CN113782653A - 发光二极管及其制备方法、显示面板及其制备方法、装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种发光二极管及其制备方法、显示面板及其制备方法、装置。发光二极管包括：第一半导体层；第一半导体层包括电极区和发光区；位于第一半导体层一侧的发光层和第一电极以及位于发光层背离第一半导体层一侧的第二半导体层；发光层位于发光区，第一电极位于电极区；位于第二半导体层背离发光层一侧的第二电极；第一电极和第二电极位于不同的半导体层，存在一定的高度差，其中，电极区的第一半导体层的厚度大于发光区的第一半导体层的厚度。通过控制第一半导体层在电极区与发光区的厚度差异，预先补平第一电极与第二电极之间的高度差异，降低制作工艺难度，提高显示面板的制作效率。

Description

发光二极管及其制备方法、显示面板及其制备方法、装置
技术领域
本发明实施例涉及显示面板技术，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法、显示面板及其制备方法、装置。
背景技术
现有技术中的显示面板制作过程中，在发光二极管与阵列基板结合时，由于发光二极管的电极存在一定的高度差，很难在发光二极管与阵列基板的结合后，保证发光二极管的出光均一性，因此通常需要对阵列基板进行预先设计，导致制作工艺复杂，效率低且成本高。
发明内容
本发明实施例提供一种发光二极管及其制备方法、显示面板、装置，以实确保发光二极管的出光面各个位置发出的光保持一致，简化制作工艺。
第一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管，包括：
第一半导体层；所述第一半导体层包括电极区和发光区；
位于所述第一半导体层一侧的发光层和第一电极；所述发光层位于所述发光区，所述第一电极位于所述电极区；
位于所述发光层背离所述第一半导体层一侧的第二半导体层；
位于所述第二半导体层背离所述发光层一侧的第二电极；
其中，所述电极区的所述第一半导体层的厚度大于所述发光区的所述第一半导体层的厚度。
第二方面，本发明实施例还提供了一种发光二极管的制备方法，用于制备如第一方面任一项所述的发光二极管，包括：
形成第一半导体膜层；
在所述第一半导体膜层一侧形成发光膜层；
在所述发光膜层背离所述第一半导体膜层的一侧形成第二半导体膜层；
将所述第一半导体膜层、所述发光膜层和所述第二半导体膜层刻蚀形成第一半导体层、发光层和第二半导体层；
所述第一半导体层包括电极区和发光区；
在所述第一半导体层的所述电极区形成第一电极，以及在所述第二半导体层背离所述发光层的一侧形成第二电极；
所述发光层位于所述发光区；其中，所述电极区的所述第一半导体层的厚度大于所述发光区的所述第一半导体层的厚度。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括第一方面所述的发光二极管；所述显示面板还包括第一基板，所述第一基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的第一基板电极和第二基板电极，所述发光二极管的第一电极与所述第一基板电极键合，所述发光二极管的第二电极与所述第二基板电极键合。
第四方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括：
第一基板，包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的第一基板电极和第二基板电极；
第二基板，包括朝向所述第一基板的第五表面，所述第二基板的第五表面所在侧设置第一凹槽；
发光二极管，至少部分嵌入所述第一凹槽，且所述发光二极管的朝向所述第一凹槽的表面，相比于所述第五表面，倾斜设置；
所述发光二极管包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一基板电极键合，所述第二电极与所述第二基板电极键合。
第五方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，用于制备如第四方面任一项所述的显示面板，包括：提供第一基板，所述第一基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的第一基板电极和第二基板电极；
提供第二基板，包括第五表面，所述第二基板的第五表面所在侧设置第一凹槽；
提供发光二极管，所述发光二极管包括第一电极和第二电极；
将所述发光二极管的至少部分嵌入所述第一凹槽，且所述发光二极管的朝向所述第一凹槽的表面，相比于所述第五表面，倾斜设置；
将所述第二基板与所述第一基板相对设置，且所述第二基板的第五表面朝向所述第一基板，使得所述第一电极与所述第一基板电极键合，所述第二电极与所述第二基板电极键合。
第六方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第三方面和第四方面任一项所述的显示面板。
本发明提供的发光二极管，通过控制第一半导体层在电极区与发光区的厚度差异，预先补平第一电极与第二电极之间的高度差异，以保证在将发光二极管转移至阵列基板上后，能够减小电极区的出光面与发光区的出光面之间的段差，确保发光二极管出光面各个位置处发出的光保持一致；同时，当将发光二极管应用于显示面板中时，由于发光二极管中的第一半导体层已经对第一电极和第二电极之间的高度差进行补偿，因此无需在显示面板的阵列基板中形成具有高度差的基板电极，就能够保证显示面板各个位置处的发光一致性，简化制作工艺，提高显示面板的制作效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图虽然是本发明的一些具体的实施例，对于本领域的技术人员来说，可以根据本发明的各种实施例所揭示和提示的器件结构，驱动方法和制造方法的基本概念，拓展和延伸到其它的结构和附图，毋庸置疑这些都应该是在本发明的权利要求范围之内。
图1为现有技术中一种显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程示意图；
图13为本发明实施例提供的另一种发光二极管的制备方法的流程示意图；
图14为本发明实施例提供的另一种发光二极管的制备方法的流程示意图；
图15为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图16为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图17为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图18为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图19为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图20为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图21为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图22为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图23为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例所揭示和提示的基本概念，本领域的技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为现有技术中一种显示面板的结构示意图，如图1所示，显示面板10包括发光二极管11和阵列基板12，发光二极管11包括半导体层组和电极组，阵列基板12包括第一基板电极13和第二基板电极14，半导体层包括依次排布第一半导体层15、发光层16和第二半导体层17，电极组包括第一型电极18和第二型电极19，第一型电极18位于第一半导体层15，第二型电极19位于第二半导体层17。如图1所示，第一型电极18和第二型电极19不在同一水平面上，为保证发光单元11在转移后与阵列基板12的结合效果，需要对阵列基板12的隔离层20进行预先图案化，形成具有高度差的凹槽结构，以容纳发光二极管11的第一型电极18和第二型电极19，并在凹槽结构内对应设置第一基板电极13和第二基板电极14，以保证第一型电极18和第一基板电极13电连接，第二型电极19与第二基板电极14电连接，进而实现发光二极管11的高低电极放置，实现发光二极管11的出光面水平；但是，现有技术需要预先在阵列基板12制备容纳发光二极管11的第一型电极18和第二型电极19的凹槽结构，很大程度加大了阵列基板12的制作难度，增加制作成本，以及发光二极管11与阵列基板12的对位难度。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种发光二极管，包括：第一半导体层；第一半导体层包括电极区和发光区；位于第一半导体层一侧的发光层和第一电极；发光层位于发光区，第一电极位于电极区；位于发光层背离第一半导体层一侧的第二半导体层；位于第二半导体层背离发光层一侧的第二电极；其中，电极区的第一半导体层的厚度大于发光区的第一半导体层的厚度。
采用上述技术方案，通过控制电极区的第一半导体层的厚度大于发光区的第一半导体层的厚度，对位于第一半导体层一侧的第一电极和位于第二半导体层一侧的第二电极之间存在的高度差异进行补偿，以在将发光二极管转移至阵列基板上后，能够减小电极区的出光面与发光区的出光面之间的段差，确保发光二极管出光面各个位置处发出的光保持一致；同时，当将发光二极管应用于显示面板中时，由于发光二极管中的第一半导体层已经对第一电极和第二电极之间的高度差进行补偿，因此无需在显示面板的阵列基板中形成具有高度差的基板电极，就能够保证显示面板各个位置处的发光一致性，从而在能够提高显示面板的显示效果的前提下，能够降低制备工艺的难度，提高制备效率。
以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图2为本发明实施例提供的一种发光二极管的结构示意图，如图2所示，该发光二极管100，包括：第一半导体层101；第一半导体层101包括电极区1011和发光区1012；位于第一半导体层101一侧的发光层102和第一电极103；发光层102位于发光区1012，第一电极103位于电极区1011；位于发光层102背离第一半导体层101一侧的第二半导体层104；位于第二半导体层104背离发光层102一侧的第二电极105；其中，电极区1011的第一半导体层101的厚度大于发光区1012的第一半导体层101的厚度。
其中，发光二极管100的尺寸可以在微米尺寸，包括次毫米发光二极管(Mini LED)或微米发光二极管(Micro LED)等微发光元件。其中Mini LED的尺寸可以在100μm-500μm左右，Micro LED的尺寸可以在100μm之下，需要说明的是，发光二极管100的类型包括但不限于上述示例。发光二极管100包括第一半导体层101、发光层102和第二半导体层104；第一半导体层101可以为N型半导体，第二半导体层104为P型半导体；或者，第一半导体层101可以为P型半导体，第二半导体层104为N型半导体；对于第一半导体层101和第二半导体层104的类型不做具体限定。可选的，第一半导体层101为N型半导体；第二半导体层104为P型半导体。第一半导体层101和第二半导体层104的组成材料可以是氮化镓，砷化镓、磷化镓等。通过第一半导体层101进行N型掺杂，N型掺杂剂可以为磷、锗、硅等元素，形成N型半导体，通过第二半导体层104进行P型掺杂，P型掺杂剂可以为硼、镁等元素，形成P型半导体。发光层102例如可以包括多量子阱发光层等；当发光层采用不同的材料时，可以制备得到蓝光发光二极管、绿光发光二极管或红光发光二极管，实现显示面板的彩色显示。
由于第一电极103位于第一半导体层101的电极区1011，第二电极105位于第二半导体层104背离发光层102一侧，使得第一电极103所在位置处的膜层结构与第二电极105所在位置处的膜层结构具有差异，为减小因膜层结构不同而造成的第一电极103所在位置处于第二电极105所在位置处的段差，可通过对第一半导体层101进行刻蚀，使得电极区1011的第一半导体层101的厚度大于发光区1012的第一半导体层101的厚度，对第一电极103和第二电极105之间的高度差进行补偿，能够减小电极区1011的出光面与发光区1012的出光面之间的段差，确保发光二极管出光面各个位置处发出的光保持一致；同时，当将发光二极管100应用于显示面板中时，无需在显示面板的阵列基板中形成具有高度差的基板电极，就能够保证显示面板各个位置处的发光一致性，简化制作工艺，提高制作效率。
此外，作为另一种可实施方式，图3为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图，如图3所示，通过控制第一半导体层101靠近发光层102一侧的表面形状，使得电极区1011的第一半导体层101的厚度大于发光区1012的第一半导体层101的厚度，对第一电极103和第二电极105之间的高度差进行补偿，使得第一电极103和第二电极105位于同一水平面，确保发光二极管100出光面各个位置处发出的光保持一致，同时，当将发光二极管100应用于显示面板中时，无需在显示面板的阵列基板中形成具有高度差的基板电极，就能够保证显示面板各个位置处的发光一致性，有效简化制备工艺，提高制备效率。
