CN113741151A - 一种掩膜板整形装置及掩膜板整形方法、光刻机 - Google Patents
一种掩膜板整形装置及掩膜板整形方法、光刻机 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113741151A CN113741151A CN202010479847.8A CN202010479847A CN113741151A CN 113741151 A CN113741151 A CN 113741151A CN 202010479847 A CN202010479847 A CN 202010479847A CN 113741151 A CN113741151 A CN 113741151A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mask
- plate
- fixing frame
- supporting
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种掩膜板整形装置及掩膜板整形方法、光刻机。所述掩膜板整形装置包括:透明盖板、支撑固定框、承板台、真空吸附气动系统、恒压气动控制系统以及可控抽真空系统;其中,透明盖板与支撑固定框连接,且覆盖支撑固定框的中空区域;透明盖板和支撑固定框与待整形掩膜板构成密闭腔;承板台用于承载待整形掩膜板的边框区,并吸附固定支撑固定框;真空吸附气动系统用于为承板台提供吸附力;恒压气动控制系统用于维持密闭腔内的气压恒定;可控抽真空系统用于实现密闭腔内流量可控的抽真空。本发明实施例提供的技术方案,避免真空过抽现象发生的同时,保证了密闭腔能够以较短的时间建立目标真空,进而实现了对待整形掩膜板的有效整形。
Description
技术领域
本发明实施例涉及光刻机技术领域,尤其涉及一种掩膜板整形装置及掩膜板整形方法、光刻机。
背景技术
掩膜板是光刻机的重要组成部分,其特性对光刻效果的影响显著。
随着光刻技术的不断发展,光刻机的光刻范围增大,掩膜板的尺寸相应增大。受自身重力影响,大尺寸掩膜板会发生垂向形变,且最大形变量可达65μm以上,而光刻机中的拼接物镜的可调范围只有+/-15um,无法通过调节拼接物镜的方式补偿掩膜板的形变,此外,现有光刻机的焦深约为7.5μm,掩膜板的自重形变远超焦深,导致成像质量难以保证。
发明内容
本发明提供一种掩膜板整形装置及掩膜板整形方法、光刻机,以有效整形掩膜板受自重影响产生的形变。
第一方面,本发明实施例提供了一种掩膜板整形装置,包括:
透明盖板、支撑固定框、承板台、真空吸附气动系统、恒压气动控制系统以及可控抽真空系统;
其中,所述透明盖板与所述支撑固定框连接,且覆盖所述支撑固定框的中空区域;所述透明盖板和所述支撑固定框与待整形掩膜板构成密闭腔;
所述承板台用于承载所述待整形掩膜板的边框区,并吸附固定所述支撑固定框;
所述真空吸附气动系统用于为所述承板台提供吸附力;
所述恒压气动控制系统用于维持所述密闭腔内的气压恒定;
所述可控抽真空系统用于实现所述密闭腔内流量可控的抽真空。
第二方面,本发明实施例还提供了一种光刻机,包括上述第一方面所述的掩膜板整形装置。
第二方面,本发明实施例还提供了一种掩膜板整形方法,采用上述第一方面所述的掩膜板整形装置实施,包括:
将待整形掩膜板的边框放置于所述承板台上;
将连接后的所述透明盖板以及所述支撑固定框放置于所述承板台上,以形成所述密闭腔;
控制所述真空吸附气动系统为所述承板台提供吸附力,以吸附固定所述支撑固定框以及所述待整形掩膜板;
控制所述可控抽真空系统以最大流量对所述密闭腔抽真空,直至所述密闭腔内的负压达到阈值,其中,所述阈值与所述密闭腔的目标真空之差小于预设差值;
减小所述可控抽真空系统的流量,控制所述可控抽真空系统以减小后的流量对所述密闭腔抽真空,直至所述密闭腔内的负压达到所述目标真空;
控制所述恒压气动控制系统维持所述密闭腔的气压恒定。
本发明实施例提供的技术方案,通过设置透明盖板和支撑固定框与待整形掩膜板构成密闭腔,可控抽真空系统对密闭腔进行流量可控的抽真空,使得可控抽真空系统能够在初始阶段采用最大流量对密闭腔抽真空,并在密闭腔内接近目标真空时,以减小后较小的流量继续对密闭腔抽真空,避免真空过抽现象发生的同时,保证了密闭腔能够以较短的时间建立目标真空,进而实现了对待整形掩膜板的有效整形。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1是本发明实施例提供的一种掩膜板整形装置的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的掩膜板整形装置的一种应用结构图;
