CN113327958A - 显示装置及制造显示装置的方法 - Google Patents

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金炫荣
朴鲁眩
朴种力
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Abstract

提供了一种显示装置和制造显示装置的方法。该制造显示装置的方法包括：在显示区域和非显示区域中提供第一有机层以分别覆盖像素电极和焊盘电极；在显示区域提供发光元件的第一电极，第一有机层在像素电极和第一电极之间；在形成第一电极之后，去除第一有机层的在非显示区域中的部分以使焊盘电极从第一有机层暴露，以及提供与第一电极对应的发光元件的发光层。

Description

显示装置及制造显示装置的方法
本专利申请要求于2020年2月28日提交的第10-2020-0025434号韩国专利申请的优先权和从其获取的所有权益，该专利申请的公开内容通过引用以其整体特此并入。
技术领域
实施方式涉及显示装置及其制造方法。更具体地，实施方式涉及具有减少的缺陷的显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
目前正在开发应用于多媒体装置(诸如电视、移动电话、平板电脑、导航装置和游戏装置)的各种显示装置。显示装置包括键盘或鼠标作为输入装置。此外，显示装置包括输入传感器(诸如触摸面板)作为输入装置。
显示装置包括显示面板和电路板。显示面板经由电路板连接到主板。
发明内容
一个或多个实施方式提供一种显示装置，其中减少了信号焊盘中的缺陷。
一个或多个实施方式提供了一种制造显示装置的方法。
实施方式提供了一种制造显示装置的方法，其包括：提供显示面板，显示面板包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域，非显示区域包括焊盘区域和非焊盘区域，通过焊盘区域将来自显示面板的外部的电信号提供给显示面板，非焊盘区域在显示区域和焊盘区域之间；在显示区域中提供像素电极；在焊盘区域中提供焊盘电极；提供在显示区域和非显示区域中的第一有机层以分别覆盖像素电极和焊盘电极；在显示区域中提供发光元件的第一电极，第一有机层在像素电极和第一电极之间；在提供第一电极之后，去除第一有机层的在非显示区域中的部分以使焊盘电极从第一有机层暴露；以及提供与第一电极对应的发光元件的发光层。
提供第一电极可包括：在第一有机层上提供初始第一电极层，初始第一电极层包括与发光元件的第一电极对应的第一电极部分以及围绕第一电极部分的外围部分；提供覆盖初始第一电极层的光刻胶层；去除与初始第一电极层的外围部分对应的光刻胶层的第一部分，以使初始第一电极层的外围部分从光刻胶层暴露并且限定与初始第一电极层的第一电极部分对应的光刻胶层的第二部分；去除初始第一电极层的外围部分以使第一有机层的与初始第一电极层的外围部分对应的部分暴露；以及去除光刻胶层的第二部分以露出初始第一电极层的第一电极部分并且由第一电极部分限定第一电极。
去除初始第一电极层的外围部分的方法可包括湿法蚀刻。
焊盘电极可包括侧表面、第一焊盘电极和在第一焊盘电极上的第二焊盘电极。第二焊盘电极可包括第一金属层、在第一金属层上的第二金属层和在第二金属层上的第三金属层，并且第一金属层、第二金属层和第三金属层中的每个可在侧表面处被暴露。
第一金属层、第二金属层和第三金属层中的至少一个可包括铝。
第二焊盘电极可直接在第一焊盘电极上。
去除第一有机层的在非显示区域中的部分可包括去除第一有机层的在非显示区域中的该部分的一部分，以提供在非显示区域中的第二有机层；以及去除第二有机层的一部分，以露出焊盘区域中的焊盘电极以及提供在非显示区域中的第三有机层。
去除第一有机层的在非显示区域中的部分可包括干法蚀刻。
第一有机层和第二有机层中的每个可具有厚度，并且第二有机层的厚度可小于第一有机层的厚度。
该方法还可包括提供绝缘层，第三有机层和焊盘电极设置在绝缘层上。第三有机层可包括：与非显示区域的非焊盘区域对应的第一部分，第一部分包括距绝缘层最远的第一表面；以及从第一部分通过非焊盘区域延伸到焊盘区域中的第二部分，第二部分包括从第一部分的第一表面朝向焊盘电极延伸到绝缘层的第二表面，其中，第二表面在横截面中具有凹面的形状。
第一电极可包括银。
在提供非显示区域中的第一有机层中，第一有机层可覆盖整个焊盘电极。
实施方式提供了一种显示装置，其包括：显示面板，其包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域，非显示区域包括焊盘区域和非焊盘区域，通过焊盘区域将来自显示面板的外部的电信号提供给显示面板，非焊盘区域在显示区域和焊盘区域之间；基构件；在基构件上的第一绝缘层；在显示区域中的像素电极，像素电极面对基构件，第一绝缘层在像素电极和基构件之间；在焊盘区域中的焊盘电极，焊盘电极面对基构件，第一绝缘层在焊盘电极和基构件之间；以及在显示区域中的面对第一绝缘层的第二绝缘层，像素电极在第一绝缘层和第二绝缘层之间，第二绝缘层从显示区域延伸到非显示区域中以限定与非焊盘区域对应的第一部分，以及从第一部分朝向焊盘电极延伸到焊盘区域中的第二部分，第二部分限定距第一绝缘层最远的上表面，其中，上表面在横截面中具有凹面的形状。
显示装置还可包括，在显示区域中的发光元件的第一电极，第一电极面对第一绝缘层，第二绝缘层在第一电极和第一绝缘层之间。
第二绝缘层的第一部分和第二部分中的每个可具有厚度。第二绝缘层的第二部分的厚度可小于第二绝缘层的第一部分的厚度。
像素电极可被第二绝缘层覆盖，并且焊盘电极可从第二绝缘层暴露。
像素电极可包括第一像素电极和在第一像素电极上的第二像素电极，并且显示面板还可包括第一像素电极和第二像素电极之间的第三绝缘层。
焊盘电极可包括侧表面、第一焊盘电极和直接在第一焊盘电极上的第二焊盘电极，并且第二焊盘电极可覆盖第一焊盘电极。
第二焊盘电极可包括第一金属层、在第一金属层上的第二金属层以及在第二金属层上的第三金属层，并且第一金属层、第二金属层和第三金属层中的每个可在侧表面处暴露于焊盘电极的外部。
第一金属层、第二金属层和第三金属层中的至少一个可包括铝，并且第一金属层、第二金属层和第三金属层中的其余可包括钛。
根据上述一个或多个实施方式，可减少或者有效防止银离子在焊盘电极周围放电的缺陷，由于在提供显示区域中的阳极电极中的湿法蚀刻工艺，该缺陷因焊盘电极的铝与非显示区域中的(第一)阳极电极的银之间的电化反应而引起。
由于在湿法蚀刻工艺之前在非显示区域的焊盘电极上提供了有机层以覆盖和隔离焊盘电极，因此可减少或者有效防止在阳极电极的提供期间生成的银与焊盘电极的铝之间的电化反应。
在提供阳极电极之后，通过干法蚀刻工艺去除了覆盖焊盘电极的有机层。然后，在随后的模块工艺中用于将显示面板附接到膜上芯片(Chip-On-Film，COF)的焊盘电极可暴露于有机层的外部。
附图说明
在结合附图考虑下面的详细描述时，通过参照下面的详细描述，本公开内容的以上和其他特征将变得轻而易举地显而易见，在附图中：
图1是显示装置的实施方式的透视图；
图2是示出显示装置的实施方式的横截面视图；
图3是示出显示面板的实施方式的横截面视图；
图4A是示出显示面板的实施方式的平面视图；
图4B是示出显示面板的实施方式的横截面视图；
图5A是示出显示面板的焊盘区域的实施方式的平面视图；
图5B是示出显示面板的焊盘区域的实施方式的横截面视图；以及
图6A至图6I是示出制造显示装置的方法的实施方式的横截面视图。
具体实施方式
现将参照其中示出了各种实施方式的附图在下文中更全面地描述本发明。然而，本发明可以许多不同的形式实施，并且应不被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开内容将是详尽的和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达本发明的范围。
在本公开内容中，将理解的是，当元件或层被称为与另一元件或层相关，诸如在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，该元件或层能直接在该另一元件或层上、直接连接到或直接耦接到该另一元件或层(例如，在它们之间不存在居间的元件或层)，或者它们之间可存在居间的第三元件或层。
通篇相似的附图标记是指相同的元件。在附图中，部件的厚度、比率和尺寸出于有效描述技术内容的目的而被夸大。
如本文中所使用的术语“和/或”包括相关联的列出项中的一个或多个的任何和所有组合。
将理解的是，尽管在本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、部件、区、层和/或区段，但是这些元件、部件、区、层和/或区段应不受这些术语的限制。这些术语仅用于使一个元件、部件、区、层或区段区别于另一元件、部件、区、层或区段。因此，在不偏离本公开内容的教导的情况下，下文中所讨论的第一元件、部件、区、层或区段可被称为第二元件、部件、区、层或区段。
本文中所使用的术语仅出于描述具体实施方式的目的，而非旨在成为限制。除非上下文清楚地另有指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该”旨在还包括复数形式。例如，除非上下文清楚地另有指示，否则“一元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个”应不被解释为限制“一(a)”或“一(an)”。“或”意指“和/或”。
为了描述的便利，空间相对术语，诸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”和类似词，在本文中可用于描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。
还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括(includes)”和/或“包括(including)”指明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在和添加。
考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的局限)，如本文中所使用的“约”或“大致”包含在如本领域普通技术人员所确定的对于特定值的可接受的偏差范围内的所陈述的值以及平均值。例如，“约”能意指一个或多个标准偏差内的平均值，或者在所陈述的值的±30％、20％、10％、5％内的平均值。
除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，诸如通用词典中限定的那些术语应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此限定，否者将不以理想化的或者过于正式的意义来解释那些术语。
本文中参照作为理想化的实施方式的示意性图示的横截面图示描述了实施方式。就其本身而言，将预料到作为例如制造技术和/或公差的结果的图示的形状的变化。因此，本文中所描述的实施方式应不被解释为限于如本文中所示出的区的特定形状，但是将包括因例如制造导致的形状的偏差。例如，被示出或描述为平坦的区可典型地具有粗糙和/或非线性特征。而且，所示出的尖角可被倒圆。因此，图中所示的区在本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区的精确形状并且不旨在限制权利要求的范围。
在下文中，将参照附图描述本公开内容的实施方式。
图1是示出显示装置DD的实施方式的透视图。图2是示出显示装置DD的实施方式的横截面视图。
参照图1，显示装置DD在显示表面DD-IS处或通过显示表面DD-IS显示图像IM。显示表面DD-IS设置在与由彼此交叉的第一方向轴线DR1(例如，第一方向)和第二方向轴线DR2(例如，第二方向)限定的平面基本上平行的平面中。第三方向轴线DR3(例如，第三方向)指示与由第一方向轴线DR1和第二方向轴线DR2限定的平面垂直的显示表面DD-IS的线方向，例如，显示装置DD和/或其各种部件的厚度方向。
以下描述的每个构件或每个单元的前(或上)和后(或下)表面沿第三方向轴线DR3彼此区分。然而，第一方向轴线DR1、第二方向轴线DR2和第三方向轴线DR3仅是示例性的。在下文中，第一方向、第二方向和第三方向分别对应于由第一方向轴线DR1、第二方向轴线DR2和第三方向轴线DR3指示的方向，并且分配有与第一方向轴线DR1、第二方向轴线DR2和第三方向轴线DR3相同的附图标记。
在实施方式中，显示装置DD包括平坦的显示表面，但是不限于此或受其限制。显示装置DD还可包括弯曲的显示表面。显示装置DD可包括三维显示表面。三维显示面可包括面对彼此不同的方向的多个显示区域。在实施方式中，例如，三维显示表面可具有多边形的柱形显示表面。
显示装置DD可是刚性显示装置，但是不限于此或受其限制。显示装置DD可是柔性显示装置。柔性显示装置可包括可折叠显示装置或者可卷曲、可弯折、可折叠等的可弯折显示装置。
可被应用于移动电话终端的显示装置DD被示出为代表性示例。尽管图中没有示出，但是安装在主板上的电子模块、相机模块和电源模块可被放置在显示装置DD内的支架或外壳上，以形成移动电话终端。显示装置DD可被应用于大型电子装置，诸如电视机和显示器，以及中小型电子装置，诸如平板电脑、汽车导航单元、游戏单元和智能手表。
如图1所示，显示表面DD-IS包括通过其显示图像IM的图像区域DD-DA和与图像区域DD-DA相邻的边框区域DD-NDA。图像IM不通过边框区域DD-NDA显示。图1示出了图标作为图像IM的代表性示例。显示装置DD及其各种部件可包括与用于显示表面DD-IS的以上所描述的那些对应的图像区域DD-DA和边框区域DD-NDA。
如图1所示，图像区域DD-DA可具有基本上四边形形状。表述“基本上四边形形状”不仅可意指数学上限定的四边形形状，还可意指在顶点区域(或角区域)而不是顶点中限定曲线边界的四边形形状。
边框区域DD-NDA可围绕图像区域DD-DA，但是不限于此或受其限制。图像区域DD-DA的形状和边框区域DD-NDA的形状可以不同的形状设计。边框区域DD-NDA可仅在图像区域DD-DA的一个边处限定。依据显示装置DD和包括显示装置DD的电子装置的其他部件的组合，边框区域DD-NDA可不暴露于显示装置DD的外部，或边框区域DD-NDA从显示装置DD的外部可不是可见的。
图2示出了由第二方向轴线DR2和第三方向轴线DR3限定的横截面(例如，沿第一方向轴线DR1的视图)。显示装置DD的部件被示意性示出以说明其堆叠关系。
显示装置DD可包括显示面板DP、输入传感器ISL(例如，输入感测层)、防反射器RPP(例如，防反射层)和窗口WP。显示面板DP、输入传感器ISL、防反射器RPP和窗口WP的多个部件中的一个或多个可通过连续工艺被提供或形成，或者可彼此分离地被提供或形成并且随后通过固定构件(诸如粘合构件ADS)彼此附接。粘合构件ADS可是透明粘合构件，诸如压敏粘合剂(Pressure Sensitive Adhesive，PSA)膜、光学透明粘合剂(Optically ClearAdhesive，OCA)膜或光学透明树脂(Optically Clear Resin，OCR)膜。下文中描述的粘合构件ADS可包括常规的粘合剂或压敏粘合剂。在实施方式中，防反射器RPP和窗口WP可被替换为其他部件，或者可被省略。
如图2所示，在输入传感器ISL、防反射器RPP和窗口WP之中，通过连续工艺与显示面板DP一起被提供或形成的输入传感器ISL直接设置在显示面板DP上。表述“部件B直接设置在部件A上”意指在部件B和部件A之间不存在居间的元件或层，诸如单独的粘合层或粘合构件。在部件A被提供或形成之后，部件B通过连续工艺在部件A限定的基表面上被提供或形成。
在实施方式中，防反射器RPP和窗口WP可是“面板”型部件，并且输入传感器ISL可是“层”型部件。“面板”型部件包括提供基表面的基构件，例如，合成树脂膜、复合膜或玻璃基板，然而，可从“层”型部件上省略基构件。换言之，“层”型部件设置在由另一部件提供的基表面上。参照图2，防反射器RPP和窗口WP可是“层”型部件。
显示面板DP生成图像IM，并且输入传感器ISL获得外部输入(例如，触摸事件、接近事件、压力事件等)的坐标信息。尽管没有单独示出，但是显示装置DD还可包括保护构件，该保护构件设置在显示面板DP的下表面上。保护构件和显示面板DP可通过粘合构件ADS彼此耦接。
显示面板DP可是发光型显示面板，但是应不被特别限制。在实施方式中，例如，显示面板DP可是依据发光元件LD的材料而彼此区别的有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层EML可包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层EML可包括量子点和/或量子棒。在下文中，有机发光显示面板将被描述为显示面板DP的代表性示例。
防反射器RPP可减少(例如，在与第三方向轴线DR3相反的方向上)从窗口WP上方(例如，从显示装置DD的外部)入射到其的外部光的反射率。防反射器RPP可包括延迟器和偏振器。延迟器可是膜类型或液晶涂覆类型，并且可包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可是膜类型或液晶涂覆类型。膜类型可包括拉伸型合成树脂膜，并且液晶涂覆类型可包括按预定布置排列的液晶。偏振器和延迟器还可包括保护膜。延迟器和偏振器或保护膜可被限定为防反射器RPP的基构件。
防反射器RPP可包括滤色器。滤色器可具有预先确定的布置。滤色器的布置可通过考虑显示面板DP中包括的像素PX的发光颜色来确定。防反射器RPP还可包括与滤色器相邻的黑色矩阵。
防反射器RPP可包括相消干涉结构。在实施方式中，例如，相消干涉结构可包括设置在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可被相消干涉，并且因此，可降低外部光的反射率。
窗口WP包括基层WP-BS和光屏蔽图案WP-BZ。基层WP-BS可包括玻璃基板和/或合成树脂膜。基层WP-BS不限于单层结构。基层WP-BS可包括通过粘合构件ADS彼此耦接的两个或更多个膜或层。
光屏蔽图案WP-BZ与基层WP-BS部分交叠。光屏蔽图案WP-BZ设置在基层WP-BS的后表面上。光屏蔽图案WP-BZ基本上限定了显示装置DD的边框区域DD-NDA。也就是说，沿由第一方向轴线DR1和第二方向轴线DR2限定的平面，光屏蔽图案WP-BZ的平面区域对应于或限定了边框区域DD-NDA的平面区域。其中未设置有光屏蔽图案WP-BZ的窗口WP的平面区域可限定显示装置DD的图像区域DD-DA。在窗口WP中，其中设置有光屏蔽图案WP-BZ的平面区域可被限定为光屏蔽区域，并且其中未设置有光屏蔽图案WP-BZ的平面区域可被限定为透射区域。
光屏蔽图案WP-BZ可具有多层结构。多层结构可包括色彩的颜色层和非色彩的(例如，黑色)光屏蔽层。色彩的颜色层和非色彩的光屏蔽层可通过沉积、打印或涂覆工艺来提供或形成。尽管图中没有示出，但是窗口WP还可包括设置在基层WP-BS的与其后表面相对的前表面上的功能涂层。功能涂层可包括防指纹层、防反射层和/或硬涂层。
图3是示出显示面板DP的实施方式的横截面视图。
参照图3，显示面板DP包括基层BL、设置在基层BL上的电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和上绝缘层TFL。显示面板DP可包括显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA，分别对应于图1所示的图像区域DD-DA和边框区域DD-NDA。表述“一区域/部分对应于另一区域/部分”意指诸如沿第三方向轴线DR3“多个区域/部分彼此交叠”，但不限于“多个区域/部分具有相同的尺寸和/或相同的形状”。
基层BL可包括至少一个合成树脂膜。基层BL可包括玻璃基板、金属基板或有机/无机复合基板。
电路元件层DP-CL包括至少一个绝缘层和电路元件。绝缘层包括至少一个无机层和至少一个有机层。电路元件包括信号线和像素驱动电路。
显示元件层DP-OLED至少包括有机发光二极管作为发光元件LD。显示元件层DP-OLED还可包括有机层，诸如像素限定层PDL。
上绝缘层TFL包括多个薄层。一些薄层被设置成提高光学效率，并且一些薄层被设置成保护有机发光二极管。
图4A是示出显示面板DP的实施方式的平面视图，并且图4B是图4A中的显示面板DP的横截面视图。
参照图4A，显示面板DP可包括在平面视图中的显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA。在实施方式中，非显示区域DP-NDA可沿显示区域DP-DA的边缘限定。
显示面板DP可包括：驱动电路GDC；多个信号线SGL；以复数提供的信号焊盘DP-PD；以及被提供为多个的像素PX。像素PX可排列在显示区域DP-DA中。每个像素PX可包括有机发光二极管和连接到有机发光二极管的像素驱动电路。驱动电路GDC、信号线SGL、信号焊盘DP-PD和像素驱动电路可被包括在图3中所示的电路元件层DP-CL中。
驱动电路GDC可包括扫描驱动电路。扫描驱动电路可生成诸如扫描信号的多个电信号，并且可将扫描信号依次输出到稍后描述的以复数提供的扫描线GL。扫描驱动电路还可将其他电信号作为控制信号输出到像素PX的像素驱动电路。
扫描驱动电路可包括通过彼此相同的工艺(例如，低温多晶硅(Low TemperaturePolycrystalline Silicon，LTPS)工艺或低温多晶氧化物(Low TemperaturePolycrystalline Oxide，LTPO)工艺)而提供或形成的多个薄膜晶体管，如像素PX的像素驱动电路。
多个信号线SGL可包括：多个扫描线GL；以复数形式提供的数据线DL；电源线PL；以及以复数形式提供的控制信号线CSL。每个扫描线GL可连接到多个像素PX之中的相应的像素PX，并且每个数据线DL可连接到多个像素PX之中的相应的像素PX。电源线PL可连接到像素PX。控制信号线CSL可向扫描驱动电路提供控制信号。
信号线SGL可与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA交叠。信号线SGL可包括焊盘部分DL-P和线路部分DL-L。线路部分DL-L可与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA交叠。焊盘部分DL-P可连接到线路部分DL-L的末端。信号线SGL的焊盘部分DL-P可设置在非显示区域DP-NDA中，并且可与多个信号焊盘DP-PD之中的相应的一个信号焊盘DP-PD交叠。这将在稍后进行详细描述。在非显示区域DP-NDA中，其中设置有信号焊盘DP-PD的区域可被限定为焊盘区域NDA-PA。信号线SGL的线路部分DL-L的该末端可以是其距显示区域DP-DA最远的末端，即最接近焊盘区域NDA-PA的末端，但是不限于此。
信号线SGL的线路部分DL-L连接到像素PX并且从像素PX延伸。线路部分DL-L可基本上构成信号线SGL的大部分，例如，其主要长度部分。线路部分DL-L可在像素PX的第一晶体管T1和第二晶体管T2(参见图4B)处连接到像素PX。线路部分DL-L可具有在厚度方向上的单层或多层结构，并且线路部分DL-L可是沿信号线SGL的各自的长度的单体或者可包括沿信号线SGL的该长度的两个或更多个部分。信号线SGL的两个或更多个部分可设置在基层BL上的多个层之中的不同层上或不同层中，并且可在穿过设置在信号线SGL的两个或更多个部分之间的绝缘层而限定的过孔(接触孔)处或者通过该过孔(接触孔)彼此连接。
图4B是沿图4A的线I-I’截取的横截面视图。图4B示出了显示面板DP的显示区域DP-DA的横截面视图。参照图4B，显示面板DP可包括第一缓冲层BFL1、第二缓冲层BFL2、第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2、第一绝缘层ILD、第二绝缘层VIA2、第三绝缘层VIA1、包括多个图案的半导体图案ACP(例如，半导体层)、包括多个图案(例如，第一导电图案)的第一导电层GMP1、包括多个图案(例如，第二导电图案)的第二导电层GMP2、包括多个图案(例如，第三导电图案)的第三导电层DMP1以及包括多个图案(例如，第四导电图案)的第四导电层DMP2。第一导电层GMP1可包括第一栅极金属图案，第二导电层GMP2可包括第二栅极金属图案，第三导电层DMP1可包括第一数据金属图案，并且第四导电层DMP2可包括第二数据金属图案。
第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2和第一绝缘层ILD中的每个可包括有机层和/或无机层。在实施方式中，第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2和第一绝缘层ILD中的每个可包括多个无机薄层。无机薄层可包括硅氮化物层和硅氧化物层。
第二绝缘层VIA2和第三绝缘层VIA1中的每个可包括有机材料和/或无机材料。在实施方式中，第一导电层GMP1和第二导电层GMP2中的每个可包括钼(Mo)，但是不限于此或受其限制。
第三导电层DMP1和第四导电层DMP2中的每个可包括铝(Al)和钛(Ti)之中的至少一种材料，但是不限于此或受其限制。在实施方式中，第三导电层DMP1和第四导电层DMP2中的每个可具有其中钛、铝和钛依次堆叠的结构。
第一缓冲层BFL1可设置在基层BL上。第二缓冲层BFL2可设置在第一缓冲层BFL1上。也就是说，第二缓冲层BFL2可面对基层BL，第一缓冲层BFL1在第二缓冲层BFL2和基层BL之间。第一缓冲层BFL1和第二缓冲层BFL2中的每个可减少或有效地防止基层BL中存在的异物进入像素PX。特别地，第一缓冲层BFL1和第二缓冲层BFL2中的每个可减少或有效地防止异物进入像素PX内的第一晶体管T1和第二晶体管T2的半导体图案ACP。
异物可从显示装置DD的外部引入/或可通过显示装置DD内的基层BL的热分解而产生。异物可是从基层BL排出的气体或钠。此外，第一缓冲层BFL1和第二缓冲层BFL2中的每个可阻止水分从像素PX的外部进入像素PX。根据另一实施方式，可省略第一缓冲层BFL1和第二缓冲层BFL2中的至少一个。
半导体图案ACP可设置在第二缓冲层BFL2上。半导体图案ACP可形成第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个的一部分。半导体图案ACP可包括多晶硅、非晶硅或金属氧化物半导体。图4B示出了提供或形成第一晶体管T1和第二晶体管T2之中的第一晶体管T1的第一源极区S1、第一有源区S1和第一漏极区D1的半导体图案ACP以及提供或形成第一晶体管T1和第二晶体管T2之中的第二晶体管T2的第二源极区S2、第二有源区A2和第二漏极区D2的半导体图案ACP。
第一栅极绝缘层GI1可设置在第二缓冲层BFL2上并且可覆盖半导体图案ACP。第一导电层GMP1可设置在第一栅极绝缘层GI1上。第一晶体管T1的第一栅极G1(例如，第一栅电极或第一栅极端子)和第二晶体管T2的第二栅极G2(例如，第二栅电极或第二栅极端子)被示出为第一导电层GMP1。尽管图中没有示出，但是第一导电层GMP1可包括形成像素PX的电容器的两个电极中的一个电极。
第二栅极绝缘层GI2可设置在第一栅极绝缘层GI1上并且可覆盖第一导电层GMP1。第二导电层GMP2可设置在第二栅极绝缘层GI2上。在实施方式中，第二导电层GMP2可是形成像素PX的电容器的两个电极中的另一个电极。上电极UE被示出为第二导电层GMP2。上电极UE可被提供有穿过其限定的第一开口UE-OP。
第一绝缘层ILD可设置在第二栅极绝缘层GI2上并且可覆盖第二导电层GMP2。第三导电层DMP1可设置在第一绝缘层ILD上。两个第一连接电极CNE-D1被示出为第三导电层DMP1的代表性示例。第三导电层DMP1的多个第一连接电极CNE-D1可分别在第一过孔CH-10和第二过孔CH20处连接到第一晶体管T1的第一栅极G1和第二晶体管T2的第二源极区S2。
第三绝缘层VIA1可设置在第一绝缘层ILD上并且可覆盖第三导电层DMP1。第四导电层DMP2可设置在第三绝缘层VIA1上。一个第二连接电极CNE-D2被示出为第四导电层DMP2的代表性示例。第二连接电极CNE-D2可通过穿过第三绝缘层VIA1限定的连接接触孔CH22(例如，第一接触孔)连接到多个第一连接电极CNE-D1中的相应的一个第一连接电极CNE-D1。由于第一连接电极CNE-D1和第二连接电极CNE-D2设置在其中布置有像素PX的显示区域DP-DA中，因此第一连接电极CNE-D1和第二连接电极CNE-D2可分别被限定为并且在下文中被称为第一像素电极CNE-D1和第二像素电极CNE-D2。第一像素电极CNE-D1和第二像素电极CNE-D2可共同形成像素电极。第一像素电极CNE-D1和第二像素电极CNE-D2可设置在第一绝缘层ILD上。详细地，第一像素电极CNE-D1可直接设置在第一绝缘层ILD上，并且第二像素电极CNE-D2可设置在第三绝缘层VIA1上。
在图4B中，第二绝缘层VIA2可设置在第三绝缘层VIA1上并且可覆盖显示区域DP-DA中的第四导电层DMP2。发光元件层ELL可包括发光元件LD和平坦化层PDL。发光元件LD可包括阳极电极AE(例如，第一电极)、发光层EML和阴极电极CE(例如，第二电极)。平坦化层PDL可对应于并且在下文中被称为像素限定层PDL。阳极电极AE可设置在阳极层AEL(例如，第一电极层)中。第二绝缘层VIA2可设置在第三绝缘层VIA1上。
阳极层AEL可设置在第二绝缘层VIA2上。阳极电极AE可通过过孔(接触孔)(未示出)电连接到第四导电层DMP2。像素限定层PDL可设置在第二绝缘层VIA2上，并且阳极电极AE的至少一部分可通过像素限定层PDL暴露。发光层EML可设置在阳极电极AE上。阴极电极CE可设置在发光层EML上。
在发光元件LD是有机发光二极管的情况下，发光层EML可包括有机材料。根据另一实施方式，如果发光元件LD是微发光二极管(例如，micro-LED)，则发光层EML可包括无机材料。封装层ECP可在基层BL上封装发光元件层ELL，以保护发光元件层ELL免受外部氧气或湿气的影响。封装层ECP可具有其中有机层和无机层彼此一起提供的结构。封装层ECP可对应于图3的上绝缘层TFL。
图5A是示出显示面板DP的焊盘区域NDA-PA的实施方式的平面视图，并且图5B是示出图5A中的显示面板DP的焊盘区域NDA-PA的实施方案的横截面视图。
图5A是显示面板DP的焊盘区域NDA-PA的放大平面视图，并且示出了图4A的区域AA’。信号线SGL和与信号线SGL对应的信号焊盘DP-PD通过穿过与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA完全交叠的至少一个封装无机层而限定的过孔(接触孔)彼此电连接。在下文中，这将参照附图进行更详细地描述。
在图5A中，信号焊盘DP-PD可包括：以复数提供的线路部分DL-L；以及以复数提供的焊盘部分DL-P。数据线DL可包括从显示区域DP-DA到焊盘区域NDA-PA限定的长度。对于相同长度的数据线DL，焊盘部分DL-P的平面面积可大于线路部分DL-L的平面面积。线路部分DL-L和焊盘部分DL-P可在焊盘接触孔CNT1(例如，第二接触孔)处或通过焊盘接触孔CNT1彼此电连接。焊盘部分DL-P可在平面视图中具有四边形形状，然而，焊盘部分DL-P的形状可诸如在制造工艺期间改变。根据实施方式，信号焊盘DP-PD可包括以复数提供的、包括多个焊盘电极SD的焊盘电极SD(参见图5B)。
图5B是沿图5A的线II-II’截取的横截面视图。图5B示出了显示面板DP的非显示区域DP-NDA。详细地，图5B示出了在非显示区域DP-NDA中限定的焊盘区域NDA-PA和非焊盘区域NDA-NPA。焊盘区域NDA-PA是非显示区域DP-NDA的其中设置有焊盘电极SD的平面区域，并且非焊盘区域NDA-NPA是非显示区域DP-NDA的其中未设置有焊盘电极SD的平面区域。在实施方式中，非显示区域DP-NDA包括焊盘区域NDA-PA以及在显示区域DP-DA和焊盘区域NDA-PA之间的非焊盘区域NDA-NPA，来自其外部的电信号通过焊盘区域NDA-PA被提供给显示面板DP。在显示区域DP-DA(图4B)中，像素电极被第二绝缘层VIA2覆盖，并且在焊盘区域NDA-PA(图5B)中，焊盘电极SD暴露于第二绝缘层VIA2的外部。
在图5B中，焊盘电极SD可包括第一焊盘电极SD1(例如，第一焊盘电极层或第一焊盘电极图案)和第二焊盘电极SD2(例如，第二焊盘电极层或第二焊盘电极图案)。焊盘电极SD可设置在第一绝缘层ILD上。第二焊盘电极SD2比第一焊盘电极SD1更接近第一有机层VIA21(图6B)。第二焊盘电极SD2可直接设置在第一焊盘电极SD1上。第二焊盘电极SD2可形成与第一焊盘电极SD1的界面。第一焊盘电极SD1可通过焊盘电极接触孔CH-SD(例如，第三接触孔)电连接到在第一栅极绝缘层GI1上设置的第一栅极图案GA1或第二栅极图案GA2。
焊盘电极SD可与焊盘区域NDA-PA交叠或对应。第二焊盘电极SD2可被设置成暴露于显示面板DP的外部。因此，第二焊盘电极SD2可在制造显示装置DD的模块工艺中附接到膜上芯片(COF)膜或环烯烃聚合物(Cyclo Olefin Polymer，COP)膜。第二绝缘层VIA2可设置在非显示区域DP-NDA中的第一绝缘层ILD上，以形成它们之间的界面。也就是说，第三绝缘层VIA1可不设置在非显示区域DP-NDA中的第一绝缘层ILD和第二绝缘层VIA2之间。大部分的第二绝缘层VIA2可与非焊盘区域NDA-NPA交叠或对应，并且第二绝缘层VIA2的一部分可与焊盘区域NDA-PA交叠或对应。这将参照图6A至图6I进行详细描述。
第二绝缘层VIA2可包括第一部分VIA2-1和第二部分VIA2-2。第二绝缘层VIA2的与非显示区域DP-NDA的非焊盘区域NDA-NPA交叠或对应的部分可对应于第一部分VIA2-1，并且第二绝缘层VIA2的与非显示区域DP-NDA中的焊盘区域NDA-PA交叠或对应的部分可对应于第二部分VIA2-2。非显示区域DP-NDA的非焊盘区域NDA-NPA中的第二绝缘层VIA2延伸至焊盘区域NDA-PA，以将第二绝缘层VIA2的延伸部分限定为第二部分VIA2-2。第二部分VIA2-2可沿第一绝缘层ILD从第一部分VIA2-1延伸至焊盘区域NDA-PA的中心，并且可与焊盘区域NDA-PA的边缘部分地交叠。焊盘区域NDA-PA的边缘可是非焊盘区域NDA-NPA和焊盘区域NDA-PA之间限定的边界。第一绝缘层ILD可在焊盘区域NDA-PA处暴露于第二绝缘层VIA2的外部。
第二绝缘层VIA2的第一部分VIA2-1可包括距第一绝缘层ILD最远的第一表面SF1，并且第二部分VIA2-2可包括第二表面SF2，第二表面SF2距第一绝缘层ILD最远并且从第一表面SF1向着第一绝缘层ILD沿厚度方向倾斜延伸。第一表面SF1可是平坦的。第二表面SF2可在第一绝缘层ILD的厚度方向上弯曲成凹面的。也就是说，第二表面SF2在横截面中具有凹面的形状。
图6A至图6I是示出制造显示装置DD的方法的实施方式的横截面视图。
图6A示出了沿图4A的线I-I’截取的横截面和沿图5A的线III-III’线截取的横截面。
参照图6A，显示面板DP可包括基层BL、第一缓冲层BFL1和第二缓冲层BFL2、第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2和第一绝缘层ILD，它们各自设置在显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA中。在显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA二者中，第一缓冲层BFL1和第二缓冲层BFL2可设置在基层BL上，第一栅极绝缘层GI1可设置在第一缓冲层BFL1和第二缓冲层BFL2上，第二栅极绝缘层GI2可设置在第一栅极绝缘层GI1上，并且第一绝缘层ILD可设置在第二栅极绝缘层GI2上。
在实施方式中，显示区域DP-DA的第一栅极G1和第二栅极G2以及非显示区域DP-NDA的第一栅极图案GA1可基本上同时提供或形成。第一焊盘电极SD1和第一像素电极CNE-D1可基本上同时提供或形成。当同时提供或形成时，元件或图案可是同一材料层的各自的部分和/或可被视为在彼此“相同的层中”。
第一像素电极CNE-D1和第一焊盘电极SD1可设置在第一绝缘层ILD上。在显示区域DP-DA中，第三绝缘层VIA1可设置在第一像素电极CNE-D1和第二像素电极CNE-D2之间，并且第一像素电极CNE-D1可在连接接触孔CH22处或通过连接接触孔CH22电连接到第二像素电极CNE-D2。在图6A中，第二像素电极CNE-D2和第二焊盘电极SD2可分别暴露于第三绝缘层VIA1和第一绝缘层ILD的外部。
在图6B中，第一有机层VIA21(例如，第一初始有机层)可提供或形成在显示区域DP-DA的第三绝缘层VIA1和非显示区域DP-NDA的第一绝缘层ILD上。第一有机层VIA21可与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA交叠，并且可覆盖整个第二像素电极CNE-D2和第二焊盘电极SD2。也就是说，在提供非显示区域DP-NDA中的第一有机层VIA21中，第一有机层VIA21覆盖整个焊盘电极SD。
在实施方式中，第一焊盘电极SD1和第二焊盘电极SD2可一起形成或具有多层结构。第一焊盘电极SD1和/或第二焊盘电极SD2可至少包括第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3(参见图6C)。在实施方式中，例如，第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3可分别包括钛层、铝层和钛层。第一焊盘电极SD1和第二焊盘电极SD2可各自包括至少一个铝层。也就是说，第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3中的至少一个包括铝，并且第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3中的其余包括钛。焊盘电极SD包括侧表面，并且在焊盘区域NDA-PA中，第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3中的每个的一部分在侧表面处暴露于焊盘电极SD的外部。
将参照图6C至图6E描述提供或形成阳极层AEL的方法的实施方式。
在图6C至图6E中，可在第一有机层VIA21上提供或形成初始阳极层P-AEL(例如，初始第一电极层)，其提供或形成阳极层AEL。初始阳极层P-AEL可包括阳极电极部分P-AEP(例如，第一电极部分)和外围部分SR。在实施方式中，阳极电极AE可通过湿法蚀刻工艺来提供或形成。基层BL上的各种部件或层也可包括与对于初始阳极层P-AEL所描述的那些对应的阳极电极部分P-AEP和外围部分SR。
当初始阳极层P-AEL在湿法蚀刻工艺期间与蚀刻剂ECH接触时，初始阳极层P-AEL的接触部分(例如，外围部分SR)可被蚀刻，并且在湿法蚀刻工艺中可将初始阳极层P-AEL的银电离，以释放银离子(Ag+)。经释放的银离子可经历与第二焊盘电极SD2的第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3之中的铝层的铝(Al)的电化反应，并且可能出现在焊盘电极SD周围析出银颗粒Ag P/C的缺陷。一个或多个实施方式被公开以减少或有效防止这缺陷。
根据实施方式，在第一有机层VIA21覆盖像素电极和焊盘电极SD之后可执行提供或形成阳极层AEL的工艺。不同于在焊盘电极SD被暴露的同时执行形成阳极电极AE的工艺的现有技术，在显示装置DD的制造方法的一个或多个实施方式中，形成阳极电极AE的工艺可在第一有机层VIA21完全覆盖焊盘电极SD的情况下执行。由于焊盘电极SD的铝层未被暴露，例如，由第一有机层VIA21覆盖，因此当初始阳极层P-AEL通过蚀刻剂ECH被蚀刻时释放的银离子(图6D中的Ag+)可不引起焊盘电极SD周围的电化反应。相应地，可改善上述缺陷。
在图6C和图6D中，提供或形成阳极层AEL的工艺可包括在初始阳极层P-AEL上提供形成光刻胶层PR(例如，光刻胶图案)的工艺。提供或形成光刻胶层PR的工艺的实施方式包括第一光刻胶层(未示出)覆盖初始阳极层P-AEL的阳极电极部分P-AEP和外围部分SR二者，以及通过曝光和显影工艺蚀刻第一光刻胶层的与外围部分SR交叠的部分。结果，仅阳极电极部分P-AEP处的光刻胶层PR可保持为光刻胶图案。
光刻胶层PR可仅覆盖阳极电极部分P-AEP，并且外围部分SR处的其他层可被暴露而不被光刻胶层PR覆盖(图6C)。当使用光刻胶图案作为掩模执行湿法蚀刻工艺以蚀刻暴露的初始阳极层P-AEL的外围部分SR时，仅初始阳极层P-AEL的阳极电极部分P-AEP和设置在阳极电极部分P-AEP上的光刻胶层PR可被保留(图6D)。初始阳极层P-AEL的阳极电极部分P-AEP限定了阳极层AEL(图6D)。阳极电极AE(图4B)由阳极层AEL(例如，阳极层图案)来限定。
在图6E中，当光刻胶层PR被去除并且阳极层AEL被暴露时，阳极电极AE可由被暴露的阳极层AEL来提供或形成。焊盘电极SD可在湿法蚀刻工艺期间由第一有机层VIA21覆盖，该湿法蚀刻工艺被执行以最终提供或形成阳极电极AE(图4B)。
参照图6F至图6H，在提供或形成阳极层AEL之后可去除第一有机层VIA21的覆盖焊盘电极SD的部分。在下文中将参照附图描述该工艺。
在图6F中，可在阳极层AEL上提供或形成平坦化层PDL，穿过平坦化层PDL来限定第二开口，以使由阳极层AEL限定的阳极电极AE的至少一部分被暴露。平坦化层PDL可与像素限定层对应。平坦化层PDL可被设置成限定像素PX。
参照图6G和图6H，在提供或形成平坦化层PDL之后，可执行蚀刻工艺以去除第一有机层VIA21的厚度部分。该蚀刻工艺可与干法蚀刻工艺对应。如以上参照图4A至图5B所描述的，为了在随后的模块工艺中连接到其他电子元件，焊盘电极SD暴露于显示面板DP的外部。当焊盘电极SD被有机材料层或类似物覆盖时，元件之间的粘合强度可能是差的，并且执行随后的模块工艺可能是困难的或受到限制的。相应地，显示装置DD的制造方法的一个或多个实施方式可包括蚀刻工艺以在焊盘区域NDA-PA中去除第一有机层VIA21的覆盖焊盘电极SD的部分。在实施方式中，在提供或形成图6F的平坦化层PDL的工艺之后，以及外部部件在焊盘电极SD处连接到显示面板DP的模块工艺之前，可执行去除第一有机层VIA21的厚度部分的蚀刻工艺。
可使用另一蚀刻工艺来执行去除第一有机层VIA21的厚度部分的蚀刻工艺，该另一蚀刻工艺在显示装置DD的制造方法中必不可少地被执行，而不被单独添加的工艺限制。在实施方式中，例如，非显示区域DP-NDA中的焊盘区域NDA-PA中的第一有机层VIA21可通过在提供或形成有效区域(Hole In Active Area，HIAA)结构中的孔中的部件孔或模块孔的同时工艺中包括的干法蚀刻工艺来去除。HIAA结构包括在显示区域DP-DA中限定的部件孔或模块孔，以使相机模块或类似物暴露于显示面板DP和/或显示装置DD的外部。
根据实施方式，去除第一有机层VIA21的厚度部分的蚀刻工艺可包括第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺。在第一蚀刻工艺中，干法蚀刻工艺可对第一有机层VIA21执行，以形成第二有机层VIA22(例如，第二初始有机层)。在第二蚀刻工艺中，可对第二有机层VIA22再次执行干法蚀刻工艺，以形成第三有机层。第三有机层可限定图5B的第二绝缘层VIA2。在第一蚀刻工艺中可去除第一有机层VIA21的上部处的第一厚度部分。在第二蚀刻工艺中可去除第二有机层VIA22的与焊盘区域NDA-PA交叠第二厚度部分，以使焊盘电极SD暴露于第二绝缘层VIA2的外部。第二绝缘层VIA2可与焊盘区域NDA-PA的边缘(例如，边界)的一部分交叠并且可被设置成围绕焊盘区域NDA-PA。
在图6F和图6G中，第一有机层VIA21的第一厚度TH1可大于第二有机层VIA22的第二厚度TH2。在实施方式中，例如，第一有机层VIA21的第一厚度TH1可在约1.5微米至约2.0微米的范围内，并且第二有机层VIA22的第二厚度TH2可在约0.8微米至约1.2微米的范围内。第二有机层VIA22可设置在非显示区域DP-NDA中。
参照图6H和图6I，第二绝缘层VIA2可包括与非显示区域DP-NDA的非焊盘区域NDA-NPA交叠的第一部分VIA2-1(图5B)和与非显示区域DP-NDA的焊盘区域NDA-PA的一部分交叠的第二部分VIA2-2(图5B)。第一部分VIA2-1可对应于通过应用于第一有机层VIA21的第一蚀刻工艺而生成的部分，并且第二部分VIA2-2可对应于通过在第一蚀刻工艺之后应用于第二有机层VIA22的第二蚀刻工艺而生成的部分。
第二部分VIA2-2可包括从第一部分VIA2-1的第一表面SF1向着焊盘电极SD延伸的第二表面SF2(图5B)，并且可与第一绝缘层ILD的上表面接触。第二表面SF2可对应于第二部分VIA2-2的斜面。根据实施方式，第二表面SF2可是沿第一绝缘层ILD的厚度方向的凹面的弯曲表面。也就是说，第二部分VIA2-2的第二表面SF2可具有沿第一绝缘层ILD的厚度方向的凹面的弯曲形状，而第二部分VIA2-2的第二表面SF2与在蚀刻在焊盘区域NDA-PA中通过两次干法蚀刻工艺而形成的第二绝缘层VIA2之后保留的第二绝缘层VIA2的末端或边缘对应。限定第二表面SF2的第二绝缘层VIA2的末端或边缘距显示区域DP-DA最远或距焊盘区域NDA-PA最近。
参照图6I，发光层EML可在平坦化层PDL上提供或形成，以与显示区域DP-DA交叠。在实施方式中，阴极电极CE可在发光层EML上方提供或形成。发光层EML、阳极电极AE和阴极电极CE可一起限定发光元件LD。第二绝缘层VIA2可对应于图5B的第二绝缘层VIA2。
根据另一实施方式，第二绝缘层VIA2可在形成发光层EML的工艺之后从第一有机层VIA21提供或形成。也就是说，在提供平坦化层PDL(图6F)之后，发光层EML可设置在平坦化层PDL的第二开口中，同时第一有机层VIA21具有第一厚度TH1。第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺(图6F至图6H)可对进一步具有在第二开口中的发光层EML的图6F的结构执行，以提供图6I中的结构。
尽管已描述了实施方式，但是应理解的是，本公开内容应不限于这些实施方式，相反，本领域普通技术人员能在如在下文中所要求保护的本公开内容的精神和范围内进行各种变更和修改。因此，所公开的主题应不限于本文中所描述的任何单个实施方式，并且本发明的范围应根据所附权利要求确定。

Claims (20)

1.一种制造显示装置的方法，包括：
提供显示面板，所述显示面板包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域，所述非显示区域包括焊盘区域和非焊盘区域，通过所述焊盘区域将来自所述显示面板的外部的电信号提供给所述显示面板，所述非焊盘区域在所述显示区域和所述焊盘区域之间；
在所述显示区域中提供像素电极；
在所述焊盘区域中提供焊盘电极；
提供在所述显示区域和所述非显示区域中的第一有机层以分别覆盖所述像素电极和所述焊盘电极；
在所述显示区域中，提供发光元件的第一电极，所述第一有机层在所述像素电极和所述第一电极之间；
在提供所述第一电极之后，去除所述第一有机层的在所述非显示区域中的部分以使所述焊盘电极从所述第一有机层暴露；以及
提供与所述第一电极对应的所述发光元件的发光层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，提供所述第一电极包括：
在所述第一有机层上提供初始第一电极层，所述初始第一电极层包括：
与所述发光元件的所述第一电极对应的第一电极部分，以及
围绕所述第一电极部分的外围部分；
提供覆盖所述初始第一电极层的光刻胶层；
去除与所述初始第一电极层的所述外围部分对应的所述光刻胶层的第一部分，以使所述初始第一电极层的所述外围部分从所述光刻胶层暴露并且限定与所述初始第一电极层的所述第一电极部分对应的所述光刻胶层的第二部分；
去除所述初始第一电极层的所述外围部分以使所述第一有机层的与所述初始第一电极层的所述外围部分对应的部分暴露；以及
去除所述光刻胶层的所述第二部分以露出所述初始第一电极层的所述第一电极部分并且由所述第一电极部分限定所述第一电极。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，去除所述初始第一电极层的所述外围部分的方法包括湿法蚀刻。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，
所述焊盘电极包括侧表面、第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第二焊盘电极比所述第一焊盘电极更接近所述第一有机层，并且
所述第二焊盘电极包括：
第一金属层；
在所述第一金属层上的第二金属层；以及
面对所述第一金属层的第三金属层，所述第二金属层在所述第一金属层和所述第三金属层之间，
其中，所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层中的每个在所述焊盘电极的所述侧表面处暴露于所述焊盘电极的外部。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述第二焊盘电极内，所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层中的至少一个包括铝。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述焊盘电极内，所述第二焊盘电极直接在所述第一焊盘电极上。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述第一有机层的在所述非显示区域中的所述部分包括：
去除所述第一有机层的在所述非显示区域中的所述部分的一部分，以提供在所述非显示区域中的第二有机层；以及
去除所述第二有机层的一部分，以露出所述焊盘区域中的所述焊盘电极以及提供在所述非显示区域中的第三有机层。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述第一有机层的在所述非显示区域中的所述部分的方法包括干法蚀刻。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述焊盘区域中，
所述第一有机层和所述第二有机层中的每个具有厚度，并且
所述第二有机层的所述厚度小于所述第一有机层的所述厚度。
10.根据权利要求7所述的方法，还包括提供绝缘层，所述第三有机层和所述焊盘电极设置在所述绝缘层上，
其中，所述第三有机层包括：
与所述非显示区域的所述非焊盘区域对应的第一部分，所述第一部分包括距所述绝缘层最远的第一表面；以及
从所述第一部分通过所述非焊盘区域延伸到所述焊盘区域中的第二部分，所述第二部分包括从所述第一部分的所述第一表面朝向所述焊盘电极延伸到所述绝缘层的第二表面，
其中，所述第二表面在横截面中具有凹面的形状。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极包括银。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，在提供所述非显示区域中的所述第一有机层中，所述第一有机层覆盖整个所述焊盘电极。
13.一种显示装置，包括：
显示面板，包括：
显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域；
所述非显示区域包括焊盘区域和非焊盘区域，通过所述焊盘区域将来自所述显示面板的外部的电信号提供给所述显示面板，所述非焊盘区域在所述显示区域和所述焊盘区域之间；
在所述显示区域、所述非焊盘区域和所述焊盘区域中的每个中的基层；
在所述基层上的第一绝缘层；
在所述显示区域中的像素电极，所述像素电极面对所述基层，所述第一绝缘层在所述像素电极和所述基层之间；
在所述焊盘区域中的焊盘电极，所述焊盘电极面对所述基层，所述第一绝缘层在所述焊盘电极和所述基层之间；
在所述显示区域中的面对所述第一绝缘层的第二绝缘层，所述像素电极在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，所述第二绝缘层从所述显示区域延伸到所述非显示区域中以限定：
与所述非焊盘区域对应的第一部分，以及
从所述第一部分朝向所述焊盘电极延伸到所述焊盘区域中的第二部分，所述第二部分限定距所述第一绝缘层最远的上表面，
其中，所述上表面在横截面中具有凹面的形状。
14.根据权利要求13所述的显示装置，还包括：在所述显示区域中的发光元件的第一电极，所述第一电极面对所述第一绝缘层，所述第二绝缘层在所述第一电极和所述第一绝缘层之间。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述第二绝缘层的所述第一部分和所述第二部分中的每个具有厚度，并且
所述第二绝缘层的所述第二部分的所述厚度小于所述第二绝缘层的所述第一部分的所述厚度。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
在所述显示区域中，所述像素电极被所述第二绝缘层覆盖，并且
在所述焊盘区域中，所述焊盘电极暴露于所述第二绝缘层的外部。
17.根据权利要求13所述的显示装置，其中，在所述显示区域中的所述像素电极包括：
第一像素电极；以及
在所述第一像素电极和所述第二绝缘层之间的第二像素电极，
所述显示面板还包括：所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的第三绝缘层。
18.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述焊盘区域中的所述焊盘电极包括：
侧表面；
第一焊盘电极；以及
覆盖所述第一焊盘电极的第二焊盘电极。
19.根据权利要求18的显示装置，其中，在所述焊盘区域中，所述第二焊盘电极包括：
第一金属层；
在所述第一金属层上的第二金属层；以及
面对所述第一金属层的第三金属层，所述第二金属层在所述第一金属层和所述第三金属层之间，
其中，所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层中的每个在所述焊盘电极的所述侧表面处暴露于所述焊盘电极的外部。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，
所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层中的至少一个包括铝，并且
所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层中的其余包括钛。
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