CN113528085B - 用于半导体工艺的液体组合物以及基板的研磨方法 - Google Patents
用于半导体工艺的液体组合物以及基板的研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113528085B CN113528085B CN202010315269.4A CN202010315269A CN113528085B CN 113528085 B CN113528085 B CN 113528085B CN 202010315269 A CN202010315269 A CN 202010315269A CN 113528085 B CN113528085 B CN 113528085B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cfu
- liquid composition
- compound
- semiconductor
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 31
- 244000005700 microbiome Species 0.000 claims abstract description 42
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 36
- 239000011242 organic-inorganic particle Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000000813 microbial effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 241000222122 Candida albicans Species 0.000 claims abstract description 9
- 241000588724 Escherichia coli Species 0.000 claims abstract description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229940095731 candida albicans Drugs 0.000 claims abstract description 7
- 241000228212 Aspergillus Species 0.000 claims abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 24
- DMSMPAJRVJJAGA-UHFFFAOYSA-N benzo[d]isothiazol-3-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NSC2=C1 DMSMPAJRVJJAGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- -1 azole compound Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940100555 2-methyl-4-isothiazolin-3-one Drugs 0.000 claims description 3
- PORQOHRXAJJKGK-UHFFFAOYSA-N 4,5-dichloro-2-n-octyl-3(2H)-isothiazolone Chemical compound CCCCCCCCN1SC(Cl)=C(Cl)C1=O PORQOHRXAJJKGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DHNRXBZYEKSXIM-UHFFFAOYSA-N chloromethylisothiazolinone Chemical compound CN1SC(Cl)=CC1=O DHNRXBZYEKSXIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BEGLCMHJXHIJLR-UHFFFAOYSA-N methylisothiazolinone Chemical compound CN1SC=CC1=O BEGLCMHJXHIJLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JPMIIZHYYWMHDT-UHFFFAOYSA-N octhilinone Chemical compound CCCCCCCCN1SC=CC1=O JPMIIZHYYWMHDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SLSBUQAGRBMDIV-UHFFFAOYSA-N 2-butyl-1,3-benzothiazole 1-oxide Chemical compound C(CCC)C=1S(C2=C(N=1)C=CC=C2)=O SLSBUQAGRBMDIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 30
