CN113793818B - 一种半导体设备及吹扫方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种半导体设备及吹扫方法，包括：反应腔室、传感器、吹扫装置以及控制器，控制器与传感器和吹扫装置连接。传感器检测反应腔室内是否存在晶圆，并将检测信号发送至控制器，控制器根据检测信号生成吹扫信号，并将检测信号和吹扫信号发送至吹扫装置，吹扫装置在接收到检测信号和吹扫信号后对传感器进行吹扫，以去除由于湿润环境导致传感器附着的水滴，减小水滴导致的光强损失，提高传感器的使用寿命，同时减小水滴导致的反射或折射，提高传感器的检测效果，进而使得半导体设备能够对晶圆正常地进行处理工艺，提高晶圆良率。

Description

一种半导体设备及吹扫方法

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体设备及吹扫方法。

背景技术

现有的半导体机台通常使用传感器检测反应腔室内是否存在晶圆，若反应腔室内存在晶圆，则对晶圆进行处理工艺，若反应腔室内不存在晶圆，则通过机械手臂等将晶圆传输至反应腔室内。

但是当反应腔室内有水、化学液、化合物等存在时，反应腔室内部为湿润环境，影响传感器的检测效果以及使用寿命。

发明内容

本申请提供一种半导体设备及吹扫方法，用以解决反应腔室内部为湿润环境，影响传感器的检测效果以及使用寿命的问题。

第一方面，本申请提供一种半导体设备，包括：

反应腔室、传感器、吹扫装置以及控制器；所述控制器与所述传感器和所述吹扫装置连接；

所述传感器用于检测所述反应腔室内是否存在晶圆，并将检测信号发送至所述控制器；

所述控制器用于根据所述检测信号生成吹扫信号，并将所述检测信号和所述吹扫信号发送至所述吹扫装置；

所述吹扫装置用于在接收到所述检测信号和所述吹扫信号后对所述传感器进行吹扫。

可选的，所述检测信号指示所述反应腔室内存在晶圆时，所述吹扫信号包括腔门关闭信号，所述控制器包括：第一控制器和第二控制器；

所述第一控制器用于在接收到所述检测信号预设时间后，将所述检测信号发送至所述吹扫装置；

所述第二控制器用于在接收到所述检测信号后，控制所述晶圆在工艺完成后移出所述反应腔室，并关闭腔门生成腔门关闭信号，将所述腔门关闭信号发送至所述吹扫装置。

可选的，所述预设时间大于或等于将所述晶圆完成工艺移出所述反应腔室并关闭腔门所需的时间。

可选的，所述第一控制器和所述吹扫装置之间连接有第一电磁阀，所述第二控制器和所述吹扫装置之间连接有第二电磁阀；

所述第一控制器具体用于在接收到所述检测信号后，控制所述第一电磁阀关闭预设时间后开启，以将所述检测信号发送至所述吹扫装置；

所述第二控制器具体用于生成所述腔门关闭信号后，控制所述第二电磁阀开启，以将所述吹扫信号发送至所述吹扫装置。

可选的，所述设备包括：与阀门，所述吹扫装置包括气动阀；所述与阀门的第一入口端与所述第一电磁阀连接，所述与阀门的第二入口端与所述第二电磁阀连接，所述与阀门的出口端与所述气动阀连接；

所述与阀门用于在接收到所述第一电磁阀以及所述第二电磁阀开启的信号后，控制所述气动阀打开，以使得所述吹扫装置接收所述检测信号和所述吹扫信号。

可选的，所述检测信号指示所述反应腔室内不存在晶圆，所述吹扫信号包括腔室冲洗信号，所述控制器包括：第二控制器；

所述第二控制器具体用于接收到所述检测信号后，检测所述半导体设备是否处于空置状态，若是，则根据所述检测信号生成腔室冲洗信号，并将所述腔室冲洗信号发送至所述吹扫装置。

