CN114667656B - 混合断路器、混合断路系统及断路方法 - Google Patents
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Abstract
一种混合断路器(200)、混合断路系统及断路方法，其中，混合断路器(200)包括：一个电源，其具有两个输出端(In 1、In 2)；一个半导体断路器(MSS 2)，其一端连接于电源的一个输出端(In 1)；一个能量吸收器(AC2)，其并联于半导体断路器(MSS 2)；一个第一机械接触(MC 21)，其连接于半导体断路器(MSS 2)的另一端；一个第一漏电放电电路(FLCC 21)，其一端连接于半导体断路器(MSS 2)和第一机械接触(MC 21)之间，并且，第一漏电放电电路(FLCC 21)串联于保护线(PE)上。在接地故障发生时，该混合断路器能够将本来可能流经人体的漏电流提前泄放掉，从而避免人体触电危险。
Description
技术领域
本发明涉及电力系统领域，尤其涉及混合断路器、混合断路系统及断路方法。
背景技术
由于直流电网的快速保护需求，固态断路器(SSCB，solid state circuitbreakers)被广泛应用。然而，在接地故障中，半导体断路器MSS断开以后，固态断路器中存在的电容会漏高频电流到地端。当这样的接地故障由于人体触电导致，漏电流会增加人体心室纤维性颤动(ventricular fibrillation)的潜在风险。固态断路器中存在的电容包括开关的寄生电容和阻尼电路的电容。
其中，在人体触电状况下，线路和地之间的共模电压产生了流过人体的高频漏电流。其中，漏电流的频率很高并且变化很大，高频电流即使在半导体断路器MSS断开以后也会流过电容。并且，通过减少半导体断路器MSS中的寄生电容来缓解漏电流的方式控制成本很难，特别是在高额电流情况下。
图1是混合断路器的结构示意图，如图1所示，混合断路器100包括一个半导体断路器MSS1和并联于所述半导体断路器MSS1的吸收电路AC1以及串联于所述半导体断路器MSS1的机械接触MC1。图2是混合断路器的半导体断路器及其吸收电路的电路连接图，由于半导体断路器MSS1连接在DC+和DC-两路上，因此其分别在DC+和DC-两路上具有相同的结构，即分别包括两个IGBT门级电路结构。具体地，在DC+上，半导体断路器MSS1包括串联的第一IGBT门级电路SS1和第二IGBT门级电路SS2，串联于电容C1和电阻R1并联于所述第一IGBT门级电路SS1和第二IGBT门级电路SS2以充当吸收电路。同理，在DC-上半导体断路器MSS1包括串联的第三IGBT门级电路SS3和第四IGBT门级电路SS4，串联于电容C2和电阻R2并联于第三IGBT门级电路SS3和第四IGBT门级电路SS4以充当吸收电路。
然而，第一IGBT门级电路SS1具有寄生电容CP1，第二IGBT门级电路SS2具有寄生电容CP2，第三IGBT门级电路SS3具有寄生电容CP3，第四IGBT门级电路SS4具有寄生电容CP4，寄生电容的存在导致现有技术的混合断路器仅依靠电力电子开关无法关断，当发生接地故障时，系统中存在漏电流沿着图2虚线所示的路径流动，造成开关无法完全关断。其中，高频漏电流流过电容C1和C2以及寄生电容CP1、CP2、CP3和CP4。
由于接地故障电流是流过吸收电路以及寄生电容的漏电流的总和，因此流过吸收电路以及寄生电容的漏电流都需要考虑。现有技术也提供了一些方案来解决这个问题，例如利用TVS和MOV吸收电路，然而并不能解决通过寄生电容的漏电流问题。现有技术也通过将漏电流在流到人体之前引导到地端来解决这个问题，然而，分流漏电流的元件每秒都会流过这些元件，这样就会持续影响整个电力系统的平常工作状态。
