CN113544820A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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CN113544820A CN202080019298.4A CN202080019298A CN113544820A CN 113544820 A CN113544820 A CN 113544820A CN 202080019298 A CN202080019298 A CN 202080019298A CN 113544820 A CN113544820 A CN 113544820A
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Abstract

本发明提供一种基板处理方法，即使在形成于基板的表面的微细构造物的相互间的间隙中也能去除有机物。基板处理方法具备基板保持工序以及紫外线照射工序。在基板保持工序中，保持在表面形成有微细构造物的基板。在紫外线照射工序中，隔着处理空间与基板的表面对置的紫外线照射器对基板的表面照射紫外线。在紫外线照射工序的至少一部分的期间中，对处理空间供给气体并将处理空间内的氧浓度调整至0.3vol％以上至8.0vol％以下的浓度范围内。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。
背景技术
以往，在半导体基板(以下简称为“基板”)的制造工序中，使用基板处理装置对基板进行各种处理。例如，向表面上形成有电阻(resist)的图案(pattern)的基板供给药液，由此对基板的表面进行蚀刻处理(所谓的湿法蚀刻(wetetching))。在该蚀刻处理后，进行对基板供给纯水来冲洗表面的药液的清洗(rinse)处理和去除表面的纯水的干燥处理。
当在基板的表面形成有多个微细的图案(以下也称为微细构造物)的情形下，按顺序进行清洗处理和干燥处理时，会有在干燥过程中纯水的表面张力作用于微细构造物而导致微细构造物崩塌的可能性。微细构造物的宽度窄且纵横比(aspect ratio)愈高则此种崩塌愈容易产生。
为了抑制此种崩塌，提案有一种防水化处理，将微细构造物的表面防水化(疏水化)而形成防水膜(有机膜)。在该防水化处理中，大多使用硅烷基(silyl)化剂作为防水剂，且为了提升硅烷基化剂的防水效果也进行使活性剂混合至硅烷基化剂的处理。
另一方面，在干燥处理后，不再需要防水膜。因此，以往也提案有一种用于去除有机物的方法(例如专利文献1、2)。在专利文献1、2中，使用照射紫外线的紫外线照射装置作为有机物的去除装置。对形成有有机物的基板的主表面照射紫外线，由此该紫外线作用于有机物，将该有机物分解而去除。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-204944号公报。
专利文献2：日本特开2018-166183号公报。
发明内容
发明要解决的课题
在有机物的分解的观点中，优选采用光子的能量高的紫外线即波长短的紫外线。其原因在于：光子的能量愈高，则愈能切断更多种类的分子键，从而能迅速地分解有机物。
另一方面，基板上的图案被微细化。即，随着微细构造物的宽度变窄，微细构造物的相互间的间隙也变窄。如此，当微细构造物的间隙变窄时，波长愈短的紫外线愈难以进入该间隙。其原因在于波长短的紫外线难以衍射。如此，在紫外线难以进入至该间隙的情形下，紫外线难以作用于存在于该间隙的有机物。因此，有机物的去除不充分。
因此，本发明的目的在于提供一种基板处理方法以及基板处理装置，即使在形成于基板的表面的微细构造物的相互间的间隙中也能去除有机物。
用于解决课题的手段
第一方式的基板处理方法具备：基板保持工序，保持在表面形成有微细构造物的基板；以及紫外线照射工序，隔着处理空间与所述基板的所述表面对置的紫外线照射器对所述基板的所述表面照射紫外线，在所述紫外线照射工序的至少一部分的期间中，对所述处理空间供给气体，将所述处理空间内的氧浓度调整至0.3vol％以上至8.0vol％以下的浓度范围内。
第二方式的基板处理方法是第一方式所述的基板处理方法，其中，在所述紫外线照射工序的至少一部分的期间中，将所述处理空间内的氧浓度调整至0.6vol％以上至7.0vol％以下的浓度范围内。
第三方式的基板处理方法是第一方式或第二方式所述的基板处理方法，其中，将惰性气体以及氧作为所述气体供给至所述处理空间。
第四方式的基板处理方法是第一方式至第三方式中任一方式所述的基板处理方法，其中，控制所述气体的流量，以使通过相对于所述处理空间位于所述气体的流动的下游测的氧浓度传感器检测出的浓度值在所述浓度范围内。
第五方式的基板处理方法是第一方式至第四方式中任一方式所述的基板处理方法，其中，在所述紫外线照射工序中，分别从多个紫外线照射器对所述基板的所述表面照射峰值波长不同的紫外线。
第六方式的基板处理方法是第一方式至第五方式中任一方式所述的基板处理方法，其中，所述微细构造物包含图案宽度为50nm以下且纵横比为3.5以上的图案。
第一方式的基板处理装置具备：基板保持部，其保持基板；紫外线照射器，其隔着处理空间与所述基板的表面对置；气体供给部，其对所述处理空间供给气体；以及控制部，其进行控制以使所述气体供给部供给所述气体而使所述处理空间的氧浓度变成0.3vol％以上至8.0vol％以下的浓度范围，并且使从所述紫外线照射器对所述基板的所述表面照射紫外线。
第二方式的基板处理装置是第一方式所述的基板处理装置，其中，所述气体供给部将惰性气体以及氧作为所述气体供给至所述处理空间。
第三方式的基板处理装置是第一方式或第二方式所述的基板处理装置，其中，还具备：氧浓度传感器，其相对于所述处理空间设置在所述气体的流动的下游侧，所述控制部根据所述氧浓度传感器所检测出的浓度值控制所述气体的流量，以使所述处理空间的氧浓度成为0.3vol％以上至8.0vol％以下的浓度范围。
发明效果
根据第一方式以及第六方式的基板处理方法以及第一方式的基板处理装置，能使基板的表面附近的臭氧的生成量增大。由于在基板的表面附近生成的臭氧容易进入到微细构造物的相互间的间隙，因此能去除存在于该间隙的有机物。
根据第二方式的基板处理方法，能更适当地去除微细构造物的间隙的有机物。根的基板处理方法以及第二方式的基板处理装置，能使处理空间的氧浓度迅速地变化。尤其，能通过供给氧而使处理空间的氧浓度迅速地增大。
根据第四方式的基板处理方法以及第三方式的基板处理装置，氧浓度传感器不会阻碍紫外线照射器的紫外线照射，从而能更可靠地将处理空间的氧浓度调整至浓度范围内。
根据第五方式的基板处理方法，能在微细构造物的间隙中的更广的区域提高紫外线的强度。因此，能使该间隙中的臭氧的生成量增大。从而，能更适当地去除该间隙的有机物。
附图说明
图1是示意性地表示基板处理装置的结构的一例的图。
图2是示意性地表示基板处理装置的结构的一例的图。
图3是示意性地表示紫外线的强度分布的一例的图。
图4是表示接触角与氧浓度之间的关系的图表。
图5是表示基板处理装置的动作的一例的流程图。
图6是示意性地表示基板处理装置的结构的另一例的图。
图7是示意性地表示基板处理装置的电气结构的一例的图。
图8是示意性地表示基板处理装置的结构的另一例的图。
图9是示意性地表示基板处理装置的结构的另一例的图。
图10是示意性地表示紫外线的强度分布的一例的图。
图11是示意性地表示紫外线的强度的一例的图表。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明实施方式。为了说明各个结构的位置关系，对附图适当地标记将Z方向作为铅直方向，将XY平面作为水平面的XYZ正交坐标系。此外，以容易理解作为目的，根据需要夸张或者简略地描绘各个部位尺寸以及数量。此外，以下适当地导入「+Z轴侧」以及「－Z轴侧」此种表现。「+Z轴侧」是在Z方向中表示上侧，「－Z轴侧」是在Z方向中表示下侧。
第一实施方式
<基板处理装置>
图1和图2是示意性地表示基板处理装置10的结构的一例的图。基板W1被搬入至基板处理装置10。基板W1为半导体基板，在基板W1的表面(主表面)形成有多个微细构造物(未图示)。所谓微细构造物是指金属图案、半导体图案以及电阻图案(resist pattern)等图案。因此，基板W1的主表面呈现微细构造物引起的凹凸形状。
该微细构造物在基板W1被搬入至基板处理装置10之前的工序中形成。例如，对形成有电阻图案的基板W1供给药液来进行蚀刻处理，由此在基板W1的主表面形成金属等图案。在蚀刻处理后，进行清洗处理、防水化处理以及干燥处理。清洗处理是对基板W1供给纯水来冲洗药液的处理。干燥处理例如为通过使基板W1在水平面旋转来使基板干燥的处理。在干燥过程中，会因为纯水的表面张力而导致微细构造物崩塌。关于此种崩塌，微细构造物的纵横比(高度相对于宽度之比)愈高则愈容易产生，例如纵横比为3.5以上的微细构造物容易崩塌。在此，已形成于基板W1的微细构造物中的最大的纵横比设为3.5以上。此外，在此，已形成于基板W1的微细构造物的相互间的间隔的最小值例如为50nm以下。以下也将微细构造物称为图案。
为了抑制此种崩塌，在干燥处理前进行防水化处理。防水化处理是下述处理：将包含防水剂的处理液供给至基板W1的主表面，从而在图案的表面形成防水膜(有机物)。由此，能使作用于图案的纯水的表面张力降低，能抑制干燥处理中的图案的崩塌。另一方面，作为半导体产品，不需要此种防水膜。因此，期望在干燥处理后去除防水膜。
此外，在防水化处理以外的处理中，也会有在基板W1的主表面形成或者附着有机物的情形。例如，当将IPA(isopropyl alcohol；异丙醇)等有机溶剂供给至基板W1的主表面时，会在基板W1的主表面上残留有机物。期望在使用了有机溶剂的处理后也将该有机物去除。
基板处理装置10对基板W1进行有机物的去除处理。因此，基板处理装置10是有机物去除装置。如图1所示，基板处理装置10包含基板保持部1、紫外线照射器2、气体供给部4以及控制部7。
<基板保持部>
基板保持部1为用于保持基板W1的构件。在基板W1为半导体基板(即半导体晶圆)的情形下，基板W1为大致圆形的平板状。基板保持部1以基板W1的厚度方向沿着Z方向的水平姿势保持基板W1。基板W1将形成有图案的主表面朝向Z轴侧保持。
基板保持部1具有略圆板状的基座11，并具有上表面1a、侧面1b以及下表面1c。上表面1a为与基板W1面对的面。在图1以及图2的例子中，在上表面1a形成有一对槽111。在一对槽111插入有外部的基板搬运机器人(未图示)的机械手。即，在基板保持部1与外部的基板搬运机器人(未图示)之间交接基板W1时，基板搬运机器人的机械手进入到一对槽111。由此，能避免基板搬运机器人的机械手与基板保持部1碰撞。侧面1b连结上表面1a的周缘以及下表面1c的周缘。在基板保持部1的上表面1a上载置有基板W1。基板保持部1的基座11例如能由陶瓷等所形成。
基板保持部1可使基板W1绕着与通过基板W1的中央部的Z轴平行的旋转轴线Q1旋转。在图1的例子中，基板保持部1进一步包含旋转机构12。旋转机构12包含马达(未图示)，使基座11绕着旋转轴线Q1旋转。由此，被基座11保持的基板W1也绕着旋转轴线Q1旋转。
<紫外线照射器>
紫外线照射器2设置于比基板保持部1还位于+Z轴侧，并隔着处理空间H1(参照图2)与基板W1对置。紫外线照射器2向被基板保持部1保持的基板W1的主表面照射紫外线。作为紫外线照射器2，例如采用低压水银灯、高压水银灯、准分子灯(excimer lamp)、金属卤素灯(metal halide lamp)以及UV-LED(ultraviolet-Light Emitting Diode；紫外线-发光二极管)等光源。在图1以及图2的例子中，作为紫外线照射器2，设置有多个紫外线照射器2。此外，紫外线照射器2不一定需要设置多个，也可仅设置一个。
虽然紫外线照射器2的形状为任意形状，但例如紫外线照射器2也可为点光源。在此情形中，多个紫外线照射器2相对于基板W1的主表面略均等地分散配置。由此，紫外线照射器2能更均匀地朝基板W1的主表面的整面照射紫外线。
或者，紫外线照射器2也可为线光源。该紫外线照射器2具有在长度方向较长的棒状的形状。多个紫外线照射器2以紫外线照射器2的长度方向沿着Y方向的姿势沿着X方向排列配置。或者，紫外线照射器2也可具有环状的形状。多个紫外线照射器2配置成同心圆状。这些紫外线照射器2也朝基板W1的主表面的整面照射紫外线。
或者，紫外线照射器2也可为面光源。在此情形下，紫外线照射器2沿着XY平面扩展，且能配置成与基板W1的主表面大致平行。紫外线照射器2也可在俯视观看时(即从Z轴侧观看时)覆盖基板W1。由此紫外线照射器2能对基板W1的整面照射紫外线。
在比紫外线照射器2还位于－Z轴侧(具体而言为紫外线照射器2与基板W1之间)设置有石英玻璃21，石英玻璃21作为具有耐热性、耐腐蚀性以及对于紫外线具有透光性的板状体。该石英玻璃21大致水平地设置，且在Z方向与紫外线照射器2对置。石英玻璃21能在基板处理装置10内的气氛(atmosphere)中保护紫外线照射器2。来自紫外线照射器2的紫外线透过石英玻璃21而向基板W1的主表面照射。
紫外线照射器2在旋转机构12正在使基板W1旋转的状态下向基板W1的主表面照射紫外线。由此能更均匀地对基板W1的主表面照射紫外线。
<升降机构>
在图1以及图2的例子中，基板保持部1(更具体而言为基座11)设置成可沿着Z方向升降。更具体而言，在基板处理装置10设置有升降机构13。升降机构13能使基板保持部1沿着Z方向移动。例如，升降机构13经由旋转机构12安装于基座11的下表面1c。升降机构13能使基板保持部1在第一位置(参照图2)与第二位置(参照图1)之间往复移动，该第一位置是基板保持部1接近紫外线照射器2的位置，该第二位置是基板保持部1远离紫外线照射器2的位置。如后述，第一位置是对基板W1进行使用了紫外线的处理时的基板保持部1的位置，第二位置是进行基板W1的交接时的基板保持部1的位置。第一位置中的基板保持部1与紫外线照射器2之间的距离比第二位置中的基板保持部1与紫外线照射器2之间的距离短。升降机构13能采用例如气缸(air cylinder)、滚珠丝杠(ball screw)机构或者单轴台(uniaxialstage)等。升降机构13也可被波纹管(bellows)覆盖周围。
<筒构件>
在图1以及图2的例子中，在基板处理装置10设置有筒构件3。筒构件3具有内周面3a、外周面3b、上表面3c以及下表面3d，并具有筒状形状(例如圆筒形状)。上表面3c为用于连结内周面3a与外周面3b的面，且为+Z轴侧的面。下表面3d为用于连结内周面3a与外周面3b的面，且为－Z轴侧的面。筒构件3的内周面3a的直径比基板保持部1的侧面1b的直径大。参照图2，在基板保持部1在第一位置停止的状态下，筒构件3的内周面3a包围基板保持部1的侧面1b。
在基板保持部1停止在第一位置的状态下(图2)，紫外线照射器2照射紫外线。由此对基板W1进行使用了紫外线的处理。另一方面，在基板保持部1停止在第一位置的状态下，基板W1的周围被石英玻璃21、筒构件3以及基板保持部1包围。因此，在此状态下无法容易地从基板保持部1取出基板W1。
因此，升降机构13使基板保持部1移动至第二位置(图1)。由此基板保持部1从筒构件3的内周面3a的内部向远离紫外线照射器2的方向退去。在该第二位置，基板W1相对于筒构件3的下表面3d位于－Z轴侧。因此，基板W1不会被筒构件3阻碍地被未图示的基板搬运机器人从基板处理装置10搬出。反之，在基板保持部1在第二位置停止的状态下，基板搬运机器人将基板W1向基板保持部1载置。
<有机物的去除>
如上所述，紫外线照射器2在基板保持部1位于第一位置的状态下照射紫外线。该紫外线被照射至由基板保持部1保持的基板W1的主表面。由于紫外线的光子的能量大而能切断有机物的分子键，因此能分解并去除形成于基板W1的主表面的有机物(例如防水膜)。
然而，该紫外线在形成于基板W1的主表面上的图案间的间隙中难以进入－Z轴侧。图3是表示基板W1的主表面上的图案P1附近的紫外线的强度分部的模拟结果。图案P1能设想成由作为本体部的矩形状的硅P11以及形成于该硅P11的表面的氧化硅膜P12所形成。在图3的例子中，示出了紫外线的波长为172nm、图案P1的高度、宽度以及图案P1间的间隔分别为200nm、20nm以及10nm时的紫外线的强度分布。虽然在图3中表示了两个图案P1附近的紫外线的强度，但实际的仿真针对三个以上的图案P1在水平方向以相同的间隔(间距)排列地配置的构造来进行。
在图3中，以等高线C1至C6表示紫外线的强度。等高线C1至C6表示符号的末尾的数字愈小则紫外线的强度愈高。即，等高线C1表示强度最高的紫外线，等高线C6表示强度最低的紫外线。在图3的例子中，对由等高线C1至C6划分的区域赋予了沙地的阴影。对于被赋予至各个区域的沙地的阴影，紫外线的强度愈高则愈密集。
如图3所例示那样，紫外线的强度具有下述趋势：虽然随着朝向－Z轴侧而呈现强弱，但整体上愈朝向－Z轴侧愈降低。紫外线的强度愈朝向－Z轴侧愈降低的原因在于紫外线难以衍射。此外，紫外线的强度呈现强弱的原因在于已进入至图案间的紫外线反射以及彼此干扰。
在紫外线的强度大的区域中，紫外线能有效地作用于形成在图案P1的侧壁的有机物，从而能充分地去除有机物。另一方面，在紫外线的强度小的区域(例如以等高线C5、C6表示的区域)中，紫外线无法充分地去除形成于图案P1的侧壁的有机物。以下也将形成于图案P1的侧壁的有机物称为图案P1间的有机物。
因此，在本实施方式中，活用臭氧引起的有机物的分解功能。该臭氧通过由紫外线照射处理空间H1内的空气(包含氧)而生成。具体而言，当紫外线(UV)照射处理空间H1内的氧分子(O2)时，通过以下的式(1)所示的解离(dissociation)分应来生成氧原子(O)。接着，通过以下的式(2)所示的氧原子(O)、氧分子(O2)以及周围的气体(M)的三体反应来生成臭氧(O3)。
O2+UV→O+O (1)
O2+O+M→O3+M (2)
只要该臭氧作用于基板W1的主表面上的有机物，就能将有机物分解而去除。为了使臭氧有效地作用于基板W1的图案P1间的有机物，期望在基板W1的主表面附近中生成臭氧。此原因在于：由于在基板W1的主表面附近产生的臭氧接近图案P1，因此进入图案P1间的可能性高，从而容易地作用于图案P1间的有机物。
此外，如能从式(1)所理解那样，关于臭氧的生成量，氧分子愈多且紫外线的强度愈高则愈变多。因此，首先考虑使处理空间H1内的氧分子的数量增大。即，使处理空间H1内的氧浓度增大。此外，在此，由于处理空间H1的Z方向中的宽度狭窄到数mm，因此处理空间H1内的氧浓度能视为大致均匀。
另一方面，基板W1的主表面上的紫外线的强度随着处理空间H1内的氧浓度愈高则愈变小。此原因在于：通过式(1)的解离反应，紫外线被氧分子吸收。即，当使处理空间H1内的氧浓度增大时，紫外线大多在到达至基板W1的主表面之前就被氧分子吸收。因此，基板W1的主表面中的紫外线的强度降低。
如上所述，当使处理空间H1内的氧浓度增大时，基板W1的主表面附近的氧浓度增大，另一方面，基板W1的主表面上的紫外线的强度降低。因此，会有因为处理空间H1内的氧浓度增大反而使在基板W1的主表面附近产生的臭氧的生成量降低的情形。
在此，考虑处理空间H1内的氧浓度、紫外线的照度以及臭氧的生成速度之间的关系。认为式(1)的解离反应引起的氧原子的生成速度与紫外线的照度成比例。此外，认为该氧原子反应性高，所生成的氧原子由式(2)的三体反应而迅速地与氧分子反应并变成臭氧。因此，当使用刚照射紫外线之前的氧分子的分压x0以及氧原子的分压x时，臭氧的生成速度v能用以下的式子来表示。
v＝k1×(x－x0)×2x (3)
k1为比例常数。由于认为氧原子的分压x与紫外线的照度I成比例且x/x0远小于1，因此能将式(3)变形为式(4)。
v＝k2×x0×I (4)
根据式(4)，认为臭氧的生成速度v与氧浓度及紫外线的照度的积成比例。
下面的表1表示处理空间H1内的氧浓度不同时的基板W1的主表面上的紫外线的照度以及在基板W1的主表面上产生的臭氧的生成速度。
[表1]
Figure BDA0003249825100000101
表1中的氧浓度以及紫外线的照度为通过实验所获得的结果。依据表1，在处理空间H1内的氧浓度为20.1vol％时，基板W1的主表面上的紫外线的照度为4.7mW/cm2。由于认为在处理空间H1中氧浓度均匀，因此基板W1的主表面上的氧浓度也为20.1vol％。因此，此时在基板W1的主表面上生成的臭氧的生成速度与氧浓度(20.1vol％)以及照度(4.7mw/cm2)的积成比例。在表1中，将此时的臭氧的生成速度规格化成1来表示。
此外，依据表1，在氧浓度为4.4vol％时，基板W1的主表面上的紫外线的照度为23.1mW/cm2。即，可知通过使氧浓度降低而增大基板W1的主表面上的紫外线的照度。而且，此时在基板W1的主表面上生成的臭氧的生成速度为1.08。即，与处理空间H1内的氧浓度为20.1vol％时相比，氧浓度为4.4vol％时在基板W1的主表面上生成的臭氧的量比较大。
因此，与处理空间H1内的氧浓度为20.1vol％时相比，氧浓度为4.4vol％时臭氧引起的有机物的分解性能比较大。
然而，当使氧浓度进一步降低至比4.4vol％还低时，由于成为臭氧的来源的氧分子的量进一步降低，因此臭氧的生成速度低于1。因此，臭氧引起的分解性能会比氧浓度为20.1vol％时的分解性能还低。
图4是表示有机物的去除程度与氧浓度之间的关系的图表。在图4中，采用已将液体涂布于基板W1时的液体的接触角作为用于表示有机物的去除程度的指标。接触角表示接触角的值愈小则有机物的去除程度愈大。图4表示基板处理装置10对基板W1的主表面照射紫外线达至预定的照射时间时的实验结果。
如图4所例示那样，可知接触角的波形具有向下凸出的形状，且存在最适当的氧浓度的范围。在图4的例子中示出基线A1。该基线A1表示已对于主表面未形成有机物的基板W1涂布液体时的接触角。因此，当接触角变成基线A1以下时，能通过紫外线的照射处理适当地去除基板W1的有机物。依据图4的图表，由于在处理空间H1内的氧浓度变成0.3vol％以上至8.0vol％以下的范围内，接触角变成基线A1以下，因此当氧浓度在此范围内时能适当地去除有机物。
此外，在氧浓度比8.0vol％还高的范围中有机物的去除程度低的理由以下述方式考察。即，此理由在于：当氧浓度高时，在大多数的紫外线到达至基板W1的主表面之前被处理空间H1内的氧分子吸收，基板W1的主表面上的紫外线的强度降低。因为紫外线的不足反而导致在基板W1的主表面附近生成的臭氧的生成速度降低，而无法有效地发挥臭氧引起的有机物的分解性能。
另一方面，在氧浓度比0.3vol％还低的范围内，有机物的去除程度低的理由以如下方式考察。即，此理由在于：当氧浓度小时，由于处理空间H1内的氧分子的量少，因此例如即使紫外线的强度高，臭氧的生成量仍然少。因此，进入图案P1间的臭氧的量少，有机物未完整去除而残留。
因此，在本实施方式中，在照射紫外线的紫外线照射期间的至少一部分的期间中，将处理空间H1内的氧浓度调整至预定的浓度范围(0.3vol％以上至8.0vol％以下)。
<气体供给部>
处理空间H1内的氧浓度由气体供给部4进行调整。气体供给部4向紫外线照射器2与基板W1之间的处理空间H1供给气体，并将处理空间H1内的氧浓度调整至预定的浓度范围内。以下将气体供给部4所供给的气体称为调整用气体。作为调整用气体，能采用例如惰性气体(例如氮或者氩)。
在图1以及图2的例子中，气体供给部4经由形成于筒构件3的贯通孔321、322将调整用气体供给至处理空间H1。以下，首先说明贯通孔321、322。贯通孔321、322贯通筒构件3并连通于石英玻璃21与基板W1之间的空间。在图1以及图2的例子中，贯通孔321、322的一端在筒构件3的上表面3c开口。以下，也将贯通孔321、322的一端称为开口部(给气开口部)321a、322a。在形成有开口部321a、322a的位置，筒构件3的上表面3c经由空隙而与石英玻璃21的周缘部对置。开口部321a、322a连通于处理空间H1。即，贯通孔321、322与处理空间H1连通。俯视观看时，开口部321a、322a形成于经由内周面3a的中心轴彼此相向的位置。
在图1以及图2的例子中，气体供给部4包含配管41、供给阀42以及气体供给源43。配管41包含共通管411以及分支管412、413。分支管412的一端连结于贯通孔321的另一端321b，分支管412的另一端连结于共通管411的一端。共通管411的另一端连结于气体供给源43。分支管413的一端连结于贯通孔322的另一端322b，分支管413的另一端连结于共通管411的一端。气体供给源43将调整用气体供给至共通管411。调整用气体从共通管411经由分支管412、413以及贯通孔321、322供给至处理空间H1。
供给阀42设置于共通管411的中途，并切换共通管411内的流路的开闭。供给阀42由控制部7进行控制。供给阀42为能调整朝向处理空间H1的调整用气体的流量的阀。
<密闭空间>
基板处理装置10也可形成密闭空间。在图1以及图2的例子中，顶构件52、筒构件3、隔壁5以及底部51彼此连结并形成密闭空间。顶构件52的下表面的周缘部分具有于+Z轴侧(筒构件3的侧)突起的突起形状。反之，顶构件52的下表面的中央部在－Z轴侧具有凹陷的凹形状。在凹形状的内部配置有多个紫外线照射器2以及石英玻璃21。石英玻璃21的侧面抵接至顶构件52的突起形状的内表面。筒构件3的上表面3c中的外周侧的部分在Z方向连结于顶构件52的突起形状。贯通孔321、322的开口部321a、322a形成于上表面3c中的内周侧的部分，并在Z方向经由空隙而与石英玻璃21的下表面面对。隔壁5与筒构件3的下表面3d连结。隔壁5在Z方向延伸并连结于底部51。在由顶构件52、筒构件3、隔壁5以及底部51所形成的密闭空间收容有多个紫外线照射器2、石英玻璃21、基板保持部1以及升降机构13。
<排气>
在隔壁5形成有排气用的贯通孔53。贯通孔53连结于排气部61。排气部61包含连结于贯通孔53的配管611。基板处理装置10的内部的气体经由配管611向外部的排气部61排气。
<挡门(shutter)>
在隔壁5设置有作为基板W1用的出入口发挥作用的挡门(未图示)。打开挡门，由此基板处理装置10的内部与外部连通。基板搬运机器人能经由该打开的挡门将基板W1搬入至基板处理装置10的内部，或从基板处理装置10的内部搬出基板W1。
<控制部>
控制部7统一控制基板处理装置10。具体而言，控制部7控制紫外线照射器2、旋转机构12、升降机构13、气体供给部4的供给阀42、挡门以及基板搬运机器人。
控制部7也可为电子电路，具有例如数据处理装置以及存储介质。数据处理装置例如也可为CPU(Central Processor Unit：中央处理单元)等运算处理装置。存储部也可具有非暂时性的存储介质(例如ROM(Read Only Memory：只读存储器)或者硬盘)以及暂时性的存储介质(例如RAM(Random Access Memory：随机存取存储器))。也可在非暂时性的存储介质存储例如用以规定控制部7所执行的处理的程序。处理装置执行该程序，由此控制部7能执行程序所规定的处理。当然，也可由硬件执行控制部7所执行的处理的一部分或者全部。
该控制部7控制气体供给部4供给调整用气体而使处理空间H1内的氧浓度变成0.3vol％以上至8.0vol％以下的浓度范围，同时使紫外线照射器2对基板W1的主表面照射紫外线。以下，详细说明基板处理装置10的动作的一例。
<基板处理装置的动作>
图5是表示基板处理装置10的动作的一例的流程图。升降机构13在初始时使基板保持部1在第二位置停止(图1)。此外，在此作为一例，始终进行由排气部61进行的排气。在步骤S1(基板保持工序)中，控制部7打开挡门，并控制基板搬运机器人将基板W1配置于基板保持部1上后，关闭挡门。在该基板W1的+Z轴侧的主表面形成有微细构造物，在该微细构造物的表面存在有机物(例如防水膜)。基板保持部1保持基板W1。
接着，在步骤S2中，控制部7例如控制气体供给部4的供给阀42开始供给调整用气体。由此从开口部321a、322a分别喷出调整用气体，处理空间H1内的空气的至少一部分被调整用气体推出至处理空间H1的外部并向排气部61排气。具体而言，处理空间H1的空气在筒构件3的内周面3a与基座11的侧面1b之间的空间向－Z轴侧流动，并从贯通孔53向排气部61排气。由此，处理空间H1内的空气的至少一部分被置换成调整用气体。在此，作为一例，采用氮或者氩作为调整用气体。由于处理空间H1内的空气的一部分被置换成调整用气体，因此处理空间H1内的氧浓度降低。此外，步骤S1、S2的执行顺序也可反过来，步骤S1、S2也可并行地执行。
接着，在步骤S3中，控制部7控制升降机构13使基板保持部1(基座11)向紫外线照射器2接近并在第一位置停止。此时，紫外线照射器2与基板W1之间的距离设定成例如2mm至3mm左右。此外，步骤S3不一定需要接着步骤S2执行，只要在步骤S1后执行即可。
控制部7控制供给阀42从而控制调整用气体的流量，使在基座11停止在第一位置的状态下的处理空间H1内的氧浓度变成预定的浓度范围内。调整用气体的流量例如也可通过仿真或者实验等预先设定。
接着，在步骤S4中，控制部7控制旋转机构12而使基板W1旋转。具体而言，控制部7使基板保持部1(基座11)旋转。由此，基板W1在水平面旋转。此外，步骤S4不一定需要接着步骤S3执行，只要在步骤S1后执行即可。
接着，在步骤S5中，控制部7判断处理空间H1的气氛置换是否结束。换言之，控制部7判断处理空间H1内的氧浓度是否在预定的浓度范围内。此种判断也可根据从步骤S3起的经过时间是否为预先设定的第一预定时间以上来进行。经过时间的计时能由时间计测电路等计时电路来进行。第一预定时间为氧浓度变成预定的浓度范围内所需的时间，能通过仿真或者实验预先设定。控制部7在从步骤S3起的经过时间为第一预定时间以上时判断为处理空间H1内的氧浓度已变成预定的浓度范围。
在控制部7判断为处理空间H1内的氧浓度在预定的浓度范围外时，控制部7再次执行步骤S5。另一方面，在控制部7判断为处理空间H1内的氧浓度为预定的浓度范围内时，在步骤S6中控制部7使紫外线照射器2照射紫外线。
通过紫外线照射器2照射紫外线，对基板W1进行使用了紫外线的有机物的去除处理。具体而言，第一，紫外线作用于存在于基板W1的主表面的有机物(例如防水膜)，从而将有机物分解而去除。第二，紫外线被处理空间H1中的氧分子吸收而生成臭氧，该臭氧将存在于基板W1的主表面的有机物分解而去除。
如上所述，由于处理空间H1内的氧浓度被调整至预定的浓度范围内，因此在基板W1的主表面的附近生成很多臭氧。该臭氧容易作用于图案P1间的有机物，也能将图案P1间的有机物分解而去除。
接着，在步骤S7中，控制部7判断是否应结束对于基板W1的处理。例如，控制部7也可在步骤S6起的经过时间超过第二预定时间时判断为应结束处理。在判断为不应结束处理时，控制部7再次执行步骤S7。另一方面，在判断为应结束处理时，在步骤S8中控制部7使紫外线照射器2停止照射紫外线。由此，结束使用了紫外线的有机物的去除处理。紫外线照射期间为步骤S6至步骤S8的期间，步骤S6至步骤S8的工序相当于紫外线照射工序。
之后，控制部7分别控制旋转机构12以及供给阀42而停止基板W1的旋转以及氮的供给。接着，控制部7控制升降机构13使基板保持部1下降至第二位置并打开挡门。基板搬运机器人从基板保持部1搬出已去除有机物的基板W1。
如上所述，根据基板处理装置10，在紫外线照射期间中，处理空间H1内的氧浓度维持在预定的浓度范围(0.3vol％以上，8.0vol％以下)内。因此，也能适当地去除基板W1的主表面的图案P1间的有机物。此原因在于：由于氧浓度维持在预定的浓度范围内，因此能在基板W1的主表面附近生成充分数量的臭氧。即，由于在能容易进入至图案P1间的位置生成充分的臭氧，因此该臭氧容易作用于图案P1间的有机物，图案P1间的有机物也能适当地去除。
此外，在上述例子中，在处理空间H1内的氧浓度维持在预定的浓度范围内的状态下开始照射紫外线(步骤S5、S6)。即，在紫外线照射期间的全部期间中将氧浓度调整至预定的浓度范围内。然而，并未限定于此。例如，也可在开始照射紫外线后使氧浓度达到预定的浓度范围内。总之，只要控制部7在紫外线照射期间的至少一部分的期间中将氧浓度调整至预定的浓度范围内即可。此原因在于，能在紫外线照射期间的至少一部分的期间中去除图案P1间的间隙的有机物。
<氧浓度的范围>
如图4所示，接触角的波形向下凸出，该接触角在氧浓度为0.6vol％以上7.0vol％以下的范围成大致恒定(最小值)。因此，也可采用0.6vol％以上7.0vol％以下的范围作为预定的浓度范围。由此，能更适当地去除基板W1的主表面上的有机物。
第二实施方式
图6是示意性地表示基板处理装置10A的结构的一例的图。图6表示在基板保持部1停止在第一位置的状态下的基板处理装置10A的结构。基板处理装置10A除了有无氧浓度传感器9这点外，具有与基板处理装置10同样的结构。
氧浓度传感器9检测处理空间H1内的氧浓度。能采用任意的检测方式作为氧浓度传感器9的检测方式。在图6的例子中，氧浓度传感器9避开被基板保持部1保持的基板W1的正上方的空间而设置。若假设氧浓度传感器9设置于基板W1的正上方的空间内，则来自紫外线照射器2的紫外线会照射至氧浓度传感器9而阻碍紫外线向基板W1的主表面照射。与此相对，在基板处理装置10A中，由于氧浓度传感器9避开基板W1的正上方的空间而设置，因此来自紫外线照射器2的紫外线能适当地照射至基板W1的主表面。
氧浓度传感器9也可相对于处理空间H1设置于调整用气体的流动的下游侧。在图6的例子中，氧浓度传感器9设置于与筒构件3的内周面3a对置的位置。更具体而言，氧浓度传感器9在基板保持部1的基座11位于第一位置的状态下位于筒构件3的内周面3a与基座11的侧面1b之间。
处理空间H1内的气体在筒构件3的内周面3a与基座11的侧面1b之间的流路流动而从排气部61排出。由于能认为在该流路流动的气体的氧浓度与处理空间H1内的氧浓度大致相等，因此氧浓度传感器9能检测处理空间H1内的氧浓度。
氧浓度传感器9与控制部7电连接。氧浓度传感器9将所检测出的氧浓度值向控制部7输出。控制部7控制从气体供给部4所供给的调整用气体的流量，使氧浓度传感器9检测出的氧浓度值在预定的浓度范围内。控制部7在紫外线照射器2照射紫外线的期间的至少一部分的期间中执行氧浓度控制。
基板处理装置10A的动作的一例与图5的流程图相同。然而，控制部7在步骤S6至步骤S8的执行过程中执行上述氧浓度控制。作为更具体性的一例，也可预先设定关于氧浓度值的目标值。该目标值为预定的浓度范围内的值。图7是表示基板处理装置10A的电气结构的一例的功能框图。控制部7被氧浓度传感器9输入氧浓度值且也被输入目标值。控制部7控制供给阀42使氧浓度值接近目标值。
例如，控制部7在氧浓度值低于目标值时，控制供给阀42使调整用气体的流量降低。当流入处理空间H1的调整用气体的流量降低时，比筒构件3还下方侧的非处理空间H2(参照图6)的空气会部分地被引入到处理空间H1内。由于非处理空间H2的氧浓度比处理空间H1内的氧浓度还高，因此处理空间H1内的氧浓度会增大。即，能使处理空间H1内的氧浓度接近目标值。
另一方面，控制部7能在氧浓度值高于目标值时控制供给阀42使调整用气体的流量增大。由此，由于更多的处理空间H1内的空气被置换成调整用气体，因此处理空间H1内的氧浓度降低。因此，能使处理空间H1内的氧浓度接近目标值。
如上所述，根据基板处理装置10A，由于控制部7控制调整用气体使氧浓度传感器9所检测出的氧浓度值在预定的浓度范围内，因此能更可靠地将处理空间H1内的氧浓度调整至预定的浓度范围内。
而且，在上述例子中，由于氧浓度传感器9相对于处理空间H1位于调整用气体的流动的下游侧，因此不会阻碍紫外线照射器2对基板W1照射紫外线。
图8是示意性地表示基板处理装置10B的结构的一例的图。图8表示基板保持部1停止在第一位置的状态下的基板处理装置10B的结构。基板处理装置10B除了气体供给部4的结构外，具有与基板处理装置10A相同的结构。
图8所例示的气体供给部4将惰性气体以及氧作为调整用气体供给至处理空间H1。作为具体性的一例，气体供给部4包含配管41、供给阀42、44、气体供给源43以及氧供给源45。配管41也包含共通管411以及分支管412、413、414。
分支管414的一端在供给阀42的下游侧连结于共通管411的中途，分支管414的另一端连结于氧供给源45。供给阀44设置于分支管414的中途，切换分支管414内的流路的开闭。供给阀44由控制部7控制。供给阀44为可调整分支管414内的氧的流量的阀。
打开供给阀42、44双方，由此将惰性气体与氧的混合气体作为调整用气体而从供给开口部321a、322a向处理空间H1喷出。控制部7控制供给阀42、44调整惰性气体的流量与氧的流量，由此能对调整用气体的氧浓度进行调整。
控制部7基于氧浓度传感器9检测出的氧浓度值控制供给阀42、44。具体而言，控制部7控制供给阀42、44(即惰性气体以及氧的流量)，使氧浓度传感器9所检测出的氧浓度值维持在预定的浓度范围内。控制部7在紫外线照射器2照射紫外线的期间的至少一部分的期间中执行该氧浓度控制。
基板处理装置10A的动作的一例与图5的流程图相同。然而，控制部7在步骤S6至步骤S8的执行过程执行上述氧浓度控制。例如，控制部7在使处理空间H1内的氧浓度降低时控制供给阀42、44而使调整用气体的氧浓度降低。作为具体性的一例，控制部7控制供给阀42、44，使惰性气体的流量增大的同时使氧的流量降低。例如，控制部7可将氧的流量控制成零。由此，能使处理空间H1内的氧浓度迅速地降低。
另一方面，控制部7在使处理空间H1内的氧浓度增大时控制供给阀42、44，使调整用气体的氧浓度增大。作为具体性的一例，控制部7控制供给阀42、44，使惰性气体的流量降低的同时使氧的流量增大。由此，能使处理空间H1内的氧浓度迅速地增大。
如上所述，根据基板处理装置10B，气体供给部4也供给氧。由此，如上述那样对调整用气体的氧浓度进行调整，由此能使处理空间H1内的氧浓度的变化速度提升。因此，能提升处理的产能(throughput)。
第三实施方式
如已参照图3所说明那样，紫外线的强度在图案P1的深度方向中呈现强弱。因此，在图案P1间的间隙中，在紫外线的强度高的区域容易产生臭氧，而在紫外线的强度低的区域难以产生臭氧。因此，在第三实施方式中，谋求在图案P1间的间隙中的更广的区域生成臭氧。
图9是示意性地表示基板处理装置10C的结构的一例的图。基板处理装置10C除了紫外线照射器2的结构之外，具有与基板处理装置10相同的结构。
在基板处理装置10C中设置有多个紫外线照射器2。多个紫外线照射器2包含有以彼此不同的频谱(spectrum)(分光分布)照射紫外线的两种紫外线照射器2a、2b。在此，说明“不同的频谱”的定义。不同的频谱是指从光源输出的光线的频谱所含有的峰值波长彼此不同。所谓峰值波长是指在该频谱中光强取峰值时的波长。该峰值波长可在一个光源的频谱中存在多个。例如，从低压水银灯所照射的紫外线的峰值波长为多个，例如为185nm以及254nm。以下也将峰值波长简称为波长。
作为多个紫外线照射器2，能采用低压水银灯、高压水银灯、准分子灯、金属卤素灯以及UV-LED等光源。从这些各种光源所照射的光线的频谱彼此不同。
此外，即使是相同种类的光源，频谱也可能不同。例如，准分子灯具备填充有放电气体(例如稀有气体或者稀有气体卤化合物)的石英管以及一对电极。放电气体存在于一对电极之间。对一对电极之间施加高频-高电压，由此放电气体被激励而成为准分子状态。放电气体在从准分子状态返回至基底状态时产生紫外线。从该准分子灯照射的紫外线的频谱可根据放电气体的种类等而不同。具体而言，从准分子灯所照射的紫外线的峰值波长可根据放电气体的种类等而取126nm、146nm、172nm、222nm或者308nm等值。
即，作为多个紫外线照射器2，可采用低压水银灯以及准分子灯等多种类的光源，或者也可采用频谱不同的相同种类的光源。
基板处理装置10C的动作的一例与图5的流程图相同。然而，在步骤S6中，控制部7使紫外线照射器2a、2b双方照射紫外线。
由于紫外线照射器2a所照射的第一紫外线的峰值波长与紫外线照射器2b所照射的第二紫外线的峰值波长不同，因此第一紫外线在图案P1间的间隙中所呈现的强度的强弱的周期与第二紫外线在图案P1间的间隙中所呈现的强度的强弱的周期不同。
图10以及图11是针对每个波长表示基板W1的图案P1附近的紫外线的强度的一例的图。图10以及图11表示仿真结果。在图10的纸面左侧表示使用了波长λa(＝126nm)的紫外线时的结果，在图10的纸面右侧表示使用了波长λb(＝172nm)的紫外线时的结果。在图10的例子中以等高线C1至C4表示紫外线的强度。关于以等高线C1至C4所表示的紫外线的强度，其符号的数字愈小则愈高。即，以等高线C1所表示的强度最高，以等高线C4所表示的强度最低，以等高线C2所表示的强度比以等高线C3所表示的强度高。
在图10以及图11的例子中，图案P1的高度以及宽度分别设定成200nm以及10nm。虽然在图10中示出了一个图案P1附近的紫外线的强度，但实际的仿真针对在水平方向以相同的间隔(间距)排列配置有多个图案P1的构造来进行。在该仿真中，图案P1的间距设定成50nm。因此图案P1间的间隙的宽度为40nm。
在图11中，针对该间隙的深度方向(Z方向)示出了图案P1的侧面的紫外线的强度。以下将该间隙的深度方向中的位置称为深度位置。此外，将图案P1的上端(+Z轴侧的端)的深度位置定义为0nm。由于图案P1的高度为200nm，因此图案P1的下端(－Z轴侧的端)的深度位置为200nm。在图11中，以实线表示来自紫外线照射器2a的波长λa的紫外线的强度，以虚线显示来自紫外线照射器2b的波长λb的紫外线的强度。
如图10以及图11所示，波长λa的紫外线的强度表示下述倾向：随着深度位置从图案P1的上端朝向下端，即使波长λa的紫外线的强度反复增减但峰值(极大值)仍然缓缓地降低。另一方面，波长λb的紫外线的强度虽然随着深度位置从图案P1的上端朝向下端而反复增减，但峰值几乎不会降低。此原因在于：由于波长λb比波长λa还长，因此波长λb的紫外线比波长λa的紫外线还容易进入图案P1间的间隙。
在深度方向的紫外线的增减周期按照波长λa、波长λb而不同。因此，在紫外线的强度取各个峰值时的深度位置按照波长λa、波长λb而不同，在紫外线的强度取各个谷底(bottom)值(极小值)时的深度位置也按照波长λa、波长λb而不同。例如，在深度位置140nm附近，波长λa的紫外线的强度取谷底值B3，而波长λb的紫外线的强度取峰值。即，在深度位置140nm附近的区域能通过波长λb的紫外线的强度弥补波长λa的紫外线的强度不足。
即，多个紫外线照射器2a、2b双方对基板W1的主表面照射紫外线，由此即使在波长λa的紫外线的强度低的区域也能通过波长λb的紫外线而产生式(1)的解离反应。由此，即使在该区域也能生成臭氧。因此，能在图案P1间的间隙中的更广的区域生成臭氧。
此外，根据基板处理装置10C，在图案P1间的间隙中的更广的区域，紫外线的强度变高。因此，能通过紫外线本身引起的有机物的分解功能而在更广的区域去除图案P1间的有机物。然而，由于长的波长λb的紫外线的光子能量比短的波长λa的紫外线的光子能量还小，因此与波长λa的紫外线相比，波长λb的紫外线仅能切断较少种类的分子键。即，即使在波长λb的紫外线的强度增大的区域，只要波长λa的紫外线的强度低则紫外线本身的分解功能引起的有机物的分解即不会充分。
在基板处理装置10C中，处理空间H1内的氧浓度与基板处理装置10同样地被调整至预定的浓度范围内。因此，能有效地使用已利用了臭氧的有机物的去除功能。即，由于波长λb的紫外线也能与波长λa的紫外线同样地产生解离反应，因此即使在图案P1间的间隙中的波长λa的紫外线的强度低的区域，只要波长λb的紫外线的强度高则即使在该区域也能生成臭氧。因此，该臭氧能将该区域的有机物分解而去除。由此，能适当地去除该区域的有机物。
如上所述，根据基板处理装置10C，能增大图案P1间的间隙中的臭氧的生成量，能适当地去除图案P1间的有机物。
接着，说明峰值波长的选定的考虑方法的一例。在波长λa的紫外线的强度小的区域R1至R4内的至少一个区域中以波长λb的紫外线的强度取峰值的方式选定波长λa、λb。由此，波长λb的紫外线能弥补该区域中的波长λa的紫外线的强度不足。
接着，更详细地说明区域R1至R4的定义的一例。在此，以区域Rn的深度方向的中心与区域Rn的深度方向的宽度来定义区域Rn(n为1至4)。具体而言，区域Rn的中心与波长λa的紫外线的强度取谷底值Bn(n为1至4)时的深度位置相等，区域Rn的宽度与波长λa的紫外线的强度的增减周期的半周期相等。即，区域Rn为下述区域：将紫外线的强度取谷底值Bn时的深度位置作为中心，将增减周期的半周期作为宽度。
在此种区域Rn中，波长λa的紫外线的强度低。因此，在区域Rn内的任一处中，只要波长λb的紫外线的强度取峰值，则波长λb的紫外线能有效地弥补该区域的波长λa的紫外线的强度不足。
此外，如图11所示，谷底值Bn表示深度位置愈深则愈变小的倾向。因此，在位于较深位置的区域R3或者区域R4中，波长λa的紫外线的强度不足变得更显著。因此，期望在区域R3内或者区域R4内波长λb的紫外线的强度取峰值。在图11的例子中，波长λb的紫外线的强度在区域R3内取峰值。由此，能通过波长λb的紫外线来弥补区域R3中的波长λa的紫外线的显著的强度不足。
以更一般的方式来说明，只要在比图案P1的高度方向中的中间点(在图11中为深度位置100nm)还位于图案P1的下端侧的区域R3、R4内的任一区域中以波长λb的紫外线的强度取峰值的方式选定波长λb即可。
此外，在上述例子中，虽然设置有两种紫外线照射器2a、2b，但也可设置有峰值波长彼此不同的三种以上的紫外线照射器2。由此，由于在图案P1间的间隙中紫外线在更广的区域互相弥补彼此的强度不足，因此能在更广的区域生成许多臭氧。
虽然已详细地表示并说明基板处理装置，但上述说明在全部的方式中是例示性而非是限定性。因此，在其公开的范围内可将基板处理装置的实施方式适当地变形或者省略。此外，上述实施方式可适当地组合。
附图标记说明
1：基板保持部
2,2a,2b：紫外线照射器
4：气体供给部
7：控制部
10,10A至10C:基板处理装置
W1：基板
P1：微细构造物(图案)。

Claims (9)

1.一种基板处理方法，其特征在于，具备：
基板保持工序，保持在表面形成有微细构造物的基板；以及
紫外线照射工序，隔着处理空间与所述基板的所述表面对置的紫外线照射器对所述基板的所述表面照射紫外线，
在所述紫外线照射工序的至少一部分的期间，对所述处理空间供给气体，将所述处理空间内的氧浓度调整至0.3vol％以上8.0vol％以下的浓度范围内。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述紫外线照射工序的至少一部分的期间，将所述处理空间内的氧浓度调整至0.6vol％以上7.0vol％以下的浓度范围内。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法将惰性气体以及氧作为所述气体供给至所述处理空间。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法控制所述气体的流量，使通过相对于所述处理空间位于所述气体的流动的下游侧的氧浓度传感器检测出的浓度值在所述浓度范围内。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述紫外线照射工序中，分别从多个紫外线照射器对所述基板的所述表面照射峰值波长不同的紫外线。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述微细构造物包含图案宽度为50nm以下且纵横比为3.5以上的图案。
7.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
基板保持部，其保持基板；
紫外线照射器，其隔着处理空间与所述基板的表面对置；
气体供给部，其对所述处理空间供给气体；以及
控制部，其以使所述气体供给部供给所述气体而使所述处理空间的氧浓度成为0.3vol％以上8.0vol％以下的浓度范围的方式进行控制，同时使从所述紫外线照射器向所述基板的所述表面照射紫外线。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述气体供给部将惰性气体以及氧作为所述气体供给至所述处理空间。
9.根据权利要求7或8所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具备：氧浓度传感器，其相对于所述处理空间设置于所述气体的流动的下游侧；
所述控制部根据由所述氧浓度传感器检测出的浓度值控制所述气体的流量，以使所述处理空间的氧浓度成为0.3vol％以上8.0vol％以下的浓度范围。
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