CN113764485A - 显示装置及制造显示装置的方法 - Google Patents

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CN113764485A CN202110612606.0A CN202110612606A CN113764485A CN 113764485 A CN113764485 A CN 113764485A CN 202110612606 A CN202110612606 A CN 202110612606A CN 113764485 A CN113764485 A CN 113764485A
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李政炫
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Abstract

提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、第一电极、第一电极图案、第二电极、第二电极图案和第一发光元件，衬底包括接触区域和线区域，第一电极在衬底上在第一方向上延伸，第一电极图案在衬底上在第一方向上延伸并且与第一电极间隔开，第二电极在衬底上在第一方向上延伸并且位于第一电极与第一电极图案之间，第二电极图案在衬底上在第一方向上延伸并且位于第一电极与第二电极之间，第一发光元件在接触区域中位于第一电极与第二电极图案之间。

Description

显示装置及制造显示装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年6月3日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0066903号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用在此并入。
技术领域
本公开的实施方式涉及显示装置及制造显示装置的方法。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置变得越来越重要。因此，目前使用各种类型(或种类)的显示装置，诸如，例如，有机发光显示装置和液晶显示(LCD)装置。
显示装置用于显示图像并且包括显示面板，诸如，例如，有机发光显示面板和/或液晶显示面板。在这些显示面板中，发光显示面板可包括发光元件。例如，发光二极管(LED)可包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)以及使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
发明内容
本公开的实施方式的方面提供了能够增加由发光元件产生并从发光元件发射的光的透射率以从而提高亮度的显示装置。
本公开的实施方式的方面还提供了能够通过在传输电信号的线区域中设置多个导电层来减小线的电阻的显示装置。
本公开的实施方式的方面还提供了制造显示装置的方法，该方法可防止或减小在用于形成第一图案的蚀刻工艺期间由蚀刻剂引起的对接触电极的损坏，其中，第一图案包括与接触电极相同的(例如，基本上相同的)材料。
应当注意，本公开的特征不限于上述特征；并且根据以下描述，本公开的其它特征对于本领域技术人员来说将是显而易见的。
根据本公开的实施方式，显示装置包括衬底、第一电极、第一电极图案、第二电极、第二电极图案、第一发光元件、第一接触电极、第二接触电极和第一图案，衬底包括接触区域和线区域，第一电极位于衬底上并且在第一方向上延伸，第一电极图案在衬底上与第一电极间隔开并且在第一方向上延伸，第二电极在衬底上位于第一电极与第一电极图案之间并且在第一方向上延伸，第二电极图案在衬底上位于第一电极与第二电极之间并且在第一方向上延伸，第一发光元件在接触区域中位于第一电极与第二电极图案之间，第一接触电极在接触区域中位于第一电极上并且与第一发光元件的第一端部(例如，第一发光元件的与设置有第一半导体层的端部相对的端部)接触(例如，物理接触)，第二接触电极包括第一区域和第二区域，其中第一区域在接触区域中位于第二电极图案上并且与第一发光元件的第二端部接触(例如，物理接触)，并且其中第二区域从第一区域延伸并且位于线区域中，第一图案位于线区域中的第二区域上。
在示例性实施方式中，第一图案与第二区域物理接触。
在示例性实施方式中，第一图案包括与第一接触电极相同的(例如，基本上相同的)材料。
在示例性实施方式中，显示装置包括在接触区域中位于第二电极与第一电极图案之间的第二发光元件。
在示例性实施方式中，显示装置包括在接触区域中位于第二电极上并且与第二发光元件的第一端部(例如，第二发光元件的设置有第一半导体层的端部)接触的第三接触电极，其中第二接触电极还包括从第二区域延伸以在接触区域中位于第一电极图案上并且与第二发光元件的第二端部接触(例如，物理接触)的第三区域。
在示例性实施方式中，第三接触电极包括与第一接触电极相同的(例如，基本上相同的)材料。
在示例性实施方式中，显示装置包括位于第二接触电极上的绝缘层，其中绝缘层在线区域中暴露第二区域的至少一部分并且在接触区域中覆盖第一区域。
在示例性实施方式中，第一图案与第二区域的由绝缘层暴露的上述至少一部分物理接触。
在示例性实施方式中，第二区域的上表面与第一图案的下表面直接接触(例如，物理接触)。
在示例性实施方式中，显示装置包括位于第二接触电极上的绝缘层，其中绝缘层在线区域中位于第二区域与第一图案之间，并且包括穿透绝缘层的多个接触孔以暴露第二区域的一部分。
在示例性实施方式中，第一图案通过穿透绝缘层的多个接触孔与第二区域直接接触(例如，物理接触)。
在示例性实施方式中，第一接触电极的厚度、第二接触电极的厚度和第一图案的厚度各自在
Figure BDA0003096510400000031
至
Figure BDA0003096510400000032
的范围内。
根据本公开的另一个示例性实施方式，显示装置包括衬底、电极层、多个发光元件、第一接触电极、第二接触电极、第三接触电极、绝缘层和第一图案，电极层位于衬底上并且包括第一电极、与第一电极间隔开的第一电极图案、位于第一电极与第一电极图案之间的第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的第二电极图案，多个发光元件位于电极层上并且包括第一发光元件和第二发光元件，其中第一发光元件的两个端部分别位于第一电极和第二电极图案上，其中第二发光元件的两个端部分别位于第二电极和第一电极图案上，第一接触电极位于第一电极上以与第一电极重叠并且与第一发光元件的第一端部(例如，第一发光元件的设置有第一半导体层的端部)接触(例如，物理接触)，第二接触电极位于第二电极上以与第二电极重叠并且与第二发光元件的第一端部(例如，第二发光元件的设置有第一半导体层的端部)接触(例如，物理接触)，第三接触电极位于电极层上并且包括第一区域、第二区域和第三区域，其中第一区域与第二电极图案重叠并且与第一发光元件的第二端部接触(例如，物理接触)，第二区域与第一电极图案重叠并且与第二发光元件的第二端部接触(例如，物理接触)，以及第三区域将第一区域与第二区域联接，绝缘层位于第三接触电极上，第一图案位于第三区域上。
在示例性实施方式中，绝缘层覆盖第一区域和第二区域并且暴露第三区域的至少一部分。
在示例性实施方式中，第一图案与第三区域的由绝缘层暴露的上述至少一部分物理接触。
在示例性实施方式中，第三接触电极包括结晶ITO，并且其中第一图案包括结晶ITO和/或非晶ITO。
根据本公开的另一个示例性实施方式，制造显示装置的方法包括：在包括线区域和接触区域的目标衬底上形成包括彼此间隔开的第一电极层和第二电极层的电极层，并且在接触区域中在第一电极层与第二电极层之间设置多个发光元件；在电极层上形成接触电极材料图案；通过对接触电极材料图案执行热处理形成接触电极；以及在线区域中在接触电极上形成第一图案。
在示例性实施方式中，形成接触电极包括通过对包括非晶ITO的接触电极材料图案执行热处理来形成包括结晶ITO的接触电极，并且其中热处理在200℃至270℃的范围内的温度下执行10分钟至20分钟。
在示例性实施方式中，该方法包括在形成第一图案之前在接触电极上形成绝缘层，其中绝缘层在线区域中暴露接触电极的至少一部分，并且其中第一图案位于接触电极的由绝缘层暴露的上述至少一部分上。
在示例性实施方式中，第一电极层包括第一电极和与第一电极间隔开的第一电极图案，其中第二电极层包括位于第一电极与第一电极图案之间的第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的第二电极图案，其中接触电极包括在接触区域中位于第二电极图案上的第一区域、在接触区域中位于第一电极图案上的第二区域以及在线区域中位于第一区域与第二区域之间的第三区域，并且其中第一图案位于第三区域上。
根据本公开的示例性实施方式，显示装置可包括多个发光元件、第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极以及第一图案。显示装置可包括接触区域和线区域，在接触区域中多个发光元件与第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极彼此接触(例如，物理接触)，在线区域中多个发光元件不与第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极彼此接触。在接触区域中，第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极可彼此间隔开，并且在线区域中，第三接触电极和第一图案可彼此重叠并且可彼此直接接触(例如，物理接触)。因此，线区域中传输电信号的导电层(例如，第三接触电极和第一图案)的厚度可大于与发光元件接触(例如，物理接触)的导电层(例如，形成第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极的导电层)的厚度，并且因此，线在线区域中可具有较低的电阻。因此，可提高接触区域中由发光元件产生并发射的光的透射率，以在接触区域中增加显示装置的亮度，并且可减小传输电信号的线区域中线的电阻。
应当注意，本公开的效果不限于上述那些，并且根据以下描述，本公开的其它效果对于本领域技术人员来说将是显而易见的。
附图说明
通过参考附图更加详细地描述本公开的示例性实施方式，本公开的实施方式的以上和其它方面及特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的平面图。
图2是示出像素中的电极层与多个堤部之间的相对位置关系的布局的平面图。
图3是示出用于说明像素中的电极层、第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极以及第一图案的相对位置关系的布局的平面图。
图4是示出沿着图2和图3的线Qa-Qa'和Qb-Qb'截取的显示装置的示例的剖视图。
图5是根据本公开的示例性实施方式的发光元件的立体图。
图6是图4的区域P1的放大剖视图。
图7是图4的区域P2的放大剖视图。
图8和图9是示出根据本公开的示例性实施方式的制造显示装置的一些处理步骤的剖视图。
图10是示出在图8和图9的制造工艺期间像素的发射区域的平面图。
图11示出了示出根据本公开的示例性实施方式的制造显示装置的处理步骤的一部分的剖视图。
图12是示出在图11的制造工艺期间像素的发射区域的平面图。
图13和图14是示出根据本公开的示例性实施方式的制造显示装置的一些处理步骤的剖视图。
图15是示出在图14的制造工艺期间像素的发射区域的平面图。
图16示出了示出根据本公开的示例性实施方式的制造显示装置的处理步骤的一部分的剖视图。
图17是示出在图16的制造工艺期间像素的发射区域的平面图。
图18示出了示出根据本公开的示例性实施方式的制造显示装置的处理步骤的一部分的剖视图。
图19是示出在图18的制造工艺期间像素的发射区域的平面图。
图20示出了示出根据本公开的示例性实施方式的制造显示装置的处理步骤的一部分的剖视图。
图21是示出根据另一个示例性实施方式的用于说明发光元件、多个接触电极和第一图案的相对布置关系的布局的平面图。
图22是示出根据又一个示例性实施方式的用于说明发光元件、多个接触电极和第一图案的相对布置关系的布局的平面图。
图23是示出根据又一个示例性实施方式的用于说明发光元件、多个接触电极和第一图案的相对布置关系的布局的平面图。
图24是沿着图23的线XXIV-XXIV'截取的显示装置的剖视图。
图25是示出沿着图2和图3的线Qa-Qa'和Qb-Qb'截取的显示装置的另一个示例的剖视图。
具体实施方式
现在将参考其中示出了本公开的示例性实施方式的附图在下文中更全面地描述本公开的主题。然而，本公开的主题可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员完全传达本公开的范围。
还应当理解，当层被称为在另一个层或衬底“上”时，其可直接在该另一个层或衬底上，或者也可存在居间的层。相反，当元件被称为“直接在另一个元件上”时，不存在居间的元件。
在整个说明书中，相同的参考标记指示相同的组件。在附图中，为了清楚起见，可能夸大了层和区的厚度。
在下文中，将参考附图描述本公开的示例性实施方式。
图1是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的平面图。
参考图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可指提供显示屏的任何合适的电子装置。例如，显示装置10可包括电视机、膝上型计算机、显示器、电子广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示装置、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏控制台、数字相机、摄像机等。
显示装置10包括用于提供显示屏的显示面板。显示面板的示例可包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在以下描述中，无机发光二极管显示面板被用作显示装置10的显示面板的示例，但是本公开不限于此。只要可同等地应用本公开的技术思想，可采用任何其它合适的显示面板。
在附图中，限定了第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3。第一方向DR1可在平面中垂直(例如，基本上垂直)于第二方向DR2。第三方向DR3可垂直(例如，基本上垂直)于第一方向DR1和第二方向DR2所在的平面。第三方向DR3可垂直(例如，基本上垂直)于第一方向DR1和第二方向DR2中的每个。在根据本公开的示例性实施方式的显示装置10的以下描述中，第三方向DR3是指显示装置10的厚度方向。
当从顶部观察时，显示装置10可具有矩形形状，该矩形形状包括第一方向DR1上的较长边和第二方向DR2上的较短边，但是本公开不限于此。尽管显示装置10的较长边和较短边相交的拐角可形成直角，但是这仅仅是说明性的。例如，显示装置10可具有圆化的拐角。显示装置10的形状不限于所示的形状，而是可以以多种方式进行修改。例如，显示装置10可具有其它形状，诸如，正方形、其它多边形、圆形和具有圆化的拐角(顶点)的矩形。
显示表面可在第三方向DR3(例如，厚度方向)上定位在显示装置10的一侧上。除非另有特别说明，否则在以下描述中，显示装置10的上部分是指在第三方向DR3上显示图像的一侧，并且同样，显示装置10的上表面是指在第三方向DR3上面对该侧的表面。此外，下部分是指在第三方向DR3上的相对侧，并且同样，下表面是指在第三方向DR3上面对该相对侧的表面。如本文中所使用的，术语“左”侧、“右”侧、“上”侧和“下”侧是指当从顶部观察显示装置10时的相对位置。例如，右侧是指第一方向DR1上的一侧，左侧是指第一方向DR1上的另一个侧，上侧是指第二方向DR2上的一侧，并且下侧是指第二方向DR2上的另一个侧。
显示装置10可包括显示区域DPA和非显示区域NDA。在显示区域DPA中，可显示图像。在非显示区域NDA中，不显示图像。显示区域DPA可被称为有效区域，而非显示区域NDA也可被称为无效区域。
显示区域DPA的形状可遵循显示装置10的形状。例如，当从顶部观察时，显示区域DPA的形状可具有大致类似于显示装置10的形状的矩形形状。显示区域DPA可大致占据显示装置10的中央。
显示区域DPA可包括多个像素PX。多个像素PX可布置成矩阵。当从顶部观察时，像素PX中的每个的形状可以是矩形或正方形。然而，应当理解，本公开不限于此。例如，像素PX中的每个的形状可具有菱形形状，该菱形形状具有相对于一个方向倾斜的边。像素PX可以以条纹和
Figure BDA0003096510400000081
图案交替地布置(
Figure BDA0003096510400000082
是三星显示有限公司的注册商标)。
非显示区域NDA可位于显示区域DPA周围。非显示区域NDA可完全地或部分地围绕显示区域DPA。根据本公开的示例性实施方式，显示区域DPA可具有矩形形状，并且非显示区域NDA可邻近于显示区域DPA的四个边。非显示区域NDA可形成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的线和/或电路驱动器或者其上安装外部装置的焊盘区域可位于非显示区域NDA中。
图2是示出像素中的电极层与多个堤部之间的相对位置关系的布局的平面图。图3是示出像素中的电极层与接触电极层之间的相对位置关系的布局的平面图。图4是沿着图3的线Qa-Qa'和Qb-Qb'截取的显示装置的剖视图。
参考图2和图3，显示装置10的一个像素PX可包括发射区域EMA和非发射区域。在发射区域EMA中，从将在下文中进一步描述的发光元件300发射设定或特定波长带的光。在非发射区域中，不发射光(例如，非发射区域不被设计成发射光)。非发射区域可包括切割区域CBA。
当从顶部观察时，发射区域EMA可位于一个像素PX的中央部分处。显示装置10的像素PX可包括将在下文中进一步描述的多个发光元件300。发射区域EMA可包括其中包括发光元件300的区域，并且可包括位于发光元件300周围的、从发光元件300发射的光出射的区域。发射区域EMA还可包括其中从发光元件300发射的光被另一个元件反射或折射并在显示装置10的显示方向(即，第三方向DR3)上出射的区域。例如，多个发光元件300可位于像素PX中的每个中，以及发射区域EMA可包括包括发光元件300的区域和邻近的区域。
发射区域EMA可包括接触区域CA和线区域LA。
当从顶部观察时，接触区域CA可位于发射区域EMA的中央部分处。在接触区域CA中，将在下文中进一步描述的发光元件300与接触电极610、711和712彼此接触(例如，物理接触)。在接触区域CA中，可包括发光元件300以及接触电极610、711和712。在接触区域CA中，发光元件300的端部可与接触电极610、711和712接触(例如，物理接触)。将在下文中提供其进一步的描述。
当从顶部观察时，线区域LA可分别位于接触区域CA的上侧上(例如，第二方向DR2上的一侧上)和接触区域CA的下侧上(例如，第二方向DR2的另一个侧上)。在线区域LA中，第一图案720和第三接触电极610的第三区域620在第三方向DR3上彼此重叠。此外，在线区域LA中，可布置线，来自下文中进一步描述的第一电极211的电信号通过发光元件300、第一图案720和第三接触电极610的第三区域620被传输到这些线。
发光元件300不包括在非发射区域中，并且从发光元件300发射的光不到达非发射区域，并且因此，没有(或基本上没有)光从非发射区域出射。
当从顶部观察时，切割区域CBA可位于发射区域EMA的上侧(例如，第二方向DR2上的一侧)上。切割区域CBA可位于在第二方向DR2上相邻的像素PX的发射区域EMA之间。切割区域CBA在第一方向DR1上的长度可大于发射区域EMA在第一方向DR1上的长度。切割区域CBA在第二方向DR2上的长度可小于发射区域EMA在第二方向DR2上的长度。然而，应当理解，本公开不限于此。当从顶部观察时，切割区域CBA可具有不同的形状和尺寸，这取决于将在下文中进一步描述的第二堤部800的形状。
在显示装置10的显示区域DPA中，可布置多个发射区域EMA和多个切割区域CBA。例如，多个发射区域EMA和多个切割区域CBA可在第一方向DR1上重复地布置，并且可在第二方向DR2上交替地布置。
在切割区域CBA中，在第二方向DR2上邻近的像素PX中所包括的电极层210和220可彼此分离。像素PX中的每个中的电极层210和220中的每个的一部分可位于切割区域CBA中。像素PX的电极层210和220可在切割区域CBA中与在第二方向DR2上邻近于该像素PX的另一个像素PX的电极层210和220分离。
参考图2和图4，显示装置10可包括电路元件层PAL和位于电路元件层PAL上的发射材料层EML。电路元件层PAL可包括衬底110、位于衬底110上的缓冲层121、半导体层、多个导电层、多个绝缘层和通孔层125。发射材料层EML可位于电路元件层PAL的通孔层125上，并且可包括电极层200、多个发光元件300、第一接触电极711、第二接触电极712、第三接触电极610、第一图案720、多个绝缘层、第一堤部400、第二堤部800等。
在下文中，将参考图4进一步描述显示装置10的一个像素PX中的电路元件层PAL的多个层。
显示装置10的像素PX可包括多个晶体管。尽管在附图中仅描绘了包括在显示装置10的像素PX中的多个晶体管中的一个第一晶体管，但是本公开不限于此。例如，显示装置10在像素PX中的每个中可包括两个晶体管或三个晶体管。
衬底110可以是绝缘衬底。衬底110可由诸如玻璃、石英和聚合物树脂的绝缘材料制成。衬底110可以是刚性衬底或者可弯曲、折叠或卷曲的柔性衬底。
底部金属层BML可位于衬底110上。底部金属层BML可以是保护半导体层的有源层ACT免受外部光的影响的光阻挡层。底部金属层BML可包括阻挡光(或减小光的透射)的材料。例如，底部金属层BML可由阻挡(或减小)光透射的不透明金属材料制成。
底部金属层BML可具有图案化的形状。底部金属层BML可位于显示装置10的晶体管的有源层ACT的至少一个沟道区下方并且可与该至少一个沟道区重叠，并且还可覆盖晶体管的整个有源层ACT。然而，应当理解，本公开不限于此。底部金属层BML可被消除。
缓冲层121可位于底部金属层BML上。缓冲层121可覆盖衬底110的其上包括底部金属层BML的整个表面。缓冲层121可保护晶体管免受穿过衬底110的湿气的渗透的影响，其中衬底110易受湿气的渗透。缓冲层121可包括无机材料，诸如，硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和/或硅氮氧化物(SiON)。缓冲层121可由交替地堆叠在彼此上的多个无机层组成，但不限于此。
半导体层可位于缓冲层121上。半导体层可包括晶体管的有源层ACT。有源层ACT可与底部金属层BML重叠。
半导体层可包括多晶硅、氧化物半导体等。根据本公开的示例性实施方式，当半导体层包括多晶硅时，可通过使非晶硅结晶来形成半导体层。根据另一个示例性实施方式，当半导体层包括氧化物半导体时，氧化物半导体可包括例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)和/或铟镓锌锡氧化物(IGZTO)。
栅极绝缘层122可位于有源层ACT之上。栅极绝缘层122可位于其上包括有源层ACT的缓冲层121上。栅极绝缘层122可用作晶体管的栅极绝缘体。栅极绝缘层122可由包括无机材料(诸如，硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和/或硅氮氧化物(SiON))的无机层组成，或者可由此类材料的堆叠形成。
栅极导电层130可位于栅极绝缘层122上。栅极导电层130可包括晶体管的栅电极GE。栅电极GE可设置为使得其在厚度方向上与有源层ACT的沟道区重叠。栅极导电层130还可包括存储电容器的第一电极。
栅极导电层130可包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种。栅极导电层130可由单层或多层组成。
层间电介质层123位于栅极导电层130上。层间电介质层123可位于其上形成有栅极导电层130的栅极绝缘层122上。层间电介质层123可包括无机绝缘材料，诸如，硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和/或硅氮氧化物(SiON)。
第一数据导电层140位于层间电介质层123上。第一数据导电层140可包括晶体管的第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2以及数据线DTL。
第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2可通过穿透层间电介质层123和栅极绝缘层122的接触孔分别电联接到有源层ACT的两个端部区。此外，晶体管的第二源/漏电极SD2可通过穿透层间电介质层123、栅极绝缘层122和缓冲层121的接触孔电联接到底部金属层BML。
数据线DTL可将数据信号施加到包括在显示装置10中的另一个晶体管。在一些实施方式中，数据线DTL可联接到另一个晶体管的源/漏电极。
第一数据导电层140可由包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的至少一种的单层或多层组成。然而，应当理解，本公开不限于此。
钝化层124位于第一数据导电层140上。钝化层124覆盖并保护第一数据导电层140。钝化层124可包括无机绝缘材料，诸如，硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和/或硅氮氧化物(SiON)。