可选的，所述第二控制器和所述吹扫装置之间连接有第三电磁阀；

所述第二控制器具体用于在生成所述腔室冲洗信号后，控制所述第三电磁阀开启，以将所述腔室冲洗信号发送至所述吹扫装置。

可选的，所述吹扫装置包括气动阀；

所述第二控制器具体用于生成所述腔室冲洗信号后，控制所述第三电磁阀开启，以控制所述气动阀打开，以将所述腔室冲洗信号发送至所述吹扫装置。

可选的，所述传感器为光纤传感器，所述吹扫装置具体用于利用氮气对所述光纤传感器进行吹扫。

可选的，所述气动阀包括防酸碱且开度可调的气动阀。

可选的，所述传感器和所述第二控制器之间连接有放大器；

所述放大器用于将所述传感器生成的检测信号放大后发送至所述第二控制器。

可选的，所述吹扫装置的尺寸是可调的。

第二方面，本申请提供一种吹扫方法，包括：利用第一方面及第一方面任意一项所述的半导体设备，包括：

接收传感器发送的检测信号，所述检测信号包括所述半导体设备的反应腔室内是否存在晶圆的检测结果；

根据所述检测信号生成吹扫信号，并将所述检测信号和所述吹扫信号发送至吹扫装置，以使得所述吹扫装置在接收到所述检测信号以及吹扫信号后对所述传感器进行吹扫。

可选的，所述检测信号指示所述反应腔室内存在晶圆，所述吹扫信号包括腔门关闭信号；

所述将所述检测信号发送至吹扫装置，具体包括：

在接收到所述检测信号预设时间后，将所述检测信号发送至所述吹扫装置；

根据所述检测信号控制所述晶圆在工艺完成后移出所述反应腔室，并在关闭腔门后生成腔门关闭信号，将所述腔门关闭信号发送至所述吹扫装置。

可选的，所述检测信号指示所述反应腔室内不存在晶圆，所述吹扫信号包括腔室冲洗信号；

根据所述检测信号生成吹扫信号，具体包括：

在接收到所述检测信号后，检测所述半导体设备是否处于空置状态，若是，则根据所述检测信号生成腔室冲洗信号。

本申请提供的一种半导体设备，包括：反应腔室、传感器、吹扫装置以及控制器，控制器与传感器和吹扫装置连接。传感器检测反应腔室内是否存在晶圆，并将检测信号发送至控制器，控制器根据检测信号生成吹扫信号，并将检测信号和吹扫信号发送至吹扫装置，吹扫装置在接收到检测信号和吹扫信号后对传感器进行吹扫，以去除由于湿润环境导致传感器附着的水滴，减小水滴导致的光强损失，提高传感器的使用寿命，同时减小水滴导致的反射或折射，提高传感器的检测效果，进而使得半导体设备能够对晶圆正常地进行处理工艺，提高晶圆良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一实施例提供的一种半导体设备的结构示意图；

图2为本申请一实施例提供的另一种半导体设备的结构示意图；

图3为本申请一实施例提供的一种信号传输示意图；

图4为本申请一实施例提供的另一种半导体设备的结构示意图；

图5为本申请一实施例提供的一种信号传输示意图；

图6为本申请一实施例提供的一种吹扫方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

半导体领域的处理设备，例如化学机械研磨(CMP)机台、湿式制程(Wet)机台、薄膜处理(thin film)机台，通常使用传感器来检测各种机台的反应腔室(chamber)中是否存在晶圆，例如使用光纤传感器检测反应腔室内是否存在晶圆。反应腔室内存在晶圆时，对晶圆进行相应的处理工艺，反应腔室内不存在晶圆时向机械手臂发送信号使得机械手臂将晶圆传输至反应腔室内。

