CN113759667A - 保持装置、光刻装置以及物品制造方法 - Google Patents

保持装置、光刻装置以及物品制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113759667A
CN113759667A CN202110611760.6A CN202110611760A CN113759667A CN 113759667 A CN113759667 A CN 113759667A CN 202110611760 A CN202110611760 A CN 202110611760A CN 113759667 A CN113759667 A CN 113759667A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pipes
holding device
vacuum
suction
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110611760.6A
Other languages
English (en)
Inventor
铃木健士
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN113759667A publication Critical patent/CN113759667A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供保持装置、光刻装置以及物品制造方法。保持装置保持物体，其特征在于，保持装置具有：吸附部，用于真空吸附物体；多个生成部，分别与连接于吸附部的多个第1管路对应地设置，生成经由多个第1管路向吸附部供给的真空空气；泵，经由分别与多个生成部连接的多个第2管路向多个生成部供给压缩空气；第3管路，包括分别与多个第2管路连接的多个连接管路和汇集多个连接管路的汇集管路；控制阀，设置于汇集管路，通过开闭汇集管路而经由多个连接管路控制多个第2管路的大气释放；以及多个止回阀，分别设置于多个连接管路，抑制存在于多个第2管路之中的一个管路的压缩空气经由第3管路流入多个第2管路之中的其他管路。

Description

保持装置、光刻装置以及物品制造方法
技术领域
本发明涉及保持装置、光刻装置以及物品制造方法。
背景技术
以往使用的曝光装置由照明光学系统对原版(光罩或者掩模)进行照明，将原版的图案经由投影光学系统向基板(晶片)投影。在曝光装置所使用的基板保持装置(工作台)中，存在随着近年的基板尺寸的大型化而基板吸附用的系统数量增加的倾向，作为针对基板翘曲(形状)的对策，采用了按照每个区域来吸附基板的分割吸附方式。
一般来讲，基板保持装置如日本实开平5－39798号公报、日本特开平11－340305号公报所公开的那样，大多出于基板吸附用途而使用真空空气以及由真空产生装置生成的真空空气。在该场合，对于真空空气或送往真空产生装置的压缩空气，从吸附控制部向基板吸附部或者真空产生装置被供给，由吸附控制部内的供给阀进行真空空气或压缩空气的供给或者停止，由此进行相对于被载置在基板吸附部的基板的真空吸附或者真空释放的控制。
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在以往技术中，在将相对于基板的真空吸附释放时，即便由吸附控制部将真空空气或压缩空气的供给停止，残留在工作台与吸附控制部之间的管内的真空空气或压缩空气也会持续向基板吸附部供给。因而，基板吸附部中的真空释放需要时间，成为导致生产率降低的主要因素。另外，也考虑为了缩短真空释放所需的时间而在各分割吸附系统中设置大气释放阀，但是，因大气释放阀的增加导致的工作台以及配管单元的大型化及成本增大就成为了课题。
本发明提供有利于缩短真空吸附物体的吸附部中的真空释放所需的时间并提高生产率的技术。
用于解决课题的方案
作为本发明的一个方面的保持装置，该保持装置保持物体，其特征在于，上述保持装置具有：吸附部，该吸附部用于真空吸附上述物体；多个生成部，该多个生成部分别与连接于上述吸附部的多个第1管路对应地设置，生成经由上述多个第1管路向上述吸附部供给的真空空气；泵，该泵经由分别与上述多个生成部连接的多个第2管路向上述多个生成部供给压缩空气；第3管路，该第3管路包括分别与上述多个第2管路连接的多个连接管路和汇集上述多个连接管路的汇集管路；控制阀，该控制阀设于上述汇集管路，通过开闭上述汇集管路，经由上述多个连接管路控制上述多个第2管路的大气释放；以及多个止回阀，该多个止回阀分别设于上述多个连接管路，抑制存在于上述多个第2管路之中的一个管路的上述压缩空气经由上述第3管路流入上述多个第2管路之中的其他管路。
作为本发明的其他方面的保持装置，该保持装置保持物体，其特征在于，上述保持装置具有：吸附部，该吸附部用于真空吸附上述物体；多个生成部，该多个生成部分别与连接于上述吸附部的多个第1管路对应地设置，生成经由上述多个第1管路向上述吸附部供给的真空空气；泵，该泵经由分别与上述多个生成部连接的多个第2管路向上述多个生成部供给压缩空气；第3管路，该第3管路包括分别与上述多个第1管路连接的多个连接管路和汇集上述多个连接管路的汇集管路；控制阀，该控制阀设于上述汇集管路，通过开闭上述汇集管路，经由上述多个连接管路控制上述多个第1管路的大气释放；以及多个止回阀，该多个止回阀分别设于上述多个连接管路，抑制存在于上述多个第1管路之中的一个管路的上述真空空气经由上述第3管路流入上述多个第1管路之中的其他管路。
