CN113767465A - 半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

半导体装置的制造装置(10)包括平台(16)、接合头(14)、安装于所述接合头(14)的接合工具(24)及第一照相机(26)、以及控制器(18)，所述控制器(18)以针对一个以上的点分别执行下述处理的方式构成：使检查芯片(130)载置于载置面；获取使所述第一照相机(26)对载置所述检查芯片(130)后的所述载置面进行摄像所得的图像作为检查图像(44)；基于所述检查图像(44)内的所述检查芯片(130)的位置，算出照相机偏移量Ocm的补正量作为区域补正量C；以及将算出的区域补正量C与所述任意的点的位置对应地存储于存储装置。

Description

半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法
技术领域
本说明书公开一种在基板上封装半导体芯片而制造半导体装置的、半导体装置的制造装置以及半导体装置制造方法。
背景技术
从前以来，在基板上封装半导体芯片而制造半导体装置的技术已广为人知。所述半导体装置的制造技术中，要求将半导体芯片可靠地封装于目标位置。因此，从前以来提出：在接合头设置接合半导体芯片的接合工具、及对基板进行摄像的照相机，基于照相机的拍摄图像来判断接合工具相对于基板的相对位置，将半导体芯片封装于目标位置。
根据所述技术，可将半导体芯片更可靠地封装于目标位置。此处，为了基于拍摄图像来准确算出接合工具相对于基板的相对位置，需要接合工具与照相机的偏移量(以下称为“照相机偏移量”)的准确值。然而，照相机偏移量大多因制造装置的应变(尤其是接合头的驱动系统的应变)或温度变化等而变动，难以获取照相机偏移量的准确值。其结果为，现有技术中，有时半导体芯片的位置精度降低。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第6256486号公报
专利文献2：日本专利特开2004-146776号公报
发明内容
发明所要解决的问题
专利文献1及专利文献2中公开有下述技术：设置可同时对由接合工具所保持的芯片及基板两者进行摄像的上下二视场照相机，基于由所述二视场照相机所得的图像，以检查用的芯片位于基板的目标位置的方式驱动接合头，根据所载置的芯片的实际的位置来算出必要的补正量。
根据所述专利文献1、专利文献2，可在某种程度上减小芯片的位置误差。然而，专利文献1、专利文献2需要昂贵的上下二视场照相机，有导致成本增加之虞。另外，专利文献1中，在算出补正量时，需要标注有对准标记(alignment mark)的专用的基板。另外，专利文献2中，算出补正量的顺序非常复杂，耗费时间。
因此，本说明书中，公开一种能以更简易的顺序进一步提高封装半导体芯片时的位置精度的、半导体装置的制造装置及半导体装置的制造方法。
解决问题的技术手段
本说明书所公开的半导体装置的制造装置的特征在于包括：平台，载置基板；接合头，相对于所述平台而可相对地移动至任意的点(point)；位置检测机构，检测所述接合头的位置；接合工具，安装于所述接合头，保持芯片；第一照相机，安装于所述接合头，自上方对载置面进行摄像，所述载置面为所述平台上表面或载置于所述平台的基板上表面；以及控制器，所述控制器以针对一个以上的点分别执行下述处理的方式构成：载置处理，使所述接合头移动至所述任意的点后，驱动所述接合工具，使所述芯片载置于所述载置面；检查图像获取处理，获取使所述第一照相机对载置所述芯片后的所述载置面进行摄像所得的图像作为检查图像；补正值算出处理，基于所述检查图像内的所述芯片的位置，算出照相机偏移量的补正量作为区域补正量，所述照相机偏移量为所述第一照相机相对于所述接合工具的偏移量；以及存储处理，将所算出的区域补正量、与由所述位置检测机构所检测的所述任意的点的位置对应地存储于存储装置。
在所述情形时，所述控制器也可在所述补正值算出处理中，基于所述检查图像内的芯片的实际位置、与根据设计上的所述照相机偏移量所求出的所述检查图像内的所述芯片的理想位置的差量，来算出所述区域补正值。
另外，在所述情形时，也可还包括：第二照相机，自下侧对所述接合工具进行摄像，所述控制器以在所述载置处理之前执行工具图像获取处理的方式构成，所述工具图像获取处理获取使所述第二照相机对由所述接合工具所保持的所述芯片进行摄像所得的图像作为工具图像，所述控制器基于所述工具图像来算出作为所述接合工具的中心相对于所述芯片的中心的偏移量的芯片偏移量，基于所述芯片偏移及设计上的所述照相机偏移量，来算出所述检查图像内的所述芯片的理想位置。
另外，所述控制器也可在执行所述载置处理后，不使所述接合头水平移动，而执行所述检查图像获取处理。