图3是本发明实施例提供的支撑固定框的俯视结构示意图;
图4是本发明实施例提供的连接后的透明盖板和支撑固定框的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的又一种掩膜板整形装置的结构示意图;
图6是图1的局部结构示意图;
图7是本发明实施例提供的一种掩膜板整形装置的局部结构示意图;
图8是本发明实施例提供的一种掩膜板整形装置的局部俯视图;
图9是本发明实施例提供的又一种掩膜板整形装置的局部俯视图;
图10是本发明实施例提供的一种支撑固定框的形变情况分布图;
图11是本发明实施例提供的一种透明盖板的形变分布图;
图12是本发明实施例提供的一种整形后掩膜板的高度分布图;
图13是三种不同面型图;
图14是本发明实施例提供的一种光刻机的结构示意图;
图15是本发明实施例提供的一种掩膜板整形方法的流程示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本发明提出的一种掩膜板整形装置及掩膜板整形方法、光刻机的具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
本发明实施例提供了一种掩膜板整形装置,包括:
透明盖板、支撑固定框、承板台、真空吸附气动系统、恒压气动控制系统以及可控抽真空系统;
其中,所述透明盖板与所述支撑固定框连接,且覆盖所述支撑固定框的中空区域;所述透明盖板和所述支撑固定框与待整形掩膜板构成密闭腔;
所述承板台用于承载所述待整形掩膜板的边框区,并吸附固定所述支撑固定框;
所述真空吸附气动系统用于为所述承板台提供吸附力;
所述恒压气动控制系统用于维持所述密闭腔内的气压恒定;
所述可控抽真空系统用于实现所述密闭腔内流量可控的抽真空。
本发明实施例提供的技术方案,通过设置透明盖板和支撑固定框与待整形掩膜板构成密闭腔,可控抽真空系统对密闭腔进行流量可控的抽真空,使得可控抽真空系统能够在初始阶段采用最大流量对密闭腔抽真空,并在密闭腔内接近目标真空时,以减小后较小的流量继续对密闭腔抽真空,避免真空过抽现象发生的同时,保证了密闭腔能够以较短的时间建立目标真空,进而实现了对待整形掩膜板的有效整形。
以上是本申请的核心思想,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他实施方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次,本发明结合示意图进行详细描述,在详述本发明实施例时,为便于说明,表示装置器件结构的示意图并非按照一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本发明保护的范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度以及高度的三维空间尺寸。
图1是本发明实施例提供的一种掩膜板整形装置的结构示意图。图2是本发明实施例提供的掩膜板整形装置的一种应用结构图。如图1和图2所示,掩膜板整形装置包括透明盖板100、支撑固定框200、承板台300、真空吸附气动系统400、恒压气动控制系统500以及可控抽真空系统600。
图3是本发明实施例提供的支撑固定框的俯视结构示意图。图4是本发明实施例提供的连接后的透明盖板和支撑固定框的结构示意图。如图3和图4所示,透明盖板100与支撑固定框200连接,且覆盖支撑固定框200的中空区域210。
继续参见图1和图2,透明盖板100和支撑固定框200与待整形掩膜板700构成密闭腔800,承板台300用于承载待整形掩膜板700的边框区,并吸附固定支撑固定框200,真空吸附气动系统400用于为承板台300提供吸附力,恒压气动控制系统500用于维持密闭腔800内的气压恒定,可控抽真空系统600用于实现密闭腔800内流量可控的抽真空。
本实施例适用于光刻机中的大尺寸掩膜板重力形变的整形,示例性的,大尺寸掩膜板的尺寸具体可以为920mm×800mm。
待整形掩膜板700包括图形区和围绕图形区设置的边框区,各掩膜孔设置于图形区。相较于板面面积,待整形掩膜板700的厚度很小,若采用精度较小的大流量真空泵抽真空,密闭腔800内易出现真空过抽现象,原本受重力影响向下凸起的待整形掩膜板700会向密闭腔800内凸起,导致待整形掩膜板700的形变问题未被解决。另一方面,若采用精度较大的小流量真空泵抽真空,密闭腔800内很难建立目标真空,同样无法解决待整形掩膜板700的形变问题。为解决上述问题,本实施例采用可控抽真空系统600对密闭腔进行分阶段的抽真空操作,首先在初始阶段采用最大流量抽真空,以加快真空建立速度,接近目标真空时,减小流量,以较小的流量继续抽真空,保证了能够精确的建立目标真空,示例性的,密闭腔800内目标真空的建立时间通常控制在15秒左右。
需要说明的是,为保证在垂向方向上覆盖待整形掩膜板700形变区的透明盖板100不影响待整形掩膜板700的正常使用,设置透明盖板100具有良好的透光性,示例性的,透明盖板100可以为透明玻璃基板,采用熔石英玻璃形成。
还需要说明的是,在实际应用中,会存在将待整形掩膜板700从一个位置移动至另一位置的情况,此时掩膜板整形装置的移动部分(透明盖板100和支撑固定框200)受一个约为0.5g的加速度的冲击力作用,为避免各部件的位置发生偏移,需将支撑固定框200以及待整形掩膜板700与承板台300固定。本实施例采用的吸附方式为一种无需在连接面设置其他部件且可拆卸的连接方式,能够通过真空吸附气动系统400控制吸附力的大小,进而适应不同材质的部件连接。
示例性的,在光刻机的曝光工艺中,掩膜板整形装置的移动部分(透明盖板100和支撑固定框200)的加速度为0.5g,已知该移动部分的总重量为35kg,则其产生的加速度力F=ma=35*0.5*9.8=171.5N。假设支撑固定框200采用铝材料制备,承板台300采用陶瓷材料形成,当承板台300的吸附腔负压P为0.6bar(60KPa),铝与陶瓷的磨擦系数u的取值范围为0.1~0.2(温度小于200℃),此处取u=0.1,承板台300的吸附腔的面积为0.029㎡,则掩膜板整形装置的移动部分的静摩擦力F1=(P*S+mg)*u=(60*10^3*2.9*10^-2+35*9.8)*0.1=
208.3N,此时,F1>F,掩膜板整形装置的移动部分可以被吸附固定在承板台300上。
此外,受密闭性等因素的影响,建立目标真空后的密闭腔800的环境会缓慢发生变化,从而影响待整形掩膜板700的整形效果,具体的,LMF试验结果显示:封闭空间的压力若有1Pa的变化,将导致掩膜板出现0.64um的形变量。因此,采用恒压气动控制系统500维持密闭腔800内的气压恒定,以使待整形掩膜板700能够在使用过程中始终保持整形后的效果,示例性的,恒压气动控制系统500将密闭腔800内的气压稳定在目标真空+/-0.5pa的范围内。
本实施例提供的技术方案,通过设置透明盖板100和支撑固定框200与待整形掩膜板700构成密闭腔800,可控抽真空系统600对密闭腔800进行流量可控的抽真空,使得可控抽真空系统600能够在初始阶段采用最大流量对密闭腔800抽真空,并在密闭腔800内接近目标真空时,以减小后较小的流量继续对密闭腔800抽真空,避免真空过抽现象发生的同时,保证了密闭腔800能够以较短的时间建立目标真空,进而实现了对待整形掩膜板的有效整形。
图5是本发明实施例提供的又一种掩膜板整形装置的结构示意图。如图5所示,可控抽真空系统600包括真空传感器610、电磁阀620以及干燥真空气源630。沿密闭腔的抽真空气流方向W,真空传感器610、电磁阀620以及干燥真空气源630依次设置于密闭腔的抽真空管路上。
示例性的,干燥真空气源630可以包括CDA正压和VAC真空200Pa气源。可以理解的是,在本实施例的其他实施方式中,可以根据实际需要合理设置干燥真空气源630的具体结构,本实施例对此不作具体限定。
需要说明的是,在抽真空管路中设置电磁阀620后,能够通过调节电磁阀620控制抽真空管路的气体流量,实现流量可控的抽真空。
此外,真空传感器610用于检测密闭腔内的真空情况,以便能够根据密闭腔内的真空情况准确实现电磁阀620的调节。示例性的,下表一为本实施例提供的一种真空传感器610的指标参数列表,真空传感器610精度高且实时检测性能强,有利于密闭腔内目标真空的准确建立。
