CN113363219A - 一种bga产品、热压设备及热压工艺 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种BGA产品、热压设备及热压工艺，该BGA产品包括芯片；基板，基板的第一表面包括第一区域和第二区域；第二区域环绕第一区域；芯片设置于第一区域；第二区域用于承压热压设备；其中，芯片远离基板的一面预留有第一空间，第一空间用于设置铟片。本方案BGA产品中仅预留设置铟片的第一空间，而不贴铟片，可以在锡球回流焊之后进行铟片的贴装，从而避免锡球回流焊的过度高温将铟片融化的缺陷。

Description

一种BGA产品、热压设备及热压工艺
技术领域
本发明一般涉及半导体测试技术领域，具体涉及一种BGA产品、热压设备及热压工艺。
背景技术
传统的焊球阵列封装(Ball Grid Array，BGA)产品使用锡球传导信号，具有良好的信号传输性能，但是散热性能不佳。传统的插针网格阵列封装(Pin Grid ArrayPackage，PGA)产品使用铟散热层散热，散热效果佳但使用pin引脚，其信号传输性能不如BGA产品。
目前芯片封装尺寸越来越趋近于微型化，将BGA与PGA产品的优势相结合，用于进行高端处理器芯片的封装。但是，目前为使半导体封装产品兼具良好的信号传输性能和散热性能，BGA产品在后续锡球在回流焊过程中需要达到250℃左右的高温，而铟片作为散热材料，其在160℃时就会融化，同时贴铟片的助焊剂在250℃的高温下会迅速沸腾并气化，带出周围的金属铟片，使铟片散热层融化飞溅，导致周围的电容、芯片短路报废。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种BGA产品、热压设备及热压工艺。
第一方面，本发明提供一种BGA产品，BGA产品包括：
芯片；
基板，基板的第一表面包括第一区域和第二区域；第二区域环绕第一区域；芯片设置于第一区域；第二区域用于承压热压设备；
其中，芯片远离基板的一面预留有第一空间，第一空间用于设置铟片。
在其中一个实施例中，基板的第一表面还包括第三区域，第二区域环绕第三区域，第三区域环绕第一区域；
第三区域用于盖设散热盖；
第一空间预留于芯片与散热盖之间。
第二方面，本发明提供一种热压设备，热压设备包括：
加热模块，加热模块与权利要求1中铟片设置位置对应设置；
支撑架，支撑架上开设有抽真空口，支撑架设置有支撑腿，支撑腿底部设置有缓冲块，缓冲块与权利要求1中第三区域对应设置；加热模块嵌设于支撑架内。
在其中一个实施例中，热压设备还包括：
驱动件，驱动件用于驱动支撑架；
控制系统，控制系统用于控制驱动件驱动支撑架。
在其中一个实施例中，热压设备还包括：
弹性连接件，弹性连接件分别与支撑架和驱动件连接。
在其中一个实施例中，热压设备还包括：
测力传感器，测力传感器与控制系统电连接。
第三方面，本发明提供一种热压工艺，应用于第一方面的BGA产品，热压工艺采用第二方面的热压设备，热压工艺包括：
当热压设备的加热模块的温度到达第一预设温度时，将热压设备的缓冲块放置于基板的第三区域，以使加热模块对准铟片；
通过抽真空口对缓冲块与基板之间抽真空，当加热模块接触到散热盖时，加热模块对铟片及散热盖加热，以使BGA产品逐渐升温，且真空度逐渐增大，使得缓冲块发生形变、加热模块下压，随真空度增加，加热模块继续将铟片压紧；
当满足预设条件时，维持当前真空度继续抽真空；
当加热模块的温度达到第二预设温度，保持预设时间后，停止抽真空，将热压设备从BGA产品移除。
在其中一个实施例中，当热压设备包括驱动件和控制系统时，将热压设备的缓冲块放置于基板的第三区域，包括：
控制系统控制驱动件驱动支撑架，将缓冲块放置于基板的第三区域。
在其中一个实施例中，满足预设条件包括：
真空度达到预设真空度；或
弹性连接件的示数的变化在预设范围内。
在其中一个实施例中，热压工艺还包括：
对加热模块进行预热。
本申请公开了一种BGA产品、热压设备及热压工艺，该方案中的BGA产品中仅预留设置铟片的第一空间，而不贴铟片，可以在锡球回流焊之后进行铟片的贴装，从而避免锡球回流焊的过度高温将铟片融化的缺陷。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明的一个实施例提供的BGA产品的俯视图；
图2为本发明的一个实施例提供的BGA产品的结构示意图；
图3为本发明的另一个实施例提供的BGA产品的俯视图；
图4为本发明的一个实施例提供的热压设备的结构示意图；
图5为图4的热压设备热压时的工作示意图；
图6为本发明的另一个实施例提供的热压设备的结构示意图；
图7为本发明的一个实施例提供的热压工艺的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
需要说明的是，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
相关技术中，预将BGA与PGA产品的优势相结合，用于进行高端处理器芯片的封装时，BGA产品在后续锡球在回流焊过程中需要达到250℃左右的高温，而铟片作为散热材料，其在160℃时就会融化，同时贴铟片的助焊剂在250℃的高温下会迅速沸腾并气化，带出周围的金属铟片，使铟片散热层融化飞溅，导致周围的电容、芯片短路报废。
基于上述方案的缺陷，本申请提出一种BGA产品，可以避免贴铟片时，铟片及铟片的助焊剂融化飞溅导致周围的电容、芯片短路报废的缺陷。
参照图1-3，其示出了根据本申请实施例描述的BGA产品的结构示意图。可以理解的，本申请实施例示出的BGA产品均可以连接至PCB板50上，示例性的，BGA产品可以通过锡球层焊接至PCB板，也可以通过其他方式与PCB板连接，这里对此不做限制。
如图1、2所示，一种BGA产品，可以包括：
芯片10；
基板20，基板20的第一表面包括第一区域21和第二区域22；第二区域22环绕第一区域21；芯片10设置于第一区域21；第二区域22用于承压热压设备；
其中，芯片10远离基板20的一面预留有第一空间30，第一空间30用于设置铟片。
可以理解的，芯片10可以是集成电路(IC)芯片、片上系统(SoC)、或者上述的部分，这里对此不做限制。
本实施例中芯片10和基板20采用倒装芯片封装技术，即芯片10上下“翻转”(纵向旋转180度)，并且接合到基板20的第一区域。更具体地来说，芯片10的有源表面与基板20第一区域的表面电连接。芯片10可以通过任何适当机构接合到基板20。例如，芯片10可以包括位于互连结构上方的接合焊盘，以及可以形成在接合焊盘上的焊球(也称为焊料凸块)。焊球可以与基板20的接合焊盘对齐并且相接触，从而在芯片10和基板20之间形成电连接。
基板第一表面设置的第二区域22用于承压芯片封装时进行热压的热压设备。该热压设备可以采用下述实施例示出的热压设备，还可以采用其他可以对预留设置铟片空间的BGA产品进行热压的热压设备，这里对此不做限制。
本申请实施例中，BGA产品中仅预留设置铟片的第一空间，而不贴铟片，可以在锡球回流焊之后进行铟片的贴装，从而避免锡球回流焊的过度高温将铟片融化的缺陷。
为了能更好的保护芯片及改善BGA产品的散热性能，可以在芯片远离基板的一侧设置散热盖。
在上述实施例的基础上，如图2、3所示，基板20的第一表面还包括第三区域23，第二区域22环绕第三区域23，第三区域23环绕第一区域21；
第三区域23用于盖设散热盖40；
第一空间30预留于芯片10与散热盖40之间。
可以理解的，在本实施例的BGA产品中也是预留了盖设散热盖的区域，而不盖设散热盖，可以在锡球回流焊之后进行铟片的贴装的同时盖设散热盖。
散热盖只需采用普通的结构即可，散热盖包覆芯片和铟片。
本申请实施例中设置散热盖，在铟片改善芯片散热性能的基础上，有利于进一步改善BGA产品的散热性能。
可以理解的，在将BGA产品焊接至PCB板后，可以在基板的第三区域贴涂粘结剂(例如黑胶)，用于实现基板和散热盖的粘结，在贴铟片之前，可以在芯片上喷涂助焊剂，然后贴铟片，在热压铟片之前，再次在铟片表面喷涂助焊剂，主要是用于在热压过程中高温使得助焊剂融化，将铟片分别和散热盖、芯片紧密贴合。
可以理解的，在贴涂粘结剂时，可以预留开孔区域，该开孔区域可以分别于第三区域的四个拐角，也可以于第三区域的每条边上，这里对此不做限制。
参照图4-5，其示出了根据本申请实施例描述的热压设备的结构示意图。
如图4所示，一种热压设备，可以包括：
加热模块100，加热模块100与上述实施例示出的BGA产品中铟片设置位置对应设置；
支撑架200，支撑架200上开设有抽真空口210，支撑架200设置有支撑腿220，支撑腿220底部设置有缓冲块230，缓冲块230与上述实施例示出的BGA产品中第三区域对应设置；加热模块100嵌设于支撑架200内。
可以理解的，加热模块100可以对铟片(包括铟片上下表面喷涂的助焊剂)及散热盖(包括用于粘结散热盖与基板的粘结剂)进行加热。
缓冲块230可以是具有弹性的密封的模块，示例性的，缓冲块230可以为橡胶吸盘。
抽真空设备通过设置的抽真空口210对支撑架与基板之间的空间进行抽真空，使得支撑架与基板之间的真空度增加。随着支撑架和基板之间的真空度增加，缓冲块230发生形变，如图5所示，使得加热模块100下压，可以将铟片和散热盖紧密贴合。
采用本申请实施例公开的热压设备，可以在锡球回流焊之后进行热压完成铟片的贴装，从而避免锡球回流焊的过度高温将铟片融化的缺陷。
为了避免热压设备的自重的压力对锡球的影响，可以在上述实施例公开的热压设备中天津牵引控制系统。
在上述实施例的基础上，如图6所示，热压设备还可以包括：
驱动件300，驱动件300用于驱动支撑架200；
控制系统400，控制系统400用于控制驱动件300驱动支撑架200。
可以理解的，驱动件300可以是各种类型的电机，例如伺服电机。其中，驱动件300和支撑架200之间可以通过任意一种连接方式连接，例如，支撑架200通过连杆与驱动件300连接，或者支撑架200还可以直接连接在驱动件300的输出轴上，本申请实施例对此不做具体限定。
示例地，驱动件300为伺服电机，伺服电机的输出轴通过传动齿轮连接有丝杆，丝杆上设置有滑块，滑块可沿着丝杆的轴向移动，滑块与支撑架200连接。
控制系统400可以是一般的控制系统，例如PLC控制系统，DCS控制系统等，本申请的实施例对此不做具体限定。控制系统400控制驱动件300工作，驱动件300带动支撑架200运动，实现对待热压产品(例如上述实施例示出的BGA产品)的挤压。
在上述实施例的基础上，热压设备还可以包括：弹性连接件500，弹性连接件500分别与支撑架200和驱动件300连接。
可以理解的，弹性连接件500可以缓冲热压设备压到待热压产品上时的自重，降低热压设备的自重对锡球的挤压。
在上述实施例的基础上，热压设备还可以包括：测力传感器600，测力传感器600与控制系统400电连接；
可以理解的，测力传感器600用于测量整个热压设备的自重，可以将该自重作为校正值，可以将该自重预先设置(由于每个热压设备的自重是定值，因此，可以预先设置)。示例地，测量传感器600为电子测力计。
可以理解的，当热压设备接触到基板后，经过弹性连接件500及缓冲块230的缓冲后，电子测力计的示数会发生变化，从而可以根据该变化确定热压设备接触到基板。
采用上述实施例所示的热压设备，对上述实施例所示的BGA产品进行热压的热压工艺，如图7所示，可以包括：
S710、当热压设备的加热模块的温度到达第一预设温度时，将热压设备的缓冲块放置于基板的第三区域，以使加热模块对准铟片。
可以理解的，在实际使用过程中，先将BGA产品焊接至PCB板上，然后在基板的第三区域贴涂粘结剂(贴涂粘结剂时，可以预留开孔区域)，之后在芯片表面喷涂助焊剂，在喷涂的助焊剂上方贴铟片，随后再次在铟片表面喷涂助焊剂，然后使用贴片机将散热盖贴到基板的第三区域。
可以理解的，在实际使用过程中，还需对加热模块先进行预热，保证加热模块的温度达到第一预设温度，其中第一预设温度是指加热模块预热需要达到的温度，例如可以是60℃。将加热模块对准铟片位置，将缓冲块放置于基板的第三区域。
可选的，当热压设备包括驱动件和控制系统时，将热压设备的缓冲块放置于基板的第三区域，可以包括：
控制系统控制驱动件驱动支撑架，将缓冲块放置于基板的第三区域。
当热压设备包括测力传感器时，测力传感器预先测出整个热压设备的自重F1，控制系统控制驱动件带动支撑架向待热压产品移动(即带动缓冲块向基板的第三区域移动)。
当缓冲块接触到基板后经过弹性连接件及缓冲块的缓冲，测力传感器的示数会发生变化，从而感应到缓冲块接触到基板。控制系统根据测力传感器示数的变化及校正值调整驱动件的位置，使得测力传感器的示数恢复到F1，尽可能消除热压设备自重对锡球的挤压。
S720、通过抽真空口对缓冲块与基板之间抽真空，当加热模块接触到散热盖时，加热模块对铟片及散热盖加热，以使BGA产品逐渐升温，且真空度逐渐增大，使得缓冲块发生形变、加热模块下压，随真空度增加，加热模块继续将铟片压紧。
可以理解的，当热压设备不包括控制系统时，手动控制抽真空设备通过抽真空口对缓冲块与基板之间抽真空。当热压设备包括控制系统时，可以通过控制系统控制启动抽真空设备进行抽真空。
抽真空过程中，随着真空度的增加，加热模块向下移动，当加热模块移动至接触到散热盖时，加热模块对铟片及散热盖进行加热，BGA产品逐渐升温同时增大真空度，缓冲块发生形变时加热模块下压，随真空度增加，加热模块继续将铟片与散热盖压紧。
S730、当满足预设条件时，维持当前真空度继续抽真空。
可以理解的，当前真空度是指满足预设条件时对应的真空度。
可选的，满足预设条件可以包括：
真空度达到预设真空度；或
弹性连接件的示数的变化在预设范围内。
可以理解的，预设真空度可以根据实际需求进行设置。
弹性连接件的示数的变化在预设范围内是指弹性连接件的示数基本维持不变或弹性连接件的示数变动在设置的误差范围内。
当热压设备不包括弹性连接件时，是否满足预设条件可以通过判断真空度是否达到预设真空度来判断。
当热压设备包括弹性连接件及控制系统时，是否满足预设条件依然可以通过判断真空度是否达到预设真空度来判断，还可以通过判断弹性连接件的示数的变化是否在预设范围内来判断。
S740、当加热模块的温度达到第二预设温度，保持预设时间后，停止抽真空，将热压设备从BGA产品移除。
其中，第二预设温度是指需要热压的最高温度，例如芯片上助焊剂的熔点150℃。
预设时间可以根据实际需求进行设置，例如1min、2min等。
随着加热模块的温度升高和真空度增加，当电子测力计的示数不变时，支撑架移动达到最大位移，控制系统控制抽真空设备的抽真空度不变，加热模块在第二预设温度保温2min后，此时产品热压完成，控制系统控制抽真空设备停止抽真空(当热压设备不包括控制系统时人工控制停止抽真空)，同时将热压设备从BGA产品移除，热压完成。
可以理解的，在BGA产品热压完成之后，可以继续使用铟片回流焊二次加强焊接效果。
本实施例提供的热压工艺，可以将贴铟片和散热盖的过程放到锡球焊接之后，克服了现有技术中贴铟片和散热盖之后再焊接锡球时，焊接锡球的过度高温对铟片的影响。同时，本实施例利用热压设备采用抽真空的方式，利用大气压力挤压铟片，不需要对BGA产品施加垂直压力，由于基板和散热盖均为刚性结构，因此作用力挤压时最先变形的是缓冲块，然后是铟片，受挤压和高温共同作用下会被焊接，最终保护了锡球。
本实施例中，如果采用添加了控制系统的热压设备，可以最大程度的消除热压设备的自重对锡球的影响。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种BGA产品，其特征在于，所述BGA产品包括：
芯片；
基板，所述基板的第一表面包括第一区域和第二区域；所述第二区域环绕所述第一区域；所述芯片设置于所述第一区域；所述第二区域用于承压热压设备；
其中，所述芯片远离所述基板的一面预留有第一空间，所述第一空间用于设置铟片。
2.根据权利要求1所述的BGA产品，其特征在于，所述基板的第一表面还包括第三区域，所述第二区域环绕所述第三区域，所述第三区域环绕所述第一区域；
所述第三区域用于盖设散热盖；
所述第一空间预留于所述芯片与所述散热盖之间。
3.一种热压设备，其特征在于，所述热压设备包括：
加热模块，所述加热模块与权利要求1中铟片设置位置对应设置；
支撑架，所述支撑架上开设有抽真空口，所述支撑架设置有支撑腿，所述支撑腿底部设置有缓冲块，所述缓冲块与权利要求1中第三区域对应设置；所述加热模块嵌设于所述支撑架内。
4.根据权利要求3所述的热压设备，其特征在于，所述热压设备还包括：
驱动件，所述驱动件用于驱动所述支撑架；
控制系统，所述控制系统用于控制所述驱动件驱动所述支撑架。
5.根据权利要求4所述的热压设备，其特征在于，所述热压设备还包括：
弹性连接件，所述弹性连接件分别与所述支撑架和所述驱动件连接。
6.根据权利要求4或5所述的热压设备，其特征在于，所述热压设备还包括：
测力传感器，测力传感器与所述控制系统电连接。
7.一种热压工艺，其特征在于，应用于如权利要求1或2所述的BGA产品，所述热压工艺采用如权利要求3-6所述的热压设备，所述热压工艺包括：
当所述热压设备的加热模块的温度到达第一预设温度时，将所述热压设备的缓冲块放置于基板的第三区域，以使所述加热模块对准铟片；
通过抽真空口对所述缓冲块与所述基板之间抽真空，当所述加热模块接触到散热盖时，所述加热模块对所述铟片及所述散热盖加热，以使所述BGA产品逐渐升温，且真空度逐渐增大，使得所述缓冲块发生形变、所述加热模块下压，随真空度增加，所述加热模块继续将所述铟片压紧；
当满足预设条件时，维持当前真空度继续抽真空；
当所述加热模块的温度达到第二预设温度，保持预设时间后，停止抽真空，将所述热压设备从所述BGA产品移除。
8.根据权利要求7所述的热压工艺，其特征在于，当所述热压设备包括驱动件和所述控制系统时，所述将所述热压设备的缓冲块放置于基板的第三区域，包括：
所述控制系统控制所述驱动件驱动所述支撑架，将所述缓冲块放置于所述基板的第三区域。
9.根据权利要求7所述的热压工艺，其特征在于，所述满足预设条件包括：
所述真空度达到预设真空度；或
弹性连接件的示数的变化在预设范围内。
10.根据权利要求7-9任一项所述的热压工艺，其特征在于，所述热压工艺还包括：
对所述加热模块进行预热。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117096072A (zh) * 2023-10-20 2023-11-21 苏州锐杰微科技集团有限公司 一种芯片生产用热压机及其工作方法

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11112133A (ja) * 1997-10-03 1999-04-23 Nippon Avionics Co Ltd はんだバンプの平坦化方法
US6369455B1 (en) * 2000-01-04 2002-04-09 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Externally-embedded heat-dissipating device for ball grid array integrated circuit package
US6472741B1 (en) * 2001-07-14 2002-10-29 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Thermally-enhanced stacked-die ball grid array semiconductor package and method of fabricating the same
US20090029537A1 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 Silicon Integrated Systems Corp. Method for forming semiconductor package and mold cast used for the same
CN101889335A (zh) * 2007-12-10 2010-11-17 索尼化学&信息部件株式会社 电气元件的安装方法和安装装置
CN102017066A (zh) * 2008-03-14 2011-04-13 陶氏康宁公司 形成光伏电池模块的方法
US20120312468A1 (en) * 2010-03-16 2012-12-13 Yoichiro Taga Tape attaching apparatus and tape attaching method
JP2014154635A (ja) * 2013-02-06 2014-08-25 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
US20150053350A1 (en) * 2013-08-22 2015-02-26 Ilyoung Han Bonding method, bonding apparatus, and method for manufacturing substrate
CN108493140A (zh) * 2018-05-22 2018-09-04 湖州慧能机电科技有限公司 一种用于bga芯片的快速植锡装置
CN109300814A (zh) * 2018-10-10 2019-02-01 彭婷 一种电子芯片引脚自动矫正修复系统及芯片引脚修复工艺
CN109478522A (zh) * 2016-08-08 2019-03-15 东丽工程株式会社 安装装置
CN110379781A (zh) * 2019-06-05 2019-10-25 苏州通富超威半导体有限公司 Bga产品的使用方法
CN110998813A (zh) * 2017-08-07 2020-04-10 波士顿制程技术有限公司 热壁无助焊剂焊球处理装置
WO2020199043A1 (zh) * 2019-03-29 2020-10-08 华为技术有限公司 封装芯片及封装芯片的制作方法
CN111834310A (zh) * 2020-09-21 2020-10-27 甬矽电子(宁波)股份有限公司 Bga散热结构和bga散热封装方法
CN212097488U (zh) * 2020-04-14 2020-12-08 苏州瀚川智能科技股份有限公司 一种热压成型装置
CN112670204A (zh) * 2019-10-15 2021-04-16 万润科技股份有限公司 散热片压合工艺的温度控制方法及装置
CN113363182A (zh) * 2021-04-29 2021-09-07 苏州通富超威半导体有限公司 热压工艺、bga产品的制作方法及bga产品

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11112133A (ja) * 1997-10-03 1999-04-23 Nippon Avionics Co Ltd はんだバンプの平坦化方法
US6369455B1 (en) * 2000-01-04 2002-04-09 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Externally-embedded heat-dissipating device for ball grid array integrated circuit package
US6472741B1 (en) * 2001-07-14 2002-10-29 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Thermally-enhanced stacked-die ball grid array semiconductor package and method of fabricating the same
US20090029537A1 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 Silicon Integrated Systems Corp. Method for forming semiconductor package and mold cast used for the same
CN101889335A (zh) * 2007-12-10 2010-11-17 索尼化学&信息部件株式会社 电气元件的安装方法和安装装置
CN102017066A (zh) * 2008-03-14 2011-04-13 陶氏康宁公司 形成光伏电池模块的方法
US20120312468A1 (en) * 2010-03-16 2012-12-13 Yoichiro Taga Tape attaching apparatus and tape attaching method
JP2014154635A (ja) * 2013-02-06 2014-08-25 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
US20150053350A1 (en) * 2013-08-22 2015-02-26 Ilyoung Han Bonding method, bonding apparatus, and method for manufacturing substrate
CN109478522A (zh) * 2016-08-08 2019-03-15 东丽工程株式会社 安装装置
CN110998813A (zh) * 2017-08-07 2020-04-10 波士顿制程技术有限公司 热壁无助焊剂焊球处理装置
CN108493140A (zh) * 2018-05-22 2018-09-04 湖州慧能机电科技有限公司 一种用于bga芯片的快速植锡装置
CN109300814A (zh) * 2018-10-10 2019-02-01 彭婷 一种电子芯片引脚自动矫正修复系统及芯片引脚修复工艺
WO2020199043A1 (zh) * 2019-03-29 2020-10-08 华为技术有限公司 封装芯片及封装芯片的制作方法
CN110379781A (zh) * 2019-06-05 2019-10-25 苏州通富超威半导体有限公司 Bga产品的使用方法
CN112670204A (zh) * 2019-10-15 2021-04-16 万润科技股份有限公司 散热片压合工艺的温度控制方法及装置
CN212097488U (zh) * 2020-04-14 2020-12-08 苏州瀚川智能科技股份有限公司 一种热压成型装置
CN111834310A (zh) * 2020-09-21 2020-10-27 甬矽电子(宁波)股份有限公司 Bga散热结构和bga散热封装方法
CN113363182A (zh) * 2021-04-29 2021-09-07 苏州通富超威半导体有限公司 热压工艺、bga产品的制作方法及bga产品

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117096072A (zh) * 2023-10-20 2023-11-21 苏州锐杰微科技集团有限公司 一种芯片生产用热压机及其工作方法
CN117096072B (zh) * 2023-10-20 2024-02-02 苏州锐杰微科技集团有限公司 一种芯片生产用热压机及其工作方法

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