另外，所述位置检测机构也可包含搭载于所述接合头的驱动系统的位置传感器。
本说明书所公开的半导体装置的制造方法的特征在于，针对一个以上的点分别执行下述步骤：使安装有接合工具及第一照相机的接合头移动至平台之上的任意的点；将由所述接合工具所保持的芯片载置于载置面，所述载置面为所述平台的上表面或载置于所述平台的基板的上表面；获取使所述第一照相机对载置所述芯片后的所述载置面进行摄像所得图像作为检查图像；基于所述检查图像内的所述芯片的位置，算出照相机偏移量的补正量作为区域补正量，所述照相机偏移量为所述第一照相机相对于所述接合工具的偏移量；以及将所算出的区域补正量、与所述任意的点的位置对应地存储于存储装置。
本说明书所公开的另一半导体装置的制造装置的特征在于包括：平台，载置基板；接合头，相对于所述平台而可相对地移动；接合工具，安装于所述接合头，将芯片接合于所述基板；第一照相机，安装于所述接合头，自上方对载置面进行摄像，所述载置面为所述平台上表面或载置于所述平台的基板上表面；以及控制器，所述控制器以针对一个以上的点分别执行下述处理的方式构成：第一载置处理，使所述接合头移动至任意的点后，驱动所述接合工具，使参照芯片载置于所述载置面；参照图像获取处理，获取使所述第一照相机对载置所述参照芯片后的所述载置面进行摄像所得的图像作为参照图像；第二载置处理，以基于所述参照图像而可在所述参照芯片的正上方载置检查芯片的方式将所述接合头定位后，驱动所述接合工具，使检查芯片载置于所述参照芯片之上；检查图像获取处理，获取使所述第一照相机对载置所述检查芯片后的所述载置面进行摄像所得的图像作为检查图像；补正值算出处理，基于所述检查图像内的所述参照芯片与所述检查芯片的位置偏差，算出照相机偏移量的补正量作为区域补正量，所述照相机偏移量为所述第一照相机相对于所述接合工具的偏移量；以及存储处理，将所算出的区域补正量、与所述任意的点的位置对应地存储于存储装置。
发明的效果
根据本说明书所公开的半导体装置的制造装置及制造方法，能以更简易的顺序进一步提高封装半导体芯片时的位置精度。
附图说明
图1为表示制造装置的结构的示意图。
图2为表示将半导体芯片接合于基板上的目标位置时的流程的流程图。
图3为表示工具图像的一例的图。
图4为表示载置面图像的一例的图。
图5为表示产生照相机偏移误差的状况的映像图。
图6为表示区域补正量的获取流程的流程图。
图7A为表示区域补正量的获取流程的映像图。
图7B为表示区域补正量的获取流程的映像图。
图7C为表示区域补正量的获取流程的映像图。
图8为检查图像的局部放大图。
图9为表示区域补正量的另一获取顺序的流程图。
图10为表示区域补正量的另一获取顺序的流程图。
图11A为表示按照图9、图10的流程图的获取顺序的状况的映像图。
图11B为表示按照图9、图10的流程图的获取顺序的状况的映像图。
图11C为表示按照图9、图10的流程图的获取顺序的状况的映像图。
图12A为表示按照图9、图10的流程图的获取顺序的状况的映像图。
图12B为表示按照图9、图10的流程图的获取顺序的状况的映像图。
图12C为表示按照图9、图10的流程图的获取顺序的状况的映像图。
图13为表示检查图像的一例的图。
具体实施方式
以下，参照附图对半导体装置的制造装置10的结构进行说明。图1为表示制造装置10的结构的示意图。所述制造装置10通过将多个半导体芯片110接合于基板100从而制造半导体装置。
制造装置10具有拾取单元12、接合头14、平台16及控制器18。拾取单元12具有：上推销20，将载置于切割带(dicing tape)120的半导体芯片110上推；以及拾取头22，以其底面保持经上推的半导体芯片110。拾取头22以沿水平方向延伸的旋转轴O为中心而可旋转。拾取头22可通过旋转180度，从而使所拾取的半导体芯片110在厚度方向反转180度。由此，半导体芯片110中接着于切割带120的面朝向上方。
接合头14通过未图示的XY驱动机构而在与平台16的上表面平行的水平方向移动。XY驱动机构包括驱动源(马达等)、及检测移动位置的传感器(例如编码器等)。在所述接合头14，设有吸附保持半导体芯片110的接合工具24。所述接合工具24通过未图示的Z轴驱动机构而在与水平方向正交的铅垂方向可升降，并且以沿铅垂方向延伸的轴A为中心而可旋转。
另外，在接合头14也设有第一照相机26。第一照相机26以光轴朝向下方的姿势安装于接合头14，对平台16的上表面或载置于所述平台16的基板100的上表面(以下称为“载置面”)进行摄像。接合工具24及第一照相机26均固定于接合头14，故而两者与接合头14一起移动。