作为另一种可实施方式，图4为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图，如图4所示，通过控制第一半导体层101背离发光层102一侧的表面形状，使得电极区1011的第一半导体层101的厚度大于发光区1012的第一半导体层101的厚度，对第一电极103和第二电极105之间的高度差进行补偿，确保发光二极管100出光面各个位置处发出的光保持一致，同时，当将发光二极管100应用于显示面板中时，无需在显示面板的阵列基板中形成具有高度差的基板电极，就能够保证显示面板各个位置处的发光一致性，有效简化制备工艺，提高制备效率。
本发明实施例通过改变第一半导体层在电极区的厚度和第一半导体层在发光区的厚度差异，实现对位于第一半导体层一侧的第一电极和位于第二半导体层一侧的第二电极之间存在的高度差异进行补偿，以在将发光二极管转移至阵列基板上后，能够减小电极区的出光面与发光区的出光面之间的段差，确保发光二极管出光面各个位置处发出的光保持一致；同时，当将发光二极管应用于显示面板中时，无需对阵列基板形成具有高度差的基板电极，有效简化制备工艺，提高制作效率。
可选的，图5为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图，如图5所示，第一半导体层101包括光导出层106和第一型半导体层107；第一型半导体层107位于光导出层106与发光层102之间；电极区1011的光导出层106的厚度大于发光区1012的光导出层106的厚度。
其中，第一半导体层101包括光导出层106和第一型半导体层107，光导出层106和第一型半导体层107分层制作，光导出层106先于第一型半导体层107制作，光导出层106对应电极区1011的厚度大于光导出层106对应发光区1012的厚度，光导出层106可以对发光二极管100发出的光进行调节，保证出光面各处的出光一致性，且光导出层106的存在为第一型半导体层107生长提供一平整表面，降低晶格匹配风险，保证生长质量。光导出层106采用磁控溅射或化学沉积的工艺制备控制，光导出层106对应电极区1011的厚度大于光导出层106对应发光区1012的厚度，第一型半导层107对应电极区1011的厚度可以大于、小于或等于第一型半导体层107对应发光区1012的厚度，本发明实施例对第一型半导体层107的厚度不做具体限定，只需要保证由光导出层106和第一型半导体层107组成的第一半导体层101对应电极区1011的厚度大于第一半导体层101对应发光区1012的厚度，实现对第一电极103和第二电极105之间的高度差补偿，保证发光二极管100的出光效果。同时光导出层106的材料和制作工艺均可以与第一型半导体层107的材料和制作工艺相同，降低制作难度，提高制作效率。
可选的，继续参考图5，电极区1011的第一型半导体层107的厚度与发光区1012的第一型半导体层107的厚度相同。
其中，在光导出层106对应电极区1011的厚度大于光导出层106对应发光区1012的厚度的前提下，第一型半导层107对应电极区1011的厚度可以等于第一型半导体层107对应发光区1012的厚度，此时仅需一道工艺即可完成对第一型半导体层107的制备，有效降低第一型半导体层107的制作难度，有效提高发光二极管100的制作效率。
继续参考图5，可选的，光导出层106包括第一表面1061、第二表面1062和第三表面1063；第一表面1061与第二表面1062相对设置，且第二表面1062位于第一表面1061靠近第一型半导体层107的一侧；第一表面1061包括相对的第一侧边1064和第二侧边1065；第二表面1062包括相对的第三侧边1066和第四侧边1067；第一侧边1064和第三侧边1066均位于电极区1011，第二侧边1065和第四侧边1067均位于发光区1012；第三表面1063连接第一侧边1064和第三侧边1066，且第三表面1063与第二表面1062垂直；沿电极区1011指向发光区1012的方向，第一表面1061与第二表面1062之间的距离逐渐减小。
其中，光导出层106包括相对设置的第一表面1061和第二表面1062，第三表面连接第一表面1061和第二表面1062，第二表面1062位于第一表面1061靠近第一型半导体层107的一侧，第一表面1061作为出光面，第一半导体层101包括发光区1012和电极区1011，第一表面1061的第一侧边1064和第二表面1012的第三侧边1066位于电极区1011，第一表面1061的第二侧边1065和第三表面1063的第四侧边1067位于发光区1012。由于第一电极103位于第一半导体层101的电极区1011，第二电极105位于第二半导体层104背离发光层102的一侧，第一电极103与第二电极105之间存在高度差，通过控制沿第一半导体层101指向第二半导体层104一侧，第一表面1061与第二表面1062之间的厚度存在差异，沿电极区1011指向发光区1012的方向，第一表面1061与第二表面1062之间的距离逐渐减小，即电极区1011指向发光区1012的方向，光导出层106的厚度逐渐减小，以实现减小电极区1011的出光面与发光区1012的出光面之间的段差，确保发光二极管100出光面各个位置处发出的光保持一致，保证发光二极管100的出光效果。
可选的，继续参考图5，第一表面1061与第二表面1062之间的夹角为θ；其中，0°≤θ≤10°。如此，能够避免因夹角θ过大，造成发光二极管100的重心分布出现偏差发生倾斜，而在将发光二极管100转移至显示面板的阵列基板中时影响对位精度，通过将第一表面1061与第二表面1062之间的夹角θ设置在较小的范围内，能够提高对位精度，提高显示面板的制备良率，提高显示面板的生产效率。
可选的，继续参考图5，第二侧边1065与第四侧边1067相接触，此时，第一表面1061与第二表面1062的一侧直接相连接，使得光导出层106整体呈楔形结构，降低光导出层106的制备难度和制作成本，同时保证发光二极管100的出光效果。
可选的，图6为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图，如图6所示，第三表面1063的粗糙度大于M1；其中，500nm≤M1≤1μm。
其中，光导出层106包括第一表面1061、第二表面1062和第三表面1063，第三表面1063连接第二表面1062和第一表面1061，第一表面1061作为出光面，为避免光线从第三表面1063出射，造成光线损失，影响发光二极管100的出光效果，如图6所示，可以改变第三表面1063的粗糙度，粗糙度M1控制在500nm≤M1≤1μm之间，使得入射至第三表面1063的光线会由于第三表面1063存在一定的粗糙度发生漫反射，向不同方向反射，但光线不会由第三表面1063出射，光线从第一表面1061出射更加均匀，进而保证光线利用率和出光效果。
