CN113355046A - 电子封装用封装胶、制备方法及封装结构 - Google Patents

电子封装用封装胶、制备方法及封装结构 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种电子封装用封装胶、制备方法及封装结构。所述电子封装用封装胶包括乙烯基硅油、侧氢硅油、端氢硅油、MQ树脂、填料和催化剂，所述填料包括增强型气相二氧化硅及触变型气相二氧化硅，通过在特定比例的端氢硅油和侧氢硅油在乙烯基硅油、MQ树脂的协同作用下，结合二氧化硅填料的触变性能，实现了良好的断裂伸长率、附着力、拉伸强度及触变性，并且改善了封装胶的柔软性和流动性，硫化后还可保持良好的透明性。

Description

电子封装用封装胶、制备方法及封装结构
技术领域
本申请涉及电子封装技术领域，尤其涉及电子封装用封装胶、制备方法及封装结构。
背景技术
在电子工业中，常常需要对电子元器件或组装部件进行灌封，使器件与外部隔绝，并形成保护层，以提高电子元器件的抗冲击振动、外部恶劣环境的能力，并且起到防尘防潮防腐蚀及电绝缘等效果。目前的灌封材料主要有环氧树脂类、有机硅类、聚氨酯类等。其中有机硅灌封胶是指用硅橡胶制作的一类电子灌封胶，具有优良的耐温、防水和电绝缘性能，并且有机硅灌封胶在硫化过程中无副产物，其收缩率小，制备工艺和固化工艺简便。
随着电子器件向小型化、微型化发展，电子器件越来越精细，现有的有机硅灌封胶在柔软性、拉伸强度等机械性能以及流动性、粘结性等方面已难以适应电子器件封装的需要。且有些有机硅灌封胶因稳定性不佳，易沉降，需分为双组分或多组分分别保存，使用时再加工，制备、存储和使用方式均较复杂。
发明内容
为改善上述缺陷，本申请提供一种电子封装用封装胶，所述封装胶包括乙烯基硅油、MQ树脂、侧氢硅油、端氢硅油、填料和催化剂；
其中，所述填料包括增强型气相二氧化硅和触变型气相二氧化硅；
所述封装胶中，各成分的用量以质量份计：
乙烯基硅油25-90份；
MQ树脂75-10份；
侧氢硅油0.2-10份，
端氢硅油0.2-30份；
增强型气相二氧化硅10-35份；
触变型气相二氧化硅1-10份；
并且，所述乙烯基硅油和MQ树脂的总质量为100份，催化剂的量为使所述组合物中Pt浓度为20-50ppm。
在一些实施例中，所述乙烯基硅油具有如式(I)所示的化学结构：
Figure BDA0003093230190000021
式(I)中，当每个R出现时，彼此独立地选自烷基或者烯基或者芳香基，R中至少有2个烯基。
在一些实施例中，所述侧氢硅油具有如式(II)所示的化学结构：
Figure BDA0003093230190000022
式(II)中，R3a和R3b彼此独立地选自饱和脂肪烃基，p和q分别为30-100的整数。
在一些实施例中，所述端氢硅油具有如式(III)所示的化学结构：
Figure BDA0003093230190000023
式(III)中，当每个Rc出现时，彼此独立地选自烷基或芳香基，其中m为100-20000的整数。
在一些实施例中，所述MQ树脂中包含SiO4/2单元(Q)和R’3SiO1/2(M)单元，其中每个R’分别独立地选自一价烃基，并且每个MQ树脂的分子中至少有三个R’为烯基，M/Q为0.7-1.0。
在一些实施例中，所述侧氢硅油和端氢硅油中氢硅键的摩尔数为乙烯基硅油和MQ树脂中乙烯基摩尔数的1.0-3.0倍。
在一些实施例中，所述增强型气相二氧化硅和触变型气相二氧化硅的总质量份数≤35份。
在一些实施例中，所述封装胶还包括附着力促进剂0.2-2份和/或化学除水剂0.2-2份。
在一些实施例中，所述催化剂为卡斯特催化剂，所述封装胶还进一步包括抑制剂0.05-1份；或者所述催化剂为胶囊型催化剂，并且所述封装胶不包括抑制剂。
在一些实施例中，所述封装胶包括：乙烯基硅油25-85份，MQ树脂15-75份，所述的MQ树脂和所述乙烯基硅油的总质量为100份；所述侧氢硅油0.2-5份，所述端氢硅油0.2-10份，所述增强型气相二氧化硅10-35份，所述触变型气相二氧化硅1-10份，所述抑制剂0.05-1份，所述附着力促进剂的用量为0.2-2份，所述化学除水剂的用量为0.2-2份，所述卡斯特催化剂用量是使所述组合物中Pt浓度为20-50ppm。
在一些实施例中，所述封装胶包括：乙烯基硅油50-90份，MQ树脂为10-50份，并且所述的MQ树脂和所述乙烯基硅油的总质量为100份，所述侧氢硅油0.2-10份，所述端氢硅油3-30份，所述增强型气相二氧化硅10-35份，所述触变型气相二氧化硅1-10份，所述附着力促进剂0.2-2份，所述化学除水剂为0.2-2份，所述胶囊型催化剂用量是使体系中Pt浓度为20-50ppm。
在一些实施例中，所述增强型气相二氧化硅的比表面积为240-300m2/g，所述触变型气相二氧化硅的比表面积为100-120m2/g。
在一些实施例中，所述附着力促进剂选自环氧型附着力促进剂、异氰酸型附着力促进剂、乙烯型附着力促进剂、氢硅型附着力促进剂或丙烯酰氧型附着力促进剂中的一种或几种。
本申请还提供上述封装胶的制备方法，包括如下步骤：
S1：提供乙烯基硅油、MQ树脂、增强型气相二氧化硅、触变型气相二氧化硅及任选的抑制剂按比例混合，得到混合物；
S2：离心混合后辊磨所述混合物至混合物变为胶状物；
S3：120-130℃真空除水；
S4：按比例加入催化剂、端氢硅油、侧氢硅油、催化剂及任选的化学除水剂、附着力促进剂，混合均匀，再次离心混合后辊磨所述混合物至混合物变为胶状物；
S5：真空脱泡，得到封装胶。
相应地，本申请提供一种电子封装结构，包括电子器件及封装层，所述封装层的原料为上述封装胶经硫化交联而成。
在一些实施例中，所述硫化交联的条件为120-130℃加热1-2h。
本申请的电子封装用封装胶同时包含增强型气相二氧化硅及触变型气相二氧化硅，可降低电子封装用封装胶的成本，并保持良好的机械性能。此外，通过在特定比例的端氢硅油和侧氢硅油在乙烯基硅油、MQ树脂的协同作用下，结合二氧化硅填料的触变性能，实现了良好的断裂伸长率、附着力、拉伸强度及触变性，并且改善了封装胶的柔软性和流动性，硫化后还可保持良好的透明性。本申请的封装胶制备方法简单，通过两次辊炼即可得到分散均匀、稳定性好的液体封装胶，可作为单组分胶直接使用，工艺简单，适用面广。基于该封装胶的电子封装结构可保护电子器件避免机械冲击和外部环境的影响，粘结性好，可起到防腐蚀防潮的效果，能有效提高电子器件的稳定性。
具体实施方式
下面对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
本申请中“烷基”是指直链和/或支链的饱和脂肪族烃基，例如该脂肪族烃基可包括1-10个碳原子，1-6个碳原子或者1-4个、1-3个或1个或2个碳原子。烷基的示例包括但不限于甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基等。
所述“烯基”是指含有至少一个碳碳双键的(C＝C)直链或支链的不饱和脂肪族烃基，例如该脂肪族烃基可包括2-12个碳原子，2-10个碳原子或者2-8个、2-6个或4个或3个或2个碳原子。烯基的示例包括但不限于乙烯基、丙烯基、丁烯基等。
所述“芳基”是指分子结构中具有6个或多于6个的碳原子且包含至少一个芳环的基团，即有一个共轭pi-电子系统。在本申请中，所述芳基既可以是一个芳基基团，也可以是芳基与其他基团的组合基团，例如芳基烷基、烷基芳基等。芳基的示例包括但不限于苯基、萘基、蒽基、苯基烷基、亚烷基苯基、苄基等。
“任选的”是指随后所描述的事件可以但非必须发生，或者随后所描述的物质可以但非必须含有。例如包括“任选的抑制剂”是指可以含有抑制剂也可以不含有抑制剂。
本申请实施例提供一种电子封装用封装胶。
所述电子封装用封装胶包括所述封装胶包括乙烯基硅油、MQ树脂、侧氢硅油、端氢硅油、填料和催化剂；
其中，所述填料包括增强型气相二氧化硅和触变型气相二氧化硅；
所述封装胶中，各成分的用量以质量份计：
乙烯基硅油25-90份；
MQ树脂75-10份；
侧氢硅油0.2-10份，
端氢硅油0.2-30份；
增强型气相二氧化硅10-35份；
触变型气相二氧化硅1-10份；
并且，所述乙烯基硅油和MQ树脂的总质量为100份，催化剂的量为使所述组合物中Pt浓度为20-50ppm。
所述乙烯基硅油具有如式(I)所示的化学结构：
Figure BDA0003093230190000061
式(I)中，当每个R出现时，彼此独立地选自烷基或者烯基或者芳香基，R中至少有2个烯基。在一些实施例中，所述烯基位于硅氧链结构的两端；优选地，所述乙烯基硅油的粘度为100～60000mPa·s，所述乙烯基硅油中乙烯基摩尔百分含量为0.1-1％(以C2H3的摩尔质量计)。该粘度范围的乙烯基硅油可以使材料具有优良的触变性和粘度，并硫化产物具有优良的物理性能。
在一些实施例中，所述侧氢硅油具有如式(II)所示的化学结构：
Figure BDA0003093230190000062
式(II)中，R3a和R3b彼此独立地选自饱和脂肪烃基，p和q分别为30-100的整数。R3a和R3b优选为甲基，并且含氢量为0.1-1％，粘度为2～300mPa·s。侧氢硅油作为交联剂，其分子中与硅原子相连接的活性氢原子与乙烯基基团在高温下催化发生加成反应，使生胶硫化，从而形成交联结构固化成硅橡胶，具有良好的机械强度。
在一些实施例中，所述端氢硅油具有如式(III)所示的化学结构：
Figure BDA0003093230190000071
式(III)中，当每个Rc出现时，彼此独立地选自烷基或芳香基，其中m为100-20000的整数。优选地，所述端氢硅油粘度10～500mPa·s，含氢量为0.01-0.1％。所述端氢硅油将乙烯基硅油或MQ树脂的乙烯基端链接起来，增大了硅链的长度和韧性，在保证胶体拉伸强度的同时，有效改善胶体的断裂伸长率和柔软性。
本领域技术人员可以理解，本申请中所述乙烯基硅油、端氢硅油、侧氢硅油可以分别是不同重复重复单元数的聚合物的混合物。例如在一个实施例中，所述端氢硅油为m为100、m为200以及m为100-20000间其他数值的聚合物的混合物。在一些实施例中，所述侧氢硅油和端氢硅油中氢硅键的摩尔数为乙烯基硅油和MQ树脂中乙烯基摩尔数的1.0-3.0倍。其中，端氢硅油加入较少则起不到柔软性作用，加入过多会导致硅橡胶拉伸强度降低。
在一些实施例中，所述MQ树脂中包含SiO4/2单元(Q)和R’3SiO1/2(M)单元，其中每个R’分别独立地选自一价烃基，并且每个MQ树脂的分子中至少有三个R’为烯基，M/Q为0.7-1.0。MQ硅树脂作为补强剂可显著提高硫化后硅橡胶的力学性能，并且胶料在硫化过程中粘度上升程度不大，流动性好，硫化后硅橡胶也具有很高的透明性。
所述电子封装用封装胶还可以进一步包括附着力促进剂0.2-2份和/或化学除水剂0.2-2份。
其中，所述抑制剂选自含有炔基的化合物、含有多乙烯基的化合物、含氮化合物、含磷化合物或含硫化合物中的一种或几种。所述含有炔基的化合物可以选自但不限于1-乙炔基环己醇(CAS#:78-27-3)、3-甲基-1-丁炔-3-醇、3-苯基-1-丁炔-3-醇、3-丙基-1-丁炔-3-醇、3-辛基-1-丁炔-3-醇或1-二甲氢硅氧基-1-乙炔基-环己烷中的一种或几种。所述含有多乙烯基的化合物可以选自但不限于四甲基四乙烯基四硅氧烷。所述含氮化合物可以选自但不限于2,2’-联吡啶、N,N-二甲基甲酰胺、喹啉、氧化胺、N,N,N’,N’-四甲基乙二胺、甲肼、苯肼或四甲基胍羧酸酯中的一种或几种。所述含磷化合物可以选自但不限于三苯基膦或亚磷酸三苯酯中的一种或两种。所述含硫化合物可以选自但不限于二甲亚砜或亚砜类化合物中的一种或几种。在至少一优选的实施例中，所述抑制剂为1-乙炔基环己醇。所述抑制剂用于所述电子封装用封装胶，一方面不会带入有害杂质如F、Cl、Br及重金属离子；另一方面上述种类的抑制剂与催化剂配合使用，能使电子封装用封装胶在芯片加工时再可以承受的最高温度130-150℃内发生硫化，且硫化速度快。此外，所述抑制剂可以确保液体形态的电子封装用封装胶有一定的贮存和控制硫化的时间，避免硅氢加成反应太快。
所述附着力促进剂可以选自但不限于环氧型附着力促进剂、异氰酸型附着力促进剂、乙烯型附着力促进剂、氢硅型附着力促进剂及丙烯酰氧型附着力促进剂中的一种或几种。
所述环氧型附着力促进剂为含有1个环氧基团及3个(与硅原子相连的)甲氧基或乙氧基的化合物。优选的，所述环氧型附着力促进剂选自硅烷偶联剂KH560(3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷，CAS：2530-83-8)。
所述异氰酸型附着力促进剂为含有1个异氰酸及3个(与硅原子相连的)甲氧基或乙氧基的化合物。优选的，所述异氰酸型附着力促进剂为异氰酸丙基三乙氧基硅烷(CasNo:24801-88-5)。
所述乙烯型附着力促进剂为含有1个乙烯基团及3个(与硅原子相连的)甲氧基或乙氧基的化合物。优选的，所述乙烯型附着力促进剂选自乙烯基三乙氧基硅烷(CAS：78-08-0)及乙烯基三甲基硅烷(CAS：754-05-2)中的至少一种。
所述氢硅型附着力促进剂为含有1-7个氢硅基团及3个(与硅原子相连的)甲氧基或乙氧基的化合物。优选的，所述氢硅型附着力促进剂为三甲氧基氢硅烷(CAS：2487-90-3)。
所述丙烯酰氧型附着力促进剂为含有1个丙烯酰氧基团及3个(与硅原子相连的)甲氧基或乙氧基的化合物。优选的，所述丙烯酰氧型附着力促进剂为硅烷偶联剂KH570(3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷，CAS：2530-85-0)。
所述化学除水剂为本领域已知用于胶粘剂除水的除水剂，例如氮基硅烷、长链烷基硅烷低聚物等。在至少一实施例中，所述氮基硅烷为六甲基二硅氮烷。所述除水剂用于去除所述电子封装用封装胶的原料中的水，以避免原料中的活性成分含氢硅油(侧氢硅油、端氢硅油)与水反应所导致的电子封装用封装胶的性能降低。
所述电子封装用封装胶中，所述催化剂中的有效成分(以Pt计)在封装胶中的浓度范围为20-30ppm。所述催化剂选自卡斯特催化剂(CAS#:81032-58-8)及胶囊型催化剂中的至少一种。所述卡斯特催化剂中Pt(铂)含量为2-95％。优选的，所述卡斯特催化剂中Pt(铂)含量为2％。所述胶囊型催化剂选自热塑性树脂包封的微胶囊型铂催化剂。在至少一优选的实施例中，所述胶囊型催化剂为热塑性硅氧烷包封的微胶囊型铂催化剂。所述胶囊型催化剂中Pt含量为1-5％。
当使用卡斯特催化剂时，所述封装胶还含有抑制剂，所述抑制剂为含有炔基和羟基的化合物，优化为卡斯特催化剂中Pt含量2％，抑制剂优化为1－乙炔基环己醇(CAS#:78-27-3)。在一些实施方案中，所述封装胶包括乙烯基硅油25-85份，MQ树脂15-75份，所述的MQ树脂和所述乙烯基硅油的总质量为100份；所述侧氢硅油0.2-5份，所述端氢硅油0.2-10份，所述增强型气相二氧化硅10-35份，所述触变型气相二氧化硅1-10份，所述抑制剂0.05-1份，所述附着力促进剂的用量为0.2-2份，所述化学除水剂的用量为0.2-2份，所述卡斯特催化剂用量是使所述组合物中Pt浓度为20-50ppm。在一些实施方案中，所述封装胶可冷冻保存，其保存条件为-40℃至-45℃密封避光保存。
当使用胶囊型催化剂，用树脂将卡斯特催化剂封在胶囊中，优选地Pt含量为1％。并且，所述封装胶中不含有抑制剂。在一些实施例中，所述封装胶包括乙烯基硅油50-90份，MQ树脂为10-50份，并且所述的MQ树脂和所述乙烯基硅油的总质量为100份，所述侧氢硅油0.2-10份，所述端氢硅油3-30份，所述增强型气相二氧化硅10-35份，所述触变型气相二氧化硅1-10份，所述附着力促进剂0.2-2份，所述化学除水剂为0.2-2份，所述胶囊型催化剂用量是使体系中Pt浓度为20-50ppm。使用胶囊型催化剂的封装胶可常温保存。
所述增强型气相二氧化硅的比表面积为240-300m2/g。所述增强型气相二氧化硅为燃烧法制备的纳米二氧化硅。在至少一优选的实施例中，所述增强型气相二氧化硅为经过表面疏水处理的增强型气相二氧化硅，表面疏水处理的疏水剂优选为六甲基二硅氮烷。在某些文献中，燃烧法制备的二氧化硅又称作烟雾质二氧化硅。
所述触变型气相二氧化硅的比表面积为100-120m2/g。所述触变型气相二氧化硅为燃烧法制备的纳米二氧化硅。在至少一优选的实施例中，所述触变型气相二氧化硅为经过表面疏水处理的触变型气相二氧化硅，表面疏水处理的疏水剂优选为六甲基二硅氮烷。
本申请还提供一种所述电子封装用封装胶的制备方法，其包括如下步骤：
步骤S1：提供乙烯基硅油、MQ树脂、增强型气相二氧化硅、触变型气相二氧化硅及任选的抑制剂按比例混合，得到混合物；
步骤S2：离心混合后辊磨所述混合物至混合物变为胶状物；
步骤S3：120-130℃真空除水；
步骤S4：按比例加入催化剂、端氢硅油、侧氢硅油、催化剂及任选的化学除水剂、附着力促进剂，混合均匀，再次离心混合后辊磨所述混合物至混合物变为胶状物；
步骤S5：真空脱泡，得到封装胶。
所述步骤S1中的混合方法为离心混合，具体的：使用高速离心搅拌机，以1200-1300r/min的转速搅拌2-20min。
所述步骤S1中在混合之前还包括对所述增强型及触变型气相二氧化硅除水的步骤，具体的，将所述所述气相二氧化硅在90℃下烘干12h以上。
所述步骤S2中使用三辊或双辊炼胶机辊磨所述混合物。其中，辊磨时间大于40min，辊间距为30-40μm。
所述步骤S3具体为：使用具有真空加热功能的搅拌机或炼胶机在120-130℃下真空处理2-3h。
所述步骤S4中的真空脱泡的方法具体为：使用高速离心搅拌机，以1200-3000r/min的速度搅拌1-10min。其中，真空度大于0.097MPa。
在至少一实施例中，所述步骤S1具体为：先将MQ树脂按比例溶解到乙烯基硅油中，然后将溶有MQ树脂的乙烯基硅油与气相二氧化硅、任选的抑制剂按比例混合，得到混合物。
在一实施例中，所述将MQ树脂按比例溶解到乙烯基硅油中的方法为：通过加热使得MQ树脂溶解到乙烯基硅油中。
在又一优选的实施例中，按(1：1)-(4：1)的比例将甲苯与MQ树脂混合，加热至95-110℃，搅拌1-6小时，待完全溶解后；再按比例加入乙烯基硅油，80-100℃加热搅拌1-4小时。然后减压加热蒸馏去除甲苯，其中，真空度为0.095MPa以上，加热时间为2-4小时，加热温度为110-140℃。
本申请提供的封装胶产品固化前流动性好，使用操作固化时间适中，可作为稳定的单组分封装胶生产，使用时操作方便等，可广泛用在LED、设备模型、继电器、电源和磁放大器、变压器、线圈和铁氧体磁芯、接线器、纤维光学波导涂层、电路板的封装。
下面通过具体实施例来对本申请进行具体说明，以下实施例仅是本申请的部分实施例，不是对本申请的限定。
本申请的实施例及对比例的组分配比请参见表1。
表1中的A-H分别表示：
A：乙烯基硅油，粘度5000cp，乙烯基含量0.18％。
B：MQ树脂：M/Q＝0.75，乙烯基含量0.96％。
C1：侧氢硅油：氢含量0.77-0.88％，粘度：200cp。
C2：端氢硅油：氢含量0.014％，粘度：300cp。
C3：端氢硅油：氢含量0.072％，粘度：180cp。
D1：卡斯特催化剂，含铂量20000ppm。
D2：胶囊型催化剂，含铂量20000ppm。
E：抑制剂，1－乙炔基环己醇，纯度>99％。
F1：气相二氧化硅，比表面积120m2/g，表面疏水处理，90℃烘干除水。
F2：气相二氧化硅，比表面积260m2/g，表面疏水处理，90℃烘干除水。
G：KH570。
H：六甲基二硅氮烷。
本申请中，乙烯基含量及氢含量分别以C2H3-的摩尔百分数以及分子中-Si-H(氢硅键)中氢的摩尔百分数为计算基准。
实施例及对比例的封装胶采用如下方法制备：
1.提供乙烯基硅油、MQ树脂、增强型气相二氧化硅、触变型气相二氧化硅及任选的抑制剂按比例混合，得到混合物；
2.离心混合后辊磨所述混合物至混合物变为胶状物，1200-3000转/min，搅拌时间为5min，双辊炼胶机辊间距离30-40μm辊磨60min；
3.120℃真空除水1h；
4.按比例加入催化剂、端氢硅油、侧氢硅油、催化剂及任选的化学除水剂、附着力促进剂，混合均匀，与步骤2的工艺参数相同再次离心混合后辊磨所述混合物至混合物变为胶状物；
5.真空脱泡，真空处理时间为2h，温度为130℃，得到封装胶。
表1实施例与对比例成分表
Figure BDA0003093230190000121
Figure BDA0003093230190000131
对所述实施例1-9的硅橡胶及对比例1-5的封装胶进行断裂伸长率、拉伸强度、Al附着力、Si附着力、粘度、触变性能、室温可施工时间、透光率及柔软性(硬度)测试，测试结果参见表2。
拉伸强度和断裂伸长率的测试按照HG/T2580-94标准方法测试。
附着力的测试按照GB11211-89标准方法测试。
触变性能测试：分别在不同转速0.5rds和5rad下测定其旋转粘度，触变系数＝0.5rds转速下的粘度/5rad转速下的粘度。触变系数一般需要大于7，且0.5rds粘度大于1000Pa·s。
室温可施工时间：将所制备的封装胶在15℃放置一段时间，每隔一段时间测定其粘度，若其粘度变化率小于初始粘度50％，视为可施工状态。否则为不可施工状态。
柔软性用邵氏A硬度计测量。
透明度的测试方法为，将胶体固化形成5.0mm厚的样条，用透光仪分析其透明度，波长为430nm。
断裂伸长率、附着力、拉伸强度、及硬度应在样品硫化后测试，硫化条件为130℃加热1h。
表2实施例与对比例性能测试结果
Figure BDA0003093230190000132
Figure BDA0003093230190000141
根据实施例1-实施例4可以看出，MQ树脂用量减少以后，胶体固化后更加柔软，但是拉伸强度稍有降低。根据实施例5-实施例8，端基含氢硅油用量增加是，胶体经硫化交联后仍保持良好的柔软性。加入了端基含氢硅油后，可以明显改善胶体固化后硬度，加入MQ树脂以后可以有效提高胶体的拉伸强度和断裂伸长率。并且本发明的填料的增加可以明显提高胶体的拉伸强度和断裂伸长率。实施例9其室温可施工时间明显增长。这是因为胶囊型催化剂在常温下非常稳定，不会和体系其它组份接触，但是在升温时，胶囊破裂，包覆在胶囊内的催化剂与体系其它组份接触，在催化剂的作用下发生硫化反应。
可见，本申请的同时包含球形颗粒二氧化硅、触变型气相二氧化硅及增强型气相二氧化硅的电子封装用封装胶可以同时具有较好的断裂伸长率、拉伸强度、附着力及触变性。
以上对本申请实施例所提供的电子封装用封装胶及其制备方法和封装结构进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (16)

1.一种电子封装用封装胶，其特征在于，所述封装胶包括乙烯基硅油、MQ树脂、侧氢硅油、端氢硅油、填料和催化剂；
其中，所述填料包括增强型气相二氧化硅和触变型气相二氧化硅；
所述封装胶中，各成分的用量以质量份计：
乙烯基硅油25-90份；
MQ树脂75-10份；
侧氢硅油0.2-10份，
端氢硅油0.2-30份；
增强型气相二氧化硅10-35份；
触变型气相二氧化硅1-10份；
并且，所述乙烯基硅油和MQ树脂的总质量为100份，催化剂的量为使所述组合物中Pt浓度为20-50ppm。
2.根据权利要求1所述的封装胶，其特征在于，所述乙烯基硅油具有如式(I)所示的化学结构：
Figure FDA0003093230180000011
式(I)中，当每个R出现时，彼此独立地选自烷基或者烯基或者芳香基，R中至少有2个烯基，n为80-20000的整数。
3.根据权利要求1或2所述的封装胶，其特征在于，所述侧氢硅油具有如式(II)所示的化学结构：
Figure FDA0003093230180000012
式(II)中，R3a和R3b彼此独立地选自饱和脂肪烃基，p和q分别为30-100的整数。
4.根据权利要求1或2所述的封装胶，其特征在于，所述端氢硅油具有如式(III)所示的化学结构：
Figure FDA0003093230180000021
式(III)中，当每个Rc出现时，彼此独立地选自烷基或芳香基，其中m为100-20000的整数。
5.根据权利要求2所述的封装胶，其特征在于，所述MQ树脂中包含SiO4/2单元(Q)和R’3SiO1/2(M)单元，其中每个R’分别独立地选自一价烃基，并且每个MQ树脂的分子中至少有三个R’为烯基，M/Q为0.7-1.0。
6.根据权利要求2或5所述的封装胶，其特征在于，所述侧氢硅油和端氢硅油中氢硅键的摩尔数为乙烯基硅油和MQ树脂中乙烯基摩尔数的1.0-3.0倍。
7.根据权利要求1所述的封装胶，其特征在于，所述增强型气相二氧化硅和触变型气相二氧化硅的总质量份数≤35份。
8.根据权利要求1所述的封装胶，其特征在于，所述封装胶还包括附着力促进剂0.2-2份和/或化学除水剂0.2-2份。
9.根据权利要求1或8所述的封装胶，其特征在于，所述催化剂为卡斯特催化剂，所述封装胶还进一步包括抑制剂0.05-1份；或者
所述催化剂为胶囊型催化剂，并且所述封装胶不包括抑制剂。
10.根据权利要求9所述的封装胶，其特征在于，所述封装胶包括：乙烯基硅油25-85份，MQ树脂15-75份，所述的MQ树脂和所述乙烯基硅油的总质量为100份；所述侧氢硅油0.2-5份，所述端氢硅油0.2-10份，所述增强型气相二氧化硅10-35份，所述触变型气相二氧化硅1-10份，所述抑制剂0.05-1份，所述附着力促进剂的用量为0.2-2份，所述化学除水剂的用量为0.2-2份，所述卡斯特催化剂用量是使所述组合物中Pt浓度为20-50ppm。
11.根据权利要求9所述的封装胶，其特征在于，所述封装胶包括：乙烯基硅油50-90份，MQ树脂为10-50份，并且所述的MQ树脂和所述乙烯基硅油的总质量为100份，所述侧氢硅油0.2-10份，所述端氢硅油3-30份，所述增强型气相二氧化硅10-35份，所述触变型气相二氧化硅1-10份，所述附着力促进剂0.2-2份，所述化学除水剂为0.2-2份，所述胶囊型催化剂用量是使体系中Pt浓度为20-50ppm。
12.根据权利要求1所述的封装胶，其特征在于，所述增强型气相二氧化硅的比表面积为240-300m2/g，所述触变型气相二氧化硅的比表面积为100-120m2/g。
13.根据权利要求8所述的封装胶，其特征在于，所述附着力促进剂选自环氧型附着力促进剂、异氰酸型附着力促进剂、乙烯型附着力促进剂、氢硅型附着力促进剂或丙烯酰氧型附着力促进剂中的一种或几种。
14.权利要求1-12任一项所述的封装胶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：提供乙烯基硅油、MQ树脂、增强型气相二氧化硅、触变型气相二氧化硅及任选的抑制剂按比例混合，得到混合物；
S2：离心混合后辊磨所述混合物至混合物变为胶状物；
S3：120-130℃真空除水；
S4：按比例加入催化剂、端氢硅油、侧氢硅油、催化剂及任选的化学除水剂、附着力促进剂，混合均匀，再次离心混合后辊磨所述混合物至混合物变为胶状物；
S5：真空脱泡，得到封装胶。
15.一种电子封装结构，其特征在于，包括电子器件及封装层，所述封装层的原料为权利要求1-12任一项所述的封装胶经硫化交联而成。
16.根据权利要求14所述的电子封装结构，所述硫化交联的条件为120-130℃加热1-2h。
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