但是反应腔室内存在水(DIW)、化学液(Chemical)、研磨液(Slurry)、清洗液、化合物时，反应腔室内部为湿润环境，光纤传感器易附着水滴，造成光强损失，而光强需要达到一定标准(SPEC)才可以判断晶圆是否存在，因而需要增大光纤传感器的功率恢复光强，但是增大光纤传感器的功率会影响光纤传感器的使用寿命。而且光纤传感器附着水滴时，会发生折射或反射，影响光纤传感器的检测效果，导致机台错误警报，影响晶圆的正常处理，从而影响晶圆良率。

为此，本申请提供一种半导体设备，包括：反应腔室、传感器、吹扫装置以及控制器，控制器与传感器和吹扫装置连接。传感器检测反应腔室内是否存在晶圆，并将检测信号发送至控制器，控制器根据检测信号生成吹扫信号，并将检测信号和吹扫信号发送至吹扫装置，吹扫装置在接收到检测信号和吹扫信号后对传感器进行吹扫，以去除由于湿润环境导致传感器附着的水滴，减小水滴导致的光强损失，提高传感器的使用寿命，同时减小水滴导致的反射或折射，提高传感器的检测效果，进而使得半导体设备能够对晶圆正常地进行处理工艺，提高晶圆良率。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

本申请实施例提供一种半导体设备，参考图1所示，包括：

反应腔室101、传感器102、吹扫装置103以及控制器104，控制器104与传感器102和吹扫装置103连接；

传感器102用于检测反应腔室101内是否存在晶圆，并将检测信号发送至控制器104；

控制器104用于根据检测信号生成吹扫信号，并将检测信号和吹扫信号发送至吹扫装置103；

吹扫装置103用于在接收到检测信号和吹扫信号后对传感器102进行吹扫。

反应腔室101用于提供对晶圆进行处理工艺的空间，处理工艺例如包括：沉积工艺、刻蚀工艺等。沉积工艺包括：物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)等。刻蚀工艺包括：等离子刻蚀(PE)、反应离子刻蚀(RIE)等。

一个半导体设备可以包括一个或多个反应腔室101，包括多个反应腔室时，多个反应腔室可以进行相同或不同的处理工艺。反应腔室101包括相对设置的上极板和下极板，当对晶圆进行处理工艺时，将晶圆放置于下极板上，反应离子在上极板和下极板之间的电场作用下向晶圆移动，对晶圆进行处理。例如，对晶圆进行等离子刻蚀处理，上极板连接射频源后，工艺气体在射频激励作用下形成等离子体，等离子体在上极板和下极板之间的电场作用下向晶圆表面移动，对晶圆进行刻蚀处理。反应腔室101内可以设置晶圆承载装置，晶圆承载装置用于承载晶圆，晶圆承载装置还可以作为反应腔室101的下极板。

传感器102用于检测反应腔室101内是否存在晶圆，并将检测信号发送至控制器104。反应腔室101内存在晶圆时，检测信号指示反应腔室101内存在晶圆。反应腔室101内不存在晶圆时，检测信号指示反应腔室101内不存在晶圆。

作为一种实现方式，传感器102可以为光纤传感器，光纤传感器是一种将被测对象的状态转变为可测的光信号的传感器。具体是将光源入射的光束经由光纤送入调制器，在调制器内与外界被测参数的相互作用，使光的光学性质如光的强度、波长、频率、相位、偏振态等发生变化，成为被调制的光信号，再经过光纤送入光电器件、经解调器后获得被测参数。因而，光纤传感器能够检测反应腔室101内是否存在晶圆。