可选的，图7为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图，如图7所示，还可以在第三表面1063设置金属反射膜108，金属反射膜108可以为铝、银、金等金属，使得第三表面1063具备一定的反射率，入射至第三表面1063的光线经金属反射膜108发生反射，避免光线经第三表面1063出射，提高发光二极管100的出光效率，避免光线浪费，进而影响显示面板的显示效果。还可以对第三表面1063部分设置存在一定粗糙度，部分设置金属发射膜108，同样能够实现第三表面1063的反射，避免光线出射，提高显示效果。对于第三表面1063的具体设计方式，可以根据实际设计需求进行选择，本发明实施例不做具体限定。
可选的，图8为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图，如图8所示，光导出层106还包括第四表面1068；第四表面1068连接第二侧边1065和第四侧边1067。
其中，光导出层106包括第一表面1061、第二表面1062、第三表面1063和第四表面1068，第三表面1063连接第一侧边1064和第三侧边1066，第四表面1068连接第二侧边1065和第四侧边1067，第三表面1063和第四表面1068相对设置且相互平行，使得第一表面1061与第二表面1062之间的夹角θ控制在0°≤θ≤10°，能够避免因夹角θ过大，造成发光二极管100的重心分布出现偏差发生倾斜，保证由发光二极管100制备出的显示面板的制作良率，提高显示面板的生产效率。
可选的，图9为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图，如图9所示，可选的，第四表面1068的粗糙度大于M2；其中，500nm≤M2≤1μm。
其中，为保证发光二极管100的出光效果和光线利用率，如图9所示，可以对第四表面1068进行粗糙度处理，使得第四表面1068的粗糙度M2控制在500nm≤M2≤1μm，使得出射至第四表面1068的光线会由于第四表面1068存在一定粗糙度发生漫反射，对光线进行不同的方向的反射，保证光线经光导出层106的光线利用率和出光效果。
可选的，图10为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图，如图10所示，还可以在第四表面1068设置金属反射膜108。如此，由于第四表面1068设置有金属反射膜108，经第二表面1062出射的光线入射至第四表面1068，使得金属反射膜108对入射至第四表面1068的光线进行反射，避免光线经第四表面1068出射，提高光线的利用率和发光二极管100的出光效果。第四表面1068还可以部分粗糙度处理，部分镀有金属反射膜108，使得入射至第四表面1068的光线不会出射，保证发光二极管100的发光效果。对于设置有第四表面1068和第三表面1063的光导出层106，同时对第三表面1063的表面粗糙度处理或镀有金属反射膜108，以及第四表面1068的粗糙度处理或镀有金属反射膜108，均能保证经第二表面1062出射至第三表面1063或第四表面1068的光线发生反射，保证光线的利用率。进一步的，可以将第三表面1063和第四表面1068进行相同程度的粗糙度处理或设置有相同的金属反射膜108，以保证制作工艺简单和制造成本低。具体的实施方式可以根据实际设计需求进行选择，本发明实施例不做具体限定。
可选的，图11为本发明实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图，如图11所示，光导出层106包括离散分布的多个散射区109；散射区109的光导出层106的密度大于其它区域的光导出层106的密度；和/或，散射区109的光导出层106的折射率大于其它区域的光导出层106的折射率。
其中，为保证经光导出层106出射光线的均匀性，可以在光导出层106制作过程中，对光导出层106进行局部调整，例如采用掺杂或离子注入等工艺，使得光导出层106中形成离散分布的多个散射区109，形成的散射区109的密度、折射率与周围的其他区域分布存在差异，当散射区109的光导出层106的密度大于其它区域的光导出层106的密度时，使得出射至散射区109的光导出层106的光线的出光方向进行调节，由于光导出层106中包括多个散射区109，光线在散射区109内发生多次反射和散射，对不同光程的光线进行调节，使得经光导出层106出射的光线出光均匀，保证发光二极管100的发光效果。同理，当散射区109的光导出层106的折射率大于其它区域的光导出层106的折射率时，也能实现对经光导出层106的不同光程的光线的调节，具体实现方式与上述方式原理相同，再次不做过多赘述。对散射区109的光导出层106的密度调节、折射率调节，均能提高发光二极管100的出光效果，具体实现方式可以根据实际的设计需求进行选择，同时搭配不同的制备工艺实现，本发明实施例对此不做具体限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种发光二极管的制备方法，或者理解为该发光二极管的制备方法可形成上述实施方式提供的发光二极管，因此该发光二极管的制备方法也具有上述发光二极管所具有的有益效果，相同之处可参照上文对发光二极管的解释说明进行理解，下文中不再赘述。
示例性的，图12为本发明实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程示意图。该制备方法用于制备如上述实施例任一项所述的发光二极管。如图12所示，该制备方法包括：
S101，形成第一半导体膜层。
其中，可以采用磁控溅射或化学沉积的方式制备形成第一半导体膜层，第一半导体层可以为N型半导体层或P型半导体层。
S102，在第一半导体膜层一侧形成发光膜层。
其中，发光膜层可以为多量子阱层，其可以采用磁控溅射或化学沉积的方式制备得到，对于不同发光颜色的发光二极管，发光膜层的材料不同，可以使最终形成的发光二极管的发光颜色不同。
S103，在发光膜层背离第一半导体膜层的一侧形成第二半导体膜层。
其中，可以采用磁控溅射或化学沉积的方式制备形成第二半导体膜层，当第一半导体膜层为N型半导体膜层时，第二半导体膜层为P型半导体膜层；当第一半导体膜层为P型半导体膜层时，第二半导体膜层为N型半导体膜层。N型半导体膜层可以为N型氮化镓，N型砷化镓、N型磷化镓等N型半导体材料组成，P型半导体膜层可以为P型氮化镓，P型砷化镓、P型磷化镓等P型半导体材料组成。
