KR102088084B1 - 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치 - Google Patents

분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치 Download PDF

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Abstract

현재, 일반 업계에서는 각종 기체에 응용할 때, 일부 특수한 기체 해리에 따른 문제에 부딪치는 경우, 각계에서는 모두 광학적 방법 이외의 물리적 방법이나 화학적 방법을 이용하여 기체의 해리 상태를 측정하고 파악하여 기체의 유량, 배합비율 혹은 조치 등을 조정하는 솔루션을 포함하되 이에 제한되지 않는 해결방안을 체택하여 사용하고 있다. 그러나, 지금 현재까지 여전히 아무런 확실하고 효과적인 솔루션을 얻어내지 못하고 있다는 점은 현재 업계에서 많은 노력을 기울여 극복해야 할 까다로운 문제이다. 본 발명은 분광광도계를 이용한 기체 해리 상태의 측정 장치를 제공하는 것에 특징이 있다. 그 원리를 살펴보면, 관체 내의 기체 해리 상태를 탐지하고 본 발명에 따른 장치로 해리의 상대적인 양의 값을 산출하는 것을 위주로 되어 있는데, 기체의 주경로 오염치가 과도하게 높을 경우, 2차 경로에서 해리된 반응 기체를 적정량 방출하여 상기 주경로의 오염물을 배출함으로써 상기 주경로에 대한 청소 작업이 보다 빠르고 정확하게 이루어지도록 한다. 여기서, 주경로 및 상기 주경로에 결합된 2차 경로는 반응 기체를 수용하며, 상기 주경로는 업계에서 제품을 제조할 때 보조 증착, 박막 에칭 및 재료의 표면변성 공정을 진행하여 특수한 기능 및 효과에 도달하도록 제공된다.
그 설치 범위는, 모든 기체 해리 상태에 대한 측정이 필요한 반도체, 광전 혹은 패널 등 산업에서 사용되는 물리기상 증착기, 화학기상 증착기 혹은 에칭 설비 등을 포함하되 이에 제한되지 않는 설비 및/또는 장치에 응용할 수 있고, 또한 리모트 플라스마 소스(Remote Plasma Source) 설비에 직접 설치할 수도 있다. 한편, 생명공학업과 화학업 그리고 응용물리 관련 산업의 검사 및 시험장비에도 응용이 가능하고, 게다가 이상 관련 산업의 설비수리업에 따른 검사장비 또는 테스트 플랫폼(도1 참조)에 추가로 응용할 수 있다. 기체 해리를 측정하는 위치는 다양한 형태가 있기 때문에, 본 출원에 따른 측정 장치는 각종 기체 해리를 측정하는 위치에 응용이 가능하고, 후술 내용에서 예로 드는 챔버에 제한을 두지 않으며, 모든 기체 해리를 측정하기 위한 위치는 모두 본 출원의 범주에 해당된다. 그리고, 본 발명에 따른 실시예는 그 중 하나의 응용 방식, 즉 반도체의 물리기상 증착기, 화학기상 증착기 및 에칭 설비 등 관련 설비를 예로 들어 이상 본 출원에 따른 발명의 기술내용을 설명한 것이다.

