CN113540366A - 一种有机电致发光器件 - Google Patents

一种有机电致发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN113540366A
CN113540366A CN202010306733.3A CN202010306733A CN113540366A CN 113540366 A CN113540366 A CN 113540366A CN 202010306733 A CN202010306733 A CN 202010306733A CN 113540366 A CN113540366 A CN 113540366A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transport layer
electron transport
layer
evaporation
liq
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010306733.3A
Other languages
English (en)
Inventor
吴俊宇
孙恩涛
刘嵩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Dingcai Technology Co ltd
Original Assignee
Hefei Dingcai Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Dingcai Technology Co ltd filed Critical Hefei Dingcai Technology Co ltd
Priority to CN202010306733.3A priority Critical patent/CN113540366A/zh
Publication of CN113540366A publication Critical patent/CN113540366A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及置于所述阳极和阴极之间的发光层和有机功能层；所述有机功能层包括第一电子传输层和第二电子传输层；所述第一电子传输层中含有式I‑1、式I‑2或式I‑3所示的化合物中的任意一种或至少两种组合；所述第二电子传输层中含有式II‑1和/或式II‑2所示的化合物。本发明提供的有机电致发光器件能够显著改善器件中的载流子传输效率，降低了能级势垒，较好的减少了载流子在材料层与层的界面处堆积的问题，使得器件的电压较低的同时，性能也有一定的改善。

Description

一种有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及有机电致发光技术领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。
背景技术
高效有机发光二极管(OLEDs)的研究始于二十世纪六十年代，为了提高器件效率，器件常采用发光层双主体的方式进行制备，虽然在一定程度上提升了发光效率，但同时增加了蒸发源的使用，制备略显困难，限制了OLEDs的商业化发展。
在OLED器件中，已知空穴传输一般要比电子快，在发光层的复合区域会偏向ET层方向，造成器件效率降低等不良后果；空穴传输层的厚度增加虽然减缓了空穴向阴极的传输，但是却提高了器件的电压，同时，不同材料层之间的能级势垒，导致正负载流子分别在各自界面处大量堆积，都造成器件效率降低。
近年来，业界人士对提升器件效率及稳定性进行了不断的尝试与探索，其中寻求新材料提升器件性能的方式居多，开发了大量新颖的材料应用于电子的传输，虽然其对器件性能有一定的改善，但是其依然存在载流子在界面处大量堆积，同时也存在器件电压较高，寿命较短的问题。
因此，本领域亟待开发一种同时兼具高性能、低电压的有机电致发光器件。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种有机电致发光器件。所述有机电致发光器件能够显著改善器件中的载流子传输效率，降低了能级势垒，较好的减少了载流子在材料层与层的界面处堆积的问题，使得器件的电压较低的同时，性能也有一定的改善。
为达此目的，本发明采用如下技术方案：
本发明提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及置于所述阳极和阴极之间的发光层和有机功能层；
所述有机功能层包括第一电子传输层和第二电子传输层；
所述第一电子传输层中含有式I-1、式I-2或式I-3所示的化合物中的任意一种或至少两种组合；
Figure BDA0002456052600000011
所述第二电子传输层中含有式II-1和/或式II-2所示的化合物中的任意一种或至少两种组合；
Figure BDA0002456052600000012
环C表示与苯环稠合的五元或六元的芳环或杂芳环；
所述Ar1和Ar2各自独立地选自C1～C18(例如C2、C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16等)烷基、C1～C18(例如C2、C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16等)烷氧基、C3～C30(例如C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28等)的环烷基、C2～C18(例如C2、C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16等)烯基、C2～C18(例如C2、C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16等)炔基、卤素、氰基、取代或未取代的C6～C40(例如C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38等)芳基、取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28等)杂芳基中的任意一种；
所述R选自氢、C1～C18(例如C2、C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16等)烷基、C1～C18(例如C2、C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16等)烷氧基、C3～C30(例如C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28等)的环烷基、卤素、氰基、取代或未取代的C6～C40(例如C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38等)芳基、取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28等)杂芳基中的任意一种；
当上述基团存在取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1～C10(例如C2、C4、C6、C8等)的烷基、C3～C10(例如C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)环烷基、C2～C10(例如C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)烯基、C1～C6(例如C2、C3、C4、C5等)的烷氧基或硫代烷氧基基团、氰基、硝基、胺基、羧基、羰基、酯基、C6～C30(例如C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28等)的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3～C30(例如C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28等)的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的任意一种。优选所述取代基选自卤素、氰基、甲基、甲氧基、苯基、联苯基、萘基、菲基或蒽基中的任意一种。本发明中涉及到“取代或未取代”的表述方法时，取代基均具有上述选择范围，不再一一赘述。
本发明中，对于化学元素的表述包含化学性质相同的同位素的概念，例如“氢”的表述，也包括化学性质相同的“氘”、“氚”的概念。
本发明中，杂芳基的杂原子，通常指选自N、O、S。
本发明提供了一种新型的有机电致发光器件，设置有两层电子传输层，并分别选用特定的电子传输材料，首先，两个电子传输材料具备相同的核心基团，其有效的减弱了两层之间的界面差异，其次，相比传统器件结构，第二电子传输层的设计，不仅可使电子更好的由电极注入到有机层内，而且可使电子更好的向发光层方向转移。
本发明通过适当材料和器件结构的配合，不仅能够促进阴极电子更容易注入到发光层中，能够显著改善器件中的载流子传输效率，提高了器件的发光效率，还能降低能级势垒，较好的减少了载流子在材料层与层的界面处堆积的问题，使得器件的电压较低。
优选地，所述R选自氢、氟、氯、溴、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、正己基、正辛基、异丙基、异丁基、叔丁基、异丁基、叔丁基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、芴基及其衍生物、荧蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、
Figure BDA0002456052600000021
基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基及其衍生物中的任意一种。
优选地，环C表示与苯环稠合的苯环、萘环、吡啶环、呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环或苯并噻吩环。
优选地，所述Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的如下基团中的任意一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、环戊基、新戊基、正己基、环己基、新己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、窟基、茈基、荧蒽基、并四苯基、并五苯基、苯并芘基、联苯基、偶苯基、三联苯基、三聚苯基、四联苯基、芴基、螺二芴基、二氢菲基、二氢芘基、四氢芘基、顺式或反式茚并芴基、三聚茚基、异三聚茚基、螺三聚茚基、螺异三聚茚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吡咯基、异吲哚基、咔唑基、茚并咔唑基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、菲啶基、苯并-5,6-喹啉基、苯并-6,7-喹啉基、苯并-7,8-喹啉基、吩噻嗪基、吩嗪基、吡唑基、吲唑基、咪唑基、苯并咪唑基、萘并咪唑基、菲并咪唑基、吡啶并咪唑基、吡嗪并咪唑基、喹喔啉并咪唑基、嗯唑基、苯并嗯唑基、萘并嗯唑基、蒽并嗯唑基、菲并嗯唑基、1,2-噻唑基、1,3-噻唑基、苯并噻唑基、哒嗪基、苯并哒嗪基、嘧啶基、苯并嘧啶基、喹喔啉基、1,5-二氮杂蒽基、2,7-二氮杂芘基、2,3-二氮杂芘基、1,6-二氮杂芘基、1,8-二氮杂芘基、4,5-二氮杂芘基、4,5,9,10-四氮杂茈基、吡嗪基、吩嗪基、吩噻嗪基、萘啶基、氮杂咔唑基、苯并咔啉基、菲咯啉基、1,2,3-三唑基、1,2,4-三唑基、苯并三唑基、1,2,3-噁二唑基、1,2,4-嗯二唑基、1,2,5-嗯二唑基、1,2,3-噻二唑基、1,2,4-噻二唑基、1,2,5-噻二唑基、1,3,4-噻二唑基、1,3,5-三嗪基、1,2,4-三嗪基、1,2,3-三嗪基、四唑基、1,2,4,5-四嗪基、1,2,3,4-四嗪基、1,2,3,5-四嗪基、嘌呤基、蝶啶基、吲嗪基、苯并噻二唑基。
当上述基团存在取代基时，所述取代基选自卤素、氰基、甲基、甲氧基、苯基、联苯基、萘基、菲基或蒽基。
优选地，所述第一电子传输层中含有如下化合物中的任意一种或至少两种组合：
Figure BDA0002456052600000041
优选地，所述第二电子传输层中含有如下化合物中的任意一种或至少两种组合：
Figure BDA0002456052600000051
优选地，所述第一电子传输层和第二电子传输层位于阴极和发光层之间，其位置关系为：第一电子传输层远离阴极，第二电子传输层靠近阴极第一电子传输层远离阴极，第二电子传输层靠近阴极。
优选地，所述第一电子传输层中含有第一主体材料和第一碱金属化合物，所述第一主体材料包括式I-1、式I-2或式I-3所示的化合物中的任意一种或至少两种组合，优选A1至A12所示的化合物中的任意一种。
在本发明的优选技术方案中，第一电子传输层为双材料掺杂形式，即在主体材料的基础上掺杂碱金属化合物，这种形式有利于进一步提升器件的发光效率，降低电压。
优选地，所述第一碱金属化合物包括Liq、LiF、CaO、Al2O3中的任意一种或至少两种组合，优选Liq。
优选地，所述第一碱金属化合物占所述第一主体材料的摩尔比例m为10％～100％，例如20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％等，优选67％～100％。
本发明优选在第一电子传输层中掺杂10％～100％的碱金属化合物，特别是67％～100％，在该范围内，器件具有更高的发光效率以及更低的电压，掺杂量过高会导致金属离子进入发光层，破坏发光，掺杂量过低不便于电子的传输，均会导致器件性能下降。
优选地，所述第二电子传输层中含有第二主体材料和第二碱金属化合物，所述第二主体材料包括式II-1和/或式II-2所示的化合物中的任意一种或至少两种组合，优选B1至B13所示的化合物中的任意一种。
在本发明的优选技术方案中，第二电子传输层为双材料掺杂形式，即在主体材料的基础上掺杂碱金属化合物，这种形式有利于进一步提升器件的发光效率，降低电压。
优选地，所述第二碱金属化合物包括Liq、LiF、CaO、Al2O3中的任意一种或至少两种组合，优选Liq。
优选地，所述第二碱金属化合物占所述第二主体材料的摩尔比例n为10％～150％，例如20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、100％、110％、120％、130％、140％等，进一步优选120％～150％。
本发明优选在第二电子传输层中掺杂10％～150％的碱金属化合物，特别是120％～150％，在该范围内，器件具有更高的发光效率以及更低的电压，掺杂量过高或过低均会导致器件性能下降。
当第一电子传输层和/或第二电子传输层满足上述优选的掺杂比例时，器件的发光效率高于10cd/A，驱动电压不高于4.7V。
优选地，n-m≥50％，例如51％、52％、53％、54％、55％、56％、57％、58％、59％、60％等。
优选地，n-m≥50％，且m为67％～100％，n为120％～150％。
优选地，所述第一电子传输层和第二电子传输层的厚度关系为：1nm≤第一电子传输层≤第二电子传输层≤30nm。
优选地，所述第一电子传输层的厚度为10～13nm，例如10.5nm、11nm、11.5nm、12nm、12.5nm等。
本发明进一步优选第一电子传输层的厚度为10～13nm，在该范围之内，器件具有更高的发光效率以及更低的电压。
优选地，所述第二电子传输层的厚度为18～20nm，例如18.5nm、19nm、19.5nm等。
本发明进一步优选第二电子传输层的厚度为18～20nm，在该范围之内，器件具有更高的发光效率以及更低的电压。
优选地，所述有机功能层还包括空穴传输层、空穴注入层、电子注入层、电子阻挡层或空穴阻挡层中的任意一种或至少两种组合，优选空穴传输层、空穴注入层或电子注入层中的任意一种或至少两种组合，优选空穴传输层。
本发明是所使用的第一电子传输材料和第二电子传输材料可以通过现有技术中的方法进行合成，示例性地给出化合物A1、A2和化合物B1、B4、B13的具体合成路径，其它化合物可以通过在该路径的基础上替换反应原料以制备得到；
化合物A1的合成：
Figure BDA0002456052600000071
化合物A2的合成：
Figure BDA0002456052600000072
化合物B1的合成：
Figure BDA0002456052600000073
化合物B4的合成：
Figure BDA0002456052600000074
化合物B13的合成：
Figure BDA0002456052600000075
其中，B2Pin2为双戊酰二硼(联硼酸频那醇酯)，Pd(dppf)Cl2为[1,1\'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯，Pd(OAc)2为醋酸钯，Sphos为2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，KOAc为醋酸钾，Pd2(dba)3为三二亚苄基丙酮二钯。
本发明的有机电致发光器件中，采用真空蒸镀方式制备，也可采用其他方式制备，不局限于真空沉积。本发明仅用真空沉积方式制备的器件来进行说明。基片清洗，后烘，预处理，入腔，依次真空沉积空穴传输层，发光层，第一电子传输层，第二电子传输层，阴极。
基底可以采用刚性基底或柔性基底，刚性基底包括玻璃基底、Si基底等，柔性基底包括聚乙烯醇(PVA)薄膜、聚酰亚胺(PD)薄膜、聚酯(PET)薄膜等。本发明基底优选刚性玻璃基底。
阳极，可优选功函数较大的导电性化合物、合金、金属以及该种材料的混合物。可以采用无机材料，无机材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)等金属氧化物或金、银、铜、铝等功函数较高的金属或金属与金属或非金属的交替形成的层叠物等。本发明阳极优选ITO。
空穴传输区的材料可以选自、但不限于酞菁衍生物如CuPc、导电聚合物或含导电掺杂剂的聚合物如聚苯撑乙烯、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(Pani/PSS)、芳香胺衍生物(如下面HT-1至HT-34所示的化合物)，或者其任意组合。
Figure BDA0002456052600000081
Figure BDA0002456052600000091
Figure BDA0002456052600000101
在本发明的一方面，发光层采用荧光电致发光的技术。其发光层荧光主体材料可以选自、但不限于以下所罗列的BFH-1至BFH-4中的一种或多种的组合。
Figure BDA0002456052600000102
其发光层荧光掺杂剂选用BFD-1：
Figure BDA0002456052600000103
在本发明的一方面，发光层也可采用磷光电致发光的技术。其发光层主体材料选自、但不限于GPH-1至GPH-4中的一种或多种的组合。
Figure BDA0002456052600000104
发光层磷光掺杂剂选用GPD-1：
Figure BDA0002456052600000105
本发明优选第一电子传输层选取双材料掺杂形式，其主体材料选自式I-1、式I-2或式I-3所示的化合物中的任意一种或至少两种组合；
优选第一电子传输层客体材料选用碱金属化合物Liq：
Figure BDA0002456052600000111
本发明第二电子传输层选取双材料掺杂形式，其主体材料选自式II-1和/或式II-2所示的化合物：
优选第二电子传输层客体材料选用碱金属化合物Liq：
Figure BDA0002456052600000112
相较于现有技术，本发明具有如下有益效果：
本发明提供了一种新型的有机电致发光器件，设置有两层电子传输层，并分别选用特定的电子传输材料，通过适当材料和器件结构的配合，不仅能够促进阴极电子更容易注入到发光层中，能够显著改善器件中的载流子传输效率，提高了器件的发光效率，还能降低能级势垒，较好的减少了载流子在材料层与层的界面处堆积的问题，使得器件的电压较低，发光效率最高可达11.03cd/A，驱动电压最低可至4.18V。
附图说明
图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图；
其中，1-阳极，2-空穴传输层，3-发光层，4-第一电子传输层，5-第二电子传输层，6-阴极。
具体实施方式
为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
制备例1
化合物A1的合成：
Figure BDA0002456052600000113
具体步骤如下：
化合物1-1的制备
Figure BDA0002456052600000121
单口瓶中加入60g化合物1，并加入乙醇1200mL，室温下搅拌，加入间氯苯甲醛51g，反应约2h，继续加入醋酸碘苯105g，析出棕黄色固体，停止反应。过滤后得到棕黄色固体约60g。
化合物1-2的制备
Figure BDA0002456052600000122
三口瓶中加入40g(1.0eq)化合物1-1，苯硼酸18.63g，碳酸钾52.7g以及Pd(dppf)2Cl22.79g，然后加入溶剂四氢呋喃400mL，水70mL，加热至80℃，反应5h，然后用乙醇淋洗并烘干之后得到40g化合物1-2。
化合物1-3的制备
Figure BDA0002456052600000123
三口瓶中加入20g化合物1-2，联频哪醇酯21.4g，醋酸钾16.5g以及Pd(OAc)20.37g，Sphos1.2g，然后加入溶剂二氧六环200mL，加热至120℃，反应5h后过滤，得到20g灰色固体1-3。
终产品A1的制备
Figure BDA0002456052600000124
单口瓶中加入15g化合物1-3，入量2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪13g，碳酸钾13.89g，甲苯150mL，乙醇20mL，水20mL，Pd(PPh3)4 1.0g，反应4h，析出白色固体。干燥后得12g化合物A1。
表征结果：
A1的M/S测试值为：629.2
A1测得的热力学性质：Tg：116.9℃；Tm：251.76℃；Td(1％)：426.7℃。
制备例2
化合物A2的合成：
具体步骤与制备例1相同，不同的是将第一步间氯苯甲醛变为等物质的量的对氯苯甲醛。
表征结果：
A2的M/S测试值为：629.2
A2测得的热力学性质：Tm：296.61℃。
制备例3
化合物B1的合成：
Figure BDA0002456052600000131
具体步骤如下：
化合物3-1的制备
Figure BDA0002456052600000132
将15.0g化合物2和6.9g苯硼酸加入到三口瓶中，然后将19.8g碳酸钾溶于200mL水中加入，并加入1.0L四氢呋喃，再加入[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯0.35g，90℃反应过夜，过滤干燥，约得粗品14.7g。(粗品直接用于下一步)
化合物3-2的制备
Figure BDA0002456052600000133
单口瓶中加入14.7g化合物3-1，联硼酸频哪醇酯15.7g，醋酸钾12.1g，醋酸钯0.19g，2-二环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(S-phos)0.7g，二氧六环300mL。进行反应，得17.2g化合物3-2。(收率：93.00％)
化合物B1的制备
Figure BDA0002456052600000141
将17.2g化合物3-2和14.7g化合物3加入到单口瓶，然后将15.9g碳酸钾溶于水中加入到单口瓶内，并加入50mL乙醇和250mL甲苯，再加入四(三苯基磷)钯0.44g，反应后过滤得白色固体10g。(收率：41.67％)
表征结果：
B1的M/S测试值为：625.2
B1测得的热力学性质：Tg：130.0℃；Tm：295.0℃；Td(1％)：470.0℃。
制备例4
化合物B4的合成：
Figure BDA0002456052600000142
具体步骤与制备例3相同，不同的是将化合物3改为等物质的量的化合物4。
表征结果：
B4的M/S测试值为：626.2
B4测得的热力学性质：Tg：173.13℃；Tm：345.93℃；Td(1％)：449.4℃。
制备例5
化合物B13的合成：
Figure BDA0002456052600000143
具体步骤与制备例3相同，不同的是将化合物3改为等物质的量的化合物5。
表征结果：
B13的M/S测试值为：643.3
B13测得的热力学性质：Tg：133。9℃；Tm：304.72℃；Td(1％)：440.3℃。
实施例1
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:10％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:10％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:10％Liq(10)/B1:10％Liq(20)/Mg:Ag(150)，括号内代表厚度，单位为nm，百分数代表摩尔掺杂比例，例如“BFH-1:5％BFD-1”代表BFD-1占BFH-1的摩尔比为5％，“A1:10％Liq”代表Liq占A1的摩尔比为10％，下文同理，不一一赘述。
实施例1的器件结构详见图1，其包括阳极1、空穴传输层2、发光层3、第一电子传输层4、第二电子传输层5和阴极6。
实施例2
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:10％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:30％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:10％Liq(10)/B1:30％Liq(20)/Mg:Ag(150)，括号内代表厚度，单位为nm。
实施例3
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:10％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:60％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:10％Liq(10)/B1:60％Liq(20)/Mg:Ag(150)，括号内代表厚度，单位为nm。
实施例4
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:33％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:100％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:33％Liq(10)/B1:100％Liq(20)/Mg:Ag(150)
实施例5
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:50％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:100％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:50％Liq(10)/B1:100％Liq(20)/Mg:Ag(150)
实施例6
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:50％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:120％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:50％Liq(10)/B1:120％Liq(20)/Mg:Ag(150)
实施例7
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:50％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:50％Liq(10)/B1:150％Liq(20)/Mg:Ag(150)
实施例8
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:67％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:120％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:67％Liq(10)/B1:120％Liq(20)/Mg:Ag(150)
实施例9
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:67％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:67％Liq(10)/B1:150％Liq(20)/Mg:Ag(150)
实施例10
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:100％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:100％Liq(10)/B1:150％Liq(20)/Mg:Ag(150)
实施例11
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:100％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为1nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:100％Liq(1)/B1:150％Liq(20)/Mg:Ag(150)
实施例12
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:100％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:100％Liq(5)/B1:150％Liq(20)/Mg:Ag(150)
实施例13
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:67％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为13nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:67％Liq(13)/B1:150％Liq(20)/Mg:Ag(150)
实施例14
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:67％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为15nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:67％Liq(15)/B1:150％Liq(20)/Mg:Ag(150)
实施例15
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:67％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为18nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:67％Liq(18)/B1:150％Liq(20)/Mg:Ag(150)
实施例16
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:67％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为13nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:67％Liq(10)/B1:150％Liq(13)/Mg:Ag(150)
实施例17
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:67％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为15nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:67％Liq(10)/B1:150％Liq(15)/Mg:Ag(150)
实施例18
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:67％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为18nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:67％Liq(10)/B1:150％Liq(18)/Mg:Ag(150)
实施例19
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:67％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为25nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:67％Liq(10)/B1:150％Liq(25)/Mg:Ag(150)
实施例20
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层材料A1:67％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:67％Liq(10)/B1:150％Liq(30)/Mg:Ag(150)
实施例21～25
实施例21～25与实施例1的区别仅在于电子传输材料、碱金属化合物掺杂量以及电子传输层厚度，具体详见表1。
对比例1
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-2:Liq，ET-2与Liq蒸镀速率分别为0.1nm/s和0.15nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
Figure BDA0002456052600000221
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/ET-2:150％Liq(30)/Mg:Ag(150)
对比例2
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm。
在发光层之上真空蒸镀器件的第一电子传输层的材料ET-1:Liq，ET-1与Liq蒸镀速率均为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；
在第一电子传输层之上真空蒸镀器件的第二电子传输层的材料ET-2:Liq，ET-2与Liq蒸镀速率分别为0.1nm/s和0.15nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
Figure BDA0002456052600000231
器件结构：
ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/ET-1:100％Liq(10)/ET-2:150％Liq(20)/Mg:Ag(150)
对比例3
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料B1:150％Liq，B1蒸镀速率为0.1nm/s，Liq蒸镀速率为0.15nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/B1:150％Liq(30)/Mg:Ag(150)
对比例4
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料BFH-1和染料BFD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料速率为0.1nm/s，染料的速率为0.005nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料A1:150％Liq，A1蒸镀速率为0.1nm/s，Liq蒸镀速率为0.15nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为150nm的Mg/Ag层作为器件的阴极。
器件结构：ITO/HT-1(80)/BFH-1:5％BFD-1(20)/A1:150％Liq(30)/Mg:Ag(150)
对比例5
与实施例7的区别在于，将化合物A1替换为化合物ET-1。
对比例6
与实施例7的区别在于，将化合物B1替换为化合物ET-1。
器件测试方法：
对由上述过程制备的有机电致发光器件进行如下性能测定：
在同样亮度下，使用Photo Research公司的PR 750型光辐射计ST-86LA型亮度计(北京师范大学光电仪器厂)及Keithley4200测试系统测定实施例以及对比例中制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率。具体而言，以每秒0.1V的速率提升电压，测定当有机电致发光器件的亮度达到1000cd/m2时的电压即驱动电压，同时测出此时的电流密度；亮度与电流密度的比值即为电流效率。
测试结果如表1所示。
表1
Figure BDA0002456052600000241
Figure BDA0002456052600000251
由表1可知，本发明提供的有机电致发光器件具有较高的发光效率和较低的驱动电压，发光效率最高可达11.03cd/A，驱动电压最低可至4.18V。
对比例1仅含有一个电子传输层，且电子传输材料为ET-2，与具有相同厚度和Liq掺杂量的实施例7相比，对比例1的驱动电压升高，电流效率降低；
对比例2中含有两个电子传输层，但是分别使用ET-1和ET-2作为电子传输材料，与具有相同厚度和掺杂量的实施例10相比，驱动电压升高，电流效率降低；
对比例3和对比例4中虽然也使用本发明的电子传输材料A1和B1，但是其仅含有一个电子传输层，与具有相同厚度和掺杂量的实施例7相比，驱动电压升高，电流效率降低；
对比例5和对比例6与实施例7的区别分别仅在于采用ET-1替换掉A1和B1，结果显示二者与实施例7相比，驱动电压升高，电流效率降低。
上述实施例和对比例的对比结果显示，在掺杂量和厚度相同或相近的情况下，设置两层电子传输层、选用特定的材料均会对最终的效果产生一定贡献，
缺少任何一个条件，都会使器件的电压升高，效率降低。
对比实施例9、11～15可知，当第一电子传输层厚度为10～13nm时(实施例9和13)，能够进一步降低电压、提高寿命；
对比实施例9、16～20可知，当第二电子传输层厚度为18～20nm时(实施例9和18)，能够进一步降低电压、提高寿命；
对比实施例7、9～10可知，当第一电子传输层中Liq摩尔比为67％～100％时(实施例9和10)，能够进一步降低电压、提高寿命；
对比实施例5～7可知，当第二电子传输层中Liq摩尔比为120～150％时(实施例6和7)，能够进一步降低电压、提高寿命；
当第一电子传输层厚度为10～13nm、Liq摩尔比为67％～100％，第二电子传输层厚度为18～20nm、Liq摩尔比为120～150％的时候，器件性能最优。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细制备过程和产品结构，但本发明并不局限于上述详细制备过程和产品结构，即不意味着本发明必须依赖上述详细制备过程和产品结构才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及置于所述阳极和阴极之间的发光层和有机功能层；
所述有机功能层包括第一电子传输层和第二电子传输层；
所述第一电子传输层中含有式I-1、式I-2或式I-3所示的化合物中的任意一种或至少两种组合；
Figure FDA0002456052590000011
所述第二电子传输层中含有式II-1和/或式II-2所示的化合物中的任意一种或至少两种组合；
Figure FDA0002456052590000012
环C表示与苯环稠合的五元或六元的芳环或杂芳环；
所述Ar1和Ar2各自独立地选自C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、C3～C30的环烷基、C2～C18烯基、C2～C18炔基、卤素、氰基、取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的任意一种；
所述R选自氢、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、C3～C30的环烷基、卤素、氰基、取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的任意一种；
当上述基团存在取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1～C10的烷基、C3～C10环烷基、C2～C10烯基、C1～C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、氰基、硝基、胺基、羧基、羰基、酯基、C6～C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3～C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的任意一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，环C表示与苯环稠合的苯环、萘环、吡啶环、呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环或苯并噻吩环。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的如下基团中的任意一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、环戊基、新戊基、正己基、环己基、新己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、窟基、茈基、荧蒽基、并四苯基、并五苯基、苯并芘基、联苯基、偶苯基、三联苯基、三聚苯基、四联苯基、芴基、螺二芴基、二氢菲基、二氢芘基、四氢芘基、顺式或反式茚并芴基、三聚茚基、异三聚茚基、螺三聚茚基、螺异三聚茚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吡咯基、异吲哚基、咔唑基、茚并咔唑基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、菲啶基、苯并-5,6-喹啉基、苯并-6,7-喹啉基、苯并-7,8-喹啉基、吩噻嗪基、吩嗪基、吡唑基、吲唑基、咪唑基、苯并咪唑基、萘并咪唑基、菲并咪唑基、吡啶并咪唑基、吡嗪并咪唑基、喹喔啉并咪唑基、嗯唑基、苯并嗯唑基、萘并嗯唑基、蒽并嗯唑基、菲并嗯唑基、1,2-噻唑基、1,3-噻唑基、苯并噻唑基、哒嗪基、苯并哒嗪基、嘧啶基、苯并嘧啶基、喹喔啉基、1,5-二氮杂蒽基、2,7-二氮杂芘基、2,3-二氮杂芘基、1,6-二氮杂芘基、1,8-二氮杂芘基、4,5-二氮杂芘基、4,5,9,10-四氮杂茈基、吡嗪基、吩嗪基、吩噻嗪基、萘啶基、氮杂咔唑基、苯并咔啉基、菲咯啉基、1,2,3-三唑基、1,2,4-三唑基、苯并三唑基、1,2,3-噁二唑基、1,2,4-嗯二唑基、1,2,5-嗯二唑基、1,2,3-噻二唑基、1,2,4-噻二唑基、1,2,5-噻二唑基、1,3,4-噻二唑基、1,3,5-三嗪基、1,2,4-三嗪基、1,2,3-三嗪基、四唑基、1,2,4,5-四嗪基、1,2,3,4-四嗪基、1,2,3,5-四嗪基、嘌呤基、蝶啶基、吲嗪基、苯并噻二唑基。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层中含有如下化合物中的任意一种或至少两种组合：
Figure FDA0002456052590000031
Figure FDA0002456052590000041
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二电子传输层中含有如下化合物中的任意一种或至少两种组合：
Figure FDA0002456052590000042
Figure FDA0002456052590000051
6.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层和第二电子传输层位于阴极和发光层之间，其位置关系为：第一电子传输层远离阴极，第二电子传输层靠近阴极。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层中含有第一主体材料和第一碱金属化合物，所述第一主体材料包括式I-1、式I-2或式I-3所示的化合物中的任意一种或至少两种组合；
优选地，所述第一碱金属化合物包括Liq、LiF、CaO、Al2O3中的任意一种或至少两种组合，优选Liq；
优选地，所述第一碱金属化合物占所述第一主体材料的摩尔比例m为10％～100％，优选67％～100％。
8.根据权利要求1或7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二电子传输层中含有第二主体材料和第二碱金属化合物，所述第二主体材料包括式II-1和/或式II-2所示的化合物中的任意一种或至少两种组合；
优选地，所述第二碱金属化合物包括Liq、LiF、CaO、Al2O3中的任意一种或至少两种组合，优选Liq；
优选地，所述第二碱金属化合物占所述第二主体材料的摩尔比例n为10％～150％，进一步优选120％～150％；
优选地，n-m≥50％；
优选地，n-m≥50％，且m为67％～100％，n为120％～150％。
9.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层和第二电子传输层的厚度关系为：1nm≤第一电子传输层≤第二电子传输层≤30nm；
优选地，所述第一电子传输层的厚度为10-13nm；
优选地，所述第二电子传输层的厚度为18-20nm。
10.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括空穴传输层、空穴注入层、电子注入层、电子阻挡层或空穴阻挡层中的任意一种或至少两种组合，优选空穴传输层、空穴注入层或电子注入层中的任意一种或至少两种组合，优选空穴传输层。
CN202010306733.3A 2020-04-17 2020-04-17 一种有机电致发光器件 Pending CN113540366A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010306733.3A CN113540366A (zh) 2020-04-17 2020-04-17 一种有机电致发光器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010306733.3A CN113540366A (zh) 2020-04-17 2020-04-17 一种有机电致发光器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113540366A true CN113540366A (zh) 2021-10-22

Family

ID=78093531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010306733.3A Pending CN113540366A (zh) 2020-04-17 2020-04-17 一种有机电致发光器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113540366A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023082808A1 (zh) * 2021-11-12 2023-05-19 上海八亿时空先进材料有限公司 一种四氮杂荧蒽化合物及其应用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023082808A1 (zh) * 2021-11-12 2023-05-19 上海八亿时空先进材料有限公司 一种四氮杂荧蒽化合物及其应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP4063368B1 (en) Nitrogen-containing compound and electronic element comprising same, and electronic apparatus
KR20110077930A (ko) 유기발광 화합물 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자
KR20210002670A (ko) 유기 전계 발광 재료 및 소자
KR20200065952A (ko) 유기 발광 소자
CN116655666A (zh) 含硼有机化合物及发光器件
CN110746406A (zh) 3,4-二氮杂芴酮衍生物及其合成方法和含有3,4-二氮杂芴酮衍生物的电子器件
CN111354855A (zh) 一种有机电致发光器件
CN112442037B (zh) 一种发光材料及其应用
CN111769199B (zh) 一种新型有机电致发光器件
CN111326665B (zh) 一种新材料及其电致发光器件
CN110903282B (zh) 化合物及有机电致发光器件
CN113540366A (zh) 一种有机电致发光器件
KR20200068568A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
CN111285877A (zh) 有机电致发光材料及器件
CN112174968B (zh) 用于发光器件的有机化合物及其应用、有机电致发光器件
CN111763208B (zh) 一种发光材料及其应用
CN111410657B (zh) 一种发光材料及其应用
CN115385933A (zh) 一种化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件
CN108602828B (zh) 有机化合物、有机光电器件和显示装置
CN111377904A (zh) 有机电致发光材料及器件
CN112778300B (zh) 有机化合物及含有其的有机电致发光器件
CN110407811A (zh) 有机电致发光材料及器件
CN113544133B (zh) 化合物及利用其的有机发光器件
CN115521214B (zh) 有机化合物及包含其的电子元件和电子装置
CN113527330B (zh) 一种化合物及其应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination