CN113327919B - 一种发光基板及其制备方法、显示装置、检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光基板及制备方法、显示装置、检测方法，涉及显示技术领域。发光基板包括：第一导电层，第一导电层包括多个焊接区，焊接区包括第一焊接子区和第二焊接子区；位于焊接区的第一导电层有至少一个第一凹槽和至少一个第二凹槽，第一凹槽位于第一焊接子区远离第二焊接子区的一侧，第二凹槽位于第二焊接子区远离第一焊接子区的一侧；保护层覆盖第一导电层、第一凹槽和第二凹槽，保护层有贯穿的过孔；多个发光器件，发光器件通过过孔与第一焊接子区和第二焊接子区的第一导电层焊接；第一凹槽和第二凹槽在基底上的正投影与发光器件在基底上的正投影均至少存在非重合区域。该检测方法能够快速准确的检测出发光基板是否发生虚焊问题。

Description

一种发光基板及其制备方法、显示装置、检测方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光基板及其制备方法、显示装置、检测方法。
背景技术
随着显示技术的快速发展，Mini LED(Mini Light Emitting Diode，次毫米发光二极管)和Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微发光二极管)的显示产品引起人们广泛的关注。上述两种LED芯片的焊接过程是制备这两类显示产品的重要步骤，然而，LED芯片的焊接过程中极易出现虚焊问题，造成LED芯片与背板的导通不良，进而造成显示产品品质下降。
目前，如何快速准确的判断LED芯片是否发生虚焊是解决上述问题的关键。
发明内容
本发明的实施例提供了一种发光基板及其制备方法、显示装置、检测方法，通过该检测方法能够快速准确的检测出发光基板是否发生虚焊问题，进而便于后续对发光基板进行修补。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供了一种发光基板，包括：
基底；
第一导电层，位于所述基底上，所述第一导电层包括多个焊接区，每个所述焊接区包括间隔设置的第一焊接子区和第二焊接子区；位于所述焊接区的所述第一导电层具有沿垂直于所述基底方向上设置的至少一个第一凹槽和至少一个第二凹槽，每个所述第一凹槽均位于所述第一焊接子区远离所述第二焊接子区的一侧，每个所述第二凹槽均位于所述第二焊接子区远离所述第一焊接子区的一侧；
保护层，覆盖所述第一导电层、所述第一凹槽和所述第二凹槽，所述保护层具有贯穿的过孔，且所述过孔暴露出位于所述第一焊接子区和所述第二焊接子区的所述第一导电层；
多个发光器件，每个所述发光器件通过所述过孔与位于所述第一焊接子区和所述第二焊接子区的所述第一导电层焊接；
其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述基底上的正投影，与所述发光器件在所述基底上的正投影均至少存在非重合区域。
可选的，在每个所述焊接区内，所述第一凹槽和所述第二凹槽的数量相同且均为多个，所有的所述第一凹槽同排设置，所有的所述第二凹槽同排设置；
其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽的排布方向均为第一方向，所述第一方向垂直于所述第一焊接子区指向所述第二焊接子区的方向，且平行于所述基底所在的平面。
可选的，所述第一凹槽和所述第二凹槽均贯穿所述第一导电层。
可选的，所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述基底上的正投影形状相同，且所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述基底上的正投影形状为圆形、三角形、矩形、十字形及五星形中的任意一种。
可选的，所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述基底上的正投影形状为圆形，所述发光器件在所述基底上的正投影形状为正方形，所述圆形的直径为所述正方形的边长的1/4～1/2倍。
可选的，所述发光器件包括发光器件本体和焊接层，所述焊接层位于所述发光器件本体靠近所述第一导电层的一侧；
所述焊接层包括间隔设置的第一焊接子层和第二焊接子层，所述第一焊接子层与位于所述第一焊接子区的所述第一导电层焊接，所述第二焊接子层与位于所述第二焊接子区的所述第一导电层焊接。
可选的，位于所述第一焊接子区的所述第一导电层为第一焊盘，位于所述第二焊接子区的所述第一导电层为第二焊盘；
所述第一导电层还包括第一导线区和第二导线区，所述第一导线区和所述第一焊接子区相连接，所述第二导线区和所述第二焊接子区相连接。
可选的，每个所述第一凹槽的几何中心沿第二方向到所述第一焊接子区靠近所述第一凹槽的边缘的延长线之间的距离范围为0-500um；
每个所述第二凹槽的几何中心沿与所述第二方向相反的方向到所述第二焊接子区靠近所述第二凹槽的边缘的延长线之间的距离范围为0-500um；
其中，所述第二方向为所述第一焊接子区指向所述第二焊接子区的方向。
可选的，所述基底至少包括衬底、依次层叠设置在所述衬底上的过渡层、第二导电层、第一平坦层和第一绝缘层；
其中，所述保护层包括第二平坦层和第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第二平坦层远离所述基底的一侧。
可选的，所述发光器件为Mini LED器件或Micro LED器件。
另一方面，提供了一种显示装置，包括如上所述的发光基板。
又一方面，提供了一种发光基板的制备方法，所述方法包括：
提供一基底；
在所述基底上形成第一导电层；其中，所述第一导电层包括多个焊接区，每个所述焊接区包括间隔设置的第一焊接子区和第二焊接子区；位于所述焊接区的所述第一导电层具有沿垂直于所述基底方向上设置的至少一个第一凹槽和至少一个第二凹槽，每个所述第一凹槽均位于所述第一焊接子区远离所述第二焊接子区的一侧，每个所述第二凹槽均位于所述第二焊接子区远离所述第一焊接子区的一侧；
形成保护层；所述保护层覆盖所述第一导电层、所述第一凹槽和所述第二凹槽，所述保护层具有贯穿的过孔，且所述过孔暴露出位于所述第一焊接子区和所述第二焊接子区的所述第一导电层；
将每个发光器件通过所述过孔焊接在位于所述第一焊接子区和所述第二焊接子区的所述第一导电层上；
其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述基底上的正投影，与所述发光器件在所述基底上的正投影均至少存在非重合区域。
再一方面，提供了一种检测方法，应用于检测如上所述的发光基板，所述方法包括：
采集所述发光基板的目标图像；
根据所述目标图像中所述第一凹槽和所述第二凹槽的参数信息，确定所述发光基板中的所述发光器件是否虚焊，和/或所述发光器件的焊接位置是否偏移。
可选的，所述参数信息包括形状信息；所述根据所述目标图像中所述第一凹槽和所述第二凹槽的参数信息，确定所述发光基板中的所述发光器件是否虚焊，和/或所述发光器件的焊接位置是否偏移的步骤，包括：
当所述目标图像中所述第一凹槽和所述第二凹槽的形状信息均与预设形状匹配时，确定所述发光基板中的所述发光器件焊接合格；
当未检测到所述目标图像中所述第一凹槽和所述第二凹槽的形状信息时，确定所述发光基板中的所述发光器件虚焊。
可选的，所述参数信息包括位置信息，所述根据所述目标图像中所述第一凹槽和所述第二凹槽的参数信息，确定所述发光基板中的发光器件是否虚焊，和/或所述发光器件的焊接位置是否偏移的步骤，包括：
根据所述第一凹槽的几何中心的第一坐标信息和第一预设距离，确定所述第一焊接子区的所述第一导电层的几何中心的第二坐标信息；
根据所述第二凹槽的几何中心的第三坐标信息和第二预设距离，确定所述第二焊接子区的所述第一导电层的几何中心的第四坐标信息；
根据所述第二坐标信息和所述第四坐标信息，确定所述发光器件的几何中心的理论位置坐标；
当所述发光器件的几何中心的实际位置坐标，与所述理论位置坐标之间的偏差大于预设偏差时，确定所述发光器件的焊接位置偏移；
当所述发光器件的几何中心的实际位置坐标，与所述理论位置坐标之间的偏差小于或等于预设偏差时，确定所述发光器件的焊接位置未偏移。
本发明的实施例提供了一种发光基板及制备方法、显示装置、检测方法，当发光器件焊接合格时，位于每个焊接区中的第一导电层与焊接材料形成合金层，该合金层较焊接之前的第一导电层厚度增加，顶起合金层上的保护层，而覆盖第一凹槽和覆盖第二凹槽的部分保护层未被顶起，从而使得位于合金层上的保护层与位于第一凹槽和第二凹槽上的保护层之间形成段差，即在位于第一凹槽和第二凹槽上的保护层中分别形成与第一凹槽和第二凹槽在基底上的投影形状相同的凹陷部；当发光器件存在虚焊问题时，第一导电层与焊接材料无法形成合金层，从而保护层中也不会形成与第一凹槽和第二凹槽在基底上的投影形状相同的凹陷部。检测设备通过检测每个焊接区中，是否存在与第一凹槽和第二凹槽在基底上的投影形状相同的凹陷部，进而快速准确的判断该发光基板是否存在焊接问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1-6为本发明实施例提供的六种发光基板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的第一凹槽和第二凹槽在发光基板中的设置位置示意图；
