CN113337893A - 具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备 - Google Patents

具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备 Download PDF

Info

Publication number
CN113337893A
CN113337893A CN202110608165.7A CN202110608165A CN113337893A CN 113337893 A CN113337893 A CN 113337893A CN 202110608165 A CN202110608165 A CN 202110608165A CN 113337893 A CN113337893 A CN 113337893A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon carbide
cover plate
silicon
carbide powder
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110608165.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113337893B (zh
Inventor
陈启生
许学仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhongke Huitong Inner Mongolia Investment Holding Co ltd
Original Assignee
Zhongke Huitong Inner Mongolia Investment Holding Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhongke Huitong Inner Mongolia Investment Holding Co ltd filed Critical Zhongke Huitong Inner Mongolia Investment Holding Co ltd
Priority to CN202110608165.7A priority Critical patent/CN113337893B/zh
Publication of CN113337893A publication Critical patent/CN113337893A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113337893B publication Critical patent/CN113337893B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/002—Controlling or regulating
    • C30B23/005—Controlling or regulating flux or flow of depositing species or vapour

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明申请公开了一种具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，包括石英管、感应线圈和石墨坩埚，所述石墨坩埚包括碳化硅粉末加热区、生长腔室和籽晶托，所述碳化硅粉末加热区与所述生长腔室之间还设有第二盖板和第三盖板，所述碳化硅粉末加热区底部设有穿过碳化硅粉末的竖直气管。本发明申请的技术方案采用石墨坩埚底部结构和多盖板相配合的结构，实现了对碳化硅粉末加热区的多空间分隔，改变了碳化硅粉末升华后气体组分的输出路径，使得升华气体多次通过碳化硅粉末并形成持续大循环，使得碳化硅粉末得到多次重复加热，协调富硅组分和富碳组分气体的升华速度，进而获得高质量的碳化硅单晶。

Description

具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备
技术领域
本发明涉及碳化硅单晶生长领域，更具体地，涉及一种具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备。
背景技术
碳化硅是第三代半导体材料的典型代表，目前碳化硅的生长技术主要以物理气相输运(PVT)为主，其原理是通过加热线圈感应方式使石墨坩埚整体发热，坩埚底部碳化硅粉末温度高，顶部籽晶温度低，使坩埚内部形成轴向温度梯度，碳化硅粉末在坩埚底部受热升华后在籽晶生长面上实现碳化硅单晶的生长。
碳化硅单晶生长初期，硅组分会在坩埚内优先升华，使得碳化硅粉末中的相对硅含量越来越低，导致在碳化硅晶体生长中后期，碳化硅粉末中剩余的未升华的碳化硅粉末变得越来越富含碳，进而在生长气氛中出现碳硅比例大幅超过1：1，在籽晶生长面处造成硅流量偏低，生长表面出现碳化问题，并由此导致碳化硅单晶内部缺陷增多的问题。
因此，设计一种新型结构的石墨坩埚，使得在碳化硅单晶生长的初期和中后期，生长气氛中的碳硅比例都能处于合理的比例范围，将有助于获得低缺陷高质量的碳化硅单晶。
发明内容
就上述现有技术存在的问题，本发明申请通过对石墨坩埚的碳化硅粉末存放区结构进行优化设计，采用多盖板分隔的方式形成多个空间，利用空间结构实现碳化硅粉末升华气体组分输送通道路径的改变，使得碳化硅粉末中气相碳和气相硅组分的挥发速度和挥发量得到合理匹配，从而调节生长气氛中的碳硅比例，进而获得高质量的碳化硅单晶。
为实现上述目的，本发明申请提出了一种具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其采用的主要技术方案如下：
包括石英管、感应线圈和石墨坩埚，所述石墨坩埚包括碳化硅粉末加热区、生长腔室和籽晶托，所述碳化硅粉末加热区由第一盖板和石墨坩埚底部构成，所述碳化硅粉末加热区与所述生长腔室之间还设有第二盖板和第三盖板，所述碳化硅粉末加热区底部设有穿过碳化硅粉末的竖直气管，所述碳化硅粉末加热区与石墨坩埚内壁之间至少设有一条气体通道与所述竖直气管的底部相通，所述气体通道的上端与第一盖板及第二盖板之间的半密闭空间相连通。
本发明申请还包括如下附属的技术方案：
第一盖板和石墨坩埚底部构成半密闭空间，所述碳化硅粉末加热区在装填完碳化硅粉末后仍留有空间。
所述竖直气管的顶部超过所述碳化硅粉末的上表面。
所述第三盖板位于所述第二盖板的上方，所述第三盖板和第二盖板之间构成半密闭空间。
所述第一盖板、第二盖板和第三盖板的直径依次增大。
所述石墨坩埚的内壁包括第一盖板固定块、第二盖板固定块和第三盖板固定块。由于第一盖板固定块、第二盖板固定块和第三盖板固定块都是具有一定宽度的环形条，因此当第一盖板、第二盖板和第三盖板安装到位后，会利用各自的重力作用于各个盖板固定块之间形成密封配合。
所述竖直气管的底部设有与所述气体通道相通的进气口，所述竖直气管的下部1/3高度范围的外表面存在贯通的第一气孔，所述竖直气管超过碳化硅粉末上表面的上部外表面存在贯通的第二气孔，竖直气管第一气孔所在横截面内的气孔数量多于第二气孔所在横截面内的气孔数量，第二气孔的存在可以使得竖直气管内的气体形成循环驱动力。
所述第一盖板表面设有均匀分布的第一微孔，所述第二盖板表面只在中心处设有均匀分布的第二微孔，所述第三盖板表面设有均匀分布的第三微孔。
第三微孔的密度大于第一微孔的密度。不同的微孔密度设计，可以调节气相组分快速输出，或者部分输出部分返回进行循环。
所述第一盖板和第二盖板之间的间距不超过20 mm，所述第二盖板和第三盖板之间的间距不超过20 mm。
与现有技术相比，本发明的优点和有益效果在于：
第一，本发明申请的技术方案采用石墨坩埚底部结构和多盖板相配合的结构，实现了对碳化硅粉末加热区的多空间分隔。通过第一盖板与第一盖板固定块的配合，使得碳化硅粉末加热区成为半密闭空间，加热升华的气相组分只能通过第一盖板表面的第一微孔输出；通过第二盖板与第二盖板固定块的配合，使得第二盖板下方再次出现半密闭空间，由于第二盖板只在中部存在少量的第二微孔，因此透过第一盖板表面输出的气相组分中的大部分气体来不及通过第二微孔，从而通过气体通道进入碳化硅粉末的竖直气管当中，二进入竖直气管中的气体大部分通过其底部1/3高度范围内的第一气孔进入到碳化硅粉末中，对粉末进行二次加热后再次穿过第一盖板表面的第一微孔。
第二，本发明申请的技术方案通过结构设计改变了碳化硅粉末升华后气体组分的输出路径，使得升华气体多次通过碳化硅粉末并形成持续大循环，使得碳化硅粉末得到多次重复加热，协调富硅组分和富碳组分气体的升华速度。本发明技术方案中的多个半密闭空间中通过微孔的密度设计，实现了对气体输出路径的可控。通常情况下，碳化硅粉末上方是敞开的空间，受热升华的气相组分可以直接自由进入生长腔室中，而本发明申请中利用特殊的结构设计改变了升华气体的输出路径，使其中的大部分气体在碳化硅粉末中不断循环穿过，这样处理一方面有利于含碳气相组分的加速升华缩短与硅气相组分的升华速度，另一方面使得碳化硅粉末得到充分的翻动搅动，促进了碳化硅粉末的混合。最终使得碳化硅粉末中气相碳和气相硅组分的挥发速度和挥发量得到合理匹配，从而调节生长气氛中的碳硅比例，进而获得高质量的碳化硅单晶。
附图说明
图1为本发明的SiC单晶生长设备的整体结构示意图。
图2为本发明的图1中A-A剖面结构示意图。
图3为本发明的第一盖板的结构示意图。
图4为本发明的第二盖板的结构示意图。
图5为本发明的第三盖板的结构示意图。
图6为本发明的竖直气管的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明技术方案进行详细阐述。需要说明的是，本发明文件中的“半密闭空间”指的是除了盖板表面气孔和气体通道之外，没有其它位置可供气体出入的空间。
参见图1和图2，本发明申请的一种具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，包括石英管2、感应线圈3和石墨坩埚1，所述石英管和加热线圈位于所述石墨坩埚的外部，所述石墨坩埚1包括碳化硅粉末加热区11、生长腔室12和籽晶托13，所述碳化硅粉末加热区受热升华的气体进入生长腔室内，并在所述籽晶托上的籽晶表面生长碳化硅单晶，所述碳化硅粉末加热区11由第一盖板14和石墨坩埚1底部构成，所述碳化硅粉末加热区11与所述生长腔室12之间还设有第二盖板15和第三盖板16，所述碳化硅粉末加热区11底部设有穿过碳化硅粉末的竖直气管17，所述碳化硅粉末加热区11与石墨坩埚1内壁之间至少设有一条气体通道18与所述竖直气管17的底部相通，所述气体通道18的上端与第一盖板14及第二盖板15之间的半密闭空间相连通。优选的，所述气体通道18的数量为2条或3条或4条或5条或6条。所述气体通道与所述竖直气管之间可以一一对应连接，或同一条气体通道同时连接2个以上的竖直气管。
第一盖板14和石墨坩埚1底部构成半密闭空间，所述碳化硅粉末加热区11在装填完碳化硅粉末后仍留有空间。该预留空间一方面是为了便于碳化硅升华气体快速输出，另一方面是为了使得竖直气管的上部暴露在碳化硅粉末上方。
所述竖直气管17的顶部超过所述碳化硅粉末的上表面。
所述第三盖板16位于所述第二盖板15的上方，所述第三盖板16和第二盖板15之间构成半密闭空间。
所述第一盖板14、第二盖板15和第三盖板16的直径依次增大，利用不同位置盖板直径的大小差异，可以实现在石墨坩埚第三盖板上方筒壁只留一个可打开位置即可实现三个盖板的依次放置，当然也可以在每一个盖板上方均设计一个可打开位置来分别安装三个盖板。
所述石墨坩埚1的内壁包括第一盖板固定块141、第二盖板固定块151和第三盖板固定块161。由于第一盖板固定块、第二盖板固定块和第三盖板固定块都是具有一定宽度的环形条，因此当第一盖板、第二盖板和第三盖板安装到位后，会利用卡槽结构和各自的重力作用于各个盖板固定块之间形成密封配合，从而实现各自半密闭空间的形成。所述石墨坩埚在第一盖板上方、第二盖板上方和第三盖板上方均可以打开，从而便于碳化硅粉末、第一盖板、第二盖板和第三盖板的安装。
参见图6，所述竖直气管17的底部设有与所述气体通道18相通的进气口170，所述竖直气管17的下部1/3高度范围的外表面存在贯通的第一气孔171，所述竖直气管17超过碳化硅粉末上表面的上部外表面存在贯通的第二气孔172，这也是所述碳化硅粉末加热区11在装填完碳化硅粉末后仍留有空间，所述竖直气管17的顶部超过所述碳化硅粉末的上表面的原因所在，竖直气管17的第一气孔171所在横截面内的气孔数量多于第二气孔172所在横截面内的气孔数量，第二气孔的存在可以使得竖直气管内的气体形成循环驱动力，使得升华气体更易于进入到竖直气管内。
参见图3，所述第一盖板14表面设有均匀分布的第一微孔140，参见图4，所述第二盖板15表面只在中心处设有均匀分布的第二微孔150，参见图5，所述第三盖板16表面设有均匀分布的第三微孔160。
第三微孔160的密度大于第一微孔140的密度。不同的气孔密度设计，可以调节气相组分快速输出还是部分输出部分返回。第一微孔均匀分布使得升华气体可以顺利通过第一盖板，进入到第一盖板和第二盖板之间的半密闭空间，由于第二盖板只在中部设有第二微孔，因此刚开始只能有一部分气体通过，经过一段时间的循环后，整个碳化硅粉末加热区的气相组分趋于足量稳定供应后，第二盖板和第三盖板之间的半密闭空间就会被充满，从而实现对生长腔室内持续稳定供应气体。
所述第一盖板14和第二盖板15之间的间距不超过20 mm，所述第二盖板15和第三盖板16之间的间距不超过20 mm。该间距的设计使得升华的气相组分可以有一大部分重新经过气体通道进入到竖直气管中，并经过竖直气管下部的第一气孔进入到碳化硅粉末中，使得大部分气体组分在进入到生长腔室前重新穿过粉末，即可以提高粉末的加热效率和均匀性，同时也可以使得升华较慢的碳化硅粉末中的气相碳组分与气相硅组分之间进入生长腔室的时间差大幅缩短，从而实现对生长气氛中碳硅比例的调节，也可以有效改善碳化硅粉末在生长中后期的富碳现象。
本发明申请技术方案中，通过多盖板的空间设计实现了气相组分输送路径的改变和在碳化硅粉末中的持续循环，保证了在整个生长周期内，生长气氛中的气体组分中碳硅比例均处在合理的范围内。具体过程如下，碳化硅单晶生长初期，碳化硅粉末受热升华的气相硅组分气体量相对较少时，首先通过第一盖板表面的第一微孔，进入到第一盖板和第二盖板之间的半密闭空间，由于第二盖板表面只有中部有较少的第二微孔，少部分气体经过第二微孔进入到第二微孔和第三微孔之间的半密闭空间，大部分气体通过气体通道进入石墨坩埚底部的竖直气管的进气口内，并进一步通过竖直气管底部的第一微孔进入到碳化硅粉末中，对碳化硅粉末形成二次加热，促进其中气相组分的进一步形成，在穿过碳化硅粉末后和新升华的气体再次进入第一盖板和第二盖板之间的半密闭空间，重新开始一次循环。由于生长初期大部分含硅气体重新进入到碳化硅粉末中，生长气氛中的富硅气体组分相对较少，所以随着碳化硅粉末中更多含碳气相组分的升华和循环，使得在进入稳定生长周期后，第二盖板和第三盖板之间的气相组分中的气相硅和气相碳的比例保持在1附近的合理范围内，并一直保持该状态在生长中期和生长后期，进而使得进入生长腔室内的气体中碳硅比例均处于合理范围内，从而获得高质量的碳化硅单晶。
以上已经描述了本发明的各实施例，但在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的，其相应修改或变更均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (10)

1.具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，包括石英管、感应线圈和石墨坩埚，其特征在于，所述石墨坩埚包括碳化硅粉末加热区、生长腔室和籽晶托，所述碳化硅粉末加热区由第一盖板和石墨坩埚底部构成，所述碳化硅粉末加热区与所述生长腔室之间还设有第二盖板和第三盖板，所述碳化硅粉末加热区底部设有穿过碳化硅粉末的竖直气管，所述碳化硅粉末加热区与石墨坩埚内壁之间至少设有一条气体通道与所述竖直气管的底部相通，所述气体通道的上端与第一盖板及第二盖板之间的半密闭空间相连通。
2.如权利要求1所述的具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其特征在于，第一盖板和石墨坩埚底部构成半密闭空间，所述碳化硅粉末加热区在装填完碳化硅粉末后仍留有空间。
3.如权利要求1所述的具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其特征在于，所述竖直气管的顶部超过所述碳化硅粉末的上表面。
4.如权利要求1所述的具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其特征在于，所述第三盖板位于所述第二盖板的上方，所述第三盖板和第二盖板之间构成半密闭空间。
5.如权利要求1所述的具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其特征在于，所述第一盖板、第二盖板和第三盖板的直径依次增大。
6.如权利要求1所述的具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其特征在于，所述石墨坩埚的内壁包括第一盖板固定块、第二盖板固定块和第三盖板固定块。
7.如权利要求1所述的具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其特征在于，所述竖直气管的底部设有与所述气体通道相通的进气口，所述竖直气管的下部1/3高度范围的外表面存在贯通的第一气孔，所述竖直气管超过碳化硅粉末上表面的上部外表面存在贯通的第二气孔，竖直气管第一气孔所在横截面内的气孔数量多于第二气孔所在横截面内的气孔数量。
8.如权利要求1所述的具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其特征在于，所述第一盖板表面设有均匀分布的第一微孔，所述第二盖板表面只在中心处设有均匀分布的第二微孔，所述第三盖板表面设有均匀分布的第三微孔。
9.如权利要求8所述的具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其特征在于，第三微孔的密度大于第一微孔的密度。
10.如权利要求1所述的具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其特征在于，所述第一盖板和第二盖板之间的间距不超过20 mm，所述第二盖板和第三盖板之间的间距不超过20 mm。
CN202110608165.7A 2021-06-01 2021-06-01 具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备 Active CN113337893B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110608165.7A CN113337893B (zh) 2021-06-01 2021-06-01 具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110608165.7A CN113337893B (zh) 2021-06-01 2021-06-01 具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113337893A true CN113337893A (zh) 2021-09-03
CN113337893B CN113337893B (zh) 2022-08-02

Family

ID=77474082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110608165.7A Active CN113337893B (zh) 2021-06-01 2021-06-01 具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113337893B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114059154A (zh) * 2021-11-17 2022-02-18 宁波合盛新材料有限公司 一种碳化硅单晶生长装置及方法
CN114990696A (zh) * 2022-05-25 2022-09-02 北京天科合达半导体股份有限公司 一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000319098A (ja) * 1999-04-28 2000-11-21 Showa Denko Kk 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
JP2009040637A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Denso Corp 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
CN105525352A (zh) * 2016-01-12 2016-04-27 台州市一能科技有限公司 一种采用升华法高速制造碳化硅晶体的装置及方法
CN206418222U (zh) * 2016-12-29 2017-08-18 山东天岳晶体材料有限公司 一种无包裹碳化硅晶体生长室
CN206624942U (zh) * 2016-12-19 2017-11-10 山东天岳先进材料科技有限公司 一种物理气相输运法生长碳化硅晶体的装置
CN110129885A (zh) * 2019-04-22 2019-08-16 山东天岳先进材料科技有限公司 一种碳化硅晶体及其制备方法
CN112126975A (zh) * 2020-09-18 2020-12-25 山东国晶电子科技有限公司 碳化硅单晶生长装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000319098A (ja) * 1999-04-28 2000-11-21 Showa Denko Kk 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
JP2009040637A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Denso Corp 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
CN105525352A (zh) * 2016-01-12 2016-04-27 台州市一能科技有限公司 一种采用升华法高速制造碳化硅晶体的装置及方法
CN206624942U (zh) * 2016-12-19 2017-11-10 山东天岳先进材料科技有限公司 一种物理气相输运法生长碳化硅晶体的装置
CN206418222U (zh) * 2016-12-29 2017-08-18 山东天岳晶体材料有限公司 一种无包裹碳化硅晶体生长室
CN110129885A (zh) * 2019-04-22 2019-08-16 山东天岳先进材料科技有限公司 一种碳化硅晶体及其制备方法
CN112126975A (zh) * 2020-09-18 2020-12-25 山东国晶电子科技有限公司 碳化硅单晶生长装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114059154A (zh) * 2021-11-17 2022-02-18 宁波合盛新材料有限公司 一种碳化硅单晶生长装置及方法
CN114990696A (zh) * 2022-05-25 2022-09-02 北京天科合达半导体股份有限公司 一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置
CN114990696B (zh) * 2022-05-25 2023-12-26 北京天科合达半导体股份有限公司 一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113337893B (zh) 2022-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113337893B (zh) 具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备
CN109234804B (zh) 一种碳化硅单晶生长方法
CN111748843B (zh) 碳化硅单晶生长装置
CN109234797B (zh) 一种碳化硅单晶生长装置
CN106119954A (zh) 一种碳化硅单晶制造装置
CN109355705B (zh) 一种制备高质量单晶碳化硅的装置及其应用
CN114990690B (zh) 一种用于气相升华法制备碳化硅单晶的坩埚装置
CN110129885A (zh) 一种碳化硅晶体及其制备方法
CN113249791A (zh) 可调节生长气氛中碳硅比例的碳化硅单晶生长石墨坩埚
CN110424052A (zh) 坩埚
CN113293438A (zh) 一种具有双生长腔室的翻转式SiC单晶生长装置
CN115125613B (zh) 一种制备单晶碳化硅的生长装置
CN109234799B (zh) 一种提高pvt法碳化硅单晶生长质量的方法
CN218711041U (zh) 制备碳化硅晶体的生长装置
CN115613138A (zh) 高效制备高质量碳化硅单晶的生长装置
CN117187960A (zh) 提高大尺寸晶体掺杂效率的坩埚及碳化硅晶体掺杂方法
CN113249784B (zh) 一种可平衡生长体系气氛的碳化硅单晶生长装置
CN116575122B (zh) N型碳化硅晶体、制备方法及生长装置
CN109234805B (zh) 一种高纯碳化硅单晶的生长方法
CN205990463U (zh) 一种用于氮化铝晶体生长炉的热场
CN116180221A (zh) 提升碳化硅粉料利用率的坩埚结构及碳化硅晶体制备方法
CN218989471U (zh) 碳化硅长晶装置及长晶系统
CN114134571B (zh) 坩埚组件和具有其的单晶生长装置
CN115491759A (zh) 一种用于制备碳化硅单晶的附加粉源容器及坩埚装置
JPH05306199A (ja) 炭化ケイ素単結晶製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant