CN115244698A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示装置及其制造方法。显示装置包括：第一基底；第一电极和第二电极，在第一基底上彼此间隔开；多个发光元件，至少一部分布置在第一电极与第二电极之间；第一接触电极，至少部分地覆盖第一电极并且与多个发光元件中的每个的一个端部接触；以及第二接触电极，与第一接触电极间隔开以至少部分地覆盖第二电极并且接触多个发光元件中的每个的另一端部，其中，第一接触电极和第二接触电极包括导电聚合物。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
公开涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经逐渐增加。响应于此，已经使用了诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等的各种类型的显示装置。
显示装置是用于显示图像的装置，并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件(例如，发光二极管(LED))，发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
发明内容
技术问题
为了解决上述问题，公开的实施例提供了一种包括发光元件和接触电极的显示装置，接触电极电连接到发光元件并且包括导电聚合物。
公开的实施例还提供了一种制造显示装置的方法，该方法可以缩短显示装置的制造。
应当注意的是，公开的方面不限于此，并且这里未提及的其他方面通过以下描述对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
技术方案
根据公开的实施例，显示装置包括：第一基底；第一电极和第二电极，设置在第一基底上以彼此间隔开；多个发光元件，至少部分地设置在第一电极与第二电极之间；第一接触电极，至少部分地覆盖第一电极，第一接触电极与多个发光元件的第一端部接触；以及第二接触电极，与第一接触电极间隔开并且至少部分地覆盖第二电极，第二接触电极与多个发光元件的第二端部接触，其中，第一接触电极和第二接触电极包括导电聚合物。
导电聚合物可以包括PEDOT:PSS。
第一接触电极和第二接触电极可以具有150nm至250nm的厚度。
第一接触电极和第二接触电极可以在多个发光元件上彼此间隔开。
显示装置还可以包括：多个第一堤，设置在第一电极和第二电极与第一基底之间，第一堤的中间部分比第一堤的其余部分厚，其中，第一接触电极和第二接触电极可以被设置为在厚度方向上至少部分地与第一堤叠置。
第一接触电极和第二接触电极可以被设置为在厚度方向上与第一堤叠置，并且第一接触电极和第二接触电极的与第一堤的厚的部分叠置的部分可以比第一接触电极和第二接触电极的其余部分厚。
第一接触电极和第二接触电极的覆盖多个发光元件的第一端部的部分可以比第一接触电极和第二接触电极的其余部分厚。
多个发光元件可以包括第一发光元件和第二发光元件，第一发光元件的两个端部与第一接触电极和第二接触电极接触，第二发光元件设置在第一发光元件上并且第二发光元件的两个端部与第一接触电极和第二接触电极接触。
显示装置还可以包括：第一绝缘层，设置在第一基底上，设置在第一电极与第二电极之间，被设置为部分地覆盖第一电极和第二电极，其中，多个发光元件可以设置在第一绝缘层上。
显示装置还可以包括：第二绝缘层，设置在第一基底上以覆盖第一电极和第二电极、多个发光元件以及第一接触电极和第二接触电极。
第二绝缘层可以与多个发光元件的外表面的部分直接接触，该部分与第一接触电极和第二接触电极间隔开。
显示装置还可以包括：第二堤，设置在第一基底上以围绕设置有多个发光元件的区域，其中，第二绝缘层也可以设置在第二堤上。
根据公开的实施例，一种制造显示装置的方法，所述方法包括：准备目标基底和设置在目标基底上的第一电极和第二电极；将包括多个发光元件、液晶分子和导电聚合物的墨喷射到目标基底上；以及通过在目标基底上产生电场以使液晶分子和多个发光元件定向并且使导电聚合物固化来形成设置在第一电极和第二电极上的多个接触电极。
多个发光元件和液晶分子可以在一个方向上延伸，并且形成多个接触电极的步骤可以包括使多个发光元件和液晶分子定向，使得多个发光元件和液晶分子延伸所沿的方向与目标基底的顶表面平行。
液晶分子可以具有正介电各向异性。
导电聚合物可以通过电场定向，使得其主链部分面对一个方向，并且在第一电极和第二电极上聚集，并且多个发光元件可以通过导电聚合物以其两个端部在一个方向上定向的方式固定。
导电聚合物可以包括PEDOT:PSS。
可以通过在多个发光元件和液晶分子在一个方向上定向的情况下施加光来执行固化导电聚合物的步骤。
多个发光元件可以包括第一发光元件和第二发光元件，第一发光元件的两个端部设置在第一电极和第二电极上，第二发光元件设置在第一发光元件上并且第二发光元件的两个端部设置在第一电极和第二电极上。
多个接触电极可以包括第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极与多个发光元件的第一端部和第一电极接触，第二接触电极与多个发光元件的第二端部和第二电极接触并且与第一接触电极间隔开。
其他实施例的细节包括在详细描述和附图中。
有益效果
根据实施例，显示装置可以包括接触电极，接触电极电连接到多个电极和发光元件并且包括导电聚合物。接触电极可以由透明导电材料(例如，聚合物)形成，并且从发光元件发射的光可以穿过接触电极被电极反射，因此可以在基底的向上方向上发射从发光元件发射的光。
此外，制造显示装置的方法包括将具有散在其中的液晶分子和导电聚合物的墨喷射到电极上，并且通过在电极上产生电场来使发光元件对准。发光元件可以与液晶分子一起在墨中定向，并且导电聚合物可以固定发光元件。因此，可以减少用于显示装置的制造工艺的数量，并且可以进一步改善发光元件的对准程度。
根据实施例的效果不受以上例示的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
图1是根据公开的实施例的显示装置的平面图。
图2是根据公开的实施例的显示装置的像素的平面图。
图3是沿着图2的线IIIa-IIIa'、IIIb-IIIb'和IIIc-IIIc'截取的剖视图。
图4是图3的部分A的放大剖视图。
图5是根据公开的实施例的发光元件的示意图。
图6是示出根据公开的实施例的制造显示装置的方法的流程图。
图7至图12是示出根据公开的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图13是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图14是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图15是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图16是沿着图15的线VI-VI'截取的剖视图。
图17是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图18是沿着图17的线VIII-VIII'截取的剖视图。
图19是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图20是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
具体实施方式
现在将在下文中参照其中示出了发明的优选实施例的附图更充分地描述发明。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达发明的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。贯穿说明书，相同的附图标号指示相同的组件。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件而不脱离发明的教导。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
在下文中，将参照附图描述实施例。
图1是根据公开的实施例的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置10显示移动图像或静止图像。显示装置10可以指提供显示图像的几乎所有类型的电子装置。显示装置10的示例可以包括电视(TV)、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器(HMD)、移动通信终端、电子记事本、电子书(e-book)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏控制台、数码相机、摄像机等。
显示装置10包括提供显示图像的显示面板。显示装置10的显示面板的示例包括无机发光二极管(ILED)显示面板、有机发光二极管(OLED)显示面板、量子点发光二极管(QLED)显示面板、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示(FED)面板等。显示装置10的显示面板在下文中将被描述为例如ILED显示面板，但是公开不限于此。也就是说，各种其他显示面板也应用于显示装置10的显示面板。
显示装置10的形状可以改变。例如，显示装置10可以具有正方形形状、具有圆角的四方形状、非四方多边形形状、圆形形状、在水平方向上比在竖直方向上延伸得长的矩形形状或者在竖直方向上比在水平方向上延伸得长的矩形形状。显示装置10的显示区域DPA的形状可以类似于显示装置10的形状。图1示出了显示装置10和显示区域DPA都具有在水平方向上相对长地延伸的矩形形状。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是显示图像的区域，非显示区域NDA可以是其中不显示图像的区域。显示区域DPA也可以被称为有效区域，非显示区域NDA也可以被称为无效区域。显示区域DPA可以占据显示装置10的中间部分。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。像素PX可以以行方向和列方向布置。像素PX中的每个在平面图中可以具有矩形形状或正方形形状，但是公开不限于此。可选地，像素PX中的每个可以具有菱形形状，该菱形形状具有相对于特定方向倾斜的边。像素PX可以以条带方式或PenTile方式交替地布置。像素PX中的每个可以包括发射特定波长范围的光的一个或更多个发光元件30。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以围绕整个显示区域DPA或显示区域DPA的一部分。显示区域DPA可以具有矩形形状，非显示区域NDA可以被设置为与显示区域DPA的四条边相邻。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的线或电路驱动器可以设置在非显示区域NDA中，或者外部装置可以安装在非显示区域NDA中。
图2是根据公开的实施例的显示装置的像素的平面图。
参照图2，多个像素PX中的每个可以包括多个子像素PXn(其中n是1至3的整数)。例如，一个像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射第二颜色的光，第三子像素PX3可以发射第三颜色的光。第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可以分别是蓝光、绿光和红光，但是公开不限于此。可选地，子像素PXn可以全部发射相同颜色的光。图2示出了像素PX可以包括三个子像素PXn，但是公开不限于此。可选地，像素PX可以包括多于三个的子像素PXn。
子像素PXn可以包括被定义为发射区域EMA的区域。第一子像素PX1可以包括第一发射区域EMA1，第二子像素PX2可以包括第二发射区域EMA2，第三子像素PX3可以包括第三发射区域EMA3。发射区域EMA中的每个可以被定义为其中设置发光元件30以发射特定波段的光的区域。发光元件30可以包括活性层(图5的“36”)，活性层36可以发射特定波段的光而没有任何方向性。由发光元件30的活性层36发射的光可以通过发光元件30中的每个的两侧发射。发射区域EMA中的每个包括设置有发光元件30的区域，并且还可以包括在发光元件30周围的输出由发光元件30发射的光的区域。
然而，公开不限于此。发射区域EMA中的每个可以包括输出由发光元件30发射且随后从其他元件反射或折射的光的区域。发光元件30可以设置在子像素PXn中的每个中，设置有发光元件30的区域和发光元件30的周围区域可以形成发射区域EMA。
虽然未具体示出，但是显示装置10的子像素PXn中的每个可以包括被定义为除了发射区域EMA之外的区域的非发射区域。非发射区域可以是未设置发光元件30的区域，并且可以因为由发光元件30发射的光未到达而不输出光。
图3是沿着图2的线IIIa-IIIa'、IIIb-IIIb'和IIIc-IIIc'截取的剖视图。图3示出了图2的第一子像素PX1的剖视图，然而，其也可以直接应用于其他像素PX或其他子像素PXn。图3示出了从第一子像素PX1中的发光元件30的一个端部到另一端部截取的剖视图。
参照图3并进一步参照图2，显示装置10可以包括设置在第一基底11上的电路元件层和显示元件层。半导体层、多个导电层和多个绝缘层可以设置在第一基底11上，并且可以形成电路元件层和显示元件层。导电层可以包括第一栅极导电层、第二栅极导电层、第一数据导电层、第二数据导电层、电极21和22以及接触电极26和27。绝缘层可以包括缓冲层12、第一栅极绝缘层13、第一钝化层15、第一层间绝缘层17、第二层间绝缘层18、第一平坦化层19、第一绝缘层51和第二绝缘层52。
具体地，第一基底11可以是绝缘基底。第一基底11可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料形成。第一基底11可以是刚性基底，或者可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
光阻挡层BML1和BML2可以设置在第一基底11上。光阻挡层BML1和BML2可以包括第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2。第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2可以被设置为分别至少与驱动晶体管DT的第一有源材料层DT_ACT和开关晶体管ST的第二有源材料层ST_ACT叠置。光阻挡层BML1和BML2可以包括能够阻挡光的材料，并且可以防止光入射在第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT上。例如，第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2可以由能够阻挡光的透射的不透明金属材料形成。然而，公开不限于此，可选地，可以不设置光阻挡层BML1和BML2。
缓冲层12可以包括光阻挡层BML1和BML2，并且可以设置在第一基底11的整个表面上。缓冲层12可以形成在第一基底11上，以保护驱动晶体管DT和开关晶体管ST免受可能渗透易受湿气影响的第一基底11的湿气的影响，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层12可以包括交替地堆叠的多个无机层。例如，缓冲层12可以形成为其中包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种的无机层交替地堆叠的多层。
半导体层设置在缓冲层12上。半导体层可以包括驱动晶体管DT的第一有源材料层DT_ACT和开关晶体管ST的第二有源材料层ST_ACT。驱动晶体管DT的第一有源材料层DT_ACT和开关晶体管ST的第二有源材料层ST_ACT可以被设置为与第一栅极导电层的栅电极DT_G和ST_G部分地叠置。
在一个实施例中，半导体层可以包括多晶硅、单晶硅或氧化物半导体。这里，多晶硅可以通过使非晶硅结晶而形成。在半导体层包括多晶硅的情况下，第一有源材料层DT_ACT可以包括第一掺杂区DT_ACTa、第二掺杂区DT_ACTb和第一沟道区DT_ACTc。第一沟道区DT_ACTc可以设置在第一掺杂区DT_ACTa与第二掺杂区DT_ACTb之间。第二有源材料层ST_ACT可以包括第三掺杂区ST_ACTa、第四掺杂区ST_ACTb和第二沟道区ST_ACTc。第二沟道区ST_ACTc可以设置在第三掺杂区ST_ACTa与第四掺杂区ST_ACTb之间。第一掺杂区DT_ACTa、第二掺杂区DT_ACTb、第三掺杂区ST_ACTa和第四掺杂区ST_ACTb可以是第一有源材料层DT_ACT或第二有源材料层ST_ACT的掺杂有杂质的部分。
在另一实施例中，第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT可以包括氧化物半导体。在这种情况下，第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT中的每个的掺杂区可以是导体区域。氧化物半导体可以为包含铟(In)的氧化物半导体。在一些实施例中，氧化物半导体可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)或氧化铟镓锌锡(IGZTO)，但公开不限于此。
第一栅极绝缘层13设置在半导体层和缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以设置在缓冲层12上并且设置在半导体层上。第一栅极绝缘层13可以用作用于驱动晶体管DT和开关晶体管ST的栅极绝缘膜。第一栅极绝缘层13可以形成为包括无机材料(诸如以SiOx、SiNx或SiON为例)的无机层，或者形成为这些无机材料的堆叠体。
第一栅极导电层设置在第一栅极绝缘层13上。第一栅极导电层可以包括驱动晶体管DT的第一栅电极DT_G和开关晶体管ST的第二栅电极ST_G。第一栅电极DT_G可以被设置为在厚度方向上与第一有源材料层DT_ACT的第一沟道区DT_ACTc叠置，第二栅电极ST_G可以被设置为在厚度方向上与第二有源材料层ST_ACT的第二沟道区ST_ACTc叠置。
第一栅极导电层可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的一种的单层或多层，但是公开不限于此。
第一钝化层15设置在第一栅极导电层上。第一钝化层15可以被设置为覆盖并保护第一栅极导电层。第一钝化层15可以形成为包括无机材料(诸如以SiOx、SiNx或SiON为例)的无机层，或者形成为这些无机材料的堆叠体。
第二栅极导电层设置在第一钝化层15上。第二栅极导电层可以包括存储电容器的被设置为在厚度方向上与第一栅电极DT_G至少部分地叠置的第一电容电极CE1。第一电容电极CE1可以在厚度方向上与第一栅电极DT_G叠置且第一钝化层15置于第一电容电极CE1与第一栅电极DT_G之间，存储电容器可以由第一电容电极CE1和第一栅电极DT_G形成。第二栅极导电层可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu及其合金中的一种的单层或多层，但是公开不限于此。
第一层间绝缘层17设置在第二栅极导电层上。第一层间绝缘层17可以用作第二栅极导电层与设置在第二栅极导电层上的层之间的绝缘膜。第一层间绝缘层17可以形成为包括无机材料(诸如以SiOx、SiNx或SiON为例)的无机层，或者形成为这些无机材料的堆叠体。
第一数据导电层设置在第一层间绝缘层17上。第一数据导电层可以包括驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2以及开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源/漏电极ST_SD2。
驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2可以通过穿透第一层间绝缘层17和第一栅极绝缘层13的接触孔与第一有源材料层DT_ACT的第一掺杂区DT_ACTa和第二掺杂区DT_ACTb接触。开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源/漏电极ST_SD2可以通过穿透第一层间绝缘层17和第一栅极绝缘层13的接触孔与第二有源材料层ST_ACT的第三掺杂区ST_ACTa和第四掺杂区ST_ACTb接触。驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1可以通过其他接触孔分别电连接到第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2。如果驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2中的一个或者开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源极/漏电极ST_SD2中的一个是源电极，则另一源/漏电极可以是漏电极，但是公开不限于此。可选地，如果驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2中的一个或者开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源/漏电极ST_SD2中的一个是漏电极，则另一源/漏电极可以是源电极。