控制器104在接收到检测信号之后根据检测信号生成吹扫信号，并将检测信号和吹扫信号一并发送给吹扫装置103。

作为一种实现方式，控制器104可以包括第一控制器1011和第二控制器1012，参考图2所示。传感器102在检测到反应腔室101内是否存在晶圆后，将检测信号发送至第一控制器1011和第二控制器1012。当检测信号指示反应腔室101内存在晶圆时，第一控制器1011在接收到检测信号后，并未立即将检测信号发送至吹扫装置103，而是在接收到检测信号预设时间后，再将检测信号发送至吹扫装置103，该预设时间能够使得晶圆在被处理完成后移出反应腔室101，避免对晶圆的性能造成影响，例如引入额外的颗粒(particle)。预设时间可以根据实际情况进行调节，例如可以大于或等于晶圆完成工艺、晶圆移出反应腔室以及腔门关闭所需的时间。第二控制器1012在接收到检测信号后，控制晶圆在完成工艺后移出反应腔室101，并关闭反应腔室101的腔门，生成包括腔门关闭信号(chamber shutter closesignal)的吹扫信号，并将包括腔门关闭信号的吹扫信号发送至吹扫装置103。

为了便于理解本实现方式，以下结合图3所示的信号传输示意图吹扫处理过程进行详细说明。图3中的四条折线由上至下分别记为第一折线a、第二折线b、第三折线c和第四折线d。第一折线a的凸起表示第二控制器1012接收检测信号的过程。第三折线c的凹陷表示第二控制器1012生成腔门关闭信号的过程。根据第一折线a和第三折线c可知，第二控制器1012接收检测信号一段时间后生成腔门关闭信号，这一段时间可以理解为晶圆工艺完成、移出反应腔室以及关闭腔门所需的时间。第二折线b的凸起表示第一控制器1011发送检测信号的过程，根据第一折线a和第二折线b可知，第一控制器1011在第二控制器1012接收检测信号一段时间后发送检测信号，由于第一控制器1011和第二控制器1012同时接收检测信号，即第一控制器1011在接收到检测信号预设时间后将检测信号发送至吹扫装置103。第四折线d的凸起表示吹扫装置103在接收到检测信号和吹扫信号后进行清扫处理的过程。

第一控制器1011可以为可编程逻辑控制器(Programmable Logic Controller，PLC)，可编程逻辑控制器采用一种可编程的存储器，在其内部存储执行逻辑运算、顺序控制、定时、计数和算术运算等操作的指令，通过数字式或模拟式的输入输出来控制各种类型的机械设备或生产过程。

参考图2所示，第一控制器1011和吹扫装置103之间可以连接有第一电磁阀(SV)105，第一控制器1011在接收到检测信号后，向第一电磁阀105发送延时信号，以控制第一电磁阀105关闭预设时间，以使得晶圆能够完成工艺并移出反应腔室101。当接收到检测信号预设时间后，向第一电磁阀105发送开启信号，以控制第一电磁阀105开启，从而将检测信号发送至吹扫装置103。

第二控制器1012和吹扫装置103之间可以连接有第二电磁阀106，第二控制器1012在生成腔门关闭信号后，控制第二电磁阀106开启，将腔门关闭信号发送至吹扫装置103。

半导体设备还可以包括与阀门(And Valve)108，吹扫装置103可以包括气动阀，与阀门108包括两个输入端口和一个输出端口，两个输入端口分别与第一电磁阀105和第二电磁阀106连接，即与阀门108的第一入口端和第一电磁阀105连接，与阀门108的第二入口端与第二电磁阀106连接。与阀门108的出口端与吹扫装置103的气动阀连接，与阀门108在接收到第一电磁阀105以及第二电磁阀106开启的信号后，控制气动阀打开，即第一电磁阀105和第二电磁阀106同时开启后，与阀门108才可以控制气动阀打开，气动阀是吹扫气体是否导通的开关，气动阀打开后，吹扫装置103才可以接收检测信号和吹扫信号。

在具体的应用中，还可以在传感器102和第二控制器1012之间连接放大器(Amplifier)，则传感器102将检测信号通过放大器将检测信号放大后再发送至第二控制器1012，以提高第二控制器1012的信号识别效果。

作为另一种实现方式，控制器104可以包括第二控制器1012，参考图4所示。传感器102在检测到反应腔室101内是否存在晶圆后，将检测信号发送至第二控制器1012。检测信号指示反应腔室内不存在晶圆时，第二控制器1012在接收到检测信号后，检测半导体设备是否处于空置状态(idle)，空置状态是指半导体设备可以正常使用，但是此时不做制程。若检测到半导体设备处于空置状态，则根据检测信号包括腔室冲洗信号(chamber rinse)的吹扫信号，腔室冲洗是指半导体设备在空置状态时为了防止反应腔室内干燥，产生颗粒，对反应腔室进行冲洗处理。第二控制器1012在生成包括腔室冲洗信号的吹扫信号后，将包括腔室冲洗信号的吹扫信号发送至吹扫装置103。

为了便于理解本实现方式，以下结合图5所示的信号传输示意图对吹扫处理过程进行详细说明。图5中的两条折线由上至下分别记为第五折线e和第六折线f，第五折线e的凸起表示控制器104发送腔室冲洗信号的过程，第六折线f的凸起表示吹扫装置103进行吹扫处理的过程。根据第五折线e和第六折线f可知，吹扫装置103在接收到腔室冲洗信号后进行吹扫处理。

本实施例中，第二控制器1012在接收到检测信号后还可以将检测信号发送至吹扫装置103。也可以是控制器104还包括第一控制器1011，第一控制器1011与传感器102和吹扫装置103连接，通过第一控制器1011将检测信号发送至吹扫装置103。

第二控制器1012和吹扫装置103之间可以连接有第三电磁阀110，参考图4所示，第二控制器1012在生成腔室冲洗信号后，控制第三电磁阀110开启，以将腔室冲洗信号发送至吹扫装置103。

吹扫装置103可以包括气动阀，第二控制器1012在生成腔室冲洗信号后，控制第三电磁阀110开启，第三电磁阀110开启后能够控制气动阀打开，以将检测信号和吹扫信号发送至吹扫装置103。

吹扫装置103在接受到检测信号和吹扫信号后，判断得出此时反应腔室101内不存在晶圆，可以进行吹扫处理，从而对传感器102进行吹扫。

具体的，吹扫装置103利用氮气对传感器进行吹扫，吹扫装置103的气动阀打开后，氮气通过气动阀进入反应腔室101内对光纤传感器进行吹扫。吹扫装置103的气动阀可以采用防酸碱且开度可调的气动阀，防止气动阀被酸碱腐蚀同时可以达到氮气流量可调节的目的，当吹扫装置103用于吹扫传感器102时，氮气流量可以根据传感器102附着的水滴确定，水滴越多控制氮气流量越大。当吹扫装置103用于冲洗腔室时，氮气流量可以根据反应腔室101内颗粒数量确定，颗粒越多，控制氮气流量越大。

在具体的应用中，吹扫装置103的尺寸是可调的，可以根据反应腔室101的大小设计吹扫装置103的大小，以使得吹扫装置103能够有效地对传感器102或反应腔室101进行吹扫。

以上对本申请实施例提供的半导体设备进行了详细的描述，传感器检测反应腔室内是否存在晶圆，并将检测信号发送至控制器，控制器根据检测信号生成吹扫信号，并将检测信号和吹扫信号发送至吹扫装置，吹扫装置在接收到检测信号和吹扫信号后对传感器进行吹扫，以去除由于湿润环境导致传感器附着的水滴，减小水滴导致的光强损失，提高传感器的使用寿命，同时减小水滴导致的反射或折射，提高传感器的检测效果，进而使得半导体设备能够对晶圆正常地进行处理工艺，提高晶圆良率。

