JP2023529546A - 有機電界発光デバイスおよび表示装置 - Google Patents

有機電界発光デバイスおよび表示装置 Download PDF

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Abstract

有機発光の技術分野に属し、有機電界発光デバイスおよび表示装置に関し、本有機電界発光デバイスは、有機発光層を含み、有機発光層は、ホスト材料およびドーピング染料を含み、ホスト材料は、ワイドバンドギャップ材料であり、このタイプのホスト材料の一重項エネルギー準位（Ｓ１ｈ）は、発光染料の一重項エネルギー準位（Ｓ１ｇ）よりも大きく、前記ホスト材料の三重項エネルギー準位（Ｔ１ｈ）は、発光染料の第２の三重項エネルギー準位（Ｔ２ｇ）より大きいか等しいであり、発光染料の第２の三重項エネルギー準位（Ｔ２ｇ）は、発光染料の第１の一重項エネルギー準位（Ｓ１ｇ）より大きいか等しいであり、発光染料は、フルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物である。本発明のデバイスは、ホスト―ゲストエネルギー準位の関係を調節することによって、１００％励起子利用率を達成し、それによって有機電界発光デバイスの効率および安定性を向上させる。【選択図】図１

Description

本発明は、属于有機発光の技術分野に属する、有機電界発光デバイスおよび表示装置に関する。
有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、略してＯＬＥＤ）は、電流駆動により発光という目的を達成するデバイスであり、その主な特性は、その中の有機発光層に由来し、適切な電圧が印加される場合、有機発光層中で電子と正孔とが結合して励起子が生成され、かつ有機発光層の特性に応じて様々な波長の光芽放出される。現段階において、発光層は、ホスト材料とドーピングされた染料とで構成され、染料は、主に従来の蛍光材料およびりん光材料から選択される。具体的には、従来の蛍光材料は、三重項励起子を利用できないという欠点があり、りん光材料は、イリジウムまたは白金等の重金属原子を導入して一重項励起子を三重項に遷移させることでエネルギー利用効率１００％を達成することができるが、イリジウムまたは白金等の重金属は、非常に希少で高価であり、環境汚染を引き起こしやすいため、りん光材料も、染料の最初の選択肢ではない。熱活性化遅延蛍光材料は、環境の熱を吸収することで三重項励起子から一重項への逆項間ジャンプを実現し、一重項から蛍光を発することができるが、ＴＡＤＦ材料には、三重項励起子の寿命が長く、デバイス効率のロールオフが大きく、安定性が低いという決定がある。
本発明の目的は、有機電界発光デバイスを提供することであり、当該デバイスの有機発光層は、ホスト材料としてワイドバンドギャップ材料を使用し、発光染料として特定構造のホウ素窒素化合物をドーピングし、ホスト―ゲストエネルギー準位の関係を調節することによって、１００％励起子利用率を達成し、それによって有機電界発光デバイスの効率および安定性を向上させる。
本発明の上記の目的を達成するために、本発明は、以下の技術的解決法を提供する。
第１の電極、第２の電極、ならびにホスト材料および発光染料を含む有機発光層を含む有機機能層を含む、有機電界発光デバイスであって、前記ホスト材料は、ワイドバンドギャップ材料であり、このタイプのホスト材料の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ｈ）は、発光染料の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ｇ）よりも大きく、前記ホスト材料の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ｈ）は、発光染料の第２の三重項エネルギー準位（Ｔ２ ｇ）より大きいか等しいであり、前記発光染料の第２の三重項エネルギー準位（Ｔ２ ｇ）は、発光染料の第１の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ｇ）であり、前記発光染料は、フルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物である。
さらに、本発明の有機電界発光デバイスにおいて、前記有機発光層における発光染料としてのフルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物のドーピング比率は、０．１～５０ｗｔ％であり、前記有機発光層におけるホスト材料としてのワイドバンドギャップ材料の比率は、５０～９９．９ｗｔ％である。
さらに、発光染料としての前記フルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物は、以下の式［１］に示される構造を有し、
Figure 2023529546000002
 式［１］：
式［１］において、Ｙは、ＣまたはＮであり、
環Ａおよび環Ａ’は、それぞれ独立して、アジン環として表され、前記アジン環の炭素原子の数は、４～１２個であり、
Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、ハロゲンとして表され、
Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立して、水素、重水素、置換または非置換のＣ１～Ｃ３６鎖状アルキル基、置換または非置換のＣ３～Ｃ３６シクロアルキル基、Ｃ１～Ｃ１０アルコキシ基、シアノ基、Ｃ６～Ｃ３０アリールアミノ基、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロアリールアミノ基、置換または非置換のＣ６～Ｃ６０単環式アリール基、Ｃ６～Ｃ６０縮合環アリール基、Ｃ６～Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ５～Ｃ６０単環式ヘテロアリール基、Ｃ５～Ｃ６０縮合環ヘテロアリール基、トリメチルシリル基から選択され、前記Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立して、連結したアジン環と連結して環を形成するか、または形成しないし、
ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１～最大許容整数値から選択され、
上記の基に置換基が存在する場合、前記置換基は、重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ３０鎖状アルキル基、Ｃ３～Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ１～Ｃ１０アルコキシ基、シアノ基、Ｃ６～Ｃ３０アリールアミノ基、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロアリールアミノ基、Ｃ６～Ｃ６０単環式アリール基、Ｃ６～Ｃ６０縮合環アリール基、Ｃ６～Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ５～Ｃ６０単環式ヘテロアリール基、Ｃ５～Ｃ６０縮合環ヘテロアリール基のうちの一つまたは少なくとも二つの種の組み合わせから選択される。
さらに、発光染料としての前記フルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物は、式［２］に示されるような構造を有し、
Figure 2023529546000003
 式［２］：
式［２］において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８は、それぞれ独立して、炭素原子または窒素原子から選択され、
ｍおよびｎは、それぞれ独立して、２～４の整数から選択され、
Ｙ、Ｒ１、Ｒ２の定義は、［１］の定義と同じであり、Ｒ３、Ｒ４の定義は、［１］の定義と同じであり，少なくとも一つのＲ３、フェニル基であり、かつ環Ｂと縮合して連結し、少なくとも一つのＲ４は、フェニル基であり、かつ環Ｂ’と縮合して連結する。
さらに好ましくは、式［２］において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８は、それぞれ独立して、炭素原子から選択され、
および／または、Ｒ１、Ｒ２は、すべてフッ素原子であり、
および／または、一つのＲ３、フェニル基であり、かつ環Ｂと縮合して連結し、一つのＲ４は、フェニル基であり、かつ環Ｂ’と縮合して連結する。
引き続き好ましくは、発光染料としての前記フルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物は、式（１）、式（２）、式（３）または式（４）のいずれか一つに示されるような構造を有し、
Figure 2023529546000004
式（１）、式（２）、式（３）、式（４）において、ｍ、ｎ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の定義は、［１］の定義と同じであり、
発光染料としての前記フルオロホウ素メチレンビピリジン化合物は、式（５）、式（６）、式（７）または式（８）のいずれか一つに示されるような構造を有し、
Figure 2023529546000005
式（５）、式（６）、式（７）、式（８）において、ｍ、ｎ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の定義は、［１］の定義と同じである。
さらに好ましくは、式（１）、式（２）、式（３）、式（４）、式（５）、式（６）、式（７）、式（８）において、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立して、水素、重水素または例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、２－メチルブチル基、ｎ－ペンチル基、ｓ－ペンチル基、シクロペンチル基、ネオペンチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、ネオヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、シクロヘプチル基、ｎ－オクチル基、シクロオクチル基、２－エチルヘキシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロメチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ベンゾアントラセン基、フェナントリル基、ベンゾフェナントレニル基、ピレニル基、クリセン基、ペリレン基、フルオランテニル基、テトラセニル基、ペンタセニル基、ベンゾピレン基、ビフェニル基、ジフェニル基、ターフェニル基、三量体化フェニル基、クォーターフェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ジヒドロフェナントリル基、ジヒドロピレン基、テトラヒドロピレン基、シスまたはトランスインデノフルオレニル基、三量体化インデニル基、ヘテロ三量体化インデニル基、スピロ三量体化インデニル基、スピロヘテロ三量体化インデニル基、トリフルオロメチルフェニル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基、トリメトキシフェニル基、ジトリフルオロメチルフェニル基、カルバゾリルフェニル基、フラニル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、イソベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、ピロリル基、イソインドリル基、カルバゾリル基、インデノカルバゾリル基、ピリジル基、キノリニル基、イソキノリニル基、アクリジニル基、フェナントリジン基、ベンゾ－５，６－キノリニル基、ベンゾ－６，７－キノリニル基、ベンゾ－７，８－キノリニル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフチミダゾリル基、フェナンスロイミダゾリル基、ピリジミダゾリル基、ピラジニミダゾリル基、キノキサリンイミダゾリル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ナフタゾリル基、アントラキサゾリル基、フェナンタゾリル基、１，２－チアゾリル基、１，３－チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ピリダジニル基、ベンゾピリダジニル基、ピリミジニル基、ベンゾピリミジニル基、キノキサリニル基、１，５－ジアザアンテニル基、２，７－ジアザピレニル基、２，３－ジアザピレニル基、１，６－ジアザピレニル基、１，８－ジアザピレニル基、４，５－ジアザピレニル基、４，５，９，１０－テトラアザペリレン基、ピラジニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、ナフチリジニル基、アザカルバゾリル基、ベンゾカルボリニル基、フェナントロリン基、１，２，３－トリアゾリル基、１，２，４－トリアゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、１，２，３－オキサジアゾリル基、１，２，４－オキサジアゾリル基、１，２，５－オキサジアゾリル基、１，２，３－チアジアゾリル基、１，２，４－チアジアゾリル基、１，２，５－チアジアゾリル基、１，３，４－チアジアゾリル基、１，３，５－トリアジニル基、１，２，４－トリアジニル基、１，２，３－トリアジニル基、テトラゾリル基、１，２，４，５－テトラジニル基、１，２，３，４－テトラジニル基、１，２，３，５－テトラジニル基、プリニル基、プテリジル基、インドリジニル基、ベンゾチアジアゾリル基、９，９－ジメチルアクリジニル基、ジアリールアミン基、アダマンチル基、フルオロフェニル基、メチルフェニル基、トリメチルフェニル基、シアノフェニル基、テトラヒドロピロール、ピペリジン、メトキシ基、トリメチルシリル基、または上記の二つの種の置換基から選択される組み合わせ等の置換基から選択され、
および／または、式（１）、式（２）、式（３）、式（４）、式（５）、式（６）、式（７）、式（８）において、Ｒ１、Ｒ２は、すべてフッ素原子である。
さらに好ましくは、発光染料としてのフルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物は、式（Ｆ－１）～（Ｆ－４００）のいずれか一つに示される化合物から選択される。
Figure 2023529546000006
Figure 2023529546000007
Figure 2023529546000008
Figure 2023529546000009
Figure 2023529546000010
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Figure 2023529546000021
Figure 2023529546000022
Figure 2023529546000023
Figure 2023529546000024
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Figure 2023529546000027
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Figure 2023529546000029
Figure 2023529546000030
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Figure 2023529546000032
Figure 2023529546000033
Figure 2023529546000034
Figure 2023529546000035
Figure 2023529546000036
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Figure 2023529546000038
Figure 2023529546000039
Figure 2023529546000040
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Figure 2023529546000045
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Figure 2023529546000049
Figure 2023529546000050
Figure 2023529546000051
Figure 2023529546000052
Figure 2023529546000053
さらに好ましくは、発光層中のホスト材料であるワイドバンドギャップ材料は、カルバゾール系誘導体、カルボリン系誘導体、スピロフルオレン系誘導体、フルオレン系誘導体、ケイ素含有誘導体、ホスフィン含有酸素誘導体、スルホン含有誘導体からなる群から選択される少なくとも一つの種の化合物から選択され、前記ワイドバンドギャップ材料は、好ましくは、以下の構造のいずれか一つに示される化合物から選択されるが、これらに限定されない。
Figure 2023529546000054
Figure 2023529546000055
Figure 2023529546000056
本発明は、上記の本発明の有機電界発光デバイスの適用をさらに提供し、前記適用は、有機電子デバイスにおける適用であり、前記有機電子デバイスは、光センサー、太陽電池、照明素子、有機薄膜トランジスタ、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜太陽電池、情報ラベル、電子人工皮膚シート、シート型スキャナーまたは電子ペーパーを含む。
本発明は、本発明の上記の有機電界発光デバイスを含む、表示装置を同時に保護し、前記表示装置は、表示素子、照明素子、情報ラベル、電子人工皮膚シートまたは電子ペーパーを含むが、これらに限定されない。
本発明の有機電界発光デバイスの発光メカニズムの図である。 本発明の実施例で作成された有機電界発光デバイスの構造の概略図である。
図１に示されるように、本発明の有機電界発光デバイスの発光メカニズムは、次のとおりである。
本発明で使用される発光染料としてのフルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物は、以下の特性を有する。
このような染料の第２の三重項エネルギー準位（Ｔ２）は、第１の三重項エネルギー準位（Ｔ１）とはかなり異なるため、Ｔ２からＳ０への放射遷移率（ｋｐ Ｔ２）は、Ｔ２からＴ１への内部変換率（ｋＩＣ）よりも大きく、即ち、このような染料の三重項には、逆カッサ規則の現象が存在する。さらに、このタイプの染料のＴ２エネルギー準位は、Ｓ１エネルギー準位に近く、Ｔ２からＳ１への逆項間ジャンププロセスが存在するため、正孔と電子とが再結合した後に一重項および三重項の励起子を生成する場合、このタイプの染料は、すべて利用されることができる。
本発明の有機電界発光デバイスの発光層において、上記の染料をワイドバンドギャップホストと組み合わせることで、染料の濃度を希釈し、三重項－三重項消滅（ＴＴＡ）および三重項－ポーラロン消滅（ＴＰＡ）を低減させることができるため、染料の励起子利用率をさらに向上させ、デバイスの安定性を増強させる。また本発明で使用される特定の構造を有するこのようなホウ素化合物ドーピング染料には、明らかな分子内電荷移動が存在しないため、スペクトルを狭め、デバイスの色純度を向上させることに有利である。
図２に示されるように、本発明の有機電界発光デバイスは、基板１上に順次に堆積された陽極２、正孔輸送領域３、有機発光層４、電子輸送領域５および陰極６を含む。
具体的には、基板は、機械的強度、熱安定性、耐水性、透明性が優れたガラスまたはポリマー材料を使用することができる。さらに、ディスプレイ用としての基板上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設けてもよい。
陽極は、基板上に陽極材料をスパッタリングまたは堆積することによって形成されることができ、ここで、陽極材料可以采用インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、二酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物透明導電材料、ならびにそれらの任意の組み合わせを使用することができ、陰極は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）等の金属または合金、ならびにそれらの任意の組み合わせを使用することができる。
正孔輸送領域、発光層、電子輸送領域および陰極の有機材料層は、真空熱蒸着、スピンコーティング、印刷等の方法によって、陽極上に連続的に作成することができる。ここで、有機材料層として使用される化合物は、有機小分子、有機高分子およびポリマー、ならびにそれらの組み合わせであり得る。
以下、発光層を詳細に説明する。
本発明は、有機発光層の組成を革新し、具体的には、本発明の有機発光層は、ホスト材料、ならびに発光染料としてのフルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物を含む。ホスト材料は、ワイドバンドギャップ材料であり、ワイドバンドギャップ材料の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ｈ）は、ドーピング染料の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ｇ）よりも大きく、ワイドバンドギャップ材料の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ｈ）は、ドーピング染料の第２の三重項エネルギー準位（Ｔ２ ｇ）よりも大きく、発光染料の第２の三重項エネルギー準位（Ｔ２ ｇ）は、発光染料の第１の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ｇ）よりも大きい。
Figure 2023529546000057
発光染料としての本発明のフルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物は、構造が安定した平面芳香族剛性構造である。その第２の三重項エネルギー準位（Ｔ２）は、第１の三重項エネルギー準位（Ｔ１）とはかなり異なるため、Ｔ２からＳ０への放射遷移率（ｋｐ Ｔ２）は、Ｔ２からＴ１への内部変換率（ｋＩＣ）より大きく、即ち、このような染料の三重項には、逆カッサ規則の現象が存在する。さらに、このタイプの染料のＴ２エネルギー準位は、Ｓ１エネルギー準位に近く、Ｔ２からＳ１への逆項間ジャンププロセスが存在するため、正孔と電子と再結合した後に一重項および三重項の励起子を生成し、このタイプの染料は、すべて利用されることができる。
本発明において、ホスト材料のワイドバンドギャップ材料の第１の一重項エネルギー準位は、ホウ素化合物染料の第１の一重項エネルギー準位より大きく、ホスト材料のワイドバンドギャップ材料の第１の一重項エネルギー準位は、発光染料の第２の三重項エネルギー準位より大きく、ホスト材料のワイドバンドギャップ材料の第１の三重項エネルギー準位は、発光染料の第２の三重項エネルギー準位より大きいため、有機電界発光デバイスが電気的に励起された後、ワイドバンドギャップホストの一重項および三重項励起子エネルギーは、すべてそれぞれ染料材料の一重項および三重項に転移させることができ、または正孔と電子とが染料上で濁世ツ再結合され、染料Ｔ２からＳ１的への逆項間ジャンププロセスにより高効率の発行を達成し、最終的に有機電界発光デバイスの一重項および三重項エネルギーは、十分に利用され、有機電界発光デバイスの発光効率を向上させ、従って、本発明は、三重項励起子の濃度を効果的に低減させルことにより、高輝度下での深刻なロールオフ（ｒｏｌｌ－ｏｆｆ）低下の問題を解決し、有機電界発光デバイスの安定性能を効果的に増強させることができる。
具体的には、ホスト材料のワイドバンドギャップ材料の第１の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ｈ）は、発光染料の第２の三重項エネルギー準位（Ｔ２ ｇ）よりも少なくとも０．１ｅＶ高く、即ち、Ｔ１ ｈ－Ｔ２ ｇ＞０．１ｅＶであり、発光染料の第１の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ｇ）は、第１の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ｇ）よりも少なくとも０．３ｅＶ高く、即ち、Ｓ１ ｇ－Ｔ１ ｇ＞０．３ｅＶであり、ホウ素化合物染料の第２の三重項エネルギー準位（Ｔ２ ｇ）は、第１の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ｇ）よりも少なくとも０．３ｅＶ高く、即ち、Ｔ２ ｇ－Ｔ１ ｇ＞０．３ｅＶである。
本発明は、有機発光層の組成を革新し、ワイドバンドギャップホストを使用して発光染料としてのこのようなフルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物を組み合わせると、有機電界発光デバイスの寿命を向上させ、ロールオフを低減させ、スペクトルを狭めるだけでなく、産業上の適用にも非常に重要な意味がある。
デバイスの高効率発光を達成するために、有機発光層におけるワイドバンドギャップ材料の割合は、５０ｗｔ％～９９．９ｗｔ％であり、有機発光層における発光染料の割合は、０．１ｗｔ％～５０ｗｔ％である。ここで、ワイドバンドギャップ材料の割合が増加するにつれて、デバイスの安定性は、高くなり、かつ寿命が徐々に延びる。
以下、本発明の化合物を有機電界発光デバイスに具体的に適用し、実際の使用性能を試験することにより、本発明の技術的効果および利点を実証および検証する。
有機電界発光デバイスは、陽極、陰極、および二つの電極間の有機材料層を含む。当該有機材料は、さらに複数の領域に分割することができ、例えば、有機材料層は、正孔輸送領域、発光層、電子輸送領域を含むことができる。
陽極の材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、二酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物透明導電材料、ならびにそれらの任意の組み合わせを使用することができる。陰極の材料は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）等の金属または合金、ならびにそれらの任意の組み合わせを使用することができる。
正孔輸送領域は、陽極と発光層との間に位置する。正孔輸送領域は、一つの化合物のみを含む単層正孔輸送層および複数の化合物を含む単層正孔輸送層を含む、単層構造の正孔輸送層（ＨＴＬ）であり得る。正孔輸送領域は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子ブロック層（ＥＢＬ）のうちの少なくとも一層を含む多層構造でもあり得る。
正孔輸送領域の材料は、ＣｕＰｃ等のフタロシアニン誘導体、例えば、ポリフェニレン、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）、ポリアニリン／ポリ（４－スチレンスルホネート）（Ｐａｎｉ／ＰＳＳ）、芳香族アミン誘導体の導電性ポリマーまたは導電性ドーパントを含むポリマー等から選択されることができるが、これらに限定されない。
発光層は、異なる波長スペクトルを放射できる発光染料（即ち、ドーパント、ｄｏｐａｎｔ）を含み、ホスト材料（Ｈｏｓｔ）も同時に含むことができる。発光層は、赤、緑、青などの単色を発行する単色発光層であり得る。複数の異なる色の単色発光層は、画素パターンに従って平面内に配置することができ、一緒に体積して有色発光層を形成することもできる。異なる色の発光層が一緒に堆積される場合、それらは、互いに隔離されることができ、互いに連結されることもできる。発光層は、赤、緑、青等の異なる色を同時に発行する単色発光層でもあり得る。
電子輸送領域は、一つの化合物のみを含む単層電子輸送層および複数の化合物を含む単層電子輸送層を含む、単層構造の電子輸送層（ＥＴＬ）であり得る。電子輸送領域は、電子注入層（ＥＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、正孔ブロック層（ＨＢＬ）のうちの少なくとも一層を含む多層構造でもあり得る。
本発明は、図１を例として説明すると、基板１上に陽極２、正孔輸送領域３、有機発光層４、電子輸送領域５、陰極６を順次に堆積してから、パッケージングする段階を含む、当該有機電界発光デバイスの作製方法をさらに提供する。ここで、有機発光層４を作成する場合、ワイドバンドギャップ材料源、電子供与体材料源、電子受容体材料源および共鳴型ＴＡＤＦ材料源を共蒸着する方法によって、有機発光層４を形成する。
具体的には、本発明の有機電界発光デバイスの作製方法は、次のような段階を含む。
１．陽極材料でコーティングしたガラス板を市販の洗浄剤で超音波処理し、脱イオン水ですすぎ、アセトン：エタノール混合溶媒中で超音波で脱脂し、水分が完全に除去されるまできれいな環境で焼き、ＵＶライトおよびオゾンで洗浄し、低エネルギーの陽イオンビームで表面を砲撃する。
２．上記の陽極付きガラス板を真空チャンバーに入れ、１×１０－５～９×１０－３Ｐａまで排気し、上記の陽極層の膜上に正孔注入層を真空蒸着し、蒸着速度は、０．１～０．５ｎｍ／ｓである。
３．正孔注入層上に正孔輸送層を真空蒸着し、蒸着速度は、０．１～０．５ｎｍ／ｓである。
４．正孔輸送層上にデバイスの発光層を真空蒸着し、発光層は、ホスト材料およびＴＡＤＦ染料を含み、マルチソース共蒸着法を使用して、ホスト材料の蒸着速度、増感剤材料の蒸着速度および染料の蒸着速度を調節して、染料が事前に設定されたドーピング比率達するようにする。
５．有機発光層上にデバイスの電子輸送層材料を真空蒸着し、その蒸着速度は、０．１～０．５ｎｍ／ｓである。
６．電子輸送層上に、０．１～０．５ｎｍ／ｓの真空蒸着ＬｉＦを電子注入層として使用し、０．５～１ｎｍ／ｓの真空蒸着Ａｌ層をデバイスの陰極として使用する。
本発明の実施例は、表示装置をさらに提供し、前記表示装置は、上記で提供される有機電界発光デバイスを含む。当該表示装置は、具体的には、ＯＬＥＤディスプレイ等のディスプレイデバイス、ならびに当該ディスプレイデバイスを含むテレビ、デジタルカメラ、携帯電話、タブレットコンピューター等のディスプレイ機能を備えた任意の製品または部品であり得る。当該表示装置および上記の有機電界発光デバイスは、従来技術と比較して、同じ利点を有するが、ここでは繰り返さない。
以下、具体的な実施例を通じて本発明の有機電界発光デバイスをさらに説明する。
本発明の以下の実施例において、ＯＬＥＤは、順次に堆積された陽極／正孔注入層／正孔輸送層／第１の励起子ブロック層／発光層／第２の励起子ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極を含む。ここで、陽極は、ＩＴＯであり、正孔注入層は、ＨＡＴＣＮであり、正孔輸送層は、ＮＰＢであり、電子輸送層は、ＤＰｙＰＡおよびＬｉｑ共蒸着であり、電子注入層は、ＬｉＦであり、陰極は、Ａｌである。
Figure 2023529546000058
実施例１
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：０．５ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
ＩＴＯ透明導電層でコーティングしたガラス板を市販の洗浄剤で超音波処理し、脱イオン水ですすぎ、アセトン：エタノール混合溶媒中で超音波で脱脂し、水分が完全に除去されるまできれいな環境で焼き、ＵＶライトおよびオゾンで洗浄し、低エネルギー陽イオンビームで表面を氷激する。
ＩＴＯ透明導電層上にデバイスの正孔注入層としてＨＡＴＣＮを正孔注入層し、蒸着速度は、０．１ｎｍ／ｓであり、蒸着の総膜厚は、５ｎｍである。
正孔注入層上にデバイスの正孔輸送層としてＮＰＢを真空蒸着し、蒸着速度は、０．１ｎｍ／ｓであり、蒸着の総膜厚は、３０ｎｍである。
正孔輸送層上にデバイスの発光層を真空蒸着し、本発明の発光層は、ホスト材料および染料材料を含む。ホスト材料を調節する蒸着速度は、すべて０．１ｎｍ／ｓであり、発光層中の染料蒸着速度は、ホスト蒸着速度の１％になるように調節し、発光層の蒸着の総膜厚は、３０ｎｍである。
発光層上でのＤＰｙＰＡおよびＬｉｑの真空共蒸をデバイスの電子輸送材料として使用し、共蒸着比は、１：１であり、蒸着速度は、０．１ｎｍ／ｓであり、蒸着の総膜厚は、３０ｎｍである。
電子輸送層上に、電子注入層として厚さが０．５ｎｍであるＬｉＦを真空蒸着し、デバイス的陰極として厚さが１５０ｎｍであるＡｌ層を使用する。
さらに、ホスト材料の第１の三重項エネルギー準位、ホウ素化合物染料の第１の一重項、および第２の三重項エネルギー準位は、表１に示されたとおりである。
実施例２
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の濃度が異なることである。
実施例３
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：２ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の濃度が異なることである。
実施例４