Description

분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치{Apparatus for measuring gas dissociation state by applying spectrophotometer}
본 발명은 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치를 제공한다. 일반 업계에서는 각종 기체에 응용할 때, 일부 특수한 기체 해리에 따른 문제에 부딪치는 경우, 각계에서는 모두 광학적 방법 이외의 물리적 방법이나 화학적 방법을 이용하여 기체의 해리 상태를 측정하고 파악하여 기체의 유량, 배합비율 혹은 조치 등을 조정하는 솔루션을 포함하되 이에 제한되지 않는 해결방안을 체택하여 사용하고 있다. 그러나, 지금 현재까지 여전히 아무런 확실하고 효과적인 솔루션을 얻어내지 못하고 있다는 점은 현재 업계에서 많은 노력을 기울여 극복해야 할 까다로운 문제이다. 본 발명은 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치를 제공하는 것에 특징이 있다. 그 원리를 살펴보면, 관체 내의 기체 해리 상태를 탐지하고 본 발명에 따른 장치로 해리의 상대적인 양의 값을 산출하는 것을 위주로 되어 있는데, 기체의 주경로 오염치가 과도하게 높을 경우, 2차 경로에서 해리된 반응 기체를 적정량 방출하여 상기 주경로의 오염물을 배출함으로써 상기 주경로에 대한 청소 작업이 보다 빠르고 정확하게 이루어지도록 한다. 여기서, 주경로 및 상기 주경로에 결합된 2차 경로는 반응 기체를 수용하며, 상기 주경로는 업계에서 제품을 제조할 때 보조 증착, 박막 에칭 및 재료의 표면변성 공정을 진행하여 특수한 기능 및 효과에 도달하도록 제공된다. 기체 해리를 측정하는 위치는 다양한 형태가 있기 때문에, 본 출원에 따른 측정 장치는 각종 기체 해리를 측정하는 위치에 응용이 가능하고, 후술 내용에서 예로 드는 챔버에 제한을 두지 않으며, 모든 기체 해리를 측정하기 위한 위치는 모두 본 출원의 범주에 해당된다. 그리고, 본 발명에 따른 실시예는 그 중 하나의 응용 방식, 즉 반도체의 물리기상 증착기, 화학기상 증착기 및 에칭 설비 등 관련 설비를 예로 들어 이상 본 출원에 따른 발명의 기술내용을 설명한 것이다.
플라스마(Plasma)는 자유전자와 전기를 가진 이온을 주요 성분으로 하는 물질 형태로 우주 속에 광범위하게 존재하며 흔히 물질의 제4의 상태라고 간주되어 플라스마 상태 혹은 '초기체(超氣體)', 또는 '플라스마체'라고도 불린다. 플라스마는 등량의 정전하와 부전하를 가진 이온성 기체로, 이를 보다 정확하게 정의하면, 플라스마는 전기와 중성입자를 가지고 있는 준중성 기체이고, 플라스마는 이들 입자의 집체행위이다. 플라스마 소스 플랫폼은 안정적으로 전송되는 원료 기체에서 생성된 중성 활성종을 제공하여 표면 변성, 반응실 청소, 박막 에칭 및 플라스마 보조 증착에 사용된다.
도2에 도시된 바와 같이, 종래의 플라스마 청소 공정은, 주챔버(1) 및 상기 주챔버(1)에 연결된 스로틀밸브(2), 진공펌프(3) 및 공기정화기(4) 등을 포함하는데, 반응 기체(A)를 투입하면 2차 챔버(6)에서 적당량의 반응 기체(A)를 해리하여 관체(7)를 거쳐 주챔버(1)로 들여보내 주챔버(1)에 대한 청소작업을 완성하며, 다시 진공펌프(3) 및 공기정화기(4)에 맞추어 진공 배기(5)가 구성된다. 전술한 공정이 일정 시간 진행된 후에는, 플라스마 증착물이 주챔버(1)의 벽면에도 잔류되어 상기 주챔버(1)가 오염되는 상황이 발생한다. 그러므로, 종래의 방식은 인력에 의한 청소 및 유지보수가 이루어지면, 다시 집적회로 웨이퍼 시험체에 넣고 시험해야 하는데, 시험 결과가 좋지 않을 경우에는 주챔버(1)에 대한 추가적인 청소가 필요하므로, 이에 따른 불필요한 시간 낭비를 초래할 뿐만 아니라, 반복적으로 집적회로 웨이퍼 시험체에 넣어야 하기 때문에, 이에 따른 인력 및 재료의 원가가 증가되는 문제점도 있다.