第二数据导电层150位于钝化层124上。第二数据导电层150可包括第一电压线VL1和第二电压线VL2。
可将高电平电压(或第一供应电压)施加到第一电压线VL1，以并且可将低电平电压(或第二供应电压)施加到第二电压线VL2，低电平电压(或第二供应电压)低于第一电压线VL1的高电平电压(第一供应电压)。第二电压线VL2可电联接到第二电极222以将低电平电压(第二供应电压)施加到第二电极222。此外，可将在制造显示装置10的工艺期间用于对准发光元件300的对准信号施加到第二电压线VL2。
第二数据导电层150还可包括导电图案，该导电图案通过穿透钝化层124的接触孔电联接到晶体管的第二源/漏电极SD2。导电图案通过第一接触孔CT1电联接到第一电极211(参见图2和图3)，使得从第一电压线VL1施加的第一供应电压可被传输到第一电极211。
第二数据导电层150可由包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的至少一种的单层或多层组成。然而，应当理解，本公开不限于此。
通孔层125位于第二数据导电层150之上。通孔层125可位于其上包括第二数据导电层150的钝化层124上。通孔层125可提供平坦的表面。通孔层125可包括有机绝缘材料，例如，诸如聚酰亚胺(PI)的有机材料，但是本公开不限于此。
在下文中，将参考图2至图4描述显示装置10的一个像素PX中的发射材料层EML的多个层。
参考图2至图4，在电路元件层PAL的通孔层125上，可包括第一堤部400、电极层200、多个发光元件300、第一接触电极711、第二接触电极712、第三接触电极610、第一图案720、第二堤部800以及多个绝缘层510、520、530和540。
第一堤部400可位于通孔层125上。第一堤部400可包括在第一方向DR1上彼此间隔开的第一子堤部410和第二子堤部420。
当从顶部观察时，第二子堤部420可位于发射区域EMA的中央部分处。第二子堤部420可位于发射区域EMA的接触区域CA中。第二子堤部420可包括在第二方向DR2上延伸的形状。第二子堤部420可在发射区域EMA中分离并终止，使得其在第二方向DR2上不延伸到其它邻近的像素PX。然而，应当理解，本公开不限于此。第二子堤部420可在第二方向DR2上延伸到邻近的像素PX。
当从顶部观察时，第一子堤部410可在第二子堤部420的右侧(例如，第一方向DR1上的一侧)和左侧(例如，第一方向DR1上的另一个侧)上与第二子堤部420间隔开。第一子堤部410可在第一方向DR1上与第二子堤部420间隔开且面对第二子堤部420。在第一方向DR1上彼此间隔开的第二子堤部420与第一子堤部410中的每个之间可存在包括发光元件300的区域。
第一子堤部410可具有在第二方向DR2上延伸的形状，并且第一子堤部410的上端部和下端部终止于像素PX内，使得第一子堤部410的上端部和下端部不延伸到在第二方向DR2上邻近于该像素PX的其它像素PX。然而，应当理解，本公开不限于此。第一子堤部410可在第二方向DR2上延伸到邻近的像素PX。
第一子堤部410可从发射区域EMA延伸到非发射区域。第一子堤部410可在第一方向DR1上延伸跨过其它邻近的像素PX。例如，第一子堤部410可位于在第一方向DR1上邻近的像素PX之间的边界以及像素PX的发射区域EMA处。
第一子堤部410在第一方向DR1上的宽度可不同于第二子堤部420在第一方向DR1上的宽度。在示例性实施方式中，第一子堤部410在第一方向DR1上的宽度可大于第二子堤部420在第一方向DR1上的宽度。然而，应当理解，本公开不限于此。第一子堤部410在第一方向DR1上的宽度可等于第二子堤部420在第一方向DR1上的宽度。
尽管在附图中像素PX中的第一堤部400包括在第一方向DR1上彼此间隔开的两个第一子堤部410和位于该两个第一子堤部410之间的一个第二子堤部420，但是本公开不限于此。包括在每个像素PX中的第一堤部400可具有不同的形状和位置，这取决于在下文中进一步描述的电极层200的形状或布置。
第一子堤部410和第二子堤部420中的至少一部分在剖面中可具有从通孔层125的上表面突出的结构。第一子堤部410和第二子堤部420中的每个可包括上表面、下表面和侧表面。第一子堤部410的下表面和第二子堤部420的下表面置于通孔层125的上表面上。第一子堤部410的上表面和第二子堤部420的上表面可定位在一个平面上，而第一子堤部410的下表面和第二子堤部420的下表面可定位在另一个平面上。这些平面大致彼此平行(例如，基本上彼此平行)，并且因此，第一子堤部410和第二子堤部420可具有大致均匀(例如，基本上均匀)的厚度。
第一子堤部410和第二子堤部420中的每个可包括倾斜的侧表面。例如，因为第一子堤部410和第二子堤部420包括倾斜的侧表面，所以可将从发光元件300发射并朝向第一子堤部410的侧表面和第二子堤部420的侧表面行进的光朝向上侧(例如，显示侧)引导。在一些实施方式中，第一子堤部410和第二子堤部420可提供其中包括发光元件300的空间，并且还可用作将从发光元件300发射的光的方向朝向显示侧改变的反射分隔壁，其中发光元件300将在下文中进一步描述。
尽管第一子堤部410的侧表面和第二子堤部420的侧表面在附图中是线性倾斜的，但是本公开不限于此。例如，第一子堤部410的侧表面和第二子堤部420的侧表面中的每个可具有弯曲的半圆形或半椭圆形形状。
第一堤部400可包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料，但不限于此。
电极层200可位于第一堤部400上。电极层200可部分地位于第一堤部400和由第一堤部400暴露的通孔层125上。
电极层200可包括第一电极层210和第二电极层220。第一电极层210可位于第一子堤部410上。第二电极层220可位于第二子堤部420上。
第一电极层210可包括第一电极211和第一电极图案212。在一个像素PX中，在平面图中，第一电极211可位于左手侧上的第一子堤部410上，并且第一电极图案212可位于右手侧上的第一子堤部410上。第一电极211和第一电极图案212可位于第一子堤部410的上表面和侧表面的一部分上。
第一电极211和第一电极图案212可包括在第二方向DR2上延伸的形状。第一电极211和第一电极图案212可在第二方向DR2上延伸，并且可在第一方向DR1上彼此间隔开。
第一电极211和第一电极图案212可在第二方向DR2上延伸，并且可分别与在第二方向DR2上邻近于该像素PX的另一个像素PX的第一电极211和第一电极图案212分离，使得第一电极211和第一电极图案212不延伸到该另一个像素PX。例如，在切割区域CBA中，第一电极211和第一电极图案212可分别与包括在邻近的像素PX中的第一电极211和第一电极图案212分离。
在平面图中，第一电极211的形状和第一电极图案212的形状大致绕着在第二方向DR2上延伸并穿过像素PX的发射区域EMA的中心点的线轴向地对称(或关于该线轴向地对称)。
在下文中，将主要描述当从顶部观察时第一电极211的形状。如上所述，当从顶部观察时，第一电极图案212的形状与第一电极211的形状对称，并且因此，当从顶部观察时，第一电极211的形状的描述可同样地应用于第一电极图案212的形状。
第一电极211可包括扩展部分211E、弯曲部分211B1和211B2以及将扩展部分211E与弯曲部分211B1和211B2联接的连接部分211C1和211C2。第一电极211可具有大致在第二方向DR2上延伸的形状，并且可具有部分更大的宽度或者可在从第二方向DR2倾斜的方向上弯曲。
扩展部分211E在第一电极211中在第一方向DR1上具有最大宽度，并且可以是第一电极211的中央部分。扩展部分211E可在一个像素PX的发射区域EMA中位于第一子堤部410上，并且可在第二方向DR2上延伸。将在下文中进一步描述的发光元件300可位于第一电极211的位于发射区域EMA中的扩展部分211E上。扩展部分211E在第一方向DR1上可具有比第一子堤部410的宽度小的宽度，并且可从第一子堤部410的侧表面向外延伸以部分地位于通孔层125上。
弯曲部分211B1和211B2可包括第一弯曲部分211B1和第二弯曲部分211B2。第一弯曲部分211B1可位于扩展部分211E的第二方向DR2上的一侧上。例如，第一弯曲部分211B1可位于扩展部分211E的上侧上以与扩展部分211E间隔开，并且可向右上侧倾斜。第二弯曲部分211B2可位于扩展部分211E的第二方向DR2上的另一个侧上。例如，第二弯曲部分211B2可位于扩展部分211E的下侧上以与扩展部分211E间隔开，并且可向右下侧倾斜。
片段部分211D可形成在第一弯曲部分211B1的一个端部处，其中，第一弯曲部分211B1的该一个端部是第一电极211在切割区域CBA中切割的剩余部分。在第二方向DR2上彼此邻近的像素PX中，片段部分211D可以指第一电极211中的每个在切割区域CBA中切割的剩余部分。
连接部分211C1和211C2可包括第一连接部分211C1和第二连接部分211C2。第一连接部分211C1可在第二方向DR2上将扩展部分211E与第一弯曲部分211B1联接。第二连接部分211C2可在第二方向DR2上将扩展部分211E与第二弯曲部分211B2联接。连接部分211C1和211C2可与每个像素PX的发射区域EMA和第二堤部800(其将在下文中进一步描述)重叠。
第一连接部分211C1和第二连接部分211C2中的每个在第一方向DR1上的宽度可小于扩展部分211E在第一方向DR1上的宽度。在第二方向DR2上延伸的连接部分211C1和211C2中的每个的一个边可布置在与在第二方向DR2上延伸的扩展部分211E的一个边相同的线上。例如，扩展部分211E的定位在离发射区域EMA更外侧的边与连接部分211C1和211C2的定位在离发射区域EMA更外侧的边可延伸并彼此联接。
第二电极图案221与第一电极211之间的距离(其将在下文中进一步描述)可沿着第二方向DR2变化。例如，第一电极211的扩展部分211E与第二电极图案221之间的距离DE1可小于第一电极211的连接部分211C1和211C2与第二电极图案221之间的距离DE2以及第一电极211的片段部分211D与第二电极图案221之间的距离DE3。此外，第一电极211的片段部分211D与第二电极图案221之间的距离DE3可小于第一电极211的连接部分211C1和211C2与第二电极图案221之间的距离DE2。然而，应当理解，本公开不限于此。
与第一电极图案212不同，第一电极211还可包括接触部分211P。接触部分211P可位于第一连接部分211C1与第一弯曲部分211B1之间，以与第二堤部800重叠。接触部分211P的宽度可大于第一连接部分211C1和第一弯曲部分211B1中的每个的宽度。接触部分211P可与第一接触孔CT1重叠。在一些实施方式中，第一接触孔CT1可形成为穿过通孔层125，并且第一电极211可通过穿透通孔层125的第一接触孔CT1电联接到晶体管。此外，在对准发光元件300(其将在下文中进一步描述)的工艺期间，可通过第一接触孔CT1将对准信号施加到第一电极层210的第一电极211。
第二电极层220可位于第一电极层210的第一电极211与第一电极图案212之间。
第二电极层220可包括第二电极222和第二电极图案221。在一个像素PX中，第二电极222和第二电极图案221可位于相同的第二子堤部420上。例如，当从顶部观察时，第二电极222可在像素PX中位于第二子堤部420的右侧上。当从顶部观察时，第二电极图案221可在像素PX中位于第二子堤部420的左侧上。第二电极图案221在第二子堤部420上可更靠近第一电极211以面对第一电极211。第二电极222在第二子堤部420上可更靠近第一电极图案212以面对第一电极图案212。例如，第二电极222可位于第一电极211与第一电极图案212之间，而第二电极图案221可位于第一电极211与第二电极222之间。
第二电极222和第二电极图案221可包括在第二方向DR2上延伸的形状。第二电极222和第二电极图案221可在第二方向DR2上延伸，并且可在第一方向DR1上彼此间隔开。第二电极222和第二电极图案221可在第二子堤部420的上表面上彼此间隔开。
第二电极222和第二电极图案221可在第二方向DR2上延伸，并且可分别与在第二方向DR2上邻近于该像素PX的另一个像素PX的第二电极222和第二电极图案221分离，使得第二电极222和第二电极图案221不延伸到另一个像素PX。例如，在切割区域CBA中，第二电极222和第二电极图案221可分别与包括在邻近的像素PX中的第二电极222和第二电极图案221分离。
在平面图中，第二电极222的形状和第二电极图案221的形状绕着在第二方向DR2上延伸并穿过像素PX的发射区域EMA的中心点的线轴向地对称(或关于该线轴向地对称)。
第二电极222可通过第二接触孔CT2电联接到第二电压线VL2。此外，在对准发光元件300的工艺期间，可通过第二接触孔CT2将对准信号施加到第二电极层220的第二电极222，这将在下文中进一步描述。
第一电极图案212和第二电极图案221可以是浮置的，使得基本上没有电信号从晶体管和/或第二电压线VL2直接施加。然而，第三接触电极610(其将在下文中进一步描述)位于其中没有形成接触孔CT1和CT2的电极层200(例如，第一电极图案212和第二电极图案221)上，并且从第一电极211传输到发光元件300的电信号可流过第三接触电极610。
第一绝缘层510可位于电极层200上。第一绝缘层510可位于电极层200和由电极层200暴露的通孔层125上。第一绝缘层510可在第三方向DR3上暴露电极层200的至少一部分。例如，第一绝缘层510可完全位于衬底110上，并且位于第一电极211、第一电极图案212、第二电极222和第二电极图案221中的每个的表面的至少一部分上。第一电极211、第一电极图案212、第二电极222和第二电极图案221中的每个的由第一绝缘层510暴露的表面可与接触电极711、712和610接触(例如，物理接触)，并且可将发光元件300与第一电极211和第二电极222电联接。
第一绝缘层510可具有水平差，使得上表面的一部分在第一电极211与第二电极图案221之间凹陷。此外，第一绝缘层510可具有水平差，使得上表面的一部分在第二电极222与第一电极图案212之间凹陷。第一绝缘层510的上表面的一部分可由于其下方的元件的水平差而凹陷。在一些示例性实施方式中，在第一电极211与第二电极图案221之间和/或在第二电极222与第一电极图案212之间可在第一绝缘层510中形成水平差，使得可在第一绝缘层510的凹陷的上表面与发光元件300之间形成空的空间。第一绝缘层510与发光元件300之间的空的空间可填充有第二绝缘层520的材料。然而，应当理解，本公开不限于此。在第一电极211与第二电极图案221之间和/或在第二电极222与第一电极图案212之间可在第一绝缘层510中不形成水平差。例如，第一绝缘层510可包括平坦的上表面，使得发光元件300位于第一电极211与第二电极图案221之间和/或第二电极222与第一电极图案212之间。
第一绝缘层510可位于第一电极211与第二电极图案221之间以及第二电极222与第一电极图案212之间，以保护它们并且还使它们彼此绝缘(例如，电绝缘)。此外，第一绝缘层510可防止或减小第一绝缘层510上的发光元件300与其它元件的接触，从而防止或减小在其它情况下将导致的对发光元件300的损坏。
第二堤部800可位于第一绝缘层510上。第二堤部800可位于第一子堤部410的其上设置有第一绝缘层510的上表面上。当从顶部观察时，第二堤部800可在显示区域DPA的整个表面上呈格子图案，第二堤部800包括在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分。第二堤部800可沿着像素PX中的每个的边部(border)，以将邻近的像素PX彼此区分开。
此外，第二堤部800可围绕像素PX中的每个中的发射区域EMA和切割区域CBA，以区分发射区域EMA和切割区域CBA。第一电极层210和第二电极层220可在第二方向DR2上延伸，并且可延伸跨过第二堤部800的在第一方向DR1上延伸的部分。第二堤部800的在第二方向DR2上延伸的部分沿着第一方向DR1的宽度可变化。例如，第二堤部800的在第二方向DR2上延伸并且定位于在第一方向DR1上彼此邻近的发射区域EMA之间的部分沿着第一方向DR1的宽度可大于位于在第一方向DR1上彼此邻近的切割区域CBA之间的部分沿着第一方向DR1的宽度。然而，应当理解，本公开不限于此。
第二堤部800可防止或减小在制造显示装置10的工艺的喷墨印刷工艺期间油墨溢出到邻近的像素PX中。第二堤部800可将像素PX彼此分离，使得其中分散有不同发光元件300的油墨不混合。像第一堤部400一样，第二堤部800可包括聚酰亚胺(PI)，但不限于此。
发光元件300可位于第一绝缘层510上。发光元件300可包括不同的材料以向外部发射不同波长带的光。
发光元件300可沿着第一电极211、第二电极图案221、第二电极222和第一电极图案212延伸的第二方向DR2布置并且彼此间隔开，并且可基本上彼此平行地布置。发光元件300之间的间隔在本文中没有特别限制。此外，发光元件300可具有在一个方向上延伸的形状。第一电极211、第二电极图案221、第二电极222和第一电极图案212延伸的方向可基本上垂直于发光元件300延伸的方向。然而，应当理解，本公开不限于此。发光元件300可不垂直于第一电极211、第二电极图案221、第二电极222和第一电极图案212延伸的方向，而是可相对于第一电极211、第二电极图案221、第二电极222和第一电极图案212延伸的方向倾斜地定向。
多个发光元件300可包括位于第一电极211与第二电极图案221之间的第一发光元件300以及位于第二电极222与第一电极图案212之间的第二发光元件300。例如，第一发光元件300可布置在附图的左手侧(左侧)上，而第二发光元件300可布置在附图的右手侧(右侧)上。
第一绝缘层510上的发光元件300中的每个的两个端部可位于电极层200上。位于第一电极211与第二电极图案221之间的第一发光元件300的第一半导体层310(参见图5)的定向可不同于位于第二电极222与第一电极图案212之间的第二发光元件300的第一半导体层310的定向。例如，第一发光元件300可在第一电极211与第二电极图案221之间在第一绝缘层510上对准，使得第一发光元件300的第一半导体层310的端部位于第二电极图案221上。例如，第二发光元件300可在第二电极222与第一电极图案212之间在第一绝缘层510上对准，使得第二发光元件300的第一半导体层310的端部位于第二电极222上。例如，发光元件300中的每个的设置有第一半导体层310的端部被定义为第一端部。然后，当从顶部观察时，在像素PX中，位于左侧上的发光元件300的第一端部和位于右侧上的发光元件300的第一端部可面对相对的方向。然而，应当注意，发光元件300的第一端部面对的方向不限于此。
第二绝缘层520可位于发光元件300上。第二绝缘层520可部分地位于发光元件300上。第二绝缘层520可部分地围绕发光元件300的外表面，使得发光元件300的第一端部和其它端部(在下文中也称为第二端部)不被覆盖。将在下文中进一步描述的第一接触电极711、第二接触电极712和第三接触电极610可与发光元件300的未被第二绝缘层520覆盖的两个端部接触(例如，物理接触)。当从顶部观察时，在像素PX中，发光元件300上的第二绝缘层520的一部分可形成线性或岛状图案。在制造显示装置10的工艺期间，第二绝缘层520可保护发光元件300并固定发光元件300。
参考图3和图4，第一接触电极711、第二接触电极712、第三接触电极610、第一图案720和第三绝缘层530可位于第二绝缘层520上。在下文中，将描述当从顶部观察时第一接触电极711、第二接触电极712、第三接触电极610、第一图案720和第三绝缘层530的相对布置。
第一接触电极711可位于第一电极211的位于接触区域CA中的部分上。例如，当从顶部观察时，第一接触电极711可位于第一电极211的扩展部分211E上，以具有在第二方向DR2上延伸的形状。第一接触电极711可位于第一电极211上并且可朝向第一发光元件300延伸以与发光元件300的其它端部(第二端部)重叠。
第二接触电极712可位于第二电极222的位于接触区域CA中的部分上。例如，当从顶部观察时，第二接触电极712可位于第二电极222上，以具有在第二方向DR2上延伸的形状。第二接触电极712可位于第二电极222上并且可朝向第二发光元件300延伸以与发光元件300的第一端部重叠。
第一接触电极711和第二接触电极712可分别与具有第一接触孔CT1的第一电极211和具有第二接触孔CT2的第二电极222接触(例如，物理接触)。第一接触电极711可与通过第一接触孔CT1电联接到晶体管的第一电极211接触(例如，物理接触)，并且第二接触电极712可与通过第二接触孔CT2电联接到第二电压线VL2的第二电极222接触(例如，物理接触)。第一接触电极711和第二接触电极712可将从晶体管和/或第二电压线VL2施加的电信号传输到发光元件300。
第一图案720可在线区域LA中与将在下文中进一步描述的第三接触电极610的第三区域620重叠。第一图案720可与第三接触电极610的第三区域620的至少一部分接触(例如，物理接触)。将在下文中提供其进一步的描述。
第一接触电极711、第二接触电极712和第一图案720可彼此间隔开。在一些示例性实施方式中，第一接触电极711、第二接触电极712和第一图案720可形成在相同的层上。第一接触电极711、第二接触电极712和第一图案720可经由相同的掩模工艺图案化并形成。然而，应当理解，本公开不限于此。在一些其它示例性实施方式中，第一图案720可形成在与第一接触电极711和第二接触电极712不同的层上。例如，第一图案720可在已经形成第一接触电极711和第二接触电极712之后经由随后的工艺形成。
当从顶部观察时，第三接触电极610可包括闭环形状。第三接触电极610可包括位于接触区域CA中的第一区域611和第二区域612以及位于线区域LA中的第三区域620。例如，第三接触电极610可包括在接触区域CA中位于第二电极图案221上的第一区域611、在接触区域CA中位于第一电极图案212上的第二区域612以及位于线区域LA中的第三区域620。
第三接触电极610的第一区域611和第二区域612可彼此间隔开并且在第二方向DR2上延伸。第三接触电极610的第三区域620可将第三接触电极610的第一区域611与第二区域612联接。第三接触电极610可包括在第二方向DR2上延伸的第一区域611和第二区域612以及联接在第一区域611与第二区域612之间的第三区域620，以围绕第二接触电极712。
第三接触电极610的第一区域611和第二区域612可分别位于没有形成接触孔CT1和CT2的第一电极图案212和第二电极图案221上，并且可与发光元件300接触(例如，物理接触)。第三接触电极610的第三区域620可与其中形成有第二接触孔CT2的第二电极222重叠，且第一绝缘层510位于第三区域620与第二电极222之间，使得第三区域620与第二电极222可不彼此直接联接。
第三接触电极610的第一区域611可位于第二电极图案221的一部分上。例如，第三接触电极610的第一区域611可位于第二电极图案221上，并且当从顶部观察时可具有在第二方向DR2上延伸的形状。第三接触电极610的第一区域611可位于第二电极图案221上，并且可朝向第一发光元件300延伸以与第一发光元件300的第一端部重叠。
第三接触电极610的第二区域612可位于第一电极图案212的一部分上。例如，第三接触电极610的第二区域612可位于第一电极图案212上，并且当从顶部观察时可具有在第二方向DR2上延伸的形状。第三接触电极610的第二区域612可位于第一电极图案212上并且可朝向第二发光元件300延伸以与第二发光元件300的其它端部(第二端部)重叠。第三接触电极610的第二区域612可与第三接触电极610的第一区域611间隔开。
第三接触电极610的第三区域620可位于线区域LA中，并且可将第三接触电极610的第一区域611与第二区域612联接。第三接触电极610的第三区域620可具有在第一方向DR1上延伸的形状，使得第三区域620分别将第三接触电极610的第一区域611的两个端部与第二区域612的两个端部联接。
第三接触电极610的第一区域611、第二区域612和第三区域620可一体地联接以具有闭环形状。第三接触电极610可围绕第二接触电极712。
在下文中，将参考图4描述第一接触电极711、第二接触电极712、第三接触电极610、第一图案720和第三绝缘层530的剖面结构。
第三接触电极610也可位于第二绝缘层520上。如上所述，第三接触电极610可包括位于接触区域CA中的第一区域611和第二区域612以及位于线区域LA中的第三区域620。
第三接触电极610的第一区域611可与发光元件300的第一端部和第二电极图案221的表面直接接触(例如，物理接触)。第三接触电极610的第一区域611可部分地位于发光元件300上的第二绝缘层520的上表面上。第一区域611在第三方向DR3上可不与第二子堤部420上的第二电极222重叠，并且可不位于第二电极222上。
第三接触电极610的第二区域612可与发光元件300的其它端部(第二端部)和第一电极图案212的表面直接接触(例如，物理接触)。第三接触电极610的第二区域612可部分地位于发光元件300上的第二绝缘层520的上表面上。
第三接触电极610的第三区域620可在线区域LA中位于第一绝缘层510上。第三接触电极610的第三区域620可在线区域LA中与第二电极层220(例如，第二电极222和第二电极图案221)部分地重叠。第三接触电极610的第三区域620可完全位于线区域LA中。