再者，以下将第一照相机26的光轴相对于接合工具24的中心轴的偏移量称为“照相机偏移量Ocm”。所述照相机偏移量Ocm的设计上的值作为基础照相机偏移量Ocm_b而预先存储于控制器18的存储器。然而，有时由于驱动系统的应变或温度变化等，而在实际的照相机偏移量Ocm与基础照相机偏移量Ocm_b之间产生稍许的误差。因此，本例中，在半导体芯片110的接合处理之前，算出用以补正实际的照相机偏移量Ocm与基础照相机偏移量Ocm_b的误差的区域补正量C，关于这一情况将于后述。
平台16真空吸附并支撑由未图示的搬送机构所搬送的基板100。在平台16的附近，设有以光轴向上方延伸的姿势配置的第二照相机28。第二照相机28对接合工具24的底面及由所述接合工具24所保持的半导体芯片110进行摄像。
控制器18对制造装置10的各部的驱动进行控制，例如具有执行各种运算的处理器、以及存储各种程序及数据的存储器。所述控制器18驱动拾取单元12及接合头14，使多个半导体芯片110接合于基板100上。另外，控制器18为了提高接合的位置精度，而针对多个点Pi(i＝1,2,…,imax)分别算出所述区域补正量C并存储，关于这一情况将于后述。
继而，参照图2对将半导体芯片110接合于基板100上的目标位置时的流程进行说明。在将半导体芯片110接合于基板100时，控制器18首先驱动接合头14及拾取单元12，使接合工具24的底面保持半导体芯片110(S10)。继而，控制器18以接合工具24进入第二照相机28的视场的方式使接合头14移动后，利用第二照相机28对保持有半导体芯片110的接合工具24的底面进行摄像(S12)。以下，将对所述接合工具24的底面进行摄像所得的图像称为“工具图像40”。图3为表示所述工具图像40的一例的图。
如图3所示，在工具图像40，拍摄有接合工具24的底面、及由所述底面吸附保持的半导体芯片110。控制器18基于所述工具图像40，算出半导体芯片110相对于X轴的倾斜，并以补正所述倾斜的方式(即，以半导体芯片110的边与X轴成平行的方式)，使接合工具24绕轴A旋转。另外，所得的工具图像40暂时存储于控制器18的存储器。
若可获得工具图像40，则控制器18使接合头14移动至基板100的上侧(S14)。在所述状态下，控制器18驱动第一照相机26，对载置面(即，基板100上表面)进行摄像(S16)。以下，将由所述第一照相机26所得的图像称为“载置面图像42”。图4为表示载置面图像42的一例的图。
若可获得载置面图像42，则控制器18基于所述载置面图像42、工具图像40、照相机偏移量Ocm，算出半导体芯片110与目标位置Ptg的相对位置关系(S18)。
参照图4对其计算原理进行说明。作为目标位置Ptg相对于半导体芯片110的中心Pcp的偏移量的最终偏移量Os成为Os＝Ocp+Ocm+Otg。此处，Ocp为接合工具24的中心轴Ptl相对于半导体芯片110的中心Pcp的偏移量(以下称为“芯片偏移量Ocp”)。所述芯片偏移量Ocp可通过分析工具图像40从而算出。另外，Ocm为第一照相机26的光轴位置Pcm相对于接合工具24的中心轴Ptl的偏移量、即照相机偏移量Ocm。所述照相机偏移量Ocm可基于预先存储的基础照相机偏移量Ocm_b及后述的区域补正量C而算出。
进而，Otg为目标位置Ptg相对于第一照相机26的光轴位置Pcm的偏移量(以下称为“目标偏移量Otg”)。所述目标偏移量Otg可通过分析载置面图像42从而算出。即，如图4所示，通常于基板100存在成为定位基准的基板侧标记102。图4的图示例中，基板侧标记102为十字状的标记，设于基板100的四角附近。第一照相机26以拍摄到所述基板侧标记102那样的视角对载置面进行摄像。因此，在载置面图像42拍摄到基板侧标记102。载置面图像42内的目标位置Ptg可将所述基板侧标记102作为基准而确定。另外，载置面图像42的中心位置可视为第一照相机26的光轴位置Pcm。而且，目标偏移量Otg可根据载置面图像42内的目标位置Ptg相对于载置面图像42的中心位置(第一照相机26的光轴位置Pcm)的偏移量而求出。
若可算出半导体芯片110的中心Pcp与目标位置Ptg的相对位置关系、即最终偏移量Os，则控制器18使接合头14以所述最终偏移量Os移动。由此，由接合工具24所保持的半导体芯片110位于目标位置Ptg的正上方。若成为所述状态，则控制器18使接合工具24下降，使半导体芯片110接合于目标位置Ptg。
如由以上的说明所表明，本例中，在半导体芯片110的定位时，利用芯片偏移量Ocp、照相机偏移量Ocm及目标偏移量Otg。换言之，为了将半导体芯片110准确地定位，需要芯片偏移量Ocp、照相机偏移量Ocm及目标偏移量Otg各自的准确值。此处，芯片偏移量Ocp及目标偏移量Otg的准确值可根据工具图像40及载置面图像42而算出。
另一方面，照相机偏移量Ocm无法根据工具图像40及载置面图像42来把握，需要预先存储准确值。此处，如上文所述，在控制器18的存储器，存储有照相机偏移量Ocm的设计上的值、即基础照相机偏移量Ocm_b。然而，有时由于接合头14的驱动系统的应变等，而在实际的照相机偏移量Ocm与基础照相机偏移量Ocm_b之间产生误差(以下称为“照相机偏移误差”)。
参照图5对这一情况进行说明。图5为表示产生照相机偏移误差的状况的映像图。有时接合头14的驱动系统产生机械应变。例如，如图5所示，有时引导接合头14的X方向的移动的X导轨15x发生挠曲。在所述情形时，视接合头14的位置不同，有时第一照相机26相对于接合工具24的相对位置变化，产生照相机偏移误差。另外，有时伴随X导轨15x的挠曲，而第一照相机26的光轴或接合工具24的中心轴倾斜。在所述情形时，载置面图像42内的、第一照相机26的光轴相对于接合工具24的中心轴的相对位置变化，产生照相机偏移误差。此种照相机偏移误差视接合头14的位置而不同。例如，上文所述的X导轨15x的挠曲量越接近所述X导轨15x的中心则越容易变大，因而照相机偏移误差也是越接近X导轨15x的中心则越容易变大。
为了将半导体芯片110准确地定位，需要将视接合头14的位置而不同的照相机偏移误差准确地补正。因此，本例中，在接合半导体芯片110之前，针对多个点Pi分别获取用以补正所述照相机偏移误差的区域补正量C。以下，对所述区域补正量C的获取进行说明。
图6为表示区域补正量C的获取流程的流程图。另外，图7A～图7C为表示区域补正量C的获取流程的映像图。图6所示的处理于接合半导体芯片110之前进行。另外，在控制器18的存储器，预先存储有多个点Pi的座标值。所述多个点Pi的个数或配置间隔、配置范围等并无特别限定。例如，通常在一个基板100设定有多个目标位置，半导体芯片110封装于所述多个目标位置。多个点Pi也可与所述多个目标位置相同。
在获取区域补正量C时，控制器18首先将参数i初始化，设为i＝1(S30)。继而，控制器18驱动拾取单元12及接合头14，使接合工具24的前端保持检查芯片130(S32)。此处，检查芯片130只要可由接合工具24操作，则并无特别限定。因此，检查芯片130例如也可为实际接合的半导体芯片110。另外，检查芯片130也可为特别设置以用于算出区域补正量C的专用芯片。在所述情形时，在检查芯片130也可标注有某些对准标记。
继而，控制器18驱动接合头14及第二照相机28，获取工具图像40(S34)。具体而言，控制器18如图7A所示，以接合工具24位于第二照相机28的正上方的方式使接合头14移动后，使第二照相机28对接合工具24及其所保持的检查芯片130进行摄像。在检查芯片130相对于X轴倾斜的情形时，控制器18以消除所述倾斜的方式使接合工具24绕轴A旋转。另外，由所述摄像所得的工具图像40暂时存储于控制器18的存储器。
继而，控制器18使接合头14移动至点Pi(S36)。所述移动可基于搭载于接合头14的驱动系统的位置传感器(例如编码器等)的检测结果而控制。若到达点Pi，则控制器18如图7B所示，使接合工具24下降，使检查芯片130载置于载置面(S38)。此处，载置面如上文所述，可为平台16的上表面，也可为载置于平台16的基板100的上表面。在任一情形时，在载置面均无需特殊的对准标记。换言之，本例的情形时，无须为了获取区域补正量C而准备专用的基板100等。
若可将检查芯片130载置于载置面，则控制器18如图7C所示，驱动第一照相机26，对载置面及载置于所述载置面的检查芯片130进行摄像(S40)。以下，将对所述载置面及检查芯片130进行摄像所得的图像称为“检查图像44”。
若获得检查图像44，则控制器18基于所述检查图像44及工具图像40而算出区域补正量C(S42)。参照图8对这一情况进行说明。图8为检查图像44的局部放大图。
本例中，基于检查图像44内的检查芯片130的实际位置与理想位置的差量，来算出区域补正量C。此处，所谓检查芯片130的理想位置，为照相机偏移量Ocm与基础照相机偏移量Ocm_b相等的情形、换言之照相机偏移误差为零的情形时的、检查芯片130在检查图像44内的位置。图8中，以实线来图示检查芯片130的实际位置，以二点划线来图示理想位置。
理想位置成为自检查图像44的中心(即，第一照相机26的光轴)偏离L＝Ocm_b+Ocp的位置。基础照相机偏移量Ocm_b如反复说明那样，预先存储于存储器。另外，芯片偏移量Ocp可根据工具图像40而求出。
另外，检查芯片130的实际位置可通过对检查图像44进行图像分析从而算出。例如，于在检查芯片130标注有对准标记的情形时，只要使用图案匹配(pattern matching)等技术来提取所述对准标记，并确定所提取的对准标记于检查图像44内的座标即可。
若可分别算出检查图像44内的检查芯片130的实际位置及理想位置，则控制器18算出两者的差量，算出抵消所述差量值的值作为区域补正量C。例如，如图8所示，检查芯片130的理想位置自实际位置偏离(-X1，-Y1)。在所述情形时，控制器18算出抵消所述偏离的值(X1，Y1)作为区域补正量C。在接合工具24半导体芯片110时，只要将对基础照相机偏移量Ocm_b加上所述区域补正量C所得的值用作照相机偏移量Ocm即可。
若可算出区域补正量C，则控制器18将所述区域补正量C与当前的点Pi的位置对应地存储于存储器(S44)。若可针对一个点Pi算出区域补正量C，则将参数i递增后(S46)，返回步骤S32。继而，以同样的顺序算出新的点Pi的区域补正量C。再者，用于获取新的点Pi的区域补正量C的检查芯片130可为自拾取单元12新供给的芯片，也可为已载置于载置面的检查芯片130。因此，例如也可针对多个点Pi分别逐一载置检查芯片130。另外，作为另一形态，也可将一个检查芯片130依序载置于多个点Pi，并且依序获取多个区域补正量C。总之，若可针对所有点Pi算出区域补正量C(即，若S46中成为是(Yes))，则处理结束。
此处，如由到此为止的说明所表明，区域补正量C所补正的误差并非以载置面上的绝对位置为基准的误差，而是第一照相机26与接合工具24的照相机偏移误差。因此，本例中，即便在为了获取区域补正量C而载置检查芯片130的情形时，也无须严格管理所述检查芯片130相对于载置面的相对位置。其结果为，无需用以进行检查芯片130的定位的复杂顺序，能以简易的顺序获得区域补正量C。
另外，在算出所述区域补正量C时，无须严格管理检查芯片130相对于载置面的相对位置，因而无须在载置面标注有特殊的对准标记等。其结果为，无须准备用以算出补正量的特殊的载置面，可降低获取补正量所需要的成本或工夫。进而，本例中，无须对接合工具24与载置面同时进行摄像，因而不需要昂贵的上下二视场的照相机，可进一步降低成本。进而，本例中，通过针对多个点Pi分别算出区域补正量C并存储，从而也可应对由位置所致的误差，可进一步提高接合的位置精度。
继而，参照图9～图13对区域补正量C的获取顺序的另一例进行说明。图9、图10为表示区域补正量C的另一获取顺序的流程图。另外，图11、图12为表示按照图9、图10的流程图的获取顺序的状况的映像图。本例中，为了获取区域补正量C，除了检查芯片130以外，使用参照芯片140。参照芯片140为较检查芯片130先载置于载置面，用作检查芯片130的定位目标的芯片。所述参照芯片140的形状或尺寸等并无特别限定。在所述参照芯片140，也可为了容易地通过图像分析来把握所述参照芯片140的位置，而设有某些对准标记。
检查芯片130载置于所述参照芯片140之上。所述检查芯片130的形状或尺寸等也无特别限定。然而，于在参照芯片140的表面标注有对准标记的情形时，检查芯片130也可为由透明材料、例如玻璃或聚碳酸酯、丙烯酸、聚酯、透明陶瓷等所构成的透明芯片。通过设为所述结构，从而即便在参照芯片140之上重叠检查芯片130，也可确认参照芯片140的对准标记。另外，也可与参照芯片140同样地，在检查芯片130的表面也设有某些对准标记。另外，检查芯片130也可为小于参照芯片140的尺寸。通过设为所述结构，即便在将检查芯片130以相对于参照芯片140的位置偏离的状态载置于参照芯片140之上的情形时，检查芯片130也不易自参照芯片140掉落。
在获取区域补正量C的情形时，控制器18首先将参数i初始化，设为i＝1(S50)。继而，控制器18驱动接合头14及拾取单元12，使接合工具24的前端保持参照芯片140(S52)。
继而，控制器18驱动接合头14及第二照相机28，获取工具图像40(S54)。具体而言，控制器18如图11A所示，以接合工具24位于第二照相机28的正上方的方式使接合头14移动后，使第二照相机28对接合工具24及其所保持的参照芯片140进行摄像。控制器18基于所述工具图像40，算出参照芯片140相对于X轴的倾斜，并以消除所述倾斜的方式使接合工具24绕轴A旋转。
继而，控制器18使接合头14移动至点Pi(S56)。所述移动是基于搭载于接合头14的驱动系统的位置传感器(例如编码器等)的检测结果而控制。若到达点Pi，则控制器18如图11B所示，使接合工具24下降，使参照芯片140载置于载置面(S58)。此处，载置面可为平台16的上表面，也可为载置于平台16的基板100的上表面。
若参照芯片140载置于载置面，则控制器18使接合工具24保持检查芯片130(S60)。继而，控制器18驱动接合头14及第二照相机28，获取工具图像40(S62)。即，控制器18如图11C所示，以接合工具24位于第二照相机28的正上方的方式使接合头14移动后，使第二照相机28对接合工具24及其所保持的检查芯片130进行摄像。控制器18基于所述工具图像40，算出检查芯片130相对于X轴的倾斜，并以消除所述倾斜的方式使接合工具24绕轴A旋转。另外，控制器18将所述工具图像40暂时存储于存储器。
继而，控制器18使接合头14移动至点Pi后(S64)，如图12A所示，使第一照相机26对载置有参照芯片140的载置面进行摄像(S66)。以下，将对载置有所述参照芯片140的载置面进行摄像所得的图像称为“参照图像”。继而，控制器18以由接合工具24所保持的检查芯片130位于参照芯片140的正上方的方式，使接合头14移动(S68)。即，控制器18基于参照图像及步骤S62中获取的工具图像40，算出载置于载置面的参照芯片140、与接合工具24所保持的检查芯片130的相对位置。所述相对位置的算出顺序除了使用基础照相机偏移量Ocm_b作为照相机偏移量Ocm的方面以外，与参照图5所说明的顺序相同。即，控制器18基于工具图像40，算出作为接合工具24相对于检查芯片130的偏移量的芯片偏移量Ocp。另外，控制器18基于参照图像，算出作为目标位置(即，参照芯片140)相对于第一照相机26的光轴(即，参照图像的中心)的偏移量的目标偏移量Otg。另外，控制器18算出将所述所算出的芯片偏移量Ocp、目标偏移量Otg及基础照相机偏移量Ocm_b相加所得的值作为最终偏移量Os。在实际的照相机偏移量Ocm与基础照相机偏移量Ocm_b相同的情形时，所算出的最终偏移量Os成为参照芯片140相对于检查芯片130的偏移量。因此，在Ocm＝Ocm_b的情形时，若使接合头14以所述最终偏移量Os移动，则使检查芯片130位于参照芯片140的正上方。
若检查芯片130位于参照芯片140的正上方，则控制器18如图12B所示，驱动接合工具24，使检查芯片130载置于参照芯片140之上(S70)。继而，控制器18如图12C所示，使第一照相机26对载置面进行摄像，获取检查图像44(S74)。
若可获得检查图像44，则控制器18基于所述检查图像44而算出区域补正量C(S76)。参照图13对这一情况进行说明。图13为表示检查图像44的一例的图。所述图13中，参照芯片140以二点划线图示，检查芯片130以实线图示。本例中，基于检查图像44内的检查芯片130的置与参照芯片140的位置的差量来算出区域补正量C。即，本例中，设Ocm＝Ocm_b而将检查芯片130相对于参照芯片140进行定位，并载置于参照芯片140之上。因此，在Ocm＝Ocm_b的情形时，参照芯片140的中心Pr(空心的叉记号)与检查芯片130的中心Pe(涂黑的叉记号)必定一致。反之，在Ocm≠Ocm_b而在两者之间产生偏移误差的情形时，检查芯片130相对于参照芯片140以所述偏移误差而偏离。因此，若对检查图像44进行分析，提取检查芯片130相对于参照芯片140的偏离量，则可获得用以补正所述偏离的区域补正量C。
图13的示例中，检查芯片130相对于参照芯片140而偏离(X1，-Y1)。因此，在所述情形时，用以补正所述偏离的区域补正量C成为(-X1，Y1)。
若可算出区域补正量C，则控制器18将所述区域补正量C与点Pi的座标值对应地存储于存储器(S78)。若可针对一个点Pi算出区域补正量C，则将参数i递增后(S82)，回到步骤S52。继而，以同样的顺序获取新的点Pi的区域补正量C。再者，用于获取新的点Pi的区域补正量C的参照芯片140及检查芯片130可为自拾取单元12新供给的芯片，也可为已载置于载置面的参照芯片140及检查芯片130。若可针对所有点Pi获取区域补正量C(即，若步骤S80中成为是(Yes))，则处理结束。
此处，如由到此为止的说明所表明，本例中，将较检查芯片130先载置的参照芯片140用作检查芯片130的载置目标位置。因此，无须在载置面标注有特殊的对准标记等。其结果为，无须准备用以算出补正量的特殊的载置面，可减少算出补正量所需要的成本或工夫。另外，本例中，将地裁载置于载置面的参照芯片140而非理论上的目标位置作为目标位置。因此，可更准确地算出照相机偏移误差及区域补正量C。
进而，本例中，无须对接合工具24与载置面同时进行摄像，因而不需要昂贵的上下二视场的照相机，可进一步降低成本。进而，本例中，通过针对多个点Pi算出区域补正量C并存储，从而也可应对由位置所致的误差，也可进一步提高接合的位置精度。
符号的说明
10：半导体装置的制造装置
12：拾取单元
14：接合头
15x：X导轨
16：平台
18：控制器
20：上推销
22：拾取头
24：接合工具
26：第一照相机
28：第二照相机
40：工具图像
42：载置面图像
44：检查图像
100：基板
102：基板侧标记
110：半导体芯片
120：切割带
130：检查芯片
140：参照芯片
C：区域补正量
Ocm：照相机偏移量
Ocm_b：基础照相机偏移量Os：最终偏移量
Otg：目标偏移量
Ocp：芯片偏移量

Claims (7)

1.一种半导体装置的制造装置，其特征在于包括：
平台，载置基板；
接合头，相对于所述平台而能够相对地移动至任意的点；
位置检测机构，检测所述接合头的位置；
接合工具，安装于所述接合头，保持芯片；以及
第一照相机，安装于所述接合头，自上方对载置面进行摄像，所述载置面为所述平台上表面或载置于所述平台的基板上表面；以及
控制器，且
所述控制器以针对一个以上的点分别执行下述处理的方式构成：
载置处理，使所述接合头移动至所述任意的点后，驱动所述接合工具，使所述芯片载置于所述载置面；
检查图像获取处理，获取使所述第一照相机对载置所述芯片后的所述载置面进行摄像所得的图像作为检查图像；
补正值算出处理，基于所述检查图像内的所述芯片的位置，算出照相机偏移量的补正量作为区域补正量，所述照相机偏移量为所述第一照相机相对于所述接合工具的偏移量；以及
存储处理，将所算出的区域补正量、与由所述位置检测机构所检测的所述任意的点的位置对应地存储于存储装置。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造装置，其特征在于，
所述控制器在所述补正值算出处理中，基于所述检查图像内的芯片的实际位置、与根据设计上的所述照相机偏移量而求出的所述检查图像内的所述芯片的理想位置的差量，来算出所述区域补正值。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造装置，其特征在于还包括：
第二照相机，自下侧对所述接合工具进行摄像，
所述控制器以在所述载置处理之前执行下述工具图像获取处理的方式构成：获取使所述第二照相机对由所述接合工具所保持的所述芯片进行摄像所得的图像作为工具图像，
所述控制器基于所述工具图像而算出作为所述接合工具的中心相对于所述芯片的中心的偏移量的芯片偏移量，并基于所述芯片偏移及设计上的所述照相机偏移量，而算出所述检查图像内的所述芯片的理想位置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造装置，其特征在于，
所述控制器在执行所述载置处理后，不使所述接合头水平移动，而执行所述检查图像获取处理。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造装置，其特征在于，
所述位置检测机构包含：位置传感器，搭载于所述接合头的驱动系统。
6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，针对一个以上的点分别执行下述步骤：
使安装有接合工具及第一照相机的接合头移动至平台之上的任意的点；
将由所述接合工具所保持的芯片载置于载置面，所述载置面为所述平台的上表面或载置于所述平台的基板的上表面；
获取使所述第一照相机对载置所述芯片后的所述载置面进行摄像所得的图像作为检查图像；
基于所述检查图像内的所述芯片的位置，算出照相机偏移量的补正量作为区域补正量，所述照相机偏移量为所述第一照相机相对于所述接合工具的偏移量；以及
将所算出的区域补正量、与所述任意的点的位置对应地存储于存储装置。
7.一种半导体装置的制造装置，其特征在于包括：
平台，载置基板；
接合头，相对于所述平台能够相对地移动；
接合工具，安装于所述接合头，将芯片接合于所述基板；
第一照相机，安装于所述接合头，自上方对载置面进行摄像，所述载置面为所述平台上表面或载置于所述平台的基板上表面；以及
控制器，且
所述控制器以针对一个以上的点分别执行下述处理的方式构成：
第一载置处理，使所述接合头移动至任意的点后，驱动所述接合工具，使参照芯片载置于所述载置面；
参照图像获取处理，获取使所述第一照相机对载置所述参照芯片后的所述载置面进行摄像所得的图像作为参照图像；
第二载置处理，基于所述参照图像以可将检查芯片载置于所述参照芯片的正上方的方式将所述接合头定位后，驱动所述接合工具，使检查芯片载置于所述参照芯片之上；
检查图像获取处理，获取使所述第一照相机对载置所述检查芯片后的所述载置面进行摄像所得的图像作为检查图像；
补正值算出处理，基于所述检查图像内的所述参照芯片与所述检查芯片的位置偏离，算出照相机偏移量的补正量作为区域补正量，所述照相机偏移量为所述第一照相机相对于所述接合工具的偏移量；以及
存储处理，将所算出的区域补正量、与所述任意的点的位置对应地存储于存储装置。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114388418B (zh) * 2021-12-28 2022-12-13 凌波微步半导体设备(常熟)有限公司 一种半导体焊线机的闭环位置补偿方法及系统
CN114758969B (zh) * 2022-04-18 2023-09-12 无锡九霄科技有限公司 晶圆片背面视觉检测结构、检测方法和相关设备
CN116313859B (zh) * 2023-05-26 2023-09-15 青岛泰睿思微电子有限公司 悬臂产品的焊线方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146776A (ja) * 2002-08-29 2004-05-20 Shinko Electric Ind Co Ltd フリップチップ実装装置及びフリップチップ実装方法
JP2004311569A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Nec Corp 半導体製造装置
JP2006114841A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Shinkawa Ltd ボンディング装置
JP2007115851A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Toshiba Corp 半導体部品の位置検査方法、位置検査装置および半導体装置の製造方法
JP2015032613A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 凸版印刷株式会社 荷電ビーム描画装置用の照射位置補正装置、荷電ビーム照射位置の補正方法、フォトマスクの製造方法及び半導体装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3125169B2 (ja) 1993-03-05 2001-01-15 日石三菱株式会社 液晶性ポリエステル
JP5277266B2 (ja) * 2011-02-18 2013-08-28 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ ダイボンダ及び半導体製造方法
TWI567859B (zh) * 2014-02-10 2017-01-21 新川股份有限公司 安裝裝置及其偏移量修正方法
TWI545663B (zh) * 2014-05-07 2016-08-11 新川股份有限公司 接合裝置以及接合方法
CH711570B1 (de) * 2015-09-28 2019-02-15 Besi Switzerland Ag Vorrichtung für die Montage von Bauelementen auf einem Substrat.
JP6307730B1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-11 株式会社新川 半導体装置の製造方法、及び実装装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146776A (ja) * 2002-08-29 2004-05-20 Shinko Electric Ind Co Ltd フリップチップ実装装置及びフリップチップ実装方法
JP2004311569A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Nec Corp 半導体製造装置
JP2006114841A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Shinkawa Ltd ボンディング装置
JP2007115851A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Toshiba Corp 半導体部品の位置検査方法、位置検査装置および半導体装置の製造方法
JP2015032613A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 凸版印刷株式会社 荷電ビーム描画装置用の照射位置補正装置、荷電ビーム照射位置の補正方法、フォトマスクの製造方法及び半導体装置

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