CN113488394A - 晶圆的键合方法及系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种晶圆的键合方法及系统,将器件晶圆与绷膜环固定之后,将所述绷膜环的标识和所述器件晶圆的标识绑定,然后在多个机台上完成所述器件晶圆的键合步骤,直至将所述器件晶圆中的合格芯片分别键合至目标晶圆上,由于绷膜环的标识可以通过激光打标方式制备,可以兼容键合步骤中的工艺,无需在绷膜环或器件晶圆上贴纸质标签,每个所述机台通过识别所述绷膜环的标识即可识别出所述器件晶圆,完成所述器件晶圆的键合之后再将所述绷膜环的标识与所述器件晶圆的标识解绑,也可以回收并重复利用所述绷膜环,不会造成原材料的浪费。

Description

晶圆的键合方法及系统
技术领域
本发明涉及半导体制备技术领域,尤其涉及一种晶圆的键合方法及系统。
背景技术
在传统半导体器件的后段封装工艺中,器件的晶圆的切割、减薄、扩膜、贴片工艺通常需要将晶圆固定在带胶带的绷膜环上。每个晶圆都有不同的标识,不同的机台通过识别晶圆的标识而识别出晶圆。由于晶圆划片之后,机台就无法读取晶圆上的标识了,目前常规做法是将晶圆的标识打印在纸质标签上,并将纸质标签贴在胶带上或绷膜环上,通过识别纸质标签而获取出晶圆的标识。
但是在C2W混合键合工艺中,传统后段封装工艺中的步骤会对应转移到前段制造工艺中,例如后段封装工艺中的切割工艺、贴膜工艺、清洗工艺、扩膜工艺及键合工艺等会对应转移到前段制造工艺中,纸质标签无法与这些后段封装工艺兼容。需要使用前道工艺制作ID以替代纸质标签,常用的是激光打标。
虽然,目前可以通过激光打标的方式在胶带或绷膜环上打上晶圆的标识,然而,胶带在绷膜环为拉紧状态,打标会对其造成损伤甚至破裂,其承载的晶圆也会破片;绷膜环通常为不锈钢材质,适合打标,但是在绷膜环打标后,标识无法更改,绷膜环无法回收并直接重复利用会引发机台的紊乱,仅使用一次则会造成原材料的极度浪费。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆的键合方法及系统,以解决现有的晶圆识别方式无法应用于C2W键合工艺的问题。
为了达到上述目的,本发明提供了一种晶圆的键合方法,包括:
提供绷膜环及器件晶圆,并分别获取所述绷膜环和所述器件晶圆的标识;
将所述器件晶圆与所述绷膜环固定,并将所述绷膜环的标识和所述器件晶圆的标识绑定;
在多个机台上完成所述器件晶圆的键合,直至将所述器件晶圆中的合格芯片分别键合至目标晶圆上,每个所述机台均通过识别所述绷膜环的标识识别所述器件晶圆;以及,
将所述绷膜环的标识与所述器件晶圆的标识解绑,回收并重复利用所述绷膜环。
可选的,利用混合键合工艺将所述合格芯片分别键合至所述目标晶圆上。
可选的,所述机台包括划片机台及键合机台,所述器件晶圆的进行键合的步骤包括:
利用所述划片机台对所述器件晶圆进行划片,以将所述器件晶圆切割为单个的所述芯片;以及,
利用所述键合机台将所述芯片中的合格芯片分别键合至所述目标晶圆上。
可选的,所述绷膜环上贴附有一胶带,通过将所述器件晶圆贴附在所述胶带上以将所述器件晶圆与所述绷膜环固定。
可选的,所述机台还包括扩膜机台,对所述器件晶圆进行划片之后,将所述芯片中的合格芯片分别键合至所述目标晶圆上之前,所述器件晶圆进行键合的步骤还包括:
利用所述扩膜机台对所述胶带进行扩膜,以使相邻的所述芯片之间的间距增大。
可选的,回收并重复利用所述绷膜环之前,撕去所述绷膜环上的胶带。
可选的,所述胶带包括蓝膜或UV膜。
可选的,所述划片机台包括激光切割机台、刀轮切割机台及刻蚀机台中的一种或多种。
可选的,将所述器件晶圆与所述绷膜环固定时,所述器件晶圆还通过临时键合胶键合了载片晶圆。
可选的,所述机台还包括解键合机台及清洗机台,对所述器件晶圆进行划片之前,所述器件晶圆进行键合的步骤还包括:
利用所述解键合机台将所述器件晶圆与所述载片晶圆解键合,以分离所述载片晶圆;以及,
利用所述清洗机台对所述器件晶圆进行清洗,以去除所述器件晶圆表面的所述临时键合胶。
可选的,当所述绷膜环的使用次数超过一设定值时,将所述绷膜环报废处理。
可选的,所述绷膜环上的标识通过激光打标的方式制备。
本发明还提供了一种晶圆的键合系统,包括:
标识获取模块,用于分别获取提供的绷膜环和器件晶圆的标识;
标识绑定模块,用于将所述器件晶圆与所述绷膜环固定,并将所述绷膜环的标识和所述器件晶圆的标识绑定;
多个标识识别模块,位于对应的机台上,在多个所述机台上完成所述器件晶圆的键合,直至将所述器件晶圆中的合格芯片分别键合至目标晶圆上,每个所述机台的所述标识识别模块通过识别所述绷膜环的标识识别所述器件晶圆;以及,
标识解绑模块,用于将所述绷膜环的标识与所述器件晶圆的标识解绑,以回收并重复利用所述绷膜环。
在本发明提供的晶圆的键合方法及系统中,将器件晶圆与绷膜环固定之后,将所述绷膜环的标识和所述器件晶圆的标识绑定,然后在多个机台上完成所述器件晶圆的键合步骤,直至将所述器件晶圆中的合格芯片分别键合至目标晶圆上,由于绷膜环的标识可以通过激光打标方式制备,可以兼容混合键合步骤中的工艺,无需在绷膜环或器件晶圆上贴纸质标签,每个所述机台通过识别所述绷膜环的标识即可识别出所述器件晶圆,完成所述器件晶圆的键合之后再将所述绷膜环的标识与所述器件晶圆的标识解绑,也可以回收并重复利用所述绷膜环,不会造成原材料的浪费。
附图说明
图1为本发明实施例提供的晶圆的键合方法的流程图;
图2a~图5为本发明实施例提供的晶圆的键合方法的相应步骤对应的结构示意图,其中,图3c是图3b沿A-A方向的剖面示意图;
图6为本发明实施例提供的晶圆的键合系统的结构框图;
其中,附图标记为:
100-绷膜环;101-绷膜环的标识;200-器件晶圆;201-器件晶圆的标识;202-芯片;202a-合格芯片;203-临时键合胶;204-载片晶圆;300-胶带;400-目标晶圆;
10-标识获取模块;20-标识绑定模块;31…3n-标识识别模块;40-标识解绑模块。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
图1为本实施例提供的晶圆的键合方法的流程图。如图1所示,所述晶圆的键合方法包括:
步骤S100:提供绷膜环及器件晶圆,并分别获取所述绷膜环和所述器件晶圆的标识;
步骤S200:将所述器件晶圆与所述绷膜环固定,并将所述绷膜环的标识和所述器件晶圆的标识绑定;
步骤S300:在多个机台上完成所述器件晶圆的键合,直至将所述器件晶圆中的合格芯片分别键合至目标晶圆上,每个所述机台均通过识别所述绷膜环的标识识别所述器件晶圆;以及,
步骤S400:将所述绷膜环的标识与所述器件晶圆的标识解绑,回收并重复利用所述绷膜环。
图2a~图5为本实施例提供的晶圆的键合方法的相应步骤对应的结构示意图。接下来,将结合图2a~图5对本实施例提供的晶圆的键合方法进行详细说明。
请参阅图2a及图2b,执行步骤S100,提供所述绷膜环100和所述器件晶圆200,并分别获取所述绷膜环100的标识101和所述器件晶圆200的标识201。
如图2a所示,所述绷膜环100可以采用不锈钢等金属材料制备而成,所述绷膜环100的表面上可以通过诸如激光打标的方式制备标识101,每个所述绷膜环100均具有特定的标识101,通过识别所述标识101即可识别出所述绷膜环100。
如图2b所示,所述器件晶圆200的表面上可以通过诸如激光打标工艺等制备了标识201,每个所述器件晶圆200均具有特定的标识201,通过识别所述标识201即可识别出所述器件晶圆200。
结合图2a及图2b所示,本实施例提供的所述绷膜环100的标识101为“abc1234”,所述器件晶圆200的标识201为“ABC1234”。应理解,本实施例中的标识101和标识201仅是示意,实际应用中,所述标识101和所述标识201可以根据需要使用任意字母和/或数字组合构成。
可选的,所述绷膜环100上可以设置限位槽等定位结构,类似的,所述器件晶圆200上也可以设置缺口等定位结构,此处不再一一解释说明。
请参阅图3a至图3c,执行步骤S200,将所述器件晶圆200与所述绷膜环100固定,并将所述绷膜环100的标识101和所述器件晶圆200的标识201绑定。
如图3a所示,首先将一胶带300贴附在所述绷膜环100上,具体是贴在所述绷膜环100没有所述标识101的一面。然后切割所述胶带300,使得所述胶带300的尺寸小于所述绷膜环100的尺寸,所述胶带300的边缘位于所述绷膜环100的边缘内,便于后续的传片。
如图3b所示,将所述器件晶圆200贴附在所述胶带300上,从而将所述器件晶圆200与所述绷膜环100固定。所述器件晶圆200贴附在所述胶带300上之后,所述器件晶圆200位于所述绷膜环100的内环面内,并且,所述器件晶圆200的尺寸小于所述绷膜环100的内环面的尺寸,使得所述器件晶圆200的边缘与所述绷膜环100的内环面之间具有间隙,为后续的扩膜留出余量。
如图3c所示,本实施例中,所述器件晶圆200的一面还通过临时键合胶203键合了载片晶圆204。具体而言,在所述器件晶圆200上涂布临时键合胶203,并将所述载片晶圆204通过所述临时键合胶203与所述器件晶圆200临时键合。所述载片晶圆204可以是在所述器件晶圆200内形成背连线或TSV等结构之前形成的,并用于在减薄所述器件晶圆200或在所述器件晶圆200内形成背连线、TSV时提供支撑。
应理解,将所述器件晶圆200贴附在所述胶带300上时,是将所述器件晶圆200未键合所述载片晶圆204的一面贴附在所述胶带300上。
可选的,所述胶带300可以是蓝膜或UV膜等具有粘性的薄膜,所述胶带300可以在所述器件晶圆200进行划片之后粘附住每个芯片202,使得所述器件晶圆200即使完成划片之后仍旧能够保持完整的晶圆形状,不会散开。并且,蓝膜或UV膜可以保护器件晶圆200的表面形成的半导体结构,使其不至于被后续工艺污染,也不会因为被暴露在空气中而将金属部件氧化。
作为可选实施例,所述器件晶圆200的一面也可以不键合所述载片晶圆204,而是贴附背面研磨胶带(Back Grinding Tape),或者,也可以利用静电吸盘(e-chuck)吸附住所述器件晶圆200的一面。
接下来,并将所述绷膜环100的标识101和所述器件晶圆200的标识201绑定,也即是说,为所述绷膜环100的标识101与所述器件晶圆200的标识201建立一一对应关系,如此一来,当识别到所述绷膜环100的标识101时,可立即获取其对应的器件晶圆200的标识201,从而识别出对应的所述器件晶圆200;当识别到所述器件晶圆200的标识201时,可立即获取其对应的器件绷膜环100的标识101,从而识别出对应的所述绷膜环100。
请参阅图4a至图4e,执行步骤S300,在多个机台上完成所述器件晶圆200的键合,直至将所述器件晶圆200中的合格芯片202a分别键合至目标晶圆400上,每个所述机台均通过识别所述绷膜环100的标识101识别所述器件晶圆200。本实施例中,利用混合键合工艺将所述合格芯片202a分别键合至所述目标晶圆400上,但不应以此为限,也可以采用常规的键合工艺将所述合格芯片202a分别键合至所述目标晶圆400上。
如图4a所示,首先,所述器件晶圆200转移至解键合机台,所述解键合机台通过识别所述绷膜环100的标识101而识别出所述器件晶圆200,然后利用所述解键合机台将所述器件晶圆200与所述载片晶圆204解键合,以分离所述载片晶圆204。
应理解,所述解键合机台的具体类型取决于所述临时键合胶203的材料,例如,所述临时键合胶203的材料可以是热塑性材料或光敏性材料,相应的,所述解键合机台可以是能够对晶圆进行加热的机台或能够提供分解所述临时键合胶203的光束的机台,此处不再一一解释说明。
如图4b所示,将所述载片晶圆204分离之后,将所述器件晶圆200转移至清洗机台,所述清洗机台通过识别所述绷膜环100的标识101而识别出所述器件晶圆200,然后利用所述清洗机台对所述器件晶圆200进行清洗,以去除所述器件晶圆200表面残留的所述临时键合胶203。
应理解,当所述器件晶圆200的一面是贴附的背面研磨胶带时,将所述器件晶圆200转移至撕膜机台,所述撕膜机台通过识别所述绷膜环100的标识101而识别出所述器件晶圆200,然后利用所述撕膜机台撕去所述器件晶圆200上的背面研磨胶带。当利用所述静电吸盘吸附住所述器件晶圆200的一面时,所述静电吸盘直接放电从而释放所述器件晶圆200。
如图4c所示,将所述器件晶圆200转移至划片机台,所述划片机台通过识别所述绷膜环100的标识101而识别出所述器件晶圆200,然后利用所述划片机台对所述器件晶圆200进行划片,以将所述器件晶圆200切割为单个的所述芯片202。
可选的,所述划片机台可以是激光切割机台、刀轮切割机台及刻蚀机台中的一种或多种。所述刻蚀机台可以是等离子体刻蚀机台,但不应以此为限。
本实施例中,先利用所述激光切割机台或所述刀轮切割机台从所述器件晶圆200的表面向下切割,从而划开所述器件晶圆200上的介质层和金属层露出衬底;然后再将所述器件晶圆200转移到所述刻蚀机台中,利用所述刻蚀机台沿着划痕向下刻蚀,直至刻穿所述衬底,形成横纵分布的切割道。相邻的所述切割道之间即为一个芯片202,所述切割道将相邻的所述芯片202分离。类似的,所述激光切割机台、所述刀轮切割机台及所述刻蚀机台也是通过识别所述绷膜环100的标识101而识别出所述器件晶圆200。
当然,作为可选实施例,也可以单独利用所述激光切割机台或所述刀轮切割机台对所述器件晶圆200进行划片;或者,在进行划片的过程中,也可以将所述器件晶圆200转移至其他机台,例如,在利用所述激光切割机台划开所述器件晶圆200上的介质层和金属层之后,还可以将所述器件晶圆200转移至所述清洗机台中,以去除划片过程中产生的颗粒物,此时,所述清洗机台也是通过识别所述绷膜环100的标识101而识别出所述器件晶圆200。
应理解,由于所述胶带300粘附住所述芯片202,此时,所述器件晶圆200仍能够保证完整的晶圆形状。
如图4d所示,将所述器件晶圆200转移至扩膜机台,所述扩膜机台通过识别所述绷膜环100的标识101而识别出所述器件晶圆200,然后利用所述扩膜机台对所述胶带300进行扩膜,使得相邻的所述芯片202之间的间距增加,从而有利于从所述胶带300上将所述芯片202中的合格芯片202a取下。应理解,所述芯片202中的合格芯片202a可以在将所述器件晶圆200与所述绷膜环100固定之前通过测试得到,挑选出所述芯片202中的合格芯片202a进行键合,可以提高形成的器件的良率,避免了芯片浪费并减少返工。
如图4e所示,将所述器件晶圆200转移至键合机台(混合键合机台),所述键合机台通过识别所述绷膜环100的标识101而识别出所述器件晶圆200,然后利用所述键合机台将所述合格芯片202a从所述胶带300上逐一取下并键合至所述目标晶圆400上,从而完成器件晶圆200的键合(混合键合)。
可选的,所述器件晶圆200的合格芯片202a可以全部键合至一个所述目标晶圆400上,也可以分散键合至多个所述目标晶圆400上,本发明不做限制。
应理解,所述器件晶圆200的键合不限于上述描述的步骤,还可以有其他步骤,并利用其他的机台来实现,在所述器件晶圆200执行键合时,每个所述机台均是通过识别所述绷膜环100的标识101而识别出所述器件晶圆200的,由于所述绷膜环100的标识101可以激光打标方式制备,可以兼容键合的步骤中的工艺,无需在所述绷膜环100或所述器件晶圆200上贴纸质标签即可识别出所述器件晶圆200,完成所述器件晶圆200的键合之后再将所述绷膜环100的标识101与所述器件晶圆200的标识201解绑,也可以回收并重复利用所述绷膜环100,不会造成原材料的浪费。
请参阅图5,执行步骤S400,将所述绷膜环100的标识与所述器件晶圆200的标识解绑,回收并重复利用所述绷膜环100。
具体而言,将所述绷膜环100的标识101与所述器件晶圆200的标识201解绑,所述绷膜环100的标识101与所述器件晶圆200的标识201不再有对应关系,无法通过识别所述绷膜环100的标识101识别出所述器件晶圆200,也无法通过识别所述器件晶圆200的标识201识别出所述绷膜环100的标识101。
接着,撕去所述绷膜环100上的胶带300,回收并重复利用所述绷膜环100。由于所述绷膜环100的标识101与所述器件晶圆200的标识201已经解绑,此时重新利用所述绷膜环100不会引起机台的紊乱。
进一步地,当所述绷膜环100的使用次数超过一设定值时,所述绷膜环100可能已经被自然磨损到一定程度,此时再将所述绷膜环100报废处理,不会造成原材料的浪费。
应理解,所述设定值可以是实际生产应用中总结出的经验值,此处不再举例说明。
基于此,本实施例还提供了一种晶圆的键合系统。图6为本实施例提供的晶圆的键合系统的结构框图。如图6所示,所述晶圆的键合系统包括:
标识获取模块10,用于分别获取提供的绷膜环和器件晶圆的标识;
标识绑定模块20,用于将所述器件晶圆与所述绷膜环固定,并将所述绷膜环的标识和所述器件晶圆的标识绑定;
多个标识识别模块31…3n(n大于或等于2),位于对应的机台上,在多个所述机台上完成所述器件晶圆的键合,直至将所述器件晶圆中的合格芯片分别键合至目标晶圆上,每个所述机台的所述标识识别模块通过识别所述绷膜环的标识识别所述器件晶圆;以及,
标识解绑模块40,用于将所述绷膜环的标识与所述器件晶圆的标识解绑,以回收并重复利用所述绷膜环。
综上,在本发明实施例提供的晶圆的键合方法及系统中,将器件晶圆与绷膜环固定之后,将所述绷膜环的标识和所述器件晶圆的标识绑定,然后在多个机台上完成所述器件晶圆的键合步骤,直至将所述器件晶圆中的合格芯片分别键合至目标晶圆上,由于绷膜环的标识可以通过激光打标方式制备,可以兼容键合步骤中的工艺,无需在绷膜环或器件晶圆上贴纸质标签,每个所述机台通过识别所述绷膜环的标识即可识别出所述器件晶圆,完成所述器件晶圆的键合之后再将所述绷膜环的标识与所述器件晶圆的标识解绑,也可以回收并重复利用所述绷膜环,不会造成原材料的浪费。
需要说明的是,本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的系统而言,由于与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。
还需要说明的是,虽然本发明已以较佳实施例披露如上,然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围。
还应当理解的是,除非特别说明或者指出,否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等,而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
此外还应该认识到,此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例,而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是,此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准,除非上下文明确表示相反意思。例如,对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或多个步骤或装置的引述,并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。以及,词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义,而不是逻辑“异或”的定义,除非上下文明确表示相反意思。此外,本发明实施例中的方法和/或设备的实现可包括手动、自动或组合地执行所选任务。
上述仅为本发明的优选实施例而已,并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员,在不脱离本发明的技术方案的范围内,对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动,均属未脱离本发明的技术方案的内容,仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种晶圆的键合方法,其特征在于,包括:
提供绷膜环及器件晶圆,并分别获取所述绷膜环和所述器件晶圆的标识;
将所述器件晶圆与所述绷膜环固定,并将所述绷膜环的标识和所述器件晶圆的标识绑定;
在多个机台上完成所述器件晶圆的键合,直至将所述器件晶圆中的合格芯片分别键合至目标晶圆上,每个所述机台均通过识别所述绷膜环的标识识别所述器件晶圆;以及,
将所述绷膜环的标识与所述器件晶圆的标识解绑,回收并重复利用所述绷膜环。
2.如权利要求1所述的晶圆的键合方法,其特征在于,利用混合键合工艺将所述合格芯片分别键合至所述目标晶圆上。
3.如权利要求1或2所述的晶圆的键合方法,其特征在于,所述机台包括划片机台及键合机台,所述器件晶圆进行键合的步骤包括:
利用所述划片机台对所述器件晶圆进行划片,以将所述器件晶圆切割为单个的所述芯片;以及,
利用所述键合机台将所述芯片中的合格芯片分别键合至所述目标晶圆上。
4.如权利要求3所述的晶圆的键合方法,其特征在于,所述绷膜环上贴附有一胶带,通过将所述器件晶圆贴附在所述胶带上以将所述器件晶圆与所述绷膜环固定。
5.如权利要求4所述的晶圆的键合方法,其特征在于,所述机台还包括扩膜机台,对所述器件晶圆进行划片之后,将所述芯片中的合格芯片分别键合至所述目标晶圆上之前,所述器件晶圆进行键合的步骤还包括:
利用所述扩膜机台对所述胶带进行扩膜,以使相邻的所述芯片之间的间距增大。
6.如权利要求4所述的晶圆的键合方法,其特征在于,回收并重复利用所述绷膜环之前,撕去所述绷膜环上的胶带。
7.如权利要求4所述的晶圆的键合方法,其特征在于,所述胶带包括蓝膜或UV膜。
8.如权利要求3所述的晶圆的键合方法,其特征在于,所述划片机台包括激光切割机台、刀轮切割机台及刻蚀机台中的一种或多种。
9.如权利要求3所述的晶圆的键合方法,其特征在于,将所述器件晶圆与所述绷膜环固定时,所述器件晶圆还通过临时键合胶键合了载片晶圆。
10.如权利要求9所述的晶圆的混合键合方法,其特征在于,所述机台还包括解键合机台及清洗机台,对所述器件晶圆进行划片之前,所述器件晶圆进行键合的步骤还包括:
利用所述解键合机台将所述器件晶圆与所述载片晶圆解键合,以分离所述载片晶圆;以及,
利用所述清洗机台对所述器件晶圆进行清洗,以去除所述器件晶圆表面的所述临时键合胶。
11.如权利要求1或2所述的晶圆的键合方法,其特征在于,当所述绷膜环的使用次数超过一设定值时,将所述绷膜环报废处理。
12.如权利要求1或2所述的晶圆的键合方法,其特征在于,所述绷膜环上的标识通过激光打标的方式制备。
13.一种晶圆的键合系统,其特征在于,包括:
标识获取模块,用于分别获取绷膜环和器件晶圆的标识;
标识绑定模块,用于将所述器件晶圆与所述绷膜环固定,并将所述绷膜环的标识和所述器件晶圆的标识绑定;
多个标识识别模块,位于对应的机台上,在多个所述机台上完成所述器件晶圆的键合,直至将所述器件晶圆中的合格芯片分别键合至目标晶圆上,每个所述机台的所述标识识别模块通过识别所述绷膜环的标识识别所述器件晶圆;以及,
标识解绑模块,用于将所述绷膜环的标识与所述器件晶圆的标识解绑,以回收并重复利用所述绷膜环。
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