CN113675348A - 量子点发光二极管及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。该量子点发光二极管，包括：层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层和量子点层；空穴传输层是氧化镍和第一金属氧化物的混合层；第一金属氧化物与氧化镍的晶格失配度小于预设值，第一金属氧化物的价带能级比氧化镍价带能级低。该量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在衬底上形成层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层和量子点层。本申请实施例对量子点发光二极管的性能进行优化，能够提高发光强度、提高器件效率和延长器件寿命。

Description

量子点发光二极管及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着量子点材料的发展、器件结构的不断优化和电荷有效输运等研究的持续深入，QLED(Quantum Dot Light Emitting Diode，量子点发光二极管)显示将超越光致发光的量子点增亮膜和量子点彩色滤光片，有望成为下一代主流显示技术。
现有技术中，存在量子点发光二极管QLED的量子点层的激子淬灭导致发光强度降低的技术问题。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，用以解决现有技术存在量子点发光二极管QLED的量子点层的激子淬灭导致发光强度降低的技术问题。
第一方面，本申请实施例一种量子点发光二极管，包括：层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层和量子点层；
空穴传输层是氧化镍和第一金属氧化物的混合层；第一金属氧化物与氧化镍的晶格失配度小于预设值，第一金属氧化物的价带能级比氧化镍价带能级低。
在一个可能的实现方式中，第一金属氧化物为氧化镁、氧化铯和氧化锂中的至少一种。
在一个可能的实现方式中，预设值不大于1％。
在一个可能的实现方式中，第一金属氧化物均匀分布在氧化镍中，第一金属氧化物在空穴传输层的占比为1％-50％。
第二方面，本申请实施例还提供一种显示面板，包括第一方面的量子点发光二极管。
第三方面，本申请实施例又提供一种显示装置，包括第一方面的量子点发光二极管或第二方面的显示面板。
第四方面，本申请实施例再提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
在衬底上形成层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层和量子点层；空穴传输层是氧化镍和第一金属氧化物的混合层，第一金属氧化物与氧化镍的晶格失配度小于预设值，第一金属氧化物的价带能级比氧化镍价带能级低。
在一个可能的实现方式中，空穴传输层的制备包括：
共溅射镍与第一金属氧化物，形成氧化镍和第一金属氧化物的混合层，作为空穴传输层。
在一个可能的实现方式中，共溅射镍与第一金属氧化物，形成氧化镍和第一金属氧化物的混合层，包括：
在氩气和氧气的气氛中且第一温度范围条件下，基于镍靶和第一金属氧化物靶进行共溅射，形成氧化镍和第一金属氧化物的混合层。
在一个可能的实现方式中，在氩气和氧气的气氛中且第一温度范围条件下，基于镍靶和第一金属氧化物靶进行共溅射，形成氧化镍和第一金属氧化物的混合层之后，还包括：
将氧化镍和第一金属氧化物的混合层，在空气中且第二温度范围条件下，进行退火处理。
在一个可能的实现方式中，第一金属氧化物包括以下至少一项：
第一金属氧化物为氧化镁、氧化铯和氧化锂中的至少一种；
第一金属氧化物均匀分布在氧化镍中，第一金属氧化物在空穴传输层的占比为1％-50％。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：
本申请实施例量子点发光二极管的空穴传输层是氧化镍和第一金属氧化物的混合层，避免了量子点层的量子点与现有的氧化镍的空穴传输层直接接触带来的发光强度降低地问题。本申请实施例将第一金属氧化物作为氧化镍的空穴传输层的修饰剂，借助于体掺杂剂和表面改性两种方式，减少空穴积累，钝化现有的氧化镍的空穴传输层的表面/体缺陷，对量子点发光二极管的性能进行优化，能够提高发光强度、提高器件效率和延长器件寿命。
本申请实施例的第一金属氧化物的选用，主要是需要与氧化镍的晶格失配度小于预设值，第一金属氧化物的价带能级比氧化镍价带能级低。因此，可以适用的第一金属氧化物有多种，使得满足提高发光强度的量子点发光二极管的制备选择更多，制备更便捷。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种量子点发光二极管的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种量子点发光二极管的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的现有的空穴传输层和本申请实施例量子点发光二极管结构的空穴传输层的能级的示意图；
图4为本申请实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程图；
图5为本申请实施例提供的另一种量子点发光二极管的制备方法的流程图。
附图标记：
1-衬底、2-阳极层、3-空穴注入层、4-空穴传输层、5-量子点层、6-电子传输层、7-阴极层。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本申请的发明人进行研究发现，现有的氧化镍NiOx的空穴传输层HTL的表面/体缺陷或自由空穴可以导致激子淬灭。因此，当量子点直接接触NiOx的空穴传输层时，发光强度降低。
本申请的发明人考虑到，为了减少电致发光猝灭，必须消除空穴积累，钝化NiOx(X为大于1的整数)的表面/体缺陷。若采用与NiOx的晶格失配度小于预设值的第一金属氧化物掺入NiOx的空穴传输层，且第一金属氧化物的价带能级比NiOx价带能级低，能够一定程度地提高发光强度、提高器件效率和延长器件寿命。
本申请提供的量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，旨在解决现有技术的如上技术问题。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例一种量子点发光二极管，参见图1和图2所示，该量子点发光二极管包括：层叠设置的阳极层2、空穴注入层3、空穴传输层4和量子点层5。
空穴传输层4是氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层；第一金属氧化物与氧化镍NiOx的晶格失配度小于预设值，第一金属氧化物的价带能级比氧化镍NiOx价带能级低。其中，第一金属氧化物是与氧化镍NiOx不同的金属氧化物。第一金属氧化物的价带能级比氧化镍NiOx价带能级低，也就是，第一金属氧化物的价带能级比氧化镍NiOx价带能级深。
基于上述技术方案，本申请实施例量子点发光二极管的空穴传输层4是氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层，避免了量子点层5的量子点与现有的氧化镍NiOx的空穴传输层4直接接触带来的发光强度降低地问题。本申请实施例将第一金属氧化物作为氧化镍NiOx的修饰剂，借助于体掺杂剂和表面改性两种方式，减少空穴积累，钝化现有的氧化镍NiOx的空穴传输层4的表面/体缺陷，对量子点发光二极管的性能进行优化，能够提高发光强度、寿命和光致发光量子产率PLQY。
本申请实施例的第一金属氧化物的选用，主要是需要与氧化镍NiOx的晶格失配度小于预设值，第一金属氧化物的价带能级比氧化镍NiOx价带能级低。因此，可以适用的第一金属氧化物有多种，使得满足提高发光强度、寿命和光致发光量子产率PLQY的量子点发光二极管的制备选择更多，制备更便捷。
作为一种示例，参见图1所示，本申请实施例的量子点发光二极管还包括电子传输层6和阴极层7。具体地，该量子点发光二极管器件包括依次层叠设置衬底1、阳极层2、空穴注入层3、空穴传输层4、量子点层5、电子传输层6和阴极层7。
作为一种示例，参见图2所示，本申请实施例的量子点发光二极管还包括电子传输层6和阴极层7。具体地，该量子点发光二极管器件包括依次层叠设置衬底1、阴极层7、电子传输层6、量子点层5、空穴传输层4、空穴注入层3和阳极层2。
可选地，本申请实施例的量子点发光二极管QLED存在空穴注入不足的问题。实际应用中，含镉Cd和无镉Cd的QLED器件都存在空穴注入不足的问题。那么，本申请实施例的QLED器件可以同时适用于含镉Cd和无镉Cd的QLED器件。
在一些实施例中，第一金属氧化物为氧化镁MgO、氧化铯Cs2O和氧化锂Li2O中的至少一种。具体的，第一金属氧化物可以是氧化镁MgO、氧化铯Cs2O和氧化锂Li2O中任意一种，也可以是氧化镁MgO、氧化铯Cs2O和氧化锂Li2O中的至少两种的混合。
参见图3所示，纵坐标为能级eV(电子伏特)的范围，横线示出了能级eV的中间线，为了更好地比较现有的氧化镍NiOx的空穴传输层、本申请实施例的氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层的空穴传输层的能级的差别。现有的氧化镍NiOx的空穴传输层的导带能级为-5.2eV，由于第一金属氧化物的导带能级比氧化镍NiOx导带能级低，形成的本申请实施例的氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层的空穴传输层4导带能级比现有的氧化镍NiOx的导带能级低。同时，由于第一金属氧化物的价带能级比氧化镍NiOx价带能级低，形成的本申请实施例的氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层的空穴传输层4价带能级比现有的氧化镍NiOx的价带能级低，可以达到更好地掺杂效果，有利于减少空穴积累，钝化现有的氧化镍NiOx的空穴传输层4的表面/体缺陷，对量子点发光二极管的性能进行优化。
下面以氧化镁MgO为例，说明第一金属氧化物作为氧化镍NiOx的空穴传输层4的修饰剂，减少空穴积累，钝化现有的氧化镍NiOx的空穴传输层4的表面/体缺陷的原理。
作为一种示例，结合图3所示，第一金属氧化物为氧化镁MgO，氧化镍NiOx和氧化镁MgO之间只有0.8％的晶格失配，因此氧化镁MgO适合掺杂氧化镍NiOx。当氧化镁MgO引入氧化镍NiOx时，能够一定程度地提高光致发光PL强度、寿命和光致发光量子产率PLQY。同时，氧化镁MgO是一种宽禁带材料，其价带边缘比氧化镍NiOx低0.9eV(电子伏特)，掺杂氧化镁MgO的氧化镍NiOx的空穴传输层4，可以降低价带顶VBM，即比现有的氧化镍NiOx的价带能级低，能够达到更好地掺杂效果，减少空穴注入势垒，从而减少空穴积累。
在一些实施例中，预设值不大于1％。具体地，氧化镁MgO、氧化铯Cs2O和氧化锂Li2O均与氧化镍NiOx的晶格失配度均小于1％，能够提高氧化镁MgO、氧化铯Cs2O和氧化锂Li2O的掺杂效果，使得氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层减少空穴积累，钝化空穴传输层4的表面/体缺陷。
在一些实施例中，第一金属氧化物均匀分布在氧化镍中，第一金属氧化物在空穴传输层4的占比为1％-50％，进一步保障第一金属氧化物的掺杂效果。在实际应用中，第一金属氧化物在空穴传输层4的占比可以选用3％。
可选地，第一金属氧化物的溅射深度取决于NiOx溅射厚度，溅射时第一金属氧化物的金属掺杂与NiOx形成是同时进行的，使得溅射出的金属掺杂NiOx是均匀分布在NiOx中，掺杂深度即为NiOx厚度。例如，Mg掺杂与NiO形成是同时进行的，溅射出的Mg掺杂NiOx中Mg是均匀分布在NiOx中。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示面板，包括本申请实施例的量子点发光二极管。
基于同一发明构思，本申请实施例又提供一种显示装置，包括本申请实施例的量子点发光二极管或本申请实施例的显示面板。
基于同一发明构思，本申请实施例再提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
在衬底1上形成层叠设置的阳极层2、空穴注入层3、空穴传输层4和量子点层5；空穴传输层4是氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层，第一金属氧化物与氧化镍NiOx的晶格失配度小于预设值，第一金属氧化物的价带能级比氧化镍NiOx价带能级低。
作为一种示例，结合图1和图4所示，该量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：
S301、在衬底1上形成阳极层2。
可选地，在衬底1上形成阳极层2之前，将玻璃衬底清洗，在玻璃衬底上形成ITO(indium tin oxide，铟锡氧化物)阳极层。
S302、在阳极层2远离衬底1的一侧形成空穴注入层3。
可选地，在阳极层2远离衬底1的一侧通过旋涂方法沉积空穴注入层3，如旋涂PEDOT：PSS等空穴注入材料。其中，PEDOT：PSS是一种高分子聚合物的水溶液，导电率很高，根据不同的配方，可以得到导电率不同的水溶液。PEDOT：PSS是由PEDOT和PSS两种物质构成。PEDOT是EDOT(3，4-乙烯二氧噻吩单体)的聚合物，PSS是聚苯乙烯磺酸盐。
S303、在空穴注入层3远离阳极层2的一侧形成空穴传输层4；空穴传输层4是氧化镍和第一金属氧化物的混合层，第一金属氧化物与氧化镍NiOx的晶格失配度小于预设值，第一金属氧化物的价带能级比氧化镍价带能级低。
在一些实施例中，在空穴注入层3远离阳极层2的一侧形成空穴传输层4，包括：
在空穴注入层3远离阳极层2的一侧共溅射镍Ni与第一金属氧化物，形成氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层，作为空穴传输层4。
在一些实施例中，在空穴注入层3远离阳极层2的一侧共溅射镍与第一金属氧化物，形成氧化镍和第一金属氧化物的混合层，包括：
在氩气Ar和氧气O2的气氛中且第一温度范围条件下，基于镍Ni靶和第一金属氧化物靶进行共溅射，形成氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层。
可选地，共溅射为co-sputtering，是指共同溅射，将两种或多种靶材同时进行溅射。
在空穴注入层3上共溅射镍Ni与第一金属氧化物，能够提高第一金属氧化物掺杂氧化镍NiOx的均匀性。同时，镍Ni靶和O2反应形成NiOx，氧化镍NiOx的形成和金属对其的掺杂在溅射过程中同时进行，保证掺杂深度和均匀性。
可选地，在氩气Ar和氧气O2的气氛中且第一温度范围条件下，共溅射Ni靶和MgO陶瓷靶，使Mg掺杂与形成NiOx在溅射过程中同时进行，提高掺杂的均匀性。第一温度范围可以为室温-500℃，室温为室内温度，可以是0℃-35℃。溅射腔体温度为室温，改变的是衬底1的温度，衬底1的温度为室温-500℃。
在一些实施例中，在氩气和氧气的气氛中且第一温度范围条件下，基于镍靶和第一金属氧化物靶进行共溅射，形成氧化镍和第一金属氧化物的混合层之后，还包括：
将氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层，在空气中且第二温度范围条件下，进行退火处理。
在空气中且第二温度范围条件下，进行退火处理可以进一步保证掺杂深度和均匀性。第二温度范围可以为室温-400℃，室温为室内温度，可以是0℃-35℃。在实际应用中，第一金属氧化物在空穴传输层4的占比可以选用3％。
可选地，预设值不大于1％。
S304、在空穴传输层4远离空穴注入层3的一侧形成量子点层5。
可选地，在空穴传输层4远离空穴注入层3的一侧旋涂沉积量子点层5。
在一些实施例中，步骤S304之后，还可以包括：
S305、在量子点层5远离空穴传输层4的一侧形成电子传输层6。
可选地，在量子点层5远离空穴传输层4的一侧旋涂电子传输层6。电子传输层6可选用氧化锌ZnO纳米颗粒。
S306、在电子传输层6远离量子点层5的一侧形成阴极层7并封装。
可选地，在电子传输层6远离量子点层5的一侧蒸镀阴极层7并封装，完成整个QLED器件的制备。阴极层7为金属薄层，阴极层7可采用铝Al层等，厚度约为500-1000nm(纳米)。
可选地，空穴注入层3、量子点层5、电子传输层6和阴极层7均可使用喷墨打印方式进行制备。
在一些实施例中，第一金属氧化物包括以下至少一项：
第一金属氧化物为氧化镁MgO、氧化铯Cs2O和氧化锂Li2O中的至少一种。
第一金属氧化物均匀分布在氧化镍NiOx中，第一金属氧化物在空穴传输层4的占比为1％-50％。
具体的，第一金属氧化物可以是氧化镁MgO、氧化铯Cs2O和氧化锂Li2O中任意一种，也可以是氧化镁MgO、氧化铯Cs2O和氧化锂Li2O中的至少两种的混合。以第一金属氧化物为氧化镁MgO为例，氧化镍NiOx和氧化镁MgO之间只有0.8％的晶格失配，因此氧化镁MgO适合掺杂氧化镍NiOx。当氧化镁MgO引入氧化镍NiOx时，能够一定程度地提高光致发光PL强度、寿命和光致发光量子产率PLQY。同时，氧化镁MgO是一种宽禁带材料，其价带边缘比氧化镍NiOx低0.9eV，掺杂氧化镁MgO的氧化镍NiOx的空穴传输层4，可以降低价带顶VBM，即比现有的氧化镍NiOx的价带能级低达到更好地掺杂效果，减少空穴注入势垒，从而减少空穴积累。
本申请实施例的属氧化物与氧化镍NiOx的晶格失配度小于1％，能够提高氧化镁MgO、氧化铯Cs2O和氧化锂Li2O的掺杂效果，使得氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层减少空穴积累，钝化空穴传输层4的表面/体缺陷。
第一金属氧化物均匀分布在氧化镍中，第一金属氧化物在空穴传输层4的占比为1％-50％，进一步保障第一金属氧化物的掺杂效果。
作为一种示例，结合图2和图5所示，该量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：
S501、在衬底1上形成阴极层7。
可选地，在衬底1上形成阴极层7之前，将玻璃衬底清洗，在玻璃衬底上形成阴极层7，阴极层7为金属薄层，阴极层7可采用铝Al层等，厚度约为500-1000nm(纳米)。
S502、在阴极层7远离衬底1的一侧形成电子传输层6。
可选地，电子传输层6可选用氧化锌ZnO纳米颗粒。
S503、在电子传输层6远离阴极层7的一侧形成量子点层5。
S504、在量子点层5远离电子传输层6的一侧形成在空穴传输层4，空穴传输层4是氧化镍和第一金属氧化物的混合层，第一金属氧化物与氧化镍NiOx的晶格失配度小于预设值，第一金属氧化物的价带能级比氧化镍价带能级低。
在一些实施例中，在量子点层5远离电子传输层6的一侧形成在空穴传输层4包括：在量子点层5远离电子传输层6的一侧共溅射镍与第一金属氧化物，形成氧化镍和第一金属氧化物的混合层，作为空穴传输层4。
在量子点层5远离电子传输层6的一侧共溅射镍与第一金属氧化物，形成氧化镍和第一金属氧化物的混合层，包括：
在氩气Ar和氧气O2的气氛中且第一温度范围条件下，基于镍Ni靶和第一金属氧化物靶进行共溅射，形成氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层。
在量子点层5上共溅射镍Ni与第一金属氧化物，能够提高第一金属氧化物掺杂氧化镍NiOx的均匀性。同时，镍Ni靶和O2反应形成NiOx，氧化镍NiOx的形成和金属对其的掺杂在溅射过程中同时进行，保证掺杂深度和均匀性。
可选地，在氩气Ar和氧气O2的气氛中且第一温度范围条件下，共溅射Ni靶和MgO陶瓷靶，使Mg掺杂与形成NiOx在溅射过程中同时进行，提高掺杂的均匀性。第一温度范围可以为室温-500℃，室温为室内温度，可以是0℃-35℃。溅射腔体温度为室温，改变的是衬底1的温度，衬底1的温度为室温-500℃。
在一些实施例中，在氩气和氧气的气氛中且第一温度范围条件下，基于镍靶和第一金属氧化物靶进行共溅射，形成氧化镍和第一金属氧化物的混合层之后，还包括：
将氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层，在空气中且第二温度范围条件下，进行退火处理。
在空气中且第二温度范围条件下，进行退火处理可以进一步保证掺杂深度和均匀性。第二温度范围可以为室温-400℃，室温为室内温度，可以是0℃-35℃。在实际应用中，第一金属氧化物在空穴传输层4的占比可以选用3％。
可选地，预设值不大于1％。
S505、在空穴传输层4远离量子点层5的一侧形成空穴注入层3。
S506、在空穴注入层3远离空穴传输层4的一侧形成阳极层2。
具体的，图5所示的实施例的量子点发光二极管的制备方法与图4所示的实施例的量子点发光二极管的制备方法的原理类似，在此不再赘述。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
(1)本申请实施例量子点发光二极管的空穴传输层4是氧化镍NiOx和第一金属氧化物的混合层，避免了量子点层5的量子点与现有的氧化镍NiOx的空穴传输层4直接接触带来的发光强度降低地问题。本申请实施例将第一金属氧化物作为氧化镍NiOx的修饰剂，借助于体掺杂剂和表面改性两种方式，减少空穴积累，钝化现有的氧化镍NiOx的空穴传输层4的表面/体缺陷，对量子点发光二极管的性能进行优化，能够提高发光强度、寿命和光致发光量子产率PLQY。
(2)本申请实施例的第一金属氧化物的选用，主要是需要与氧化镍NiOx的晶格失配度小于预设值，第一金属氧化物的价带能级比氧化镍NiOx价带能级低。因此，可以适用的第一金属氧化物有多种，使得满足提高发光强度的量子点发光二极管的制备选择更多，制备更便捷。
(3)本申请实施例共溅射镍Ni与第一金属氧化物，能够提高第一金属氧化物掺杂氧化镍NiOx的均匀性。同时，在氩气Ar和氧气O2的气氛中，基于镍Ni靶和第一金属氧化物靶进行共溅射，使得氧化镍NiOx的形成和金属对氧化镍NiOx的掺杂在溅射过程中同时进行，保证掺杂深度和均匀性。
(4)本申请实施例的QLED器件可以同时适用于含镉Cd和无镉Cd的QLED器件，适用性广。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (11)

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层和量子点层；
所述空穴传输层是氧化镍和第一金属氧化物的混合层；所述第一金属氧化物与所述氧化镍的晶格失配度小于预设值，第一金属氧化物的价带能级比氧化镍价带能级低。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一金属氧化物为氧化镁、氧化铯和氧化锂中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述预设值不大于1％。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一金属氧化物均匀分布在氧化镍中，所述第一金属氧化物在空穴传输层的占比为1％-50％。
5.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的量子点发光二极管。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的量子点发光二极管或如权利要求5所述的显示面板。
7.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在衬底上形成层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层和量子点层；所述空穴传输层是氧化镍和第一金属氧化物的混合层，所述第一金属氧化物与所述氧化镍的晶格失配度小于预设值，第一金属氧化物的价带能级比氧化镍价带能级低。
8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的制备包括：
共溅射镍与第一金属氧化物，形成氧化镍和第一金属氧化物的混合层，作为所述空穴传输层。
9.根据权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述共溅射镍与第一金属氧化物，形成氧化镍和第一金属氧化物的混合层，包括：
在氩气和氧气的气氛中且第一温度范围条件下，基于镍靶和第一金属氧化物靶进行共溅射，形成氧化镍和第一金属氧化物的混合层。
10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在氩气和氧气的气氛中且第一温度范围条件下，基于镍靶和第一金属氧化物靶进行共溅射，形成氧化镍和第一金属氧化物的混合层之后，还包括：
将氧化镍和第一金属氧化物的混合层，在空气中且第二温度范围条件下，进行退火处理。
11.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一金属氧化物包括以下至少一项：
所述第一金属氧化物为氧化镁、氧化铯和氧化锂中的至少一种；
所述第一金属氧化物均匀分布在氧化镍中，所述第一金属氧化物在空穴传输层的占比为1％-50％。
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