KR20220156916A - 유기 전계 발광 소자 및 디스플레이 장치 - Google Patents

유기 전계 발광 소자 및 디스플레이 장치 Download PDF

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티안유 후앙
동동 장
첸 장
루이후안 리유
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Abstract

본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 유기 전계 발광 기술 분야에 속한다. 본 발명의 이러한 유기 전계 발광 소자는 유기 발광층을 포함하고, 유기 발광층은 호스트 재료 및 도핑 염료를 포함하며, 호스트 재료는 광대역 갭 재료이고, 이러한 호스트 재료의 일중항 상태 에너지 준위(S1 h)는 발광 염료의 일중항 상태 에너지 준위(S1 g)보다 크며, 상기 호스트 재료의 삼중항 상태 에너지 준위(T1 h)는 발광 염료의 제2 삼중항 상태 에너지 준위(T2 g)보다 크거나 같으며; 발광 염료의 제2 삼중항 상태 에너지 준위(T2 g)는 발광 염료의 제1 일중항 상태 에너지 준위(S1 g)보다 크거나 같고; 발광 염료는 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물이다. 본 발명의 소자는 호스트와 게스트의 에너지 준위 관계를 조절하여 100%의 여기자 이용률을 구현하여 유기 발광 소자의 효율 및 안정성을 향상시킨다.