发明内容
本发明第一方面提供了一种混合断路器，其中，包括：一个电源，其具有两个输出端；一个半导体断路器，其一端连接于所述电源的一个输出端；一个能量吸收器，其并联于所述半导体断路器；一个第一机械接触，其连接于所述半导体断路器的另一端；一个第一漏电放电电路，其一端连接于所述半导体断路器和所述第一机械接触之间，并且，所述第一漏电放电电路串联于保护线上。
进一步地，所述第一漏电放电电路和所述保护线之间还连接有一个第一机械开关。
进一步地，所述第二漏电放电电路和所述保护线之间还连接有一个第二机械开关。
进一步地，所述混合断路器还包括：一个第二漏电放电电路，其一端连接于电源和所述半导体断路器之间，并且，所述第二漏电放电电路串联于所述保护线上。
进一步地，所述第二漏电放电电路包括两个电路结构，其中，所述电路结构是一个并联电路，所述并联电路包括两个并联支路，其中每个并联支路上包括两个串联的IGBT门级电路，其中，所述IGBT门级电路包括一个npn三极管和一个二极管，其中，在一个并联支路串联的两个IGBT门级电路之间的连接点和另一个并联电路的两个IGBT门级电路之间的连接点之间还连接有一个电阻，并且每个所述IGBT门级电路的三极管还并联有一个缓冲电路。
进一步地，所述第二漏电放电电路包括两个电路结构，其中，所述电路结构是一个并联电路，所述并联电路包括两个并联支路，其中每个并联支路上包括两个串联的MOSFET开关电路，其中，在一个并联支路串联的两个MOSFET开关电路之间的连接点和另一个并联电路的两个MOSFET开关电路之间的连接点之间还连接有一个电阻，并且每个所述MOSFET开关电路还并联有一个缓冲电路。
进一步地，所述混合断路器还包括：一个第二机械接触，所述第二机械接触串联于所述电源和所述半导体断路器之间，其中，所述第二漏电放电电路的一端连接于所述半导体断路器和所述第二机械接触之间。
进一步地，所述第一漏电放电电路包括两个电路结构，其中，所述电路结构是一个并联电路，所述并联电路包括两个并联支路，其中每个并联支路上包括两个串联的IGBT门级电路，其中，所述IGBT门级电路包括一个三极管和一个二极管，其中，在一个并联支路串联的两个IGBT门级电路之间的连接点和另一个并联电路的两个IGBT门级电路之间的连接点之间还连接有一个电阻，并且每个所述IGBT门级电路的三极管还并联有一个缓冲电路。
进一步地，所述第一漏电放电电路包括两个电路结构，其中，所述电路结构是一个并联电路，所述并联电路包括两个并联支路，其中每个并联支路上包括两个串联的MOSFET开关电路，其中，在一个并联支路串联的两个MOSFET开关电路之间的连接点和另一个并联电路的两个MOSFET开关电路之间的连接点之间还连接有一个电阻，并且每个所述MOSFET开关电路还并联有一个缓冲电路。
本发明第二方面提供了一种混合断路方法，其中，所述混合断路方法是在本发明第一方面提供的的混合断路器中执行，其中，所述混合断路方法包括如下步骤：当接地故障发生在负载端时，打开所述第一漏电放电电路；当接地故障发生在电源端时，打开所述第二漏电放电电路。
本发明第三方面提供了混合断路系统，其中，所述断路系统包括本发明第一方面所述的混合断路器，所述混合断路系统包括：处理器；以及与所述处理器耦合的存储器，所述存储器具有存储于其中的指令，所述指令在被处理器执行时使所述电子设备执行动作，所述动作包括：当接地故障发生在负载端时，打开所述第一漏电放电电路；当接地故障发生在电源端时，打开所述第二漏电放电电路。
