CN113489289A - 驱动电路和包括其的电器 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种驱动电路和包括其的电器。该驱动电路包括驱动模块、导流开关以及控制模块。驱动模块包括串联在第一电压和第二电压之间的上桥臂开关管和下桥臂开关管。导流开关连接第二电压和下桥臂开关管的控制端。控制模块连接下桥臂开关管的控制端，以发出控制信号至下桥臂开关管从而控制下桥臂开关管是否导通。控制模块被配置为在控制信号控制下桥臂开关管截止时，将导流开关切换至导通状态。

Description

驱动电路和包括其的电器

技术领域

本申请涉及电子电路技术，特别是涉及一种驱动电路和包括其的电器。

背景技术

在诸如IGBT栅极驱动芯片的栅极驱动电路中，伴随着电路中开关管的通断或者雷电涌、关联设备的噪声等，常常会出现电压变动而导致dVs/dt噪声。尤其是高压侧开关管(也称上桥臂开关管)导通、低压侧开关管(也称下桥臂开关管)关断时的dVs/dt噪声将使关断的低压侧开关管承受比较高的dVs/dt噪声。该dVs/dt噪声会利用低压侧开关管本身的密勒效应，通过低压侧开关管的栅极和漏极之间的寄生电容向驱动电路放电。该放电过程所产生的峰值电压可能会超过低压侧开关管导通阈值电压而导致该低压侧开关管的误导通，从而造成上桥臂-下桥臂直通的现象，严重时导致高低压侧开关管“炸管”。

一般通过在开关管的栅极和源极之间连接电容的方式来保护低压侧开关管。所连接的电容可以分走一部分密勒电流，从而削弱上述峰值电压的影响。然而电容的面积大，在芯片中安装成本高。并且该分流方式是一种被动分流方式，可靠性低。

发明内容

本申请提供一种驱动电路和包括其的电器，以解决现有技术中密勒电流分流电路成本高且可靠性低的问题。

为解决上述问题，本申请所采用的一个技术方案是：提供一种驱动电路。该驱动电路包括驱动模块、导流开关以及控制模块。驱动模块包括串联在第一电压和第二电压之间的上桥臂开关管和下桥臂开关管。导流开关连接第二电压和下桥臂开关管的控制端。控制模块连接下桥臂开关管的控制端，以发出控制信号至下桥臂开关管从而控制下桥臂开关管是否导通。控制模块被配置为在控制信号控制下桥臂开关管截止时，将导流开关切换至导通状态。

为解决上述问题，本申请所采用的另一个技术方案是：提供一种电器。该家用电器包括上述驱动电路。

区别于现有技术，本申请利用控制模块检测下桥臂开关管是否截止，在下桥臂开关管截止时，使导流开关导通形成密勒电流分流路径。该分流方式在下桥臂开关管截止时主动形成分流路径，可靠性高。并且该分流方式无需利用电容，降低了电路的成本。

附图说明

为更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本申请第一实施例的驱动电路的原理框图；

图2是根据本申请第一实施例的驱动电路的电路图；

图3是根据本申请第二实施例的驱动电路的原理框图；

图4是根据本申请第二实施例的驱动电路的电路图；

图5是根据本申请第三实施例的驱动电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。具体请参考图1，图1是根据本申请实施例的电路的原理框图。如图1所示，驱动电路包括驱动模块10、控制模块20和导流开关M3。

具体地，驱动模块10用于控制施加在负载L_负载上的电压。如图1所示，驱动模块10包括串联在第一电压和第二电压之间的上桥臂开关管M1和下桥臂开关管M2。其中，上桥臂开关管M1在下文中也被称为高压侧开关管M1，下桥臂开关管M2在下文中也被称为低压侧开关管M2。

可选的，该第一电压为母线电压VH，该第二电压为公共电压COM。公共电压COM可选地为地电压。可选的，高压侧开关管M1和低压侧开关管M2都是N沟道MOS管。可选的，高压侧开关管M1的第一通路端连接母线电压VH。高压侧开关管M1的第二通路端连接低压侧开关管M2的第一通路端。低压侧开关管M2的第二通路端连接公共电压COM。在高压侧开关管M1的第二通路端和低压侧开关管M2的第一通路端之间的第一节点A作为该驱动模块10的输出端。

高压侧开关管M1和低压侧开关管M2可以被相互独立地控制。高压侧开关管M1为高压侧输出HO所控制。如图1所示，控制模块20包括用于产生低压侧的控制信号LO的控制信号产生电路101。控制信号产生电路101包括用于输出该低压侧的控制信号LO的控制信号输出引脚LO。低压侧开关管M2的导通或截止可选地为该控制信号LO(低压侧输出LO)所控制。通过高压侧输出HO和低压侧输出LO的控制，高压侧开关管M1和低压侧开关管M2可以交替地导通和截止，从而控制施加在负载L_负载上的电流。可选的，控制信号输出引脚LO与下桥臂开关管M2的控制端之间没有设置放电路径。

具体地，当高压侧开关管M1导通，低压侧开关管M2截止时，图1中第一节点A点处的电位Vs将被快速拉升至母线电压VH。在该过程中，第一节点A处的电压升幅可多达几百伏特，从而在A点处产生较大的dVs/dt噪声。

如图1所示，以低压侧开关管M2是N沟道MOS管为例，低压侧开关管M2包括在栅极和源极之间的GS寄生电容C_GS，在栅极和漏极之间的GD寄生电容C_GD，以及在源极和漏极之间的DS寄生电容C_DS。其中，GD寄生电容C_GD也被称为反向传输电容或者密勒电容C_GD。

上述dVs/dt噪声可以与密勒电容C_GD耦合，生成如图所示的密勒电流I_M，该效应一般称为密勒效应。如果密勒电流I_M完全流过栅极电阻R_G，则会在低压侧开关管M2的栅极上产生一个尖峰电压。当该尖峰电压大于低压侧开关管M2的阈值电压时，低压侧开关管M2会导通，从而产生上下桥臂直通的问题。

如图1中所示的驱动电路利用上文中提到的控制模块20和导流开关M3来对低压侧开关管M2的控制端放电，从而减弱甚至消除密勒电流I_M的影响。

可选的，控制模块20除了如上文所述地输出低压侧输出LO以控制低压侧开关管M2是否导通之外，还配置成检测低压侧开关管M2是导通还是截止。可选的，控制模块20侦测上文中所述的低压侧输出LO，并且根据低压侧输出LO来判断低压侧开关管M2是导通还是截止。例如，控制模块20侦测低压侧开关管M2的控制端电压(在图1中是栅极电压)V_GS是否小于参考电压V_ref。当低压侧开关管M2的控制端电压V_GS小于参考电压V_ref时，控制模块20判断低压侧开关管M2截止，可能产生上述密勒电流I_M。此时，控制模块20将导流开关M3切换至导通状态，从而分流可能产生的密勒电流I_M，以保护高压侧开关管M1和低压侧开关管M2免于直通发热严重或烧毁。

导流开关M3连接低压侧开关管M2的控制端和控制模块20。可选的，导流开关M3是N沟道MOS管。可选的，导流开关M3的第一通路端或漏极连接于低压侧开关管M2的控制端或栅极，导流开关M3的第二通路端或源极连接于公共电压COM。因此，当导流开关M3导通时，来自低压侧开关管M2的密勒电流I_M可以经导流开关M3流入公共电压COM处。

利用上述控制模块20和导流开关M3，当低压侧开关管M2处于截止状态时，可能产生的密勒电流I_M大部分被导流开关M3分流。一旦低压侧开关管M2处于截止状态，通过导流开关M3的导流路径就导通，控制模块20的元件也不用直接承受峰值电压的冲击。因此，本申请的密勒电流I_M导流方式的可靠性更高，其对电路元件的要求更低，体积小，成本也更低。

可选的，导流开关M3为金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管。MOS管的驱动功率小，开关速度快。导流开关M3采用MOS管，可以确保在低压侧开关管M2截止时，导流开关M3迅速切换至导通状态。

