CN113501993A - 一种Mn2+掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法，制备方法包括：首先配制油酸、胺基/氨基配体、CsX、PbY₂、MnZ₂的混合溶液，得到前驱体溶液；之后将前驱体溶液与甲苯混合，得到钙钛矿量子点溶液；最后将薄膜衬底置于钙钛矿量子点溶液中并进行离心涂覆，干燥后即得到上述钙钛矿量子点薄膜。与现有技术相比，本发明采用室温一步离心涂敷制膜技术，成功制备出一种Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜材料，该方法不仅使薄膜材料在很大程度上维持了量子点的发光性能，还具有操作简单、成本低等优点，且所制备的钙钛矿量子点薄膜材料结晶质量高、双光子发射强度大，使得该材料在照明、显示等光电器件领域具有较大的应用潜力。

Description

一种Mn2+掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法

技术领域

本发明属于光电材料技术领域，涉及一种钙钛矿量子点薄膜材料，尤其涉及一种Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl，Br)钙钛矿量子点薄膜及其制备方法。

背景技术

铅卤钙钛矿材料在太阳能电池、激光、发光器件、生物传感器和存储器等领域具有诱人的应用潜力。特别是在光伏领域，在短短的七年时间里，对于以铅卤钙钛矿为光吸收层的太阳能电池，其光电转换效率从3.8％飙升到22.1％，展示出广阔的市场应用潜力。APbX₃(A＝MA⁺,FA⁺,X＝Cl,Br,I)型有机-无机杂化钙钛矿量子点(QDs)材料具有窄的半峰宽以及在整个可见光谱范围内可调谐的高效光致发光(PL)，但是该材料表现出的湿热不稳定性制约了它的进一步发展和应用。与有机-无机杂化钙钛矿相比，全无机钙钛矿(CsPbX₃，X＝Cl,Br,I)QDs不仅光学性质相当，而且还具有较高的稳定性，是杰出的候选光电材料。虽然全无机铅卤钙钛矿QDs有许多优点，但铅的高毒性易对环境和公共卫生造成严重的影响，因此大大限制了其在光电领域的实际应用。为了消除铅毒性的影响，开展少铅或无铅钙钛矿量子点材料的开发和研究工作，势在必行。离子掺杂是解决铅毒性问题的常用手段之一，而过渡金属Mn²⁺因其低毒性和储量丰富故被认为是较适宜的掺杂元素。除此之外，Mn还具有独特的光学性能，使得Mn²⁺掺杂的铅卤钙钛矿量子点显示出双光子发射特征。Mn²⁺掺杂铅卤钙钛矿量子点还具有发光可调、荧光寿命长、光热稳定性高的优点，同时还被期待具有新的光学、电学和磁学性能，因此该材料被认为是一种在显示、照明、激光防伪、医疗等领域具有广阔应用前景的新型钙钛矿材料。

目前，在无机铅卤钙钛矿量子点中的Mn掺杂研究大多采用高温热注入法，但高温下离子半径较小的Mn²⁺离子容易向量子点表面迁移，产生所谓的“自退火效应”，导致Mn²⁺掺杂浓度较低，继而影响了材料的双光子发射性能。同时也有研究表明虽然低温条件下可以实现较高的Mn²⁺掺杂量，但因为量子点材料结晶质量差，内部结构缺陷较高，使得Mn²⁺掺杂的铅卤钙钛矿量子点材料的光致发光性能也较差。另一方面，关于Mn掺杂钙钛矿量子点溶液和粉体材料的制备已有较多研究，但高发光性能的Mn掺杂量子点薄膜材料的制备和应用研究相对较少。此外，在量子点材料的应用过程中，对量子点的加工(如量子点提纯和后续粉体制膜等)，常常会破坏量子点表面配体导致其发生溶解或聚合反应，从而大大降低了量子点的发光性能。因此，在制备高发光性能的Mn²⁺掺杂铅卤钙钛矿量子点的基础上，探索能够充分保持量子点光学性能的制膜方法，对促进Mn²⁺掺杂无机钙钛矿量子点材料的应用具有积极的现实意义。

发明内容

本发明的目的就是提供一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法，用于解决现有高温热注入法制备Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜的过程中，温度过高导致Mn²⁺自退火效应过强，以及温度过低引起材料结构缺陷，进而使得产品发光性能较差的问题。