作为本发明的再一方面的保持装置，该保持装置保持物体，其特征在于，上述保持装置具有：吸附部，该吸附部用于真空吸附上述物体；泵，该泵对与上述吸附部连接的多个第1管路进行排气并生成向上述吸附部供给的真空空气；多个电磁阀，该多个电磁阀设在上述吸附部与上述泵之间，通过分别开闭上述多个第1管路，控制由上述泵对上述多个第1管路的排气以及由上述泵对上述多个第1管路的排气的停止；第2管路，该第2管路包括分别与上述多个第1管路连接的多个连接管路和汇集上述多个连接管路的汇集管路；控制阀，该控制阀设于上述汇集管路，通过开闭上述汇集管路，经由上述多个连接管路控制上述多个第1管路的大气释放；以及多个止回阀，该多个止回阀分别设于上述多个连接管路，抑制存在于上述多个第1管路之中的一个管路的上述真空空气经由上述第2管路流入上述多个第1管路之中的其他管路，上述多个电磁阀分别是包括3个以上孔口的电磁阀。
作为本发明的再一方面的光刻装置，该光刻装置在基板上形成图案，其特征在于，上述光刻装置具有上述的保持装置，该保持装置将上述基板作为物体来保持。
作为本发明的再一方面的物品制造方法，其特征在于，上述物品制造方法具有：使用上述的光刻装置在基板上形成图案的工序；对在上述工序中形成有上述图案的上述基板进行处理的工序；以及从经过处理的上述基板制造物品的工序。
本发明的其他目的或其他方面将在下面通过参照附图来说明的实施方式而变得明了。
发明的效果
根据本发明，例如能提供有利于缩短真空吸附物体的吸附部中的真空释放所需的时间并提高生产率的技术。
附图说明
图1是示出作为本发明的一个方面的曝光装置的构成的概略图。
图2是示出吸附部的具体构成的一例的图。
图3是示出第1实施方式中的保持装置的构成的图。
图4是示出第1实施方式中的保持装置的构成的图。
图5是示出第1实施方式中的保持装置的构成的图。
图6是示出第2实施方式中的保持装置的构成的图。
图7是示出第2实施方式中的保持装置的构成的图。
图8是示出第2实施方式中的保持装置的构成的图。
图9是示出第3实施方式中的保持装置的构成的图。
图10是示出第3实施方式中的保持装置的构成的图。
图11是示出第3实施方式中的保持装置的构成的图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明实施方式。另外，以下的实施方式并不限定权利要求书所涉及的发明。在实施方式中记载有多个特征，这多个特征并非全都是发明必要构成，另外多个特征也可以任意组合。进而，在附图中，对相同或者同样的构成标注相同的附图标记，省略重复的说明。
图1是作为本发明的一个方面的曝光装置100的构成的概略图。曝光装置100是在作为半导体器件或液晶显示元件的制造工序的光刻工序中采用的、利用原版在基板上形成图案的光刻装置。曝光装置100进行曝光处理，该曝光处理经由作为原版的光罩(掩模)R对基板W进行曝光，将光罩R的图案转印到基板W上。在曝光装置100中可采用步进扫描方式、步进重复方式以及其他曝光方式。另外，在本说明书以及附图中，在使与基板W的表面平行的方向成为XY平面的XYZ坐标系中表示方向。将与XYZ坐标系中的X轴、Y轴以及Z轴分别平行的方向设为X方向、Y方向以及Z方向。
曝光装置100具有：由来自光源110的光对光罩R进行照明的照明光学系统120；将形成于光罩R的图案向基板W投影的投影光学系统130；保持作为物体的基板W的保持装置200；以及控制部150。
光源110包括波长约365nm的水银灯、或者波长约248nm的KrF准分子激光器、波长约193nm的ArF准分子激光器等准分子激光器等，将多个波长频带的光作为曝光光线射出(输出)。
照明光学系统120包括遮光板121、半反射镜122、光电传感器123、反射镜124、整形光学系统(未图示)和光学积分器(未图示)。从光源110射出的光经由整形光学系统被整形为规定形状，向光学积分器入射。光学积分器形成用于以均匀的光照强度分布对光罩R进行照明的多个二次光源。光罩R在其表面上形成有应向基板W转印的图案(例如器件的电路图案)。遮光板121配置在照明光学系统120的光路上，在光罩上规定(形成)任意的照明区域。半反射镜122配置在照明光学系统120的光路上，将对光罩R进行照明的曝光光线的一部分反射(取出)。光电传感器123配置在由半反射镜122反射的光的光路上，针对控制部150输出与曝光光线的强度(曝光能量)对应的信号。控制部150基于从光电传感器123输出的信号来控制遮光板121等。
投影光学系统130是折射光学系统或者折反射光学系统等，以倍率β(例如β＝1/2)缩小光罩R的图案，向涂覆有抗蚀剂(感光剂)的基板W(的曝光区域)上投影(成像)。投影光学系统130例如包括光学元件131和开口光圈132。第1驱动部101在控制部150的控制下在沿着投影光学系统130的光轴的方向(Z轴方向)对光学元件131进行驱动(使其移动)。通过驱动光学元件131，可抑制投影光学系统130的各种象差的增大，同时可良好地维持投影倍率，能降低畸变误差。开口光圈132配置于投影光学系统130的光瞳面(相对于光罩R的傅里叶变换面)。开口光圈132具有圆形的开口。第2驱动部102在控制部150的控制下对开口光圈132的开口的直径进行调整(控制)。
保持装置200包括工作台140、吸附部160和吸附控制部170，在本实施方式中，作为保持基板W的保持机构而具体表现出来。
工作台140是能支撑并移动吸附部160的工作台。工作台140借助第3驱动部103在6个自由度受到控制，对基板W进行定位。在此，6个自由度包括沿着XYZ坐标系的各轴的平移自由度和围绕各轴的旋转自由度。
XY平面中的工作台140的位置通过利用激光器干涉计142测量相距被固定于工作台140的反射镜141的距离而得。工作台140与基板W的位置关系利用对准测量系统104测量。
若进行基板W的对焦，则由包括投射光学系统105和检测光学系统106在内的对焦测量系统FM进行测量。投射光学系统105投射不使涂覆于基板W的抗蚀剂感光的光。检测光学系统106对由基板W反射的光进行检测。在检测光学系统106中，与由基板W反射的光对应地配置有多个受光元件。多个受光元件的各受光面构成为经由成像光学系统而与由基板W反射的光的各反射点大致共轭。因此，若进行基板W的对焦，则在检测光学系统106中，作为向受光元件(受光面)入射的光的位置偏差进行测量。
吸附部160被支撑于工作台140。吸附部160在吸附控制部170的控制下，对基板W进行真空吸附(保持)。另外，在本实施方式中，吸附控制部170与控制部150分开设置，但并不限定于此。例如，控制部150也可以具有吸附控制部170的功能。
控制部150由包括CPU或存储器等的信息处理装置(计算机)构成，根据存储部152所存储的程序，对曝光装置100的整体进行控制。控制部150对曝光装置100的各部分进行控制，进行对基板曝光并向基板上的各曝光区域转印光罩R的图案的曝光处理或与曝光处理关联的各种处理。
参照图2来说明吸附部160的具体构成。吸附部160如图2所示那样包括由交界21、22以及23区分(分割)的吸附区域11、12以及13。另外，在吸附部160，贯通吸附部160(即作为贯通孔)地设置有通过将吸附区域11、12以及13的空气排出而对基板W进行真空吸附的吸附孔31、32以及33和销升降孔41、42以及43。销升降孔41～43是用于在吸附部160与基板搬送机械手(未图示)之间进行基板W的搬送(交接)时使升降销(未图示)升降的开口。基板搬送机械手向从销升降孔41～43上升的升降销载置基板W。并且，在基板搬送机械手退避之后，通过使升降销下降而将基板W载置到吸附部160之上。
以下，有关保持装置200的具体构成及功能将在各实施方式中加以说明。
＜第1实施方式＞
图3以及图4是示出第1实施方式中的保持装置200A的构成、尤其是保持装置200A的配管的一例的图。保持装置200A作为保持装置200被组装于曝光装置100，是对基板W进行保持的保持机构。
图3示出了保持装置200A保持基板W、即吸附部160对基板W进行真空吸附时的状态。在吸附部160的吸附区域11～13，分别设置有在对基板W进行真空吸附时支撑基板W的多个小突起部。
设于吸附部160的多个吸附孔31、32以及33分别经由与各个吸附孔31、32以及33(吸附部160)连接的多个第1管路L1，与多个真空生成部E1、E2以及E3连接。在本实施方式中，真空生成部E1～E3分别与第1管路L1对应地设置，是生成经由第1管路L1向吸附部160(吸附孔31～33)供给的真空空气的真空生成装置。在本实施方式中，真空生成部E1～E3分别由喷射器构成。
在多个真空生成部E1、E2以及E3连接多个第2管路L2，经由该多个第2管路L2，真空生成部E1～E3与向真空生成部E1～E3供给压缩空气的压缩空气泵173连接。另外，在多个第2管路L2中，分别在多个真空生成部E1、E2以及E3各自与压缩空气泵173之间，设有分别包括电磁阀的多个空气操作阀门AV1、AV2以及AV3。空气操作阀门AV1～AV3是用于通过由电磁阀开闭第2管路L2来控制从压缩空气泵173向真空生成部E1～E3的压缩气体的供给以及该压缩气体的供给的停止的阀门。在本实施方式中，空气操作阀门AV1～AV3经由分支用的歧管171而与压缩空气泵173连接。
在多个第2管路L2中，在各个真空生成部E1～E3与各个空气操作阀门AV1～AV3之间，作为分别从多个第2管路L2分支的分支路而连接有第3管路L3。第3管路L3包括分别与多个第2管路L2连接的多个连接管路CL和将该多个连接管路CL汇集的汇集管路ML。另外，在汇集管路ML中，作为通过开闭汇集管路ML而经由多个连接管路CL控制多个第2管路L2的大气释放的控制阀，设有电磁阀701。进而，在多个连接管路CL中，分别设有抑制(防止)存在于多个第2管路L2之中的一个管路的压缩空气经由第3管路L3流入其他管路的多个止回阀CV1、CV2以及CV3。
在由吸附部160真空吸附基板W的场合，吸附控制部170以打开多个管路L2的方式，将空气操作阀门AV1～AV3(电磁阀)控制成OPEN(打开)状态。通过将从压缩空气泵173向真空生成部E1～E3供给的压缩空气分别从真空生成部E1～E3向工作台140的内部排出，由真空生成部E1～E3分别生成真空空气。分别由真空生成部E1～E3生成的真空空气经由第1管路L1分别向吸附孔31～33供给，由吸附部160真空吸附基板W。