따라서, 종래의 작업 방법은 주챔버(1)에서 관체(7)로 2차 챔버(6)를 연결하여 플라스마 기체가 수용되도록 함으로써, 주챔버(1)가 오염되는 상황이 발생하는 경우, 2차 챔버(4)에서 해리된 적당량의 반응 기체(A)가 관체(7)를 거쳐 주챔버(1)로 진입하여 주챔버(1)에 대한 청소가 이루어지도록 한다. 다만, 2차 챔버(6)가 어느 정도 양의 반응 기체(A)를 방출해야 주챔버(1)를 완전히 청소할 수 있는지에 대해서는 알 수 없기 때문에, 전술한 바와 같이 2차 챔버(6)에서 해리된 적당량의 반응 기체(A)가 관체(7)를 거쳐 주챔버(1)로 진입하여 주챔버(1)에 대한 청소가 완료되면, 다시 인력에 의한 보조적인 청소작업이 이루어진 후에 집적회로 웨이퍼 시험체에 넣고 시험을 진행한 다음 시험 효과 및 반응에 따라 추가적인 청소가 필요한지의 여부를 판단할 수 있다. 이러한 종래의 방식은, 반응 기체(A)를 이용함으로써 인력에 의한 청소 및 유지보수에 따른 불편함을 면할 수는 있으나, 이 또한 마찬가지로 반복해서 집적회로 웨이퍼 시험체에 넣고 반복시험을 해야 하므로 이에 따른 인력 및 재료의 원가가 증가되는 문제점이 있다. 이에, 출원인은 끊임없는 연구와 실험을 거쳐 주챔버(1)에 대한 청소작업을 보다 빠르고 정확하게 수행하고, 이에 따른 인력 및 재료의 원가를 절감시키는 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태(플라스마 기체 해리 상태를 포함하되 이에 제한되지는 않음)를 측정하는 측정 장치를 착안하게 되었다.
공개특허공보 제10-2009-0010640호 (2009. 01. 30) 공개특허공보 제10-2011-0069626호 (2011. 06. 23)
본 발명의 주요 목적은, 탐지유닛으로 관체(7) 내부의 플라스마 기체의 해리 상태를 탐지하고 해리의 상대적인 양의 값을 산출하여 2차 챔버(6)에서 해리된 적당량의 반응 기체(A)를 방출하여 주챔버(1)의 오염물을 배출함으로써 주챔버(1)에 대한 청소작업이 보다 빠르고 정확하게 이루어지도록 하고, 게다가 이에 따른 인력 및 재료의 원가를 절감시키는 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치를 제공하는 것에 있다.
반도체 집적회로를 제조할 때 플라스마 보조 증착, 박막 에칭 및 재료의 표면변성 작업을 진행하는 주경로; 상기 주경로에 결합되어 반응 기체를 수용하도록 구비되는 2차 경로; 상기 주경로와 상기 2차 경로 사이에 설치되는 탐지유닛; 및 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치;를 포함하되, 상기 탐지유닛은 관체의 해리 상태를 탐지하고, 상기 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치는 해리의 상대적인 양의 값을 산출해내는 것을 특징으로 하는 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치를 제공한다.
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삭제
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치는 관체(7) 내부의 플라스마 기체의 해리 상태를 탐지하고, 게다가 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치(9)로 해리의 상대적인 양의 값을 산출해냄에 따라 주챔버(1)의 오염치가 과도하게 높을 경우, 2차 챔버(6)에서 해리된 적당량의 반응 기체(A)를 방출하여 주챔버(1)의 오염물을 배출함으로써 주챔버(1)에 대한 청소작업이 보다 빠르고 정확하게 이루어지도록 한다. 여기서, 주챔버(1) 및 상기 주챔버(1)에 결합된 2차 챔버(6)는 반응 기체(A)를 수용하도록 마련되고, 상기 주챔버(1)는 반도체 집적회로를 제작할 때, 플라스마 보조 증착과 박막 에칭 그리고 재료의 표면변성 등 작업을 진행하여 특수한 기능 및 효과를 달성하도록 하고, 탐지유닛(8) 및 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치(9)는 상기 주챔버(1)와 상기 2차 챔버(6) 사이에 설치된다.
