，并形成有回路图案。
7.根据权利要求6所述的软电缆跨接装置，其特征在于，还包括：
第二绝缘体层，其堆叠于第二金属层上；
第三金属层，其堆叠于第二绝缘体层上，并形成有回路图案；以及
第二粘贴层，其涂布于第三金属层上，
耐热层形成于涂布有第二粘贴层的第三金属层，
第一绝缘体层及第二绝缘体层中至少一个以上包括聚四氟乙烯。
8.根据权利要求1所述的软电缆跨接装置，其特征在于，
覆盖层及耐热层为聚酰亚胺。
9.根据权利要求7所述的软电缆跨接装置，其特征在于，
第二绝缘体层的上部面及下部面的至少一个以上形成有凹凸。
10.一种软电缆跨接装置的制造方法，其特征在于，包括：
准备覆盖层的步骤；
形成耐热层的步骤，在覆盖层的上部形成耐热层；
形成端子层的步骤，在耐热层的一侧上部形成端子层；以及
形成插头的步骤，在端子层上部形成插头，
使用磁性部件的磁力使得插头和附着于电子基板的插座接触。
11.根据权利要求10所述的软电缆跨接装置的制造方法，其特征在于，
在形成覆盖层及耐热层的步骤之间，还包括：
形成第一金属层的步骤，在覆盖层上堆叠金属，对堆叠的金属进行蚀刻并形成回路图案；
堆叠第一绝缘体层的步骤，在第一金属层上堆叠第一绝缘体层；
涂布第一粘贴层的步骤，在第一绝缘体层上涂布第一粘贴层；以及
形成第二金属层的步骤，在涂布有第一粘贴层的第一绝缘体层堆叠金属，对堆叠的金属进行蚀刻并形成回路图案。
12.根据权利要求11所述的软电缆跨接装置的制造方法，其特征在于，在形成第二金属层的步骤以后，还包括：
堆叠第二绝缘体层的步骤，在第二金属层上堆叠第二绝缘体层；
形成第三金属层的步骤，在第二绝缘体层上堆叠金属，对金属进行蚀刻并形成回路图案，从而形成第三金属层；以及
堆叠第二粘贴层的步骤，在第三金属层上堆叠第二粘贴层，
还包括在堆叠第一绝缘体层的步骤之后对第一绝缘体层的表面进行蚀刻的步骤及在堆叠第二绝缘体层的步骤之后对第二绝缘体层的表面进行蚀刻的步骤中任意一个以上的步骤。
13.根据权利要求12所述的软电缆跨接装置的制造方法，其特征在于，
在堆叠第二绝缘体层的步骤之前，还包括在第二绝缘体的上部面或下部面形成凹凸的步骤。
14.根据权利要求10所述的软电缆跨接装置的制造方法，其特征在于，
形成耐热层的步骤中，以印刷方式涂布聚酰亚胺薄膜并堆叠耐热层。
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