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：５ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の濃度が異なることである。
実施例５
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１０ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の濃度が異なることである。
実施例６
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－１５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例７
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例８
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－３５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例９
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－４５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１０
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－６５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１１
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１２
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－９５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１３
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－１２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１４
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－１５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１５
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－１７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１６
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－２０５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１７
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－２２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１８
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－２５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１９
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－２８５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例２０
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－３００（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例２１
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－３１５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例２２
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－３３５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例２３
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－３５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例２４
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－３７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例２５
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１：１ｗｔ％ Ｆ－４００（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例２６
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：０．５ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例２７
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例２８
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：２ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例３とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例２９
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：５ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例４とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例３０
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１０ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例５とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例３１
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－１５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例３２
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例３３
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－３５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例３４
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－４５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例３５
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－６５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例３６
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例３７
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－９５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例３８
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－１２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例３９
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－１５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例４０
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－１７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例４１
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－２０５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例４２
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－２２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例４３
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－２５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例４４
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－２８５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例４５
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－３００（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例４６
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－３１５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例４７
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－３３５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例４８
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－３５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例４９
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－３７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
実施例５０
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１０：１ｗｔ％ Ｆ－４００（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例５１
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：０．５ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例５２
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例５３
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：２ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例３とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例５４
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：５ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例４とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例５５
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１０ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例５とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例５６
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－１５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例５７
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例５８
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－３５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例５９
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－４５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例６０
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－６５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例６１
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例６２
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－９５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例６３
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－１２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例６４
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－１５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例６５
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－１７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例６６
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－２０５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例６７
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－２２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例６８
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－２５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例６９
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－２８５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例７０
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－３００（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例７１
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－３１５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例７２
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－３３５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例７３
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－３５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例７４
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－３７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
実施例７５
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ１９：１ｗｔ％ Ｆ－４００（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例７６
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：０．５ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例７７
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例７８
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：２ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例３とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例７９
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：５ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例４とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例８０
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１０ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例５とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例８１
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－１５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例８２
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例８３
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－３５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例８４
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－４５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例８５
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－６５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例８６
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例８７
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－９５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例８８
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－１２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例８９
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－１５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例９０
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－１７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例９１
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－２０５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例９２
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－２２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例９３