图8为本发明实施例提供的一种发光基板的制备方法流程图；
图9为本发明实施例提供的一种发光基板的检测方法流程图；
图10为本发明实施例提供的一种发光基板的虚焊检测方法流程图；
图11为本发明实施例提供的一种发光基板的焊接偏移检测方法流程图；
图12为本发明实施例提供的一种发光基板的焊接偏移检测原理示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的实施例中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的结构或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
为了便于清楚描述本发明的实施例的技术方案，在本发明的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量进行限定。
目前，Mini LED和Micro LED发光器件均是通过焊接的方式固定在背板中，现有技术中，Mini-LED发光基板中发光器件之间的最小间距可达到0.6mm，此时，对于9英寸的发光基板，大约需要18万个颗发光器件(Chip)；对于75英寸的背光基板，若发光器件的尺寸约为10mm，大约需要1.5万个发光器件。无论是发光基板中的发光器件还是背光基板的发光器件，若有一个发光器件发生虚焊，且未及时发现虚焊问题并进行修补，在封装工艺完成后使用的过程中该发光器件无法发光，此基板就会报废，这将产生巨大的成本损失，因此，虚焊的快速准确检测，进而及时进行修补，保证每一个发光器件的焊接合格，是整个Mini/MicroLED工艺路线中的重要步骤。
本发明的实施例提供了一种发光基板，参考图1所示，包括：基底1；位于基底1上的第一导电层2，第一导电层2包括多个焊接区A，每个焊接区A包括间隔设置的第一焊接子区B1和第二焊接子区B2；位于焊接区A的第一导电层2具有沿垂直于基底1方向上设置的至少一个第一凹槽5和至少一个第二凹槽6，每个第一凹槽5均位于第一焊接子区B1远离第二焊接子区B2的一侧，每个第二凹槽6均位于第二焊接子区B2远离第一焊接子区B1的一侧；保护层3，覆盖第一导电层2、第一凹槽5和第二凹槽6，保护层3具有贯穿的过孔，且过孔暴露出位于第一焊接子区B1和第二焊接子区B2的第一导电层2；多个发光器件4，每个发光器件4通过过孔与位于第一焊接子区B1和第二焊接子区B2的第一导电层2焊接；
其中，第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的正投影，与发光器件4在基底1上的正投影均至少存在非重合区域。
这里对于上述第一导电层2的具体材料不做限定。上述第一导电层2的材料可以是金属，或者，也可以是半导体。本发明的实施例中均以上述第一导电层2中的材料为金属为例进行说明，例如，该金属可以为铜(Cu)、铝(Al)或者金(Ag)。
上述焊接区A的含义是：在发光芯片4与第一导电层2焊接的过程中，焊接材料因加热与第一导电层2熔接在一起，使得第一导电层2与焊接材料共同形成合金层，焊接区A即形成合金层的第一导电层2所在的区域。
上述第一焊接子区B1含义是：第一导电层2中与发光器件4连接的第一焊盘所在的区域。上述第二焊接子区B2的含义是：第一导电层2中与发光器件4连接的第二焊盘所在的区域。当然，上述第一焊接子区B1还可以是第二焊盘所在的区域，第二焊接子区B2还可以是第一焊盘所在的区域，具体可以根据实际情况确定。
上述保护层3覆盖第一导电层2、第一凹槽5和第二凹槽6的含义是：保护层3覆盖第一导电层2，且延伸至第一凹槽5和第二凹槽6的内部，填满第一凹槽5和第二凹槽6。
这里对于上述第一凹槽5和第二凹槽6沿垂直于基底1方向上的深度不做限定。示例的，参考图1所示，第一凹槽5和第二凹槽6贯穿第一导电层2；或者，参考图2所示，第一凹槽5和第二凹槽6沿垂直于基底1方向上的深度小于第一导电层2沿垂直于基底1方向上的高度。