本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：

一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：

1)配制含油酸、胺基/氨基配体、CsX、PbY₂、MnZ₂的前驱体溶液；

2)将前驱体溶液与不良溶剂混合，使铯、铅等离子在不良溶剂中因过饱和而析出，并形成钙钛矿量子点，进而得到钙钛矿量子点溶液；

3)将薄膜衬底置于钙钛矿量子点溶液中并进行离心成膜，干燥后即得到所述的Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜；

其中，所述的胺基/氨基配体包括氨基配体或胺基配体中的一种或两种，X、Y、Z分别为Cl或Br中的至少一种，不良溶剂为CsX、PbY₂、MnZ₂的不良溶剂。

进一步地，步骤1)中，所述的前驱体溶液的配制方法包括以下步骤：

1-1)将油酸和油胺加入至有机溶剂中混合均匀；

1-2)加入CsX、PbY₂、MnZ₂，经磁力搅拌使其充分溶解后，静置30-60min即得到所述的前驱体溶液。

进一步地，步骤1-1)中，所述的胺基/氨基配体为油胺，所述的油酸与油胺的体积比为(0.5-1.5):(0.05-0.2)；

所述的有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺(DMF)；

所述的油酸和油胺的总体积与有机溶剂的体积之比为(0.55-1.7):10；

其中，油酸与油胺是作为铯源铅源的溶解辅助试剂，油酸的作用是把卤化铯和卤化铅的分子键拉开，生成油酸铯和油酸铅这两种中间产物，油胺的作用为与铅结合以提高铅的溶解度，量子点生成后油胺可作为钝化配体附着在量子点表面，使量子点发光。浓度方面，实际应用时，油酸纯度可为分析纯(AR)，油胺浓度优选为80-90％。

步骤1-2)中，所述的CsX、PbY₂、MnZ₂的摩尔比为1:1:(1-9)；所得混合溶液中，Mn浓度为0.04-0.31mol/L，油酸和油胺作为金属配体与溶液稳定剂，在该步骤中用于提高Cs⁺、Pb²⁺、Mn²⁺的溶解度。

在静置过程中，为使在CsPbBr₃量子点中达到高浓度的Mn²⁺掺杂，在前驱液中提高铅离子周围的锰离子浓度，使锰源与配体充分混合和反应，并使Mn²⁺离子充分取代Pb²⁺，故将静置时间延长至30-60min。

进一步地，步骤2)中，所述的前驱体溶液与不良溶剂混合前，先与氨基硅烷偶联剂进行混合，并且所述的氨基硅烷偶联剂中的N与混合溶液中Pb的摩尔比为(0.5-1.2):1。

更进一步地，所述的氨基硅烷偶联剂包括3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)、3-氨丙基三甲氧基硅烷(APTMS)、或3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷中的一种或几种组合。

作为优选的技术方案，所述的氨基硅烷偶联剂为3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)。

进一步地，步骤2)中，所述的不良溶剂包括甲苯；所述的前驱体溶液与甲苯的体积比为1:(20-80)。

前驱体溶液中的溶剂为DMF是Cs⁺、Pb²⁺的卤离子化合物的良溶剂，使Cs⁺、Pb²⁺在DMF中具有较大的溶解度，而甲苯是Cs⁺、Pb²⁺的卤离子化合物的不良溶剂。因此在将前驱体溶液加入至甲苯中时，Cs⁺、Pb²⁺在甲苯中会因过饱和而析出，并同时形成CsPbX₃钙钛矿量子点，进而得到CsPbX₃钙钛矿量子点溶液。

进一步地，步骤3)中，所述的薄膜衬底包括PET薄膜等柔性衬底。

进一步地，步骤3)中，所述的离心成膜过程中，离心转速为2000-4000rpm，离心时间为5-10min。

作为优选的技术方案，氨基硅烷加入后至离心成膜完成之间的时间控制在10min以内，以避免氨基硅烷过早水解产生大量的SiO₂，阻碍量子点的形成。

离心涂覆过程中，在一定转速下，利用离心力将悬浮于溶液中的一定尺寸的钙钛矿量子点与溶液分离开来，实现固液分离，并在分离过程中，胺基配体、偶联剂配体或两者共同起到将涂覆到衬底上的量子点链接成膜的作用，保证薄膜的致密性和稳定性。

一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜，采用如上所述的方法制备得到。

本发明采用室温一步离心涂敷制膜技术，成功制备出一种Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜材料，该材料在很大程度上维持了量子点的发光性能；同时该方法还具有操作简单、成本低等优点，所制备的钙钛矿量子点薄膜材料结晶质量高、橙红色双光子发射强度大，使得该材料在LED发光、照明、显示等光电器件领域具有较大的应用潜力。

与现有技术相比，本发明具有以下特点：

1)本发明首先通过添加油酸和油胺作为配体，以稳定Cs⁺、Pb²⁺、Mn²⁺及X^-，从而得到较高浓度的前驱体溶液，并通过搅拌混合与静置处理，以使锰源与配体进行充分的混合反应，并提高铅离子周围的锰离子浓度，进而有利于提高所得钙钛矿量子点薄膜中Cs、Pb、Mn的含量，同时使Mn²⁺离子在一定程度上取代Pb²⁺，实现高Mn:Pb比，增大Mn²⁺在钙钛矿量子点中的扩散驱动力，从而在CsPbX₃量子点中达到高浓度的Mn²⁺掺杂，保证量子点光学性能；

2)本发明首先利用胺基配体中一端的胺基与Pb²⁺结合，在氨基硅烷加入后置换胺基配体而附着在量子点表面，从而钝化量子点表面的Pb悬挂键，即对Pb²⁺实行封端钝化，有助于降低量子点表面的非辐射复合中心；同时在离心成膜过程中，氨基硅烷水解后，另一端的Si-O键会链接起来形成无定形SiO₂将量子点包围起来，形成球形包覆层，隔绝外界环境对量子点的影响，提高其发光量子效率和稳定性。同时，硅烷里的有机基团(氨基)和无机基团(甲氧基或乙氧基)也会增加与无机衬底(如玻璃衬底)和有机衬底(如本发明的柔性有机衬底)材料的粘结性，进而增加薄膜的致密性和稳定性。

其中水解过程具体是指在DMF这种强极性溶剂中，在-H键的作用下，使氨基硅烷APTES、APTMS中的Si-O键与甲基(CH₃)或乙基(CH₂CH₃)断开，并生成硅羟基(Si-O-H)中间体，而Si-O-H可以与自身或与其他的APTMS或APTES分子反应形成Si-O-Si，生成非晶态SiO₂，并实现量子点的包裹；

3)本发明通过常温掺杂方法提高Mn²⁺离子在CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点晶格中的浓度，既可以避免产生强Mn²⁺自退火效应，又不会因为温度过低使量子点产生高浓度结构缺陷，进而有利于保证量子点材料的双光子发射性能；

4)本发明中薄膜是在常温大气环境下合成，通过低速离心涂敷实现量子点提纯和成膜的同步进行，在此过程中，不会影响Mn²⁺在量子点晶格中的掺杂稳定性，也不会造成量子点表面配体的大量解吸，使得薄膜中的量子点能很大程度上继承和保持溶液中量子点的结构和光学性能；

5)本发明采用PET薄膜等柔性膜作为钙钛矿量子点薄膜的衬底，柔性衬底可弯折，可裁剪，可塑性强，不易碎裂，有利于拓展其在光电显示领域中的应用；

6)本发明提供的一种制备Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜的方法工艺简单易行，成本低，得到的量子点具有强的双光子发射特性，且该方法广泛适用于多种离子掺杂的量子点薄膜材料的制备。

附图说明

图1为实施例1中制备得到的Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜的吸收光谱图；

图2为实施例1中制备得到的Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜的带隙图；

图3为实施例1中制备得到的Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜的X射线衍射(XRD)图；

图4为实施例1中制备得到的Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜的PL光谱图；

图5为实施例1中制备得到的Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点溶液的PL光谱图；

图6为实施例1中量子点溶液离心前(左)与离心后(右)对比图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。

一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜，其制备方法包括以下步骤：

1)将OA、OAm及有机溶剂以体积比(0.5-1.5):(0.05-0.2):10混合均匀；其中，有机溶剂可选用N,N-二甲基甲酰胺(DMF)；

2)依照摩尔比1:1:(1-9)加入CsX、PbY₂、MnZ₂(其中Mn浓度为0.04-0.31mol/L)，经磁力搅拌使其充分反应后，静置30-60min得到前驱体溶液；其中，X、Y、Z分别为Cl或Br中的至少一种；

3)将前驱体溶液与甲苯以体积比1:(20-80)混合，得到钙钛矿量子点溶液；

4)将清洗干燥后的柔性薄膜衬底置于前驱体溶液中，在2000-4000rpm离心转速下离心5-10min，去除上清液并干燥后即得到Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜；其中柔性薄膜衬底可选用PET薄膜。

其中，步骤2)中，静置过程后，可将混合溶液与硅烷偶联剂混合，并作为前驱体溶液进行步骤3)；其中硅烷偶联剂包括APTES、APTMS中的至少一种；硅烷偶联剂中的N与混合溶液中Pb的摩尔比为(0.5-1.2):1。

本实施例以本发明技术方案为前提进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。

实施例1：

一种Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜，其制备方法包括以下步骤：

1)采用移液枪移取10mL DMF、1mL OA、0.2mL OAm，依次加入至烧杯中，之后加入0.4mmol CsBr、0.4mmol PbBr₂、1.2mmol MnCl₂混合后，经磁力搅拌使其充分反应，静置30min后得到混合溶液；

2)取1mL混合溶液与0.04mmol硅烷偶联剂APTES混合均匀，得到前驱体溶液；

3)取100μL前驱体溶液逐滴加入至5mL甲苯中，得到Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点溶液；

4)将柔性薄膜衬底清洗干燥后，加入至Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)量子点溶液中，之后在3000rpm离心转速下进行离心涂覆5min，去除上清液，取出产品，干燥后即得到Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜(如图6所示)。其中，柔性薄膜衬底可选用PET薄膜衬底、低密度聚乙烯(LDPE)薄膜衬底、氯化聚乙烯(CSPE)薄膜衬底等任一种常规柔性薄膜衬底。本实施例中所用的柔性薄膜衬底为PET薄膜衬底。

本实施例还包括对所制备的Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜进行结构性能表征，所得吸收光谱图、带隙图、XRD图、PL光谱图分别如图1至4所示。

从图1和图2中可以看出，本实施例所制备的钙钛矿量子点薄膜的带边激子吸收发生在420-430nm范围内，对应的带隙在2.56eV左右。

从图3中可以看出，本实施例所制备的钙钛矿量子点薄膜的晶体结构与四方相CsPbCl₃的标准卡片PDF#18-0366非常一致，且衍射峰较强，峰形尖锐，说明结晶质量较好。

从图4中可以看出，本实施例所制备的钙钛矿量子点薄膜具有425nm和600nm的双光子发射特征，发光颜色为橙红色，且600nm处锰的特征发光峰非常强，肯定了高浓度的Mn²⁺掺杂效果。

此外，本实施例还将步骤3)所制备的Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)量子点溶液进行光致发光测试，结果如图5所示，从图中可以看出，钙钛矿量子点溶液与钙钛矿量子点薄膜的PL光谱特征非常相似，说明薄膜中的量子点充分继承了溶液中量子点的光学性能。

实施例2：

一种Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜，其制备方法包括以下步骤：

1)采用移液枪移取10mL DMF、1mL OA、0.1mL OAm，依次加入至烧杯中，之后加入0.5mmol CsCl、0.5mmol PbBr₂、3.5mmol MnCl₂混合后，经磁力搅拌使其充分反应，静置30min后得到混合溶液；

2)取1mL混合溶液与0.06mmol硅烷偶联剂APTMS混合均匀，得到前驱体溶液；

3)取150μL前驱体溶液逐滴加入至5mL甲苯中，得到Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点溶液；

4)将PET薄膜衬底清洗干燥后，加入至Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)量子点溶液中，之后在3000rpm离心转速下进行离心涂覆8min，去除上清液，取出产品，干燥后即得到Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜。

实施例3：

一种Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜，其制备方法包括以下步骤：

1)将OA、OAm及DMF以体积比0.5:0.2:10混合均匀；其中OA体积用量为1mL；

2)依照摩尔比1:1:9加入CsBr、PbCl₂、MnBr₂(其中Mn浓度为0.04mol/L)，经磁力搅拌使其充分反应后，静置30min，再加入硅烷偶联剂APTMS，并使硅烷偶联剂中的N与混合溶液中Pb的摩尔比为0.5:1，混合均匀后得到前驱体溶液；

3)取前驱体溶液150μL并加入20倍体积的甲苯，得到钙钛矿量子点溶液；

4)将清洗干燥后的LDPE柔性薄膜衬底置于前驱体溶液中，在4000rpm离心转速下离心5min，去除上清液并干燥后即得到Mn²⁺掺杂CsPbX₃(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜。

实施例4：

一种Mn²⁺掺杂CsPbCl₃钙钛矿量子点薄膜，其制备方法包括以下步骤：

1)将OA、OAm及DMF以体积比1.5:0.05:10混合均匀；其中，OA体积用量为1mL；

2)依照摩尔比1:1:1加入CsCl、PbCl₂、MnCl₂(其中Mn浓度为0.31mol/L)，经磁力搅拌使其充分反应后，静置60min，再加入硅烷偶联剂APTES，并使硅烷偶联剂中的N与混合溶液中Pb的摩尔比为1.2:1，混合均匀后得到前驱体溶液；

3)取前驱体溶液150μL并加入80倍体积的甲苯，得到钙钛矿量子点溶液；

4)将清洗干燥后的PET柔性薄膜衬底置于前驱体溶液中，在2000rpm离心转速下离心10min，去除上清液并干燥后即得到Mn²⁺掺杂CsPbCl₃钙钛矿量子点薄膜。

实施例5：

一种Mn²⁺掺杂CsPbBr₃钙钛矿量子点薄膜，其制备方法包括以下步骤：

1)将OA、OAm及DMF以体积比1:0.1:10混合均匀；其中，OA体积用量为1mL；

2)依照摩尔比1:1:5加入CsBr、PbBr₂、MnBr₂(其中Mn浓度为0.2mol/L)，经磁力搅拌使其充分反应后，静置40min，再加入硅烷偶联剂APTES，并使硅烷偶联剂中的N与混合溶液中Pb的摩尔比为1:1，混合均匀后得到前驱体溶液；

3)取前驱体溶液150μL并加入50倍体积的甲苯，得到钙钛矿量子点溶液；

4)将清洗干燥后的PET柔性薄膜衬底置于前驱体溶液中，在3000rpm离心转速下离心8min，去除上清液并干燥后即得到Mn²⁺掺杂CsPbBr₃钙钛矿量子点薄膜。

上述的对实施例的描述是为便于该技术领域的普通技术人员能理解和使用发明。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其他实施例中而不必经过创造性的劳动。因此，本发明不限于上述实施例，本领域技术人员根据本发明的揭示，不脱离本发明范畴所做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)配制含油酸、胺基/氨基配体、CsX、PbY₂、MnZ₂的前驱体溶液；

2)将前驱体溶液与不良溶剂混合，得到钙钛矿量子点溶液；

3)将薄膜衬底置于钙钛矿量子点溶液中并进行离心成膜，干燥后即得到所述的Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜；

其中，所述的胺基/氨基配体包括氨基配体或胺基配体中的一种或两种，X、Y、Z分别为Cl或Br中的至少一种，不良溶剂为CsX、PbY₂、MnZ₂的不良溶剂。

2.根据权利要求1所述的一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述的前驱体溶液的配制方法包括以下步骤：

1-1)将油酸和油胺加入至有机溶剂中混合均匀；

1-2)加入CsX、PbY₂、MnZ₂，经搅拌、静置后，即得到所述的前驱体溶液。

3.根据权利要求2所述的一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1-1)中，所述的胺基/氨基配体为油胺，所述的油酸与油胺的体积比为(0.5-1.5):(0.05-0.2)；

所述的有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺；

所述的油酸与油胺的总体积与有机溶剂的体积之比为(0.55-1.7):10；

步骤1-2)中，所述的CsX、PbY₂、MnZ₂的摩尔比为1:1:(1-9)；所得混合溶液中，Mn浓度为0.04-0.31mol/L。

4.根据权利要求1所述的一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述的前驱体溶液与不良溶剂混合前，先与氨基硅烷偶联剂进行混合，并且所述的氨基硅烷偶联剂中的N与混合溶液中Pb的摩尔比为(0.5-1.2):1。

5.根据权利要求4所述的一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述的氨基硅烷偶联剂包括3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷或3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述的不良溶剂为甲苯；所述的前驱体溶液与甲苯的体积比为1:(20-80)。

7.根据权利要求1所述的一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述的薄膜衬底包括柔性衬底。

8.根据权利要求7所述的一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述的柔性衬底包括PET薄膜衬底。

9.根据权利要求1所述的一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述的离心成膜过程中，离心转速为2000-4000rpm，离心时间为5-10min。

10.一种Mn²⁺掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的方法制备得到。

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