在接地故障发生时，本发明提供的混合断路器能够将本来可能流经人体的漏电流提前泄放掉，从而避免人体触电危险。并且，本发明提供的混合断路器中的漏电放电电路是灵活配置的，其可以整合到混合断路器中，也能够设计为一个独立的附属元件。漏电放电电路的控制逻辑非常简单，控制信号足以控制漏电放电电路，现有的探测电流对控制器来说足以确定漏电放电电路的控制逻辑，并不需要额外信号。由于漏电放电电路利用IGBT门级电路或者MOFET，因此造价不高。
此外，在漏电放电电路打开时，主导漏电流的电流回路会建立。在平常状况下，漏电放电电路关闭时，电流的阻抗很高，因此几乎没有电流流过漏电放电电路。当漏电放电电路关闭时，本发明提供的混合断路器中的开关和二极管使得漏电放电电路每联的电容都通过二极管控制，因此能够利用硅的MOSFET/IGBT。漏电放电电路的电阻限制了流经该漏电放电电路的电流，其能够接触每个元件额电流的需求。
附图说明
图1是混合断路器的结构示意图；
图2是混合断路器的半导体断路器及其吸收电路的电路连接图；
图3是根据本发明一个具体实施例的混合断路器的结构示意图；
图4是电力系统的电路连接图；
图5是根据本发明一个具体实施例的混合断路器的漏电放电电路的电路示意图。
具体实施方式
以下结合附图，对本发明的具体实施方式进行说明。
本发明通过设置漏电放电电路将发生接地故障时的漏电流提前泄放。图3是本发明提供的混合断路器的结构示意图，其根据不同的应用场景具有不同的结构。
图4是电力系统的电路连接图，其特别地为一个直流电力系统。其中，交流电源S1为并联的两个电源支路B1和B2供电，所述电源支路B1和B2分别具有一个交流直流转换器(AC/DC converter)。具体电源支路B1和B2还分别串联有一个保护装置PD1和PD2，其中，在保护装置PD1和PD2之下还具有第一并联支路、第二并联支路、第三并联支路和第四并联支路。其中第一并联支路具有一个保护装置PD11，第二并联之路具有一个保护装置PD12，第三并联支路具有一个保护装置PD21，第四并联之路具有一个保护装置PD22。在直流电力系统还包括一个电池源B3和一个光伏电源B4，其中电池源B3和光伏电源B4还分别串联有保护装置PD3和PD4。在保护装置PD3和PD4之下还具有第五并联支路第六并联支路和第七并联支路。其中，第五并联支路串联有一个保护装置PD31，第六并联支路串联有一个保护装置PD32，第七并联支路串联有一个保护装置PD41。示例性地，本发明提供的混合断路器可以应用于保护装置PD1、PD2、PD3、PD4、PD11、PD12、PD21、PD22、PD31、PD32、PD41中的任一个。需要说明的是，本发明提供的混合断路器可以应用于直流电力系统以及交流电力系统。
如图3中的(a)所示，本发明提供的混合断路器200包括一个电源(未示出)、一个半导体断路器MSS2、一个能量吸收器AC2、一个第一机械接触MC21和一个第一漏电放电电路FLCC21。具体地，电源具有两个输出端，分别为第一输出端In1和第二输出端In2，第一输出端In1充当混合断路器200的第一输入端，第二输出端In2充当混合断路器200的第二输入端。其中，半导体断路器MSS2的一端连接于所述电源的第一输出端In1，能量吸收器AC2并联于所述半导体断路器MSS2，第一机械接触MC21连接于所述半导体断路器的另一端MSS2和负载(未示出)之间，第一漏电放电电路FLCC21的一端连接于所述半导体断路器MSS2和所述第一机械接触MC21之间，并且，所述第一漏电放电电路串联于所述电源和所述负载之间的保护线PE上。其中，所述负载连接于混合断路器200的第一输出端Out1和第二输出端Out2。因此，当接地故障产生时，电路中会存在漏电流会通过本发明提供的第一漏电放电电路FLCC21泄放掉，因此如果人在混合断路器200的第一机械接触MC21后端，由于漏电流通过第一漏电放电电路FLCC21提前泄放掉而不会有触电危险。