第三接触电极610可包括导电材料(例如，电导电材料)。例如，第三接触电极610可包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。例如，第三接触电极610可包括透明导电材料，并且从发光元件300发射的光可通过发光元件300的侧表面以及两个端部表面出射。通过发光元件300的一个端部表面出射的光可透射在接触区域CA中与发光元件300的端部表面接触(例如，物理接触)的第三接触电极610(例如，第一区域611和第二区域612)以出射。从发光元件300发射以透射第三接触电极610的光可从第一子堤部410的侧表面和第二子堤部420的侧表面反射，以在显示方向(例如，第三方向DR3)上行进。然而，应当理解，本公开不限于此。根据本公开的示例性实施方式，第三接触电极610可包括结晶ITO，但不限于此。
第三绝缘层530位于第三接触电极610上。第三绝缘层530可位于接触区域CA中，但不位于线区域LA中。例如，第三绝缘层530可完全覆盖第三接触电极610的位于接触区域CA中的第一区域611和第三接触电极610的第二区域612，并且第三接触电极610的位于线区域LA中的第三区域620可在第三方向DR3上暴露。在一些实施方式中，第三绝缘层530可在接触区域CA中与第三接触电极610重叠，并且可在线区域LA中不与第三接触电极610重叠。
第三绝缘层530可使第三接触电极610与第一接触电极711和第二接触电极712电绝缘。第三绝缘层530可覆盖第三接触电极610的第一区域611和第二区域612，但是可不位于第一发光元件300的其它端部(第二端部)和第二发光元件300的第一端部上，使得发光元件300与第一接触电极711和第二接触电极712接触(例如，物理接触)，即，第一发光元件300与第一接触电极711接触(例如，物理接触)，并且第二发光元件300与第二接触电极712接触(例如，物理接触)。第三绝缘层530的一个侧表面可与第二绝缘层520的一个侧表面对准。
第一接触电极711、第二接触电极712和第一图案720可位于第三绝缘层530上。第一接触电极711和第二接触电极712可位于接触区域CA中。第一图案720可位于线区域LA中。
第一接触电极711可与发光元件300(特别地，第一发光元件300)的其它端部(第二端部)和第一电极211的表面直接接触(例如，物理接触)。第一接触电极711可部分地位于发光元件300上的第三绝缘层530的上表面上。
第二接触电极712可与发光元件300(特别地，第二发光元件300)的第一端部和第二电极222的表面直接接触(例如，物理接触)。第二接触电极712可部分地位于发光元件300上的第三绝缘层530的上表面上。
第一图案720可位于第三接触电极610的位于线区域LA中的第三区域620上。根据本公开的示例性实施方式，第一图案720可与第三接触电极610的第三区域620直接接触(例如，物理接触)。第一图案720的下表面可与第三接触电极610的第三区域620的上表面接触(例如，物理接触)，并且第一图案720的下表面和第三接触电极610的第三区域620的上表面可位于相同的平面上。尽管在图4中所示的示例中，线区域LA中的第一图案720完全位于第三接触电极610的第三区域620上并与第三区域620接触(例如，物理接触)，但是本公开不限于此。以下将参考其它附图提供其进一步的描述。
第一接触电极711、第二接触电极712和第一图案720可包括相同(例如，基本上相同)的材料。例如，第一接触电极711、第二接触电极712和第一图案720中的每个可包括导电材料(例如，电导电材料)。例如，第一接触电极711、第二接触电极712和第一图案720可包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。例如，第一接触电极711、第二接触电极712和第一图案720中的每个可包括透明导电材料，并且如上所述，从发光元件300发射的光可通过发光元件300的两个端部表面以及侧表面出射。通过第一发光元件300的其它端部表面(第二端部表面)出射的光可透射在接触区域CA中与第一发光元件300的该其它端部表面(第二端部表面)接触(例如，物理接触)的第一接触电极711，并且通过第二发光元件300的第一端部表面出射的光可透射在接触区域CA中与第二发光元件300的该第一端部表面接触(例如，物理接触)的第二接触电极712。从发光元件300发射以透射第一接触电极711和第二接触电极712的光可由第一子堤部410的侧表面和第二子堤部420的侧表面反射，以在显示方向(例如，第三方向DR3)上行进。然而，应当理解，本公开不限于此。根据本公开的示例性实施方式，第一接触电极711、第二接触电极712和第一图案720可包括选自非晶ITO和结晶ITO中的至少一种，但不限于此。
从与第一电极211接触(例如，物理接触)的第一接触电极711传输到第一发光元件300(例如，附图中左手侧上的发光元件300)的其它端部(第二端部)的电信号被传输到第三接触电极610的与第一发光元件300的第一端部接触(例如，物理接触)的第一区域611。第三接触电极610可通过位于线区域LA中的第三区域620将电信号从位于接触区域CA中的第一区域611传输回到位于接触区域CA中的第二区域612。传输到第三接触电极610的第二区域612的电信号可被传输到第二发光元件300(例如，附图中右手侧上的发光元件300)的一个端部，该电信号可通过第二接触电极712传输到第二电极222。因此，用于发光元件300的光发射的电信号可仅传输到一个第一电极211和一个第二电极222，并且位于左侧上的发光元件300(即，第一发光元件300)和位于右侧上的发光元件300(即，第二发光元件300)可通过第三接触电极610串联联接。
第四绝缘层540可完全位于衬底110上。第四绝缘层540可保护衬底110上的元件免受外部环境的影响。根据示例性实施方式，第四绝缘层540可完全覆盖衬底110上的第二堤部800、第三绝缘层530、第一接触电极711、第二接触电极712和第三接触电极610以及第一图案720。
以上描述的第一绝缘层510、第二绝缘层520、第三绝缘层530和第四绝缘层540中的每个可包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。根据本公开的示例性实施方式，第一绝缘层510、第二绝缘层520、第三绝缘层530和第四绝缘层540可包括无机绝缘材料，诸如，硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlxOy)和/或铝氮化物(AlN)。在一些实施方式中，第一绝缘层510、第二绝缘层520、第三绝缘层530和第四绝缘层540可包括作为有机绝缘材料的丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、Cardo树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂等。然而，应当理解，本公开不限于此。
图5是根据本公开的示例性实施方式的发光元件的立体图。
发光元件300可包括发光二极管。例如，发光元件300可具有在微米到纳米的范围内的尺寸，并且可以是由无机材料制成的无机发光二极管。无机发光二极管可通过在彼此面对的两个电极层之间形成电场来布置。例如，无机发光二极管可通过在设定或特定方向上形成电场而在两个电极之间对准，以在两个电极层之间具有极性。
根据示例性实施方式的发光元件300可具有在一个方向(纵向方向)上延伸的形状。发光元件300可具有棒、线、管等的形状。在示例性实施方式中，发光元件300可具有圆柱形或棒状形状。应当理解，发光元件300的形状不限于此。发光元件300可具有多种形状，包括诸如立方体、长方体或六边形柱的多边形柱形状或者在一方向上延伸且具有部分倾斜的外表面的形状。包括在将在下文中进一步描述的发光元件300中的多个半导体层可具有沿着发光元件300延伸的方向顺序布置或堆叠的结构。
发光元件300可包括掺杂有导电型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可通过传输从外部电源施加的电信号来发射设定或某些波长带的光。
参考图5，发光元件300可包括第一半导体层310、第二半导体层320、有源层360、元件电极层370和绝缘层380。
第一半导体层310可以是n型半导体。例如，当发光元件300发射蓝色波长带的光时，第一半导体层310可包括具有以下化学式的半导体材料：AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，半导体材料可以是选自n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第一半导体层310可掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可包括例如Si、Ge、Sn等。根据本公开的示例性实施方式，第一半导体层310可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层310在上述纵向方向上的长度可在1.5μm至5μm的范围内，但不限于此。
第二半导体层320可沿着发光元件300延伸的方向与第一半导体层310间隔开。第二半导体层320可以是p型半导体。例如，当发光元件300发射蓝色或绿色波长带的光时，第二半导体层320可包括具有以下化学式的半导体材料：AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，半导体材料可以是选自p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第二半导体层320可掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是例如Mg、Zn、Ca、Se、Ba等。根据本公开的示例性实施方式，第二半导体层320可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层320在上述纵向方向上的长度可在0.05μm至0.10μm的范围内，但不限于此。
尽管在附图中第一半导体层310和第二半导体层320中的每个被实现为单个层，但是本公开不限于此。根据本公开的一些示例性实施方式，根据有源层360的材料，第一半导体层310和第二半导体层320还可包括更大数量的层，例如，镀层和/或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。
有源层360位于第一半导体层310与第二半导体层320之间。有源层360可包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当有源层360包括具有多量子阱结构的材料时，该结构可包括交替地堆叠在彼此上的量子层和阱层。响应于通过第一半导体层310和第二半导体层320施加的电信号，有源层360可在电子-空穴对在其中结合时发射光。例如，当有源层360发射蓝色波长带的光时，其可包括诸如AlGaN和/或AlGaInN的材料。在一些实施方式中，当有源层360具有其中量子层和阱层交替地堆叠在彼此上的多量子阱结构时，量子层可包括AlGaN和/或AlGaInN，并且阱层可包括诸如GaN和/或AlGaN的材料。根据本公开的示例性实施方式，有源层360包括作为量子层的AlGaInN和作为阱层的AlInN，并且如上所述，有源层360可发射具有中心波长带在450nm至495nm的范围内的蓝光。
然而，应当理解，本公开不限于此。有源层360可具有其中具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料交替地堆叠在彼此上的结构，并且可根据发射的光的波长范围而包括其它III族至V族半导体材料。因此，从有源层360发射的光不限于蓝色波长带的光。在一些实现方式中，有源层360可发射红色波长带或绿色波长带的光。有源层360在上述纵向方向上的长度可在0.05μm至0.10μm的范围内，但不限于此。
从有源层360发射的光不仅可通过发光元件300的纵向方向上的两个端部处的外表面出射，而且可通过侧表面出射。从有源层360发射的光传播的方向不限于一个方向。
元件电极层370可位于第二半导体层320上。元件电极层370可包括欧姆接触电极。然而，应当理解，本公开不限于此。元件电极层370可包括肖特基接触电极(例如，具有由半导体和金属形成的结的电极)。发光元件300可包括至少一个元件电极层370。尽管在图5中所示的示例中发光元件300包括一个元件电极层370，但是本公开不限于此。在一些实现方式中，发光元件300可包括一个以上的元件电极层370。
在根据本公开的示例性实施方式的显示装置10中，当发光元件300在接触区域CA中电联接到电极层200或第一接触电极711、第二接触电极712和第三接触电极610时，元件电极层370可减小发光元件300与接触区域CA中的电极层200或第一接触电极711、第二接触电极712和第三接触电极610之间的电阻。元件电极层370可包括具有导电性(例如，电导电性)的金属。例如，元件电极层370可包括选自铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)中的至少一种。此外，元件电极层370可包括掺杂有n型或p型杂质的半导体材料。元件电极层370可包括相同(例如，基本上相同)的材料，或者可包括不同的材料。然而，应当理解，本公开不限于此。