在真空生成部E1～E3与空气操作阀门AV1～AV3之间，如上述那样，设有与在本实施方式中作为排气孔口发挥功能的电磁阀701连接的第3管路L3(分支路)。在由吸附部160真空吸附基板W的场合，吸附控制部170以关闭汇集管路ML(第3管路L3)的方式，将电磁阀701控制成CLOSE(关闭)状态。由此，从多个第2管路L2流入(流进)第3管路L3的压缩空气被封住。另外，由设于连接管路CL的止回阀CV1～CV3防止流入到第3管路L3的压缩空气经由电磁阀701返回第2管路L2(即，向与其他排出口相连的系统的回流)。
图4示出了保持装置200A未保持基板W、即解除由吸附部160对基板W的真空吸附例如搬送基板W时的状态。在将由吸附部160对基板W的真空吸附解除的场合，吸附控制部170以关闭多个第2管路L2的方式，将空气操作阀门AV1～AV3(电磁阀)控制成CLOSE状态。由此，从压缩空气泵173向真空生成部E1～E3的压缩空气的供给停止。同时，吸附控制部170以打开汇集管路ML的方式，将成为排气孔口的电磁阀701控制成OPEN状态。由此，残留在各个真空生成部E1～E3与各个空气操作阀门AV1～AV3之间的第2管路L2的压缩空气从与电磁阀701相连的第3管路L3流入电磁阀701，从电磁阀701排出。因此，从压缩空气泵173向真空生成部E1～E3的压缩空气的供给立即停止，能缩短吸附部160中的真空释放所需的时间。因而，根据具有本实施方式的保持装置200A的曝光装置100，基板W的交接所需的时间缩短，有利于提高生产率(吞吐量)。
另外，在本实施方式中，吸附控制部170统一控制多个第2管路L2的开闭，即以多个空气操作阀门AV1～AV3的状态全部变成相同状态的方式进行控制，但并不限定于此。例如，吸附控制部170也可以如图5所示那样，以多个第2管路L2各自的开闭独立被控制的方式，单独地控制多个空气操作阀门AV1～AV3的状态。图5示出了仅将空气操作阀门AV1控制成OPEN状态并仅向真空生成部E1供给压缩空气、仅由设于吸附部160的吸附孔31真空吸附基板W的状态。
＜第2实施方式＞
图6以及图7是示出第2实施方式中的保持装置200B的构成、特别是保持装置200B的配管的一例的图。保持装置200B作为保持装置200被组装于曝光装置100，是保持基板W的保持机构。
图6示出了保持装置200B保持基板W、即吸附部160真空吸附基板W时的状态。在多个第1管路L1中，在设于吸附部160的各个吸附孔31～33与各个真空生成部E1～E3之间，作为分别从多个第1管路L1分支的分支路而连接有第3管路L3。第3管路L3包括与多个第1管路L1分别连接的多个连接管路CL和将该多个连接管路CL汇集的汇集管路ML。另外，在汇集管路ML中，作为通过开闭汇集管路ML而经由多个连接管路CL控制多个第1管路L1的大气释放的控制阀，设有电磁阀801。进而，在多个连接管路CL中，分别设有抑制(防止)存在于多个第1管路L1之中的一个管路的真空空气经由第3管路L3流入其他管路的多个止回阀CV1、CV2以及CV3。
在由吸附部160真空吸附基板W的场合，吸附控制部170以打开多个第2管路L2的方式，将空气操作阀门AV1～AV3(电磁阀)控制成OPEN状态。通过将从压缩空气泵173向真空生成部E1～E3供给的压缩空气分别从真空生成部E1～E3向工作台140的内部排出，由真空生成部E1～E3分别生成真空空气。由真空生成部E1～E3分别生成的真空空气经由第1管路L1分别向吸附孔31～33供给，由吸附部160真空吸附基板W。
在设于吸附部160的吸附孔31～33与真空生成部E1～E3之间，如上述那样，设有与在本实施方式中作为大气释放孔口发挥功能的电磁阀801连接的第3管路L3(分支路)。在由吸附部160真空吸附基板W的场合，吸附控制部170以关闭汇集管路ML(第3管路L3)的方式，将电磁阀801控制成CLOSE状态。由此，从多个第1管路L1向第3管路L3流入(流进)的真空空气被封住。另外，由设于连接管路CL的止回阀CV1～CV3防止流入到第3管路L3的真空空气经由电磁阀801返回第1管路L1(即，向与其他排出口相连的系统的回流)。
图7示出了保持装置200B未保持基板W、即解除由吸附部160对基板W的真空吸附例如搬送基板W时的状态。在将由吸附部160的基板W的真空吸附解除的场合，吸附控制部170以关闭多个第2管路L2的方式，将空气操作阀门AV1～AV3(电磁阀)控制成CLOSE状态。由此，从压缩空气泵173向真空生成部E1～E3的压缩空气的供给停止。同时，吸附控制部170以打开汇集管路ML的方式，将成为大气释放孔口的电磁阀801控制成OPEN状态。由此，大气从电磁阀801经由第3管路L3进入各个吸附孔31～33与各个真空生成部E1～E3之间的多个第1管路L1。另一方面，残留在各个真空生成部E1～E3与各个空气操作阀门AV1～AV3之间的多个第2管路L2中的压缩空气从真空生成部E1～E3分别向工作台140的内部排出。因而，在各个吸附孔31～33与各个真空生成部E1～E3之间的多个第1管路L1中，暂时地(即，残留在第2管路L2中的压缩空气被排出之前)，从真空生成部E1～E3供给真空空气。但是，在各个吸附孔31～33与各个真空生成部E1～E3之间的多个第1管路L1中，大气也从第3管路L3进入，因而，能将多个第1管路L1中的真空状态设为大气释放。因此，能够缩短吸附部160中的真空释放所需的时间。因而，根据具有本实施方式的保持装置200B的曝光装置100，基板W的交接所需的时间缩短，有利于提高生产率(吞吐量)。
另外，在本实施方式中，吸附控制部170统一控制多个第2管路L2的开闭，即以多个空气操作阀门AV1～AV3的状态全部都变成相同状态的方式进行控制，但并不限定于此。例如，吸附控制部170也可以如图8所示那样，以多个第2管路L2各自的开闭独立被控制的方式，单独地控制多个空气操作阀门AV1～AV3的状态。图8示出了仅将空气操作阀门AV1控制成OPEN状态而仅向真空生成部E1供给压缩空气、仅由设于吸附部160的吸附孔31真空吸附基板W的状态。
＜第3实施方式＞
图9以及图10是示出第3实施方式中的保持装置200C的构成、特别是保持装置200C的配管的一例的图。保持装置200C作为保持装置200被组装于曝光装置100，是保持基板W的保持机构。
图9示出了保持装置200C保持基板W、即吸附部160对基板W进行真空吸附时的状态。设于吸附部160的多个吸附孔31、32以及33分别经由分别与各个吸附孔31、32以及33(吸附部160)连接的多个第1管路L1与真空泵273连接。真空泵273将多个第1管路L1排气而生成分别向多个吸附孔31～33(吸附部160)供给的真空空气。在多个第1管路L1中，分别在吸附部160与真空泵273之间设有多个电磁阀SV1、SV2以及SV3。电磁阀SV1～SV3是用于通过分别开闭多个第1管路L1来控制由真空泵273对多个第1管路L1的排气以及由真空泵273对多个第1管路L1的排气的停止的阀。在本实施方式中，电磁阀SV1～SV3包括3个以上孔口，经由分支用的歧管171与真空泵273连接。
在多个第1管路L1中，在设于吸附部160的各个吸附孔31～33与各个电磁阀SV1～SV3之间，作为分别从多个第1管路L1分支的分支路而连接有第2管路L22。第2管路L22包括分别与多个第1管路L1连接的多个连接管路CL1和将该多个连接管路CL1汇集的汇集管路ML1。另外，在汇集管路ML1中，作为通过开闭汇集管路ML1而经由多个连接管路CL1来控制多个第1管路L1的大气释放的控制阀，设置有电磁阀801。进而，在多个连接管路CL1中，分别设有抑制(防止)存在于多个第1管路L1之中的一个管路的真空空气经由第2管路L22流入其他管路的多个止回阀CV1、CV2以及CV3。
在由吸附部160真空吸附基板W的场合，吸附控制部170以打开多个第1管路L1的方式，将电磁阀SV1～SV3控制成OPEN状态。在设于吸附部160的吸附孔31～33与电磁阀SV1～SV3之间，如上述那样，设有与在本实施方式中作为大气释放孔口发挥功能的电磁阀801连接的第3管路L3(分支路)。在由吸附部160真空吸附基板W的场合，吸附控制部170以关闭汇集管路ML1(第2管路L22)的方式，将电磁阀801控制成CLOSE状态。由此，从多个第1管路L1向第2管路L22流入的(流进的)真空空气被封住。另外，由设于连接管路CL1的止回阀CV1～CV3防止流入第2管路L22的真空空气经由电磁阀801返回第1管路L1(即，向与其他排出口相连的系统的回流)。因此，经由第1管路L1将真空空气分别向吸附孔31～33供给，由吸附部160真空吸附基板W。
图10示出了保持装置200C未保持基板W、即解除由吸附部160对基板W的真空吸附例如搬送基板W时的状态。在将由吸附部160对基板W的真空吸附解除的场合，吸附控制部170以将多个第1管路L1关闭的方式，将电磁阀SV1～SV3控制成CLOSE状态。由此，停止从真空泵273向吸附孔31～33的真空空气的供给。进而，大气从电磁阀SV1～SV3的其他孔口进入，从而吸附孔31～33与电磁阀SV1～SV3之间的多个第1管路L1从真空状态设成大气释放。同时，吸附控制部170以打开汇集管路ML1的方式，将成为大气释放孔口的电磁阀801控制成OPEN状态。由此，大气从电磁阀801经由第2管路L22向各个吸附孔31～33与各个电磁阀SV1～SV3之间的多个第1管路L1进入。除了从电磁阀SV1～SV3进入的大气之外，大气也从第2管路L22进入，从而能缩短吸附部160中的真空释放所需的时间。因而，根据具有本实施方式的保持装置200C的曝光装置100，基板W的交接所需的时间缩短，有利于提高生产率(吞吐量)。
另外，在本实施方式中，吸附控制部170集中控制多个第1管路L1的开闭，即控制成多个电磁阀SV1～SV3的状态全部都变成相同状态，但并不限定于此。例如，吸附控制部170也可以如图11所示那样，以多个第1管路L1各自的开闭独立地受到控制的方式，对多个电磁阀SV1～SV3的状态单独地控制。图11示出了仅将电磁阀SV1控制成OPEN状态而仅由设于吸附部160的吸附孔31对基板W进行真空吸附的状态。