表一、真空传感器的指标参数
示例性的,图6是图1的局部结构示意图。如图6所示,承板台300包括多个吸附孔(未示出)以及与吸附孔(未示出)连通的吸附腔310,吸附孔(未示出)设置于承板台300与待整形掩膜板700以及支撑固定框200的接触面上,真空吸附气动系统400用于对吸附腔310抽真空。
需要说明的是,本实施例中吸附系统的结构简单,便于设计,有利于简化掩膜板整形装置的制备工艺。
可以理解的是,在本实施例的其他实施方式中,吸附系统也可以为其他结构,本实施例对此不作具体限定。
可选的,透明盖板100与支撑固定框200可以通过贴合胶固定连接。
需要说明的是,打孔连接灯方式易损坏脆性较强的透明盖板100,因此,本实施例采用贴合胶的方式实现透明盖板100与支撑固定框200的固定连接,一方面避免透明盖板100受损,另一方面工艺较为简单。
图7是本发明实施例提供的一种掩膜板整形装置的局部结构示意图。如图7所示,支撑固定框200与待整形掩膜板700接触的表面上设置有密封槽900,密封槽900内设置密封圈910。
示例性的,密封圈910可以为胶垫,能够与待整形掩膜板700紧密贴合,避免了支撑固定框200与待整形掩膜板700之间细微缝隙降低密闭腔的密封性能。
参见图7,密封槽900垂直于透明盖板100的截面为梯形,梯形包括平行设置的第一底边和第二底边,第一底边的长度为A,第二底边的长度为B,A>B,第二底边位于第一底边,远离透明盖板100的一侧。
需要说明的是,这样的设置方式避免了运输过程中密封圈910从密封槽900内掉落。值得注意的是,密封圈910有一定的压缩量才能起到密封作用,示例性的,压缩量所用的预压缩量采用电磁铁提供,当电磁铁起作用后,密封圈910有了一定的压缩量,然后将支撑固定框200和承板台300吸附固定。
继续参见图7,支撑固定框200垂直于透明盖板100的截面为L型,L型包括相互垂直的第一边210和第二边220,第一边210与透明盖板100的边缘连接,第二边220远离第一边210的端面与承板台300吸附连接。
需要说明的是,图7中支撑固定框200的剖面即为支撑固定框200垂直于透明盖板100的截面。图7中支撑固定框200的结构在能够保证支撑固定框200和透明盖板100与待整形掩膜板700构成密闭腔800的同时,支撑固定框200可以与承板台300接触连接,且支撑固定框300的结构简单。
图8是本发明实施例提供的一种掩膜板整形装置的局部俯视图。如图8所示,承板台包括多个分立设置的子承板台310,待整形掩膜板700的外边缘的形状为矩形,矩形的每个边均与至少一个子承板台310固定连接。
需要说明的是,这样的设置方式使得支撑固定框架200以及待整形掩膜板700的各个边均可以被有效支撑以及吸附固定,有利于减小待整形掩膜板700自重形变量。可选的,矩形长边对应的子承板台310具有吸附腔,矩形短边对应的子承板台310可以不设置吸附腔,仅起支撑作用,以降低子承板台310的设计成本。
图8仅以矩形的每个边与3个子承板台310固定连接为例进行说明而非限定,在本实施例的其他实施方式中,矩形每个边对应的子承板台310的数量还可以为其他值,本实施例对此不作具体限定。
本实施例对支撑固定框200的外边缘的具体形状不做限定,示例性的,可以对应每个子承板台310设置一个凸起,如图8所示;或者部分边缘对应子承板台310设置凸起,另一部分边缘为直线,如图4所示。
图9是本发明实施例提供的又一种掩膜板整形装置的局部俯视图。如图9所示,掩膜板整形装置还包括多个激光检测传感器1010,激光检测传感器1010设置于待整形掩膜板700的图形区远离透明盖板100的一侧,多个激光检测传感器1010用于检测待整形掩膜板700的面型。
示例性的,如图9所示,多个激光检测传感器1010可以设置于同一底板1020上,以便多个激光检测传感器1010的固定和整体安装。
较佳的,多个激光检测传感器1010在垂直于承板台300运动方向上O均匀分布,以便能够检测到待整形掩膜板700上更多点的高度信息,进而更准确的获得待整形掩膜板700的面型信息。
示例性的,支撑固定框200的材料可以为合金。
需要说明的是,支撑固定框200为环形结构,包括中空区域,若支撑固定框200的强度较小,会使得支撑固定框200易于变形,影响透明盖板100与其固定的牢固性以及密闭腔的密封性能。采用合金材料形成的支撑固定框200强度高,不易变形,有利于提升透明盖板100与其固定的牢固性以及密闭腔的密封性能。
具体的,图10是本发明实施例提供的一种支撑固定框的形变情况分布图。其中,支撑固定框采用合金材料形成,且该强度分布图在承板台未移动的过程中测试获得。如图10所示,支撑固定框200各部分的形变均较小,说明其强度较大,不易形变。
此外,图11是本发明实施例提供的一种透明盖板的形变分布图。其中,透明盖板为熔石英玻璃基板,且该强度分布图在承板台未移动的状态下测试获得。如图11所示,透明盖板100最大形变量为0.3μm,说明各部分的形变均较小,其强度较大,不易形变。另一方面,正常工作时,透明盖板处于动态状态,由于透明盖板厚度较小,其处于动态状态时的形变量要大于静态状态时的形变量,根据经验数据可知,动态状态时的形变量通常为静态状态时的3~5倍,当取5倍时,动态状态下的形变量为1.5μm,仍然较小,不会影响掩膜板整形装置的正常工作。
图12是本发明实施例提供的一种整形后掩膜板的高度分布图。图13是三种不同面型图。具体的,掩膜板为矩形,其包括相互垂直且相邻设置的第一边和第二边,X轴表示在第一边延伸方向上与掩膜板几何中心的距离,Y轴标识在第二边延伸方向上与掩膜板几何中心的距离,Z轴为掩膜板远离透明盖板一侧的表面与指定基准面之间的距离,其中,指定基准面为掩膜板最大形变量的点所在的平面,且该平面与无形变时掩膜板远离透明盖板一侧的表面平行。图13中三条折线分别为图12中三个不同Y轴位置处X轴对应的面型图。其中,折线H对应Y的取值为-570μm,折线N对应Y的取值为0,折线M对应Y的取值为570μm。此外,图12在密闭腔的负压为95Pa时测得。如图12和图13所示,整形后掩膜板的最大形变量为15μm,而整形前的最大形变量60μm,可见整形效果明显。且将本实施例提供的掩膜板整形装置应用于光刻机中,通过实际曝光后,1.5um线条正常,包括物镜拼接区的线条在内的各线条均清晰未见离焦。
图14是本发明实施例提供的一种光刻机的结构示意图。如图14所示,光刻机10包括本发明任意实施例提供的掩膜板整形装置11。由于本实施例提供的光刻机10包括如本发明实施例提供的任意所述的掩膜板整形装置11,其具有其所包括的掩膜板整形装置11相同或相应的有益效果,此处不再赘述。
图15是本发明实施例提供的一种掩膜板整形方法的流程示意图。该掩膜板整形方法采用本发明任意实施例提供的掩膜板整形装置实施。如图15所示,掩膜板整形方法具体包括如下:
步骤1、将待整形掩膜板的边框放置于承板台上。
步骤2、将连接后的透明盖板以及支撑固定框放置于承板台上,以形成密闭腔。
步骤3、控制真空吸附气动系统为承板台提供吸附力,以吸附固定支撑固定框以及待整形掩膜板。
步骤4、控制可控抽真空系统以最大流量对密闭腔抽真空,直至密闭腔内的负压达到阈值,其中,阈值与密闭腔的目标真空之差小于预设差值。
其中,预设差值为较小的数值,以使得阈值与密闭腔的目标真空之差较小,可控抽真空系统以最大流量对密闭腔抽真空的操作能够在接近目标真空时停止。可以理解的是,预设差值能够根据实际需要由作业人员进行合理设置。
步骤5、减小可控抽真空系统的流量,控制可控抽真空系统以减小后的流量对密闭腔抽真空,直至密闭腔内内的负压达到所述目标真空。
步骤6、控制恒压气动控制系统维持密闭腔的气压恒定。
本实施例提供的技术方案,通过将待整形掩膜板的边框放置于承板台上,将连接后的透明盖板以及支撑固定框放置于承板台上,以形成密闭腔控制真空吸附气动系统为承板台提供吸附力,以吸附固定支撑固定框以及待整形掩膜板,控制可控抽真空系统以最大流量对密闭腔抽真空,直至密闭腔内的负压达到阈值,其中,阈值与密闭腔的目标真空之差小于预设差值,减小可控抽真空系统的流量,控制可控抽真空系统以减小后的流量对密闭腔抽真空,直至密闭腔内内的负压达到所述目标真空,控制恒压气动控制系统维持密闭腔的气压恒定,使得可控抽真空系统能够在初始阶段采用最大流量对密闭腔抽真空,并在密闭腔内接近目标真空时,以减小后较小的流量继续对密闭腔抽真空,避免真空过抽现象发生的同时,保证了密闭腔能够以较短的时间建立目标真空,进而实现了对待整形掩膜板的有效整形。
在本实施例中,掩膜板整形装置还包括多个激光检测传感器,激光检测传感器设置于待整形掩膜板的掩膜区远离透明盖板的一侧;激光检测传感器用于检测待整形掩膜板的面型,对应的,控制恒压气动控制系统维持密闭腔的气压恒定后,还包括控制承板台沿任一方向移动,同时采用多个激光检测传感器对待整形掩膜板的面型进行检测,根据检测到的面型获取待整形掩膜板的最大形变量。
需要说明的是,真空建立时间公式如下:
t=2.3(V/S)*lg(pi/p)----------公式1
其中,t为抽真空时间[s];V为待抽真空空间的容积[L];S为真空泵的有效抽速[L/s];pi为开始抽真空时待抽真空空间内的压力[Pa];p为经过t时间后待抽真空空间内的压力[Pa]。
可以理解的是,V、S、Pi和P已知后,即可基于上述公式1得到抽真空时间。本实施例中的承板台内的吸附腔的抽真空时间,以及由透明盖板、支撑固定框以及待整形掩膜板构成的密闭腔内的抽真空时间,均可以采用上述公式1获得,示例性的,在已完成的实验中,根据上述公式1获得:承板台内的吸附腔的抽真空时间为0.25,取安全系数为2后,承板台内的吸附腔的实际抽真空时间设置为0.5s。同样根据公式1获得密闭腔内的抽真空时间t1=0.39s,为安全起见,设置建立所需压差并稳定的时间为0.8s。
此外,根据经验值设置关闭恒压气动控制系统以及可控抽真空系统的持续时间为0.5s。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (13)
1.一种掩膜板整形装置,其特征在于,包括:
透明盖板、支撑固定框、承板台、真空吸附气动系统、恒压气动控制系统以及可控抽真空系统;
其中,所述透明盖板与所述支撑固定框连接,且覆盖所述支撑固定框的中空区域;所述透明盖板和所述支撑固定框与待整形掩膜板构成密闭腔;
所述承板台用于承载所述待整形掩膜板的边框区,并吸附固定所述支撑固定框;
所述真空吸附气动系统用于为所述承板台提供吸附力;
所述恒压气动控制系统用于维持所述密闭腔内的气压恒定;
所述可控抽真空系统用于实现所述密闭腔内流量可控的抽真空。
2.根据权利要求1所述的掩膜板整形装置,其特征在于,所述可控抽真空系统包括真空传感器、电磁阀以及干燥真空气源;沿所述密闭腔的抽真空气流方向,所述真空传感器、所述电磁阀以及所述干燥真空气源依次设置于所述密闭腔的抽真空管路上。
3.根据权利要求1所述的掩膜板整形装置,其特征在于,所述承板台包括多个吸附孔以及与所述吸附孔连通的吸附腔,所述吸附孔设置于所述承板台与所述待整形掩膜板以及所述支撑固定框的接触面上,所述真空吸附气动系统用于对所述吸附腔抽真空。
4.根据权利要求1所述的掩膜板整形装置,其特征在于,所述透明盖板与所述支撑固定框通过贴合胶固定连接。
5.根据权利要求1所述的掩膜板整形装置,其特征在于,所述支撑固定框与所述待整形掩膜板接触的表面上设置有密封槽,所述密封槽内设置密封圈。
6.根据权利要求5所述的掩膜板整形装置,其特征在于,所述密封槽垂直于所述透明盖板的截面为梯形,所述梯形包括平行设置的第一底边和第二底边,所述第一底边的长度为A,所述第二底边的长度为B,A>B;所述第二底边位于所述第一底边远离所述透明盖板的一侧。
7.根据权利要求1所述的掩膜板整形装置,其特征在于,所述支撑固定框垂直于所述透明盖板的截面为L型,所述L型包括相互垂直的第一边和第二边,所述第一边与所述透明盖板的边缘连接,所述第二边远离所述第一边的端面与所述承板台吸附连接。
8.根据权利要求1所述的掩膜板整形装置,其特征在于,所述承板台包括多个分立设置的子承板台;
所述支撑固定框架的外边缘的形状为矩形,所述矩形的每个边均与至少一个所述子承板台固定连接。
9.根据权利要求1所述的掩膜板整形装置,其特征在于,还包括多个激光检测传感器,所述激光检测传感器设置于所述待整形掩膜板的图形区远离所述透明盖板的一侧;
多个所述激光检测传感器用于检测所述待整形掩膜板的面型。
10.根据权利要求1所述的掩膜板整形装置,其特征在于,所述支撑固定框的材料为合金。
11.一种光刻机,其特征在于,包括权利要求1-10任一项所述的掩膜板整形装置。
12.一种掩膜板整形方法,采用权利要求1-10任一项所述的掩膜板整形装置实施,其特征在于,包括:
将待整形掩膜板的边框放置于所述承板台上;
将连接后的所述透明盖板以及所述支撑固定框放置于所述承板台上,以形成所述密闭腔;
控制所述真空吸附气动系统为所述承板台提供吸附力,以吸附固定所述支撑固定框以及所述待整形掩膜板;
控制所述可控抽真空系统以最大流量对所述密闭腔抽真空,直至所述密闭腔内的负压达到阈值,其中,所述阈值与所述密闭腔的目标真空之差小于预设差值;
减小所述可控抽真空系统的流量,控制所述可控抽真空系统以减小后的流量对所述密闭腔抽真空,直至所述密闭腔内的负压达到所述目标真空;
控制所述恒压气动控制系统维持所述密闭腔的气压恒定。
13.根据权利要求12所述的掩膜板整形方法,其特征在于,还包括多个激光检测传感器,所述激光检测传感器设置于所述待整形掩膜板的掩膜区远离所述透明盖板的一侧;所述激光检测传感器用于检测待整形掩膜板的面型;
控制所述恒压气动控制系统维持所述密闭腔的气压恒定后,还包括:
控制所述承板台沿任一方向移动,同时采用多个所述激光检测传感器对所述待整形掩膜板的面型进行检测;
根据检测到的所述面型获取所述待整形掩膜板的最大形变量。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010479847.8A CN113741151A (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 一种掩膜板整形装置及掩膜板整形方法、光刻机 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010479847.8A CN113741151A (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 一种掩膜板整形装置及掩膜板整形方法、光刻机 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113741151A true CN113741151A (zh) | 2021-12-03 |
Family
ID=78725112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010479847.8A Pending CN113741151A (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 一种掩膜板整形装置及掩膜板整形方法、光刻机 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113741151A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114609872A (zh) * | 2022-03-16 | 2022-06-10 | 东莞市友辉光电科技有限公司 | 一种光罩抗弯方法及大尺寸平行光曝光机 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008276040A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Ushio Inc | マスクステージ |
JP2011128646A (ja) * | 2011-02-07 | 2011-06-30 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2014071206A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置 |
CN106730065A (zh) * | 2017-01-18 | 2017-05-31 | 蔡小奇 | 一种负压产生系统及负压产生方法 |
US20180275522A1 (en) * | 2017-03-23 | 2018-09-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Proximity exposure device and exposure method thereof |
-
2020
- 2020-05-29 CN CN202010479847.8A patent/CN113741151A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008276040A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Ushio Inc | マスクステージ |
JP2011128646A (ja) * | 2011-02-07 | 2011-06-30 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2014071206A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置 |
CN106730065A (zh) * | 2017-01-18 | 2017-05-31 | 蔡小奇 | 一种负压产生系统及负压产生方法 |
US20180275522A1 (en) * | 2017-03-23 | 2018-09-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Proximity exposure device and exposure method thereof |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114609872A (zh) * | 2022-03-16 | 2022-06-10 | 东莞市友辉光电科技有限公司 | 一种光罩抗弯方法及大尺寸平行光曝光机 |
CN114609872B (zh) * | 2022-03-16 | 2022-12-13 | 东莞市友辉光电科技有限公司 | 一种光罩抗弯方法及大尺寸平行光曝光机 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI596698B (zh) | 保持裝置、微影設備以及製造物品的方法 | |
JP3737059B2 (ja) | 基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法 | |
JP2001305563A (ja) | 基板貼合装置 | |
CN113741151A (zh) | 一种掩膜板整形装置及掩膜板整形方法、光刻机 | |
US10209632B2 (en) | Proximity exposure device and exposure method thereof | |
US6232023B1 (en) | Contact exposure process and device | |
CN103715125A (zh) | 板状体保持机构、基板贴合装置以及基板贴合方法 | |
CN107425135A (zh) | 掩膜板固定底板及掩模板固定装置 | |
TW201347078A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP2015038982A (ja) | 基板の保持装置及び密着露光装置並びに近接露光装置 | |
CN103376586A (zh) | 基板粘合装置 | |
JP4942625B2 (ja) | 近接露光装置及び近接露光方法 | |
WO2016123948A1 (zh) | 封装设备和封装方法 | |
TW201341194A (zh) | 貼合裝置及貼合方法 | |
US9044879B2 (en) | Production method of wafer lens | |
KR101242724B1 (ko) | 진공 라미네이션 장치 및 이를 이용한 필름 라미네이션 방법 | |
JP2001523843A (ja) | マイクロリソグラフィにおける基板を平坦に保持する装置および方法 | |
JP4592971B2 (ja) | 液晶表示パネルの製造装置 | |
CN112198682B (zh) | 液晶面板的贴合装置 | |
CN113262951A (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
US4271577A (en) | Alignment device | |
JP2014194455A (ja) | 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法 | |
CN102246266A (zh) | 常温接合装置 | |
JP2010163692A (ja) | 真空蒸着用アライメント装置 | |
JP2014071206A (ja) | プロキシミティ露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |