CN113345937A - 显示装置及制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；第一电极，位于基底上；第二电极，位于基底上，并且与第一电极间隔开；多个发光元件，所述多个发光元件中的每个的至少一部分位于第一电极与第二电极之间；以及接触电极，位于第一电极、第二电极和所述多个发光元件上，接触电极包括导电聚合物，其中，接触电极包括第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极接触所述多个发光元件中的第一部分中的每个的端部和第一电极，第二接触电极接触所述多个发光元件中的第二部分中的每个的端部和第二电极并且与第一接触电极间隔开。

Description

显示装置及制造显示装置的方法
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示装置及制造显示装置的方法。
背景技术
随着多媒体的发展，显示装置正在变得越来越重要。因此，正在使用各种类型的显示装置，诸如以有机发光显示器和液晶显示器为例。
显示装置是显示图像的装置，并且包括显示面板，诸如以有机发光显示面板或液晶显示面板为例。作为发光显示面板，显示面板可以包括诸如发光二极管(LED)的发光元件。例如，LED可以是使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)，或者可以是使用无机材料作为荧光材料的无机LED。
发明内容
本公开的实施例的方面提供了一种显示装置，该显示装置包括发光元件和电结合到发光元件并包括导电聚合物的接触电极。
本公开的实施例的方面还提供了通过减少的数量的工艺来制造显示装置的方法。
然而，本公开的实施例的方面不限于在此阐述的方面。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的实施例的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
根据本公开的实施例，显示装置包括：基底；第一电极，位于基底上；第二电极，位于基底上，并且与第一电极间隔开；多个发光元件，所述多个发光元件中的每个的至少一部分位于第一电极与第二电极之间；以及接触电极，位于第一电极、第二电极和所述多个发光元件上，接触电极包括导电聚合物，其中，接触电极包括第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极接触所述多个发光元件中的第一部分中的每个的端部和第一电极，第二接触电极接触所述多个发光元件中的第二部分中的每个的端部和第二电极并且与第一接触电极间隔开。
导电聚合物可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)。
接触电极中的每个的导电聚合物可以形成聚合物基质，并且银(Ag)颗粒分散在聚合物基质中。
接触电极中的每个可以包括多个层，每个层包括导电聚合物。
接触电极中的每个的厚度可以在150nm至250nm的范围内。
第一接触电极和第二接触电极可以在发光元件上彼此间隔开。
第一接触电极的宽度可以大于第一电极的宽度。
显示装置还可以包括位于第一电极与第二电极之间的第三电极，其中，所述多个发光元件中的第一部分可以位于第一电极与第三电极之间，并且所述多个发光元件中的第二部分可以位于第三电极与第二电极之间。
接触电极还包括位于第三电极上的第三接触电极，第三接触电极接触每个发光元件的至少一个端部。
显示装置还可以包括位于基底上的多个第一堤，其中，第一电极位于所述多个第一堤中的一个上，并且第二电极位于所述多个第一堤中的另一个上，其中，发光元件位于所述多个第一堤之间。
显示装置还可以包括第一绝缘层，第一绝缘层位于基底上并且在第一电极与第二电极之间以部分地覆盖第一电极和第二电极，其中，所述多个发光元件位于第一绝缘层上。
显示装置还可以包括第二绝缘层，第二绝缘层位于基底上并且覆盖第一电极、第二电极、所述多个发光元件和接触电极。
第二绝缘层可以直接接触每个发光元件的外表面的位于第一接触电极与第二接触电极之间的一部分。
显示装置还可以包括第二堤，第二堤在基底上围绕定位有发光元件的区域，其中，第二绝缘层也可以位于第二堤上。
根据本公开的另一实施例，制造显示装置的方法包括以下步骤：准备目标基底、位于目标基底上的第一电极和第二电极，以及发光元件，发光元件中的每个的至少一部分位于第一电极与第二电极之间；在第一电极、发光元件和第二电极上涂覆导电聚合物溶液；以及通过使导电聚合物溶液固化来形成接触电极。
接触电极可以包括第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极接触发光元件中的第一部分中的每个的端部和第一电极，第二接触电极接触发光元件中的第二部分中的每个的端部和第二电极，其中，第二接触电极与第一接触电极间隔开。
形成接触电极的步骤可以包括：通过使导电聚合物溶液固化来形成导电聚合物层，以及通过部分地去除导电聚合物层来形成第一接触电极和第二接触电极。
将发光元件分散在导电聚合物溶液中，然后将具有发光元件的导电聚合物溶液喷涂到第一电极和第二电极上。
导电聚合物可以包括PEDOT:PSS。
接触电极中的每个的导电聚合物可以形成聚合物基质，并且银(Ag)颗粒可以分散在聚合物基质中。
附图说明
通过结合附图进行的实施例的以下描述，实施例的这些和/或其他方面将变得明显和更容易理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的平面图；
图2是根据实施例的显示装置的像素的平面图；
图3是沿着图2的线IIIa-IIIa'、线IIIb-IIIb'和线IIIc-IIIc'截取的剖视图；
图4是根据实施例的发光元件的示意图；
图5是示出根据实施例的制造显示装置的方法的流程图；
图6至图12是示出根据实施例的制造显示装置的工艺的剖视图；
图13是根据实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图14是示出制造图13的显示装置的工艺的一部分的剖视图；
图15是根据实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图16是示出根据实施例的制造显示装置的工艺的一部分的剖视图；
图17是根据实施例的显示装置的子像素的平面图；
图18是沿着图17的线VIII-VIII'截取的剖视图；
图19是根据实施例的显示装置的子像素的平面图；
图20是根据实施例的显示装置的子像素的平面图；
图21是根据实施例的显示装置的子像素的平面图；并且
图22是沿着图21的线XI-XI'截取的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更充分地描述本公开的实施例，在附图中示出了本公开的示例实施例。然而，本公开的主题可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的主题的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，所述层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。类似地，第二元件也可以被命名为第一元件。
在下文中，将参照附图描述实施例。
图1是根据实施例的显示装置10的平面图。
参照图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏的任何合适的电子装置。显示装置10的示例可以包括电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备、游戏机、数码相机和摄像机，所有这些都提供显示屏。
显示装置10包括提供显示屏的显示面板。显示面板的示例包括无机发光二极管(LED)显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子显示面板和场发射显示面板。下面将描述应用无机LED显示面板作为显示面板的示例的情况，但是本公开不限于这种情况，只要适用相同的技术精神，也可以应用其他显示面板。
可以对显示装置10的形状进行各种修改。例如，显示装置10可以具有各种合适的形状，诸如水平长矩形、垂直长矩形、正方形、具有圆角(倒圆的角)(顶点)的四边形、其他多边形或圆形。显示装置10的显示区域DPA的形状也可以类似于显示装置10的整体形状。在图1中，显示装置10和显示区域DPA中的每个成形为类似于水平长矩形，但是本公开不限于此。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是可以显示屏幕的区域，并且非显示区域NDA可以是不显示屏幕的区域。显示区域DPA也可以被称为有效区域，并且非显示区域NDA也可以被称为无效区域。显示区域DPA可以大体上占据显示装置10的中央(例如，近似中央)。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。像素PX可以布置在矩阵方向上。像素PX中的每个在平面图中可以是矩形或正方形。然而，本公开不限于此，像素PX中的每个也可以具有使每条边相对于一定方向倾斜的菱形平面形状。像素PX可以以条纹或pentile类型交替布置。另外，像素PX中的每个可以包括一个或更多个发光元件30，发光元件30发射设定或特定波段的光以显示设定或特定颜色。
非显示区域NDA可以定位在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全地或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以是矩形，并且非显示区域NDA可以与显示区域DPA的四条边相邻。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的布线或电路驱动器可以定位在每个非显示区域NDA中，并且/或者外部装置可以安装在每个非显示区域NDA中。
图2是根据实施例的显示装置10的像素PX的平面图。
参照图2，像素PX中的每个可以包括多个子像素PXn(其中，n是1至3的整数)。例如，一个像素PX也可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射第二颜色的光，并且第三子像素PX3可以发射第三颜色的光。第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是红色。然而，本公开不限于此，多个子像素PXn也可以发射相同颜色的光。另外，尽管在图2中一个像素PX包括三个子像素PXn，但是本公开不限于此，像素PX还可以包括另外的子像素PXn。
显示装置10的每个子像素PXn可以包括被限定为发射区域EMA的区域。第一子像素PX1可以包括第一发射区域EMA1，第二子像素PX2可以包括第二发射区域EMA2，并且第三子像素PX3可以包括第三发射区域EMA3。发射区域EMA可以被限定为定位有包括在显示装置10中的发光元件30以输出设定或特定波段的光的区域。发光元件30中的每个可以包括活性层36(见图4)，并且活性层36可以在任何合适的方向上发射设定或特定波段的光。从每个发光元件30的活性层36发射的光可以朝向发光元件30的两侧照射。发射区域EMA可以包括定位有发光元件30并且从发光元件30发射的光向与发光元件30相邻的区域输出的区域。
然而，本公开不限于此，发射区域EMA还可以包括从发光元件30发射的光在被其他构件反射或折射之后而输出的区域。多个发光元件30可以位于每个子像素PXn中，并且定位有发光元件30的区域以及与该区域相邻的区域可以形成发射区域EMA。
在一些实施例中，显示装置10的每个子像素PXn可以包括非发射区域，非发射区域被限定为除了发射区域EMA之外的区域。因为从发光元件30发射的光未被引导到该区域，所以非发射区域可以是其中未定位发光元件30并且没有(或基本没有)光从其发射的区域。
图3是沿着图2的线IIIa-IIIa'、线IIIb-IIIb'和线IIIc-IIIc'截取的剖视图。图3仅示出了图2的第一子像素PX1的剖面，但是相同的图示可以应用于其他像素PX或子像素PXn。图3示出了横跨第一子像素PX1中的发光元件30的一个端部和另一个端部的剖面。
结合图2来参照图3，显示装置10可以包括第一基底11以及位于第一基底11上的电路元件层和显示元件层。半导体层、多个导电层和多个绝缘层可以位于第一基底11上，并且可以构成电路元件层和显示元件层。导电层可以包括第一栅极导电层、第二栅极导电层、第一数据导电层、第二数据导电层、电极21和22以及接触电极26和27。绝缘层可以包括缓冲层12、第一栅极绝缘层13、第一保护层15、第一层间绝缘层17、第二层间绝缘层18、第一平坦化层19、第一绝缘层51和第二绝缘层52。
在一些实施例中，第一基底11可以是绝缘基底。第一基底11可以由诸如玻璃、石英和/或聚合物树脂的绝缘材料制成。另外，第一基底11可以是刚性基底，但也可以是可以弯曲、折叠和/或卷曲的柔性基底。
光阻挡层可以位于第一基底11上。光阻挡层可以包括第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2。第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2分别至少与驱动晶体管DT的第一有源材料层DT_ACT和开关晶体管ST的第二有源材料层ST_ACT叠置。光阻挡层BML1和BML2可以包括光阻挡材料，以防止或减少光入射到第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT。例如，第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2可以由阻挡或减少光的透射的不透明金属材料制成。然而，本公开不限于此。在一些情况下，可以省略光阻挡层BML1和BML2。
缓冲层12可以位于具有光阻挡层BML1和BML2的第一基底11的整个表面上。缓冲层12可以形成在第一基底11上，以保护每个像素PX的易受湿气渗透影响的晶体管DT和ST免受通过第一基底11引入的湿气的影响并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层12可以由交替堆叠的多个无机层组成。例如，缓冲层12可以是包括从氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中选择的至少任意一种的无机层在其中交替堆叠的多层。
半导体层位于缓冲层12上。半导体层可以包括驱动晶体管DT的第一有源材料层DT_ACT和开关晶体管ST的第二有源材料层ST_ACT。第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT可以与第一栅极导电层的栅电极DT_G和ST_G(将在下文中进一步描述)部分地叠置。
在示例性实施例中，半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。多晶硅可以通过使非晶硅结晶而形成。当半导体层包括多晶硅时，第一有源材料层DT_ACT可以包括第一掺杂区DT_ACTa、第二掺杂区DT_ACTb和第一沟道区DT_ACTc。第一沟道区DT_ACTc可以位于第一掺杂区DT_ACTa与第二掺杂区DT_ACTb之间。第二有源材料层ST_ACT可以包括第三掺杂区ST_ACTa、第四掺杂区ST_ACTb和第二沟道区ST_ACTc。第二沟道区ST_ACTc可以位于第三掺杂区ST_ACTa与第四掺杂区ST_ACTb之间。第一掺杂区DT_ACTa、第二掺杂区DT_ACTb、第三掺杂区ST_ACTa和第四掺杂区ST_ACTb可以是第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT的掺杂有杂质的区域。
在示例性实施例中，第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT可以包括氧化物半导体。在这种情况下，第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT的掺杂区可以是导电区域。氧化物半导体可以是含有铟(In)的氧化物半导体。在一些实施例中，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)和/或氧化铟镓锌锡(IGZTO)。然而，本公开不限于此。
第一栅极绝缘层13位于半导体层和缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以位于具有半导体层的缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以用作驱动晶体管DT和开关晶体管ST中的每个的栅极绝缘膜。第一栅极绝缘层13可以是包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiOxNy)的无机材料的无机层，或者可以具有任意的上述材料在其中堆叠的结构。
第一栅极导电层位于第一栅极绝缘层13上。第一栅极导电层可以包括驱动晶体管DT的第一栅电极DT_G和开关晶体管ST的第二栅电极ST_G。第一栅电极DT_G可以在厚度方向上与第一有源材料层DT_ACT的第一沟道区DT_ACTc叠置，并且第二栅电极ST_G可以在厚度方向上与第二有源材料层ST_ACT的第二沟道区ST_ACTc叠置。
第一栅极导电层可以是，但不限于，由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任意一种或更多种制成的单层或多层。
第一保护层15位于第一栅极导电层上。第一保护层15可以覆盖第一栅极导电层以保护第一栅极导电层。第一保护层15可以是包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiOxNy)的无机材料的无机层，或者可以具有任意的上述材料在其中堆叠的结构。
第二栅极导电层位于第一保护层15上。第二栅极导电层可以包括存储电容器的第一电容电极CE1，第一电容电极CE1的至少一部分在厚度方向上与第一栅电极DT_G叠置。第一电容电极CE1可以在厚度方向上与第一栅电极DT_G叠置，第一保护层15置于第一电容电极CE1与第一栅电极DT_G之间，并且存储电容器可以由第一电容电极CE1与第一栅电极DT_G形成。第二栅极导电层可以是，但不限于，由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任意一种或更多种制成的单层或多层。
第一层间绝缘层17位于第二栅极导电层上。第一层间绝缘层17可以用作第二栅极导电层与位于第二栅极导电层上的其他层之间的绝缘膜。第一层间绝缘层17可以是包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiOxNy)的无机材料的无机层，或者可以具有任意的上述材料在其中堆叠的结构。
第一数据导电层位于第一层间绝缘层17上。第一数据导电层可以包括驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2以及开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源/漏电极ST_SD2。
驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2可以通过穿透第一层间绝缘层17、第一保护层15和第一栅极绝缘层13的接触孔分别接触第一有源材料层DT_ACT的第一掺杂区DT_ACTa和第二掺杂区DT_ACTb。开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源/漏电极ST_SD2可以通过穿透第一层间绝缘层17、第一保护层15和第一栅极绝缘层13的接触孔分别接触第二有源材料层ST_ACT的第三掺杂区ST_ACTa和第四掺杂区ST_ACTb。另外，驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1可以通过其他接触孔分别电结合到第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2。当驱动晶体管DT和开关晶体管ST中的每个的第一源/漏电极DT_SD1和ST_SD1以及第二源/漏电极DT_SD2和ST_SD2中的任一者是源电极时，另一电极可以是漏电极。然而，本公开不限于此，当第一源/漏电极DT_SD1和ST_SD1以及第二源/漏电极DT_SD2和ST_SD2中的任一者是漏电极时，另一电极可以是源电极。
第一数据导电层可以是，但不限于，由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任意一种或更多种制成的单层或多层。
第二层间绝缘层18可以位于第一数据导电层上。第二层间绝缘层18可以位于第一层间绝缘层17的整个表面上，以覆盖第一数据导电层并且保护第一数据导电层。第二层间绝缘层18可以是包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiOxNy)的无机材料的无机层，或者可以具有任意的上述材料在其中堆叠的结构。
第二数据导电层位于第二层间绝缘层18上。第二数据导电层可以包括第一电压布线VL1、第二电压布线VL2和第一导电图案CDP。供应到驱动晶体管DT的高电位电压(或第一电源电压VDD)可以被施加到第一电压布线VL1，并且供应到第二电极22的低电位电压(或第二电源电压VSS)可以被施加到第二电压布线VL2。另外，在显示装置10的制造工艺期间，可以向第二电压布线VL2传输使发光元件30对准所需的对准信号。
第一导电图案CDP可以通过形成在第二层间绝缘层18中的接触孔电结合到驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1。第一导电图案CDP还可以接触第一电极21(下文中进一步描述)，并且驱动晶体管DT可以通过第一导电图案CDP将从第一电压布线VL1接收的第一电源电压VDD传输到第一电极21。尽管在附图中第二数据导电层包括一条第二电压布线VL2和一条第一电压布线VL1，但是本公开不限于此。第二数据导电层还可以包括更多条第一电压布线VL1和更多条第二电压布线VL2。
第二数据导电层可以是，但不限于，由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任意一种或更多种制成的单层或多层。
第一平坦化层19位于第二数据导电层上。第一平坦化层19可以包括诸如以聚酰亚胺(PI)为例的有机绝缘材料，并且执行表面平坦化功能。
多个第一堤40、多个电极21和22、发光元件30、第二堤45以及多个接触电极26和27位于第一平坦化层19上。另外，多个绝缘层51和52还可以位于第一平坦化层19上。
第一堤40可以直接位于第一平坦化层19上。第一堤40可以在每个子像素PXn中在第二方向DR2上延伸，但可以在与子像素PXn之间的边界间隔开的位置处终止，以不延伸到在第二方向DR2上相邻的另一子像素PXn。另外，第一堤40可以在第一方向DR1上间隔开以彼此面对。第一堤40可以彼此间隔开以形成其中发光元件30位于第一堤40之间的区域。第一堤40可以位于每个子像素PXn中，以在显示装置10的显示区域DPA中形成线性图案。尽管在图3中示出了两个第一堤40，但是本公开不限于此。第一堤40的数量可以根据电极21和22(下文中进一步描述)的数量而增加。
第一堤40中的每个的至少一部分可以从第一平坦化层19的上表面突出。第一堤40中的每个的突出部分可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件30发射的光可以朝向第一堤40的倾斜的侧表面行进。第一堤40上的电极21和22可以包括具有反射性的材料，并且从发光元件30发射的光可以被第一堤40的侧表面上的电极21和22反射以朝向第一平坦化层19上方行进。例如，第一堤40可以提供定位发光元件30的区域，同时用作使从发光元件30发射的光在向上的方向上反射的反射障壁。第一堤40的侧表面可以以线性形状倾斜。然而，本公开不限于此，第一堤40的外表面可以具有弯曲的半圆形或半椭圆形形状。在示例性实施例中，第一堤40可以包括诸如以聚酰亚胺(PI)为例的有机绝缘材料，但是本公开不限于此。
电极21和22位于第一堤40和第一平坦化层19上。电极21和22可以包括第一电极21和第二电极22。第一电极21和第二电极22可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上间隔开以彼此面对。第一电极21和第二电极22可以成形为与第一堤40基本类似，但是它们在第二方向DR2上测量的长度可以大于第一堤40的长度。
第一电极21可以在每个子像素PXn中在第二方向DR2上延伸，但是可以在另一子像素PXn的边界处与另一第一电极21间隔开。在一些实施例中，第二堤45可以位于每个子像素PXn的边界处，并且在第二方向DR2上彼此相邻的子像素PXn中的第一电极21可以在与第二堤45叠置的部分中彼此间隔开。第一电极21可以在沿第二方向DR2相邻的每个子像素PXn的边界处通过第一接触孔CT1电结合到驱动晶体管DT。例如，第一电极21可以具有与第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分叠置的至少一部分，并且可以通过穿透第一平坦化层19的第一接触孔CT1接触第一导电图案CDP。第一电极21可以通过第一导电图案CDP电结合到驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1。
第二电极22可以在第二方向DR2上延伸超过在第二方向DR2上相邻的每个子像素PXn的边界。在一些实施例中，一个第二电极22可以遍及在第二方向DR2上彼此相邻的多个子像素PXn。第二电极22可以在沿第二方向DR2相邻的每个子像素PXn的边界处与第二堤45部分地叠置，并且可以通过第二接触孔CT2电结合到第二电压布线VL2。例如，第二电极22可以与第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分叠置，并且可以通过穿透第一平坦化层19的第二接触孔CT2接触第二电压布线VL2。第二电源电压可以通过第二电压布线VL2被施加到第二电极22。尽管第二电极22在每个子像素PXn的边界处通过第二接触孔CT2电结合到第二电压布线VL2，但是本公开不限于此。在一些实施例中，可以为每多个子像素PXn提供一个第二接触孔CT2。
尽管在附图中一个第一电极21和一个第二电极22位于每个子像素PXn中，但是本公开不限于此。在一些实施例中，更多个第一电极21和更多个第二电极22可以位于每个子像素PXn中。另外，每个子像素PXn中的第一电极21和第二电极22可以不一定在一个方向上延伸，并且可以包括在各种合适的结构中。例如，第一电极21和第二电极22可以部分地弯曲或弯折，或者从第一电极21和第二电极22中选择的任意一个可以围绕另一个电极。其中设置第一电极21和第二电极22的结构或形状没有特别限制，只要第一电极21和第二电极22至少部分地间隔开以彼此面对使得发光元件30将定位在其中的区域可以形成在第一电极21与第二电极22之间即可。
电极21和22可以电结合到发光元件30，并且设定或预定电压可以被施加到电极21和22，使得发光元件30可以发光。例如，电极21和22可以通过接触电极26和27(将在下文中进一步描述)电结合到发光元件30，并且可以通过接触电极26和27将接收到的电信号传输到发光元件30。
在示例性实施例中，第一电极21可以针对每个子像素PXn分离，并且第二电极22可以沿着子像素PXn结合。然而，本公开不限于此，并且第一电极21和第二电极22两者也可以针对每个子像素PXn分离或者沿着子像素PXn结合。另外，从第一电极21和第二电极22中选择的任意一者可以电结合到发光元件30的阳极，并且另一者可以电结合到发光元件30的阴极。然而，本公开不限于此，相反的情况也可以是正确的。
另外，电极21和22中的每个可以用于在每个子像素PXn中形成电场，以使发光元件30对准。发光元件30可以通过形成在第一电极21和第二电极22上的电场而布置在第一电极21与第二电极22之间。如下文中将进一步描述的，分散在墨水中的发光元件30可以通过喷墨工艺被喷涂到第一电极21和第二电极22上，并且可以通过在第一电极21与第二电极22之间传输对准信号以将介电泳力施加到发光元件30而在第一电极21与第二电极22之间对准发光元件30。
如图3中所示，根据实施例，第一电极21和第二电极22可以分别位于第一堤40上。第一电极21和第二电极22可以在第一方向DR1上间隔开以彼此面对，并且发光元件30可以位于第一电极21与第二电极22之间。第一电极21与第二电极22之间的发光元件30中的每个的至少一个端部可以电结合到第一电极21和第二电极22。
在一些实施例中，第一电极21和第二电极22可以分别形成为具有比第一堤40大的宽度。例如，第一电极21和第二电极22可以分别覆盖第一堤40的外表面。第一电极21和第二电极22可以分别位于第一堤40的侧表面上，并且第一电极21与第二电极22之间的间隙可以小于第一堤40之间的间隙。另外，第一电极21和第二电极22中的每个的至少一部分可以直接位于第一平坦化层19上。
电极21和22中的每个可以包括透明导电材料。例如，电极21和22中的每个可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)的材料，但是本公开不限于此。在一些实施例中，电极21和22中的每个可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极21和22中的每个可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)和/或铝(Al)的金属作为具有高反射率的材料。在这种情况下，电极21和22中的每个可以将从发光元件30发射之后朝向第一堤40的侧表面行进的光朝向每个子像素PXn上方反射。
然而，本公开不限于此，电极21和22中的每个也可以具有其中透明导电材料和具有高反射率的金属层均堆叠在一个层或多个层中的结构，或者可以形成为包括透明导电材料和金属的单层。在示例性实施例中，电极21和22中的每个可以具有ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO的堆叠结构，或者可以是含有铝(Al)、镍(Ni)和/或镧(La)的合金。
第一绝缘层51位于第一平坦化层19、第一电极21和第二电极22上。第一绝缘层51定位为覆盖第一电极21与第二电极22之间的区域，并且部分地覆盖第一电极21和第二电极22。例如，第一绝缘层51可以覆盖第一电极21和第二电极22中的每个的上表面的大部分，但是可以使第一电极21和第二电极22中的每个的一部分暴露。第一绝缘层51可以使第一电极21和第二电极22中的每个的上表面部分地暴露，例如，可以使第一电极21和第二电极22中的每个的位于第一堤40上的一部分部分地暴露。第一绝缘层51可以形成在第一平坦化层19的基本整个表面上，但是可以包括使第一电极21和第二电极22部分地暴露的开口。
在示例性实施例中，第一绝缘层51可以是阶梯式的，使得第一绝缘层51的上表面的一部分在第一电极21与第二电极22之间凹陷。在一些实施例中，第一绝缘层51可以包括无机绝缘材料，并且覆盖第一电极21和第二电极22的第一绝缘层51的上表面的一部分可以由于由第一绝缘层51下面的构件形成的台阶而凹陷。在第一电极21与第二电极22之间的第一绝缘层51上的发光元件30可以与第一绝缘层51的凹陷的上表面形成空的空间。发光元件30可以与第一绝缘层51的上表面部分地间隔开，并且空的空间可以填充有形成接触电极26和27(将在下文中进一步描述)的材料。然而，本公开不限于此。第一绝缘层51也可以形成平坦的上表面，使得发光元件30可以位于平坦的上表面上。
第一绝缘层51可以保护第一电极21和第二电极22，同时使它们彼此绝缘。另外，第一绝缘层51可以防止或减少第一绝缘层51上的发光元件30与其他构件的直接接触，从而防止或减少对第一绝缘层51上的发光元件30的损坏。然而，第一绝缘层51的形状和结构不限于上述示例。
第二堤45可以位于第一绝缘层51上。在一些实施例中，第一绝缘层51上的第二堤45可以围绕定位有发光元件30的区域以及定位有第一堤40的区域，并且可以在子像素PXn之间的每个边界处。第二堤45可以在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸，以遍及整个显示区域DPA形成网格图案。第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分可以与第一电极21和第二电极22部分地叠置，但在第二方向DR2上延伸的部分可以与第一堤40以及第一电极21和第二电极22间隔开。
根据实施例，第二堤45的高度可以大于第一堤40中的每个的高度。与第一堤40不同，第二堤45可以使相邻的子像素PXn分离，同时在显示装置10的制造工艺期间在用于放置发光元件30的喷墨印刷工艺中防止或减少墨水溢出到相邻的子像素PXn，这在下文中更详细地描述。第二堤45可以使用于不同子像素PXn的其中分散有不同发光元件30的墨水分离，以防止或减少墨水彼此混合。与第一堤40类似，第二堤45可以包括聚酰亚胺(PI)，但本公开不限于此。
发光元件30可以位于电极21与22之间。在示例性实施例中，发光元件30可以在一个方向上延伸，并且可以彼此间隔开且基本彼此平行地对准。发光元件30之间的间隙没有特别限制。在一些情况下，多个发光元件30可以彼此相邻以形成簇(cluster)，并且多个其他发光元件30可以以规则的间隔定位(或间隔开)以形成簇，或者可以以不均匀的密度定位(例如，可以以不均匀或不规则的间隔间隔开)。另外，电极21和22沿其延伸的方向和发光元件30沿其延伸的方向可以彼此基本垂直。然而，本公开不限于此，发光元件30也可以在不垂直于而是倾斜于电极21和22延伸的方向的方向上延伸。
根据实施例的发光元件30可以包括活性层36(见图4)，活性层36包括不同的材料以发射不同波段的光。根据实施例的显示装置10可以包括发射不同波段的光的发光元件30。例如，第一子像素PX1的每个发光元件30可以包括发射其中心波段为第一波长的第一颜色的光的活性层36，第二子像素PX2的每个发光元件30可以包括发射其中心波段为第二波长的第二颜色的光的活性层36，并且第三子像素PX3的每个发光元件30可以包括发射其中心波段为第三波长的第三颜色的光的活性层36。
因此，可以分别从第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3输出第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光。在一些实施例中，第一颜色的光可以是其中心波段在450nm至495nm的范围内的蓝光，第二颜色的光可以是其中心波段在495nm至570nm的范围内的绿光，并且第三颜色的光可以是其中心波段在620nm至752nm的范围内的红光。然而，本公开不限于此。在一些情况下，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以包括相同类型(或种类)的发光元件30以发射基本相同颜色的光。
发光元件30可以在第一堤40之间或在电极21与22之间位于第一绝缘层51上。例如，每个发光元件30的至少一个端部可以位于第一电极21或第二电极22上。如附图中所示，发光元件30延伸的长度可以大于第一电极21与第二电极22之间的间隙，并且每个发光元件30的两端可以分别位于第一电极21和第二电极22上。然而，本公开不限于此，每个发光元件30的仅一个端部可以位于电极21或22上，或者每个发光元件30的两端可以都不位于电极21和22上。即使发光元件30不位于电极21和22上，每个发光元件30的两端也可以分别通过接触电极26和27电结合到电极21和22。在一些实施例中，每个发光元件30的至少一部分可以位于第一电极21与第二电极22之间，并且每个发光元件30的两端可以电结合到电极21和22。
在一些实施例中，每个子像素PXn中的发光元件30中的至少一些可以位于除了第一堤40之间的区域之外的区域中，例如，可以位于电极21和22上或者位于第一堤40中的每个与第二堤45之间。
发光元件30中的每个可以包括定位在与第一基底11的上表面或第一平坦化层19垂直(例如，基本垂直)的方向上的多个层。根据实施例，发光元件30中的每个可以在一个方向上延伸，并且具有其中多个半导体层沿着该方向顺序地定位的结构。显示装置10的发光元件30延伸所沿的方向可以与第一平坦化层19平行(例如，基本平行)，并且包括在发光元件30中的每个中的半导体层可以沿着与第一平坦化层19的上表面平行(例如，基本平行)的方向顺序地定位。然而，本公开不限于此。在一些情况下，当发光元件30中的每个具有不同的结构时，这些层可以定位在与第一平坦化层19垂直(例如，基本垂直)的方向上。
另外，每个发光元件30的两端可以分别接触接触电极26和27。根据实施例，绝缘膜38(见图4)可以不形成在每个发光元件30的在发光元件30延伸所沿的方向上的端部表面上，从而使半导体层中的一些暴露。因此，暴露的半导体层可以接触接触电极26和27(将在下文中进一步描述)。然而，本公开不限于此。在一些情况下，可以去除每个发光元件30的绝缘膜38的至少一部分以使半导体层的两端的侧表面部分地暴露。半导体层的暴露的侧表面可以直接接触接触电极26和27。
接触电极26和27位于电极21和22以及发光元件30上。接触电极26和27可以包括第一接触电极26和第二接触电极27，第一接触电极26位于第一电极21上并且接触每个发光元件30的一个端部，第二接触电极27位于第二电极22上并且接触每个发光元件30的另一个端部。
第一接触电极26和第二接触电极27可以成形为类似于第一堤40。例如，第一接触电极26和第二接触电极27可以在每个子像素PXn中在第二方向DR2上延伸，但是可以在第一方向DR1上间隔开以彼此面对。第一接触电极26和第二接触电极27可以在发光元件30所在的区域中(例如，在第一电极21与第二电极22之间)间隔开以彼此面对。接触电极26和27位于由第二堤45围绕的区域中，并且与每个相邻子像素PXn的边界间隔开。在一些实施例中，接触电极26和27可以在每个子像素PXn中形成线性图案。
第一接触电极26和第二接触电极27可以分别接触第一电极21和第二电极22的未设置第一绝缘层51的暴露的上表面。另外，接触电极26和27可以分别接触发光元件30中的每个的两端。在一些实施例中，接触电极26和27可以包括导电材料，并且发光元件30可以通过与接触电极26和27接触而电结合到电极21和22。如上所述，多个半导体层可以在发光元件30中的每个的两端处部分地暴露，并且接触电极26和27可以直接接触暴露的半导体层。因为第一接触电极26和第二接触电极27沿着第二方向DR2延伸，所以它们可以部分地覆盖在电极21与22之间的发光元件30的外表面。
在一些实施例中，第一接触电极26和第二接触电极27的在设定方向上测量的宽度可以分别等于或大于在该方向上测量的第一电极21和第二电极22的宽度。第一接触电极26和第二接触电极27可以分别接触每个发光元件30的一个端部和另一个端部，并且分别覆盖第一电极21和第二电极22的两个侧表面。如上所述，第一电极21和第二电极22的上表面可以部分地暴露，并且第一接触电极26和第二接触电极27可以分别接触第一电极21和第二电极22的暴露的上表面。例如，接触电极26和27可以分别接触第一电极21和第二电极22的定位在第一堤40上的部分。另外，如图3中所示，第一接触电极26和第二接触电极27中的每个的至少一部分可以位于第一绝缘层51上。然而，本公开不限于此，在一些情况下，第一接触电极26和第二接触电极27可以具有比第一电极21和第二电极22的宽度小的宽度，以仅覆盖第一电极21和第二电极22的上表面的暴露部分。
尽管在附图中一个第一接触电极26和一个第二接触电极27位于一个子像素PXn中，但是本公开不限于此。第一接触电极26和第二接触电极27的数量可以根据每个子像素PXn中的第一电极21和第二电极22的数量而变化。
在显示装置10的制造工艺期间，在发光元件30位于电极21和22上之后，可能需要锚定发光元件30的放置位置。例如，当执行直接在发光元件30以及电极21和22上形成接触电极26和27的工艺时，发光元件30的位置会在沉积接触电极26和27的材料的工艺中改变。通过在形成接触电极26和27的工艺之前锚定发光元件30的放置位置和/或对准位置，电极21和22以及发光元件30可以平滑地电结合。显示装置10的接触电极26和27可以具有导电性质，并且包括可以在显示装置10的制造工艺期间锚定到发光元件30的位置的材料。
根据实施例，接触电极26和27可以包括透明导电聚合物。当接触电极26和27由聚合物制成时，它们可以用于在显示装置10的制造工艺期间锚定发光元件30的对准位置。另外，因为形成接触电极26和27的材料具有导电性质，所以发光元件30与电极21和22之间的电连接可以是可能的。此外，因为接触电极26和27包括透明材料，所以从发光元件30发射的光可以通过接触电极26和27输出或传输到外部。
在一些实施例中，包括在接触电极26和27中的导电聚合物可以是聚(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)。PEDOT:PSS可以通过包括由PEDOT制成的聚合物链和在PSS的侧链处形成的电荷而具有导电性。另外，因为PEDOT:PSS可以具有透明性质，所以由PEDOT:PSS制成的接触电极26和27可以形成透明导电电极，透明导电电极具有与包括诸如ITO的其他材料的透明导电电极的性质类似的性质。从每个发光元件30的两端发射的光可以穿过接触电极26和27，然后被第一堤40上的电极21和22朝向第一基底11上方的区域反射。
接触电极26和27中的每个可以具有设定或一定水平的厚度。当接触电极26和27薄时，即使透光率高，电阻率也会增大。另一方面，如果考虑到电阻率而增大接触电极26和27的厚度，则透光率会降低。在示例性实施例中，接触电极26和27的厚度可以在150nm至250nm的范围内，或者可以为约200nm。在上述范围内，与低电阻率相比，接触电极26和27可以具有高透光率。接触电极26和27的厚度可以在显示装置10的制造工艺期间在涂覆导电聚合物溶液之后在固化导电聚合物溶液的工艺中调节，或者通过层压多个层来调节。
根据实施例，可以通过在显示装置10的制造工艺中在发光元件30以及电极21和22上涂覆导电聚合物溶液，然后固化和蚀刻导电聚合物溶液来形成包括导电聚合物的接触电极26和27。可以固化导电聚合物溶液以形成导电聚合物层，并且可以蚀刻导电聚合物层的一部分以形成第一接触电极26和第二接触电极27。根据实施例，导电聚合物层的定位在第一电极21与第二电极22之间的部分可以被蚀刻和去除，并且第一接触电极26和第二接触电极27可以在发光元件30上彼此间隔开。第一接触电极26和第二接触电极27可以不直接彼此结合，而是可以各自电结合到第一电极21或第二电极22以及发光元件30。
在显示装置10的制造工艺中，在与形成分别电结合到电极21和22以及发光元件30的接触电极26和27时相同(例如，基本相同)的时间可以使用导电聚合物锚定发光元件30。因此，锚定发光元件30的工艺和形成接触电极26和27的工艺可以被一体化或合并。因此，因为从显示装置10的制造工艺中省略了锚定发光元件30的工艺，所以可以缩短制造工艺。另外，因为在没有用于锚定发光元件30的构件的情况下通过蚀刻工艺形成接触电极26和27，所以可以更容易地确保工艺余量。
如上所述，第一绝缘层51的上表面可以是部分阶梯式的，并且可以在第一绝缘层51的上表面与发光元件30之间形成空间。在一些实施例中，形成接触电极26和27的导电聚合物可以位于发光元件30的下表面与第一绝缘层51之间。如上所述，导电聚合物溶液可以在形成接触电极26和27的工艺中涂覆在发光元件30以及电极21和22上，并且可以填充第一绝缘层51与发光元件30之间的空间。因此，每个发光元件30的下表面的一部分可以直接接触形成接触电极26和27的导电聚合物材料。然而，本公开不限于此。
第二绝缘层52可以位于第一基底11的整个表面上。第二绝缘层52可以用于保护第一基底11上的构件免受外部环境的影响。在一些实施例中，除了接触电极26和27、第一绝缘层51和第二堤45之外，第二绝缘层52还可以直接接触发光元件30的与接触电极26与27之间的一部分叠置的部分。
上述第一绝缘层51和第二绝缘层52中的每个可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。在示例性实施例中，第一绝缘层51和第二绝缘层52中的每个可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)和/或氮化铝(AlN)。在一些实施例中，第一绝缘层51和第二绝缘层52中的每个可以包括有机绝缘材料，诸如以丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯和/或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂为例。然而，本公开不限于此。
因为根据实施例的显示装置10包括包含导电聚合物的接触电极26和27，所以可以省略用于锚定发光元件30的构件。另外，因为显示装置10的制造工艺包括在发光元件30上涂覆导电聚合物溶液的工艺，所以可以在发光元件30被锚定的状态下形成接触电极26和27。可以减少制造显示装置10所需的工艺的数量，并且可以容易地确保接触电极26和27的工艺余量。
发光元件30可以是LED。例如，发光元件30中的每个可以是具有微米或纳米范围内的尺寸的无机LED，并且可以由无机材料制成。当在彼此面对的两个电极之间的设定或特定方向上形成电场时，无机LED可以在其中形成极性的两个电极之间对准。
图4是根据实施例的发光元件30的示意图。
参照图4，根据实施例的发光元件30可以在一个方向上延伸。发光元件30可以成形为类似棒、线、管等。在示例性实施例中，发光元件30可以成形为类似圆柱或棒。然而，发光元件30的形状不限于此，并且发光元件30还可以具有包括多边形棱柱(诸如立方体、长方体或六角棱柱)的各种合适的形状，以及在一个方向上延伸并且具有部分地倾斜的外表面的形状。
发光元件30可以包括掺杂有任意导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以从外部电源接收电信号并且发射设定或特定波段的光。包括在发光元件30中的多个半导体可以沿着一个方向顺序地布置或堆叠。
发光元件30可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、活性层36、电极层37和绝缘膜38。为了在视觉上示出发光元件30的每个元件，绝缘膜38在附图中被示出为已经被部分地去除以使半导体层31和32以及活性层36暴露。然而，如下文中将进一步描述的，绝缘膜38可以定位为围绕半导体层31和32以及活性层36的外表面。
例如，第一半导体层31可以是n型半导体。在示例中，如果发光元件30发射蓝色波段的光，则第一半导体层31可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，包括在第一半导体层31中的半导体材料可以是选自n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任意一种或更多种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是例如Si、Ge和/或Sn。在示例性实施例中，第一半导体层31可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层31的长度可以在(但不限于)1.5μm至5μm的范围内。
第二半导体层32位于活性层36(将在下文中进一步描述)上。第二半导体层32可以是p型半导体。在示例中，如果发光元件30发射蓝色或绿色波段的光，则第二半导体层32可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，包括在第二半导体层32中的半导体材料可以是选自p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任意一种或更多种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是例如Mg、Zn、Ca和/或Ba。在示例性实施例中，第二半导体层32可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层32的长度可以在(但不限于)0.05μm至0.10μm的范围内。
尽管在附图中第一半导体层31和第二半导体层32中的每个由一个层组成，但是本公开不限于此。根据一些实施例，取决于活性层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32中的每个可以包括更多个层，例如，还可以包括包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。
活性层36位于第一半导体层31与第二半导体层32之间。活性层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当活性层36包括具有多量子阱结构的材料时，它可以具有其中多个量子层和多个阱层交替堆叠的结构。活性层36可以根据经由第一半导体层31和第二半导体层32接收的电信号通过电子-空穴对的组合而发光。例如，如果活性层36发射蓝色波段的光，则它可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。在一些实施例中，当活性层36具有其中量子层和阱层交替堆叠的多量子阱结构时，量子层可以包括诸如AlGaN和/或AlGaInN的材料，并且阱层可以包括诸如GaN和/或AlInN的材料。在示例性实施例中，活性层36可以包括作为量子层的AlGaInN和作为阱层的AlInN，以发射其中心波段在450nm至495nm的范围内的蓝光。
然而，本公开不限于此，根据活性层36发射的光的波段，活性层36也可以具有其中具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料交替堆叠的结构，或者可以包括不同的第3族至第5族半导体材料。从活性层36发射的光不限于蓝色波段的光。在一些情况下，活性层36可以发射红色或绿色波段的光。活性层36的长度可以在(但不限于)0.05μm至0.10μm的范围内。
从活性层36发射的光不仅可以在纵向方向上通过发光元件30的外表面照射，而且可以通过两个侧表面照射。从活性层36发射的光的方向不限于一个方向。
电极层37可以是欧姆接触电极。然而，本公开不限于此，电极层37也可以是肖特基接触电极(例如，由半导体和金属的接合形成的电极)。发光元件30可以包括至少一个电极层37。尽管在附图中发光元件30包括一个电极层37，但是本公开不限于此。在一些情况下，发光元件30可以包括另外的电极层37，或者可以省略电极层37。即使当发光元件30包括不同数量的电极层37或还包括另一结构时，发光元件30的以下描述也可以同样适用。
当发光元件30电结合到根据实施例的显示装置10中的电极21和22或者接触电极26和27时，电极层37可以使发光元件30与电极21和22或者接触电极26和27之间的电阻减小。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括选自铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少任意一种。另外，电极层37可以包括n型或p型掺杂半导体材料。电极层37可以包括相同的材料或不同的材料。电极层37的长度可以在(但不限于)0.05μm至0.10μm的范围内。
绝缘膜38围绕上述半导体层和电极层的外表面。在示例性实施例中，绝缘膜38可以围绕至少活性层36的外表面并且在发光元件30延伸所沿的方向上延伸。绝缘膜38可以保护上述构件。例如，绝缘膜38可以围绕上述构件的侧表面，但是可以在纵向方向上使发光元件30的两端暴露。
在附图中，绝缘膜38在发光元件30的纵向方向上延伸，以从第一半导体层31的侧表面覆盖到电极层37的侧表面。然而，本公开不限于此，绝缘膜38可以覆盖活性层36和仅一些半导体层的外表面，或者可以仅覆盖电极层37的外表面的一部分以使电极层37的外表面部分地暴露。另外，绝缘膜38的上表面可以在与发光元件30的至少一个端部相邻的区域中的剖面中是圆形的(或倒圆的)。
绝缘膜38的厚度可以在(但不限于)10nm至1.0μm的范围内。绝缘膜38的厚度可以为例如约40nm。
绝缘膜38可以包括绝缘材料，诸如以氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)和/或氧化铝(Al2O3)为例。因此，它可以防止或减少当活性层36直接接触将电信号传输到发光元件30的电极时可能发生的电短路。另外，因为绝缘膜38保护包括活性层36的发光元件30的外表面，所以可以防止或减少发光效率的降低。
另外，在一些实施例中，可以处理绝缘膜38的外表面。当制造显示装置10时，分散在设定的或预定的墨水中的发光元件30可以被喷涂到电极上，然后被对准。这里，绝缘膜38的表面可以是疏水或亲水处理的，使得发光元件30在墨水中保持分离而不与其他相邻的发光元件30聚集。
发光元件30的长度h可以在1μm至10μm或2μm至6μm的范围内，并且可以例如在3μm至5μm的范围内。另外，发光元件30的直径可以在300nm至700nm的范围内，并且发光元件30的纵横比可以为1.2至100。然而，本公开不限于此，包括在显示装置10中的多个发光元件30也可以根据活性层36的成分的差异而具有不同的直径。发光元件30的直径可以为例如约500nm。
现在将参照图5至图12描述根据实施例的制造显示装置10的方法。
图5是示出根据实施例的制造显示装置的方法的流程图。图6至图12是示出根据实施例的制造显示装置的工艺的剖视图。
参照图5，根据实施例的制造显示装置10的方法可以包括：准备目标基底SUB以及在目标基底SUB上的多个电极21和22(操作S100)；将发光元件30放置在电极21与22之间(操作S200)；以及在电极21和22以及发光元件30上涂覆导电聚合物溶液PS并且形成接触电极26和27(操作S300)。形成接触电极26和27的操作可以包括在电极21和22以及发光元件30上涂覆导电聚合物溶液PS，通过使导电聚合物溶液PS固化来形成导电聚合物层CPL，以及通过部分地去除导电聚合物层CPL来形成第一接触电极26和第二接触电极27。
首先，参照图6，准备目标基底SUB，并且在目标基底SUB上形成多个电极21和22。电极21和22可以包括间隔开以彼此面对的第一电极21和第二电极22。另外，在目标基底SUB上，还可以在第一电极21和第二电极22与目标基底SUB之间设置多个第一堤40。这已经在上面描述。在一些实施例中，目标基底SUB可以包括上述的由多个导电层和多个绝缘层组成的多个电路元件以及第一基底11。为了易于描述，下面将示出和描述包括这些元件的目标基底SUB。
接下来，参照图7，形成第一绝缘层51以部分地覆盖第一电极21和第二电极22。第一绝缘层51可以位于目标基底SUB的整个表面上，但是可以使电极21和22的相应上表面部分地暴露。在一些实施例中，还可以执行在第一绝缘层51上形成第二堤45的工艺。
接下来，参照图8，将发光元件30放置在第一电极21与第二电极22之间。可以将发光元件30放置在电极21与22之间，使得发光元件30中的每个的至少一个端部位于电极21或22上。在示例性实施例中，可以准备分散在墨水中的发光元件30，然后通过使用喷墨印刷装置的印刷工艺将发光元件30喷涂到目标基底SUB上。分散在墨水中并且喷涂到电极21和22上的发光元件30可以通过传输到电极21和22中的每个的对准信号而安置在电极21与22之间。例如，当对准信号被传输到第一电极21和第二电极22时，可以在喷涂到电极21和22上的墨水中形成电场。当在第一电极21和第二电极22上形成电场时，分散在墨水中的发光元件30可以接收由于电场引起的介电泳力。施加到发光元件30的介电泳力可以改变发光元件30的取向方向和位置，从而将发光元件30安置在第一电极21与第二电极22之间。
接下来，参照图9和图10，将导电聚合物溶液PS涂覆在电极21和22以及发光元件30上，然后使导电聚合物溶液PS固化以形成导电聚合物层CPL。在一些实施例中，可以通过喷墨印刷工艺或狭缝工艺涂覆导电聚合物溶液PS。如上所述，导电聚合物溶液PS可以包括PEDOT:PSS，并且可以以溶液状态被涂覆在电极21和22上。当导电聚合物溶液PS被固化时，可以形成包括PEDOT:PSS的单个导电聚合物层CPL。导电聚合物层CPL可以锚定到电极21与22之间的发光元件30的位置。另外，除了第一绝缘层51、第一电极21和第二电极22之外，导电聚合物层CPL还可以被放置为覆盖发光元件30。可以在后续工艺中部分地去除导电聚合物层CPL以形成多个接触电极26和27。
接下来，参照图11和图12，在导电聚合物层CPL上形成光致抗蚀剂层PR，然后将其部分地去除以形成第一接触电极26和第二接触电极27。可以通过形成导电聚合物层CPL以锚定发光元件30的位置同时部分地蚀刻导电聚合物层CPL的工艺来执行形成接触电极26和27的工艺。可以将光致抗蚀剂层PR放置在导电聚合物层CPL上，并且通过现有的蚀刻工艺部分地去除光致抗蚀剂层PR。在一些实施例中，可以将位于第一电极21与第二电极22之间的与发光元件30叠置的导电聚合物层CPL的一部分部分地去除。通过蚀刻工艺形成的第一接触电极26和第二接触电极27可以在与发光元件30叠置的部分中彼此间隔开。因此，它们可以不直接彼此结合。因为第一接触电极26和第二接触电极27的结构与上述结构相同，所以这里将不重复其重复描述。
接下来，在一些实施例中，可以形成第二绝缘层52以完成显示装置10。
根据实施例，接触电极26和27可以包括导电聚合物，例如PEDOT:PSS，并且在显示装置10的制造工艺中锚定发光元件30的工艺和形成接触电极26和27的工艺可以通过一个蚀刻工艺来执行。因此，可以减少制造显示装置10所需的工艺的数量，从而改善工艺效率。
现在将参照其他附图描述显示装置10的各种实施例。
图13是根据实施例的显示装置10_1的一部分的剖视图。图14是示出制造图13的显示装置10_1的工艺的一部分的剖视图。
参照图13和图14，在根据实施例的显示装置10_1中，包括导电聚合物的接触电极26_1和27_1可以包括多个层。在显示装置10_1的制造工艺中，形成导电聚合物层CPL的工艺可以重复多次，并且接触电极26_1和27_1中的每个可以包括多个层CEL1和CEL2。图13和图14的实施例与图3的实施例的不同之处在于，每个接触电极26_1或27_1由多个层CEL1和CEL2组成。在下文中，将不重复任何冗余描述，并且可以主要描述差异。
当在显示装置10的制造工艺期间仅执行一次形成导电聚合物层CPL的工艺时，作为结果形成的接触电极26和27会是薄的，并且接触电极26和27的材料会被电极21和22与发光元件30之间的台阶部分地断开(例如，被电极21和22与发光元件30之间的台阶至少部分地分离)。另外，如上所述，接触电极26和27可以具有设定或一定水平的厚度，以与低电阻率相比具有高透光率。在一些实施例中，接触电极26_1和27_1中的每个可以具有其中由导电聚合物制成的多个层CEL1和CEL2堆叠的结构。
在实施例中，接触电极26_1和27_1中的每个可以包括包含导电聚合物的第一层CEL1和第二层CEL2。第一层CEL1和第二层CEL2可以均包括PEDOT:PSS导电聚合物，并且可以构成一个接触电极26_1或27_1。可以在接触电极26_1或27_1的厚度范围内调节第一层CEL1和第二层CEL2的厚度之和。根据实施例，在显示装置10_1中，包括导电聚合物的层CEL1和CEL2的数量或厚度可以根据接触电极26_1或27_1所需的电阻率和透光率进行各种修改。
如图14中所示，在发光元件30以及电极21和22上形成第一导电聚合物层CPL1之后，再次执行涂覆导电聚合物溶液PS的工艺。使导电聚合物溶液PS固化以在第一导电聚合物层CPL1上形成第二导电聚合物层，然后使用光致抗蚀剂层PR执行蚀刻工艺。因此，多个导电聚合物层CPL可以分别形成多个层CEL1和CEL2，并且可以构成一个接触电极26_1或27_1。根据实施例，在显示装置10_1的制造工艺中，形成导电聚合物层CPL的工艺可以重复多次，并且接触电极26_1和27_1中的每个可以包括包含导电聚合物的多个层CEL1和CEL2。在显示装置10_1中，因为接触电极26_1和27_1中的每个包括多个层CEL1和CEL2，所以它可以具有设定或特定水平的电阻率和透光率，并且可以防止或减少由发光元件30以及电极21和22形成的台阶导致的接触电极26_1和27_1的材料的破坏(分离)。
图15是根据实施例的显示装置10_2的一部分的剖视图。
参照图15，在根据实施例的显示装置10_2中，接触电极26_2和27_2可以包括由导电聚合物制成的聚合物基质PMX和分散在聚合物基质PMX中的金属颗粒MP。为了具有较高的导电性，接触电极26_2和27_2还可以包括作为导电材料的金属颗粒MP。图15和图16的实施例与图3的实施例的不同之处在于，接触电极26_2和27_2还包括金属颗粒MP。在下文中，将不重复任何冗余描述，并且可以主要描述差异。
如上所述，可以调节显示装置10_2的接触电极26_2和27_2中的每个的层的厚度或数量，使得接触电极26_2和27_2可以具有一定水平的电阻率和透光率。然而，本公开不限于此，接触电极26_2和27_2可以包括金属颗粒MP以进一步改善导电性。根据实施例，包括在接触电极26_2和27_2中的每个中的导电聚合物可以形成聚合物基质PMX，并且多个金属颗粒MP可以分散在聚合物基质PMX中。由导电聚合物形成的聚合物基质PMX本身可以具有导电性，但是其电阻率可以如上所述地根据接触电极26_2或27_2的厚度而变化。即使聚合物基质PMX保持相对小的厚度，包括分散在聚合物基质PMX中的金属颗粒MP的接触电极26_2和27_2中的每个也可以具有优异的导电性。
在示例性实施例中，金属颗粒MP可以是选自银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)和铝(Al)中的任意一种或更多种。此外，在一些实施例中，金属颗粒MP可以是球形或板形状颗粒，或者可以成形为类似线或棒。在显示装置10_2的制造工艺期间，可以在发光元件30上涂覆分散在导电聚合物溶液PS中的金属颗粒MP，并且在后续工艺中形成的导电聚合物层CPL可以包括由导电聚合物制成的聚合物基质PMX和分散在聚合物基质PMX中的金属颗粒MP。分散在聚合物基质PMX中的金属颗粒MP可以改善接触电极26_2和27_2的导电性，并且可以改善显示装置10_2中的每个像素PX或子像素PXn的发光效率。
可以在电极21和22上涂覆其中分散有其他颗粒以及导电聚合物的导电聚合物溶液PS。在一些实施例中，可以将发光元件30分散在导电聚合物溶液PS中，然后将具有发光元件30的导电聚合物溶液PS喷涂到电极21和22上，从而进一步减少制造显示装置10所需的工艺数量。
图16是示出根据实施例的制造显示装置10的工艺的一部分的剖视图。
参照图16，在根据实施例的显示装置10的制造工艺中，可以将发光元件30分散在导电聚合物溶液PS中，然后将具有发光元件30的导电聚合物溶液PS喷涂到电极21和22上。当将对准信号传输到电极21和22时，可以在导电聚合物溶液PS中形成电场，并且可以通过电场将发光元件30布置在电极21与22之间。然后，可以使导电聚合物溶液PS固化以形成导电聚合物层CPL，并且可以部分地蚀刻导电聚合物层CPL以形成接触电极26和27。
根据当前实施例，因为在显示装置10的制造工艺期间，通过将发光元件30分散在导电聚合物溶液PS中来执行喷墨印刷工艺，所以可以省略喷涂包含发光元件30的墨水的操作。分散在导电聚合物溶液PS中的发光元件30可以在连续工艺中在电极21与22之间对准并且可以通过使导电聚合物溶液PS固化而被锚定。例如，可以进一步减少制造显示装置10所需的工艺的数量。
图17是根据实施例的显示装置10_3的子像素PXn的平面图。图18是沿着图17的线VIII-VIII'截取的剖视图。
参照图17和图18，显示装置10_3可以包括更多数量的电极21和22、第一堤40以及接触电极26_3和27_3。显示装置10_3的每个子像素PXn可以包括多个第一电极21和位于第一电极21之间的至少一个第二电极22。第一电极21和第二电极22可以在第一方向DR1上间隔开以彼此面对，并且可以在每个子像素PXn中沿着第一方向DR1交替布置。随着每个子像素PXn中的电极21和22的数量增加，更多的第一堤40可以位于第一平坦化层19上，并且更多的接触电极(图17和图18中的接触电极26_3和27_3)可以位于电极21和22上。在附图中，因为两个第一电极21和一个第二电极22位于显示装置10_3的每个子像素PXn中，所以设置了三个第一堤40、两个第一接触电极26_3和一个第二接触电极27_3。然而，本公开不限于此，第一堤40、电极21和22以及接触电极(图17和图18中的接触电极26_3和27_3)的数量可以进一步增加。
根据实施例，在显示装置10_3中，第一电极21与第二电极22之间的发光元件30的数量可以增加，导致每单位像素PX或子像素PXn发射的光的增加量。
第一电极21中的每个可以通过第一接触孔CT1接触第一导电图案CDP，并且可以通过第一导电图案CDP电结合到驱动晶体管DT。一个第一电极21与第二电极22之间的发光元件30可以同在另一第一电极21与第二电极22之间的发光元件30形成并联连接。然而，本公开不限于此。在一些实施例中，显示装置10_3还可以包括不直接结合到第一平坦化层19下面的电路元件的电极，并且电极之间的发光元件30可以形成串联连接。
图19是根据实施例的显示装置10_4的子像素PXn的平面图。
参照图19，根据实施例的显示装置10_4还可以包括每个子像素PXn中的在第一电极21与第二电极22之间的第三电极23。另外，接触电极26至28还可以包括位于第三电极23上的第三接触电极28。第一堤40也可以位于第三电极23与第一平坦化层19之间，并且多个发光元件30可以位于第一电极21与第三电极23之间并位于第三电极23与第二电极22之间。当前实施例与图2的实施例的不同之处在于，显示装置10_4的每个子像素PXn还包括第三电极23和第三接触电极28。在下文中，将不重复任何冗余的描述，并且将更详细地描述第三电极23。
第三电极23位于第一电极21与第二电极22之间。多个第一堤40(例如，三个第一堤40)可以位于第一平坦化层19上，并且第一电极21、第三电极23和第二电极22可以顺序地位于第一堤40上。第三电极23可以在第二方向DR2上延伸。与第一电极21和第二电极22不同，第三电极23可以在第二方向DR2上延伸，但是可以与第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分间隔开，以不与第二堤45的该部分叠置。例如，在第二方向DR2上测量的第三电极23的长度可以小于第一电极21和第二电极22的长度，并且第三电极23可以不延伸超过每个相邻子像素PXn的边界。
发光元件30可以位于第一电极21与第三电极23之间并且位于第三电极23与第二电极22之间。第三接触电极28可以具有与第一接触电极26和第二接触电极27的形状相同(例如，基本相同)的形状，但是可以位于第三电极23上。例如，第三接触电极28也可以包括导电聚合物。
位于第一电极21与第三电极23之间的每个发光元件30的两端可以分别接触第一接触电极26和第三接触电极28，因此电结合到第一电极21和第三电极23。位于第三电极23与第二电极22之间的每个发光元件30的两端可以分别接触第三接触电极28和第二接触电极27，因此电结合到第三电极23和第二电极22。
另外，与第一电极21和第二电极22不同，第三电极23可以不通过接触孔直接结合到电路元件层。传输到第一电极21和第二电极22的电信号可以通过第一接触电极26、第二接触电极27和发光元件30传输到第三电极23。例如，在第一电极21与第三电极23之间的发光元件30以及在第三电极23与第二电极22之间的发光元件30可以形成串联连接。因为根据实施例的显示装置10_4还包括第三电极23，所以发光元件30可以形成串联连接，可以进一步改善每个子像素PXn的发光效率。
图20是根据实施例的显示装置10_5的子像素PXn的平面图。
参照图20，在根据实施例的显示装置10_5中，第一电极21和第二电极22可以分别包括在第一方向DR1上延伸的电极主干21S和22S以及在第二方向DR2上从电极主干21S和22S分支的电极分支21B和22B。在示例性实施例中，在每个子像素PXn中，第一电极21可以包括在第一方向DR1上延伸的第一电极主干21S以及在第二方向DR2上从第一电极主干21S分支的多个第一电极分支21B。第二电极22可以包括在第一方向DR1上且遍及多个子像素PXn延伸的第二电极主干22S以及在每个子像素PXn中在第二方向DR2上从第二电极主干22S分支的至少一个第二电极分支22B。第二电极分支22B可以位于第一电极分支21B之间，并且多个发光元件30可以位于第二电极分支22B与第一电极分支21B之间。当前实施例与图2的实施例的不同之处在于电极21和22的形状。在下文中，将不重复任何冗余描述，并且将更详细地描述第一电极21和第二电极22的结构。
第一电极主干21S和第二电极主干22S可以在第一方向DR1上延伸。第一电极主干21S可以不延伸超过在第一方向DR1上相邻的每个子像素PXn的边界。例如，第一电极主干21S可以与第二堤45的沿第一方向DR1延伸的一部分叠置。第二电极主干22S可以延伸超过在第一方向DR1上相邻的每个子像素PXn的边界。一个第二电极主干22S可以遍及在第一方向DR1上彼此相邻的多个子像素PXn。
在每个子像素PXn中，第一电极主干21S和第二电极主干22S可以在第二方向DR2上彼此间隔开。第一电极主干21S可以在每个子像素PXn的中心上方，并且第二电极主干22S可以在每个子像素PXn的中心下方。然而，本公开不限于此。第一电极主干21S和第二电极主干22S中的每个可以与第二堤45叠置，但本公开不限于此。在一些实施例中，第一电极主干21S可以位于每个子像素PXn内并且与第二堤45间隔开。第二电极主干22S也可以在每个子像素PXn中在第一方向DR1上延伸，并且可以与第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分间隔开。
第一电极分支21B可以在第二方向DR2上从第一电极主干21S分支，但是可以与第二电极主干22S间隔开。第二电极分支22B可以在第二方向DR2上从第二电极主干22S分支，但是可以与第一电极主干21S间隔开。另外，电极分支21B和22B可以分别位于第一堤40上。在附图中，两个第一电极分支21B和一个第二电极分支22B位于每个子像素PXn中。第一电极21可以围绕第二电极分支22B的外表面，但是本公开不限于此。更多数量的电极分支21B和22B也可以位于每个子像素PXn中。
第一电极主干21S和第二电极主干22S可以分别通过第一接触孔CT1和第二接触孔CT2电结合到第一导电图案CDP和第二电压布线VL2。电信号可以分别通过电极主干21S和22S被传输到第一电极分支21B和第二电极分支22B。
多个发光元件30可以位于第一电极分支21B与第二电极分支22B之间，并且多个接触电极26和27可以位于第一电极分支21B和第二电极分支22B上。第一接触电极26可以分别位于第一电极分支21B上，并且第二接触电极27可以位于第二电极分支22B上。其余特征与上面参照图2和图3描述的特征相同。
因为相同的电信号可以通过第一电极主干21S被传输到第一电极分支21B，所以电极分支21B与22B之间的发光元件30可以彼此形成并联连接。在根据当前实施例的显示装置10_5中，因为每个子像素PXn中的发光元件30的数量增加，所以可以增加每单位像素PX或子像素PXn发射的光的量。
图21是根据实施例的显示装置10_6的子像素PXn的平面图。图22是沿着图21的线XI-XI'截取的剖视图。
参照图21和图22，在根据实施例的显示装置10_6中，接触电极26_6和27_6的宽度可以分别小于电极21和22的宽度。接触电极26_6和27_6可以仅覆盖电极21和22的其上未设置第一绝缘层51的暴露的上表面。例如，第一接触电极26_6可以接触每个发光元件30的端部和第一电极21的上表面的一部分，并且仅覆盖第一电极21的面对第二电极22的一侧。第二接触电极27_6可以接触每个发光元件30的另一端部和第二电极22的上表面的一部分，并且仅覆盖第二电极22的面对第一电极21的一侧。可以在部分地去除导电聚合物层CPL的工艺中调节接触电极26_6和27_6的宽度。关于接触电极26_6和27_6的宽度，当前实施例与图2和图3的实施例不同。根据实施例的显示装置可以包括电结合到多个电极和发光元件并且包括导电聚合物的接触电极。接触电极可以由作为透明导电材料的聚合物制成，并且可以省略在制造显示装置的工艺期间锚定发光元件的操作。
另外，根据实施例的制造显示装置的方法可以包括在发光元件上涂覆导电聚合物溶液以在发光元件被锚定的状态下形成接触电极的工艺。根据实施例，制造显示装置的方法可以减少工艺的数量，并且可以有助于确保接触电极的工艺余量。
在总结详细描述中，本领域技术人员将理解的是，在基本不脱离本公开的原理的情况下，可以对所公开的实施例做出许多变化和修改。因此，本公开的所公开的实施例仅以一般和描述性意义使用，而不是为了限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
第一电极，位于所述基底上；
第二电极，位于所述基底上，并且与所述第一电极间隔开；
多个发光元件，所述多个发光元件中的每个的至少一部分位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及
接触电极，位于所述第一电极、所述第二电极和所述多个发光元件上，所述接触电极包括导电聚合物，
其中，所述接触电极包括第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极接触所述多个发光元件中的第一部分中的每个的端部和所述第一电极，所述第二接触电极接触所述多个发光元件中的第二部分中的每个的端部和所述第二电极，并且
其中，所述第二接触电极与所述第一接触电极间隔开。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电聚合物包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述接触电极中的每个的所述导电聚合物形成聚合物基质，并且银颗粒分散在所述聚合物基质中。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述接触电极中的每个包括多个层，所述多个层均包括所述导电聚合物。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述接触电极中的每个的厚度在150nm至250nm的范围内。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极在所述多个发光元件上彼此间隔开。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一接触电极的宽度大于所述第一电极的宽度。
8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的第三电极，
其中，所述多个发光元件中的所述第一部分位于所述第一电极与所述第三电极之间，并且所述多个发光元件中的所述第二部分位于所述第三电极与所述第二电极之间。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述接触电极还包括位于所述第三电极上的第三接触电极，所述第三接触电极接触每个发光元件的至少一个端部。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述基底上的多个第一堤，
其中，所述第一电极位于所述多个第一堤中的一个上，并且所述第二电极位于所述多个第一堤中的另外一个上，并且
其中，所述多个发光元件位于所述多个第一堤之间。
11.根据权利要求10所述的显示装置，所述显示装置还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述基底上并且在所述第一电极与所述第二电极之间以部分地覆盖所述第一电极和所述第二电极，
其中，所述多个发光元件位于所述第一绝缘层上。
12.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述基底上并且覆盖所述第一电极、所述第二电极、所述多个发光元件和所述接触电极。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层直接接触每个发光元件的外表面的位于所述第一接触电极与所述第二接触电极之间的一部分。
14.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括第二堤，所述第二堤在所述基底上围绕定位有所述多个发光元件的区域，
其中，所述第二绝缘层也位于所述第二堤上。
15.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
准备目标基底、位于所述目标基底上的第一电极和第二电极、以及发光元件，所述发光元件中的每个的至少一部分位于所述第一电极与所述第二电极之间；
在所述第一电极、所述发光元件和所述第二电极上涂覆导电聚合物溶液；以及
通过使所述导电聚合物溶液固化来形成接触电极。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述接触电极包括第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极接触所述发光元件中的第一部分中的每个的端部和所述第一电极，所述第二接触电极接触所述发光元件中的第二部分中的每个的端部和所述第二电极，并且
其中，所述第二接触电极与所述第一接触电极间隔开。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述接触电极的步骤包括：
通过使所述导电聚合物溶液固化来形成导电聚合物层；以及
通过部分地去除所述导电聚合物层来形成所述第一接触电极和所述第二接触电极。
18.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括：将所述发光元件分散在所述导电聚合物溶液中，然后将具有所述发光元件的所述导电聚合物溶液喷涂到所述第一电极和所述第二电极上。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述导电聚合物包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述接触电极中的每个的所述导电聚合物形成聚合物基质，并且银颗粒分散在所述聚合物基质中。
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