S104，将第一半导体膜层、发光膜层和第二半导体膜层刻蚀形成第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一半导体层包括电极区和发光区，发光层位于发光区。
其中，采用湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺对第一半导体膜层、发光膜层和第二半导体膜层进行图案化，分别形成第一半导体层、发光层和第二半导体层，同时使得相邻的同一膜层之间存在间隙，方便后续形成各自独立的发光二极管。第一半导体层的电极区用于制备金属电极，使得金属电极与第一半导体电连接，第一半导体层的发光区与发光层相对应，保证出光面积。发光层与第一半导体层的发光区对应，发光层位于发光区内，发光层与第一半导体层、第二半导体层配合，保证发光二极管的发光效果。
S105，在第一半导体层的电极区形成第一电极，以及在第二半导体层背离发光层的一侧形成第二电极。
其中，第一电极和第二电极可以为氧化铟锡或金属等材质，第一电极和第二电极均由金属层进行图案化处理后得到，第一电极与第一半导体层电连接，第二电极与第二半导体层电连接。
S106，电极区的第一半导体层的厚度大于发光区的第一半导体层的厚度。
其中，电极区的第一半导体层的厚度大于发光区的第一半导体层的厚度，使得对位于第一半导体层的第一电极和位于第二半导体层的第二电极的之间存在的高度差进行预先补平，降低后续发光二极管转移的难度，提高制作效率，保证显示效果。
采用上述发光二极管的制备方法可制备上述实施例中图5所示的发光二极管，通过使电极区的第一半导体层的厚度大于发光区的第一半导体层的厚度，对第一电极和第二电极之间高度差异进行预先补偿，减小第一电极与第一半导体层出光面之间的距离和第二电极与第一半导体层出光面之间的距离，保证发光二极管的出光效果。
可选的，图13为本发明实施例提供的另一种发光二极管的制备方法的流程示意图。如图13所示，该制备方法包括：
S201，提供一外延衬底。
其中，外延衬底可以为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底或氧化锌衬底等，具体选择可以根据实际设计需求进行选择。
S202，对外延衬底的一侧进行刻蚀，以形成第一预设图形结构；刻蚀后的外延衬底包括与发光区对应的第一区域和与电极区对应的第二区域；其中，第一区域的外延衬底的厚度大于第二区域的外延衬底的厚度。
其中，对外延衬底采用激光刻蚀工艺，使得外延衬底一侧经刻蚀形成第一预设图形结构，为后续制备第一半导体层的形貌设计提供基础。
S203，在外延衬底的一侧形成光导出层，以填平外延衬底的第一预设图形结构。
其中，光导出层的材料可以为氮化镓，采用溅镀工艺形成，光导出层制作到一定厚度可以填平外延衬底的第一预设图形结构，并可以对光导出层背离外延衬底一侧进行图案化，保证形成水平面，方便后续膜层生长，同时光导出层可以为后续膜层生长提供表面，也可以降低衬底与后续膜层之间的晶格失配，提高膜层的生长质量。
S204，在光导出层背离外延衬底的一侧形成第一型半导体层；其中，第一半导体层包括光导出层和第一型半导体层，第一半导体层包括电极区和发光区，发光层位于发光区。
其中，在光导出层背离外延衬底的一侧采用磁控溅射或化学沉积的方式形成第一型半导体层，第一型半导体层的材料可以与光导出层的材料相同。
S205，在第一半导体层的电极区形成第一电极，以及在第二半导体层背离发光层的一侧形成第二电极。
S206，电极区的第一半导体层的厚度大于发光区的第一半导体层的厚度。
S207，剥离外延衬底，以形成发光二极管。
其中，采用激光进行外延衬底剥离，经激光照射激光能量会使外延衬底与光导出层接口处的光导出层分解，使得位于光导出层与外延衬底分离，以实现光导出层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极形成发光二极管。
采用上述发光二极管的制备方法可制备上述实施例中图5所示的发光二极管，通过该方法，在制备发光二极管的外延膜层之前，对外延衬底进行预设图案化刻蚀，为后续电极区的第一半导体层的厚度大于发光区的第一半导体层的厚度提供基础，保证形成发光二极管的出光效果。
可选的，图14为本发明实施例提供的另一种发光二极管的制备方法的流程示意图。如图14所示，该制备方法包括：
S301，提供一外延衬底。
S302，在外延衬底一侧形成外延层。
其中，在外延衬底一侧经过化学沉积工艺沉积形成外延层，外延层与外延衬底的吸收率相近的材料形成。
S303，刻蚀外延层，以形成光导出层；电极区的光导出层的厚度大于发光区的光导出层的厚度。
其中，通过对外延层进行刻蚀，形成预设图案，并在外延层背离外延衬底一侧采用磁控溅射或化学沉积的方式制备光导出层，最终使得电极区的光导出层的厚度大于发光区的光导出层的厚度，保证后续发光二极管的出光效果。
S304，在光导出层背离外延衬底的一侧形成第一型半导体层；其中，第一半导体层包括光导出层和第一型半导体层，第一半导体层包括电极区和发光区，发光层位于发光区。
S305，在第一半导体层的电极区形成第一电极，以及在第二半导体层背离发光层的一侧形成第二电极。
S306，电极区的第一半导体层的厚度大于发光区的第一半导体层的厚度。
S307，剥离外延衬底，以形成发光二极管。
其中，由于外延层与外延衬底的吸收率相近，当采用激光剥离外延衬底时，由于外延层与光导出层接触，吸收激光能量后，光导出层与外延层的连接处分离，使得外延层与外延衬底剥离，光导出层、第一型半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极形成发光二极管。
采用上述发光二极管的制备方法可制备上述实施例中图5所示的发光二极管，通过该方法，无需对外延衬底进行刻蚀，直接在外延衬底一侧形成外延层，对外延层进行刻蚀形成预设图案，再形成第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极，有效降低发光二极管的制作难度。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示面板，或者理解为该显示面板可由上述实施方式提供的发光二极管制备得到，因此该显示面板也具有上述发光二极管所具有的有益效果，相同之处可参照上文对发光二极管的解释说明进行理解，下文中不再赘述。