Description

유기 전계 발광 소자 및 디스플레이 장치
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 디스플레이 장치에 관한 것으로, 유기 전계 발광 기술 분야에 속한다.
유기 전계 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)는 전류 구동에 의해 발광 목적을 달성하는 소자로서, 그 주요 특성은 그 중의 유기 발광층에 있으며, 적절한 전압이 인가되면 전자 및 정공이 유기 발광층에서 결합되어 여기자를 생성하며 유기 발광층의 특성에 따라 서로 다른 파장의 빛을 방출한다. 현 단계에서, 발광층은 호스트 재료 및 도핑 염료로 구성되었고, 염료는 대부분 기존의 형광 재료, 인광 재료로부터 선택된다. 구체적으로, 기존의 형광 재료는 삼중항 상태 여기자를 이용할 수 없다는 단점이 있고, 인광 재료는 이리듐 또는 백금과 같은 중금속 원자를 도입하여 일중항 상태 여기자가 삼중항 상태로 전이되면서 100%의 에너지 사용 효율을 달성할 수 있지만, 이리듐 또는 백금 등 중금속은 매우 희소하고 고가이며 환경 오염을 일으키기 쉽기 때문에, 인광 재료 또한 염료의 우선 선택이 될 수 없다. 열활성화 지연 형광 재료는 환경 열 에너지의 흡수를 통해 삼중항 상태 여기자가 일중항 상태로의 역 계간 전이를 구현할 수 있으므로 나아가 일중항 상태에서 형광을 방출하지만, TADF 재료는 삼중항 상태 여기자의 수명이 길고 소자 효율 롤오프가 크며 안정성이 낮은 단점이 존재한다.
본 발명의 목적은 유기 전계 발광 소자를 제공하는 바, 상기 소자의 유기 발광층은 광대역 갭 재료를 호스트 재료로 하고, 특정 구조의 붕소-질소 화합물을 발광 염료로서 도핑하며, 호스트와 게스트의 에너지 준위 관계를 조절하여 100%의 여기자 이용률을 구현함으로써 유기 발광 소자의 효율 및 안정성을 향상시킨다.
상기 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 아래와 같은 기술 수단을 제공한다.
제1 전극, 제2 전극 및 유기 기능층을 포함하고, 상기 유기 기능층에는 유기 발광층이 포함되며, 상기 유기 발광층에는 호스트 재료 및 발광 염료가 포함되는 유기 전계 발광 소자로서, 상기 호스트 재료는 광대역 갭 재료이고, 이러한 호스트 재료의 일중항 상태 에너지 준위(S1 h)는 발광 염료의 일중항 상태 에너지 준위(S1 g)보다 크며, 상기 호스트 재료의 삼중항 상태 에너지 준위(T1 h)는 발광 염료의 제2 삼중항 상태 에너지 준위(T2 g)보다 크거나 같고; 상기 발광 염료의 제2 삼중항 상태 에너지 준위(T2 g)는 발광 염료의 제1 일중항 상태 에너지 준위(S1 g)보다 크거나 같으며; 상기 발광 염료는 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물이다.
더 나아가, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에서, 상기 유기 발광층에서 발광 염료인 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물의 도핑 비율은 0.1-50wt%이고; 상기 유기 발광층에서 호스트 재료인 광대역 갭 재료의 비율은 50-99.9wt%이다.
더 나아가, 발광 염료인 상기 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물은 아래 식 [1]에 도시된 바와 같은 구조를 갖고:
Figure pct00001
식 [1]
식 [1]에서, Y는 C 또는 N이며;
고리 A 및 고리 A'는 각각 독립적으로 아진 고리를 나타내고,상기 아진 고리 중의 탄소 원자수는 4-12개이며;
R1, R2는 각각 독립적으로 할로겐을 나타내고;
R3, R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1~C36의 사슬형 알킬, 치환 또는 비치환된 C3~C36의 시클로알킬, C1~C10의 알콕시, 시아노기, C6~C30의 아릴아미노, C3~C30 헤테로아릴아미노, 치환 또는 비치환된 C6-C60의 모노시클릭 아릴, C6-C60의 축합 고리 아릴, C6-C60의 아릴옥시, C5-C60의 모노시클릭 헤테로아릴, C5-C60의 축합 고리 헤테로아릴, 트리메틸실릴 중 하나로부터 선택되며, 상기 R3, R4는 각각 독립적으로 서로 연결된 아진 고리와 연결되어 고리를 형성하거나 형성하지 않으며;
m 및 n은 각각 독립적으로 1부터 최대 허용 정수값으로부터 선택되며;
상기 그룹에 치환기가 존재할 때, 상기 치환기는 중수소, 할로겐, C1~C30의 사슬형 알킬, C3~C30의 시클로알킬, C1~C10의 알콕시, 시아노기, C6~C30의 아릴아미노, C3~C30헤테로아릴아미노, C6~C60의 모노시클릭 아릴, C6~C60의 축합 고리 아릴, C6~C60의 아릴옥시, C5~C60의 모노시클릭 헤테로아릴, C5~C60의 축합 고리 헤테로아릴 중 하나 또는 적어도 2가지 조합으로부터 선택된다.
더 나아가, 발광 염료인 상기 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물은 식 [2]에서 도시된 바와 같은 구조를 갖고:
Figure pct00002
식 [2]
식 [2]에서, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8은 각각 독립적으로 탄소 원자 또는 질소 원자로부터 선택되며;
m 및 n은 각각 독립적으로 2~4의 정수로부터 선택되고;
Y, R1, R2의 정의는 식 [1]에서의 정의와 동일하며, R3, R4의 정의는 식 [1]에서의 정의와 동일하며, 적어도 하나의 R3은 페닐이고 고리 B에 축합 연결될 수 있고, 적어도 하나의 R4는 페닐이고 고리B'에 축합 연결될 수 있다.
보다 더 바람직하게, 식 [2]에서, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8은 각각 독립적으로 탄소 원자로부터 선택되고;
및/또는, R1, R2는 모두 불소 원자이며;
및/또는, 하나의 R3은 페닐이고 고리 B에 축합 연결되고, 하나의 R4은 페닐이고 고리B'에 축합 연결된다.
보다 더 바람직하게, 발광 염료인 상기 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물은 식 (1), 식 (2), 식 (3) 또는 식 (4) 중 어느 하나에 도시된 바와 같은 구조를 갖고:
Figure pct00003
식 (1), 식 (2), 식 (3), 식 (4)에서, m, n, R1, R2, R3, R4의 정의는 식 [1]에서의 정의와 동일하며;
발광 염료인 상기 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물은 식 (5), 식 (6), 식 (7) 또는 식 (8) 중 어느 하나에 도시된 바와 같은 구조를 갖고:
Figure pct00004
식 (5), 식 (6), 식 (7), 식 (8)에서, m, n, R1, R2, R3, R4의 정의는 식 [1]에서의 정의와 동일하다.
보다 더 바랍직하게, 식 (1), 식 (2), 식 (3), 식 (4), 식 (5), 식 (6), 식 (7), 식 (8)에서, R3, R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소 또는 하기 치환기인 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, sec-펜틸, 시클로펜틸, 네오펜틸, n-헥실, 시클로헥실, 네오헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 페닐, 나프틸, 안트라세닐, 벤조안트라실, 페난트레닐, 벤조페난트레닐, 피레닐, 크리센기, 페릴렌기, 플루오란테닐, 테트라세닐, 펜타세닐, 벤조피레닐, 비페닐, 디페닐, 터페닐, 삼량체화 페닐, 쿼터페닐기, 플루오레닐, 스피로비플루오레닐, 디히드로페난트레닐, 디히드로피레닐, 테트라히드로피레닐, 시스 또는 트랜스 인데노플루오레닐, 삼량체화 인데닐, 이소삼량체화 인데닐, 스피로삼량체화 인데닐, 스피로이소삼량체화 인데닐, 트리플루오로메틸페닐, 메톡시페닐, 디메톡시페닐, 트리메톡시페닐, 디트리플루오로메틸페닐, 카바졸릴페닐, 푸릴, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 티에닐, 벤조티에닐, 이소벤조티에닐, 디벤조티에닐, 피롤릴, 이소인돌릴, 카바졸릴, 인데노카바졸릴, 피리딜, 퀴놀리닐, 이소퀴놀리닐, 아크리디닐, 페난트리디닐, 벤조-5,6-퀴놀리닐, 벤조-6,7-퀴놀리닐, 벤조-7,8-퀴놀리닐, 피라졸릴, 인다졸릴, 이미다졸릴, 벤조이미다졸릴, 나프토이미다졸릴, 페난트로이미다졸릴, 피리도이미다졸릴, 피라지노이미다졸릴, 퀴녹살린이미다졸릴, 옥사졸릴, 벤조옥사졸릴, 나프토옥사졸릴, 안트라옥사졸릴, 페난트로옥사졸릴, 1,2-티아졸릴, 1,3-티아졸릴, 벤조티아졸릴, 피리다지닐, 벤조피리다지닐, 피리미디닐, 벤조피리미디닐, 퀴녹살리닐, 1,5-디아자안트릴, 2,7-디아자피레닐, 2,3-디아자피레닐, 1,6-디아자피레닐, 1,8-디아자피레닐, 4,5-디아자피레닐, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌기, 피라지닐, 페나지닐, 페노티아지닐, 나프티리디닐, 아자카바졸릴, 벤조카볼리닐, 페난트롤리닐, 1,2,3-트리아졸릴, 1,2,4-트리아졸릴, 벤조트리아졸릴, 1,2,3-옥사디아졸릴, 1,2,4-옥사디아졸릴, 1,2,5_옥사디아졸릴, 1,2,3-티아디아졸릴, 1,2,4-티아디아졸릴, 1,2,5-티아디아졸릴, 1,3,4-티아디아졸릴, 1,3,5-트리아지닐, 1,2,4-트리아지닐, 1,2,3-트리아지닐, 테트라졸릴, 1,2,4,5-테트라지닐, 1,2,3,4-테트라지닐, 1,2,3,5-테트라지닐, 퓨리닐, 프테리디닐, 인돌리지닐, 벤조티아디아졸릴, 9,9-디메틸아크리디닐, 디아릴아민기, 아다만틸, 플루오로페닐, 메틸페닐, 트리메틸페닐, 시아노페닐, 테트라히드로피롤릴, 피페리디닐, 메톡시, 트리메틸실릴 등 치환기 중 하나로부터 선택되거나, 또는 상기 2가지 치환기 조합으로부터 선택되고;
및/또는, 식 (1), 식 (2), 식 (3), 식 (4), 식 (5), 식 (6), 식 (7), 식 (8)에서, R1, R2는 모두 불소 원자이다.
보다 더 바람직하게, 발광 염료인 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물은 식 (F-1)-(F-400) 중 어느 하나에 도시된 바와 같은 화합물로부터 선택된다.
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보다 더 바람직하게, 발광층에서 호스트 재료인 광대역 갭 재료는 카바졸계 유도체, 카르볼린계 유도체, 스피로플루오렌계 유도체, 플루오렌계 유도체, 규소 함유기 유도체, 포스핀 옥사이드 함유기 유도체, 술포닐 함유기 유도체 중 적어도 하나의 화합물로부터 선택되고; 상기 광대역 갭 재료는 바람직하게 아래 구조 중 어느 하나에 도시된 바와 같은 화합물로부터 선택되지만 이에 한정되지 않는다.
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본 발명은 또한 상기 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 적용을 제공하는 바, 상기 적용은 유기 전자 장치에서의 적용이고, 상기 유기 전자 장치는 광 센서, 태양광 전지, 조명 소자, 유기 박막 트랜지스터, 유기 전계 효과 트랜지스터, 유기 박막 태양광 전지, 정보 태그, 전자 인공 피부 시트, 시트형 스캐너 또는 전자 페이퍼를 포함한다.
본 발명은 동시에 디스플레이 장치를 제공하는 바, 본 발명의 상기 유기 전계 발광 소자를 포함하고, 상기 디스플레이 장치는 디스플레이 소자, 조명 소자, 정보 태그, 전자 인공 피부 시트 또는 전자 페이퍼를 포함하지만 이에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 발광 메커니즘 다이어그램이다.
도 2는 본 발명의 실시예에서 제조한 유기 전계 발광 소자의 구조 모식도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 발광 메커니즘은 다음과 같다.
본 발명에서 사용된 발광 염료인 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물은 다음과 같은 특성을 갖는다.
이러한 염료의 제2 삼중항 상태 에너지 준위(T2)는 제1 삼중항 상태 에너지 준위(T1)와 차이가 크므로 T2에서 S0으로의 복사 전이율(kp T2)은 T2에서 T1으로의 내부 전환율(kIC)보다 크며, 즉 이러한 염료의 삼중항 상태는 카샤의 법칙에 반대되는 현상이 존재한다. 또한, 이러한 유형의 염료의 T2 에너지 준위는 S1 에너지 준위와 근접하여 T2에서 S1으로의 역 계간 전이 과정이 존재하므로 정공과 전하가 재결합된 후 일중항 상태 및 삼중항 상태 여기자를 생성할 때 이러한 유형의 염료를 모두 사용할 수 있다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자의 발광층에서, 상기 염료를 광대역 갭 호스트와 매칭하면 염료의 농도가 희석될 수 있고, 삼중항 - 삼중항 소멸(TTA) 및 삼중항 - 폴라론 소멸(TPA)을 감소시키며, 따라서 염료의 여기자 이용률을 더욱 향상시키고, 소자의 안정성을 증강시킨다. 그리고, 본 발명에서 사용되는 이러한 특정 구조의 붕소화합물 도핑 염료는 뚜렷한 분자 내 전하 전이가 존재하지 않으므로 스펙트럼을 좁히고 소자의 순도를 향상시키는데에 유리하다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 기판(1) 상에 순차적으로 침적되는 양극(2), 정공 수송 구역(3), 유기 발광층(4), 전자 수송 구역(5) 및 음극(6)을 포함한다.
구체적으로, 기판은 기계적 강도, 열 안전성, 방수성, 투명도가 우수한 유리 또는 폴리머 재료를 사용할 수 있다. 또한, 디스플레이용인 기판에는 박막 트랜지스터(TFT)가 구비될 수도 있다.
양극은 기판 상에 양극 재료를 스패터링 또는 침적하는 방식으로 형성될 수 있고, 여기서, 양극 재료는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등의 산화물 투명 전도 재료 및 이들의 임의의 조합을 사용할 수 있으며; 음극은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알류미늄(Al), 알류미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등의 금속 또는 합금 및 이들 사이의 임의의 조합을 사용할 수 있다.
정공 수송 구역, 발광층, 전자 수용 구역 및 음극의 유기 재료층은 진공열증착, 스핀 코팅, 프린팅 등의 방법을 통해 양극 상에 순차적으로 제조될 수 있다. 여기서, 유기 재료층으로 사용되는 화합물은 유기 소분자, 유기 대분자 및 폴리머 그리고 이들의 조합일 수 있다.
아래, 발광층에 대해 상세히 소개한다.
본 발명은 유기 발광층의 구성을 혁신하였고, 구체적으로, 본 발명의 유기 발광층은 호스트 재료 및 발광 염료인 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물을 포함한다. 호스트 재료는 광대역 갭 재료이고, 광대역 갭 재료의 일중항 상태 에너지 준위(S1 h)는 도핑 염료의 일중항 상태 에너지 준위(S1 g)보다 크고, 광대역 갭 재료의 삼중항 상태 에너지 준위(T1 h)는 도핑 염료의 제2 삼중항 상태 에너지 준위(T2 g)보다 크며; 발광 염료의 제2 삼중항 상태 에너지 준위(T2 g)는 발광 염료의 제1 일중항 상태 에너지 준위(S1 g)보다 크다.
본 발명의 호스트 재료는 광대역 갭 재료이고, 상기 광대역 갭 재료는 발광 염료인 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물의 농도를 희석할 수 있어 여기자 밀도를 효과적으로 감소함으로써, 삼중항 - 삼중항 소멸(TTA) 및 여기자 - 폴라론 소멸(TPA)을 효과적으로 억제하고, 유기 전계 발광 소자의 안정성을 더욱 증강시키며, 소자의 수명을 향상시키고 효율성 롤오프를 감소시킨다. 구체적으로, 본 발명의 광대역 갭 재료의 HOMO 에너지 준위와 LUMO 에너지 준위의 차이는 ≥ 2eV이므로, 광대역 갭 재료의 일중항 상태 및 삼중항 상태가 비교적 높은 에너지 준위에 있음을 보장할 수 있어, 광대역 갭 재료의 본 발명의 발광 염료로의 Fφster 에너지 전달 과정 및 Dexter 에너지 전달 과정 발생에 유리하다.
본 발명의 발광 염료인 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물은 평면 방향족 강성 구조이며, 구조가 안정적이다. 제2 삼중항 상태 에너지 준위(T2)와 제1 삼중항 상태 에너지 준위(T1)는 차이가 크므로 T2에서 S0으로의 복사 전이율(kp T2)은 T2에서 T1로의 내부 전환율(kIC)보다 크고, 즉 이러한 염료의 삼중항 상태는 카샤의 법칙에 반대되는 현상이 존재한다. 또한, 이러한 유형의 염료의 T2 에너지 준위는 S1 에너지 준위와 근접하여 T2에서 S1로의 역 계간 전이 과정이 존재하므로 정공과 전하가 재결합된 후 일중항 상태 및 삼중항 상태 여기자를 생성할 때 이러한 유형의 염료를 모두 사용할 수 있다.
본 발명에서, 호스트 재료인 광대역 갭 재료의 제1 일중항 상태 에너지 준위는 붕소화합물 염료의 제1 일중항 상태 에너지 준위보다 크고, 호스트 재료인 광대역 갭 재료의 제1 일중항 상태 에너지 준위는 발광 염료의 제2 삼중항 상태 에너지 준위보다 크며, 호스트 재료인 광대역 갭 재료의 제1 삼중항 상태 에너지 준위는 발광 염료의 제2 삼중항 상태 에너지 준위보다 크기 때문에 유기 전계 발광 소자가 전기적으로 여기된 후, 광대역 갭 호스트의 일중항 상태 및 삼중항 상태 여기자 에너지는 각각 염료 재료의 일중항 상태 및 삼중항 상태로 전달될 수 있거나; 또는 정공 및 전자가 염료에서 직접 재결합되며, 염료 T2에서 S1로의 역 계간 전이 과정을 통해 고효율 발광을 구현하여 최종적으로 유기 전계 발광 소자 중의 일중항 상태 및 삼중항 상태 에너지를 충분히 활용하여 유기 전계 발광 소자의 발광 효율을 향상시키므로 본 발명은 삼중항 상태 여기자의 농도를 효과적으로 감소시킬 수 있어 고휘도에서 롤오프(roll-off) 저하가 심각한 문제를 해결하였고 유기 전계 발광 소자의 안정성을 효과적으로 증강시킨다.
구체적으로, 호스트 재료인 광대역 갭 재료의 제1 삼중항 상태 에너지 준위(T1 h)는 발광 염료의 제2 삼중항 상태 에너지 준위(T2 g)보다 적어도 0.1 eV 더 높고, 즉, T1 h- T2 g > 0.1eV이며; 발광 염료의 제1 일중항 상태 에너지 준위(S1 g)는 제1 삼중항 상태 에너지 준위(T1 g)보다 적어도 0.3 eV 더 높고, 즉, S1 g -T1 g > 0.3eV이며; 붕소화합물 염료의 제2 삼중항 상태 에너지 준위(T2 g)는 제1 삼중항 상태 에너지 준위(T1 g)보다 적어도 0.3 eV 더 높고, 즉, T2 g -T1 g > 0.3eV이다.
본 발명은 유기 발광층의 구성을 혁신하였고, 광대역 갭 호스트와 이러한 발광 염료인 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물을 배합하여 유기 전계 발광 소자의 수명을 향상시키고 롤오프를 감소시키며 스펙트럼을 좁힐 수 있을 뿐만 아니라, 더 나아가 공업 적용에 있어서 중요한 의미가 있다.
소자의 고효율 발광을 구현하기 위해,유기 발광층에서 광대역 갭 재료의 비율은 50wt%-99.9wt%이고; 유기 발광층에서 발광 염료의 비율은 0.1wt%-50wt%이다. 여기서, 광대역 갭 재료의 비율이 상승함에 따라, 소자의 안정성이 향상되고 수명이 점차 연장된다.
아래 본 발명의 화합물을 유기 전계 발광 소자에 구체적으로 적용하여 실제 사용 성능을 테스트함으로써 본 발명의 기술적 효과 및 이점을 표시하고 검증한다.
유기 전계 발광 소자는 양극, 음극 및 두 전극 사이의 유기 재료층을 포함한다. 상기 유기 재료는 여러 구역으로 나눌 수 있는데, 예를 들어, 상기 유기 재료층은 정공 수송 구역, 발광층, 전자 전송 구역을 포함할 수 있다.
양극의 재료는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등의 산화물 투명 전도 재료 및 이들의 임의의 조합을 사용할 수 있다. 음극의 재료는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알류미늄(Al), 알류미늄-리듐(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등의 금속 또는 이들의 임의의 조합을 사용할 수 있다.
정공 수송 구역은 양극 및 발광층 사이에 위치한다. 정공 수송 구역은 하나의 화화물만을 포함하는 단층 정공 수송층 및 다양한 화합물을 포함하는 단층 정공 수송층을 포함하는 단층 구조의 정공 수송층(HTL)일 수 있다. 정공 수송 구역은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 차단층(EBL) 중 적어도 한 층을 포함하는 다층 구조일 수도 있다.
정공 수송 구역의 재료는 CuPc와 같은 프탈로시아닌 유도체, 전도성 고분자 또는 폴리페닐렌비닐렌, 폴리아닐린/도데실벤젠 술폰산(Pani/DBSA), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌술포네이트)(PEDOT/PSS), 폴리아닐린/캄포술폰산(Pani/CSA), 폴리아닐린/폴리(스티렌술포네이트)(Pani/PSS), 방향족 아민 유도체 등과 같은 전도성 도펀트를 포함하는 폴리머로부터 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층은 상이한 파장 스펙트럼을 방출할 수 있는 발광 염료(즉 도펀트, dopant)를 포함하고, 동시에 호스트 재료(Host)를 포함할 수 있다. 발광층은 적색, 녹색, 청색 등의 단일 색상을 방출하는 단색 발광층일 수 있다. 여러가지 상이한 색상의 단색 발광층은 픽셀 그래픽스에 따라 평면 배열을 이룰 수 있거나 함께 스택되어 컬러 발광층을 형성할 수도 있다. 상이한 색상의 발광층이 함께 스택될 때, 서로 이격되거나 서로 연결될 수 있다. 발광층은 동시에 적색, 녹색, 청색 등의 상이한 색상을 방출할 수 있는 단일 컬러 발광층일 수도 있다.
전자 수송 구역은 하나의 화합물만을 포함하는 단층 전자 수송층 및 다수의 화합물을 포함하는 단층 전자 수송층을 포함하는 단층 구조의 전자 수송층(ETL)일 수 있다. 전자 수송층은 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 정공 차단층(HBL) 중 적어도 한 층을 포함하는 다층 구조일 수도 있다.
본 발명은 또한 상기 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공하고, 도 1을 예로 들어 설명하면, 기판(1) 상에 순차적으로 양극(2), 정공 수송 구역(3), 유기 발광층(4), 전자 수송 구역(5), 음극(6)을 침적하는 단계와 실장하는 단계를 포함한다. 여기서, 유기 발광층(4)을 제조할 때, 광대역 갭 재료원, 전자 공여체형 재료원, 전자 수용체형 재료원 및 공명형TADF 재료원을 공동 증착하는 방식으로 유기 발광층(4)을 형성한다.
구체적으로, 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법은 아래 단계를 포함한다.
1. 양극 재료가 코팅된 유리판을 상업용 세정제로 초음파 처리하고, 탈이온수로 세척한 후, 아세톤:에탄올 혼합 용매에서 초음파 탈지하며, 깨끗한 환경에서 수분이 완전히 제거될 때까지 베이킹한 후, 자외선 및 오존으로 세척하고, 저에너지 양이온 빔으로 표면에 충격을 가한다.
2. 상기 양극이 있는 유리판을 진공 챔버 내에 넣고, 1Х10-5~9 Х 10-3Pa의 진공 상태로 만들며, 상기 양극층 필름에 정공 주입층을 진공 증착하고, 증착률은 0.1 -0.5nm/s이다.
3. 정공 주입층에 정공 수송층을 진공 증착하고, 증착률은 0.1 - 0.5 nm/s이다.
4. 정공 수송층에 소자의 발광층을 진공 증착하고, 발광층은 호스트 재료 및 TADF염료를 포함하며, 다중 소스 공동 증착 방법을 이용하여 호스트 재료의 증착률, 예감제 재료의 증착속도 및 염료의 증착률을 조절하여 염료가 기설정된 도핑 비율로 달성되도록 한다.
5. 유기 발광층 상에 소자의 전자 수송층 재료를 진공 증착하고, 그 증착률은 0.1-0.5 nm/s이다.
6. 전자 수송층 상에 0.1-0.5 nm/s의 속도로 LiF을 전자 주입층으로서 진공 층착하고, 0.5-1nm/s의 속도로 Al층을 소자의 음극으로서 진공 증착한다.
본 발명의 실시예는 디스플레이 장치를 더 제공하고, 상기 디스플레이 장치는 상기에서 제공되는 유기 전계 발광 소자를 포함한다. 상기 디스플레이 장치는 구체적으로 OLED 디스플레이이 등의 디스플레이 소자일 수 있고, 상기 디스플레이 소자를 포함하는 TV, 디지털 카메라, 휴대폰, 태블릿 컴퓨터와 같은 디스플레이 기능을 가지는 임의의 제품 또는 부품일 수도 있다. 상기 디스플레이 장치 및 상기 유기 전계 발광 소자는 종래 기술에 비해 동일한 이점을 가지며, 여기서 더 이상 언급하지 않는다.
아래, 구체적인 실시예를 통해 본 발명의 유기 전계 발광 소자에 대해 진일보 소개한다.
본 발명의 하기 실시예에서, OLED는 순차적으로 적층되는 양극/정공 주입층/정공 수송층/제1 여기자 차단층/발광층/제2 여기자 차단층/전사 수송층/전자 주입층/음극을 포함한다. 여기서, 양극은 ITO이고; 정공 주입층은 HATCN이며; 정공 수송층은 NPB이고; 전자 수송층은 DPyPA 및 Liq 공동 증착이며; 전자 주입층은 LiF이고; 음극은 Al이다.
Figure pct00159
Figure pct00160
실시예 1
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:0.5 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
ITO 투명 전도층이 코팅된 유리판을 상업용 세정제로 초음파 처리하고, 탈이온수로 세척한 후, 아세톤:에탄올 혼합 용매에서 초음파 탈지하며, 깨끗한 환경에서 수분이 완전히 제거될 때까지 베이킹한 후, 자외선 및 오존으로 세척하고, 저에너지 양이온 빔으로 표면에 충격을 가한다.
ITO 투명 전도층에 HATCN을 소자의 정공 주입층으로서 진공 증착하고 증착률은 0.1 nm/s이며, 증착 총 필름 두께는 5 nm이다.
정공 주입층에 NPB를 소자의 정공 수송층으로서 진공 증착하고, 증착률은 0.1 nm/s이며, 증착 총 필름 두께는 30 nm이다.
정공 수송층에 소자의 발광층을 진공 증착하고, 본 발명의 발광층은 호스트 재료 및 염료를 포함한다. 호스트 재료의 증착률을 평균 0.1 nm/s로 조절하고, 발광층 중의 염료 증착률을 호스트 증착률의 1% 비율로 설정하며, 발광층의 증착 총 필름 두께는 30nm이다.
발광층 상에 DPyPA 및 Liq를 소자의 전자 전송 재료로서 진공 공동 증착하고, 공동 증착 비율은 1:1이며, 증착률은 0.1 nm/s이고, 증착 총 필름 두께는 30 nm이다;
전자 수송층에 두께가 0.5 nm인 LiF를 전자 주입층으로서 진공 증착하고, 두께가 150 nm인 Al층을 소자의 음극으로서 진공 증착한다.
또한, 호스트 재료의 제1 삼중항 상태 에너지 준위, 붕소화합물 염료의 제1 일중항 상태 및 제2 삼중항 상태 에너지 준위는 아래 표 1에 도시된 바와 같다.
실시예 2
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 농도가 상이한 것이다.
실시예 3
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:2 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 농도가 상이한 것이다.
실시예 4
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:5 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 농도가 상이한 것이다.
실시예 5
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:10 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 농도가 상이한 것이다.
실시예 6
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-15 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 7
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-25 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 8
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-35 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 9