본 발명에 의하면, 본 발명에 따른 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치에 있어서, 상기 주챔버(1)는 관체(7)에 의해 2차 챔버(2)가 연결되고, 상기 탐지유닛(8)은 상기 관체(7)의 적당한 위치에 설치된다.
도1은 본 발명의 바람직한 따른 실시예에서 응용된 관련 분야이다.
도2는 종래의 플라스마 기체 장치의 블록도이다.
도3은 본 발명의 구조도이다.
도4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 장착점을 도시한 블록도이다.
도5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 다른 장착점을 도시한 블록도이다.
도6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 다른 장착점을 도시한 블록도이다.
도7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 다른 장착점을 도시한 블록도이다.
도8은 본 발명의 사용 상태를 도시한 사시도이다.
도9는 본 발명의 청소동작에 따른 상태를 도시한 사시도이다.
도3 및 도4를 동시에 참조하면, 이들 도면은 본 발명의 구조도 및 블록도로, 이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명은 플라스마 기체를 수용하기 위한 주챔버(1) 및 상기 주챔버(1)에 결합되는 2차 챔버(6)를 포함한다. 여기서, 상기 주챔버(1)는 반도체 집접회로를 제조할 때 플라스마 보조 증착, 박막 에칭 및 재료의 표면변성 등 작업을 진행하여 특수한 기능 및 효과를 달성하도록 하고, 아울러 스로틀밸브(2), 진공펌프(3) 및 공기정화기(4) 등이 연결되어 있으며, 상기 2차 챔버(6)가 해리량의 값에 의거하여 적당량의 반응 기체(A)를 방출한 후에 다시 관체(7)를 거쳐 상기 주챔버(1)로 들여보내 상기 주챔버(1)에 대한 청소작업을 완성하고, 다시 상기 진공펌프(3)와 공기정화기(4)에 맞추어 진공 배기(5)를 구성한다.
전술한 구성품의 조합에 본 발명인 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치가 적용된다. 이때, 본 발명인 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치를 통한 측정 과정에서는 탐지유닛(8)으로 상기 2차 챔버(6)의 해리 상태를 탐지하고, 또 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치(9)로 해리의 상대적인 양의 값을 산출해냄에 따라 상기 주챔버(1)의 오염치가 과도하게 높을 경우, 상기 2차 챔버(6)에서 해리량의 값에 의거하여 적당량의 반응 기체(A)를 방출하여 해리하고, 다시 관체(7)를 거쳐 상기 주챔버(1)로 들여보내 상기 주챔버(1)의 오염물을 배출함으로써 상기 주챔버(1)에 대한 청소작업이 보다 빠르고 정확하게 이루어지고, 이에 따른 인력 및 재료의 원가를 절감시킨다.
도4 및 도8을 참조하면, 이들 도면은 본 발명의 블록도 및 사용 상태를 도시한 사시도로, 이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명은 사용 시, 종래의 플라스마 기체 장치와 마찬가지로 상기 2차 챔버(6)에서 해리량의 값에 의거하여 적당량의 반응 기체(A)를 방출하여 상기 관체(7)를 거쳐 상기 주챔버(1)로 들여보내 상기 주챔버(1)에 대한 청소작업을 완성하며, 다시 진공펌프(3)와 공기정화기(4)에 맞추어 진공 배기(5)를 구성한다.
도4 및 도9를 참조하면, 이들 도면은 본 발명의 블록도 및 청소동작에 따른 상태를 도시한 사시도로, 이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명은 일정 시간 사용 후, 상기 탐지유닛(8)은 상기 2차 챔버(6)의 기체 해리 상태(기체의 파장)을 끊임없이 탐지하고, 또 상기 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치(9)가 해리의 상대적인 양의 값을 산출하여 사용자에게 디스플레이하는데, 이 경우, 상기 주챔버(1)의 오염치가 과도하게 높을 경우, 사용자는 즉시 상기 2차 챔버(6)를 열 수 있고, 이에 따라 상기 2차 챔버(2)는 상기 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치(9)에 의해 산출된 해리의 상대적인 양의 값에 의거하여 적당량의 반응 기체(A)를 방출하여 상기 관체(7)를 거쳐 상기 주챔버(1)로 들여보내 상기 주챔버(1)에 대한 청소작업이 이루어지도록 하고, 게다가 상기 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치(9)로 상기 2차 챔버(6)의 플라스마 기체 해리 상태가 상기 주챔버(1)에 대한 충분한 청소 효과에 도달할 수 있는지의 여부를 인식할 수 있기 때문에, 종래의 플라스마 기체 장치와 같이 반드시 반복적으로 집적회로 웨이퍼 시험체에 넣고 시험을 한 후에야 비로소 추가적인 청소가 필요한지의 여부를 인식할 필요가 없음에 따라 상기 주챔버(1)에 대한 청소작업이 보다 빠르고 보다 확실하게 이루어지고, 이에 따른 인력 및 재료의 원가를 절감시킬 수 있다.
제1 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치에 있어서, 상기 탐지유닛(8) 및 상기 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치(9)는 2차 챔버(6) 안의 플라스마 기체의 해리 상태를 탐지하도록 2차 챔버(6) 내의 적당한 위치에 설치된다.
제2 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치에 있어서, 도6에 도시된 바와 같이, 상기 탐지유닛(8) 및 상기 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치(9)는 주챔버(1) 안의 플라스마 기체의 해리 상태를 탐지하도록 주챔버(1) 내의 적당한 위치에 설치된다.
제3 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치에 있어서, 상기 탐지유닛(8) 및 상기 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치(9)는 상기 유체 경로의 적당한 위치에 설치되고, 또한 도3에 도시된 바와 같이, 어느 하나의 유체 경로에서 플라스마 기체의 해리 상태를 탐지하는 것에 응용될 수 있다.
상술한 내용을 종합하면, 본 발명은 주챔버(1)에 2차 챔버(6)가 연결되고, 게다가 주챔버(1)와 2차 챔버(6) 사이에는 탐지유닛(8) 및 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치(9)가 설치되는 것에 의하여 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치가 구성되어 탐지유닛(8)으로 관체(7) 내의 플라스마 기체의 해리 상태를 측정하고 또 해리의 상대적인 양의 값을 산출해내는데, 이 때, 2차 챔버(6)가 해리량의 값에 의거하여 해리된 정당량의 반응 기체(A)를 방출하여 관체(7)를 거쳐 상기 주챔버(1)로 들여보내 상기 주챔버(1)의 오염물을 배출함으로써 상기 주챔버(1)에 대한 청소작업이 보다 빠르고 확실하게 이루어지도록 하고, 이에 따른 인력 원가를 절감시킨다.
본 발명이 실시·응용되는 분야는 도1의 설명을 참조한다.
본 발명의 특징은, 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치를 제공하는 것에 있는데, 본 발명에 따른 장치를 이용하여 관체 안의 기체 해리 상태를 측정하고 해리의 상대적인 양의 값을 산출하여 각종 대응 조치를 채택하기 위한 방식의 참고자료, 예컨대 해리된 적당량의 반응 기체를 방출하여 기체 주경로의 오염을 배출함으로써 청소작업이 보다 빠르고 확실하게 이루어지도록 할 수 있는 참고자료로 사용할 수 있다.
그 설치 범위는, 모든 기체 해리 상태에 대한 측정이 필요한 반도체, 광전 혹은 패널 등 산업에서 사용되는 물리기상 증착기, 화학기상 증착기 혹은 에칭 설비 등을 포함하되 이에 제한되지 않는 설비 및/또는 장치에 응용할 수 있고, 또한 리모트 플라스마 소스(Remote Plasma Source) 설비 내부에 직접 설치할 수도 있다. 한편, 본 발명은 생명공학기술업과 화학업 그리고 응용물리 관련 산업의 검사 및 시험장비에도 응용이 가능하고, 게다가 이상 관련 산업의 설비수리업에 따른 검사장비 또는 테스트 플랫폼(도1 참조)에 추가로 응용할 수 있다.
그리고, 상술한 실시예는 그 중 한가지 기체 해리 상태 측정 방식과 장치만을 설명하였으나, 본 발명은 반도체, 광전 혹은 패널 등 산업에서의 물리기상 증착기, 화학기상 증착기 혹은 에칭 설비 등 관련 설비에 응용할 수 있을 뿐만 아니라, 리모트 플라스마 소스(Remote Plasma Source) 설비 내부에 직접 설치할 수도 있으며, 분광을 이용해 해리되는 장치와 관련하여 기체 해리 상태를 측정할 수 있는 위치에 임의적으로 설치된 것은 챔버에 제한되지 않고 모두 본 발명의 범주에 포함된다. 그리고, 상술한 실시에는 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니며, 본 발명의　단순한 수정,　변경은 본 발명의 취지와 발명정신의 범위를 벗어나지 않는다는 것은 본 발명의　구체적인 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
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1 : 주챔버
2 : 스로틀밸브
3 : 진공펌프
4 : 공기정화기
5. 진공 배기
6 : 2차 챔버
7 : 관체
8 : 탐지유닛
9 : 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치
A : 반응 기체

Claims (7)

  1. 반도체 집적회로를 제조할 때 플라스마 보조 증착, 박막 에칭 및 재료의 표면변성 작업을 진행하도록 플라스마 기체를 수용하며, 스로틀 밸브, 진공펌프, 공기정화기가 순서대로 결합하는 주챔버; 상기 주챔버와 소정 길이의 관체로 결합되며 주챔버 내의 오염물을 배출하기 위한 반응 기체를 수용하는 2차 챔버; 상기 주챔버와 상기 2차 챔버 사이의 상기 관체 내부에 설치되어 상기 관체 내부의 플라스마 기체의 해리 상태를 탐지하는 탐지유닛; 및 상기 탐지된 해리상태에 따라 해리의 상대적인 양의 값을 산출하는 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치;를 포함하며,
    상기 주챔버의 오염치와 대응하여 상기 2차 챔버가 상기 해리의 상대적인 양의 값에 따라 해리된 반응 기체(A)를 관체를 통해 상기 주챔버로 공급되게 하여, 상기 주챔버의 오염물을 배출하고,
    상기 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치는 상기 2차 챔버의 플라스마 기체 해리 상태가 상기 주챔버에 대한 청소효과에 도달할 수 있는 지의 여부를 인식할 수 있으며,
    상기 주챔버에 대한 청소작업을 완성하고, 진공펌프와 공기정화기에 맞추어 진공배기를 구성하고,
    상기 탐지유닛 및 상기 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치는 상기 주챔버와 상기 2차 챔버를 서로 연결하는 관체의 일정한 위치에 설치되거나, 상기 주챔버 내의 일정한 위치에 설치되거나, 상기 2차 챔버 내의 일정한 위치에 설치되는 한편,
    상기 탐지유닛 및 상기 분광광도계를 이용한 플라스마 기체 해리 상태 측정 장치는 플라스마 소스 설비, 플라스마 기체 챔버 및 전기 제어 시스템의 장치에 사용될 수 있으며,
    물리기상 증착기, 화학기상 증착기 혹은 에칭 설비를 포함하는 관련 설비에 응용되거나, 리모트 플라스마 소스(Remote Plasma Source) 설비 내부에 직접 설치되거나, 생명공학기술업과 화학업 그리고 응용물리 관련 산업의 검사 및 시험장비에 응용되거나, 관련 산업의 설비수리업에 따른 검사장비 또는 테스트 플랫폼에 응용될 수 있는 것을 특징으로 하는 분광광도계를 응용하여 기체 해리 상태를 측정하는 측정 장치.
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