根据本公开的示例性实施方式，元件电极层370可包括透明导电材料，使得从有源层360发射的光平滑地出射到发光元件300的两个端部。例如，元件电极层370可包括ITO。元件电极层370在上述纵向方向上的厚度d3(在下文中也称为第三厚度d3)可在0.09μm至0.14μm的范围内，但不限于此。所述纵向方向是指发光元件300延伸的方向。
绝缘层380围绕以上描述的半导体层310和320以及元件电极层370的侧表面。根据本公开的示例性实施方式，绝缘层380可至少围绕有源层360的侧表面，并且可在发光元件300延伸的方向上延伸。绝缘层380可保护以上描述的第一半导体层310、第二半导体层320、有源层360和元件电极层370。例如，绝缘层380可形成为围绕第一半导体层310、第二半导体层320、有源层360和元件电极层370的侧部分，但是发光元件300的纵向方向上的两个端部可被暴露。
尽管在附图中所示的示例中绝缘层380在发光元件300的纵向方向上延伸以从第一半导体层310的侧表面完全覆盖到元件电极层370的侧表面，但本公开不限于此。绝缘层380可仅覆盖半导体层的一部分的侧表面以及有源层360的侧表面，或者可仅覆盖元件电极层370的侧表面的一部分以部分地暴露元件电极层370的侧表面。此外，在剖面中，绝缘层380的上表面的与发光元件300的至少一个端部邻近的部分可以是圆化的。
绝缘层380的厚度可以在10nm到1.0μm的范围内，但不限于此。例如，绝缘层380的厚度可以是近似40nm。
绝缘层380可包括具有绝缘特性(例如，电绝缘特性)的材料，诸如，硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氮化物(AlN)和/或铝氧化物(AlxOy)。因此，可防止或减小当有源层360与通过其将电信号传输到发光元件300的电极接触(例如，物理接触)时可能发生的电短路。此外，因为绝缘层380保护包括有源层360的发光元件300的外表面，所以可防止或减小发光效率的降低。
此外，在一些示例性实施方式中，可以使绝缘层380的外表面经受表面处理。发光元件300可分散在油墨中，并且油墨可喷射到电极上。在这种情况下，可对绝缘层380应用表面处理，使得绝缘层380变成疏水的或亲水的，以阻止分散在油墨中的发光元件300彼此聚集。
发光元件300的长度h可在1μm至10μm的范围内、在2μm至6μm的范围内或者在例如近似3μm至5μm的范围内。此外，发光元件300的直径可在30nm至700nm的范围内，并且发光元件300的纵横比可在1.2至100的范围内。然而，应当理解，本公开不限于此。根据有源层360的组成差异，包括在显示装置10中的多个发光元件300可具有不同的直径。例如，发光元件300的直径可以是近似500nm。
图6是图4的区域P1的放大剖视图。图7是图4的区域P2的放大剖视图。
结合图4和图5参考图6和图7，第三接触电极610可以以第一厚度d1形成在第一绝缘层510上。在第一接触电极711和第二接触电极712以及第一图案720形成在相同的层上的示例性实施方式中，第一接触电极711和第二接触电极712以及第一图案720中的每个可以以第二厚度d2形成在第一绝缘层510上。在以下描述中，接触电极711、712和610中的每个的厚度可指从接触电极711、712和610中的每个的与其下方的元件接触(例如，物理接触)的表面(在下文中称为下表面)到相对的表面(在下文中称为上表面)的平均距离。
参考图6，在接触区域CA中，第一接触电极711、第二接触电极712以及第三接触电极610的第一区域611和第二区域612可与发光元件300的两个端部接触(例如，物理接触)。在发光元件300的有源层360中产生并通过发光元件300的两个端部输出的光的透射率可根据在接触区域CA中与发光元件300的两个端部接触(例如，物理接触)的第一接触电极711、第二接触电极712的第二厚度d2以及第三接触电极610的第一区域611和第二区域612的第一厚度d1而不同。
此外，在发光元件300的有源层360中产生的光的透射率可基于第四厚度d4来确定，其中，第四厚度d4是包括在发光元件300中的元件电极层370的第三厚度d3与接触区域CA中第三接触电极610的第一厚度d1之和。随着第一厚度d1、第二厚度d2和第三厚度d3增加，在发光元件300中产生并出射到发光元件300的外部的光的透射率可降低。因此，为了在接触区域CA中增加由发光元件300产生并发射的光的透射率以及还为了如上所述的那样在线区域LA中传输电信号，可适宜地或适当地确定第一接触电极711和第二接触电极712、第三接触电极610和第一图案720的厚度。在示例性实施方式中，第三接触电极610的第一厚度d1可在
Figure BDA0003096510400000331
至
Figure BDA0003096510400000332
的范围内，但不限于此。同样，第一接触电极711和第二接触电极712的第二厚度d2可在
Figure BDA0003096510400000333
至
Figure BDA0003096510400000334
的范围内，但不限于此。
参考图7，位于线区域LA中的第三接触电极610(例如，第三接触电极610的第三区域620)可与位于线区域LA中的第一图案720直接接触(例如，物理接触)。如上所述，通过第一发光元件300从第一电极211传送到第三接触电极610的第一区域611的电信号可通过第三接触电极610的位于线区域LA中的第三区域620传输到第三接触电极610的第二区域612。因此，线区域LA中传输电信号的导电层必须具有低电阻。因此，通过在线区域LA中将具有第二厚度d2的第一图案720的下表面直接设置在第三接触电极610的具有第一厚度d1的第三区域620的表面上，可减小线区域LA中的线的电阻。例如，在线区域LA中使第一图案720图案化并且还位于第三接触电极610上，并且因此，线区域LA中传输电信号的导电层的厚度d5可等于第一厚度d1与第二厚度d2之和。因此，与仅第三接触电极610位于线区域LA中时的导电层相比，导电层的厚度可增加，从而可减小电阻。
根据示例性实施方式，第三接触电极610可包括结晶ITO。由于第三接触电极610包括结晶ITO，因此与包括非晶ITO的第三接触电极相比，可增加从发光元件300产生并发射的光的透射率。因此，可增加显示装置10的亮度。
在下文中，将参考图8至图20描述根据示例性实施方式的制造显示装置10的工艺。
图8和图9是示出根据本公开的示例性实施方式的制造显示装置的一些处理步骤的剖视图。图10是示出在图8和图9的制造工艺期间像素的发射区域的平面图。
首先，准备目标衬底SUB。在以下描述中，目标衬底SUB可具有与图4中所示的包括衬底110以及位于衬底110上的多个导电层和多个绝缘层的电路元件层PAL基本上相同的剖面结构。在以下描述中，为了便于说明，将电路元件层PAL描绘为目标衬底SUB，并且在这里不需要进一步描述其剖面结构。
随后，参考图8和图10，在目标衬底SUB上形成第一堤部400。第一堤部400可包括第一子堤部410和第二子堤部420。第一堤部400可具有从目标衬底SUB的上表面突出的形状。以上已经给出了对其的描述。
随后，参考图9和图10，在第一子堤部410和第二子堤部420上形成电极层200。电极层200包括位于第一子堤部410上的第一电极层210以及位于第二子堤部420上的第二电极层220。第一电极层210可包括第一电极211和第一电极图案212，第一电极211和第一电极图案212相对于延伸穿过发射区域EMA的中心点并且在第二方向DR2上延伸的线彼此对称。第二电极层220可包括第二电极222和第二电极图案221，第二电极222和第二电极图案221相对于穿过发射区域EMA的中心点并且在第二方向DR2上延伸的线彼此对称。第一电极211、第一电极图案212、第二电极222和第二电极图案221可包括相同的(例如，基本上相同的)材料，并且可经由相同的(例如，基本上相同的)工艺一起形成。
第一电极211、第一电极图案212、第二电极222和第二电极图案221可在第二方向DR2上延伸，并且可在第一方向DR1上彼此间隔开。可通过图案化第一电极211、第二电极图案221、第二电极222和第一电极图案212来形成电极层200，使得当从顶部观察时，它们从左到右顺序布置。
在一些实施方式中，参考图3，第一电极层210可沿着第二方向DR2延伸，而不在切割区域CBA中被切割。在第二方向DR2上延伸的第一电极211和第一电极图案212可分别从焊盘接收电压。第二电极层220还可包括在切割区域CBA中电联接在第二电极222与第二电极图案221之间的区域。因此，第一电极211、第一电极图案212和第二电极层220可从焊盘接收各自的电压。在后续工艺中将发光元件300布置并对准之后，使第一电极211、第二电极图案221、第二电极222和第一电极图案212在切割区域CBA中与在第二方向DR2上邻近于该像素PX的另一个像素PX的第一电极211、第二电极图案221、第二电极222和第一电极图案212分离，使得第一电极层210和第二电极层220可形成图2中所示的电极层200。
图11是示出根据本公开的示例性实施方式的制造显示装置的处理步骤的一部分的剖视图。图12是示出在图11的制造工艺期间像素的发射区域的平面图。
随后，参考图11和图12，在电极层200上形成第一绝缘层510、多个发光元件300和第二绝缘层520。
例如，在其上形成有第一堤部400和电极层200的目标衬底SUB之上形成覆盖电极层200的第一绝缘层510。
在接触区域CA中，第一绝缘层510暴露第一电极211、第二电极图案221、第二电极222和第一电极图案212中的每个的至少一部分，并且可位于第一电极211与第二电极图案221之间、第二电极图案221与第二电极222之间以及第二电极222与第一电极图案212之间。第一绝缘层510可使第一电极211、第二电极图案221、第二电极222和第一电极图案212彼此绝缘。
在线区域LA中，第一绝缘层510可完全位于目标衬底SUB上。在线区域LA中，第一绝缘层510可覆盖与线区域LA重叠的第二电极层220。
随后，在第一绝缘层510上形成第二堤部800。
随后，在第一子堤部410与第二子堤部420之间设置多个发光元件300。多个发光元件300可包括在第一电极211与第二电极图案221之间位于第一绝缘层510上的第一发光元件300，以及在第二电极222与第一电极图案212之间位于第一绝缘层510上的第二发光元件300。
发光元件300可分散在油墨中并且可喷射到目标衬底SUB上。在示例性实施方式中，可将发光元件300准备为使发光元件300分散在包含溶剂的油墨中，并且可经由使用喷墨印刷设备的印刷工艺将发光元件300喷射到目标衬底SUB上。从喷墨印刷设备喷射的油墨可沉淀于由第二堤部800围绕的区域中。第二堤部800可防止或减小油墨溢出到其它邻近的像素PX。
当喷射了包含发光元件300的油墨时，将电信号施加到第一电极211、第一电极图案212和第二电极层220中的每个，以将发光元件300在第一绝缘层510上对准。当将电信号分别施加到第一电极211、第一电极图案212和第二电极层220时，可在第一电极211与第二电极图案221之间以及在第二电极222与第一电极图案212之间产生电场。分散在油墨中的发光元件300可受到电场的介电泳力，并且因此，受到介电泳力的发光元件300可在改变定向和位置的同时安置在第一绝缘层510上。
第一绝缘层510上的发光元件300中的每个的两个端部可位于电极层200上。位于第一电极211与第二电极图案221之间的第一发光元件300的第一半导体层310的定向可不同于位于第二电极222与第一电极图案212之间的第二发光元件300的第一半导体层310的定向。例如，第一发光元件300可在第一电极211与第二电极图案221之间在第一绝缘层510上对准，使得第一发光元件300的第一半导体层310的端部位于第二电极图案221上。例如，第二发光元件300可在第二电极222与第一电极图案212之间在第一绝缘层510上对准，使得第二发光元件300的第一半导体层310的端部位于第二电极222上。例如，发光元件300中的每个的设置有第一半导体层310的端部可被定义为第一端部。然后，当从顶部观察时，在像素PX中，位于左侧上的发光元件300的第一端部和位于右侧上的发光元件300的第一端部可面对相对的方向。
随后，在多个发光元件300上形成第二绝缘层520。可通过将第二绝缘材料层完全堆叠在其上形成有发光元件300和第一绝缘层510的目标衬底SUB上并且去除第二绝缘材料层的一部分，使得暴露发光元件300的第一端部和其它端部(在下文中也称为第二端部)来形成第二绝缘层520。第二绝缘层520可包括开口，该开口暴露发光元件300的两个端部和电极层200的一部分。第一接触电极711、第二接触电极712和第三接触电极610可位于发光元件300的通过该开口暴露的两个端部和电极层200的通过该开口暴露的部分上。