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000035755 proliferation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000001332 colony forming effect Effects 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 4
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 4
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 4
- 241000965186 Agaricus brasiliensis Species 0.000 description 3
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 240000004808 Saccharomyces cerevisiae Species 0.000 description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YEDUAINPPJYDJZ-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybenzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC(O)=NC2=C1 YEDUAINPPJYDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001331781 Aspergillus brasiliensis Species 0.000 description 2
- 241000233866 Fungi Species 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWKSKIMOESPYIA-BYPYZUCNSA-N L-N-acetyl-Cysteine Chemical compound CC(=O)N[C@@H](CS)C(O)=O PWKSKIMOESPYIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960004308 acetylcysteine Drugs 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000000855 fungicidal effect Effects 0.000 description 2
- 239000002054 inoculum Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- OLBOENQKGKQCJD-XOTMQJHLSA-N (5Z)-3-ethyl-5-[[4-[7-[7-[(Z)-(3-ethyl-4-oxo-2-sulfanylidene-1,3-thiazolidin-5-ylidene)methyl]-2,1,3-benzothiadiazol-4-yl]-9,9-dioctylfluoren-2-yl]-2,1,3-benzothiadiazol-7-yl]methylidene]-2-sulfanylidene-1,3-thiazolidin-4-one Chemical compound C(CCCCCCC)C1(C2=CC(=CC=C2C=2C=CC(=CC1=2)C1=CC=C(C=2C1=NSN=2)\C=C/1\C(N(C(S\1)=S)CC)=O)C1=CC=C(C=2C1=NSN=2)\C=C/1\C(N(C(S\1)=S)CC)=O)CCCCCCCC OLBOENQKGKQCJD-XOTMQJHLSA-N 0.000 description 1
- GBIBYNIYVUFTIT-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O.OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O GBIBYNIYVUFTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXRKCOCTEMYUEG-UHFFFAOYSA-N 5-aminoisoindole-1,3-dione Chemical compound NC1=CC=C2C(=O)NC(=O)C2=C1 PXRKCOCTEMYUEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21 LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJRZOOICEHBAED-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1h-1,2,4-triazol-3-amine Chemical compound CC1=NNC(N)=N1 FJRZOOICEHBAED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- QUCJCUBWPUPYHY-UHFFFAOYSA-N C(=O)(O)CNC(C(=O)O)=O.C(C(=O)O)(=O)NCC(=O)O Chemical compound C(=O)(O)CNC(C(=O)O)=O.C(C(=O)O)(=O)NCC(=O)O QUCJCUBWPUPYHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- XCNFUJRQVZQNSZ-UHFFFAOYSA-N [Si+4].[O-2].[Ce+3] Chemical compound [Si+4].[O-2].[Ce+3] XCNFUJRQVZQNSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N acrylic acid acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000003868 ammonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012258 culturing Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 239000012738 dissolution medium Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- QJWFJOSRSZOLKK-UHFFFAOYSA-N prop-2-enamide Chemical compound NC(=O)C=C.NC(=O)C=C QJWFJOSRSZOLKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000003021 water soluble solvent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1472—Non-aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明旨在提供用于半导体工艺的液体组合物以及应用其的基板的研磨方法，上述组合物通过使微生物繁殖最少化，在用于半导体制造和加工工艺中时，不仅使由于物理因素引起的缺陷最小化，也使由于化学因素引起的缺陷最小化，从而可以将在半导体表面上的缺陷水平提高到高水平。具体而言，上述用于半导体工艺的液体组合物包含有机‑无机颗粒、噻唑啉酮类化合物及溶剂，且根据下述式1的微生物减少指数为4以上。在下述式1中，CFU0是添加微生物的CFU/mL值，CFUX是在常温下静置X天后剩余微生物的CFU/mL值，上述微生物包括大肠杆菌、白色念珠菌及巴西曲霉中的至少一种，上述X是1至5的整数。[式1]微生物减少指数＝log(CFU0/CFUX)。
Description
技术领域
本发明涉及用于半导体制造和加工工艺中的液体组合物以及应用其的基板的研磨方法，尤其涉及可应用于需要在非常干净的环境中进行精密加工的制造和加工工艺的液体组合物以及使用其的缺陷减少的基板的研磨方法。
背景技术
近年来，随着半导体器件的大面积化、细微化及高密度化，对图案形成技术要求精致性。由于半导体器件的表面结构非常复杂，因此，在通过如研磨、图案形成等工艺进行加工的过程中，不形成如表面划痕或异物吸附等所谓的缺陷(defect)是非常重要的。可能有多种因素导致上述缺陷。一个例子可包括引起物理划痕的异物，而另一个例子可包括导致物理吸附或化学划痕的微生物等。最近，在半导体技术领域要求的缺陷防止水平非常高，其目的在于使晶圆表面上的缺陷实际上为零(zero)。这种缺陷水平实际上很难实现，因此正在进行用于实现上述缺陷水平的各种研究。
(现有技术文献)
(专利文献)
(专利文献1)国际专利公开号2017-200297
发明内容
发明要解决的问题
本发明的一实施方式旨在提供有效地抑制微生物繁殖环境，使得在应用于半导体工艺时可实现优异的缺陷(defect)减少效果的液体组合物以及使用该液体组合物的基板的研磨方法。
用于解决问题的方案
本发明的一实施方式提供一种用于半导体工艺的液体组合物，该用于半导体工艺的液体组合物包含有机-无机颗粒、噻唑啉酮(thiazolinone)类化合物及溶剂，且根据下述式1的微生物减少指数为4以上。
[式1]
微生物减少指数＝log(CFU0/CFUX)
在上述式1中，上述CFU0是添加微生物的CFU/mL值，上述CFUX是在常温下静置X天后剩余微生物的CFU/mL值，上述微生物包括大肠杆菌(E.coli)、白色念珠菌(C.albicans)及巴西曲霉(A.brasiliensis)中的至少一种，上述X是1、2、3、4、5或6。
本发明的另一实施方式提供通过应用如上所述的用于半导体工艺的液体组合物来研磨基板的基板研磨方法。
发明效果
在上述用于半导体工艺的液体组合物以及应用其的基板的研磨方法中，上述液体组合物是使微生物繁殖最少化的组合物，在用于半导体制造和加工工艺中时，不仅使由于物理因素引起的缺陷最小化，也使由于化学因素引起的缺陷最小化，从而可以将在半导体表面上的缺陷(defect)水平提高到高水平。
附图说明
图1为示出各个实施例和比较例的微生物繁殖程度的照片。
具体实施方式
参考后述的实施例就能够明确理解本发明的优点、特征以及实现它们的方法。但是，本发明不限于以下所公开的实施例，而是能够以多种不同的形式实现，提供本实施例仅仅是为了使本发明的公开完整，并向本发明所属技术领域的普通技术人员完整地说明发明的范围，本发明仅由权利要求书来定义。
除非另外指明，否则本说明书中的“包含”是指可以进一步包含其他构成要素。
在本说明书中，ppm以重量为基准。
在本说明书中，一天以约24小时为基准。
本发明的一个实施方式提供一种用于半导体工艺的液体组合物(下面可称为“液体组合物”)，该用于半导体工艺的液体组合物包含有机-无机颗粒、噻唑啉酮类化合物和溶剂，并且根据下述式1的微生物减少指数为4以上。
[式1]
微生物减少指数＝log(CFU0/CFUX)
在上述式1中，上述CFU0是添加微生物的CFU/mL值，上述CFUX是在常温下静置X天后剩余微生物的CFU/mL值。
在本说明书中，“CFU/mL”是指微生物菌落形成能力(Colony Forming Unit，微生物菌落形成单位)。由于样品中的活微生物通过生长形成菌落，因此在对这些菌落的数量进行计数时，该数量就可以用作测定样品中的活微生物数量的指标。通过菌落形成能力测定的微生物数量可以不同于通过显微镜观察等测定的微生物数量。这是因为，通过显微镜观察测得的微生物数量是在不区分活微生物和死微生物的状态下测定的微生物总数，但是通过菌落形成能力测得的微生物数量相当于活微生物的数量。
如下述一般式1所示，通过将生长的微生物的菌落数除以稀释倍数并除以接种量(mL)，得到上述菌落形成能力(CFU/mL)。
[一般式1]
菌落形成能力(CFU/mL)＝菌落数×1/稀释倍数×1/接种量(mL)
在根据一实施方式的上述液体组合物中，根据上述式1的微生物减少指数满足4以上，例如可以是4至15，例如可以是4至12，例如可以是4至10，例如可以是4至9。上述微生物减少指数在上述范围内越大，在经过预定时间之后残留的残余微生物量与添加微生物量相比则越小。
在根据一实施方式的上述液体组合物中，上述式1的log(CFU0/CFU4)值可以等于或大于log(CFU0/CFU1)值，上述式1的log(CFU0/CFU6)值可以等于或大于log(CFU0/CFU4)值。通过使上述微生物减少指数表现出上述趋势，可以极大地改善上述液体组合物的长期稳定性。
上述液体组合物的微生物减少指数可以在上述液体组合物中包含的各种组分的类型、含量及混合过程等的综合影响下确定。
上述微生物可以是大肠杆菌(E.coli)、白色念珠菌(C.albicans)及巴西曲霉(A.brasiliensis)中的至少一种，也可以是通过混合其两种或三种微生物而成的混合微生物。
E.coli是指Escherichia coli，即大肠杆菌，被用作杀细菌特性的指标。
C.albicans是指Candida albicans，即白色念珠菌，是属于不完全真菌的一种真菌，被用作酵母类的杀真菌特性的指标。
A.brasiliensis是指Agaricus brasiliensis，即巴西曲霉，是一种霉，被用作霉类的杀真菌特性的指标。
上述微生物以单独或混合形式应用于上述微生物减少指数的评价。此时，应用的上述微生物在培养基中生长而具有恒定的菌落数，作为此时应用的培养基，只要是适合于培养上述微生物的一般培养基即可。
上述有机-无机颗粒可以用来对半导体表面进行研磨或清洁等处理。具体而言，上述有机-无机颗粒可以包含选自由硅氧化物颗粒、铈氧化物颗粒、钛氧化物颗粒、锆氧化物颗粒、无机复合颗粒、有机-无机复合颗粒及其组合组成的组中的一种。
上述无机复合颗粒可以是通过混合至少两种以上的上述有机-无机成分而形成的颗粒，例如可以是硅-铈氧化物颗粒，但不限于此。
上述有机-无机复合颗粒可以是核-壳颗粒，上述核-壳颗粒包含：核(core)，包含聚合物树脂；及壳(shell)，布置在上述核的表面上且包含无机组分。例如，上述核的聚合物树脂可以包含聚(甲基)丙烯酸烷基酯树脂、聚苯乙烯树脂等，并且上述壳可以包含硅氧化物组分或铈氧化物组分等。
在上述用于半导体工艺的液体组合物中的上述有机-无机颗粒含量可以包含约1.5重量百分比至约20重量百分比，例如可以包含约5重量百分比至约16重量百分比，例如可以包含约9重量百分比至约15重量百分比，例如可以包含约10重量百分比至约13.5重量百分比。通过在上述范围内的含量，上述有机-无机颗粒可以均匀分散于上述液体组合物中，且当将上述液体组合物应用于半导体工艺时，可以将半导体表面实现为平坦，还不会降低形成在上述表面上的布线层的可靠性。
在上述有机-无机颗粒的粒径分布中，累积质量10％的颗粒分布直径D10可以是约40nm至约70nm，累积质量90％的颗粒分布直径D90可以是约100nm至约130nm。具体而言，上述D10可以是约50nm至约60nm，而上述D90可以是约110nm至约120nm。
另外，在上述有机-无机颗粒的粒径分布中，累积质量50％的颗粒分布直径D50可以是约70nm至约100nm，例如可以是约80nm至约90nm。
另外，在上述有机-无机颗粒的粒径分布中，D90/D50可以是约1.2至约1.5，D90/D10可以是约1.8至约2.4，D50/D10可以是约1.3至约1.8。
在上述有机-无机颗粒的粒径分布满足上述特性时，可以改善上述用于半导体工艺的液体组合物的缺陷(defect)防止性能，且在防止微生物栖息方面也有利。
在上述用于半导体工艺的液体组合物中的上述噻唑啉酮类化合物的含量可以大于约100ppm(0.01重量百分比)且等于或小于约1200ppm(0.12重量百分比)，例如可以是约150ppm(0.015重量百分比)至约1150ppm(0.115重量百分比)，例如可以是约200ppm(0.02重量百分比)至约1000ppm(0.1重量百分比)，例如可以是约500ppm(0.05重量百分比)至约1000ppm(0.1重量百分比)。当上述噻唑啉酮类化合物的含量在上述范围内时，可以有利于在上述范围内实现上述用于半导体工艺的液体组合物的微生物减少指数。
具体而言，上述噻唑啉酮类化合物是包含噻唑啉酮或其衍生物的化合物，对其种类没有特别限定，例如，可以包含选自由甲基异噻唑啉酮(MIT，Methylisothiazolinone)、氯甲基异噻唑啉酮(CMIT，Chloromethylisothiazolinone)、苯并异噻唑啉酮(BIT，Benzisothiazolinone)、辛基异噻唑啉酮(OIT，Octylisothiazolinone)、二氯辛基异噻唑啉酮(DCOIT，Dichlorooctylisothiazolinone)、丁基苯并噻唑啉酮(BBIT，Butylbenzisothiazolinone)以及其组合组成的组中的一种。例如，上述噻唑啉酮类化合物可以包含苯并异噻唑啉酮。通过使用如上所述的种类的噻唑啉酮类化合物，可以有利于确保所需的微生物减少指数。
在上述用于半导体工艺的液体组合物中的上述噻唑啉酮类化合物的根据下述式2的化合物减少率可以小于2％。
[式2]
化合物减少率(％)＝(D1-D2)/D1×100
在上述式2中，上述D1是在室温下测定的上述噻唑啉酮类化合物的含量，上述D2是在65℃下储存1天后测定的上述噻唑啉酮类化合物的含量。
具体而言，在上述用于半导体工艺的液体组合物中的上述噻唑啉酮类化合物的根据下述式2的化合物减少率可以等于或小于1.9％，例如，可以等于或小于1.5％。
当上述噻唑啉酮类化合物满足上述条件的减少率范围时，与上述液体组合物实现优异的相容性，从而与上述液体组合物中包含的组分中除上述噻唑啉酮类化合物以外的组分相互作用，以能够整体上有利于实现微生物繁殖防止性能。
上述化合物可以以离子化或非离子化形式存在于上述液体组合物中。因此，以离子化或非离子化形式检测到的总含量被视为上述化合物的含量。
上述用于半导体工艺的液体组合物可以包含如蒸馏水等的水溶性溶剂或如石蜡等的脂溶性溶剂，作为既用作上述有机-无机颗粒的分散介质又用作其他组分的溶解介质的溶剂。
在上述液体组合物中的上述溶剂的含量可以等于或大于79.88重量百分比，例如可以是约79.88重量百分比至约98.4重量百分比，例如可以是约83.9重量百分比至约94.9重量百分比，例如可以是约84.9重量百分比至约91重量百分比，例如可以是约86.4至89.9重量百分比。
上述用于半导体工艺的液体组合物还可以包含选自由两性离子化合物、水溶性聚合物、有机酸、唑类化合物、二醇类化合物及其组合组成的组中的一种。
上述两性离子化合物可以包含选自由亚氨基二乙酸(IDA，Imino DiaceticAcid)、氨三乙酸(Nitrilotriacetic acid)、N-草酰甘氨酸(N-Oxalylglycine)、乙酰半胱氨酸(acetylcysteine)及其组合组成的组中的一种，最优选为亚氨基二乙酸，但不限于此。
相对于100重量份的上述有机-无机颗粒，上述用于半导体工艺的液体组合物还可包含0.1重量份至5重量份的上述两性离子化合物，例如，还可以包含0.1重量份至3重量份的上述两性离子化合物，例如，还可以包含0.1重量份至2重量份的上述两性离子化合物。
上述水溶性聚合物可以包含选自由聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚乙二醇、聚甲基丙烯酸及其组合组成的组中的一种，最优选为聚乙烯吡咯烷酮，但不限于此。
上述水溶性聚合物的重均分子量(Mw)可以是2,500至100,000道尔顿，例如可以是3,000至50,000道尔顿，例如，3,500至10,000道尔顿是适宜的。
相对于100重量份的上述有机-无机颗粒，上述用于半导体工艺的液体组合物还可包含1至50重量份的上述水溶性聚合物，例如，还可以包含1至30重量份的上述水溶性聚合物。
上述有机酸可以包含选自由乙酸、膦酸、甲酸、苯甲酸、烟酸、吡啶甲酸、丙氨酸、谷氨酸、邻苯二甲酸及其组合组成的组中的一种，例如，根据一实施方式的上述用于半导体工艺的液体组合物可以包含乙酸或膦酸。
相对于100重量份的上述有机-无机颗粒，上述用于半导体工艺的液体组合物还可包含1重量份至50重量份的上述有机酸，例如，还可以包含1重量份至40重量份的上述有机酸。
上述唑类化合物可以包含选自由苯并三唑(BTA)、5-甲基-1H-苯并三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、5-苯基-1H-四唑、3-氨基-5-甲基-4H-1,2,4-三唑、5-氨基四唑(ATA)、1,2,4-三唑、甲苯基三唑及其组合组成的组中的一种，在一实施方式中，上述用于半导体工艺的液体组合物可包含苯并三唑。
上述二醇类化合物可以包含选自由聚乙二醇、聚丙二醇及其组合组成的组中的一种，在一个实施方式中，上述用于半导体工艺的液体组合物可以包含聚乙二醇。
另外，上述用于半导体工艺的液体组合物还可包含研磨调节剂、pH调节剂及表面活性剂。
上述研磨调节剂可以包含铵化合物、硝酸钾或氨基酸及其盐等，但不限于此。上述化合物可以用来在半导体工艺中，尤其在研磨工艺中使上述有机-无机颗粒吸附在晶圆表面上的现象最小化来改善研磨选择性。
当上述液体组合物包含研磨调节剂时，上述液体组合物相对于100重量份的上述有机-无机颗粒可以包含约5重量份至约10重量份，例如，约5重量份至约9重量，例如，约7重量份至约9重量份的上述研磨调节剂。
上述液体组合物可以根据需要包含pH调节剂，例如，上述pH调节剂可以包含选自由氢氧化铵(NH4OH)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠(NaOH)、氢氧化四甲胺(TMAH)、四甲胺(TMA)及其组合组成的组中的一种，但不限于此。
上述液体组合物还可包含表面活性剂，以使上述有机-无机颗粒良好地分散在上述组合物中，例如，上述表面活性剂可以包含柠檬酸(citric acid，CA)、聚丙烯酸(polyacrylic acid，PAA)或丙烯酰胺(acrylamide)与丙烯酸(acrylic acid)的共聚物等。
上述用于半导体工艺的液体组合物包含上述种类的组分，通过根据上述式1的微生物减少指数特性，应用于需要清洁环境和精确工作的半导体制造和加工工艺，从而可以实现优异效果。另外，通过将在上述液体组合物中的根据上述式2的噻唑啉酮类化合物的减少率控制在上述范围内，更有利于获得上述效果。
本发明的另一实施方式提供通过应用用于半导体工艺的液体组合物来研磨基板的基板研磨方法。上述用于半导体工艺的液体组合物相当于前面所述的液体组合物，因此省略对其详细说明。
作为上述基板，只要是在半导体工艺中用作研磨对象的基板即可，具体地说，可以使用铜基板、钽基板、硅基板或玻璃基板。上述基板可以在表面上形成有氧化膜或导电膜，或者可以不形成氧化膜或导电膜。在表面上形成有导电膜的上述基板中，上述导电膜可以具有预定配线图案形式。
上述基板的研磨方法包括：准备步骤，准备用于固定上述基板即被研磨物的保持板、用于支撑上述保持板的研磨头以及设置有研磨垫的研磨台；以及研磨步骤，在被供给前面所述的用于半导体工艺的液体组合物的上述研磨垫上，对上述被研磨物施加预定的压力以研磨上述被研磨物的表面，从而制备经研磨的基板。
上述研磨可以通过如下所述的过程执行：使以上述被研磨物为基准的上述研磨垫的相对位置以预定的方向和速度移动。
当应用上述基板的研磨方法时，应用前面所述的用于半导体工艺的液体组合物，从而可以使被研磨的基板的缺陷进一步减少，实际上没有缺陷，尤其，可以显著减少由于在用于半导体工艺的液体组合物中存在的微生物发生的液体组合物本身或研磨垫的污染引起的研磨后的基板的缺陷。具体而言，上述经研磨的基板可以具有10个以下的缺陷，或5个以下的缺陷，或0至5个缺陷。
在下文中提示本发明的具体实施例。然而，以下描述的实施例仅是用于具体描述本发明的一个示例，而本发明不应解释为限制于这些示例。下面，ppm是基于重量评价的含量。
<实施例和比较例>
实施例1
制备了包含3重量百分比的硅氧化物颗粒、0.5重量百分比的乙酸、0.5重量百分比的膦酸、500ppm的苯并异噻唑啉酮(BIT，Benzisothiazolinone)、0.5重量百分比的聚乙二醇及残余含量的蒸馏水的用于半导体工艺的液体组合物。
实施例2
除了包含1000ppm的苯并异噻唑啉酮之外，其余以与上述实施例1相同的方式制备了用于半导体工艺的液体组合物。
实施例3
制备了包含5重量百分比的硅氧化物颗粒、0.5重量百分比的乙酸、500ppm的苯并异噻唑啉酮及残余含量的蒸馏水的用于半导体工艺的液体组合物。
实施例4
除了包含1000ppm的苯并异噻唑啉酮之外，其余以与上述实施例3相同的方式制备了用于半导体工艺的液体组合物。
比较例1
除了不包含苯并异噻唑啉酮之外，其余以与上述实施例1相同的方式制备了用于半导体工艺的液体组合物。
比较例2
除了包含100ppm的苯并异噻唑啉酮之外，其余以与上述实施例1相同的方式制备了用于半导体工艺的液体组合物。
比较例3
除了不包含苯并异噻唑啉酮之外，其余以与上述实施例3相同的方式制备了用于半导体工艺的液体组合物。
比较例4
除了包含100ppm的苯并异噻唑啉酮之外，其余以与上述实施例3相同的方式制备了用于半导体工艺的液体组合物。
<评价>
实验例1:噻唑啉酮类化合物和液体组合物的相容性评价
对于各个上述实施例和比较例的液体组合物，将在室温下测定的苯并噻唑啉酮的含量定义为D1，而将在65℃下储存1天后测定的苯并噻唑啉酮的含量定义为D2，导出根据下述式2的噻唑啉酮类化合物的减少率，评价相容性。其结果示于下述表1中。
[式2]
化合物减少率(％)＝(D1-D2)/D1×100
实验例2:微生物繁殖防止性能评价
将包含作为细菌的大肠杆菌以及7种细菌、作为酵母的白色念珠菌及作为霉的巴西曲霉的微生物实验菌株以106CFU/mL(＝CFU0)的浓度添加到各个实施例和比较例的液体组合物中，经过X天后，导出CFU(＝CFUX)。上述细菌、酵母和霉均在通常应用于菌株的培养基中生长。随后，通过下述式1导出在X＝1、4、6的各个情况下的微生物减少指数，其结果示于下述表1中。
[式1]
微生物减少指数＝log(CFU0/CFUX)
表1
图1的(A)至(H)部分分别示出上述实施例1至4和上述比较例1至4的微生物繁殖程度的实验照片。具体而言，图1的(a)部分是在X＝0时的照片，图1的(b)至(d)部分分别示出在X＝1、4及6时的照片。参考上述表1和图1，可以看出，与上述比较例1至4的液体组合物相比，上述实施例1至4的液体组合物的储存稳定性更优异。
实验例3:晶圆研磨性能评价
为了评价根据上述实施例和比较例的液体组合物的研磨性能，对于具有约
的厚度的电镀铜晶圆、具有约
的厚度的钽晶圆及具有约
的厚度的氧化硅膜晶圆，将制备后经过6天以上的上述液体组合物投入到研磨垫上的同时进行研磨。具体而言，为了在评价之前去除晶圆表面上的氧化绝缘层，将晶圆浸入0.01M硝酸中10分钟，然后进行研磨。此外，在同时投入0.5重量百分比的双氧水(H2O2)和每种液体组合物的同时，在1.55psi的压力、63rpm的载体速度、57rpm的压板速度及300ml/分钟的浆液流速条件下进行研磨60秒。
评价在进行上述研磨工艺之后的每个晶圆的缺陷水平，并根据下述标准评价研磨性能。使用缺陷测定仪器(制造商：Tenkor公司，型号名称：XP+)测定上述缺陷水平。
[评价标准]
◎:缺陷(defect)为0至5个
○:缺陷大于5个且等于或小于10个
△:缺陷大于10个且等于或小于20个
X:缺陷大于20个
表2
| 铜晶圆 | 钽晶圆 | 氧化硅膜晶圆 | |
| 实施例1 | ○ | ◎ | ◎ |
| 实施例2 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 比较例1 | X | X | X |
| 比较例2 | △ | △ | X |
参照上述表1和表2可知，通过将根据上述式1的微生物减少指数为4以上的实施例1至2的液体组合物应用于半导体工艺中的研磨工艺，可以实现优异的缺陷减少性能。然而，可知根据上述式1的微生物减少指数小于4的比较例1至2的液体组合物的缺陷减少性能与上述实施例1、2的液体组合物相比显着降低。另一方面，可知满足根据上述式2的噻唑啉酮类化合物减少率小于2％的条件的上述实施例1、2的液体组合物与不满足上述条件的上述比较例1、2的液体组合物相比，能够基于与噻唑啉酮类化合物的优异相容性，实现改善的微生物繁殖防止性能和研磨性能。
Claims (9)
1.一种用于半导体工艺的液体组合物，其特征在于，包含有机-无机颗粒、噻唑啉酮类化合物及溶剂，
上述噻唑啉酮类化合物的含量大于100ppm且等于或小于1200ppm，
上述用于半导体工艺的液体组合物中的上述有机-无机颗粒含量包含1.5重量百分比至20重量百分比，
在上述有机-无机颗粒的粒径分布中，累积质量10％的颗粒分布直径D10是40nm至70nm，累积质量90％的颗粒分布直径D90是100nm至130nm，D90/D50是1.2至1.5，D90/D10是1.8至2.4，D50/D10是1.3至1.8，
根据下述式1的微生物减少指数为5.1以上，
上述用于半导体工艺的液体组合物中的上述噻唑啉酮类化合物的根据下述式2的化合物减少率小于1.5％以下，
[式1]
微生物减少指数＝log(CFU0/CFUX)，
在上述式1中，上述CFU0是添加微生物的CFU/mL值，上述CFUX是在常温下静置X天后剩余微生物的CFU/mL值，上述微生物包括大肠杆菌、白色念珠菌及巴西曲霉中的至少一种，上述X是1、2、3、4、5或6，
[式2]
化合物减少率(％)＝(D1-D2)/D1×100：
在上述式2中，上述D1是在室温下测定的上述噻唑啉酮类化合物的含量，上述D2是在65℃下储存1天后测定的上述噻唑啉酮类化合物的含量。
2.根据权利要求1所述的用于半导体工艺的液体组合物，其特征在于，上述式1的log(CFU0/CFU4)值等于或大于log(CFU0/CFU1)值，上述式1的log(CFU0/CFU6)值等于或大于log(CFU0/CFU4)值。
3.根据权利要求1所述的用于半导体工艺的液体组合物，其特征在于，上述微生物减少指数为5.1至15。
4.根据权利要求1所述的用于半导体工艺的液体组合物，其特征在于，上述噻唑啉酮类化合物包含选自由甲基异噻唑啉酮、氯甲基异噻唑啉酮、苯并异噻唑啉酮、辛基异噻唑啉酮、二氯辛基异噻唑啉酮、丁基苯并噻唑啉酮以及其组合组成的组中的一种。
5.根据权利要求1所述的用于半导体工艺的液体组合物，其特征在于，上述有机-无机颗粒包含选自由硅氧化物颗粒、铈氧化物颗粒、钛氧化物颗粒、锆氧化物颗粒及其组合组成的组中的一种。
6.根据权利要求1所述的用于半导体工艺的液体组合物，其特征在于，上述溶剂的含量等于或大于79.88重量百分比。
7.根据权利要求1所述的用于半导体工艺的液体组合物，其特征在于，包含选自由两性离子化合物、水溶性聚合物、唑类化合物、二醇类化合物及其组合组成的组中的一种。
8.根据权利要求1所述的用于半导体工艺的液体组合物，其特征在于，进一步包含有机酸。
9.一种基板的研磨方法，其特征在于，通过应用权利要求1所述的用于半导体工艺的液体组合物来研磨基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010315269.4A CN113528085B (zh) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 用于半导体工艺的液体组合物以及基板的研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010315269.4A CN113528085B (zh) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 用于半导体工艺的液体组合物以及基板的研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113528085A CN113528085A (zh) | 2021-10-22 |
| CN113528085B true CN113528085B (zh) | 2022-07-01 |
Family
ID=78123748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010315269.4A Active CN113528085B (zh) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 用于半导体工艺的液体组合物以及基板的研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113528085B (zh) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180244955A1 (en) * | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Versum Materials Us, Llc | Chemical Mechanical Planarization of Films Comprising Elemental Silicon |
| KR102611598B1 (ko) * | 2017-04-27 | 2023-12-08 | 주식회사 동진쎄미켐 | 화학-기계적 연마용 슬러리 조성물 |
-
2020
- 2020-04-21 CN CN202010315269.4A patent/CN113528085B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113528085A (zh) | 2021-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100341966C (zh) | 用于半导体晶片的抛光组合物 | |
| JP6817186B2 (ja) | 化学機械研磨（ｃｍｐ）組成物 | |
| KR20080058242A (ko) | 루테늄-배리어 연마 슬러리 | |
| CN1609156A (zh) | 用于抛光半导体层的组合物 | |
| JP2016531429A (ja) | 酸化ケイ素、窒化ケイ素及びポリシリコン材料のｃｍｐ用組成物及び方法 | |
| CN1643660A (zh) | 钽阻挡层去除溶液 | |
| WO2006126823A1 (en) | Ag-containing solution, antibacterial resin composition comprising the solution and antibacterial resin coated steel plate | |
| CN1453328A (zh) | 化学机械研磨用的水分散体 | |
| TWI736623B (zh) | 化學機械研磨用漿料組合物 | |
| TW200907037A (en) | Polymeric barrier removal polishing slurry | |
| EP2196509A1 (en) | Chemical Mechanical Polishing Composition for polishing substrates containing a low-k dielectric material and Methods Relating Thereto | |
| KR101465604B1 (ko) | 구리 배리어층 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 | |
| TW201623559A (zh) | 化學機械拋光液 | |
| CN1630045A (zh) | 用于去除阻挡层的组合物和方法 | |
| CN113528085B (zh) | 用于半导体工艺的液体组合物以及基板的研磨方法 | |
| US11180679B1 (en) | Composition for semiconductor processing and method for polishing substrate using the same | |
| KR20190060226A (ko) | Cmp용 슬러리 조성물 | |
| KR101206075B1 (ko) | 화학 기계적 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법 | |
| KR20210014185A (ko) | 반도체 공정용 액상 조성물 및 이를 적용한 기판의 연마방법 | |
| JPH10163141A (ja) | 銅の研磨用組成物 | |
| TW202140738A (zh) | 用於半導體處理之液體以及使用其拋光基底之方法 | |
| KR20200082721A (ko) | 반도체 공정용 액상 조성물 및 이를 적용한 기판의 연마방법 | |
| KR102426915B1 (ko) | 화학 기계적 연마용 슬러리 조성물, 저유전율막의 화학 기계적 연마 방법 및 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR102634300B1 (ko) | 연마용 슬러리 조성물 및 고단차 반도체 박막의 연마 방법 | |
| JP2001110759A (ja) | 銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Gyeonggi Do, South Korea Patentee after: SK Enpus Co.,Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Patentee before: SKC SOLMICS Co.,Ltd. |