CN113556639A - Sip模组及tws耳机 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种SIP模组及TWS耳机，其中的SIP模组包括：基板以及设置在基板一侧的连接部；其中，连接部包括设置在基板的竖向侧边的边槽以及填充在边槽内的导电件；导电件的设置位置与待连接的FPC的焊点位置相对应，SIP模组通过导电件与FPC的焊点进行焊接导通。利用上述发明能够将SIP模组与FPC的连接位置转移至SIP模组的侧边，简化连接方式，并节省基板空间。

Description

SIP模组及TWS耳机
技术领域
本发明涉及SIP设计技术领域，更为具体地，涉及一种SIP模组和设置有该SIP模组的TWS耳机。
背景技术
随着智能穿戴领域的不断发展，对整机尺寸的要求越来越高，使得相应的SIP模组的尺寸也越来越小，与此同时，随着产品功能的增加，SIP模组上的器件数量也越来越多，为了确保产品在尺寸符合要求的同时使功能更加完整，部分器件会放置在FPC上，然后采用模组和FPC相连接的方式实现整个SIP模组的方案。
目前，SIP模组与FPC的连接方式主要包括：热压焊工艺连接、转接器连接以及interposer连接等几种方式，但是这几种方式均需要在SIP模组的基板上设置对应的焊接或连接区域，占用较多的SIP模组的空间，影响SIP模组上的器件安装或导致整体尺寸较大，不符合小型化发展的趋势。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种SIP模组和设置有该SIP模组的TWS耳机，以解决现有SIP模组与FPC连接存在的占用空间多，连接方式复杂，不利用产品小型化发展等问题。
本发明提供的SIP模组，包括：基板以及设置在基板一侧的连接部；其中，连接部包括设置在基板的竖向侧边的边槽以及填充在边槽内的导电件；导电件的设置位置与待连接的FPC的焊点位置相对应，SIP模组通过导电件与FPC的焊点进行焊接导通。
此外，可选的技术方案是，边槽设置在基板的任意一竖向侧边处，且在沿基板的厚度方向上，边槽贯穿基板设置。
此外，可选的技术方案是，边槽的横截面呈弧形、多边形或波浪形。
此外，可选的技术方案是，当边槽的横截面呈弧形时，弧形所在圆的直径范围为0.3mm～0.6mm。
此外，可选的技术方案是，边槽包括依次相邻设置的多个弧形槽，且不同弧形槽在基板上的设置深度不同。
此外，可选的技术方案是，在边槽内设置有向基板内部延伸的防脱槽；导电件自边槽延伸至防脱槽内。
此外，可选的技术方案是，导电件通过溅射工艺填充至边槽内，且导电件的端面与竖向侧边位于同一平面内。
此外，可选的技术方案是，在基板内设置与导电过孔；导电过孔延伸至边槽内并与边槽内的导电件导通。
此外，可选的技术方案是，导电件包括导电金属或导电胶；其中，导电金属包括银、铜、金、铝、钨、镍和铁。
根据本发明的另一方面，提供一种TWS耳机，包括上述的SIP模组。
利用上述SIP模组及TWS耳机，在基板的一侧设置连接部，连接部包括设置在基板的竖向侧边的边槽以及填充在边槽内的导电件，SIP模组通过导电件与FPC的焊点进行焊接导通，能够节省基板上安装其他器件的空间，并简化SIP模组与FPC的连接方式，提高产品的组装效率及质量。
为了实现上述以及相关目的，本发明的一个或多个方面包括后面将详细说明的特征。下面的说明以及附图详细说明了本发明的某些示例性方面。然而，这些方面指示的仅仅是可使用本发明的原理的各种方式中的一些方式。此外，本发明旨在包括所有这些方面以及它们的等同物。
附图说明
通过参考以下结合附图的说明，并且随着对本发明的更全面理解，本发明的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：
图1为根据本发明实施例的SIP模组的局部结构示意图；
图2为根据本发明实施例的SIP模组的结构示意图。
其中的附图标记包括：基板1、边槽2、导电件3。
在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。
具体实施方式
在下面的描述中，出于说明的目的，为了提供对一个或多个实施例的全面理解，阐述了许多具体细节。然而，很明显，也可以在没有这些具体细节的情况下实现这些实施例。在其它例子中，为了便于描述一个或多个实施例，公知的结构和设备以方框图的形式示出。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
为详细描述本发明的SIP模组的结构，以下将结合附图对本发明的具体实施例进行详细描述。
图1和图2分别从不同角度示出了根据本发明的SIP模组的示意结构。
如图1和图2共同所示，本发明实施例的SIP模组，包括基板1以及设置在基板1一侧的连接部；其中，连接部包括设置在基板1的竖向侧边的边槽2以及填充在边槽2内的导电件3；导电件3的设置位置与待连接的FPC的焊点位置相对应，SIP模组通过导电件3与FPC的焊点进行焊接导通，进而将SIP模组和FPC的连接位置转移至SIP模组的侧边，减少连接位置占用的空间。
其中，边槽2设置在基板1的任意一竖向侧边处，边槽2的设置位置可根据与FPC连接的位置进行设置，且在沿基板1的厚度方向上，边槽2贯穿基板1设置，形成在基板1的竖向侧边的贯孔，将导电件3填充至各个贯孔内，可形成与外部FPC连接的接触点。
为了确保导电件3与FPC焊接后，能够实现SIP模组与FPC的有效连接导通，可在SIP模组的基板1内设置与导电件3导通的导电过孔，该导电过孔延伸至边槽2内，当边槽2内填充导电件3后，可通过导电件3及导电过孔，实现SIP模组与FPC之间的导通。进而，当在基板1上设置有至少一个芯片时，通过芯片与SIP模组的导通，能够实现该芯片与FPC之前的信号导通等。
在本发明的一个具体实施方式中，在沿平行于基板1设置的方向上，设置在基板1的竖向侧边的边槽2的横截面可呈弧形、多边形或波浪形等多种形状，此外，由于边槽2可包括多个依次规则排列的凹槽，为防止使用过程中，导电件3从边槽内脱落，可将边槽的开口端的尺寸设置为小于边槽的最大尺寸，形成内部空间大开口尺寸小的凹槽结构，当导电件3填充至边槽内后，可有效防止导电件3从边槽内分离或脱落的情况发生。
此外，为确保导电件3与PFC的接触面积满足要求，同时防止导电件3脱落的情况，可在边槽2内设置向基板1内部延伸的防脱槽，该防脱槽可设置为靠近边槽2的尺寸小，远离边槽2一侧的尺寸大，进而当导电件3自边槽2延伸至防脱槽内后，可有效防止其从边槽2内脱落，同时，可保证导电件3与FPC的接触面积的最大化。
在本发明的一个具体实施方式中，当边槽2的横截面呈弧形时，弧形所在圆的直径范围可设置为0.3mm～0.6mm，能够方便导电件3的填充以及其与FPC焊接的牢固性。
其中，导电件3可包括导电金属、导电胶或其它导电件；其中，导电金属可包括采用银、铜、金、铝、钨、镍和铁等多种具有导电性能的材料，该导电件3可通过溅射工艺填充至边槽2内，并确保导电件3的端面与竖向侧边位于同一平面内，形成与FPC连接的光滑平面。
此外，在具有特殊要求的应用场景中，也可将边槽2设置为包括依次相邻设置的多个弧形槽，且不同位置的弧形槽在基板1上的设置深度不同，进而在基板1的竖向侧边形成类似插针的长短不同的导电结构。
需要说明的是，上述边槽2在基板1侧边的设置位置，边槽的各个凹槽之间的间距以及长度等参数均可根据需求进行设置及调整，并不限于附图中所示的具体结构，且在SIP模组的加工工艺中，可在单板设计时，通过激光开槽等多种方式在单板上的SIP模组的各侧边处设置边槽，然后对设置边槽的单板进行SMT、激光切割、导电件填充等工艺操作。
与上述SIP模组相对应的，本发明还提供一种TWS耳机，该TWS耳机包括上述SIP模组以及与所述SIP模组导通的FPC。
其中，TWS耳机的实施例可参考上述SIP模组实施例中的描述，此处不再一一赘述。
根据上述实施例可知，本发明提供的SIP模组及TWS耳机，将SIP模组与FPC的连接位置设置在SIP模组的基板的一侧，且SIP模组通过基板边槽内的导电件与FPC的焊点进行焊接导通，能够节省基板上部的安装空间，此外，导电件与FPC的直接焊接方式，也能够简化SIP模组与FPC的连接工艺，进而提高产品的组装效率及组装精度。
如上参照图1和图2以示例的方式描述根据本发明的SIP模组及TWS耳机。但是，本领域技术人员应当理解，对于上述本发明所提出的SIP模组及TWS耳机，还可以在不脱离本发明内容的基础上做出各种改进。因此，本发明的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。

Claims (10)

1.一种SIP模组，其特征在于，包括：基板以及设置在所述基板一侧的连接部；其中，
所述连接部包括设置在所述基板的竖向侧边的边槽以及填充在所述边槽内的导电件；
所述导电件的设置位置与待连接的FPC的焊点位置相对应，所述SIP模组通过所述导电件与所述FPC的焊点进行焊接导通。
2.如权利要求1所述的SIP模组，其特征在于，
所述边槽设置在所述基板的任意一竖向侧边处，且在沿所述基板的厚度方向上，所述边槽贯穿所述基板设置。
3.如权利要求1所述的SIP模组，其特征在于，
所述边槽的横截面呈弧形、多边形或波浪形。
4.如权利要求3所述的SIP模组，其特征在于，
当所述边槽的横截面呈弧形时，所述弧形所在圆的直径范围为0.3mm～0.6mm。
5.如权利要求4所述的SIP模组，其特征在于，
所述边槽包括依次相邻设置的多个弧形槽，且不同弧形槽在所述基板上的设置深度不同。
6.如权利要求1所述的SIP模组，其特征在于，
在所述边槽内设置有向所述基板内部延伸的防脱槽；
所述导电件自所述边槽延伸至所述防脱槽内。
7.如权利要求1所述的SIP模组，其特征在于，
所述导电件通过溅射工艺填充至所述边槽内，且所述导电件的端面与所述竖向侧边位于同一平面内。
8.如权利要求1所述的SIP模组，其特征在于，
在所述基板内设置与导电过孔；
所述导电过孔延伸至所述边槽内并与所述边槽内的导电件导通。
9.如权利要求1所述的SIP模组，其特征在于，
所述导电件包括导电金属或导电胶；其中，
所述导电金属包括银、铜、金、铝、钨、镍和铁。
10.一种TWS耳机，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的SIP模组。
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