本申请实施例还提供一种吹扫方法，利用上述所述的半导体设备，参考图6所示，包括：

S101、接收传感器发送的检测信号，检测信号包括半导体设备的反应腔室内是否存在晶圆的检测结果。

传感器检测半导体设备的反应腔室内是否存在晶圆，并将包括反应腔室内是否存在晶圆的检测结果的检测信号发送至控制器。

S102、根据检测信号生成吹扫信号，并将检测信号和吹扫信号发送至吹扫装置，以使得吹扫装置在接收到检测信号以及吹扫信号后对传感器进行吹扫。

控制器接收传感器发送的检测信号后，判断检测信号的种类并根据检测信号生成吹扫信号，当检测信号指示反应腔室内存在晶圆时，根据检测信号控制晶圆在工艺完成后移出反应腔室，关闭反应腔室的腔门，并在关闭腔门后生成包括腔门关闭信号的吹扫信号，将包括腔门关闭信号的吹扫信号发送至吹扫装置。

控制器在接收到指示反应腔室内存在晶圆的检测信号后，在接收到检测信号预设时间后，将检测信号发送至吹扫装置，预设时间大于或等于晶圆工艺完成、移出反应腔室以及关闭腔门所需的时间，以使得吹扫装置能够在晶圆离开反应腔室后再对传感器进行吹扫。

在具体的应用中，控制器可以包括第一控制器和第二控制器，当检测信号指示反应腔室内存在晶圆时，第一控制器在接收到检测信号预设时间后，将检测信号发送至吹扫装置。第二控制器在接收到检测信号后，控制晶圆在工艺完成后移出反应腔室，关闭反应腔室的腔门，并在关闭腔门后生成包括腔门关闭信号的吹扫信号，并将包括腔门关闭信号的吹扫信号发送至吹扫装置。

当检测信号指示反应腔室内不存在晶圆时，控制器在接收到检测信号后，检测半导体设备是否处于空置状态，若是，则根据检测信号生成包括腔室冲洗信号的吹扫信号，将包括腔室冲洗信号的吹扫信号发送至吹扫装置。

具体的，控制器包括第一控制器和第二控制器，第一控制器在接收到检测信号后，将检测信号发送至吹扫装置，第二控制器在接收到检测信号后，检测半导体是否处于空置状态，若是，根据检测信号生成包括腔室冲洗信号的吹扫信号，并将包括腔室冲洗信号的吹扫信号发送至吹扫装置。

吹扫装置在接收到控制器发送的检测信号和包括腔门关闭信号的吹扫信号后对传感器进行吹扫，或者在接收到控制器发送的检测信号和包括腔室冲洗信号的吹扫信号后对传感器进行吹扫。即吹扫装置在反应腔室内不存在晶圆时对传感器进行吹扫，以避免影响晶圆的性能。

本申请实施例提供的吹扫方法，控制器接收到传感器发送的检测信号后，根据检测信号生成吹扫信号，并将检测信号和吹扫信号发送至吹扫装置，以使得吹扫装置对传感器进行吹扫，去除由于湿润环境导致传感器附着的水滴，减小水滴导致的光强损失，提高传感器的使用寿命，同时减小水滴导致的反射或折射，提高传感器的检测效果，进而使得半导体设备能够对晶圆正常地进行处理工艺，提高晶圆良率。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制。尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换。而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (13)

1.一种半导体设备，其特征在于，包括：

反应腔室、传感器、吹扫装置以及控制器；所述控制器与所述传感器和所述吹扫装置连接；

所述传感器用于检测所述反应腔室内是否存在晶圆，并将检测信号发送至所述控制器；

所述控制器用于根据所述检测信号生成吹扫信号，并将所述检测信号和所述吹扫信号发送至所述吹扫装置；

所述吹扫装置用于在接收到所述检测信号和所述吹扫信号后对所述传感器进行吹扫；

所述检测信号指示所述反应腔室内存在晶圆时，所述吹扫信号包括腔门关闭信号，所述控制器包括：第一控制器和第二控制器；

所述第一控制器用于在接收到所述检测信号预设时间后，将所述检测信号发送至所述吹扫装置；

所述第二控制器用于在接收到所述检测信号后，控制所述晶圆在工艺完成后移出所述反应腔室，并关闭腔门生成腔门关闭信号，将所述腔门关闭信号发送至所述吹扫装置。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述预设时间大于或等于将所述晶圆完成工艺移出所述反应腔室并关闭腔门所需的时间。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一控制器和所述吹扫装置之间连接有第一电磁阀，所述第二控制器和所述吹扫装置之间连接有第二电磁阀；

所述第一控制器具体用于在接收到所述检测信号后，控制所述第一电磁阀关闭预设时间后开启，以将所述检测信号发送至所述吹扫装置；

所述第二控制器具体用于生成所述腔门关闭信号后，控制所述第二电磁阀开启，以将所述吹扫信号发送至所述吹扫装置。

4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述设备包括：与阀门，所述吹扫装置包括气动阀；所述与阀门的第一入口端与所述第一电磁阀连接，所述与阀门的第二入口端与所述第二电磁阀连接，所述与阀门的出口端与所述气动阀连接；

所述与阀门用于在接收到所述第一电磁阀以及所述第二电磁阀开启的信号后，控制所述气动阀打开，以使得所述吹扫装置接收所述检测信号和所述吹扫信号。

5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述检测信号指示所述反应腔室内不存在晶圆时，所述吹扫信号包括腔室冲洗信号，

所述第二控制器具体用于接收到所述检测信号后，检测所述半导体设备是否处于空置状态，若是，则根据所述检测信号生成腔室冲洗信号，并将所述腔室冲洗信号发送至所述吹扫装置。

6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述第二控制器和所述吹扫装置之间连接有第三电磁阀；

所述第二控制器具体用于在生成所述腔室冲洗信号后，控制所述第三电磁阀开启，以将所述腔室冲洗信号发送至所述吹扫装置。

7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述吹扫装置包括气动阀；

所述第二控制器具体用于生成所述腔室冲洗信号后，控制所述第三电磁阀开启，以控制所述气动阀打开，以将所述腔室冲洗信号发送至所述吹扫装置。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的设备，其特征在于，所述传感器为光纤传感器，所述吹扫装置具体用于利用氮气对所述光纤传感器进行吹扫。

9.根据权利要求4或7所述的设备，其特征在于，所述气动阀包括防酸碱且开度可调的气动阀。

10.根据权利要求1-7中任意一项所述的设备，其特征在于，所述传感器和所述第二控制器之间连接有放大器；

所述放大器用于将所述传感器生成的检测信号放大后发送至所述第二控制器。

11.根据权利要求1-7中任意一项所述的设备，其特征在于，所述吹扫装置的尺寸是可调的。

12.一种吹扫方法，其特征在于，利用权利要求1-11中任意一项所述的半导体设备，包括：

接收传感器发送的检测信号，所述检测信号包括所述半导体设备的反应腔室内是否存在晶圆的检测结果；

所述检测信号指示所述反应腔室内存在晶圆时，根据所述检测信号控制所述晶圆在工艺完成后移出所述反应腔室，并在关闭腔门后生成腔门关闭信号，将包括所述腔门关闭信号的吹扫信号发送至所述吹扫装置并在接收到所述检测信号预设时间后，将所述检测信号发送至所述吹扫装置，以使得所述吹扫装置在接收到所述检测信号以及吹扫信号后对所述传感器进行吹扫。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

所述检测信号指示所述反应腔室内不存在晶圆时，检测所述半导体设备是否处于空置状态，若是，则根据所述检测信号生成腔室冲洗信号，将包括所述腔室冲洗信号的吹扫信号发送至所述吹扫装置，并在接收到所述检测信号预设时间后，将所述检测信号发送至所述吹扫装置，以使得所述吹扫装置在接收到所述检测信号以及吹扫信号后对所述传感器进行吹扫。