如图1所示，控制模块20包括电压检测单元202和导流开关控制信号产生单元203。

具体地，电压检测单元202用于检测低压侧开关管M2的栅极电压V_GS，并且输出对应的电压检测信号SV。可选的，当低压侧开关管M2的栅极电压V_GS大于参考电压V_ref时，电压检测单元202判断低压侧开关管M2处于导通状态。当低压侧开关管M2的栅极电压V_GS小于参考电压V_ref时，电压检测单元202判断低压侧开关管M2处于截止状态。

例如，当低压侧开关管M2为N沟道MOS管时，低压侧开关管M2可以具有导通阈值电压。当低压侧开关管M2的栅极和源极两端的电压V_GS大于低压侧开关管M2的导通阈值电压时，低压侧开关管M2才导通。因此，上文中所述的参考电压V_ref可以为低压侧开关管M2的导通阈值电压。可选的，参考电压V_ref可以为以其他方式设置的合理值，本申请对此不作限制。

由于图1中低压侧开关管M2的源极接低电压GND，低压侧开关管M2的栅极和源极两端的电压V_GS也称栅极电压V_GS。

具体地，导流开关控制信号产生单元203连接于电压检测单元202和导流开关M3之间。可选的，导流开关控制信号产生单元203的输入端连接于电压检测单元202的输出端。可选的，导流开关控制信号产生单元203的输出端连接于导流开关M3的控制端。可选的，导流开关控制信号产生单元203接收来自电压检测单元202的电压检测信号SV，并且根据该电压检测信号SV，生成对应的导流开关控制信号SS。

可选的，当电压检测信号SV表征低压侧开关管M2导通时，导流开关控制信号产生单元203生成第一导流开关控制信号SS_L。可选的，该第一导流开关控制信号SS_L是低电平。该第一导流开关控制信号SS_L被输出到导流开关M3的控制端，用于使导流开关M3处于截止状态。

可选的，当电压检测信号SV表征低压侧开关管M2截止时，导流开关控制信号产生单元203生成第二导流开关控制信号SS_H。可选的，该第二导流开关控制信号SS_H是高电平。该第二导流开关控制信号SS_H被输出到导流开关M3的控制端，用于使导流开关M3处于导通状态。

如上文所述，导流开关M3的导通不依赖于密勒电流I_M的产生，而是取决于低压侧开关管M2的栅极电压V_GS与参考电压V_ref之间的大小关系。因此，本申请的分流方法更可靠且延迟小。

参考图2，图2示出根据本申请一个实施例的控制模块20的一种实施方式的电路图。

如图2所示，控制模块20包括驱动输出单元201、电压检测单元202以及导流开关控制信号产生单元203。其中，驱动输出单元201可经由低压侧开关栅极电阻R_G将低压侧输出LO输出到低压侧开关管M2的控制端。

具体地，电压检测单元202从第二节点B接收低压侧开关管M2的栅极电压V_GS，并且从第三节点C输出电压检测信号SV。第二节点B位于控制信号输出引脚LO与下桥臂开关管M2的控制端之间，用作低压侧输出LO的采样节点。可选的，第二节点B位于低压侧开关栅极电阻R_G与下桥臂开关管M2的控制端之间。导流开关控制信号产生单元203从电压检测单元202的第三节点C接收电压检测信号SV，并且从第四节点D将导流开关控制信号SS输出到导流开关M3的控制端，以控制导流开关M3的导通和截止。

以下将参考图2详细描述控制模块20的各部分。

如图2所示，电压检测单元202可选的包括参考电压生成器2021和电压比较单元2023。其中，参考电压生成器2021用于生成参考电压V_ref。电压比较单元2023接收该参考电压V_ref和低压侧开关管M2的栅极电压V_GS，比较该参考电压V_ref和该栅极电压V_GS的大小，并且根据比较结果生成对应的电压检测信号SV。可选的，参考电压V_ref等于低压侧开关管M2的导通电压。

具体地，参考电压生成器2021包括第一路径、第二路径和第三路径。第一路径、第二路径和第二路径分别连接在工作电压VCC和公共电压COM之间。

第一路径包括第一开关管Q1。第一开关管Q1的第一通路端通过第一电阻R1连接于工作电压VCC。第一开关管Q1的第二通路端连接于公共电压COM。第一开关管Q1的第一通路端还连接于第一开关管Q1的控制端。可选的，第一开关管Q1为N沟道MOS开关管。第一开关管Q1也可以为其他类型的开关管，本申请对此不作限制。

第二路径包括第二开关管Q2、第三开关管Q3以及第二电阻R2。第二开关管Q2的第一通路端连接于工作电压VCC。第二开关管Q2的第二通路端连接于第三开关管Q3的第一通路端。第二开关管Q2的控制端还连接于第二开关管Q2的第二通路端。第二开关管Q2的控制端也称为第五节点E。该第五节点E输出偏置电压V_偏置。第三开关管Q3的第二通路端通过第二电阻R2连接于公共电压COM。第三开关管Q3的控制端还连接于第一开关管Q1的控制端。可选的，第二开关管Q2是P沟道MOS开关管。可选的，第三开关管Q3是N沟道MOS开关管。第二开关管Q2和第三开关管Q3也可以为其他类型的开关管，本申请对此不作限制。

第三路径包括第四开关管Q4。第四开关管Q4的第一通路端连接于工作电压VCC。第四开关管Q4的第二通路端依次通过第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5连接于公共电压COM。第四开关管Q4的控制端连接于第五节点E或者第二开关管Q2的控制端。可选的，第四开关管Q4是P沟道MOS开关管。第四开关管Q4也可以为其他类型的开关管，本申请对此不作限制。可选的，第四路径还包括连接于第四开关管Q4的第二通路端和公共电压COM之间的瞬变电压抑制二极管(TVS管)D1，用于防止施加在第三电阻R3、第四电阻R4以及第五电阻R5上的电压发生瞬变。可选的，TVS管D1的阴极连接于第四开关管Q4的第二通路端，TVS管D1的阳极连接于公共电压COM。第三电阻R3和第四电阻R4之间的节点为第六节点F。第六节点F用作参考电压生成器2021的输出点。即，第六节点F的电压为参考电压V_ref。

由图2可以看出，在工作状态中，第一路径、第二路径和第三路径上分别有对应的工作电流I₁、I₂和I₃产生。其中，第三路径的工作电流I₃在第六节点F处产生的电位大小为I₃*(R4+R5)。可以通过设计参考电压生成器2021的参数，使第六节点F的电位等于参考电压V_ref。

具体地，电压比较单元2023包括第五开关管Q5。第五开关管Q5的第一通路端连接于工作电压VCC。第五开关管Q5的控制端连接于参考电压生成器2021的第五节点E。第五开关管Q5的第二通路端分别经第一分支和第二分支连接于公共电压COM。可选的，第五开关管Q5为P沟道MOS开关管。第五开关管Q5也可以为其他类型的开关管，本申请对此不作限制。

具体地，第一分支包括第六开关管Q6和第七开关管Q7。第六开关管Q6的第一通路端连接于第五开关管Q5的第二通路端。第六开关管Q6的控制端连接于参考电压生成器2021的第六节点F，以接收参考电压V_ref。第六开关管Q6的第二通路端连接于第七开关管Q7的第一通路端。第七开关管Q7的第二通路端连接于公共电压COM。第七开关管Q7的控制端连接于第七开关管Q7的第一通路端。可选的，第六开关管Q6是P沟道MOS开关管。可选的，第七开关管Q7是N沟道MOS开关管。第六开关管Q6和第七开关管Q7也可以为其他类型的开关管，本申请对此不作限制。可选的，第七开关管Q7用作负载管。

具体地，第二分支包括第八开关管Q8和第九开关管Q9。第八开关管Q8的第一通路端连接于第五开关管Q5的第二通路端。第八开关管Q8的控制端连接于第二节点B，以接收低压侧开关管M2的栅极电压V_GS。第八开关管Q8的第二通路端连接于第九开关管Q9的第一通路端。第九开关管Q9的第二通路端连接于公共电压COM。第九开关管Q9的控制端连接于第七开关管Q7的控制端。可选的，第八开关管Q8是P沟道MOS开关管。可选的，第九开关管Q9是N沟道MOS开关管。第八开关管Q8和第九开关管Q9也可以为其他类型的开关管，本申请对此不作限制。可选的，第九开关管Q9用作负载管。

参考图2，在电压比较单元2023中，第五开关管Q5在来自第五节点E的偏置电压V_偏置控制下处于导通状态。可选的，第五开关管Q5在恒流区中工作，流过第五开关管Q5的电流为大小恒定的电流I₄。

可选的，第一分支的第六开关管Q6与第二分支的第八开关管Q8的电学参数相同。可选的，第一分支的第七开关管Q7与第二分支的第九开关管Q9电学参数的相同。即，第一分支和第二分支具有对称性。可选的，第一分支与第二分支也可以不对称，本申请对此不作限制。

可选的，流过第一分支的电流大小为I₅，流过第二分支的电流大小为I₆。根据电流守恒，可知I₄＝I₅+I₆。即，I₅和I₆的和一定。

从图2可知，第一分支的电流I₅的大小与作用于第六开关管Q6的控制端的参考电压V_ref有关。而第二分支的电流I₆的大小与作用于第八开关管Q8的控制端的上述栅极电压V_GS的大小有关。由于参考电压V_ref大小是一定的，因此，电流I₅和电流I₆的大小随栅极电压V_GS变化。

具体地，第八开关管Q8和第九开关管Q9之间的第三节点C为电压比较单元2023的输出端。第三节点C的电位即为电压检测信号SV。如果当参考电压V_ref与栅极电压V_GS相等时，第三节点C的电位SV等于平衡输出电位。则随着栅极电压V_GS变小，流过第八开关管Q8的电流I₆变大，施加在作为负载管的第九开关管Q9上的电压增大，第三节点C处的电位被拉高。因此，当栅极电压V_GS小于参考电压V_ref时，第三节点C的电位SV大于平衡输出电位。反之，当栅极电压V_GS大于参考电压V_ref时，第三节点C的电位SV小于平衡输出电位。如上文所述，电压检测信号SV被输出到导流开关控制信号产生单元203。

如图2所示，导流开关控制信号产生单元203包括放大电路2031和反相器2032。放大电路2031接收电压检测信号SV并生成对应的放大电路信号SA。反相器2032接收该放大电路信号SA并且生成对应的导流开关控制信号SS。

具体地，参考图2，放大电路2031包括第十开关管Q10和第十一开关管Q11。第十开关管Q10的第一通路端连接于工作电压VCC。第十开关管Q10的第二通路端连接于第十一开关管Q11的第一通路端。第十开关管Q10的控制端连接于参考电压生成器2021的第五节点E以受到偏置电压V_偏置的控制。第十一开关管Q11的第二通路端连接于公共电压COM。第十一开关管Q11的控制端连接于第三节点C以接收电压检测信号SV。

可选的，第十开关管Q10是P沟道MOS管。可选的，第十一开关管Q11是N沟道MOS管。第十开关管Q10和第十一开关管Q11也可以是其他类型的晶体管，本申请对此不作限制。可选的，第十开关管Q10用作放大电路2031的负载管，第十一开关管Q11用作放大电路2031的驱动管。

具体地，在第十开关管Q10的第二通路端和第十一开关管Q11的第一通路端之间的第七节点K用作放大电路2031的输出端，以输出放大电路信号SA。

具体地，如在图2中所示，在放大电路2031中，随着输入到第十一开关管Q11的控制端的电压检测信号SV增大，第十一开关管Q11的控制端和第二通路端之间的压差增大。此时，作为负载管的第十开关管Q10两端的电压升高，第七节点K的电位也随之下降。由上文可知，第七节点K的电位即为放大电路信号SA。因此，放大电路信号SA的电平随电压检测信号SV增大而下降。

可选的，设计放大电路2031的参数以满足如下两种情况：

情况1：当栅极电压V_GS小于参考电压V_ref，电压检测信号SV大于平衡输出电位时，设计放大电路2031，使得其输出的放大电路信号SA为低电平；

情况2：当栅极电压V_GS大于参考电压V_ref，电压检测信号SV小于平衡输出电位时，设计放大电路2031，使得其输出的放大电路信号SA为高电平。

具体地，参考图2，反相器2032包括第十二开关管Q12和第十三开关管Q13。第十二开关管Q12的第一通路端连接于工作电压VCC。第十二开关管Q12的第二通路端连接于第十三开关管Q13的第一通路端。第十二开关管Q12的控制端连接于放大电路2031的第七节点K以接收放大电路信号SA。第十三开关管Q13的第二通路端连接于公共电压COM。第十三开关管Q13的控制端连接于第七节点K以接收放大电路信号SA。

可选的，第十二开关管Q12是P沟道MOS管。可选的，第十三开关管Q13是N沟道MOS管。第十二开关管Q12和第十三开关管Q13也可以是其他类型的晶体管，本申请对此不作限制。

具体地，在第十二开关管Q12的第二通路端和第十三开关管Q13的第一通路端之间的第四节点D用作反相器2032的输出端，以输出导流开关控制信号SS。

反相器2032是一种非门，用于将输入的信号反相后输出。具体地，当放大电路信号SA为高电平时，第十二开关管Q12截止，第十三开关管Q13导通，第四节点D的电位为低电平。此时，反相器2032所输出的导流开关控制信号SS为低电平的第一导流开关控制信号SS_L。当放大电路信号SA为低电平时，第十二开关管Q12导通，第十三开关管Q13截止，第四节点D的电位为高电平。此时，反相器2032所输出的导流开关控制信号SS为高电平的第二导流开关控制信号SS_H。

由上文的描述可以看出，当低压侧开关管M2截止时,控制模块20通过侦测到低压侧开关管M2的栅极电压V_GS小于参考电压V_ref而发现低压侧开关管M2的该截止状态。响应于低压侧开关管M2的截止状态，控制模块20控制导流开关M3打开形成导流路径。可能产生的米勒电流I_M将从该导流路径流到低电压GND，从而预防米勒电流I_M可能造成的损害。

具体请参考图3和图4，图3是根据本申请的又一实施例的电路的原理框图，图4是根据该实施例的控制模块的一种实施方式的电路图。

图3中所示驱动电路与图1中所示驱动电路的不同之处在于：

在图1的驱动电路中，电压检测单元202从第二节点B接收低压侧开关管M2的栅极电压V_GS，第二节点B直接连接于低压侧开关管M2的控制端或栅极；

在图3的驱动电路中，电压检测单元202从第八节点B’接收低压侧开关管M2的栅极电压V_GS。第八节点B'位于控制信号输出引脚LO与下桥臂开关管M2的控制端之间，用作低压侧输出LO的采样节点。可选的，第八节点B'位于低压侧开关栅极电阻R_G与下桥臂开关管M2的控制端之间。即，第八节点B’经栅极电阻R_G连接于低压侧开关管M2的控制端或栅极。

具体参考图4，电压检测单元202从第八节点B’接收低压侧开关管M2的栅极电压V_GS，导流开关M3的第一通路端则依然经过第二节点B连接于低压侧开关管M2的控制端。

图3和图4的其他部分与图1和图2基本相同。为说明书简洁起见，本申请将不再对图3和图4进行更详细的描述。在图3和图4的实施例中，导流开关M3形成的导流路径与电压检测单元202的输入端第八节点B’之间被栅极电阻R_G隔开。

一方面，通过这种设置，来自低压侧开关管M2的米勒电流I_M要进入控制模块20就要先流经栅极电阻R_G。因此，更多的米勒电流I_M将选择直接从第二节点B处流入导流开关M3形成的导流路径。米勒电流I_M对控制模块20的冲击更小，系统的可靠性得到增强。

另一方面，当控制模块20导通低压侧开关管M2时，控制模块20输出的处于高电平的低压侧输出LO将第八节点B’处的电位迅速拉高。控制模块20可根据第八节点B’的高电位及时关闭导流开关M3形成的导流路径，从而不影响低压侧开关管M2的控制端电位的拉升，减少控制模块20对低压侧开关管M2响应速度的影响。

具体参考图5，图5示出根据本申请的又一实施例的控制模块20的电路图。与图3和图4中的实施例相比，图5中所示的控制模块20只包括一个反相器2032。反相器2032被设计成将小于参考电压V_ref的输入视为低电平信号。反相器2032从第八节点B’处接收栅极电压V_GS。该反相器2032可视为上文中所述的导流开关控制信号产生单元203。

当低压侧开关管M2截止时，栅极电压V_GS小于参考电压V_ref，此时的栅极电压V_GS作为低电平输入反相器2032中。反相器2032从第四节点D输出高电平的导流开关控制信号SS。导流开关控制信号SS控制导流开关M3导通以形成导流路径。

当控制模块20要导通低压侧开关管M2时，控制模块20输出的高电平的低压侧输出LO经第八节点B’输入反相器2032中。反相器2032从第四节点D输出低电平的导流开关控制信号SS。导流开关控制信号SS控制导流开关M3截止以关闭导流路径。

如上文所述，图5中的实施例以更简单的电路实现了分流米勒电流I_M的目的。该实施例的成本更低，可靠性高。

本申请还涉及一种电器。该电器可以是诸如电冰箱、空调、洗衣机、微波炉等在家庭或者办公场所中使用的电器。该电器也可以是诸如在工厂等场合中使用的三相交流电器。本申请对电器的具体类型不作限制。该电器包括上文所描述的驱动电路。由上文的描述可知，通过包括上文中所述的驱动电路，可以有效地防止该电器的误操作，并且保护该电器的驱动开关，延长电器的使用寿命。

以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种驱动电路，其特征在于，包括：

驱动模块，包括串联在第一电压和第二电压之间的上桥臂开关管和下桥臂开关管；

导流开关，连接所述第二电压和所述下桥臂开关管的所述控制端；

控制模块，连接所述下桥臂开关管的控制端，以发出控制信号至所述下桥臂开关管从而控制所述下桥臂开关管是否导通；

其中，所述控制模块被配置为在所述控制信号控制所述下桥臂开关管截止时，将所述导流开关切换至导通状态。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述控制模块包括：

控制信号产生电路，用于产生所述控制信号并在所述控制模块的控制信号输出引脚输出所述控制信号至所述下桥臂开关管的控制端，以控制所述下桥臂开关管是否导通；

导流开关控制电路，连接所述控制信号输出引脚与所述下桥臂开关管的控制端之间的采样节点，以侦测所述控制信号，其中，所述导流开关控制电路被配置为在所述控制信号控制所述下桥臂开关管截止时，将所述导流开关切换至导通状态。

3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述导流开关控制电路包括：

电压检测单元，连接所述采样节点以根据所述采样节点的电压而侦测所述控制信号；

导流开关控制信号产生单元，连接所述电压检测单元和所述导流开关的控制端，以根据所述控制信号的侦测结果而产生相应的导流开关控制信号，控制所述导流开关是否切换至导通状态。

4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述电压检测单元包括：

参考电压产生单元，用于产生参考电压；

电压比较单元，连接所述采样节点和所述参考电压产生单元，以比较所述采样节点的电压和所述参考电压，从而侦测所述控制信号是否被配置为控制所述下桥臂开关管截止。

5.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述导流开关控制信号产生单元包括：

反相器，连接所述电压检测单元和所述导流开关，以根据所述电压检测单元的检测结果而产生相应的所述导流开关控制信号，控制所述导流开关是否切换至导通状态。

6.根据权利要求5所述的驱动电路，其特征在于，所述导流开关控制信号产生单元进一步包括：

放大电路，连接在所述电压检测单元和所述反相器之间，以对所述电压检测单元的检测结果进行放大处理，并将放大后的所述检测结果输出至所述反相器以产生相应的所述导流开关控制信号。

7.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述导流开关控制电路包括：

导流开关控制信号产生单元，其中，所述导流开关控制信号产生单元为反相器，连接所述采样节点以根据所述采样节点的电压而侦测所述控制信号并产生相应的导流开关控制信号，控制所述导流开关是否切换至导通状态。

8.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述控制信号输出引脚与所述下桥臂开关管的控制端之间设置栅极电阻,其中，所述采样节点为所述下桥臂开关管的控制端与所述栅极电阻之间的节点，或为所述控制信号输出引脚与所述栅极电阻之间的节点。

9.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述导流开关为金属-氧化物-半导体场效应晶体管。

10.一种电器，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的驱动电路。

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