如图3中的(b)所示，所述混合断路器300还包括一个第二漏电放电电路FLCC22，其一端连接于电源和所述半导体断路器MSS2之间，并且，所述第二漏电放电电路FLCC22串联于所述电源和负载之间的保护线PE上。在本实施例中，混合断路器300包括两个漏电放电电路，电路中会存在漏电流会通过本发明提供的第一漏电放电电路FLCC21和第二漏电放电电路FLCC22泄放掉，因此人体在混合断路器200的第二机械接触MC22的前端和第一机械接触MC21后端都不会触电。
如图3中的(c)所示，所述混合断路器400还包括一个第二机械接触MC22，其中，所述第二机械接触MC22串联于所述电源和所述半导体断路器MSS2之间，所述第二漏电放电电路FLCC22的一端连接于所述半导体断路器MSS2和所述第二机械接触MC22之间。这种情况是一个机械接触不够关断，因此额外添加了第二机械接触辅助。
因此，根据不同的混合断路器应用场景选择不同的结构。当电源在两端都有时，例如包括电机负载，电f机负载用于相反地注入能量给母线发生故障的故障点，此时电机也充当一个源，因此在一个机械接触的关断能力足够的情况下则选择如图3(b)所示的混合断路器，在一个机械接触的关断能力不足的情况下则选择如图3(c)所示的混合断路器。当电源在一端时，选择如图3(a)所示的混合断路器。
进一步地，所述第一漏电放电电路FLCC21和所述保护线PE之间还连接有一个第一机械开关S21，所述第二漏电放电电路FLCC22和所述保护线PE之间还连接有一个第二机械开关S22。其中，所述第一机械开关S21和第二机械开关S22用于隔离保护线PE。在正常工作状态，混合断路器400中的第一机械接触MC21、第二机械接触MC22和半导体断路器MSS2是闭合的，第一漏电放电电路FLCC21及其第一机械开关S21与第二漏电放电电路FLCC22及其第二机械开关S22是断开的。
如图3(c)所示，假设在本实施例中，接地故障F发生在第一输出端Out1和地端G之间。因此混合断路器400中元件的关断顺序应该是首先断开半导体断路器MSS2和闭合第一机械开关S21，然后闭合第一漏电放电电路FLCC21，接着断开第一机械接触MC21，然后断开第一漏电放电电路FLCC21，最后断开第二机械接触MC22。在这个过程中，当第一漏电放电电路FLCC21断开以后，其承担了多数的电压下跌即使在第一机械开关S21闭合时。因此，第一机械开关S21和第一机械开关S22的额定电压缓解。当第一漏电放电电路FLCC21闭合以后，其通过支路的电流通过第一漏电放电电路FLCC21泄放，因此第一机械开关S21和第一机械开关S22的额定电流不需要太大。因此当接地故障发生时，漏电流会在可能流过人体以前通过第一漏电放电电路FLCC21提前泄放掉。在电力系统正常工作时，本发明提供的漏电放电电路只有非常少的电流通过其自身流到地端。
如图3(b)所示，当短路故障发生时，首先半导体断路器MSS2断开，然后第一机械接触MC21和第二机械接触MC22断开，因此在这种情况下所有漏电放电电路在这种情况下都断开。当接地故障F1在输出端(也就是负载端)发生时，首先半导体断路器MSS2断开，第二漏电放电电路第二漏电放电电路FLCC22闭合，然后第二机械接触MC22断开，接着第二漏电放电电路FLCC22断开。当接地故障F2在输入端(也就是电源端)发生时，首先半导体断路器MSS2断开，第一漏电放电FLCC21闭合，然后第一机械接触MC21断开，接着第一漏电放电电路FLCC22断开。
图5是根据本发明一个具体实施例的混合断路器的漏电放电电路的电路示意图。如图5所示，所述第一漏电放电电路FLCC21包括两个如图5所示的电路结构20，因此分别需要从DC+和DC-两路分别连接至保护线PE。其中，所述电路结构20是一个并联电路，所述并联电路包括两个并联支路，其中每个并联支路上包括两个串联的IGBT门级电路。其中，所述IGBT门级电路包括一个三极管。其中，在一个并联支路串联的两个IGBT门级电路之间的连接点和另一个并联电路的两个IGBT门级电路之间的连接点之间还连接有一个电阻R，并且每个所述IGBT门级电路的三极管还并联有一个缓冲电路。
具体地，第一并联支路上包括串联的第一IGBT门级电路S1和第二IGBT门级电路S2，第二并联支路上包括串联的第三IGBT门级电路S3和第四IGBT门级电路S4。第一IGBT门级电路S1包括一个第一npn三极管T1和第一二极管D1，第二IGBT门级电路S2包括一个第二npn三极管T1和第二二极管D2，其中所述第一二极管D1的正极连接于所述第一npn三极管T1的发射极，所述第一二极管D1的负极连接于所述第二npn三极管T1的发射极，所述第二二极管D2的负极连接于所述连接于所述第二npn三极管T1的集电极。第三IGBT门级电路S3包括一个第三npn三极管T3和第三二极管D3，第四IGBT门级电路S4包括一个第四npn三极管T4和第四二极管D4，其中所述第三二极管D3的负极连接于所述第三npn三极管T3的集电极，所述第三二极管D3的正极连接于所述第四npn三极管T4的集电极，所述第四二极管D4的正极连接于所述第四npn三极管T4的发射极。上述二极管起反向阻隔作用。并且，串联的第一电阻RS1和第一电容CS1并联于所述第一npn三极管T1充当第一IGBT门级电路S1的缓冲电路，串联的第二电阻RS2和第二电容CS2并联于所述第二npn三极管T2充当第二IGBT门级电路S2的缓冲电路，串联的第三电阻RS3和第三电容CS3并联于所述第三npn三极管T3充当第三IGBT门级电路S3的缓冲电路，串联的第四电阻RS4和第四电容CS4并联于所述第四npn三极管T4充当第四IGBT门级电路S4的缓冲电路。并且，所述第一IGBT门级电路S1和第二IGBT门级电路S2的连接点和所述第三IGBT门级电路S3和第四IGBT门级电路S4的连接点之间还连接有一个电阻R。
同理，所述第二漏电放电电路也包括两个电路结构，其中，所述电路结构是一个并联电路，所述并联电路包括两个并联支路，其中每个并联支路上包括两个串联的IGBT门级电路，其中，所述IGBT门级电路包括一个npn三极管和一个二极管。为简明起见，不再赘述。
可选地，所述第二漏电放电电路包括两个电路结构，其中，所述电路结构是一个并联电路，所述并联电路包括两个并联支路，其中每个并联支路上包括两个串联的MOSFET开关电路，其中，在一个并联支路串联的两个MOSFET开关电路之间的连接点和另一个并联电路的两个MOSFET开关电路之间的连接点之间还连接有一个电阻，并且每个所述MOSFET开关电路还并联有一个缓冲电路。
可选地，所述第一漏电放电电路包括两个电路结构，其中，所述电路结构是一个并联电路，所述并联电路包括两个并联支路，其中每个并联支路上包括两个串联的MOSFET开关电路，其中，在一个并联支路串联的两个MOSFET开关电路之间的连接点和另一个并联电路的两个MOSFET开关电路之间的连接点之间还连接有一个电阻，并且每个所述MOSFET开关电路还并联有一个缓冲电路。
其中，漏电放电电路的目的在于形成低阻抗电流通路，其能够分流通过人体的漏电流。当漏电放电电路不工作时，本发明提供的混合断路器中的所有开关元件都会断开，电流几乎不会流经漏电放电电路。当漏电放电电路工作时，本发明提供的混合断路器中的所有开关元件都会断开，因此漏电流会流经漏电放电电路。
如图5所示，当IGBT门级电路S1～S4断开，其中从图5中A点到B点的电流路径会在一个高阻抗状态。由于每个IGBT门级电路都串联有一个二极管，因此漏电放电电路的电容会被该二极管限制。这样的电路结构限制了漏电流在这样的状态中，其用小寄生电容解除了开关需求。电阻R也用于限制电流。因此，硅的MOSFET也可以替代碳化硅的门级电路。
当IGBT门级电路S1～S4闭合时，其中从图5中A点到B点的电流路径会在一个低阻抗状态，其阻抗大部分是由电阻R组成的。由于电阻R低于人体的电阻，当接地故障发生时漏电流会从人体提前分流。其中，当第一门级电路S1和第四门级电路S4闭合时，漏电流通过如图5所示的路径P1泄放，当第二门级电路S2和第三门级电路S3闭合时，漏电流通过如图5所示的路径P2泄放。
为了验证本发明提供的混合断路器，下面通过模拟接地故障来执行仿真。首先假设接地故障电阻是750欧，其与人体电阻相等，并且假设接地故障发生在如图3(c)所示的混合断路器的母线。然后检测故障电流ifault和流经漏电放电电路的电流，仿真结果是相较于现有技术，本发明提供的混合断路器中的故障电流ifault在0.107s以后就减少到0.05A，而如图1所示的现有技术的固体断路器的故障电流ifault达到0.4A。同时，如图3(c)所示的混合断路器的第一漏电放电电路FLCC21只需要承担几个毫秒的电流，并且电流值能够通过第一漏电放电电路FLCC21的电阻而改变。并且，当漏电放电电路不工作时，也就是在0.105秒以前，流经漏电放电电流的电流值几乎为0。
本发明第二方面提供了一种混合断路方法，其中，所述混合断路方法是在本发明第一方面提供的的混合断路器中执行，其中，所述混合断路方法包括如下步骤：当接地故障发生在负载端时，打开所述第一漏电放电电路；当接地故障发生在电源端时，打开所述第二漏电放电电路。
本发明第三方面提供了混合断路系统，其中，所述断路系统包括本发明第一方面所述的混合断路器，所述混合断路系统包括：处理器；以及与所述处理器耦合的存储器，所述存储器具有存储于其中的指令，所述指令在被处理器执行时使所述电子设备执行动作，所述动作包括：当接地故障发生在负载端时，打开所述第一漏电放电电路；当接地故障发生在电源端时，打开所述第二漏电放电电路。
在接地故障发生时，本发明提供的混合断路器能够将本来可能流经人体的漏电流提前泄放掉，从而避免人体触电危险。并且，本发明提供的混合断路器中的漏电放电电路是灵活配置的，其可以整合到混合断路器中，也能够设计为一个独立的附属元件。漏电放电电路的控制逻辑非常简单，控制信号足以控制漏电放电电路，现有的探测电流对控制器来说足以确定漏电放电电路的控制逻辑，并不需要额外信号。由于漏电放电电路利用硅的IGBT门级电路或者MOSFET，因此造价不高。
此外，在漏电放电电路打开时，主导漏电流的电流回路会建立。在平常状况下，漏电放电电路关闭时，电流的阻抗很高，因此几乎没有电流流过漏电放电电路。当漏电放电电路关闭时，本发明提供的混合断路器中的开关和二极管使得漏电放电电路每联的电容都通过二极管控制，因此能够利用硅的MOSFET/IGBT。漏电放电电路的电阻限制了流经该漏电放电电路的电流，其能够解除每个元件额电流的需求。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。此外，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求；“包括”一词不排除其它权利要求或说明书中未列出的装置或步骤；“第一”、“第二”等词语仅用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。
Claims (10)
1.混合断路器，其中，包括：
一个电源，其具有两个输出端；
一个半导体断路器，其一端连接于所述电源的一个输出端；
一个能量吸收器，其并联于所述半导体断路器；
一个第一机械接触，其连接于所述半导体断路器的另一端；
一个第一漏电放电电路，其一端连接于所述半导体断路器和所述第一机械接触之间，并且，所述第一漏电放电电路串联于保护线上；
一个第二漏电放电电路，其一端连接于电源和所述半导体断路器之间，并且，所述第二漏电放电电路串联于所述保护线上。
2.根据权利要求1所述的混合断路器，其特征在于，所述第一漏电放电电路和所述保护线之间还连接有一个第一机械开关。
3.根据权利要求2所述的混合断路器，其特征在于，第二漏电放电电路和所述保护线之间还连接有一个第二机械开关。
4.根据权利要求1所述的混合断路器，其特征在于，所述第二漏电放电电路包括两个电路结构，其中，所述电路结构是一个并联电路，所述并联电路包括两个并联支路，其中每个并联支路上包括两个串联的IGBT门级电路，其中，所述IGBT门级电路包括一个npn三极管，其中，在一个并联支路串联的两个IGBT门级电路之间的连接点和另一个并联电路的两个IGBT门级电路之间的连接点之间还连接有一个电阻，并且每个所述IGBT门级电路的三极管还并联有一个缓冲电路。
5.根据权利要求1所述的混合断路器，其特征在于，所述第二漏电放电电路包括两个电路结构，其中，所述电路结构是一个并联电路，所述并联电路包括两个并联支路，其中每个并联支路上包括两个串联的MOSFET开关电路，其中，在一个并联支路串联的两个MOSFET开关电路之间的连接点和另一个并联电路的两个MOSFET开关电路之间的连接点之间还连接有一个电阻，并且每个所述MOSFET开关电路还并联有一个缓冲电路。
6.根据权利要求1所述的混合断路器，其特征在于，所述混合断路器还包括：
一个第二机械接触，所述第二机械接触串联于所述电源和所述半导体断路器之间，
其中，第二漏电放电电路的一端连接于所述半导体断路器和所述第二机械接触之间。
7.根据权利要求1所述的混合断路器，其特征在于，所述第一漏电放电电路包括两个电路结构，其中，所述电路结构是一个并联电路，所述并联电路包括两个并联支路，其中每个并联支路上包括两个串联的IGBT门级电路，其中，所述IGBT门级电路包括一个三极管，其中，在一个并联支路串联的两个IGBT门级电路之间的连接点和另一个并联电路的两个IGBT门级电路之间的连接点之间还连接有一个电阻，并且每个所述IGBT门级电路的三极管还并联有一个缓冲电路。
8.根据权利要求1所述的混合断路器，其特征在于，所述第一漏电放电电路包括两个电路结构，其中，所述电路结构是一个并联电路，所述并联电路包括两个并联支路，其中每个并联支路上包括两个串联的MOSFET开关电路，其中，在一个并联支路串联的两个MOSFET开关电路之间的连接点和另一个并联电路的两个MOSFET开关电路之间的连接点之间还连接有一个电阻，并且每个所述MOSFET开关电路还并联有一个缓冲电路。
9.混合断路方法，其中，所述混合断路方法是在所述权利要求1至8任一项所述的混合断路器中执行，其中，所述混合断路方法包括如下步骤：
当接地故障发生在负载端时，打开所述第一漏电放电电路；
当接地故障发生在电源端时，打开第二漏电放电电路。
10.混合断路系统，其中，所述断路系统包括所述权利要求1至8任一项所述的混合断路器，所述混合断路系统包括：
处理器；以及
与所述处理器耦合的存储器，所述存储器具有存储于其中的指令，所述指令在被处理器执行时使电子设备执行动作，所述动作包括：
当接地故障发生在负载端时，打开所述第一漏电放电电路；
当接地故障发生在电源端时，打开所述第二漏电放电电路。
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