图15为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图15所示，示例性的，以显示面板200包括两个发光二极管100示出，该显示面板200包括：上述实施例任一项所述的多个发光二极管100，发光二极管100的具体数量本发明实施例不做具体限定。相邻发光二极管100之间还设置有遮光层2001，避免相邻发光二极管之间的光串扰，保证显示面板的显示效果。显示面板200还包括第一基板201，第一基板201包括衬底基板2011以及位于衬底基板2011一侧的第一基板电极203和第二基板电极204，发光二极管100的第一电极103与第一基板电极203键合，发光二极管100的第二电极105与第二基板电极204键合。
其中，衬底基板202可为刚性衬底基板或柔性衬底基板，示例性的，柔性衬底基板的材料包括但不限于超薄玻璃、金属箔或高分子塑料材料等。刚性衬底基板的材料包括但不限于玻璃或硅片等。衬底基板202一侧包括多个阵列排布的驱动电路，驱动电路连接第一基板电极203和第二基板电极204，驱动电路可以为2T1C电路，即具有2个薄膜晶体管和1个存储电容的电路，或7T1C电路，即具有7个薄膜晶体管和1个存储电容的电路等，本发明实施例对驱动电路的具体结构不进行限定。驱动电路用于为发光二极管100提供驱动信号，进而保证正常显示。发光二极管100转移至衬底基板202上，发光二极管100的第一电极103与驱动电路的第一基板电极203对应键合，实现电连接；发光二极管100的第二电极105与驱动电路的第二基板电极204对应键合，实现电连接。保证由驱动电路输出的驱动信号可以传输至发光二极管100，以实现发光二极管100发光。
继续参考图15，可选的，第一基板电极203背离衬底基板202的一侧表面与第二基板电极204背离衬底基板202一侧的表面齐平。
其中，对应上述发光二极管100的结构，第一基板电极203和第二基板电极204无需存在高度差，能够实现与发光二极管100的电连接，降低制作第一基板电极203和第二基板电极204的难度，同时由于发光二极管100的光导出层106的结构特点，发光二极管100的第一电极103与第一基板电极203键合、以及第二电极105与第二基板电极204的键合后，光导出层106的第一表面1061与第一基板电极203背离衬底基板202的一侧表面齐平，以使发光二极管100水平出光，避免不同视角差异，保证显示效果。
可选的，图16为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图16所示，显示面板200还包括共晶层205，第一电极103通过共晶层205与第一基板电极203键合，以及第二电极105通过共晶层205与第二基板电极204键合。
其中，为保证第一电极103与第一基板电极203之间的连接效果以及第二电极105与第二基板电极204之间的连接效果，可以在第一基板电极203背离衬底基板202的一侧表面和第二基板电极204背离衬底基板202的一侧表面设置有共晶层205，共晶层205经光刻工艺得到，共晶层205覆盖第一基板电极203和第二基板电极204，共晶层205的材料可以为银锡混合混合物或铜铟混合物等金属混合物。位于衬底基板202一侧的共晶层205经加压、加热后呈熔融状态，在发光二极管转移过程中，第一电极103和第二电极105与共晶层205部分直接接触，共晶层205固化后，通过共晶205层实现第一电极103与第一基板电极203稳定键合以及第二电极105与第二基板电极204稳定键合，同时保证发光二极管100的出光面水平，进而提高显示面板200的出光效果。
此外，为解决现有技术存在的问题，本发明实施例还提供一种显示面板，图17为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图17所示，该显示面板200包括：第一基板201，包括衬底基板2011以及位于衬底基板2011一侧的第一基板电极203和第二基板电极204；第二基板206，包括朝向第一基板201的第五表面2012，第二基板206的第五表面2012所在侧设置第一凹槽207；发光二极管100，至少部分嵌入第一凹槽207，且发光二极管100的朝向第一凹槽207的表面，相比于第五表面2012，倾斜设置；发光二极管100包括第一电极103和第二电极105，第一电极103与第一基板电极203键合，第二电极105与第二基板电极204键合。
其中，第二基板206可以为玻璃基板，第二基板206与发光二极管100结合固定，第二基板206对发光二极管100起到一定的保护作用。第二基板206包括朝向第一基板201的第五表面2012，且第五表面2012设置有第一凹槽207，第一凹槽207可以采用刻蚀工艺根据预设图案进行刻蚀，此时第一凹槽207可以贯穿第二基板206，以使发光二极管100可以部分嵌入第一凹槽207，且发光二极管100的朝向第一凹槽207的表面倾斜设置，有效降低发光二极管100转移难度；并且，由于发光二极管100朝向第一凹槽207的表面倾斜设置，以对发光二极管100的第一电极103和第二电极105之间存在的高度差进行补偿，无需对第一基板201的第一基板电极203和第二基板电极204进行高度差设置，使得发光二极管100的第一电极103可以与第一基板电极203直接键合，发光二极管100的第二电极105可以与第二基板电极204直接键合，简化制作工艺，提高制作效率。
可以理解的是，图17仅示例性的示出了第一凹槽207贯穿第二基板206，而在本发明实施例中第一凹槽207还可以为其它设置方式。如图18所示，第一凹槽207可以不贯穿第二基板20，以保证发光二极管100可以部分嵌入第一凹槽207。
本发明实施例通过在第二基板的第五表面设置第一凹槽，以容纳部分发光二极管，且使发光二极管的朝向第一凹槽的表面，相比于第五表面，倾斜设置，降低发光二极管的转移难度；同时，将使发光二极管的朝向第一凹槽的表面倾斜设置，以对发光二极管的第一电极和第二电极存在的高度差异进行补偿，使得第一基板一侧的第一基板电极和第二基板电极无需进行高度差设置，有效简化制备工艺，提高制备效率，实现第一基板与发光二极管接触固定，保证显示面板的显示效果。
可选的，继续参考图18，第一基板电极203背离衬底基板2011的一侧表面与第二基板电极204背离衬底基板2011一侧的表面齐平。
其中，对应第二基板206和发光二极100管的结合状态，第一基板电极203和第二基板电极204无需存在高度差，能够实现与发光二极管100的电连接，降低制作第一基板电极203和第二基板电极204的难度，同时不影响发光二极管100的出光效果和显示面板的显示效果。
可选的，图19为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图19所示显示面板200还包括：光调整部208，位于发光二极管100的朝向第一凹槽207的一侧，且光调整部208的厚度渐变。
其中，在发光二极管100的朝向第一凹槽207的一侧设置光调整部208，以调整发光二极管100的出光效果，由于发光二极管100的朝向第一凹槽207的表面，相比于第二基板206的第五表面2012，倾斜设置，因此通过设置厚度渐变的光调整结构208调整发光二极管100出光面各个位置处发光的光，使得发光二极管100出光面发出的光保持一致。
可选的，图20为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图20所示，光调整部208还可以设置有散射粒子209，对发光二极管100发出的光进行光路调节，进一步保证发光二极管100的出光均匀性，提高显示面板200的显示效果。
可选的，图21为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图21所示，显示面板200还包括：遮光部210，环绕光调整部208。
其中，遮光部210环绕光调整部208设计，如此，通过设置环绕光调整部的遮光部，可以使得发光二极管100发出的光由光调整部208出射，散射的光线由遮光部210吸收，避免散射的光线对相邻的发光二极管100造成光串扰，保证发光二极管100出光的均匀性。
可选的，继续参考图21，第二基板206包括背离第一基板201一侧的第六表面2013，第二基板206的第六表面2013所在侧设置第二凹槽211；遮光部210位于第二凹槽211。
其中，第二基板206的第六表面2013所在侧设置第二凹槽211；第二凹槽211可以根据刻蚀工艺刻蚀得到，并在第二凹槽211内设置遮光部210位于第二凹槽211，光调整部208远离第五表面2012的一侧表面与第五表面2012之间的距离大于遮光部210远离第五表面2012的一侧表面与第五表面2012之间的距离，以保证经光调整部208出射的散射光能够被遮光部210吸收，提高显示面板200的显示效果。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法，或者理解为该显示面板的制备方法可形成上述实施方式提供的显示面板，因此该显示面板的制备方法也具有上述显示面板所具有的有益效果，相同之处可参照上文对显示面板的解释说明进行理解，下文中不再赘述。
图22为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图。如图22所示，该制备方法包括：
S401，提供第一基板，第一基板包括衬底基板以及位于衬底基板一侧的第一基板电极和第二基板电极。
其中，第一基板可为刚性衬底基板或柔性衬底基板，第一基板电极和第二基板电极可以为由铜、锡、银、金等金属材料沉积形成金属层后经刻蚀工艺刻蚀形成。
S402，提供第二基板，包括第五表面，第二基板的第五表面所在侧设置第一凹槽。
其中，第二基板可以为玻璃基板，第一凹槽可以对第二基板的第五表面进行图案化后，采用刻蚀工艺得到。
S403，提供发光二极管，发光二极管包括第一电极和第二电极。
S404，将发光二极管的至少部分嵌入第一凹槽，且发光二极管的朝向第一凹槽的表面，相比于第五表面，倾斜设置。
其中，第一凹槽的形状和尺寸与发光二极管的形状和尺寸相匹配，保证第一凹槽可以满足发光二极管的至少部分嵌入，进而保证后续发光二极管的出光效果。
S405，将第二基板与第一基板相对设置，且第二基板的第五表面朝向第一基板，使得第一电极与第一基板电极键合，第二电极与第二基板电极键合。
其中，第一电极与第一基板电极键合，第二电极与第二基板电极键合，以实现驱动电路对发光二极管的驱动，实现发光二极管发光。
采用上述显示面板的制备方法可制备上述实施例中图21所示的显示面板，通过该方法，利用在第二基板设置第一凹槽，第一凹槽容纳部分发光二极管，实现第二基板与发光二极管的结合固定，同时发光二极管朝向的第一凹槽一侧倾斜设置，以对发光二极管的第一电极和第二电极之间的高度差进行补偿，无需对第一基板一侧的第一基板电极和第二基板电极进行高度差设置，实现第一基板与发光二极管的接触固定，简化制作工艺，提高生产效率，降低转移难度，保证显示面板的显示效果。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，或者理解为该显示装置可由上述实施方式提供的显示面板形成，因此该显示装置也具有上述显示面板所具有的有益效果，相同之处可参照上文对显示面板的解释说明进行理解，下文中不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示面板。示例性的，如图23所示，该显示装置300包括显示面板200。
本发明实施例提供的显示装置300可以为图23所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互组合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (23)

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
第一半导体层；所述第一半导体层包括电极区和发光区；
位于所述第一半导体层一侧的发光层和第一电极；所述发光层位于所述发光区，所述第一电极位于所述电极区；
位于所述发光层背离所述第一半导体层一侧的第二半导体层；
位于所述第二半导体层背离所述发光层一侧的第二电极；
其中，所述电极区的所述第一半导体层的厚度大于所述发光区的所述第一半导体层的厚度。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层包括光导出层和第一型半导体层；
所述第一型半导体层位于所述光导出层与所述发光层之间；
所述电极区的所述光导出层的厚度大于所述发光区的所述光导出层的厚度。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述电极区的所述第一型半导体层的厚度与所述发光区的所述第一型半导体层的厚度相同。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述光导出层包括第一表面、第二表面和第三表面；
所述第一表面与所述第二表面相对设置，且所述第二表面位于所述第一表面靠近所述第一型半导体层的一侧；
所述第一表面包括相对的第一侧边和第二侧边；所述第二表面包括相对的第三侧边和第四侧边；所述第一侧边和所述第三侧边均位于所述电极区，所述第二侧边和所述第四侧边均位于所述发光区；
所述第三表面连接所述第一侧边和所述第三侧边，且所述第三表面与所述第二表面垂直；
沿所述电极区指向所述发光区的方向，所述第一表面与所述第二表面之间的距离逐渐减小。
5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一表面与所述第二表面之间的夹角为θ；其中，0°≤θ≤10°。
6.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二侧边与所述第四侧边相接触。
7.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第三表面的粗糙度大于M1；其中，500nm≤M1≤1μm；
和/或，所述第三表面设置有金属反射膜。
8.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述光导出层还包括第四表面；所述第四表面连接所述第二侧边和所述第四侧边。
9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第四表面的粗糙度大于M2；其中，500nm≤M2≤1μm；
和/或，所述第四表面设置有金属反射膜。
10.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述光导出层包括离散分布的多个散射区；
所述散射区的所述光导出层的密度大于其它区域的所述光导出层的密度；和/或，所述散射区的所述光导出层的折射率大于其它区域的所述光导出层的折射率。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层为N型半导体；所述第二半导体层为P型半导体。
12.一种发光二极管的制备方法，用于制备如权利要求1～11任一项所述的发光二极管，其特征在于，包括：
形成第一半导体膜层；
在所述第一半导体膜层一侧形成发光膜层；
在所述发光膜层背离所述第一半导体膜层的一侧形成第二半导体膜层；
将所述第一半导体膜层、所述发光膜层和所述第二半导体膜层刻蚀形成第一半导体层、发光层和第二半导体层；
所述第一半导体层包括电极区和发光区；
在所述第一半导体层的所述电极区形成第一电极，以及在所述第二半导体层背离所述发光层的一侧形成第二电极；
所述发光层位于所述发光区；其中，所述电极区的所述第一半导体层的厚度大于所述发光区的所述第一半导体层的厚度。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，形成第一半导体层，包括：
提供一外延衬底；
对所述外延衬底的一侧进行刻蚀，以形成第一预设图形结构；刻蚀后的所述外延衬底包括与所述发光区对应的第一区域和与所述电极区对应的第二区域；其中，所述第一区域的所述外延衬底的厚度大于所述第二区域的所述外延衬底的厚度；
在所述外延衬底的一侧形成光导出层，以填平所述外延衬底的所述第一预设图形结构；
在所述光导出层背离所述外延衬底的一侧形成第一型半导体层；
其中，所述第一半导体层包括所述光导出层和所述第一型半导体层；
在所述第一半导体层的所述电极区形成第一电极，以及在所述第二半导体层背离所述发光层的一侧形成第二电极之后，还包括：
剥离所述外延衬底，以形成所述发光二极管。
14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一半导体层，包括：
提供一外延衬底；
在所述外延衬底一侧形成外延层；
刻蚀所述外延层，以形成光导出层；所述电极区的所述光导出层的厚度大于所述发光区的所述光导出层的厚度；
在所述光导出层背离所述外延衬底的一侧形成第一型半导体层；
其中，所述第一半导体层包括所述光导出层和所述第一型半导体层；
在所述第一半导体层的所述电极区形成第一电极，以及在所述第二半导体层背离所述发光层的一侧形成第二电极之后，还包括：
剥离所述外延衬底，以形成所述发光二极管。
15.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1～11任一项所述的多个发光二极管；
所述显示面板还包括第一基板，所述第一基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的第一基板电极和第二基板电极，所述发光二极管的第一电极与所述第一基板电极键合，所述发光二极管的第二电极与所述第二基板电极键合。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板电极背离所述衬底基板的一侧表面与所述第二基板电极背离所述衬底基板一侧的表面齐平。
17.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一基板，包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的第一基板电极和第二基板电极；
第二基板，包括朝向所述第一基板的第五表面，所述第二基板的第五表面所在侧设置第一凹槽；
发光二极管，至少部分嵌入所述第一凹槽，且所述发光二极管的朝向所述第一凹槽的表面，相比于所述第五表面，倾斜设置；
所述发光二极管包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一基板电极键合，所述第二电极与所述第二基板电极键合。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，
所述第一基板电极背离所述衬底基板的一侧表面与所述第二基板电极背离所述衬底基板一侧的表面齐平。
19.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，还包括：
光调整部，位于所述发光二极管的朝向所述第一凹槽的一侧，且所述光调整部的厚度渐变。
20.根据权利要求19所述的显示面板，其特征在于，还包括：
遮光部，环绕所述光调整部。
21.根据权利要求20所述的显示面板，其特征在于，
所述第二基板包括背离所述第一基板一侧的第六表面，所述第二基板的第六表面所在侧设置第二凹槽；
所述遮光部位于所述第二凹槽。
22.一种显示面板的制备方法，其特征在于，
提供第一基板，所述第一基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的第一基板电极和第二基板电极；
提供第二基板，包括第五表面，所述第二基板的第五表面所在侧设置第一凹槽；
提供发光二极管，所述发光二极管包括第一电极和第二电极；
将所述发光二极管的至少部分嵌入所述第一凹槽，且所述发光二极管的朝向所述第一凹槽的表面，相比于所述第五表面，倾斜设置；
将所述第二基板与所述第一基板相对设置，且所述第二基板的第五表面朝向所述第一基板，使得所述第一电极与所述第一基板电极键合，所述第二电极与所述第二基板电极键合。
23.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求15～21任一项所述的显示面板。
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