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－２５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例９４
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－２８５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例９５
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－３００（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例９６
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－３１５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例９７
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－３３５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例９８
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－３５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例９９
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－３７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
実施例１００
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４３：１ｗｔ％ Ｆ－４００（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１０１
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－４００（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１０２
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：０．５ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例１０３
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例１０４
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：２ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例３とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例１０５
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：５ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例４とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例１０６
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１０ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例５とほぼ同じであり、唯一の違いは、ホストの種類が異なることである。
実施例１０７
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－１５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１０８
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１０９
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－３５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１１０
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－４５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１１１
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－６５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１１２
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１１３
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－９５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１１４
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－１２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１１５
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－１５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１１６
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－１７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１１７
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－２０５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１１８
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－２２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１１９
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－２５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１２０
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－２８５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１２１
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－３００（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１２２
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－３１５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１２３
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－３３５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１２４
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－３５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例２とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
実施例１２５
本実施例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｗ４９：１ｗｔ％ Ｆ－３７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
Figure 2023529546000059
比較例１
本比較例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｃ１：１ｗｔ％ Ｆ－１５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
本比較例のデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層のホストおよび染料の種類が異なることである。
比較例２
本比較例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｃ１：１ｗｔ％ Ｆ－２５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
比較例３
本比較例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｃ１：１ｗｔ％ Ｆ－３５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
比較例４
本比較例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｃ１：１ｗｔ％ Ｆ－４５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
比較例５
本比較例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｃ１：１ｗｔ％ Ｆ－５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
比較例６
本比較例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｃ２：１ｗｔ％ Ｆ－３００（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
比較例７
本比較例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｃ２：１ｗｔ％ Ｆ－３１５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
比較例８
本比較例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｃ２：１ｗｔ％ Ｆ－３３５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
比較例９
本比較例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｃ２：１ｗｔ％ Ｆ－３５５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。
比較例１０
本比較例のデバイス構造は、次に示されたとおりである。
ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｃ２：１ｗｔ％ Ｆ－３７５（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＡ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）。
そのデバイスの意味は、実施例１とほぼ同じであり、唯一の違いは、有機発光層の染料の種類が異なることである。

上記の本発明のすべての実施例およびすべての比較例で作成された有機電界発光デバイス中で使用されるホスト材料および染料のエネルギー準位データは、以下の表１に示されたとおりである。
表１：
Figure 2023529546000060
Figure 2023529546000061
Figure 2023529546000062
Figure 2023529546000063
Figure 2023529546000064
Figure 2023529546000065
Figure 2023529546000066
Figure 2023529546000067
Figure 2023529546000068
Figure 2023529546000069
Figure 2023529546000070
Figure 2023529546000071
Figure 2023529546000072
Figure 2023529546000073
上記のプロセスによって作製された有機電界発光デバイス（実施例１～１００、比較例１～１０）に対して、次のような性能測定が行われた。作成されたデバイスの電流、電圧、輝度、発光スペクトル、電流効率、外部量子効率等の特性は、ＰＲ６５５スペクトル走査輝度計およびＫｅｉｔｈｌｅｙ Ｋ２４００デジタルソースメーターシステムによって同時に試験される。
ターンオン電圧：毎秒０．１Ｖの速度で電圧を増加させ、有機電界発光デバイスの輝度が１ｃｄ／ｍ２に達した時の電圧、ターンオン電圧を測定する。
上記の本発明の実施例および比較例によって作成された有機電界発光デバイスの具体的な性能試験結果は、以下の表２に示される。
表２：
Figure 2023529546000074
Figure 2023529546000075
Figure 2023529546000076
Figure 2023529546000077
Figure 2023529546000078
Figure 2023529546000079
Figure 2023529546000080
Figure 2023529546000081
Figure 2023529546000082

Figure 2023529546000083
Figure 2023529546000084
Figure 2023529546000085
Figure 2023529546000086
上記の表２から、本発明のこのような有機電界発光デバイスは、ホスト材料および染料の新しい組み合わせスキームを使用することにより、作成されたデバイスは、すべて優れた光電子性能を有し、すべてのデバイスの発光外部量子効率は、すべて１２％以上でありであり、全体的な有意性を示すことが分かる。
以上、実施例を参照して本発明を説明したが、本発明は、上記の実施例に限定されるものではない。明らかに、上記の実施例は、明確な説明のための例にすぎず、実施形態を限定することを意図しない。当業者であれば、上記の説明に基づいて、他の異なる形態の変更または修正を行うこともできる。ここですべての実施形態を網羅する必要はなく、網羅することもできない。これから派生される明らかな変更または変更は、依然として本発明の保護範囲にある。

Claims (13)

  1. 第１の電極、第２の電極、ならびにホスト材料および発光染料を含む有機発光層を含む有機機能層を含む、有機電界発光デバイスであって、
    前記ホスト材料は、ワイドバンドギャップ材料であり、当該ホスト材料の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ｈ）は、発光染料の第１の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ｇ）よりも大きく、前記ホスト材料の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ｈ）は、発光染料の第２の三重項エネルギー準位（Ｔ２ ｇ）より大きいか等しいであり、
    前記発光染料の第２の三重項エネルギー準位（Ｔ２ ｇ）は、発光染料の第１の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ｇ）より大きいか等しいであり、
    前記発光染料は、フルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物である
    ことを特徴とする有機電界発光デバイス。
  2. 前記有機発光層における発光染料としての前記フルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物のドーピング比率は、０．１～５０ｗｔ％であり、
    前記有機発光層におけるホスト材料としての前記ワイドバンドギャップ材料の比率は、５０～９９．９ｗｔ％である
    請求項１に記載の有機電界発光デバイス。
  3. 発光染料としての前記フルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物は、以下の式［１］に示される構造を有し、
    Figure 2023529546000087
     式［１］：
    式［１］において、Ｙは、ＮまたはＣであり、
    環Ａおよび環Ａ’は、それぞれ独立して、アジン環として表され、前記アジン環の炭素原子の数は、４～１２個であり、
    Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、ハロゲンとして表され、
    Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立して、水素、重水素、置換または非置換のＣ１～Ｃ３６鎖状アルキル基、置換または非置換のＣ３～Ｃ３６シクロアルキル基、Ｃ１～Ｃ１０アルコキシ基、シアノ基、Ｃ６～Ｃ３０アリールアミノ基、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロアリールアミノ基、置換または非置換のＣ６～Ｃ６０単環式アリール基、Ｃ６～Ｃ６０縮合環アリール基、Ｃ６～Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ５～Ｃ６０単環式ヘテロアリール基、Ｃ５～Ｃ６０縮合環ヘテロアリール基、トリメチルシリル基から選択され、前記Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立して、連結したアジン環と連結して環を形成するか、または形成しないし、
    ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１～最大許容整数値から選択され、
    前記の基に置換基が存在する場合、前記置換基は、重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ３０鎖状アルキル基、Ｃ３～Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ１～Ｃ１０アルコキシ基、シアノ基、Ｃ６～Ｃ３０アリールアミノ基、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロアリールアミノ基、Ｃ６～Ｃ６０単環式アリール基、Ｃ６～Ｃ６０縮合環アリール基、Ｃ６～Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ５～Ｃ６０単環式ヘテロアリール基、Ｃ５～Ｃ６０縮合環ヘテロアリール基のうちの一つまたは少なくとも二つの種の組み合わせから選択される
    請求項１に記載の有機電界発光デバイス。
  4. 光染料としての前記発フルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物は、式［２］に示されるような構造を有し、
    Figure 2023529546000088
     式［２］：
    式［２］において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８は、それぞれ独立して、炭素原子または窒素原子から選択され、
    ｍおよびｎは、それぞれ独立して、２～４の整数から選択され、
    Ｙは、ＮまたはＣであり、
    Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、ハロゲンとして表され、
    Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立して、水素、重水素、置換または非置換のＣ１～Ｃ３６鎖状アルキル基、置換または非置換のＣ３～Ｃ３６シクロアルキル基、Ｃ１～Ｃ１０アルコキシ基、シアノ基、Ｃ６～Ｃ３０アリールアミノ基、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロアリールアミノ基、置換または非置換のＣ６～Ｃ６０単環式アリール基、Ｃ６～Ｃ６０縮合環アリール基、Ｃ６～Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ５～Ｃ６０単環式ヘテロアリール基、Ｃ５～Ｃ６０縮合環ヘテロアリール基、トリメチルシリル基から選択され、前記Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立して、連結したアジン環と連結して環を形成するか、または形成しないし、
    前記の基に置換基が存在する場合、前記置換基は、重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ３０鎖状アルキル基、Ｃ３～Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ１～Ｃ１０アルコキシ基、シアノ基、Ｃ６～Ｃ３０アリールアミノ基、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロアリールアミノ基、Ｃ６～Ｃ６０単環式アリール基、Ｃ６～Ｃ６０縮合環アリール基、Ｃ６～Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ５～Ｃ６０単環式ヘテロアリール基、Ｃ５～Ｃ６０縮合環ヘテロアリール基のうちの一つまたは少なくとも二つの種の組み合わせから選択されることを特徴とする
    請求項１に記載の有機電界発光デバイス。
  5. 式［２］において、少なくとも一つのＲ３、フェニル基であり、かつ環Ｂと縮合して連結し、
    および／または、有少なくとも一つのＲ４は、フェニル基であり、かつ環Ｂ’と縮合して連結する
    請求項４に記載の有機電界発光デバイス。
  6. 式［２］において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８は、それぞれ独立して、炭素原子から選択され、
    および／または、Ｒ１、Ｒ２は、すべてフッ素原子であり、
    および／または、一つのＲ３は、フェニル基であり、かつ環Ｂと縮合して連結し、一つのＲ４は、フェニル基であり、かつ環Ｂ’と縮合して連結する
    請求項４に記載の有機電界発光デバイス。
  7. 発光染料としての前記フルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物は、下記式（１）、式（２）、式（３）または式（４）のいずれか一つに示されるような構造を有し、
    Figure 2023529546000089
     式（１）、式（２）、式（３）、式（４）において、ｍ、ｎ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の定義は、前記式［１］の定義と同じであり、
    発光染料としての前記フルオロホウ素メチレンビピリジン化合物は、下記式（５）、式（６）、式（７）または式（８）のいずれか一つに示されるような構造を有し、
    Figure 2023529546000090
     式（５）、式（６）、式（７）、式（８）において、ｍ、ｎ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の定義は、前記式［１］の定義と同じである
    請求項３または４に記載の有機電界発光デバイス。
  8. 式（１）、式（２）、式（３）、式（４）、式（５）、式（６）、式（７）、式（８）において、
    Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立して、水素、重水素または例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、２－メチルブチル基、ｎ－ペンチル基、ｓ－ペンチル基、シクロペンチル基、ネオペンチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、ネオヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、シクロヘプチル基、ｎ－オクチル基、シクロオクチル基、２－エチルヘキシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロメチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ベンゾアントラセン基、フェナントリル基、ベンゾフェナントレニル基、ピレニル基、クリセン基、ペリレン基、フルオランテニル基、テトラセニル基、ペンタセニル基、ベンゾピレン基、ビフェニル基、ジフェニル基、ターフェニル基、三量体化フェニル基、クォーターフェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ジヒドロフェナントリル基、ジヒドロピレン基、テトラヒドロピレン基、シスまたはトランスインデノフルオレニル基、三量体化インデニル基、ヘテロ三量体化インデニル基、スピロ三量体化インデニル基、スピロヘテロ三量体化インデニル基、トリフルオロメチルフェニル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基、トリメトキシフェニル基、ジトリフルオロメチルフェニル基、カルバゾリルフェニル基、フラニル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、イソベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、ピロリル基、イソインドリル基、カルバゾリル基、インデノカルバゾリル基、ピリジル基、キノリニル基、イソキノリニル基、アクリジニル基、フェナントリジン基、ベンゾ－５，６－キノリニル基、ベンゾ－６，７－キノリニル基、ベンゾ－７，８－キノリニル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフチミダゾリル基、フェナンスロイミダゾリル基、ピリジミダゾリル基、ピラジニミダゾリル基、キノキサリンイミダゾリル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ナフタゾリル基、アントラキサゾリル基、フェナンタゾリル基、１，２－チアゾリル基、１，３－チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ピリダジニル基、ベンゾピリダジニル基、ピリミジニル基、ベンゾピリミジニル基、キノキサリニル基、１，５－ジアザアンテニル基、２，７－ジアザピレニル基、２，３－ジアザピレニル基、１，６－ジアザピレニル基、１，８－ジアザピレニル基、４，５－ジアザピレニル基、４，５，９，１０－テトラアザペリレン基、ピラジニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、ナフチリジニル基、アザカルバゾリル基、ベンゾカルボリニル基、フェナントロリン基、１，２，３－トリアゾリル基、１，２，４－トリアゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、１，２，３－オキサジアゾリル基、１，２，４－オキサジアゾリル基、１，２，５－オキサジアゾリル基、１，２，３－チアジアゾリル基、１，２，４－チアジアゾリル基、１，２，５－チアジアゾリル基、１，３，４－チアジアゾリル基、１，３，５－トリアジニル基、１，２，４－トリアジニル基、１，２，３－トリアジニル基、テトラゾリル基、１，２，４，５－テトラジニル基、１，２，３，４－テトラジニル基、１，２，３，５－テトラジニル基、プリニル基、プテリジル基、インドリジニル基、ベンゾチアジアゾリル基、９，９－ジメチルアクリジニル基、ジアリールアミン基、アダマンチル基、フルオロフェニル基、メチルフェニル基、トリメチルフェニル基、シアノフェニル基、テトラヒドロピロール、ピペリジン、メトキシ基、トリメチルシリル基、または前記の二つの種の置換基から選択される組み合わせ等の置換基から選択され、
    および／または、Ｒ１、Ｒ２は、すべてフッ素原子である
    請求項７に記載の有機電界発光デバイス。
  9. 発光染料としてのフルオロホウ素アザメチレンビピリジン化合物またはフルオロホウ素メチレンビピリジン化合物は、下記式（Ｆ－１）～（Ｆ－４００）のいずれか一つに示される化合物から選択される
    Figure 2023529546000091
    Figure 2023529546000092
    Figure 2023529546000093
    Figure 2023529546000094
    Figure 2023529546000095
    Figure 2023529546000096
    Figure 2023529546000097
    Figure 2023529546000098
    Figure 2023529546000099
    Figure 2023529546000100
    Figure 2023529546000101
    Figure 2023529546000102
    Figure 2023529546000103
    Figure 2023529546000104
    Figure 2023529546000105
    Figure 2023529546000106
    Figure 2023529546000107
    Figure 2023529546000108
    Figure 2023529546000109
    Figure 2023529546000110
    Figure 2023529546000111
    Figure 2023529546000112
    Figure 2023529546000113
    Figure 2023529546000114
    Figure 2023529546000115
    Figure 2023529546000116
    Figure 2023529546000117
    Figure 2023529546000118
    Figure 2023529546000119
    Figure 2023529546000120
    Figure 2023529546000121
    Figure 2023529546000122
    Figure 2023529546000123
    Figure 2023529546000124
    Figure 2023529546000125
    Figure 2023529546000126
    Figure 2023529546000127
    Figure 2023529546000128
    Figure 2023529546000129
    Figure 2023529546000130
    Figure 2023529546000131
    Figure 2023529546000132
    Figure 2023529546000133
    Figure 2023529546000134
    Figure 2023529546000135
    Figure 2023529546000136
    Figure 2023529546000137
    Figure 2023529546000138
     請求項３または４に記載の有機電界発光デバイス。
  10. 発光層中のホスト材料としての前記ワイドバンドギャップ材料は、カルバゾール系誘導体、カルボリン系誘導体、スピロフルオレン系誘導体、フルオレン系誘導体、ケイ素含有誘導体、ホスフィン含有酸素誘導体、スルホン含有誘導体からなる群から選択される少なくとも一つの化合物から選択される
    請求項１に記載の有機電界発光デバイス。
  11. 発光層中のホスト材料としての前記ワイドバンドギャップ材料は、下記式（Ｗ－１）～（Ｗ－４９）のいずれか一つに示される化合物から選択されるが、これらに限定されない
    Figure 2023529546000139
    Figure 2023529546000140
    Figure 2023529546000141
     請求項１に記載の有機電界発光デバイス。
  12. 請求項１に記載の有機電界発光デバイスの適用であって、
    前記適用は、有機電子デバイスにおける適用であり、前記有機電子デバイスは、光センサー、太陽電池、照明素子、有機薄膜トランジスタ、有機電界効果トランジスタ、情報ラベル、電子人工皮膚シート、シート型スキャナーまたは電子ペーパーを含む
    請求項１に記載の有機電界発光デバイスの適用。
  13. 表示装置であって、
    請求項１に記載の有機電界発光デバイスを含み、前記表示装置は、表示素子、照明素子、情報ラベル、電子人工皮膚シートまたは電子ペーパーである
    ことを特徴とする表示装置。

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