第一数据导电层可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu及其合金中的一种的单层或多层，但是公开不限于此。
第二层间绝缘层18设置在第一数据导电层上。第二层间绝缘层18可以设置在第一层间绝缘层17的整个表面上，覆盖第一数据导电层，并且可以保护第一数据导电层。第二层间绝缘层18可以形成为包括无机材料(诸如以SiOx、SiNx或SiON为例)的无机层，或者形成为这些无机材料的堆叠体。
第二数据导电层设置在第二层间绝缘层18上。第二数据导电层可以包括第一电压线VL1、第二电压线VL2和第一导电图案CDP。将供应到驱动晶体管DT的高电位电压(或第一电源电压)可以施加到第一电压线VL1，将供应到第二电极22的低电位电压(或第二电源电压)可以施加到第二电压线VL2。在显示装置10的制造期间，用于使发光元件30对准的对准信号可以施加到第二电压线VL2。
第一导电图案CDP可以通过形成在第二层间绝缘层18中的接触孔电连接到驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1。第一导电图案CDP可以与稍后将描述的第一电极21接触，驱动晶体管DT可以通过第一导电图案CDP从第一电压线VL1向第一电极21传输第一电源电压。第二数据导电层被示出为包括一条第二电压线VL2和一条第一电压线VL1，但是公开不限于此。可选地，第二数据导电层可以包括多于一条的第一电压线VL1和多于一条的第二电压线VL2。
第二数据导电层可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu及其合金中的一种的单层或多层，但是公开不限于此。
第一平坦化层19设置在第二数据导电层上。第一平坦化层19可以包括有机绝缘材料(具体地，诸如以聚酰亚胺(PI)为例的有机材料)，并且可以执行表面平坦化功能。
多个第一堤40、多个电极21和22、发光元件30、第二堤45和多个接触电极26和27设置在第一平坦化层19上。多个绝缘层51和52可以进一步设置在第一平坦化层19上。
第一堤40可以直接设置在第一平坦化层19上。第一堤40可以在子像素PXn中的每个中在第二方向DR2上延伸，并且可以在第二方向DR2上在与相邻子像素PXn之间的边界处间隔开并终止而不延伸到其他子像素PXn中。此外，第一堤40可以被设置为在第一方向DR1上彼此间隔开并彼此面对。第一堤40可以彼此间隔开以形成其中在第一堤40之间布置发光元件30的区域。第一堤40可以设置在子像素PXn中的每个中，以在显示装置10的显示区域DPA中形成线型图案。图3示出了两个第一堤40，但公开不限于此。根据稍后将描述的电极21和22的数量，可以设置多于两个的第一堤40。
第一堤40可以至少部分地从第一平坦化层19的顶表面突出。在一个实施例中，第一堤40的中间部分可以比第一堤40的其余部分厚。第一堤40的突出部分的中间部分可以相对厚，第一堤40的突出部分中的每个可以具有倾斜的侧面。由发光元件30发射的光可以朝向第一堤40中的每个的倾斜侧面行进。设置在第一堤40上的电极21和22可以包括具有高反射率的材料，由发光元件30发射的光可以被第一堤40的侧面上的电极21和22反射，以在第一平坦化层19的向上方向上发射。也就是说，第一堤40不仅可以提供其中布置发光元件30的空间，而且还可以用作能够在向上方向上反射由发光元件30发射的光的反射分隔壁。第一堤40中的每个的侧面可以是线型倾斜的，但是公开不限于此。可选地，第一堤40中的每个的侧面可以具有弯曲的半圆形或半椭圆形形状。在一个实施例中，第一堤40可以包括有机绝缘材料(诸如PI)，但公开不限于此。
电极21和22设置在第一堤40和第一平坦化层19上。电极21和22可以包括第一电极21和第二电极22。第一电极21和第二电极22可以在第二方向DR2上延伸，并且可以被设置为在第一方向DR1上彼此间隔开并彼此面对。第一电极21和第二电极22可以具有与第一堤40基本上类似的形状，并且可以在第二方向DR2上比第一堤40长。
第一电极21可以在子像素PXn中的每个中在第二方向DR2上延伸，并且可以在第二方向DR2上在两个相邻子像素PXn之间的边界处与另一第一电极21间隔开。在一些实施例中，第二堤45可以沿着子像素PXn中的每个的边界设置，在第二方向DR2上的每对相邻子像素PXn的第一电极21可以通过第二堤45彼此间隔开。第一电极21可以电连接到驱动晶体管DT。例如，第一电极21的至少一部分可以被设置为与第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分叠置，并且可以通过穿透第一平坦化层19的第一接触孔CT1与第一导电图案CDP接触。第一电极21可以通过第一导电图案CDP电连接到驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1。
第二电极22可以在第二方向DR2上延伸超过在第二方向DR2上彼此相邻的子像素PXn之间的边界。在一些实施例中，一个第二电极22可以设置在沿第二方向DR2彼此相邻的多个子像素PXn中。第二电极22可以在沿第二方向DR2彼此相邻的子像素PXn之间的边界处与第二堤45部分地叠置，并且可以通过第二接触孔CT2电连接到第二电压线VL2。例如，第二电极22可以被设置为与第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分叠置，并且可以通过穿透第一平坦化层19的第二接触孔CT2与第二电压线VL2接触。第二电极22被示出为通过设置在子像素PXn中的每个的边界处的第二接触孔CT2电连接到第二电压线VL2，但是公开不限于此。在一些实施例中，一个第二接触孔CT2可以设置在子像素PXn中的每个中。
子像素PXn中的每个被示出为包括一个第一电极21和一个第二电极22，但是公开不限于此。可选地，在一些实施例中，多于一个的第一电极21和多于一个的第二电极22可以设置在子像素PXn中的每个中。设置在子像素PXn中的每个中的第一电极21和第二电极22可以不必在一个方向上延伸，而是可以以各种布局布置。例如，第一电极21和第二电极22可以部分地弯曲或弯折，第一电极21和第二电极22中的一个可以被设置为围绕另一电极。如果形成其中布置发光元件30的区域，则第一电极21和第二电极22的至少一部分可以彼此间隔开并彼此面对，并且第一电极21和第二电极22的结构和形状不受特别限制。
电极21和22可以电连接到发光元件30，并且预定电压可以施加到电极21和22使得发光元件30可以发射光。例如，电极21和22可以电连接到发光元件30，施加到电极21和22的电信号可以通过接触电极26和27传输到发光元件30。
在一个实施例中，第一电极21可以在多个子像素PXn之间分离，第二电极22可以贯穿多个子像素PXn共同连接。第一电极21和第二电极22中的一个可以电连接到发光元件30的阳极，而另一电极可以电连接到发光元件30的阴极。然而，公开不限于此。可选地，第一电极21和第二电极22中的一个可以电连接到发光元件30的阴极，而另一电极可以电连接到发光元件30的阳极。可选地，第一电极21和第二电极22两者可以在多个子像素PXn之间分离。
电极21和22可以用来在子像素PXn中的每个中产生电场以使发光元件30对准。发光元件30可以通过形成在第一电极21和第二电极22上的电场而设置在第一电极21与第二电极22之间。如稍后将描述的，发光元件30可以通过喷墨印刷以分散在墨中的状态喷射到第一电极21和第二电极22上，并且响应于施加在第一电极21与第二电极22之间的对准信号，发光元件30可以通过施加电泳力在第一电极21与第二电极22之间对准。
如图3中所示，第一电极21和第二电极22可以设置在第一堤40上。第一电极21和第二电极22可以在第一方向DR1上彼此间隔开并彼此面对，并且多个发光元件30可以设置在第一电极21与第二电极22之间。发光元件30可以设置在第一电极21与第二电极22之间，并且同时电连接到第一电极21和第二电极22。
在一些实施例中，第一电极21和第二电极22可以形成为具有比第一堤40大的宽度。例如，第一电极21和第二电极22可以被设置为覆盖第一堤40的外表面。第一电极21和第二电极22可以设置在第一堤40的侧面上，第一电极21与第二电极22之间的距离可以比第一堤40之间的距离小。此外，第一电极21和第二电极22的至少部分可以直接设置在第一平坦化层19上。
电极21和22可以包括透明导电材料。例如，电极21和22可以包括诸如ITO、IZO或ITZO的材料，但是公开不限于此。在一些实施例中，电极21和22可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极21和22可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的具有高反射率的材料。在该示例中，电极21和22可以反射由发光元件30发射的光，以在子像素PXn中的每个的向上方向上朝向第一堤40的侧面行进。
然而，公开不限于此。可选地，电极21和22可以具有一层或更多层透明导电材料以及一层或更多层高反射率金属的堆叠体，或者可以形成为包括透明导电材料和具有高反射率金属的单层。在一个实施例中，电极21和22可以具有ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO的堆叠，或者可以包括铝(Al)、镍(Ni)或镧(La)的合金。
第一绝缘层51设置在第一平坦化层19、第一电极21和第二电极22上。第一绝缘层51可以被设置为不仅覆盖第一电极21和第二电极22，而且覆盖第一电极21与第二电极22之间的间隙。例如，第一绝缘层51可以覆盖第一电极21和第二电极22的顶表面的大部分，并且可以被设置为暴露第一电极21和第二电极22的部分。第一绝缘层51可以被设置为暴露第一电极21和第二电极22的例如在第一堤40上的顶表面的部分。第一绝缘层51可以形成在第一平坦化层19的基本上整个表面上，并且可以包括部分地暴露第一电极21和第二电极22的开口(未示出)。
在一个实施例中，第一绝缘层51可以是台阶状的，使得第一绝缘层51的顶表面的一部分可以在第一电极21与第二电极22之间凹陷。在一些实施例中，第一绝缘层51可以包括无机绝缘材料，被设置为覆盖第一电极21和第二电极22的第一绝缘层51的顶表面的一部分可以由于由下面的元件形成的高度差而凹陷。在第一电极21与第二电极22之间设置在第一绝缘层51上的发光元件30可以与第一绝缘层51的顶表面的凹陷部分形成空的空间。发光元件30可以被设置为与第一绝缘层51的顶表面间隔开，并且第一绝缘层51和发光元件30之间的空间可以填充有稍后将描述的接触电极26和27的材料。然而，公开不限于此。第一绝缘层51可以形成其上布置发光元件30的平坦表面。
第一绝缘层51可以保护第一电极21和第二电极22，并且可以使第一电极21和第二电极22彼此绝缘。此外，第一绝缘层51可以防止设置在第一绝缘层51上的发光元件30与其他元件直接接触并被其他元件损坏。然而，第一绝缘层51的形状和结构没有特别限制。
第二堤45可以设置在第一绝缘层51上。在一些实施例中，第二堤45在第一绝缘层51上不仅可以围绕其中设置第一堤40的区域，而且可以围绕其中设置发光元件30的区域，并且可以沿着子像素PXn之间的边界布置。第二堤45可以被设置为在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸，并且因此可以在显示区域DPA的整个表面上形成网格图案。第二堤45的沿第一方向DR1延伸的部分可以与第一电极21和第二电极22部分地叠置，第二堤45的沿第二方向DR2延伸的部分可以与第一堤40以及第一电极21和第二电极22间隔开。
第二堤45的高度可以比第一堤40的高度大。与第一堤40不同，第二堤45可以限定相邻的子像素PXn，并且可以在显示装置10的制造期间防止墨在用于使对准发光元件30对准的喷墨印刷期间在相邻的子像素PXn之间溢出。第二堤45可以分离具有不同发光元件30的组的墨，而不使其混合在一起。类似于第一堤40，第二堤45可以包括PI，但公开不限于此。
发光元件30可以设置在电极21和22之间。在一个实施例中，发光元件30可以在一个方向上延伸，并且可以被设置为彼此间隔开并基本上彼此平行地对准。发光元件30之间的距离没有特别限制。发光元件30中的一些可以被设置为彼此相邻以形成组，而发光元件30中的一些可以彼此间隔开预定距离设置以形成另一组。可选地，发光元件30可以以不均匀的密度布置。此外，电极21和22延伸所沿的方向可以与发光元件30延伸所沿的方向形成基本上直角。然而，公开不限于此。可选地，发光元件30可以相对于电极21和22延伸所沿的方向倾斜地延伸。
发光元件30可以包括包含不同材料的活性层(图5的“36”)，并且因此可以向外部发射不同波段的光。显示装置10可以包括能够发射不同波段的光的发光元件30。例如，第一子像素PX1的发光元件30可以包括发射具有第一波长作为中心波长的第一颜色光的活性层36，第二子像素PX2的发光元件30可以包括发射具有第二波长作为中心波长的第二颜色光的活性层36，第三子像素PX3的发光元件30可以包括发射具有第三波长作为中心波长的第三颜色光的活性层36。
因此，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以分别发射第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光。在一些实施例中，第一颜色光可以是具有450nm至495nm的中心波长的蓝光，第二颜色光可以是具有495nm至570nm的中心波长的绿光，第三颜色光可以是具有620nm至752nm的中心波长的红光。然而，公开不限于此。可选地，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以包括相同类型的发光元件30，并且因此可以全部发射相同颜色的光。
发光元件30可以设置在第一堤40之间或电极21和22之间的第一绝缘层51上。例如，发光元件30中的每个的至少一个端部可以设置在第一电极21或第二电极22上。发光元件30的长度可以比第一电极21与第二电极22之间的距离大，发光元件30中的每个的两个端部可以设置在第一电极21和第二电极22上。然而，公开不限于此。可选地，发光元件30中的每个的仅一个端部可以设置在电极21和22上，或者发光元件30中的每个的两个端部可以不设置在电极21和22上。即使发光元件30没有设置在电极21和22上，发光元件30中的每个的两个端部也可以通过稍后将描述的接触电极26和27电连接到电极21和22。在一些实施例中，发光元件30的至少部分可以设置在第一电极21与第二电极22之间，发光元件30中的每个的两个端部可以电连接到电极21和22。
此外，尽管未具体示出，但是设置在子像素PXn中的每个中的至少一些发光元件30可以设置在除了形成在第一堤40之间的区域之外的区域(例如，在电极21和22上或者在第一堤40与第二堤45之间)中。
在发光元件30中的每个中，多个层可以在与第一基底11或第一平坦化层19的顶表面垂直的方向上布置。发光元件30可以在一个方向上延伸，并且可以具有其中多个半导体层顺序地布置的结构。发光元件30可以被设置为使得显示装置10的发光元件30延伸所沿的方向可以与第一平坦化层19平行，并且包括在发光元件30中的每个中的半导体层可以在与第一平坦化层19的顶表面平行的方向上顺序地布置。然而，公开不限于此。在发光元件30可以具有不同结构的情况下，发光元件30中的每个的层可以在与第一平坦化层19垂直的方向上布置。
此外，发光元件30中的每个的两个端部可以与接触电极26和27接触。由于没有形成绝缘膜(图5的“38”)，并且发光元件30中的每个的一些半导体层在发光元件30中的每个的延伸方向上的两个端表面上暴露，因此暴露的半导体层可以与接触电极26和27接触，但是公开不限于此。发光元件30中的每个的绝缘膜38的至少部分可以被去除，并且发光元件30中的每个的半导体层的侧面可以部分地暴露。发光元件30中的每个的半导体层的暴露侧面可以与接触电极26和27直接接触。
接触电极26和27设置在电极21和22以及发光元件30上。接触电极26和27可以包括第一接触电极26和第二接触电极27，第一接触电极26设置在第一电极21上并且与发光元件30的第一端部接触，第二接触电极27设置在第二电极22上并且与发光元件30的第二端部接触。
第一接触电极26和第二接触电极27可以具有与第一堤40类似的形状。例如，第一接触电极26和第二接触电极27可以在子像素PXn中的每个中在第二方向DR2上延伸，并且可以被设置为在第一方向DR1上彼此间隔开并彼此面对。第一接触电极26和第二接触电极27可以在设置发光元件30的区域中(例如，在第一电极21和第二电极22之间)彼此间隔开并彼此面对。接触电极26和27可以设置在由第二堤45围绕的每个区域中，以与相邻子像素PXn之间的边界间隔开。在一些实施例中，接触电极26和27可以在子像素PXn中的每个中形成线型图案。
第一接触电极26和第二接触电极27可以与第一电极21和第二电极22的顶表面的由于其上不存在第一绝缘层51而暴露的部分接触。此外，接触电极26和27可以与发光元件30中的每个的两个端部接触。在一些实施例中，接触电极26和27可以包括导电材料，发光元件30可以通过接触电极26和27电连接到电极21和22。如上所述，多个半导体层可以在每个发光元件30的两个端部部分地暴露，并且接触电极26和27可以与暴露的半导体层直接接触。第一接触电极26和第二接触电极27可以在第二方向DR2上延伸，并且可以被设置为围绕发光元件30的外表面的设置在电极21和22之间的部分。
在一些实施例中，第一接触电极26和第二接触电极27的宽度可以与第一电极21和第二电极22的宽度相同或者比第一电极21和第二电极22的宽度大。第一接触电极26和第二接触电极27可以分别与发光元件30中的每个的第一端部和第二端部接触，并且可以被设置为覆盖第一电极21和第二电极22中的每个的两侧。如上所述，第一电极21和第二电极22的顶表面的部分可以被暴露，第一接触电极26和第二接触电极27可以与第一电极21和第二电极22的顶表面的暴露部分接触。例如，接触电极26和27可以与第一电极21和第二电极22的在第一堤40上的部分接触。此外，如图3中所示，第一接触电极26和第二接触电极27的至少部分可以设置在第一绝缘层51上。然而，公开不限于此。第一接触电极26和第二接触电极27的宽度可以比第一电极21和第二电极22的宽度小，使得第一接触电极26和第二接触电极27可以仅覆盖第一电极21和第二电极22的顶表面的暴露部分。
一个第一接触电极26和一个第二接触电极27被示出为设置在一个子像素PXn中，但是公开不限于此。第一接触电极26和第二接触电极27的数量可以根据子像素PXn中的每个中的第一电极21和第二电极22的数量而变化。
在显示装置10的制造期间，在将发光元件30布置在电极21和22上之后，可能需要固定发光元件30的位置的工艺。例如，在接触电极26和27直接形成在发光元件30以及电极21和22上的情况下，发光元件30的位置可能在接触电极26和27的材料的沉积期间改变。然而，由于发光元件30的位置在形成接触电极26和27之前被固定，所以电极21和22以及发光元件30可以适当地电连接。显示装置10的接触电极26和27可以包括具有导电性并且能够在显示装置10的制造期间固定发光元件30的位置的材料。
接触电极26和27可以包括透明导电聚合物。在接触电极26和27由聚合物形成的情况下，接触电极26和27可以在显示装置10的制造期间执行固定发光元件30的对准位置的功能。此外，由于接触电极26和27的材料具有导电性，因此接触电极26和27可以使发光元件30与电极21和22电连接。此外，由于接触电极26和27包括透明材料，因此由发光元件30发射的光可以穿过接触电极26和27输出。
导电聚合物的示例包括但不限于聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)、聚乙撑二氧噻吩聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)、聚(3-烷基)噻吩(P3AT)、聚(3-己基)噻吩(P3HT)、聚苯胺、聚乙炔、聚薁、聚异硫萘、聚异硫茚、聚亚噻吩基乙撑、聚噻吩、聚苯撑、聚苯硫醚、聚对苯撑、聚对苯撑乙撑、聚呋喃、聚吡咯和聚庚二炔。在一些实施例中，包括在接触电极26和27中的导电聚合物可以是PEDOT:PSS。PEDOT:PSS包括由PEDOT形成的聚合物链和形成在PSS的侧链部分中的电荷，因此具有导电性。此外，由于PEDOT:PSS具有透明性，由PEDOT:PSS形成的接触电极26和27可以构成例如ITO的透明导电电极。从发光元件30中的每个的两个端部发射的光可以穿过接触电极26和27被电极21和22反射，并且因此可以在第一基底11的向上方向上发射。
接触电极26和27可以具有预定厚度。如果接触电极26和27是薄的，则接触电极26和27的透光率可以是高的，但是接触电极26和27的电阻也可能是高的。相反，如果考虑到电阻而增大接触电极26和27的厚度，则接触电极26和27的透光率可能是低的。在一个实施例中，接触电极26和27可以具有150nm至250nm或约200nm的厚度。在该实施例中，接触电极26和27可以具有低电阻和高透光率。
接触电极26和27可以通过将包括导电聚合物的墨喷射到子像素PXn中的每个中并使导电聚合物固化来形成。导电聚合物可以与发光元件30一起分散在墨中，并且当发光元件30在电极21和22之间对准时，导电聚合物可以聚集在发光元件30中的每个的两个端部以及电极21和22上。导电聚合物可以在与发光元件30以及电极21和22接触的同时固定发光元件30，并且稍后可以被固化以形成接触电极26和27。由于导电聚合物分散在墨中，然后聚集形成接触电极26和27，因此接触电极26和27可以具有不均匀的厚度。
图4是图3的部分A的放大剖视图。图4示出了显示装置10在第一堤40中的一个上设置第一电极21和第一接触电极26的部分。
参照图4，接触电极26和27的厚度可以不均匀，接触电极26和27的一部分可以比接触电极26和27的另一部分厚。第一堤40的中间部分可以比第一堤40的其余部分厚，接触电极26和27可以被设置为在厚度方向上与第一堤40的至少部分叠置。图4示出了第一接触电极26与第一堤40中的一个完全地叠置，但公开不限于此。
第一接触电极26可以包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分被设置为与第一堤40的厚的部分叠置，第二部分覆盖发光元件30的第一端部，第三部分占第一接触电极26的其余部分并且直接设置在第一电极21的第一平坦化层19上。在显示装置10的制造期间，接触电极26和27的导电聚合物可以沿着第一堤40的突出的外表面聚集在电极21和22以及第一绝缘层51上。导电聚合物可以分散在墨中，并且由于导电聚合物的主链部分通过形成在电极21和22上的电场在而一个方向上对准，因此导电聚合物可以在电极21和22以及发光元件30上聚集。这里，由于由电极21和22以及发光元件30形成的高度差，导电聚合物可以主要聚集在特定位置处。
接触电极26和27的被设置为与第一堤40的厚的部分叠置的部分的厚度d1可以比接触电极26和27的其余部分的厚度大。在第一堤40的厚部分上，电极21和22的其上设置有接触电极26和27的部分可以具有距第一平坦化层19的最大高度。导电聚合物可以主要聚集在电极21和22具有最大高度的区域中，并且接触电极26和27的第一部分的厚度d1可以比接触电极26和27的其余部分的厚度大。
此外，接触电极26和27可以与发光元件30中的每个的两个端部接触，接触电极26和27的第二部分的厚度d2可以比接触电极26和27的第三部分的厚度d3大。发光元件30中的每个的两个端部可以设置在电极21和22上，并且设置有发光元件30的部分可以比电极21和22的直接设置在第一平坦化层19上的部分高。导电聚合物可以聚集以覆盖发光元件30中的每个的两个端部，并且可以在显示装置10的制造期间在电极21和22之间固定发光元件30的位置。接触电极26和27的比接触电极26和27的第一部分低的第二部分的厚度d2可以比作为接触电极26和27的作为接触电极26和27的最低部分的第三部分的厚度d3大。接触电极26和27可以不具有均匀的厚度，并且可以具有与由电极21和22以及第一堤40形成的高度差部分不同的形状。
在一些实施例中，接触电极26和27的第二部分的厚度d2可以比发光元件30的直径大。接触电极26和27的第二部分可以足够厚以在剖视图中覆盖发光元件30。因此，在一些实施例中，发光元件30可以被设置为在剖视图中具有不同的高度，并且在电极21和22之间在厚度方向上彼此叠置。稍后将对此进行描述。
简而言之，显示装置10可以包括包含导电聚合物的接触电极26和27，并且接触电极26和27可以不具有均匀的厚度。在显示装置10的制造期间，根据电极21和22的将要聚集有导电聚合物的高度，以与发光元件30一起分散在墨中的状态包括在墨中的导电聚合物可以形成为具有不同的厚度。由于在电极21和22之间布置发光元件30期间导电聚合物聚集在电极21和22上，所以导电聚合物可以固定发光元件30的位置，显示装置10可以不需要用于固定发光元件30的单独构件。此外，在显示装置10的制造期间，在电极21和22之间对准发光元件30以及形成接触电极26和27可以基本上同时执行，因此，可以减少制造工艺的数量。
同时，如上所述，第一绝缘层51的顶表面的一部分可以是台阶状的，并且空间可以形成在第一绝缘层51的顶表面与发光元件30之间。在一些实施例中，接触电极26和27的导电聚合物可以设置在发光元件30的底表面与第一绝缘层51之间。如上面已经提及的，在形成接触电极26和27期间，发光元件30和导电聚合物可以一起分散在墨中，导电聚合物中的一些可以被设置为填充第一绝缘层51与发光元件30之间的空间。结果，发光元件30的底表面的部分可以与接触电极26和27的导电聚合物直接接触。然而，公开不限于此。
再次参照图3，第二绝缘层52可以设置在第一基底11的整个表面上。第二绝缘层52可以保护设置在第一基底11上的元件免受外部环境的影响。在一些实施例中，第二绝缘层52不仅可以与接触电极26和27、第一绝缘层51和第二堤45直接接触，而且可以和与接触电极26和27之间的间隙叠置的发光元件30直接接触。
第一绝缘层51和第二绝缘层52可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在一个实施例中，第一绝缘层51和第二绝缘层52可以包括诸如SiOx、SiNx、SiOxNy、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)的无机绝缘材料。在另一实施例中，第一绝缘层51和第二绝缘层52可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、PI树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂的有机绝缘材料。然而，公开不限于这些实施例。
发光元件30可以是LED，特别是具有几微米或纳米尺寸并由无机材料形成的无机LED。无机LED可以在两个相对的电极之间对准，两个相对的电极响应于在其之间的特定方向上产生的电场而形成极性。
图5是根据公开的实施例的发光元件的示意图。
参照图5，发光元件30可以在一个方向上延伸。发光元件30可以具有杆状形状、线形状或管形状。在一个实施例中，发光元件30可以具有圆柱形或杆状形状。然而，发光元件30的形状没有特别限制，发光元件30可以具有诸如多边形棱柱形状(例如，立方体形状、长方体形状或六角棱柱形状)或者在一个方向上延伸且其外表面的部分倾斜的形状的各种形状。
发光元件30可以包括掺杂有任意导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以接收从外部源施加于其的电信号，从而可以发射特定波段的光。包括在发光元件30中的半导体层可以在一个方向上顺序地布置或堆叠。
发光元件30可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、活性层36、电极层37和绝缘膜38。为了使发光元件30的元件适当地可视化，图5示出了其中绝缘膜38的一部分被去除以暴露多个半导体层31、32和36的发光元件30。然而，如稍后将描述的，绝缘膜38可以被设置为围绕半导体层31、32和36的外表面。
具体地，第一半导体层31可以是n型半导体。例如，在发光元件30发射蓝色波长光的情况下，第一半导体层31可以包括半导体材料(即，AlxGayIn1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1))。例如，第一半导体层31可以包括掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，n型掺杂剂可以是例如Si、Ge或Sn。例如，第一半导体层31可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层31可以具有1.5μm至5μm的长度，但是公开不限于此。
第二半导体层32可以设置在稍后将描述的活性层36上。第二半导体层32可以是p型半导体。在发光元件30发射蓝色波长光或绿色波长光的情况下，第二半导体层32可以包括半导体材料(即，AlxGayIn1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1))。例如，第二半导体层32可以包括掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，p型掺杂剂可以是例如Mg、Zn、Ca、Se或Ba。在一个实施例中，第二半导体层32可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层32可以具有0.05μm至0.10μm的长度，但是公开不限于此。
第一半导体层31和第二半导体层32被示出为形成为单层，但是公开不限于此。可选地，在一些实施例中，根据活性层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32中的每个可以包括多于一个的层(诸如以覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层为例)。
活性层36设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。活性层36可以包括单量子阱结构材料或多量子阱结构材料。在活性层36包括具有多量子阱结构的材料的情况下，活性层36可以具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的结构。活性层36可以根据经由第一半导体层31和第二半导体层32施加于其的电信号通过使电子-空穴对组合来发射光。例如，在活性层36发射蓝色波长光的情况下，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。特别地，在活性层36具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。在一个实施例中，在活性层36包括AlGaInN作为其量子层和AlInN作为其阱层的情况下，活性层36可以发射具有450nm至495nm的中心波长范围的蓝光。
然而，公开不限于此。可选地，根据将要发射的光的波长，活性层36可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替地堆叠的结构，或者可以包括III族或V族半导体材料。由活性层36发射的光的类型没有特别限制。如有需要，活性层36可以发射红色或绿色波长范围的光，而不是蓝光。活性层36可以具有0.05μm至0.10μm的长度，但是公开不限于此。
光不仅可以在长度方向上从发光元件30的圆周表面发射，而且可以从发光元件30的两侧发射。从活性层36发射的光的方向性没有特别限制。
电极层37可以是欧姆接触电极，但是公开不限于此。可选地，电极层37可以是肖特基接触电极。发光元件30可以包括至少一个电极层37。发光元件30被示出为包括一个电极层37，但是公开不限于此。可选地，发光元件30可以包括多于一个的电极层37，或者可以不设置电极层37。然而，发光元件30的以下描述也可以直接应用于具有多于一个的电极层37或具有与图5和图6的发光元件30不同的结构的发光元件30。
当发光元件30电连接到显示装置10中的电极(或接触电极)时，电极层37可以减小发光元件30与电极(或接触电极)之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括Al、Ti、In、Au、Ag、ITO、IZO和ITZO中的至少一种。此外，电极层37可以包括掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂的半导体材料。电极层37可以包括相同的材料或不同的材料。电极层37可以具有0.05μm至0.10μm的长度，但公开不限于此。
绝缘膜38被设置为围绕上述半导体层和上述电极层的外表面。在一个实施例中，绝缘膜38可以被设置为至少围绕活性层36的外表面，并且可以在发光元件30延伸所沿的方向上延伸。绝缘膜38可以保护发光元件30的其他元件。例如，绝缘膜38可以形成为围绕发光元件30的其他元件的侧面，但是暴露发光元件30在长度方向上的两个端部。
绝缘膜38被示出为在发光元件30的长度方向上延伸以覆盖发光元件30的多个层(范围从第一半导体层31到电极层37)的侧面，但是公开不限于此。绝缘膜38可以仅覆盖半导体层中的一些和活性层36的外表面，或者可以仅覆盖电极层37的外表面的一部分以暴露电极层37的外表面的一部分。此外，绝缘膜38可以在发光元件30的至少一个端部附近具有圆形顶表面。
绝缘膜38可以具有10nm至1.0μm的厚度，但是公开不限于此。优选地，绝缘膜38可以具有约40nm的厚度。
绝缘膜38可以包括具有绝缘性质(诸如以SiOx、SiNx、SiOxNy、AlN或Al2O3为例)的材料。绝缘膜38可以防止在活性层36被放置为与直接向发光元件30传输电信号的电极直接接触时可能发生的任何短路。此外，由于绝缘膜38包括活性层36以保护发光元件30的外表面，因此可以防止发光元件30的发射效率的任何劣化。
此外，在一些实施例中，可以对绝缘膜38的外表面进行表面处理。在显示装置10的制造期间，发光元件30可以在分散在预定墨中的同时喷射在电极上。这里，可以对绝缘膜38的表面进行疏水或亲水处理，以使发光元件30在墨中保持分散而不与其他发光元件30聚集。
发光元件30的长度h可以在1μm至10μm或者2μm至6μm的范围内，优选地在3μm至5μm的范围内。此外，发光元件30的直径可以在30nm至700nm的范围内，并且发光元件30的纵横比可以是1.2至100。然而，公开不限于此。包括在显示装置10中的多个发光元件30可以根据它们各自的活性层36的组成而具有不同的直径。优选地，发光元件30的直径可以是约500nm。
在下文中将描述制造显示装置10的方法。
如上所述，在显示装置10的制造期间，发光元件30可以以与导电聚合物一起分散在墨中的状态喷射到电极21和22上。此外，液晶分子可以分散在墨中以使发光元件30适当地对准。在显示装置10的制造期间，液晶分子也可以通过用于使发光元件30对准的电场在一个方向上定向。发光元件30可以通过受到液晶分子的对准的影响而在电极21和22之间以高度对准地设置，同时通过电场位于电极21和22上。
图6是示出根据公开的实施例的制造显示装置的方法的流程图。图7至图12是示出根据公开的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
参照图6，制造显示装置10的方法可以包括：准备目标基底SUB和在目标基底SUB上的多个电极21和22(S100)；将包括发光元件30、导电聚合物PM和液晶分子LC的墨S喷射到电极21和22上(S200)；通过向电极21和22施加对准信号来使液晶分子LC对准并使发光元件30在电极21和22之间对准(S300)；以及通过施加光并固化导电聚合物PM来形成接触电极26和27。不仅发光元件30和用于形成接触电极26和27的导电聚合物PM，而且液晶分子LC也可以分散在喷射到目标基底SUB上的墨S中。
施加到电极21和22的对准信号可以在目标基底SUB上产生电场E，并且可以通过电场E使发光元件30和液晶分子LC在一个方向上对准。接收来自电场E的电力的发光元件30可以受到液晶分子LC的对准的影响。可以沿着液晶分子LC对准所沿的方向使发光元件30对准，从而可以改善发光元件30在电极21和22之间的对准程度。
在下文中将描述显示装置10的制造。参照图7，准备目标基底SUB，并且在目标基底SUB上形成电极21和22。电极21和22可以包括彼此间隔开并且彼此面对的第一电极21和第二电极22。此外，如上面已经提及的，还可以在第一电极21和第二电极22与目标基底SUB之间设置多个第一堤40。尽管未具体示出，但是目标基底SUB可以包括第一基底11以及由多个导电层和多个绝缘层形成的多个电路元件。为了方便，第一基底11和电路元件被简单地示出并被描述为目标基底SUB。
此后，参照图8，形成部分地覆盖第一电极21和第二电极22的第一绝缘层51和第二堤45。可以在目标基底SUB的部分表面上设置第一绝缘层51，以暴露电极21和22的顶表面的部分。可以在第一绝缘层51上设置第二堤45，以围绕设置有电极21和22的区域。
此后，参照图9，将具有分散在其中的发光元件30、液晶分子LC和导电聚合物PM的墨S喷射到目标基底SUB上。在一个实施例中，可以以与液晶分子LC和导电聚合物PM一起分散在墨中的状态制备发光元件30，然后可以通过印刷工艺通过喷墨印刷装置(未示出)将发光元件30喷射到目标基底SUB上，但是公开不限于此。可选地，可以通过狭缝工艺将墨S喷射到目标基底SUB上。墨S可以包括溶剂以及分散在溶剂中的发光元件30、液晶分子LC和导电聚合物PM，并且可以以溶液或胶体的形式设置。例如，溶剂可以是丙酮、水、乙醇、甲苯、丙二醇(PG)或丙二醇乙酸甲酯(PGMA)，但公开不限于此。
发光元件30如上所述。可以通过施加到电极21和22的对准信号将发光元件30安置在电极21和22之间。例如，响应于施加到第一电极21和第二电极22的对准信号，可以在喷射到电极21和22上的墨中产生电场。一旦在第一电极21和第二电极22上产生电场，分散在墨中的发光元件30就可以接收电泳力。然后，接收电泳力的发光元件30可以安置在第一电极21与第二电极22之间，并且改变发光元件30的定向方向和位置。
可以稍后使导电聚合物PM固化，因此导电聚合物PM可以形成接触电极26和27。类似于发光元件30，导电聚合物PM可以包括聚合物链并且具有在一个方向上延伸的分子结构。即使在导电聚合物PM的情况下，聚合物链延伸所沿的方向也可以通过在墨S中形成的电场在特定方向上定向。
也可以通过在墨S中产生的电场使液晶分子LC在一个方向上对准。在一个实施例中，液晶分子LC可以具有正介电各向异性，并且可以通过在墨S中产生的电场方向使延伸液晶分子LC对准。可以通过在电极21和22上产生的电场使发光元件30在一个方向上定向，并且发光元件30可以受到在墨S中对准的液晶分子LC的影响。发光元件30可以通过电场与液晶分子LC对准，因此可以以更高的对准程度设置在电极21和22之间。
参照图10，通过向电极21和22施加对准信号在墨S上产生电场E，以使发光元件30和液晶分子LC对准并将发光元件30布置在电极21和22之间。发光元件30中的每个可以包括掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂的半导体层，并且因此可以具有偶极矩。发光元件30可以接收来自产生在墨S中的电场E的电泳力，并且因此可以在电极21和22之间对准。然后，当通过电泳力改变发光元件30的定向方向和位置时，发光元件30可以被设置为使得发光元件30中的每个的第一端部和第二端部可以分别放置在第一电极21和第二电极22上。可以沿着电极21和22延伸所沿的方向将发光元件30布置在电极21和22之间。
液晶分子LC可以分散在墨S中，然后可以通过电场E定向，使得液晶分子LC可以面对一个方向所沿方向的所述方向。如上所述，由于液晶分子LC具有正介电各向异性，因此液晶分子LC可以被定向为使得液晶分子LC延伸所沿的方向可以面对产生电场E所沿的方向。液晶分子LC和发光元件30都可以在一个方向上延伸，并且可以具有特定的定向方向。由于发光元件30以分散在墨S中的状态设置在电极21和22之间，因此发光元件30的对准可以受到液晶分子LC的定向方向的影响。液晶分子LC可以在面对电场E的方向(即，第一电极21和第二电极22延伸所沿的方向)上定向，并且发光元件30可以通过定向的液晶分子LC对准使得发光元件30延伸所沿的方向可以与液晶分子LC延伸所沿的方向一致。发光元件30可以被设置为使得其两个端部可以以发光元件30延伸所沿的方向以沿第一电极21和第二电极22彼此间隔开的方向定向的状态放置在第一电极21和第二电极22上。与没有设置液晶分子LC时相比，发光元件30可以在电极21和22之间均匀地对准，并且可以在电极21和22之间具有高对准程度。
可以通过电场E使包括在墨S中的导电聚合物PM与液晶分子LC一起定向。导电聚合物PM的聚合物链的主链部分可以沿着液晶分子LC定向所沿的方向定向。导电聚合物PM可以聚集在产生电场E的电极21和22上，甚至聚集在发光元件30中的每个的在电极21和22上的两个端部上。导电聚合物PM可以分散在墨S中，可以与发光元件30一起聚集在电极21和22上，并且可以固定在电极21和22之间对准的发光元件30的位置。
当在电极21和22之间对准发光元件30之后形成接触电极26和27时，发光元件30的初始对准位置会改变。在这种情况下，发光元件30中的一些的定向方向或位置会在电极21和22之间改变，使得对应的发光元件30不会通过接触电极26和27电连接到电极21和22。然而，由于显示装置10的接触电极26和27包括导电聚合物PM，因此发光元件30可以在电极21和22之间对准，并且可以使用导电聚合物PM固定发光元件30。因此，可以不需要用于固定发光元件30的对准位置的单独构件或单独工艺，并且可以通过基本上同一工艺来执行发光元件30的对准和接触电极26和27的形成。
此后，参照图11，通过将光UV施加到目标基底SUB上以使聚集的导电聚合物PM固化来形成接触电极26和27。光UV可以是用于使导电聚合物PM固化而通常照射的光。在一个实施例中，光UV可以是紫外(UV)光，但是公开不限于此。
可以通过光UV使聚集在电极21和22以及发光元件30中的每个的两个端部上的导电聚合物PM固化，因此可以形成接触电极26和27。根据产生电场E的电极21和22的高度，导电聚合物PM可以以不同的密度聚集。例如，导电聚合物PM可以在电极21和22的由于第一堤40的存在而具有最大高度的部分上以最高密度聚集，而在电极21和22的直接设置在目标基底SUB上的部分上以相对低的密度聚集。因此，接触电极26和27可以从一个位置到另一个位置具有不同的厚度。
导电聚合物PM可以形成接触电极26和27，并且可以固定发光元件30。在一些实施例中，可以同时进行用于使导电聚合物PM固化的光UV的照射和用于使发光元件30对准的电场E的产生。在一个实施例中，可以通过在墨S上产生电场E以使液晶分子LC和发光元件30定向并且施加光UV使导电聚合物PM固化来固定发光元件30。在该步骤中，可以在固定发光元件30的对准位置的同时形成接触电极26和27。
此后，参照图12，去除墨S的溶剂和液晶分子LC。此外，尽管未具体示出，但是可以形成覆盖接触电极26和27以及发光元件30的第二绝缘层52，从而获得显示装置10。
如在显示装置10中那样，液晶分子LC和发光元件30被定向，发光元件30可以均匀地对准。此外，可以通过使用形成接触电极26和27并固定发光元件30的导电聚合物PM来防止发光元件30的对准位置的任何变化。因此，可以减少用于显示装置10的制造工艺的数量，并且可以改善发光元件30的对准程度。
在下文中将描述显示装置10的各种其他实施例。
图13是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
参照图13，显示装置10_1可以包括相对大量的电极21和22、第一堤40以及接触电极26和27。显示装置10_1的每个子像素PXn可以包括多个第一电极21和设置在第一电极21之间的至少一个第二电极22。在每个子像素PXn中，第一电极21和第二电极22可以被设置为在第一方向DR1上彼此间隔开并彼此面对，并且可以沿着第一方向DR1交替地布置。由于设置在每个子像素PXn中的电极21和22的数量增加，所以相对大量的第一堤40可以设置在第一平坦化层19上，并且相对大量的接触电极26和27可设置在电极21和22上。图13示出了当两个第一电极21和一个第二电极22设置在显示装置10_1的每个子像素PXn中时，设置三个第一堤40、两个第一接触电极26和一个第二接触电极27，但是公开不限于此。可以进一步增加第一堤40、电极21和22以及接触电极26和27的数量。
随着设置在显示装置10_1的第一电极21与第二电极22之间的发光元件30的数量增加，由每个单位像素PX或每个子像素PXn发射的光量可以增大。
第一电极21中的每个可以通过第一接触孔CT1与第一导电图案CDP接触，并且因此可以电连接到驱动晶体管DT。设置在第一电极21中的一个与第二电极22之间的发光元件30可以与设置在另一第一电极21与第二电极22之间的发光元件30形成并联连接，但是公开不限于此。在一些实施例中，显示装置10还可以包括不直接连接到设置在第一平坦化层19下方的电路元件的电极，并且设置在电极之间的发光元件30可以形成串联连接。
图14是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
参照图14，显示装置10_2还可以包括第一电极21和第二电极22，并且还可以包括设置在第一电极21与第二电极22之间的第三电极23。此外，接触电极26、27和28还可以包括设置在第三电极23上的第三接触电极28。第一堤40还可以设置在第三电极23与第一平坦化层19之间，多个发光元件30可以设置在第一电极21与第三电极23之间和第三电极23与第二电极22之间。显示装置10_2与图2的与其对应的部分的不同之处在于，每个子像素PXn还包括第三电极23和第三接触电极28。在下文中将描述第三电极23。
第三电极23设置在第一电极21与第二电极22之间。多个第一堤40(例如，三个第一堤40)可以设置在第一平坦化层19上，第一电极21、第三电极23和第二电极22可以顺序地布置在第一堤40上。第三电极23可以在第二方向DR2上延伸。与第一电极21和第二电极22不同，第三电极23可以在第二方向DR2上延伸，但是可以被设置为不与第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分叠置而是与第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分间隔开。也就是说，第三电极23在第二方向DR2上的长度可以比第一电极21和第二电极22的长度小，第三电极23可以被设置为不延伸超过相邻子像素PXn之间的边界。
发光元件30可以设置在第一电极21与第三电极23之间和第三电极23与第二电极22之间。第三接触电极28可以具有与第一接触电极26和第二接触电极27相同的形状，并且可以设置在第三电极23上。也就是说，第三接触电极28可以包括导电聚合物。
设置在第一电极21与第三电极23之间的发光元件30可以与第一接触电极26和第三接触电极28接触，因此可以电连接到第一电极21和第三电极23。设置在第三电极23与第二电极22之间的发光元件30可以与第三接触电极28和第二接触电极27接触，因此可以电连接到第三电极23和第二电极22。
与第一电极21和第二电极22不同，第三电极23可以不通过接触孔直接连接到电路元件层。施加到第一电极21和第二电极22的电信号可以通过第一接触电极26和第二接触电极27以及发光元件30传输到第三电极23。也就是说，设置在第一电极21与第三电极23之间的发光元件30可以与设置在第三电极23与第二电极22之间的发光元件30形成串联连接。由于显示装置10_2还包括第三电极23，因此可以在发光元件30之间构造串联连接，并且可以进一步改善每个子像素PXn的发射效率。
图15是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。图16是沿着图15的线VI-VI'截取的剖视图。
参照图15和图16，在显示装置10_3中，接触电极26_3和27_3的宽度可以比电极21和22的宽度小。接触电极26_3和27_3可以被设为仅覆盖电极21和22的顶表面的由于其上不存在第一绝缘层51而暴露的部分。例如，第一接触电极26_3可以被设置为与发光元件30的第一端部和第一电极21的顶表面的一部分接触，并且被设置为仅覆盖第一电极21的面对第二电极22的一侧。第二接触电极27_3可以被设置为与发光元件30的第二端部和第二电极22的顶表面的一部分接触，并且被设置为仅覆盖第二电极22的面对第一电极21的一侧。
在导电聚合物PM在电极21和22以及发光元件30上的聚集期间，可以控制接触电极26_3和27_3的宽度。如上所述，当在墨S上产生电场E以使液晶分子LC和发光元件30定向时，导电聚合物PM的聚合物链的主链部分也可以在一个方向上定向，使得导电聚合物PM可以聚集。这里，如果在发光元件30与电极21和22之间的空间中电场E很强，则导电聚合物PM可以强烈地聚集。因此，导电聚合物PM可以聚集在发光元件30上以及电极21和22的侧面上以形成接触电极26_3和27_3，接触电极26_3和27_3可以具有相对小的宽度。图15的实施例与图2和图3的实施例的不同之处在于接触电极26_3和27_3的宽度，并且将省略对任何冗余特征的描述。
图17是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。图18是沿着图17的线VIII-VIII'截取的剖视图。
参照图17和图18，在显示装置10_4中，接触电极26_4和27_4可以仅设置在电极21和22的设置有发光元件30的部分上。接触电极26_4和27_4可以不在一个方向上延伸，并且可以被设置为彼此间隔开以与电极21和22的设置有发光元件30的部分对应。因此，接触电极26_4和27_4可以在每个子像素PXn中形成岛图案。图17和图18的实施例与先前实施例的不同之处在于接触电极26_4和27_4的布局和形状。
如上所述，当在墨S上产生电场E时，液晶分子LC和发光元件30可以定向，并且导电聚合物PM可以聚集在电极21和22以及发光元件30上。这里，导电聚合物PM可以在发光元件30的影响下聚集，发光元件30在液晶分子LC的定向方向的影响下对准。当发光元件30通过电场E设置在电极21和22上时，导电聚合物PM可以聚集在发光元件30中的每个的两个端部上。因此，导电聚合物PM可以主要聚集在发光元件30中的每个的两个端部与电极21和22的在第一堤40的侧面上的部分上，接触电极26_4和27_4可以被设置为与电极21和22的放置有发光元件30中的每个的两个端部的部分对应。然而，至少一些导电聚合物PM可以聚集在电极21和22的顶表面的由于其上不存在第一绝缘层51而暴露的部分上，并且接触电极26_4和27_4可以与电极21和22接触。
此外，在一些实施例中，接触电极26_4和27_4可以在发光元件30中的每个的两个端部与电极21和22的在第一堤40的侧面上的部分之间最厚。在导电聚合物PM放置在电极21和22的其上设置有发光元件30中的每个的两个端部的部分上的情况下，相对大量的导电聚合物PM可以在发光元件30中的每个的两个端部附近聚集。因此，通过使导电聚合物PM固化而形成的接触电极26_4和27_4可以在发光元件30中的每个的两个端部与电极21和22的在第一堤40的侧面上的部分之间最厚，但是公开不限于此。
图19是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
参照图19，显示装置10_5的发光元件30_5可以在不与电极21和22延伸所沿的方向垂直而是与电极21和22延伸所沿的方向倾斜的方向上布置。因此，第一接触电极26_5和第二接触电极27_5可以在第一方向DR1与第二方向DR2之间的方向上彼此间隔开。图19的实施例与图17的实施例的不同之处在于，发光元件30_5的定向方向与接触电极26_5和27_5彼此间隔开的方向不同。
发光元件30_5可以与液晶分子LC一起定向，并且可以受到液晶分子LC的定向方向的影响。在一些实施例中，液晶分子LC可以在不与电极21和22延伸所沿的方向垂直的方向上定向，发光元件30_5可以在相对于电极21和22延伸所沿的方向的倾斜方向上布置。多个发光元件30_5可以在第一电极21与第二电极22之间对准，但是发光元件30_5的定向方向可以不与发光元件30_5的对准方向垂直。然而，当液晶分子LC在统一方向上定向时，发光元件30_5可以在统一方向上对准。
此外，发光元件30_5中的一些可以被设置为使得其仅一个端部可以放置在电极21和22上。然而，在导电聚合物PM以聚集状态设置在发光元件30_5中的每个的两个端部上的情况下，即使发光元件30_5在相对于电极21和22延伸所述的方向的倾斜的方向上定向，它们也可以能够电连接到电极21和22。接触电极26_5和27_5可以被设置为与发光元件30_5中的每个的两个端部对应。由于接触电极26_5和27_5具有预定宽度，因此接触电极26_5和27_5可以与电极21和22的顶表面的部分接触。即使发光元件30_5中的每个的一个端部未放置在电极21和22上，接触电极26_5和27_5仍然能够与发光元件30_5中的每个的对应端部以及电极21和22的部分接触。将省略对先前实施例的其他冗余特征的描述。
同时，接触电极26和27可以在覆盖发光元件30的区域中具有均匀的厚度。在一些实施例中，接触电极26和27的覆盖发光元件30的部分可以比发光元件30的直径大，并且发光元件30中的一些可以在剖视图中设置在不同的高度处。
图20是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
参照图20，显示装置10_6的发光元件30可以包括设置在不同高度处的发光元件30A和30B。发光元件30可以被设置为使得其两个端部可以放置在电极21和22上，并且可以包括直接设置在第一绝缘层51上的第一发光元件30A和设置在第一发光元件30A上的第二发光元件30B。
第一发光元件30A可以直接设置在第一绝缘层51上。第一发光元件30A可以与包括在显示装置10中的发光元件30相同。
在剖视图中，第二发光元件30B可以设置在第一发光元件30A上，并且可以定位在与第一发光元件30A不同的高度处。分散在墨S中的多个发光元件30可以通过电场E定向，因此可以设置在电极21和22上。这里，导电聚合物PM可以聚集在发光元件30中的每个的两个端部上，一个或更多个发光元件30可以通过由导电聚合物PM形成的聚集体固定。在这种情况下，发光元件30中的一些可以被设置为在厚度方向上彼此叠置。当导电聚合物PM被固化以形成接触电极26和27时，一个或更多个发光元件30可以被设置为在厚度方向上彼此叠置并且可以具有不同的高度。
由于多个发光元件30被设置为在厚度方向上彼此叠置并且放置在不同的高度处，因此可以在每个子像素PXn中布置相对大量的发光元件30。因此，可以增大显示装置10_6的每个子像素PXn的每单位面积的发射的光的量。
在结束详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离发明的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此，所公开的发明的优选实施例仅在一般性和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底；
第一电极和第二电极，设置在所述第一基底上以彼此间隔开；
多个发光元件，至少部分地设置在所述第一电极与所述第二电极之间；
第一接触电极，至少部分地覆盖所述第一电极，所述第一接触电极与所述多个发光元件的第一端部接触；以及
第二接触电极，与所述第一接触电极间隔开并且至少部分地覆盖所述第二电极，所述第二接触电极与所述多个发光元件的第二端部接触，
其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极包括导电聚合物。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电聚合物包括PEDOT:PSS。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极具有150nm至250nm的厚度。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极在所述多个发光元件上彼此间隔开。
5.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
多个第一堤，设置在所述第一电极和所述第二电极与所述第一基底之间，所述第一堤的中间部分比所述第一堤的其余部分厚，
其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极被设置为在厚度方向上至少部分地与所述第一堤叠置。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第一接触电极和所述第二接触电极被设置为在所述厚度方向上与所述第一堤叠置，并且
所述第一接触电极和所述第二接触电极的与所述第一堤的厚的部分叠置的部分比所述第一接触电极和所述第二接触电极的其余部分厚。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极的覆盖所述多个发光元件的所述第一端部的部分比所述第一接触电极和所述第二接触电极的其余部分厚。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述多个发光元件包括第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件的两个端部与所述第一接触电极和所述第二接触电极接触，所述第二发光元件设置在所述第一发光元件上并且所述第二发光元件的两个端部与所述第一接触电极和所述第二接触电极接触。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一绝缘层，设置在所述第一基底上，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，被设置为部分地覆盖所述第一电极和所述第二电极，
其中，所述多个发光元件设置在所述第一绝缘层上。
10.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二绝缘层，设置在所述第一基底上以覆盖所述第一电极和所述第二电极、所述多个发光元件以及所述第一接触电极和所述第二接触电极。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层与所述多个发光元件的外表面的部分直接接触，所述部分与所述第一接触电极和所述第二接触电极间隔开。
12.根据权利要求10所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二堤，设置在所述第一基底上以围绕设置有所述多个发光元件的区域，
其中，所述第二绝缘层也设置在所述第二堤上。
13.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
准备目标基底和设置在所述目标基底上的第一电极和第二电极；
将包括多个发光元件、液晶分子和导电聚合物的墨喷射到所述目标基底上；以及
通过在所述目标基底上产生电场以使所述液晶分子和所述多个发光元件定向并且使所述导电聚合物固化来形成设置在所述第一电极和所述第二电极上的多个接触电极。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述多个发光元件和所述液晶分子在一个方向上延伸，并且
形成所述多个接触电极的步骤包括使所述多个发光元件和所述液晶分子定向，使得所述多个发光元件和所述液晶分子延伸所沿的方向与所述目标基底的顶表面平行。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述液晶分子具有正介电各向异性。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，
所述导电聚合物通过所述电场定向，使得其主链部分面对一个方向，并且在所述第一电极和所述第二电极上聚集，并且
所述多个发光元件通过所述导电聚合物以其两个端部在一个方向上定向的方式固定。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述导电聚合物包括PEDOT:PSS。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，通过在所述多个发光元件和所述液晶分子在一个方向上定向的情况下施加光来执行固化所述导电聚合物的步骤。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述多个发光元件包括第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件的两个端部设置在所述第一电极和所述第二电极上，所述第二发光元件设置在所述第一发光元件上并且所述第二发光元件的两个端部设置在所述第一电极和所述第二电极上。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述多个接触电极包括第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极与所述多个发光元件的第一端部和所述第一电极接触，所述第二接触电极与所述多个发光元件的第二端部和所述第二电极接触并且与所述第一接触电极间隔开。
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