随后，执行切割第一电极层210和第二电极层220的位于切割区域CBA中的部分的工艺，以形成第一电极211、第二电极图案221、第二电极222和第一电极图案212。经由切割工艺，可通过联接到发光元件300的电极层210和220施加用于对准发光元件300的电信号，并且可在切割区域CBA中分离电极层200(例如，第一电极211、第二电极图案221、第二电极222和第一电极图案212)以形成用于驱动显示装置10的电极。因此，像素PX中的每个中的第一电极211和第二电极222可由像素PX中的每个中的晶体管单独驱动。
图13和图14是示出根据本公开的示例性实施方式的制造显示装置的一些处理步骤的剖视图。图15是示出在图14的制造工艺期间像素的发射区域的平面图。
随后，参考图13，在电极层200上形成第一接触电极材料图案610'。在示例性实施方式中，在电极层200的第一电极图案212和第二电极图案221上形成第一接触电极材料图案610'。可经由相同的(例如，基本上相同的)掩模工艺形成图案化的第一接触电极材料图案610'。例如，可经由相同的(例如，基本上相同的)掩模工艺形成第一接触电极材料图案610'的在接触区域CA中位于第二电极图案221上的第一区域611'、第一接触电极材料图案610'的在接触区域CA中位于第一电极图案212上的第二区域612'以及第一接触电极材料图案610'的在线区域LA中位于第一绝缘层510上的第三区域620'。
在一些实施方式中，在目标衬底SUB的整个表面上沉积第一接触电极材料层。随后，将光刻胶层施加到第一接触电极材料层上，并通过曝光和显影形成光刻胶图案。然后，通过使用该光刻胶图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻。通常，第一接触电极材料层的蚀刻可通过湿法蚀刻来执行，但不限于此。随后，经由剥离(strip)工艺或灰化(ashing)工艺去除光刻胶图案。第一接触电极材料层可包括非晶ITO，但不限于此。因此，第一接触电极材料图案610'可包括非晶ITO。第一接触电极材料图案610'的厚度可在
Figure BDA0003096510400000381
至
Figure BDA0003096510400000382
的范围内，但不限于此。
随后，参考图14，可对形成在目标衬底SUB上的第一接触电极材料图案610'执行热处理。热处理可在200℃至270℃的温度下执行10分钟至20分钟。然而，应当理解，本公开不限于此。通过热处理可将非晶ITO转变成结晶ITO。因此，可通过热处理形成包括结晶ITO的第三接触电极610。根据此示例性实施方式，相对于相同的蚀刻剂具有比结晶ITO更高的蚀刻选择性的非晶ITO被完全沉积为第一接触电极材料层，并且被执行蚀刻工艺。因此，图案化的工艺可变得更容易。随后，当经由热处理工艺在非晶ITO上形成包括结晶ITO的第三接触电极610时，可防止或减小由用于蚀刻包括在第一接触电极711和第二接触电极712以及第一图案720中的材料的蚀刻剂引起的对第三接触电极610的损坏。将在下文中提供其进一步的描述。
图16是示出根据本公开的示例性实施方式的制造显示装置的处理步骤的一部分的剖视图。图17是示出在图16的制造工艺期间像素的发射区域的平面图。
随后，可在第三接触电极610上形成第三绝缘层530。可通过将用于第三绝缘层530的材料层完全沉积在目标衬底SUB上并形成暴露接触区域CA的一部分的第一开口OP1和第二开口OP2以及暴露线区域LA的一部分的第三开口OP3来形成图案化的第三绝缘层530。因此，可经由相同的(例如，基本上相同的)掩模工艺形成第三绝缘层530、第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3。例如，第三绝缘层530可由无机材料和/或有机材料制成。可通过施加用于第三绝缘层530的材料层并且然后通过曝光和显影形成第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3来形成第三绝缘层530。
在接触区域CA中，第一开口OP1可暴露第一电极211的由第一绝缘层510暴露的部分和位于左侧上的发光元件300(下文中也称为第一发光元件300)的其它端部(例如，该发光元件300的与第三接触电极610的第一区域611接触(例如，物理接触)的第一端部相对的相对端部，在下文中也称为第二端部)。第一发光元件300的经由第一开口OP1暴露的其它端部(第二端部)可以是第一发光元件300的由第二绝缘层520暴露的端部区。
在接触区域CA中，第二开口OP2可暴露第二电极222的由第一绝缘层510暴露的部分和位于右侧上的发光元件300(下文中也称为第二发光元件300)的第一端部(例如，该发光元件300的与第三接触电极610的第二区域612接触(例如，物理接触)的端部(即，第二端部)相对的相对端部，其可以是该发光元件300的设置有第一半导体层310的端部)。第二发光元件300的经由第二开口OP2暴露的第一端部可以是第二发光元件300的由第二绝缘层520暴露的端部区。
第三开口OP3可与第三接触电极610的位于线区域LA中的第三区域620重叠。通过第三开口OP3，可在第三方向DR3上暴露第三接触电极610的位于线区域LA中的第三区域620的至少一部分。
图18是示出根据本公开的示例性实施方式的制造显示装置的处理步骤的一部分的剖视图。图19是示出在图18的制造工艺期间像素的发射区域的平面图。
随后，在第三绝缘层530上形成第一接触电极711、第二接触电极712和第一图案720。可经由相同的(例如，基本上相同的)掩模工艺形成在接触区域CA中位于第一电极211上的与第一开口OP1一致的第一接触电极711、在接触区域CA中位于第二电极222上的与第二开口OP2一致的第二接触电极712以及在线区域LA中位于第三接触电极610的第三区域620上的与第三开口OP3一致的第一图案720。
在一些实施方式中，在目标衬底SUB的整个表面上沉积第二接触电极材料层。随后，将光刻胶层施加到第二接触电极材料层上，并通过曝光和显影形成光刻胶图案。然后，通过使用该光刻胶图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻。通常，第二接触电极材料层的蚀刻可通过湿法蚀刻来执行，但不限于此。随后，经由剥离工艺或灰化工艺去除光刻胶图案。第二接触电极材料层可包括非晶ITO和/或结晶ITO，但是不限于此。第一接触电极711、第二接触电极712和第一图案720中的每个的厚度可在
Figure BDA0003096510400000401
至
Figure BDA0003096510400000402
的范围内，但不限于此。
根据此示例性实施方式，在如上所述的那样形成第三接触电极610的工艺中，第三接触电极610经由用于将非晶ITO结晶成结晶ITO的热处理工艺而包括结晶ITO，并且因此，可防止或减小在用于形成第一接触电极711、第二接触电极712和第一图案720的蚀刻工艺期间由蚀刻剂引起的对第三接触电极610的损坏。
在一些实施方式中，第三绝缘层530可位于第三接触电极610的位于接触区域CA中的第一区域611和第二区域612上。因此，第三接触电极610的位于接触区域CA中的第一区域611和第二区域612因覆盖它们的第三绝缘层530而不暴露于蚀刻剂，并且因此，可防止或减小对第三接触电极610的第一区域611和第二区域612的损坏。
在一些实施方式中，如上所述，第三绝缘层530可不位于第三接触电极610的位于线区域LA中的第三区域620上。例如，第三绝缘层530不位于第三接触电极610(例如，位于线区域LA中的第三区域620)上，使得第三区域620可在第三方向DR3上由第三绝缘层530暴露。顺便提及，如上所述，第三区域620可经由热处理工艺而包括结晶ITO。根据此示例性实施方式，即使第三区域620由于第三绝缘层530不位于其上而在第三方向DR3上暴露，但是因为第三区域620包括结晶ITO，因此即使在形成第一图案720的工艺期间第三区域620暴露于用于蚀刻非晶ITO的蚀刻剂，第三区域620也可不被蚀刻。因此，尽管第三接触电极610和第一图案720(或者第一接触电极711和第二接触电极712)包含相同的(例如，基本上相同的)材料(例如，ITO)并且在每个蚀刻工艺中暴露于蚀刻剂，但是因为第三接触电极610的与线区域LA一致的第三区域620包括结晶ITO，所以可防止或减小由蚀刻剂引起的对第三接触电极610和第一图案720(或者第一接触电极711和第二接触电极712)的损坏。
图20是示出根据本公开的示例性实施方式的制造显示装置的处理步骤的一部分的剖视图。
随后，参考图20，在目标衬底SUB上完全形成第四绝缘层540。第四绝缘层540可形成为完全覆盖目标衬底SUB上的元件。根据示例性实施方式，第四绝缘层540可完全覆盖位于目标衬底SUB上的第二堤部800、第三绝缘层530、第一接触电极711、第二接触电极712和第三接触电极610以及第一图案720。
在下文中，将参考其余附图来描述根据本公开的其它示例性实施方式的显示装置。
图21是示出根据另一个示例性实施方式的用于说明发光元件、多个接触电极和第一图案的相对布置关系的布局的平面图。
根据图21的示例性实施方式的显示装置10与根据图3的示例性实施方式的显示装置10的不同之处在于：第一图案720_1在第一方向DR1和第二方向DR2上的长度可小于第三接触电极610的第三区域620在第一方向DR1和第二方向DR2上的长度。
在一些实施方式中，第一图案720_1可位于第三区域620上。第一图案720_1可在第三方向DR3上与第三接触电极610的第三区域620重叠并且可位于第三接触电极610的第三区域620上，使得第三接触电极610的第三区域620的边缘暴露。第一图案720_1可不与第三接触电极610的第一区域611和第二区域612重叠。
当从顶部观察时，第一图案720_1可具有矩形形状，该矩形形状包括第一方向DR1上的较长边和第二方向DR2上的较短边。第一图案720_1在第一方向DR1上的长度可小于第三接触电极610的第三区域620在第一方向DR1上的长度。第一图案720_1在第二方向DR2上的长度可小于第三接触电极610的第三区域620在第二方向DR2上的长度。例如，第一图案720_1的面积可小于第三接触电极610的与第一图案720_1重叠的第三区域620的面积，使得第三接触电极610的第三区域620可从下方完全覆盖第一图案720_1。第一图案720_1的下表面可与第三接触电极610的第三区域620的上表面直接接触(例如，物理接触)，并且不与第三接触电极610的第一区域611和第二区域612中的每个的上表面直接接触(例如，物理接触)。
根据此示例性实施方式，尽管第一图案720_1仅位于第三接触电极610的第三区域620上，但是线区域LA中传输电信号的导电层的厚度d5(参见图7)可等于第三接触电极610的第三区域620的第一厚度d1(参见图7)与第一图案720_1的第二厚度d2(参见图7)之和。例如，线区域LA中导电层的厚度d5(参见图7)大于接触区域CA中与发光元件300的端部接触(例如，物理接触)的接触电极的厚度d1或d2(参见图6)，并且因此，可减小线区域LA中导电层的电阻。此外，由于第一图案720_1的面积形成为小于第三接触电极610的第三区域620的面积，所以当从顶部观察时，第一图案720_1仅位于第三接触电极610的第三区域620上。因此，可节省或减小第一图案720_1的材料成本。
图22是示出根据又一个示例性实施方式的用于说明发光元件、多个接触电极和第一图案的相对布置关系的布局的平面图。
根据图22的示例性实施方式的显示装置10与根据图3的示例性实施方式的显示装置10的不同之处在于：前者包括在第一方向DR1上彼此间隔开的多个第一图案720_2。
在一些实施方式中，显示装置10可包括位于线区域LA中的多个第一图案720_2。多个第一图案720_2可位于第三接触电极610的第三区域620上。多个第一图案720_2可位于第三接触电极610的第三区域620上，使得多个第一图案720_2在第一方向DR1上彼此间隔开。尽管在附图中第一图案720_2在第一方向DR1(第三接触电极610的第三区域620的较长边方向)上布置为单行，但是本公开不限于此。第一图案720_2在第三接触电极610的第三区域620上可沿着第一方向DR1和第二方向DR2以矩阵图案布置，其中，第一方向DR1是第三接触电极610的第三区域620的较长边方向，第二方向DR2是第三接触电极610的第三区域620的较短边方向。
第一图案720_2在第一方向DR1上的长度可小于第三接触电极610的第三区域620在第一方向DR1上的长度。第一图案720_2在第二方向DR2上的长度可大于第三接触电极610的第三区域620在第二方向DR2上的长度。第三接触电极610的第三区域620可在第三方向DR3上暴露于在第一方向DR1上彼此邻近的第一图案720_2之间的空间中。第四绝缘层540可位于第三接触电极610的没有设置第一图案720_2的第三区域620的表面上。根据本公开的此示例性实施方式，通过仅在第三接触电极610的第三区域620上图案化第一图案720_2来形成第一图案720_2，使得可节省或减小材料成本。
图23是示出根据又一个示例性实施方式的用于说明发光元件、多个接触电极和第一图案的相对布置关系的布局的平面图。图24是沿着图23的线XXIV-XXIV'截取的显示装置的剖视图。
根据图23和图24的示例性实施方式的显示装置10与根据图3和图4的示例性实施方式的显示装置10的不同之处在于：第三绝缘层530_2在线区域LA中位于第三接触电极610与第一图案720之间。
例如，结合图4和图16参考图23和图24，第三绝缘层530_2完全位于衬底110上，并且第一电极211和第二电极222的至少一部分可暴露在接触区域CA中。此外，第三绝缘层530_2可在线区域LA中位于第三接触电极610的第三区域620上，并且可包括穿透第三绝缘层530_2的多个接触孔PCNT。在线区域LA中形成在第三绝缘层530_2中的多个接触孔PCNT可在第三方向DR3上暴露其下方的第三接触电极610的第三区域620的上表面的一部分。
在线区域LA中，第一图案720可位于第三绝缘层530_2上。例如，第一图案720可在线区域LA中位于第三绝缘层530_2上，并且可通过穿透第三绝缘层530_2的多个接触孔PCNT与第三接触电极610的第三区域620接触(例如，物理接触)。第一图案720的与线区域LA中的多个接触孔PCNT重叠的下表面可与第三接触电极610的第三区域620的上表面直接接触(例如，物理接触)。第一图案720的不与线区域LA中的多个接触孔PCNT重叠的下表面可与第三绝缘层530_2的上表面直接接触(例如，物理接触)。
根据本公开的示例性实施方式，在衬底110上形成第三绝缘层530_2的制造工艺期间，可将第三绝缘层530_2形成为使得在接触区域CA中形成暴露第一电极211和第一发光元件300的其它端部(第二端部)的第一开口OP1以及暴露第二电极222和第二发光元件300的第一端部的第二开口OP2，而在线区域LA中不形成第三开口OP3(参见图16)。第三绝缘层530_2也位于线区域LA中，并且第一图案720通过穿透第三绝缘层530_2的多个接触孔PCNT与第三接触电极610的第三区域620接触(例如，物理接触)，使得可增加线区域LA中导电层的总面积，并且因此可减小总电阻。
此外，根据本公开的示例性实施方式，第三绝缘层530_2位于第三接触电极610的位于线区域LA中的第三区域620上，并且因此，即使当第三接触电极610与第一接触电极711和第二接触电极712包括相同的(例如，基本上相同的)材料时，也可防止或减小在用于在第三绝缘层530_2上形成第一接触电极711和第二接触电极712的蚀刻工艺期间由使用的蚀刻剂引起的对第三接触电极610的第三区域620的损坏。
图25是示出沿着图2和图3的线Qa-Qa'和Qb-Qb'截取的显示装置的另一个示例的剖视图。
图25的示例性实施方式与图4的示例性实施方式的不同之处在于：第一接触电极711_1和第二接触电极712_1以及第三接触电极610形成在相同的层上。
在一些实施方式中，第一接触电极711_1和第二接触电极712_1可形成在与第三接触电极610相同的层上。由于第一接触电极711_1和第二接触电极712_1形成在与第三接触电极610相同的层上，因此第三绝缘层530_1可位于第一接触电极711_1、第二接触电极712_1和第三接触电极610上。因此，第一接触电极711_1和第二接触电极712_1的一部分可在接触区域CA中直接位于第二绝缘层520上。第一接触电极711_1和第三接触电极610的第一区域611可在第二绝缘层520上彼此间隔开。同样，第二接触电极712_1和第三接触电极610的第二区域612可在第二绝缘层520上彼此间隔开。
第三绝缘层530_1可暴露第三接触电极610的位于线区域LA中的第三区域620的至少一部分。第三绝缘层530_1可在第三方向DR3上不与第三接触电极610的第三区域620重叠。第一图案720_1可与第三接触电极610的第三区域620的由第三绝缘层530_1暴露的至少一部分接触(例如，物理接触)。
第一接触电极711_1和第二接触电极712_1以及第三接触电极610可经由图案化工艺一起形成。由于第一接触电极711_1和第二接触电极712_1与第三接触电极610一起形成，因此第一图案720_1可在已经形成第一接触电极711_1、第二接触电极712_1和第三接触电极610之后经由随后的工艺形成。
当在已经形成第一接触电极711_1、第二接触电极712_1和第三接触电极610之后经由随后的工艺形成第一图案720_1时，第三绝缘层530_1位于第一接触电极711_1、第二接触电极712_1和第三接触电极610上以覆盖第一接触电极711_1、第二接触电极712_1和第三接触电极610。因此，可防止或减小在形成第一图案720_1的蚀刻工艺期间由蚀刻包括在第一图案720_1中的材料所使用的蚀刻剂引起的对第一接触电极711_1、第二接触电极712_1和第三接触电极610的损坏。
在示例性实施方式中，第一接触电极711、第二接触电极712和第三接触电极610可包括结晶ITO，并且第一图案720_1可包括非晶ITO和/或结晶ITO。如上所述，因为第一接触电极711、第二接触电极712和第三接触电极610包括结晶ITO，所以即使第三接触电极610的第三区域620由第三绝缘层530_1暴露，也可防止或减小由用于蚀刻第一图案720所包括的材料的蚀刻剂引起的对第三接触电极610的第三区域620的损坏。
在结束详细描述时，本领域技术人员将理解，可在基本上不背离本公开的原理的情况下对示例性实施方式进行许多变化和修改。因此，本公开的所公开的实施方式仅以一般性和描述性意义使用，而不是出于限制的目的。

Claims (20)

1.显示装置，包括：
衬底，包括接触区域和线区域；
第一电极，在所述衬底上在第一方向上延伸；
第一电极图案，在所述衬底上在所述第一方向上延伸并且与所述第一电极间隔开；
第二电极，在所述衬底上在所述第一方向上延伸并且位于所述第一电极与所述第一电极图案之间；
第二电极图案，在所述衬底上在所述第一方向上延伸并且位于所述第一电极与所述第二电极之间；
第一发光元件，在所述接触区域中位于所述第一电极与所述第二电极图案之间；
第一接触电极，在所述接触区域中位于所述第一电极上并且与所述第一发光元件的第一端部接触；
第二接触电极，包括第一区域和第二区域，其中，所述第一区域在所述接触区域中位于所述第二电极图案上并且与所述第一发光元件的第二端部接触，以及其中所述第二区域从所述第一区域延伸并且位于所述线区域中；以及
第一图案，位于所述线区域中的所述第二区域上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一图案与所述第二区域物理接触。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一图案包括与所述第一接触电极相同的材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置，还包括在所述接触区域中位于所述第二电极与所述第一电极图案之间的第二发光元件。
5.根据权利要求4所述的显示装置，还包括在所述接触区域中位于所述第二电极上的第三接触电极，并且所述第三接触电极与所述第二发光元件的第一端部接触，
其中，所述第二接触电极还包括第三区域，所述第三区域从所述第二区域延伸以在所述接触区域中位于所述第一电极图案上，并且与所述第二发光元件的第二端部接触。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第三接触电极包括与所述第一接触电极相同的材料。
7.根据权利要求1所述的显示装置，还包括位于所述第二接触电极上的绝缘层，
其中，所述绝缘层在所述线区域中暴露所述第二区域的至少一部分，并且在所述接触区域中覆盖所述第一区域。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一图案与所述第二区域的由所述绝缘层暴露的所述至少一部分物理接触。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二区域的上表面与所述第一图案的下表面直接接触。
10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括位于所述第二接触电极上的绝缘层，
其中，所述绝缘层在所述线区域中位于所述第一图案与所述第二区域之间，并且包括穿透所述绝缘层的多个接触孔以暴露所述第二区域的一部分。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一图案通过穿透所述绝缘层的所述多个接触孔与所述第二区域直接接触。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一接触电极的厚度、所述第二接触电极的厚度和所述第一图案的厚度各自在
Figure FDA0003096510390000031
至
Figure FDA0003096510390000032
的范围内。
13.显示装置，包括：
衬底；
电极层，位于所述衬底上，并且包括第一电极、与所述第一电极间隔开的第一电极图案、位于所述第一电极与所述第一电极图案之间的第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的第二电极图案；
多个发光元件，位于所述电极层上，并且包括第一发光元件和第二发光元件，其中，所述第一发光元件的两个端部分别位于所述第一电极和所述第二电极图案上，以及其中，所述第二发光元件的两个端部分别位于所述第二电极和所述第一电极图案上；
第一接触电极，位于所述第一电极上以与所述第一电极重叠并且与所述第一发光元件的第一端部接触；
第二接触电极，位于所述第二电极上以与所述第二电极重叠并且与所述第二发光元件的第一端部接触；
第三接触电极，位于所述电极层上，并且包括第一区域、第二区域和第三区域，其中，所述第一区域与所述第二电极图案重叠并且与所述第一发光元件的第二端部接触，所述第二区域与所述第一电极图案重叠并且与所述第二发光元件的第二端部接触，以及所述第三区域将所述第一区域与所述第二区域联接；
绝缘层，位于所述第三接触电极上；以及
第一图案，位于所述第三区域上。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述绝缘层覆盖所述第一区域和所述第二区域并且暴露所述第三区域的至少一部分。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一图案与所述第三区域的由所述绝缘层暴露的所述至少一部分物理接触。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第三接触电极包括结晶铟锡氧化物，以及
其中，所述第一图案包括结晶铟锡氧化物和/或非晶铟锡氧化物。
17.制造显示装置的方法，所述方法包括：
在包括线区域和接触区域的目标衬底上形成包括彼此间隔开的第一电极层和第二电极层的电极层，并且在所述接触区域中在所述第一电极层与所述第二电极层之间设置多个发光元件；
在所述电极层上形成接触电极材料图案；
通过对所述接触电极材料图案执行热处理形成接触电极；以及
在所述线区域中在所述接触电极上形成第一图案。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述接触电极包括通过对包括非晶铟锡氧化物的所述接触电极材料图案执行热处理来形成包括结晶铟锡氧化物的所述接触电极，以及
其中，所述热处理在200℃至270℃的温度下执行10分钟至20分钟。
19.根据权利要求17所述的方法，还包括在形成所述第一图案之前，在所述接触电极上形成绝缘层，
其中，所述绝缘层在所述线区域中暴露所述接触电极的至少一部分，以及
其中，所述第一图案位于所述接触电极的由所述绝缘层暴露的所述至少一部分上。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一电极层包括第一电极和与所述第一电极间隔开的第一电极图案，
其中，所述第二电极层包括位于所述第一电极与所述第一电极图案之间的第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的第二电极图案，
其中，所述接触电极包括在所述接触区域中位于所述第二电极图案上的第一区域、在所述接触区域中位于所述第一电极图案上的第二区域以及在所述线区域中位于所述第二区域与所述第一区域之间的第三区域，以及
其中，所述第一图案位于所述第三区域上。
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