在上述的实施方式中，吸附部160由一个吸附部件具体是载置基板W并真空吸附基板W的吸附部件(所谓夹具)构成，在该吸附部件上，设置有分别与多个管路L1连接的多个吸附孔31～33。但是，吸附部160也可以由多个吸附部件构成。在该场合，在各个吸附部件上，既可以设置有分别与多个管路L1连接的多个吸附孔31～33，也可以设置有与多个管路L1之中的至少一个管路连接的吸附孔。
本发明的实施方式中的物品制造方法例如适于制造器件(半导体元件、磁性存储介质、液晶显示元件等)等物品。该制造方法包括：使用曝光装置100在基板上形成图案的工序；对形成有图案的基板进行处理的工序；以及从经过处理的基板制造物品的工序。另外，该制造方法可包括其他的周知工序(氧化、成膜、蒸镀、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂剥离、切割、粘合、封装等)。本实施方式中的物品制造方法相比以往在物品的性能、品质、生产率以及生产成本中的至少一个方面是有利的。
另外，本发明并不将光刻装置限定于曝光装置，例如也可以应用于压印装置。压印装置通过使被供给(配置)到基板上的压印材料与压模(原版)接触，对压印材料提供硬化用的能量，从而形成被转印了压模的图案的硬化物的图案。
发明并不限制于上述实施方式，在不脱离发明的构思以及范围的情况下可进行各种变更以及变形。因此，为了公开发明的范围而随附有权利要求书。

Claims (25)

1.一种保持装置，该保持装置保持物体，其特征在于，
上述保持装置具有：
吸附部，该吸附部用于真空吸附上述物体；
多个生成部，该多个生成部分别与连接于上述吸附部的多个第1管路对应地设置，生成经由上述多个第1管路向上述吸附部供给的真空空气；
泵，该泵经由分别与上述多个生成部连接的多个第2管路向上述多个生成部供给压缩空气；
第3管路，该第3管路包括分别与上述多个第2管路连接的多个连接管路和汇集上述多个连接管路的汇集管路；
控制阀，该控制阀设于上述汇集管路，通过开闭上述汇集管路，经由上述多个连接管路控制上述多个第2管路的大气释放；以及
多个止回阀，该多个止回阀分别设于上述多个连接管路，抑制存在于上述多个第2管路之中的一个管路的上述压缩空气经由上述第3管路流入上述多个第2管路之中的其他管路。
2.如权利要求1所述的保持装置，其特征在于，
上述保持装置还具有多个阀门，该多个阀门设在上述多个生成部的各个生成部与上述泵之间，通过分别开闭上述多个第2管路，控制从上述泵向上述多个生成部的上述压缩空气的供给以及从上述泵向上述多个生成部的上述压缩空气的供给的停止。
3.如权利要求2所述的保持装置，其特征在于，
上述保持装置还具有对上述控制阀以及上述多个阀门进行控制的控制部，
在由上述吸附部真空吸附上述物体的场合，上述控制部控制上述控制阀以及上述多个阀门，以便关闭上述汇集管路并打开上述多个第2管路，
在解除由上述吸附部对上述物体的真空吸附的场合，上述控制部控制上述控制阀以及上述多个阀门，以便打开上述汇集管路并关闭上述多个第2管路。
4.如权利要求3所述的保持装置，其特征在于，
上述控制部单独地控制上述多个阀门，以便独立地控制上述多个第2管路各自的开闭。
5.如权利要求1所述的保持装置，其特征在于，
上述多个生成部分别包括通过将从上述泵供给的上述压缩空气排出而生成上述真空空气的喷射器。
6.如权利要求1所述的保持装置，其特征在于，
上述吸附部包括载置上述物体并真空吸附上述物体的吸附部件，
在上述吸附部件设有分别与上述多个第1管路连接的多个吸附孔。
7.如权利要求1所述的保持装置，其特征在于，
上述吸附部包括分别载置上述物体并分别真空吸附上述物体的多个吸附部件，
在上述多个吸附部件分别设有与上述多个第1管路之中的至少一个管路连接的吸附孔。
8.一种保持装置，该保持装置保持物体，其特征在于，
上述保持装置具有：
吸附部，该吸附部用于真空吸附上述物体；
多个生成部，该多个生成部分别与连接于上述吸附部的多个第1管路对应地设置，生成经由上述多个第1管路向上述吸附部供给的真空空气；
泵，该泵经由分别与上述多个生成部连接的多个第2管路向上述多个生成部供给压缩空气；
第3管路，该第3管路包括分别与上述多个第1管路连接的多个连接管路和汇集上述多个连接管路的汇集管路；
控制阀，该控制阀设于上述汇集管路，通过开闭上述汇集管路，经由上述多个连接管路控制上述多个第1管路的大气释放；以及
多个止回阀，该多个止回阀分别设于上述多个连接管路，抑制存在于上述多个第1管路之中的一个管路的上述真空空气经由上述第3管路流入上述多个第1管路之中的其他管路。
9.如权利要求8所述的保持装置，其特征在于，
上述保持装置还具有多个阀门，该多个阀门设在上述多个生成部的各个生成部与上述泵之间，通过分别开闭上述多个第2管路，控制从上述泵向上述多个生成部的上述压缩空气的供给以及从上述泵向上述多个生成部的上述压缩空气的供给的停止。
10.如权利要求9所述的保持装置，其特征在于，
上述保持装置还具有对上述控制阀以及上述多个阀门进行控制的控制部，
在由上述吸附部真空吸附上述物体的场合，上述控制部控制上述控制阀以及上述多个阀门，以便关闭上述汇集管路并打开上述多个第2管路，
在解除由上述吸附部对上述物体的真空吸附的场合，上述控制部控制上述控制阀以及上述多个阀门，以便打开上述汇集管路并关闭上述多个第2管路。
11.如权利要求10所述的保持装置，其特征在于，
上述控制部单独地控制上述多个阀门，以便独立地控制上述多个第2管路各自的开闭。
12.如权利要求8所述的保持装置，其特征在于，
上述多个生成部分别包括通过将从上述泵供给的上述压缩空气排出而生成上述真空空气的喷射器。
13.如权利要求8所述的保持装置，其特征在于，
上述吸附部包括载置上述物体并真空吸附上述物体的吸附部件，
在上述吸附部件设有分别与上述多个第1管路连接的多个吸附孔。
14.如权利要求8所述的保持装置，其特征在于，
上述吸附部包括分别载置上述物体并分别真空吸附上述物体的多个吸附部件，
在上述多个吸附部件分别设有与上述多个第1管路之中的至少一个管路连接的吸附孔。
15.一种保持装置，该保持装置保持物体，其特征在于，
上述保持装置具有：
吸附部，该吸附部用于真空吸附上述物体；
泵，该泵对与上述吸附部连接的多个第1管路进行排气并生成向上述吸附部供给的真空空气；
多个电磁阀，该多个电磁阀设在上述吸附部与上述泵之间，通过分别开闭上述多个第1管路，控制由上述泵对上述多个第1管路的排气以及由上述泵对上述多个第1管路的排气的停止；
第2管路，该第2管路包括分别与上述多个第1管路连接的多个连接管路和汇集上述多个连接管路的汇集管路；
控制阀，该控制阀设于上述汇集管路，通过开闭上述汇集管路，经由上述多个连接管路控制上述多个第1管路的大气释放；以及
多个止回阀，该多个止回阀分别设于上述多个连接管路，抑制存在于上述多个第1管路之中的一个管路的上述真空空气经由上述第2管路流入上述多个第1管路之中的其他管路，
上述多个电磁阀分别是包括3个以上孔口的电磁阀。
16.如权利要求15所述的保持装置，其特征在于，
上述保持装置还具有对上述多个电磁阀以及上述控制阀进行控制的控制部，
在由上述吸附部真空吸附上述物体的场合，上述控制部控制上述多个电磁阀以及上述控制阀，以便打开上述多个第1管路并关闭上述汇集管路，
在解除由上述吸附部对上述物体的真空吸附的场合，上述控制部控制上述多个电磁阀以及上述控制阀，以便关闭上述多个第1管路并打开上述汇集管路。
17.如权利要求15所述的保持装置，其特征在于，
上述吸附部包括载置上述物体并真空吸附上述物体的吸附部件，
在上述吸附部件设有分别与上述多个第1管路连接的多个吸附孔。
18.如权利要求15所述的保持装置，其特征在于，
上述吸附部包括分别载置上述物体并分别真空吸附上述物体的多个吸附部件，
在上述多个吸附部件分别设有与上述多个第1管路之中的至少一个管路连接的吸附孔。
19.一种光刻装置，该光刻装置在基板上形成图案，其特征在于，
上述光刻装置具有权利要求1所述的保持装置，该保持装置将上述基板作为物体来保持。
20.如权利要求19所述的光刻装置，其特征在于，
上述光刻装置具有将原版的图案向被上述保持装置保持的上述基板投影的投影光学系统。
21.一种光刻装置，该光刻装置在基板上形成图案，其特征在于，
上述光刻装置具有权利要求8所述的保持装置，该保持装置将上述基板作为物体来保持。
22.一种光刻装置，该光刻装置在基板上形成图案，其特征在于，
上述光刻装置具有权利要求15所述的保持装置，该保持装置将上述基板作为物体来保持。
23.一种物品制造方法，其特征在于，
上述物品制造方法具有：
使用权利要求19所述的光刻装置在基板上形成图案的工序；
对在上述工序中形成有上述图案的上述基板进行处理的工序；以及
从经过处理的上述基板制造物品的工序。
24.一种物品制造方法，其特征在于，
上述物品制造方法具有：
使用权利要求21所述的光刻装置在基板上形成图案的工序；
对在上述工序中形成有上述图案的上述基板进行处理的工序；以及
从经过处理的上述基板制造物品的工序。
25.一种物品制造方法，其特征在于，
上述物品制造方法具有：
使用权利要求22所述的光刻装置在基板上形成图案的工序；
对在上述工序中形成有上述图案的上述基板进行处理的工序；以及
从经过处理的上述基板制造物品的工序。
CN202110611760.6A 2020-06-05 2021-06-02 保持装置、光刻装置以及物品制造方法 Pending CN113759667A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020098883A JP7495819B2 (ja) 2020-06-05 2020-06-05 保持装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
JP2020-098883 2020-06-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113759667A true CN113759667A (zh) 2021-12-07

Family

ID=78787323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110611760.6A Pending CN113759667A (zh) 2020-06-05 2021-06-02 保持装置、光刻装置以及物品制造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7495819B2 (zh)
KR (1) KR20210151680A (zh)
CN (1) CN113759667A (zh)
TW (1) TWI849299B (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11340305A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Sony Corp 吸着装置及び吸着方法並びにこの吸着装置を備える半導体製造装置
JP4448297B2 (ja) * 2002-12-27 2010-04-07 株式会社荏原製作所 基板研磨装置及び基板研磨方法
JP2011191755A (ja) 2010-02-18 2011-09-29 Nsk Ltd 露光方法及び基板の製造方法並びに露光装置
JP6362416B2 (ja) 2014-05-23 2018-07-25 キヤノン株式会社 保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP6708455B2 (ja) 2016-03-25 2020-06-10 キヤノン株式会社 保持装置、保持方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202215160A (zh) 2022-04-16
JP7495819B2 (ja) 2024-06-05
KR20210151680A (ko) 2021-12-14
TWI849299B (zh) 2024-07-21
JP2021192085A (ja) 2021-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6708455B2 (ja) 保持装置、保持方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
US9618854B2 (en) Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4574240B2 (ja) 加工装置、加工方法、デバイス製造方法
JPWO2005081295A1 (ja) 露光方法、露光装置及び露光システム並びにデバイス製造方法
JP2006245257A (ja) 処理装置、当該処理装置を有する露光装置、保護機構
JP4348734B2 (ja) 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP7495819B2 (ja) 保持装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
US20060092399A1 (en) Lithographic apparatus, a control system for controlling a lithographic apparatus, and a device manufacturing method
JP2008098635A (ja) リソグラフィ装置、リソグラフィ装置とプロセシングモジュールとの組合せ、及び、デバイス製造方法
JP2008131041A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4040499B2 (ja) ロードロック室、処理システム及び処理方法
US11327411B2 (en) Substrate processing apparatus and article manufacturing method
JP6711661B2 (ja) 保持装置、保持方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP6485687B2 (ja) 保持装置、物体支持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2006070748A1 (ja) メンテナンス方法、露光装置、メンテナンス部材
JP5861642B2 (ja) 露光装置、露光方法、露光装置のメンテナンス方法、露光装置の調整方法、デバイス製造方法、及びダミー基板
CN110824856B (zh) 保持装置、光刻装置以及物品的制造方法
JP2014127655A (ja) 吸引装置及び方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
TW202236378A (zh) 夾持器及包括夾持器之微影設備
JP2023040497A (ja) 保持装置、保持装置の吸着異常を判定する方法、リソグラフィー装置、及び、物品の製造方法
JP2009076578A (ja) 物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法、塗布現像装置、塗布現像方法及びデバイス製造方法
JP2014022644A (ja) 異物除去装置、異物除去方法、光源装置、チャンバー装置、露光装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination