CN113437229B - 一种有机电致发光器件和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机电致发光器件和显示装置,属于有机电致发光技术领域。本发明的这种有机电致发光器件,包括有机发光层,有机发光层包括主体材料和掺杂染料,主体材料为宽带隙材料,该类主体材料的单重态能级(S1 h)大于发光染料的单重态能级(S1 g),并且所述主体材料的三重态能级(T1 h)大于或等于发光染料的第二三重态能级(T2 g);发光染料的第二三线态能级(T2 g)大于或等于发光染料的第一单重态能级(S1 g);发光染料为氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物。本发明的器件通过调控主客体能级关系,实现100%激子利用率,从而提升有机发光器件的效率和稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件和显示装置,属于有机电致发光技术领域。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称:OLED),是一种通过电流驱动而达到发光目的的器件,其主要特性来自于其中的有机发光层,当施加适当电压后,电子和空穴会在有机发光层中结合产生激子并根据有机发光层的特性发出不同波长的光。现阶段中,发光层由主体材料和掺杂染料构成,而染料多选自传统荧光材料、磷光材料。具体地,传统荧光材料具有无法利用三重态激子的缺陷,磷光材料虽然可以通过引入重金属原子,例如铱或铂,实现单重态激子跃迁至三重态而达到100%的能量使用效率,但是铱或铂等重金属非常稀缺,成本昂贵且极易造成环境污染,因此磷光材料也无法成为染料的首选。热活化延迟荧光材料能够通过吸收环境热量实现三重态激子向单重态的反向系间窜跃,进而从单重态发出荧光,但是,TADF材料三线态激子寿命较长,器件效率滚降大、稳定性差等缺点。
发明内容
本发明的目的是提供一种有机电致发光器件,该器件的有机发光层以宽带隙材料为主体材料,掺杂一种特定结构的硼氮化合物作为发光染料,通过调控主客体能级关系,实现100%激子利用率,从而提升有机发光器件的效率和稳定性。
为实现上述发明目的,本发明提供如下技术方案:
一种有机电致发光器件,包括第一电极、第二电极和有机功能层,所述有机功能层中包括有机发光层,所述有机发光层中包括主体材料和发光染料,所述主体材料为宽带隙材料,该类主体材料的单重态能级(S1 h)大于发光染料的单重态能级(S1 g),并且所述主体材料的三重态能级(T1 h)大于或等于发光染料的第二三重态能级(T2 g);所述发光染料的第二三线态能级(T2 g)大于或等于发光染料的第一单重态能级(S1 g);所述发光染料为氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物。
进一步的,本发明的有机电致发光器件中,作为发光染料的氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物在所述有机发光层中的掺杂比例为0.1-50wt%;作为主体材料的宽带隙材料在所述有机发光层中的比例为50-99.9wt%。
进一步的,所述作为发光染料的氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物具有如下式[1]所示的结构:
式[1]中,Y为C或N;
环A和环A’分别独立地表示为吖嗪环,所述吖嗪环中的碳原子数为4-12个;
R1、R2分别独立地表示为卤素;
R3、R4分别独立地选自氢、氘、取代或未取代的C1~C36的链状烷基、取代或未取代的C3~C36的环烷基、C1~C10的烷氧基、氰基、C6~C30的芳基氨基、C3~C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6-C60的单环芳基、C6-C60的稠环芳基、C6-C60的芳氧基、C5-C60的单环杂芳基、C5-C60的稠环杂芳基、三甲基硅基中的一种,所述R3、R4分别独立地与相连接的吖嗪环连接成环或不连接成环;
m和n分别独立地选自1至最大允许的整数值;
当上述基团存在取代基时,所述取代基选自氘、卤素、C1~C30的链状烷基、C3~C30的环烷基、C1~C10的烷氧基、氰基、C6~C30的芳基氨基、C3~C30杂芳基氨基、C6~C60的单环芳基、C6~C60的稠环芳基、C6~C60的芳氧基、C5~C60的单环杂芳基、C5~C60的稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。
进一步的,所述作为发光染料的氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物具有如式[2]所示的结构:
式[2]中,X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8分别独立地选自碳原子或氮原子;
m和n分别独立地选自2~4的整数;
Y、R1、R2的定义与在式[1]中的定义相同,R3、R4的定义与在式[1]中的定义相同,且可以有至少一个R3为苯基并与环B稠合连接,且可以有至少一个R4为苯基并与环B’稠合连接。
更进一步优选的,式[2]中,X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8分别独立地选自碳原子;
和/或,R1、R2均为氟原子;
和/或,有一个R3为苯基并与环B稠合连接,有一个R4为苯基并与环B’稠合连接。
继续优选的,所述作为发光染料的氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物具有如式(1)、式(2)、式(3)或式(4)中任一所示的结构:
式(1)、式(2)、式(3)、式(4)中,m、n、R1、R2、R3、R4的定义与在式[1]中的定义相同;
所述作为发光染料的氟硼亚甲基联吡啶类化合物具有如式(5)、式(6)、式(7)或式(8)中任一所示的结构:
式(5)、式(6)、式(7)、式(8)中,m、n、R1、R2、R3、R4的定义与在式[1]中的定义相同。
进一步优选的,式(1)、式(2)、式(3)、式(4)、式(5)、式(6)、式(7)、式(8)中,R3、R4分别独立地选自氢、氘或者下述取代基团中的一种:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、环戊基、新戊基、正己基、环己基、新己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、窟基、茈基、荧蒽基、并四苯基、并五苯基、苯并芘基、联苯基、偶苯基、三联苯基、三聚苯基、四联苯基、芴基、螺二芴基、二氢菲基、二氢芘基、四氢芘基、顺式或反式茚并芴基、三聚茚基、异三聚茚基、螺三聚茚基、螺异三聚茚基、三氟甲基苯基、甲氧基苯基、二甲氧基苯基、三甲氧基苯基、二三氟甲基苯基、咔唑基苯基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吡咯基、异吲哚基、咔唑基、茚并咔唑基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、菲啶基、苯并-5,6-喹啉基、苯并-6,7-喹啉基、苯并-7,8-喹啉基、吡唑基、吲唑基、咪唑基、苯并咪唑基、萘并咪唑基、菲并咪唑基、吡啶并咪唑基、吡嗪并咪唑基、喹喔啉并咪唑基、嗯唑基、苯并嗯唑基、萘并嗯唑基、蒽并嗯唑基、菲并嗯唑基、1,2-噻唑基、1,3-噻唑基、苯并噻唑基、哒嗪基、苯并哒嗪基、嘧啶基、苯并嘧啶基、喹喔啉基、1,5-二氮杂蒽基、2,7-二氮杂芘基、2,3-二氮杂芘基、1,6-二氮杂芘基、1,8-二氮杂芘基、4,5-二氮杂芘基、4,5,9,10-四氮杂茈基、吡嗪基、吩嗪基、吩噻嗪基、萘啶基、氮杂咔唑基、苯并咔啉基、菲咯啉基、1,2,3-三唑基、1,2,4-三唑基、苯并三唑基、1,2,3-噁二唑基、1,2,4-嗯二唑基、1,2,5_嗯二唑基、1,2,3-噻二唑基、1,2,4-噻二唑基、1,2,5-噻二唑基、1,3,4-噻二唑基、1,3,5-三嗪基、1,2,4-三嗪基、1,2,3-三嗪基、四唑基、1,2,4,5-四嗪基、1,2,3,4-四嗪基、1,2,3,5-四嗪基、嘌呤基、蝶啶基、吲嗪基、苯并噻二唑基、9,9-二甲基吖啶基、二芳胺基、金刚烷基、氟代苯基、甲基苯基、三甲基苯基、氰基苯基、四氢吡咯、哌啶、甲氧基、三甲基硅基,或者选自以上两种取代基团的组合;
和/或,式(1)、式(2)、式(3)、式(4)、式(5)、式(6)、式(7)、式(8)中,R1、R2均为氟原子。
进一步优选的,作为发光染料的氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物,选自式(F-1)-(F-400)中任一所示的化合物:
进一步优选的,作为发光层中主体材料的选自咔唑类衍生物、咔啉类衍生物、螺芴类衍生物、芴类衍生物、含硅基类衍生物、含膦氧基类衍生物、含砜基类衍生物中的至少一种化合物;所述宽带隙材料优选选自但不限于以下结构中任一所示的化合物:
本发明还提供上述本发明这种有机电致发光器件的应用,所述应用为在有机电子装置中的应用,所述有机电子装置包括光学传感器、太阳能电池、照明元件、有机薄膜晶体管、有机场效应晶体管、有机薄膜太阳能电池、信息标签、电子人工皮肤片材、片材型扫描器或电子纸。
本发明同时保护一种显示装置,包括本发明上述的有机电致发光器件,所述显示装置包括但不限于显示元件、照明元件、信息标签、电子人工皮肤片材或电子纸。
附图说明
图1为本发明的有机电致发光器件的发光机制图。
图2为本发明实施例中制备的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,本发明的有机电致发光器件的发光机制如下:
本发明采用的作为发光染料的氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物具有如下特性:
这类染料的第二三重态能级(T2)与第一三重态能级(T1)相差较大,因此T2到S0的辐射跃迁速率(kp T2)大于T2到T1的内转换速率(kIC),即这类染料的三线态存在反卡莎规则的现象。此外,这类型染料的T2能级与S1能级接近,存在T2到S1的反向系间窜跃过程,因此,当空穴电子复合后产生单重态和三重态激子,此类型染料都可以加以利用。
本发明的有机电致发光器件的发光层中,将上述染料搭配宽带隙主体,这样可以稀释染料浓度,降低了三重态-三重态湮灭(TTA)以及三重态-极化子湮灭(TPA),由此进一步提高染料的激子利用率,增强了器件的稳定性。而且本发明采用的这类特定结构的硼化合物掺杂染料不存在明显的分子内电荷转移,因此有利于光谱的窄化,提高器件的色纯度。
如图2所示,本发明的有机电致发光器件包括在基板1上依次沉积的阳极2、空穴传输区3、有机发光层4、电子传输区5以及阴极6。
具体地,基板可以采用具有机械强度、热稳定性、防水性、透明度优异的玻璃或聚合物材料。此外,作为显示器用的基板上也可以带有薄膜晶体管(TFT)。
阳极可以通过在基板上溅射或者沉积阳极材料的方式来形成,其中,阳极材料可以采用铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等氧化物透明导电材料和它们的任意组合;阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等金属或合金以及它们之间的任意组合。
空穴传输区、发光层、电子传输区以及阴极的有机材料层可以通过真空热蒸镀、旋转涂敷、打印等方法依次制备于阳极之上。其中,用作有机材料层的化合物可以为有机小分子、有机大分子和聚合物,以及它们的组合。
以下,对发光层进行详细的介绍。
本发明对有机发光层的组成进行了创新,具体地,本发明的有机发光层包括主体材料和作为发光染料的氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物。主体材料为宽带隙材料,宽带隙材料的单重态能级(S1 h)大于掺杂染料的单重态能级(S1 g),宽带隙材料的三重态能级(T1 h)大于掺杂染料的第二三重态能级(T2 g);发光染料的第二三线态能级(T2 g)大于发光染料的第一单重态能级(S1 g)。
本发明的主体材料为宽带隙材料,该宽带隙材料能够稀释作为发光染料的氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物的浓度,有效降低了激子密度,从而有效抑制三线态-三线态湮灭(TTA)以及激子-极化子淬灭(TPA),进一步增强了有机电致发光器件的稳定性,提升器件的寿命,降低效率滚降。具体地,本发明的宽带隙材料的HOMO能级与LUMO能级之差≥2eV,从而能够保证宽带隙材料的单重态及三重态处于较高能级,有利于宽带隙材料向本发明发光染料发生能量传递过程和Dexter能量传递过程。
本发明作为发光染料的氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物为平面芳香刚性结构,结构稳定。其第二三重态能级(T2)与第一三重态能级(T1)相差较大,因此T2到S0的辐射跃迁速率(kp T2)大于T2到T1的内转换速率(kIC),即此类染料的三线态存在反卡莎规则的现象。此外,此类型染料的T2能级与S1能级接近,存在T2到S1的反向系间窜跃过程,因此,当空穴电子复合后产生单重态和三重态激子,此类型染料都可以加以利用。
在本发明中,主体材料宽带隙材料的第一单重态能级大于硼化合物染料的第一单重态能级,主体材料宽带隙材料的第一单重态能级大于发光染料的第二三重态能级,主体材料宽带隙材料的第一三重态能级大于发光染料的第二三重态能级,因此,在有机电致发光器件在受到电激发后,宽带隙主体的单重态以及三重态激子能量都能够分别传递给染料材料的单重态和三重态;或者空穴和电子直接复合在染料上,通过染料T2到S1的反向系间窜跃过程实现高效发光,最终有机电致发光器件中的单线态以及三重态能量都得到了充分利用,提升了有机电致发光器件的发光效率;因此本发明能够有效降低三重态激子的浓度,进而解决了高亮度下roll-off下降严重的问题,有效地增强了有机电致发光器件的稳定性能。
具体的,主体材料宽带隙材料的第一三重态能级(T1 h)比发光染料的第二三重态能级(T2 g)高至少0.1eV,即T1 h-T2 g>0.1eV;发光染料的第一单重态能级(S1 g)比第一三重态能级(T1 g)高至少0.3eV,即S1 g-T1 g>0.3eV;硼化合物染料的第二三重态能级(T2 g)比第一三重态能级(T1 g)高至少0.3eV,即T2 g-T1 g>0.3eV;
本发明对有机发光层的组成进行了创新,使用宽带隙主体搭配此类作为发光染料的氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物,不仅能够提高有机电致发光器件的寿命、降低滚降、窄化光谱,更对工业应用具有十分重要的意义。
为了实现器件的高效率发光,宽带隙材料在有机发光层中的占比为50wt%-99.9wt%;发光染料在有机发光层中的占比为0.1wt%-50wt%。其中,随着宽带隙材料占比的升高,器件的稳定性越高且寿命逐渐延长。
下通过将本发明的化合物具体应用到有机电致发光器件中测试实际使用性能来展示和验证本发明的技术效果和优点。
有机电致发光器件包括阳极、阴极,以及位于两个电极之间的有机材料层。该有机材料又可以分为多个区域,比如该有机材料层可以包括空穴传输区、发光层、电子传输区。
阳极的材料可以采用铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等氧化物透明导电材料和它们的任意组合。阴极的材料可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等金属或合金以及它们之间的任意组合。
空穴传输区位于阳极和发光层之间。空穴传输区可以为单层结构的空穴传输层(HTL),包括只含有一种化合物的单层空穴传输层和含有多种化合物的单层空穴传输层。空穴传输区也可以为包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)中的至少一层的多层结构。
空穴传输区的材料可以选自但不限于酞菁衍生物如CuPc、导电聚合物或含导电掺杂剂的聚合物如聚苯撑乙烯、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(Pani/PSS)、芳香胺衍生物等。
发光层包括可以发射不同波长光谱的的发光染料(即掺杂剂,dopant),还可以同时包括主体材料(Host)。发光层可以是发射红、绿、蓝等单一颜色的单色发光层。多种不同颜色的单色发光层可以按照像素图形进行平面排列,也可以堆叠在一起而形成彩色发光层。当不同颜色的发光层堆叠在一起时,它们可以彼此隔开,也可以彼此相连。发光层也可以是能同时发射红、绿、蓝等不同颜色的单一彩色发光层。
电子传输区可以为单层结构的电子传输层(ETL),包括只含有一种化合物的单层电子传输层和含有多种化合物的单层电子传输层。电子传输区也可以为包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)中的至少一层的多层结构。
本发明还提供该有机电致发光器件的制备方法,以图1为例说明,包括在基板1上依次沉积阳极2、空穴传输区3、有机发光层4、电子传输区5、阴极6,然后封装。其中,在制备有机发光层4时,通过宽带隙材料源、、电子给体型材料源、电子受体型材料源和共振型TADF材料源共同蒸镀的方法形成有机发光层4。
具体地,本发明的有机电致发光器件的制备方法包括以下步骤:
1、将涂布了阳极材料的玻璃板在商用清洗剂中超声处理,在去离子水中冲洗,在丙酮:乙醇混合溶剂中超声除油,在洁净环境下烘烤至完全除去水份,用紫外光和臭氧清洗,并用低能阳离子束轰击表面;
2、把上述带有阳极的玻璃板置于真空腔内,抽真空至1×10-5~9×10-3Pa,在上述阳极层膜上真空蒸镀空穴注入层,蒸镀速率为0.1-0.5nm/s;
3、在空穴注入层之上真空蒸镀空穴传输层,蒸镀速率为0.1-0.5nm/s,
4、在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层,发光层包括主体材料和TADF染料,利用多源共蒸的方法,调节主体材料的蒸镀速率、敏化剂材料的蒸镀速度和染料的蒸镀速率使染料达到预设掺杂比例;
5、在有机发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料,其蒸镀速率为0.1-0.5nm/s;
6、在电子传输层上以0.1-0.5nm/s真空蒸镀LiF作为电子注入层,以0.5-1nm/s真空蒸镀Al层作为器件的阴极。
本发明实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括如上述提供的有机电致发光器件。该显示装置具体可以为OLED显示器等显示器件,以及包括该显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。该显示装置与上述有机电致发光器件相对于现有技术所具有的优势相同,在此不再赘述。
以下通过具体实施例对本发明的有机电致发光器件进行进一步的介绍。
本发明的下述实施例中,OLED包括依次层叠的阳极/空穴注入层/空穴传输层/第一激子阻挡层/发光层/第二激子阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极。其中,阳极为ITO;空穴注入层为HATCN;空穴传输层为NPB;电子传输层为DPyPA和Liq共蒸;电子注入层为LiF;阴极为Al。
实施例1
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:0.5wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理,在去离子水中冲洗,在丙酮:乙醇混合溶剂中超声除油,在洁净环境下烘烤至完全除去水份,用紫外光和臭氧清洗,并用低能阳离子束轰击表面;
在ITO透明导电层之上真空蒸镀HATCN作为器件的空穴注入层,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜厚为5nm;
在空穴注入层之上真空蒸镀NPB作为器件的空穴传输层,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜厚为30nm;
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层,本发明的发光层中包括主体材料和染料材料。调节主体材料的蒸镀速率均为0.1nm/s,调节发光层中的染料蒸镀速率为主体蒸镀速率的1%比例设定,发光层蒸镀总膜厚为30nm;
在发光层之上真空共蒸DPyPA和Liq作为器件的电子传输材料,共蒸比例为1:1,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜厚为30nm;
在电子传输层上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层,厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
另外,主体材料的第一三重态能级、硼化合物染料的第一单重态与第二三重态能级如表1所示。
实施例2
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料浓度不同。
实施例3
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:2wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料浓度不同。
实施例4
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:5wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料浓度不同。
实施例5
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:10wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料浓度不同。
实施例6
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-15(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例7
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-25(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例8
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-35(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例9
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-45(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例10
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-65(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例11
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-75(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例12
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-95(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例13
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-125(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例14
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-155(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例15
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-175(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例16
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-205(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例17
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-225(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例18
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-255(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例19
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-285(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例20
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-300(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例21
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-315(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例22
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-335(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例23
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-355(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例24
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-375(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例25
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W1:1wt%F-400(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例26
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:0.5wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例27
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例28
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:2wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例3大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例29
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:5wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例4大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例30
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:10wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例5大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例31
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-15(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例32
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-25(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例33
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-35(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例34
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-45(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例35
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-65(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例36
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-75(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例37
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-95(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例38
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-125(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例39
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-155(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例40
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-175(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例41
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-205(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例42
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-225(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例43
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-255(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例44
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-285(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例45
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-300(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例46
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-315(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例47
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-335(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例48
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-355(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例49
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-375(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
实施例50
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W10:1wt%F-400(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例51
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:0.5wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例52
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例53
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:2wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例3大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例54
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:5wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例4大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例55
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:10wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例5大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例56
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-15(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例57
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-25(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例58
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-35(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例59
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-45(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例60
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-65(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例61
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-75(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例62
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-95(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例63
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-125(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例64
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-155(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例65
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-175(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例66
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-205(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例67
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-225(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例68
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-255(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例69
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-285(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例70
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-300(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例71
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-315(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例72
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-335(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例73
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-355(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例74
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-375(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
实施例75
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W19:1wt%F-400(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例76
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:0.5wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例77
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例78
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:2wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例3大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例79
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:5wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例4大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例80
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:10wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例5大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例81
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-15(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例82
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-25(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例83
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-35(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例84
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-45(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例85
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-65(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例86
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-75(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例87
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-95(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例88
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-125(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例89
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-155(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例90
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-175(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例91
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-205(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例92
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-225(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例93
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-255(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例94
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-285(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例95
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-300(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例96
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-315(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例97
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-335(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例98
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-355(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例99
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-375(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
实施例100
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W43:1wt%F-400(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例101
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-400(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例102
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:0.5wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例103
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例104
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:2wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例3大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例105
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:5wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例4大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例106
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:10wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例5大致相同,唯一区别为主体种类不同。
实施例107
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-15(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例108
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-25(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例109
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-35(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例110
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-45(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例111
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-65(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例112
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-75(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例113
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-95(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例114
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-125(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例115
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-155(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例116
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-175(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例117
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-205(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例118
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-225(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例119
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-255(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例120
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-285(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例121
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-300(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例122
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-315(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例123
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-335(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例124
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-355(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与实施例2大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
实施例125
本实施例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/W49:1wt%F-375(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
对比例1
本对比例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/C1:1wt%F-15(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
本对比例器件意义与实施例1大致相同,唯一区别为有机发光层的主体和染料种类不同。
对比例2
本对比例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/C1:1wt%F-25(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与对比例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
对比例3
本对比例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/C1:1wt%F-35(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与对比例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
对比例4
本对比例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/C1:1wt%F-45(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与对比例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
对比例5
本对比例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/C1:1wt%F-55(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与对比例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
对比例6
本对比例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/C2:1wt%F-300(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与对比例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
对比例7
本对比例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/C2:1wt%F-315(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与对比例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
对比例8
本对比例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/C2:1wt%F-335(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与对比例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
对比例9
本对比例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/C2:1wt%F-355(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与对比例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
对比例10
本对比例的器件结构如下所示:
ITO/HATCN(5nm)/NPB(30nm)/C2:1wt%F-375(30nm)/DPyPA:Liq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其器件意义与对比例1大致相同,唯一区别为有机发光层的染料种类不同。
上述本发明的所有实施例和所有对比例所制备的有机电致发光器件中采用的主体材料和染料的能级数据如下表1所示。
表1:
对由上述过程制备的有机电致发光器件(实施例1-100、对比例1-10)进行如下性能测定:制备得到器件的电流、电压、亮度、发光光谱、电流效率、外量子效率等特性采用PR655光谱扫描亮度计和Keithley K2400数字源表系统同步测试。
开启电压:以每秒0.1V的速率提升电压,测定当有机电致发光器件的亮度达到1cd/m2时的电压即开启电压;
上述本发明的实施例和对比例制备的有机电致发光器件的具体性能测试结果详见下表2。
表2:
由上表2可见,本发明的这类有机电致发光器件采用了全新的主体材料与染料搭配组合方案,由此制备得到的器件均具备优异的光电性能,所有器件的电致发光外量子效率都在12%以上,表现出整体的优越性。
尽管结合实施例对本发明进行了说明,但本发明并不局限于上述实施例。显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (13)
1.一种有机电致发光器件,包括第一电极、第二电极和有机功能层,所述有机功能层中包括有机发光层,所述有机发光层中包括主体材料和发光染料,其特征在于,所述主体材料为宽带隙材料,该主体材料的单重态能级(S1 h)大于发光染料的第一单重态能级(S1 g),并且所述主体材料的三重态能级(T1 h)大于或等于发光染料的第二三重态能级(T2 g);
所述发光染料的第二三重态能级(T2 g)大于或等于发光染料的第一单重态能级(S1 g);
所述发光染料为氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述作为发光染料的氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物在所述有机发光层中的掺杂比例为0.1-50wt%;
所述作为主体材料的宽带隙材料在所述有机发光层中的比例为50-99.9wt%。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述作为发光染料的氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物具有如下式[1]所示的结构:
式[1]中,Y为N或C;
环A和环A’分别独立地表示为吖嗪环,所述吖嗪环中的碳原子数为4-12个;
R1、R2分别独立地表示为卤素;
R3、R4分别独立地选自氢、氘、取代或未取代的C1~C36的链状烷基、取代或未取代的C3~C36的环烷基、C1~C10的烷氧基、氰基、C6~C30的芳基氨基、C3~C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6-C60的单环芳基、C6-C60的稠环芳基、C6-C60的芳氧基、C5-C60的单环杂芳基、C5-C60的稠环杂芳基、三甲基硅基中的一种,所述R3、R4分别独立地与相连接的吖嗪环连接成环或不连接成环;
m和n分别独立地选自1至最大允许的整数值;
当上述基团存在取代基时,所述取代基选自氘、卤素、C1~C30的链状烷基、C3~C30的环烷基、C1~C10的烷氧基、氰基、C6~C30的芳基氨基、C3~C30杂芳基氨基、C6~C60的单环芳基、C6~C60的稠环芳基、C6~C60的芳氧基、C5~C60的单环杂芳基、C5~C60的稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述作为发光染料的氟硼氮杂亚甲基联吡啶类化合物或氟硼亚甲基联吡啶类化合物具有如式[2]所示的结构:
式[2]中,X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8分别独立地选自碳原子或氮原子;
m和n分别独立地选自2~4的整数;
Y为N或C;
R1、R2分别独立地表示为卤素;
R3、R4分别独立地选自氢、氘、取代或未取代的C1~C36的链状烷基、取代或未取代的C3~C36的环烷基、C1~C10的烷氧基、氰基、C6~C30的芳基氨基、C3~C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6-C60的单环芳基、C6-C60的稠环芳基、C6-C60的芳氧基、C5-C60的单环杂芳基、C5-C60的稠环杂芳基、三甲基硅基中的一种,所述R3、R4分别独立地与相连接的吖嗪环连接成环或不连接成环;
当上述基团存在取代基时,所述取代基选自氘、卤素、C1~C30的链状烷基、C3~C30的环烷基、C1~C10的烷氧基、氰基、C6~C30的芳基氨基、C3~C30杂芳基氨基、C6~C60的单环芳基、C6~C60的稠环芳基、C6~C60的芳氧基、C5~C60的单环杂芳基、C5~C60的稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于,式[2]中,有至少一个R3为苯基并与环B稠合连接;
和/或,有至少一个R4为苯基并与环B’稠合连接。
6.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于,式[2]中,X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8分别独立地选自碳原子;
和/或,R1、R2均为氟原子;
和/或,有一个R3为苯基并与环B稠合连接,有一个R4为苯基并与环B’稠合连接。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件,其特征在于,式(1)、式(2)、式(3)、式(4)、式(5)、式(6)、式(7)、式(8)中:
R3、R4分别独立地选自氢、氘或者下述取代基团中的一种:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、环戊基、新戊基、正己基、环己基、新己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、窟基、茈基、荧蒽基、并四苯基、并五苯基、苯并芘基、联苯基、偶苯基、三联苯基、三聚苯基、四联苯基、芴基、螺二芴基、二氢菲基、二氢芘基、四氢芘基、顺式或反式茚并芴基、三聚茚基、异三聚茚基、螺三聚茚基、螺异三聚茚基、三氟甲基苯基、甲氧基苯基、二甲氧基苯基、三甲氧基苯基、二三氟甲基苯基、咔唑基苯基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吡咯基、异吲哚基、咔唑基、茚并咔唑基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、菲啶基、苯并-5,6-喹啉基、苯并-6,7-喹啉基、苯并-7,8-喹啉基、吡唑基、吲唑基、咪唑基、苯并咪唑基、萘并咪唑基、菲并咪唑基、吡啶并咪唑基、吡嗪并咪唑基、喹喔啉并咪唑基、嗯唑基、苯并嗯唑基、萘并嗯唑基、蒽并嗯唑基、菲并嗯唑基、1,2-噻唑基、1,3-噻唑基、苯并噻唑基、哒嗪基、苯并哒嗪基、嘧啶基、苯并嘧啶基、喹喔啉基、1,5-二氮杂蒽基、2,7-二氮杂芘基、2,3-二氮杂芘基、1,6-二氮杂芘基、1,8-二氮杂芘基、4,5-二氮杂芘基、4,5,9,10-四氮杂茈基、吡嗪基、吩嗪基、吩噻嗪基、萘啶基、氮杂咔唑基、苯并咔啉基、菲咯啉基、1,2,3-三唑基、1,2,4-三唑基、苯并三唑基、1,2,3-噁二唑基、1,2,4-嗯二唑基、1,2,5_嗯二唑基、1,2,3-噻二唑基、1,2,4-噻二唑基、1,2,5-噻二唑基、1,3,4-噻二唑基、1,3,5-三嗪基、1,2,4-三嗪基、1,2,3-三嗪基、四唑基、1,2,4,5-四嗪基、1,2,3,4-四嗪基、1,2,3,5-四嗪基、嘌呤基、蝶啶基、吲嗪基、苯并噻二唑基、9,9-二甲基吖啶基、二芳胺基、金刚烷基、氟代苯基、甲基苯基、三甲基苯基、氰基苯基、四氢吡咯、哌啶、甲氧基、三甲基硅基,或者选自以上两种取代基团的组合;
和/或,R1、R2均为氟原子。
10.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,作为发光层中主体材料的所述宽带隙材料选自咔唑类衍生物、咔啉类衍生物、螺芴类衍生物、芴类衍生物、含硅基类衍生物、含膦氧基类衍生物、含砜基类衍生物中的至少一种化合物。
12.一种根据权利要求1所述的有机电致发光器件的应用,其特征在于,所述应用为在有机电子装置中的应用,所述有机电子装置包括光学传感器、太阳能电池、照明元件、有机薄膜晶体管、有机场效应晶体管、信息标签、电子人工皮肤片材、片材型扫描器或电子纸。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1所述的有机电致发光器件,所述显示装置为显示元件、照明元件、信息标签、电子人工皮肤片材或电子纸。
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