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-45 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 10
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-65 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 11
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-75 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 12
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-95 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 13
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-125 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 14
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-155 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 15
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-175 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 16
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-205 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 17
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-225 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 18
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-255 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 19
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-285 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 20
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-300 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 21
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-315 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 22
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-335 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 23
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-355 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 24
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-375 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 25
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W1:1 wt% F-400 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 26
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:0.5 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 27
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 28
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:2 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 3과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 29
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:5 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 4와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 30
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:10 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 5와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 31
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-15 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 32
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-25 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 33
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-35 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 34
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-45 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 35
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-65 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 36
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-75 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 37
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-95 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 38
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-125 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 39
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-155 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 40
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-175 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 41
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-205 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 42
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-225 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 43
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-255 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 44
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-285 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 45
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-300 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 46
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-315 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 47
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-335 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 48
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-355 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 49
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-375 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
실시예 50
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W10:1 wt% F-400 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 51
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:0.5 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 52
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 53
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:2 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 3과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 54
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:5 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 4와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 55
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:10 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 5와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 56
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-15 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 57
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-25 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 58
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-35 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 59
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-45 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 60
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-65 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 61
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-75 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 62
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-95 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 63
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-125 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 64
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-155 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 65
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-175 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 66
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-205 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 67
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-225 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 68
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-255 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 69
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-285 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 70
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-300 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 71
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-315 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 72
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-335 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 73
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-355 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 74
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-375 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
실시예 75
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W19:1 wt% F-400 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 76
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:0.5 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 77
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 78
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:2 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 3과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 79
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:5 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 4와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 80
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:10 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 5와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 81
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-15 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 82
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-25 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 83
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-35 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 84
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-45 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 85
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-65 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 86
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-75 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 87
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-95 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 88
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-125 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 89
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-155 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 90
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-175 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 91
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-205 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 92
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-225 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 93
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-255 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 94
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-285 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 95
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-300 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 96
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-315 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 97
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-335 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 98
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-355 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 99
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-375 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
실시예 100
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W43:1 wt% F-400 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 101
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-400 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 102
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:0.5 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 103
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 104
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:2 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 3과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 105
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:5 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 4와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 106
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:10 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 5와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 조체 종류가 상이한 것이다.
실시예 107
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-15 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 108
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-25 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 109
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-35 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 110
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-45 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 111
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-65 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 112
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-75 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 113
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-95 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 114
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-125 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 115
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-155 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 116
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-175 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 117
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-205 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 118
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-225 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 119
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-255 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 120
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-285 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 121
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-300 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 122
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-315 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 123
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-335 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 124
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-355 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 실시예 2와 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
실시예 125
본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / W49:1 wt% F-375 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
Figure pct00161
Figure pct00162
비교예 1
본 비교예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / C1:1 wt% F-15 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
본 비교예 소자의 의미는 실시예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 호스트 및 염료 종류가 상이한 것이다.
비교예 2
본 비교예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / C1:1 wt% F-25 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 비교예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
비교예 3
본 비교예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / C1:1 wt% F-35 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 비교예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
비교예 4
본 비교예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / C1:1 wt% F-45 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 비교예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
비교예 5
본 비교예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / C1:1 wt% F-55 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 비교예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
비교예 6
본 비교예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / C2:1 wt% F-300 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 비교예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
비교예 7
본 비교예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / C2:1 wt% F-315 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 비교예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
비교예 8
본 비교예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / C2:1 wt% F-335 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 비교예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
비교예 9
본 비교예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / C2:1 wt% F-355 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 비교예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
비교예 10
본 비교예의 소자의 구조는 다음과 같다.
ITO/ HATCN (5 nm)/ NPB (30 nm) / C2:1 wt% F-375 (30 nm)/ DPyPA: Liq (30 nm)/ LiF (0.5 nm)/ Al (150 nm).
이 소자의 의미는 비교예 1과 대략적으로 동일하고, 유일한 구별점은 유기 발광층의 염료 종류가 상이한 것이다.
상기 본 발명의 모든 실시예 및 모든 비교예에서 제조한 유기 전계 발광 소자에서 사용된 호스트 재료 및 염료의 에너지 준위 데이터는 아래 표 1에 도시된 바와 같다.
실시예 번호 호스트 재료인 T1
-(eV)		 붕소화합물 염료인 S1
(eV)		 붕소화합물 염료인 T2
(eV)
실시예 1 2.8 2.8 2.6
실시예 2 2.8 2.8 2.6
실시예 3 2.8 2.8 2.6
실시예 4 2.8 2.8 2.6
실시예 5 2.8 2.8 2.6
실시예 6 2.8 2.7 2.7
실시예 7 2.8 2.6 2.8
실시예 8 2.8 2.7 2.7
실시예 9 2.8 2.8 2.7
실시예 10 2.8 2.8 2.8
실시예 11 2.8 2.8 2.6
실시예 12 2.8 2.8 2.7
실시예 13 2.8 2.7 2.8
실시예 14 2.8 2.7 2.8
실시예 15 2.8 2.7 2.8
실시예 16 2.8 2.7 2.7
실시예 17 2.8 2.6 2.8
실시예 18 2.8 2.7 2.7
실시예 19 2.8 2.8 2.7
실시예 20 2.8 2.8 2.8
실시예 21 2.8 2.8 2.6
실시예 22 2.8 2.8 2.7
실시예 23 2.8 2.7 2.8
실시예 24 2.8 2.7 2.8
실시예 25 2.8 2.7 2.8
실시예 26 3.1 2.8 2.6
실시예 27 3.1 2.8 2.6
실시예 28 3.1 2.8 2.6
실시예 29 3.1 2.8 2.6
실시예 30 3.1 2.8 2.6
실시예 31 3.1 2.7 2.7
실시예 32 3.1 2.6 2.8
실시예 33 3.1 2.7 2.7
실시예 34 3.1 2.8 2.7
실시예 35 3.1 2.8 2.8
실시예 36 3.1 2.8 2.6
실시예 37 3.1 2.8 2.7
실시예 38 3.1 2.7 2.8
실시예 39 3.1 2.7 2.8
실시예 40 3.1 2.7 2.8
실시예 41 3.1 2.7 2.7
실시예 42 3.1 2.6 2.8
실시예 43 3.1 2.7 2.7
실시예 44 3.1 2.8 2.7
실시예 45 3.1 2.8 2.8
실시예 46 3.1 2.8 2.6
실시예 47 3.1 2.8 2.7
실시예 48 3.1 2.7 2.8
실시예 49 3.1 2.7 2.8
실시예 50 3.1 2.7 2.8
실시예 51 3.2 2.8 2.6
실시예 52 3.2 2.8 2.6
실시예 53 3.2 2.8 2.6
실시예 54 3.2 2.8 2.6
실시예 55 3.2 2.8 2.6
실시예 56 3.2 2.7 2.7
실시예 57 3.2 2.6 2.8
실시예 58 3.2 2.7 2.7
실시예 59 3.2 2.8 2.7
실시예 60 3.2 2.8 2.8
실시예 61 3.2 2.8 2.6
실시예 62 3.2 2.8 2.7
실시예 63 3.2 2.7 2.8
실시예 64 3.2 2.7 2.8
실시예 65 3.2 2.7 2.8
실시예 66 3.2 2.7 2.7
실시예 67 3.2 2.6 2.8
실시예 68 3.2 2.7 2.7
실시예 69 3.2 2.8 2.7
실시예 70 3.2 2.8 2.8
실시예 71 3.2 2.8 2.6
실시예 72 3.2 2.8 2.7
실시예 73 3.2 2.7 2.8
실시예 74 3.2 2.7 2.8
실시예 75 3.2 2.7 2.8
실시예 76 2.8 2.8 2.6
실시예 77 2.8 2.8 2.6
실시예 78 2.8 2.8 2.6
실시예 79 2.8 2.8 2.6
실시예 80 2.8 2.8 2.6
실시예 81 2.8 2.7 2.7
실시예 82 2.8 2.6 2.8
실시예 83 2.8 2.7 2.7
실시예 84 2.8 2.8 2.7
실시예 85 2.8 2.8 2.8
실시예 86 2.8 2.8 2.6
실시예 87 2.8 2.8 2.7
실시예 88 2.8 2.7 2.8
실시예 89 2.8 2.7 2.8
실시예 90 2.8 2.7 2.8
실시예 91 2.8 2.7 2.7
실시예 92 2.8 2.6 2.8
실시예 93 2.8 2.7 2.7
실시예 94 2.8 2.8 2.7
실시예 95 2.8 2.8 2.8
실시예 96 2.8 2.8 2.6
실시예 97 2.8 2.8 2.7
실시예 98 2.8 2.7 2.8
실시예 99 2.8 2.7 2.8
실시예 100 2.8 2.7 2.8
실시예 101 2.9 2.8 2.6
실시예 102 2.9 2.8 2.6
실시예 103 2.9 2.8 2.6
실시예 104 2.9 2.8 2.6
실시예 105 2.9 2.8 2.6
실시예 106 2.9 2.7 2.7
실시예 107 2.9 2.6 2.8
실시예 108 2.9 2.7 2.7
실시예 109 2.9 2.8 2.7
실시예 110 2.9 2.8 2.8
실시예 111 2.9 2.8 2.6
실시예 112 2.9 2.8 2.7
실시예 113 2.9 2.7 2.8
실시예 114 2.9 2.7 2.8
실시예 115 2.9 2.7 2.8
실시예 116 2.9 2.7 2.7
실시예 117 2.9 2.6 2.8
실시예 118 2.9 2.7 2.7
실시예 119 2.9 2.8 2.7
실시예 120 2.9 2.8 2.8
실시예 121 2.9 2.8 2.6
실시예 122 2.9 2.8 2.7
실시예 123 2.9 2.7 2.8
실시예 124 2.9 2.7 2.8
실시예 125 2.9 2.7 2.8
비교예 1 1.7 2.7 2.7
비교예 2 1.7 2.6 2.8
비교예 3 1.7 2.7 2.7
비교예 4 1.7 2.8 2.7
비교예 5 1.7 2.8 2.6
비교예 6 2.2 2.8 2.6
비교예 7 2.2 2.8 2.7
비교예 8 2.2 2.7 2.8
비교예 9 2.2 2.7 2.8
비교예 10 2.2 2.7 2.8
상기 과정으로 제조된 유기 전계 발광 소자(실시예 1-100, 비교예 1-10)에 대해 다음과 같은 성능 측정을 진행한다. 획득한 소자의 전류, 전압, 휘도, 발광 스펙트럼, 전류 효율, 외양자 효율등 특성을 PR 655 스펙트럼 스캐닝 휘도계 및 Keithley K2400 소스미터 시스템을 사용하여 동시에 테스트하였다.
턴온 전압: 초당 0.1V의 속도로 전압을 상승시키고, 유기 전계 발광 소자의 휘도가 1cd/m2에 도달했을 때의 전압을 턴온 전압이라 한다.
상기 본 발명의 실시예 및 비교예에서 제조한 유기 전계 발광 소자의 구체적 성능 실험결과는 아래 표 2와 같다.
상기 본 발명의 실시예 및 비교예에서 제조한 유기 전계 발광 소자의 구체적 성능 실험결과는 아래 표 2와 같다.
실시예 번호 턴온 전압/V 최대 외양자 효율/%
실시예 1 3.4 12.3
실시예 2 3.5 14.7
실시예 3 3.4 15.5
실시예 4 3.3 14.8
실시예 5 2.8 12.6
실시예 6 3.2 13.6
실시예 7 3.5 13.4
실시예 8 3.4 13.2
실시예 9 3.5 15.2
실시예 10 3.4 13.8
실시예 11 3.5 14.4
실시예 12 3.4 12.8
실시예 13 3.3 15.6
실시예 14 2.8 12.2
실시예 15 3.2 14.3
실시예 16 3.5 14.8
실시예 17 3.4 12.5
실시예 18 3.5 15.0
실시예 19 3.4 14.9
실시예 20 3.5 14.4
실시예 21 3.4 13.3
실시예 22 3.3 13.9
실시예 23 2.8 15.9
실시예 24 3.2 13.5
실시예 25 3.5 13.5
실시예 26 3.4 12.4
실시예 27 3.5 16.0
실시예 28 3.4 12.5
실시예 29 3.5 14.8
실시예 30 3.3 14.9
실시예 31 3.4 14.4
실시예 32 3.5 12.4
실시예 33 3.4 14.3
실시예 34 3.3 12.7
실시예 35 2.8 15.0
실시예 36 3.2 13.3
실시예 37 3.5 14.2
실시예 38 3.4 12.2
실시예 39 3.5 13.7
실시예 40 3.4 12.3
실시예 41 3.5 12.0
실시예 42 3.4 15.5
실시예 43 3.3 12.1
실시예 44 2.8 13.5
실시예 45 3.2 13.8
실시예 46 3.5 12.1
실시예 47 3.4 15.6
실시예 48 3.5 13.0
실시예 49 3.4 13.5
실시예 50 3.5 15.0
실시예 51 3.4 14.8
실시예 52 3.3 14.0
실시예 53 2.8 15.5
실시예 54 3.2 14.9
실시예 55 3.5 15.4
실시예 56 3.4 13.9
실시예 57 3.5 15.9
실시예 58 3.4 13.4
실시예 59 3.5 16.0
실시예 60 3.3 13.9
실시예 61 3.4 12.1
실시예 62 3.5 15.1
실시예 63 3.4 15.0
실시예 64 3.3 13.0
실시예 65 2.8 15.4
실시예 66 3.2 14.7
실시예 67 3.5 12.3
실시예 68 3.4 13.4
실시예 69 3.5 15.1
실시예 70 3.4 15.2
실시예 71 3.5 13.7
실시예 72 3.4 13.3
실시예 73 3.3 14.4
실시예 74 2.8 14.6
실시예 75 3.2 13.9
실시예 76 3.5 12.9
실시예 77 3.4 15.9
실시예 78 3.5 13.4
실시예 79 3.4 15.7
실시예 80 3.5 12.2
실시예 81 3.4 12.4
실시예 82 3.3 15.5
실시예 83 2.8 14.4
실시예 84 3.2 14.8
실시예 85 3.5 15.7
실시예 86 3.4 15.7
실시예 87 3.5 16.0
실시예 88 3.4 14.6
실시예 89 3.5 12.9
실시예 90 3.3 13.8
실시예 91 3.4 13.1
실시예 92 3.3 15.8
실시예 93 2.8 12.7
실시예 94 3.2 14.9
실시예 95 3.5 15.5
실시예 96 3.4 13.3
실시예 97 3.5 16.0
실시예 98 3.4 12.2
실시예 99 3.5 13.2
실시예 100 3.3 12.4
실시예 101 3.5 14.3
실시예 102 3.3 17.3
실시예 103 3.2 16.0
실시예 104 3.2 17.2
실시예 105 3.5 13.5
실시예 106 3.4 14.5
실시예 107 3.5 16.6
실시예 108 3.3 16.0
실시예 109 2.9 15.8
실시예 110 3.5 17.1
실시예 111 3.4 17.1
실시예 112 3.5 18.1
실시예 113 3.4 17.2
실시예 114 3.5 13.4
실시예 115 3.4 15.9
실시예 116 3.3 15.1
실시예 117 2.8 17.7
실시예 118 3.2 15.1
실시예 119 3.5 17.7
실시예 120 3.4 15.9
실시예 121 3.5 15.2
실시예 122 3.3 17.5
실시예 123 2.8 14.9
실시예 124 3.2 14.1
실시예 125 2.9 14.1
비교예 1 3.7 4.5
비교예 2 3.7 4.9
비교예 3 3.8 3.5
비교예 4 3.7 2.6
비교예 5 3.6 3.7
비교예 6 3.7 3.4
비교예 7 3.7 4.6
비교예 8 3.8 4.1
비교예 9 3.7 4.4
비교예 10 3.6 4.7
위의 표 2에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 이러한 유기 전계 발광 소자는 호스트 재료와 염료의 새로운 조합 방식을 채택하였고, 이를 통해 제조하여 얻은 소자는 모두 우수한 광전자 특성을 가지며, 모든 소자의 전계 발광 외양자 효율은 모두 12% 이상으로 전반적인 우월성을 나타낸다.
실시예를 결합하여 본 발명에 대해 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않는다. 명백하게, 상기 실시예는 단지 명확하게 설명하기 위한 예시일 뿐이며, 구현 방식을 제한하고자 하는 것은 아니다. 당분야의 통상의 지식을 가진 자라면, 상기 설명의 기초 상에 다른 형식의 변형 또는 수정이 가능하다. 여기에서 모든 실시 방식을 완료할 필요도 없고 완전할 수도 없다. 그리고 이것으로부터 파생된 명백한 변형 또는 수정은 여전히 본 발명이 창조한 보호 범위 내에 있다.

Claims (13)

  1. 제1 전극, 제2 전극 및 유기 기능층을 포함하고, 상기 유기 기능층에는 유기 발광층이 포함되며, 상기 유기 발광층에는 호스트 재료 및 발광 염료가 포함되는 유기 전계 발광 소자로서,
    상기 호스트 재료는 광대역 갭 재료이고, 상기 호스트 재료의 일중항 상태 에너지 준위(S1 h)는 발광 염료의 제1 일중항 상태 에너지 준위(S1 g)보다 크고, 상기 호스트 재료의 삼중항 상태 에너지 준위(T1 h)는 발광 염료의 제2 삼중항 상태 에너지 준위(T2 g)보다 크거나 같으며;
    상기 발광 염료의 제2 삼중항 상태 에너지 준위(T2 g)는 발광 염료의 제1 일중항 상태 에너지 준위(S1 g)보다 크거나 같고;
    상기 발광 염료는 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유기 발광층에서 발광 염료인 상기 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물의 도핑 비율은 0.1-50wt%이고;
    상기 유기 발광층에서 호스트 재료인 상기 광대역 갭 재료의 비율은 50-99.9wt%인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    발광 염료인 상기 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물은 아래 식 [1]에 도시된 바와 같은 구조를 갖고:
    Figure pct00163
    식 [1]
    식 [1]에서, Y는 N 또는 C이며;
    고리 A 및 고리 A'는 각각 독립적으로 아진 고리를 나타내며, 상기 아진 고리 중의 탄소 원자수는 4-12개이고;
    R1, R2는 각각 독립적으로 할로겐을 나타내며;
    R3, R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1~C36의 사슬형 알킬, 치환 또는 비치환된 C3~C36의 시클로알킬, C1~C10의 알콕시, 시아노기, C6~C30의 아릴아미노, C3~C30헤테로아릴아미노, 치환 또는 비치환된 C6-C60의 모노시클릭 아릴, C6-C60의 축합 고리 아릴, C6-C60의 아릴옥시, C5-C60의 모노시클릭 헤테로아릴, C5-C60의 축합 고리 헤테로아릴, 트리메틸실릴 중 하나로부터 선택되고, 상기 R3, R4는 각각 독립적으로 서로 연결된 아진 고리와 연결되어 고리를 형성하거나 형성하지 않으며;
    m 및 n은 각각 독립적으로 1 내지 최대 허용 정수값으로부터 선택되고;
    상기 그룹에 치환기가 존재할 때, 상기 치환기는 중수소, 할로겐, C1~C30의 사슬형 알킬, C3~C30의 시클로알킬, C1~C10의 알콕시, 시아노기, C6~C30의 아릴아미노, C3~C30헤테로아릴아미노, C6~C60의 모노시클릭 아릴, C6~C60의 축합 고리 아릴, C6~C60의 아릴옥시, C5~C60의 모노시클릭 헤테로아릴, C5~C60의 축합 고리 헤테로아릴 중 하나 또는 적어도 2가지 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    발광 염료인 상기 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물은 식 [2]에 도시된 바와 같은 구조를 갖고:
    Figure pct00164
    식 [2]
    식 [2]에서, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8은 각각 독립적으로 탄소 원자 또는 질소 원자로부터 선택되며;
    m 및 n은 각각 독립적으로 2~4의 정수로부터 선택되고;
    Y는 N 또는 C이며;
    R1, R2는 각각 독립적으로 할로겐을 나타내며;
    R3, R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C36의 사슬형 알킬, 치환 또는 비치환된 C3~C36의 시클로알킬, C1~C10의 알콕시, 시아노기, C6~C30의 아릴아미노, C3~C30헤테로아릴아미노, 치환 또는 비치환된 C6-C60의 모노시클릭 아릴, C6-C60의 축합 고리 아릴, C6-C60의 아릴옥시, C5-C60의 모노시클릭 헤테로아릴, C5-C60의 축합 고리 헤테로아릴, 트리메틸실릴 중 하나로부터 선택되고, 상기 R3, R4는 각각 독립적으로 서로 연결된 아진 고리와 연결되어 고리를 형성하거나 형성하지 않으며;
    상기 그룹에 치환기가 존재할 때, 상기 치환기는 중수소, 할로겐, C1~C30의 사슬형 알킬, C3~C30의 시클로알킬, C1~C10의 알콕시, 시아노기, C6~C30의 아릴아미노, C3~C30헤테로아릴아미노, C6~C60의 모노시클릭 아릴, C6~C60의 축합 고리 아릴, C6~C60의 아릴옥시, C5~C60의 모노시클릭 헤테로아릴, C5~C60의 축합 고리 헤테로아릴 중 하나 또는 적어도 2가지 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    식 [2]에서, 적어도 하나의 R3은 페닐이고 고리 B에 축합 연결되고;
    및/또는, 적어도 하나의 R4는 페닐이고 고리 B'에 축합 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  6. 제4항에 있어서,
    식 [2]에서, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8은 각각 독립적으로 탄소 원자로부터 선택되고;
    및/또는, R1, R2는 모두 불소 원자이며;
    및/또는, 하나의 R3은 페닐이고 고리 B에 축합 연결되고, 하나의 R4는 페닐이고 고리B'에 축합 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  7. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    발광 염료인 상기 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물은 식 (1), 식 (2), 식 (3) 또는 식 (4) 중 어느 하나에 도시된 바와 같은 구조를 갖고:
    Figure pct00165

    식 (1), 식 (2), 식 (3), 식 (4)에서, m, n, R1, R2, R3, R4의 정의는 식 [1]에서의 정의와 동일하며;
    발광 염료인 상기 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물은 식 (5), 식 (6), 식 (7) 또는 식 (8) 중 어느 하나에 도시된 바와 같은 구조를 갖고:
    Figure pct00166

    식 (5), 식 (6), 식 (7), 식 (8)에서, m, n, R1, R2, R3, R4의 정의는 식 [1]에서의 정의와 동일한 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    식 (1), 식 (2), 식 (3), 식 (4), 식 (5), 식 (6), 식 (7), 식 (8)에서,
    R3, R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소 또는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, sec-펜틸, 시클로펜틸, 네오펜틸, n-헥실, 시클로헥실, 네오헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 페닐, 나프틸, 안트라세닐, 벤조안트라실, 페난트레닐, 벤조페난트레닐, 피레닐, 크리센기, 페릴렌기, 플루오란테닐, 테트라세닐, 펜타세닐, 벤조피레닐, 비페닐, 디페닐, 터페닐, 삼량체화 페닐, 쿼터페닐기, 플루오레닐, 스피로비플루오레닐, 디히드로페난트레닐, 디히드로피레닐, 테트라히드로피레닐, 시스 또는 트랜스 인데노플루오레닐, 삼량체화 인데닐, 이소삼량체화 인데닐, 스피로삼량체화 인데닐, 스피로이소삼량체화 인데닐, 트리플루오로메틸페닐, 메톡시페닐, 디메톡시페닐, 트리메톡시페닐, 디트리플루오로메틸페닐, 카바졸릴페닐, 푸릴, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 티에닐, 벤조티에닐, 이소벤조티에닐, 디벤조티에닐, 피롤릴, 이소인돌릴, 카바졸릴, 인데노카바졸릴, 피리딜, 퀴놀리닐, 이소퀴놀리닐, 아크리디닐, 페난트리디닐, 벤조-5,6-퀴놀리닐, 벤조-6,7-퀴놀리닐, 벤조-7,8-퀴놀리닐, 피라졸릴, 인다졸릴, 이미다졸릴, 벤조이미다졸릴, 나프토이미다졸릴, 페난트로이미다졸릴, 피리도이미다졸릴, 피라지노이미다졸릴, 퀴녹살린이미다졸릴, 옥사졸릴, 벤조옥사졸릴, 나프토옥사졸릴, 안트라옥사졸릴, 페난트로옥사졸릴, 1,2-티아졸릴, 1,3-티아졸릴, 벤조티아졸릴, 피리다지닐, 벤조피리다지닐, 피리미디닐, 벤조피리미디닐, 퀴녹살리닐, 1,5-디아자안트릴, 2,7-디아자피레닐, 2,3-디아자피레닐, 1,6-디아자피레닐, 1,8-디아자피레닐, 4,5-디아자피레닐, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌기, 피라지닐, 페나지닐, 페노티아지닐, 나프티리디닐, 아자카바졸릴, 벤조카볼리닐, 페난트롤리닐, 1,2,3-트리아졸릴, 1,2,4-트리아졸릴, 벤조트리아졸릴, 1,2,3-옥사디아졸릴, 1,2,4-옥사디아졸릴, 1,2,5_옥사디아졸릴, 1,2,3-티아디아졸릴, 1,2,4-티아디아졸릴, 1,2,5-티아디아졸릴, 1,3,4-티아디아졸릴, 1,3,5-트리아지닐, 1,2,4-트리아지닐, 1,2,3-트리아지닐, 테트라졸릴, 1,2,4,5-테트라지닐, 1,2,3,4-테트라지닐, 1,2,3,5-테트라지닐, 퓨리닐, 프테리디닐, 인돌리지닐, 벤조티아디아졸릴, 9,9-디메틸아크리디닐, 디아릴아민기, 아다만틸, 플루오로페닐, 메틸페닐, 트리메틸페닐, 시아노페닐, 테트라히드로피롤릴, 피페리디닐, 메톡시, 트리메틸실릴의 치환기 중 하나로부터 선택되거나, 또는 상기 2가지 치환기 조합으로부터 선택되고;
    및/또는, R1, R2는 모두 불소 원자인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  9. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    발광 염료인 불소 붕소 아자 메틸렌 비피리딘 화합물 또는 불소 붕소 메틸렌 비피리딘 화합물은 식 (F-1)-(F-400) 중 어느 하나에 도시된 바와 같은 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자:
    Figure pct00167

    Figure pct00168

    Figure pct00169

    Figure pct00170

    Figure pct00171

    Figure pct00172

    Figure pct00173

    Figure pct00174

    Figure pct00175
    Figure pct00176

    Figure pct00177
    Figure pct00178
    Figure pct00179

    Figure pct00180

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  10. 제1항에 있어서,
    발광층에서 호스트 재료인 상기 광대역 갭 재료는 카바졸계 유도체, 카르볼린계 유도체, 스피로플루오렌계 유도체, 플루오렌계 유도체, 규소 함유기 유도체, 포스핀 옥사이드 함유기 유도체, 술포닐 함유기 유도체 중 적어도 하나의 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  11. 제1항에 있어서,
    발광층에서 호스트 재료인 상기 광대역 갭 재료는 아래의 구조 중 어느 하나에 도시된 바와 같은 화합물로부터 선택되지만 이에 한정되지 않는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
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  12. 제1항에 따른 유기 전계 발광 소자의 적용으로서,
    상기 적용은 유기 전자 장치에서의 적용이고, 상기 유기 전자 장치는 광 센서, 태양광 전지, 조명 소자, 유기 박막 트랜지스터, 유기 전계 효과 트랜지스터, 정보 태그, 전자 인공 피부 시트, 시트형 스캐너 또는 전자 페이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 적용.
  13. 디스플레이 장치로서,
    제1항에 따른 유기 전계 발광 소자를 포함하고, 상기 디스플레이 장치는 디스플레이 소자, 조명 소자, 정보 태그, 전자 인공 피부 시트 또는 전자 페이퍼인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.

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