上述第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的正投影，与发光器件4在基底1上的正投影均至少存在非重合区域的含义是：参考图3所示，第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的正投影与发光器件4在基底1上的正投影均存在部分交叠区域；或者，参考图4所示，第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的正投影与发光器件4在基底1上的正投影均互不交叠。
这里对于上述发光器件4发出的光的颜色不做限定。示例的，上述所有的发光器件4可以发出同一种颜色的光，例如白色光或蓝色光，以作为背光基板使用；或者，上述发光器件4可以分为三组，每一组分别发出一种颜色的光，例如，三组分别发出红色、绿色和蓝色的光，以作为显示基板使用。体是作为背光基板还是显示基板，可以根据实际情况确定。
本发明的实施例提供了一种发光基板，参考图5所示，当该发光基板中的发光器件4焊接合格时，位于每个焊接区A中的第一导电层2与焊接材料形成合金层，该合金层较焊接之前的第一导电层2厚度增加，顶起合金层上的保护层3，而覆盖第一凹槽5和覆盖第二凹槽6的部分保护层3未被顶起，从而使得位于合金层上的保护层3与位于第一凹槽5和第二凹槽6上的保护层3之间形成段差D，即在位于第一凹槽5和第二凹槽6上的保护层3中分别形成与第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状相同的凹陷部7，当检测设备进行检测时，凹陷部7所在区域会形成反光，进而使检测设备识别到凹陷部7在基底1上的投影形状；当发光器件4存在虚焊问题时，第一导电层2与焊接材料无法形成合金层，从而保护层3中也不会形成与第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状相同的凹陷部。检测设备通过检测每个焊接区A中，是否存在与第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状相同的凹陷部7，进而快速准确的判断该发光基板是否存在虚焊问题。
需要说明的是，第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状可以相同，也可以不同，具体可以根据实际情况确定。图5中是以第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状相同为例进行绘示，此时，位于第一凹槽5和第二凹槽6上的保护层3中形成的两个凹陷部7在基底1上的投影形状也相同，故在图5中，只对两个凹陷部7中的一个进行标记。
可选的，参考图6所示，在每个焊接区A内，第一凹槽5和第二凹槽6的数量相同且均为多个，所有的第一凹槽5同排设置，所有的第二凹槽6同排设置；其中，第一凹槽5和第二凹槽6的排布方向均为第一方向OA方向，第一方向OA方向垂直于第一焊接子区B1指向第二焊接子区B2的方向，且平行于基底1所在的平面。
上述焊接区A即形成合金层的第一导电层2所在的区域，所有的第一凹槽5和第二凹槽6均位于焊接区A中。
上述第一焊接子区B1含义是：第一导电层2中与发光器件4连接的第一焊盘23所在的区域。上述第二焊接子区B2的含义是：第一导电层2中与发光器件4连接的第二焊盘24所在的区域。
本发明的实施例提供的发光基板中，通过在第一方向OA方向设置多个第一凹槽5和第二凹槽6，对于如图6中所示的位于第一焊接子区B1的第一导电层2(即第一焊盘23)而言，位于多个第一凹槽5上的保护层3中形成的与多个第一凹槽5在基底1上的投影形状相同的凹陷部7的数量越多，说明位于左侧的第一焊盘23与发光器件4之间的焊接质量越高；同理的，对于如图6中所示的位于第二焊接子区B2的第一导电层2(即第二焊盘24)而言，位于多个第二凹槽6上的保护层3中形成的与多个第二凹槽6在基底1上的投影形状相同的凹陷部7的数量越多，说明位于右侧的第二焊盘24与发光器件4之间的焊接质量越高；进而在快速准确的判断该发光基板是否存在虚焊问题的基础上，确定发光器件4与焊盘之间的焊接质量。
可选的，参考图1所示，第一凹槽5和第二凹槽6均贯穿第一导电层2。
本发明的实施例提供的发光基板中，通过将第一凹槽5和第二凹槽6均设置为贯穿第一导电层2，当该发光基板中的发光器件4焊接合格时，使得位于合金层上的保护层3与位于第一凹槽5和第二凹槽6上的保护层3之间形成的段差D最大，进而在位于第一凹槽5和第二凹槽6上的保护层3中形成的凹陷部7沿垂直于基底1方向上的深度最深，从而便于检测设备根据段差D识别到与第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状相同的凹陷部7，进而提高检测发光器件4发生虚焊的准确度。
由于第一导电层2的厚度通常在0.8um-1.2um，例如0.9um；形成的合金层的厚度通常在1.5um-2.7um，例如2um；在第一凹槽5和第二凹槽6均贯穿第一导电层2的情况下，位于合金层上的保护层3与位于第一凹槽5和第二凹槽6上的保护层3之间形成的段差D在0.7um-1.5um，例如1.1um，即位于第一凹槽5和第二凹槽6上的保护层3中形成的凹陷部7沿垂直于基底1方向上的深度范围为0.7um-1.5um，此时，在第一导电层2的厚度确定的情况下，能够尽可能提高检测设备检测发光器件4发生虚焊的准确度。
可选的，第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的正投影形状相同，且第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的正投影形状为圆形、三角形、矩形、十字形及五星形中的任意一种。
本发明的实施例提供的发光基板中，通过将第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的正投影形状设置为固定的形状，并将该形状预存在检测设备中，从而便于检测设备根据该形状快速准确的检测出发光器件4是否发生虚焊问题。
除上述圆形、三角形、矩形、十字形及五星形之外，上述第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的正投影形状还可以是半圆形、椭圆形或其它任意形状，其具体可以根据实际设计确定。
优选的，第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的正投影形状设置为圆形；实际应用中，发光器件4在基底1上的正投影形状为正方形，圆形的直径为正方形的边长的1/4～1/2倍。
本发明的实施例提供的发光基板中，通过将第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的正投影形状设置为圆形，发光器件4在基底1上的正投影形状为正方形，且圆形的直径为正方形的边长的1/4～1/2倍，一方面，投影为圆形的第一凹槽5和第二凹槽6在实际制备中工艺难度较低，且便于检测设备识别，另一方面，将圆形的直径为正方形的边长的1/4～1/2倍，避免了第一凹槽5和第二凹槽6尺寸过小检测精度低的问题，也避免了第一凹槽5和第二凹槽6尺寸过大占据发光基板过多设计空间的问题。
可选的，参考图1所示，发光器件4包括发光器件本体41和焊接层(芯片Bump)42，焊接层42位于发光器件本体41靠近第一导电层2的一侧；焊接层42包括间隔设置的第一焊接子层和第二焊接子层，第一焊接子层与位于第一焊接子区B1的第一导电层2焊接，第二焊接子层与位于第二焊接子区B2的第一导电层2焊接。
上述焊接层42由焊接材料制备，且在进行焊接工艺之前形成在发光器件本体41的一侧，以便于在焊接发光器件本体41时，不用再涂覆焊锡膏，而是将包括焊接层42的发光器件4转移至焊接位置，直接加热进行焊接，避免了通过先在预设位置涂覆焊锡膏、再转移发光器件本体41造成的焊接效率低的问题。
可选的，参考图6所示，位于第一焊接子区B1的第一导电层2为第一焊盘23，位于第二焊接子区B2的第一导电层2为第二焊盘24；第一导电层2还包括第一导线区21和第二导线区22，第一导线区21和第一焊接子区B1相连接，第二导线区22和第二焊接子区B2相连接。
上述第一导线区21和第二导线区22中的一部分可以均位于焊接区A内除第一焊接子区B1和第二焊接子区B2的区域，第一导线区21和第二导线区22中的剩余部分可以位于第一导电层2中焊接区A之间的区域。上述位于第一导线区21的第一导电层2为第一导线，上述位于第二导线区22的第一导电层2为第二导线，第一导线与第一焊盘23连接，第二导线与第二焊盘24连接，第一导线和第二导线分别与电源的正负极连接，以分别向第一焊盘23和第二焊盘24提供正极电源信号和负极电源信号。
可选的，参考图7所示，每个第一凹槽5的几何中心沿第二方向OB方向到第一焊接子区B1靠近第一凹槽5的边缘(即第一焊盘23靠近第一凹槽5的边缘)的延长线之间的距离H1范围为0-500um；每个第二凹槽6的几何中心沿与第二方向OB方向相反的方向到第二焊接子区B2靠近第二凹槽6的边缘(即第二焊盘24靠近第二凹槽6的边缘)的延长线之间的距离H2范围为0-500um；其中，第二方向OB方向为第一焊接子区B1指向第二焊接子区B2的方向(即第一焊盘23指向第二焊盘24的方向)；与第二方向OB方向相反的方向为第二焊接子区B2指向第一焊接子区B1的方向(即第二焊盘24指向第一焊盘23的方向)。
本发明的实施例提供的发光基板中，通过将上述距离H1和距离H2的范围设置为0-500um，确保第一凹槽5和第二凹槽6位于焊接区A内，从而确保在发光基板的发光器件4焊接合格时，位于焊接区A内的第一导电层2形成合金层，以顶起保护层3，在位于第一凹槽5和第二凹槽6上的保护层3中形成凹陷部7，以便于检测设备的识别，进而快速准确的判断发光基板的虚焊问题。
可选的，参考图1所示，1基底至少包括衬底10、依次层叠设置在衬底10上的过渡层(未绘制)、第二导电层11、第一平坦层12和第一绝缘层13；其中，保护层3包括第二平坦层31和第二绝缘层32，第二绝缘层32位于第二平坦层31远离基底1的一侧。
上述过渡层位于衬底10和第二导电层11之间，通常采用金属钼(Mo)制作，以提高第二导电层11与衬底10之间的粘附性，由于过渡层的厚度非常小，故在图中均未示出。
可选的，上述发光器件4为Mini LED器件或Micro LED器件。
Mini LED器件即芯片尺寸介于50-300μm之间的LED器件，Micro LED器件即芯片尺寸小于等于50um的LED器件。
根据上述发光器件4的类型和尺寸大小，可以确定第一凹槽5和第二凹槽6的尺寸大小，从而提高第一凹槽5和第二凹槽6在不同类型的LED器件的发光基板中的布局合理性，进而便于检测设备的快速识别。
除上述结构外，发光基板还包括位于每一个发光器件4上的采用封装胶制作的封装透镜结构(Lens)，相邻两个发光器件4上的封装透镜结构间隔设置，该封装透镜结构不仅能够对发光器件4起到较好的封装作用，还能够提高发光器件4的出光效率，提高光利用率。当然，上述发光基板还包括驱动IC器件及其它结构，这里只介绍与发明点相关的部件及结构，发光基板包括的其它结构可以根据公知常识和现有技术获得。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的发光基板。
上述显示装置可以是Micro OLED显示装置、Mini LED显示装置中的一种。另外，该显示装置可以是Micro OLED显示器、Mini LED显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
上述显示装置在制作过程中，可以通过检测设备检测发光基板是否存在虚焊问题，进而及时发现虚焊并进行修补，保证每一个发光器件4的焊接合格，避免显示装置在使用过程中才发现虚焊问题造成的成本损失。
本发明实施例还提供了一种发光基板的制备方法，参考图8所示，该方法包括：
S01、提供一基底1；
其中，基底1的具体制作过程如下：提供衬底10，在衬底10上沉积过渡层，在过渡层上沉积第二导电层11，然后通过涂布、曝光、显影及固化的一系列工艺形成第一平坦层12，再在第一平坦层12上沉积第一绝缘层13。
S02、在基底1上形成第一导电层2；其中，第一导电层2包括多个焊接区A，每个焊接区A包括间隔设置的第一焊接子区B1和第二焊接子区B2；位于焊接区A的第一导电层2具有沿垂直于基底1方向上设置的至少一个第一凹槽5和至少一个第二凹槽6，每个第一凹槽5均位于第一焊接子区B1远离第二焊接子区B2的一侧，每个第二凹槽6均位于第二焊接子区B2远离第一焊接子区B1的一侧；
上述第一导电层2通常采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)法沉积在基底1上，具体的，通过在基底1上沉积整面的第一导电薄膜，再对整面的第一导电薄膜进行图案化处理，以同时形成第一导电层2、第一凹槽5和第二凹槽6。
S03、形成保护层3；保护层3覆盖第一导电层2、第一凹槽5和第二凹槽6，保护层3具有贯穿的过孔，且过孔暴露出位于第一焊接子区B1和第二焊接子区B2的第一导电层2；
上述保护层3包括第二平坦层31和第二绝缘层32，第二平坦层31通常采用树脂材料，且依次通过涂布、曝光、显影的工艺过程形成；第二绝缘层32通常采用无机材料制作，通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法沉积形成在第二平坦层31上。
S04、将每个发光器件4通过过孔焊接在位于第一焊接子区B1和第二焊接子区B2的第一导电层2上；其中，第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的正投影，与发光器件4在基底1上的正投影均至少存在非重合区域。
通过本发明的实施例提供的上述制备方法得到的发光基板，当该发光基板中的发光器件4焊接合格时，位于每个焊接区A中的第一导电层2与焊接材料形成合金层，该合金层较焊接之前的第一导电层2厚度增加，顶起合金层上的保护层3，而覆盖第一凹槽5和覆盖第二凹槽6的部分保护层3未被顶起，从而使得位于合金层上的保护层3与位于第一凹槽5和第二凹槽6上的保护层3之间形成段差D，即在位于第一凹槽5和第二凹槽6上的保护层3中分别形成与第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状相同的凹陷部7；当发光器件4存在虚焊问题时，第一导电层2与焊接材料无法形成合金层，从而保护层3中也不会形成与第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状相同的凹陷部。检测设备通过检测每个焊接区A中，是否存在与第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状相同的凹陷部7，进而快速准确的判断该发光基板是否存在虚焊问题。
本发明的实施例还提供了一种检测方法，应用于检测如上所述的发光基板，参考图9所示，该方法包括：
S901、采集发光基板的目标图像；
上述目标图像是指至少包括发光器件4、第一导电层2、第一凹槽5、第二凹槽6和保护层3的图片。
上述采集发光基板的目标图像的过程是通过如下具体步骤实现的：
1)向发光基板提供第一光线；
2)接收发光基板反射回来的第二光线，根据第二光线采集目标图像。
上述第一光线是检测设备的光源发出的光线，该光线可以是白光光线，也可以是X射线(X-Ray)，光线的具体类型可以根据检测设备的类型确定，这里不做限制。另外，检测设备中通常设置有多个CCD相机(Charge Coupled Device Camera，电荷耦合相机)，通过CCD相机采集目标图像，并将目标图像以电信号的形式存储在检测设备中。需要说明的是，上述检测设备可以是AOI(Automated Optical Inspection，自动光线检测仪)设备，具体根据实际情况确定。
S902、根据目标图像中第一凹槽5和第二凹槽6的参数信息，确定发光基板中的发光器件4是否虚焊，和/或发光器件4的焊接位置是否偏移。
在检测设备中预先存储预设参数信息，根据目标图像中第一凹槽5和第二凹槽6的参数信息与预设参数信息的匹配度，确定发光基板中的发光器件4是否虚焊，和/或发光器件4的焊接位置是否偏移。
本发明的实施例提供的上述检测方法，可以快速准确的检测出发光基板中的发光器件4是否焊接合格，还可以进一步确定发光器件4的焊接位置是否偏移，大大提高了发光基板在制作过程中的检测效率和检测精度，提高生产效率，避免因发生虚焊问题未及时发现造成的成本损失，对检测出的发生虚焊或焊接偏移的发光基板进行修补，提高了产品的质量及可靠性。
可选的，参数信息包括形状信息；形状信息指的是第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状，第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状可以相同，也可以不同，本发明的实施例以第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状相同为例进行说明。
在参数信息包括形状信息的情况下，S902、根据目标图像中第一凹槽和第二凹槽的参数信息，确定发光基板中的发光器件是否虚焊，和/或发光器件的焊接位置是否偏移的步骤，参考图10所示，包括：
S101、当目标图像中第一凹槽5和第二凹槽6的形状信息均与预设形状匹配时，确定发光基板中的发光器件4焊接合格；
S102、当未检测到目标图像中第一凹槽5和第二凹槽6的形状信息时，确定发光基板中的发光器件4虚焊。
在实际应用中，检测设备检直接检测的是位于第一凹槽5和第二凹槽6上的保护层3中形成的凹陷部7的形状，以预设形状为圆形为例，具体说明如下：
当该发光基板中的发光器件4焊接合格时，位于每个焊接区A中的第一导电层2与焊接材料形成合金层，该合金层较焊接之前的第一导电层2厚度增加，顶起合金层上的保护层3，而覆盖第一凹槽5和覆盖第二凹槽6的部分保护层3未被顶起，从而在位于第一凹槽5和第二凹槽6上的保护层3中分别形成与第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状相同的凹陷部7(投影形状为圆形的凹陷部7)；由于位于合金层上的保护层3与位于第一凹槽5和第二凹槽6上的保护层3之间形成段差D，检测设备根据段差D检测到在基底1上的投影形状与预设的形状相同凹陷部7，则自动确定发光基板中的发光器件4焊接合格。实际应用中，上述圆形的凹陷部7会在目标图片中呈现出圆环、且圆环的边缘发亮，以便于检测设备快速、准确的识别。
当发光器件4存在虚焊问题时，第一导电层2与焊接材料无法形成合金层，从而保护层3中也不会形成与第一凹槽5和第二凹槽6在基底1上的投影形状相同的凹陷部7。检测设备检测不到与第一凹槽5和第二凹槽6的形状信息相同的凹陷部7时，则自动确定发光基板中的发光器件4存在虚焊问题。
本发明的实施例提供的检测方法，根据具有段差D的凹陷部7与其它位置的反光差异，识别出凹陷部7在基底上的投影形状，实现了发光器件4虚焊问题的可视化检测，从而能够快速准确的检测出发光基板是否发生虚焊问题，进而便于后续对发光基板进行修补；进一步的，上述方法可以兼容目前市场上绝大部分的AOI检测设备，发光基板的设计变化也无成本提升，可行性非常高。
除发光器件4的虚焊问题之外，发光器件4的偏移也是mini/Micro LED工艺路线必须管控的核心步骤，常规SMT(Surface Mount Technology，表面贴装工艺)采用的大多为AOI识别发光基板周围的标记点的方式，即采用FOV堆叠，将所有目标图片拼接为一个合成图片，通过识别该合成图片中外围的多个标记点来确定该发光基板整体是否焊接偏移，这种方式一方面无法准确的判断每一个发光器件的焊接位置是否准确，另一方面，目标图片堆叠的过程产生的堆叠误差极易对判断偏移误差产生干扰，测试基板越大，堆叠误差越大，因此现有技术中的检测方案已经不能满足产品需求。
为此，本发明的实施例提供以下检测方法，以准确的判断发光器件4是否焊接偏移。
可选的，参数信息包括位置信息，位置信息是指如图12中所示的第一凹槽5的几何中心的第一坐标信息(x1，y1)和第一预设距离A1，以及第二凹槽5的几何中心的第三坐标信息(x2，y2)和第二预设距离A2。
S902、根据目标图像中第一凹槽和第二凹槽的参数信息，确定发光基板中的发光器件是否虚焊，和/或发光器件的焊接位置是否偏移的步骤，参考图11所示，包括：
S201、根据如图12中所示第一凹槽5的几何中心的第一坐标信息(x1，y1)和第一预设距离A1，确定第一焊接子区B1的第一导电层2(第一焊盘23)的几何中心O1的第二坐标信息；
S202、根据第二凹槽5的几何中心的第三坐标信息(x2，y2)和第二预设距离A2，确定第二焊接子区B2的第一导电层2(第二焊盘24)的几何中心O2的第四坐标信息；
需要说明的是，本发明的实施例以上述第一焊盘23和第二焊盘24的大小尺寸相同，且在基底1上的投影形状为矩形，矩形的长边边长为b，短边边长为a为例进行说明；第一凹槽5的几何中心的第一坐标信息(x1，y1)和第一预设距离A1，以及第二凹槽5的几何中心的第三坐标信息(x2，y2)和第二预设距离A2可以通过检测设备提前检测得到。此时，第二坐标信息为(x1+A1+a/2，y1)，第四坐标信息为(x2-A2-a/2，y2)。
S203、根据第二坐标信息(x1+A1+a/2，y1)和第四坐标信息(x2-A2-a/2，y2)，确定发光器件4的几何中心的理论位置坐标；
将O1和O2两点连线的中心点O作为发光器件4的几何中心的理论位置坐标，该坐标为[(x1+A1+x2-A2)/2，(y1+y2)/2]。
S204、当发光器件4的几何中心的实际位置坐标，与理论位置坐标之间的偏差大于预设偏差时，确定发光器件4的焊接位置偏移；
通过检测设备识别目标图片中发光器件4的几何中心的实际位置坐标，将实际位置坐标与理论位置坐标进行对比，得到X、Y两个方向上的偏差值，若这两个偏差值有任意一个超出预设偏差值范围，则确定发光器件4的焊接位置偏移(又称作发光器件4的固晶位置偏移)。
S205、当发光器件的几何中心的实际位置坐标，与理论位置坐标之间的偏差小于或等于预设偏差时，确定发光器件的焊接位置未偏移。
若这上述两个偏差值均在预设偏差值范围，则确定发光器件4的焊接位置未发生偏移。
这里对于上述预设偏差的具体数值不做限定，对于不同的产品，上述预设偏差的要求不同，具体可以根据实际情况确定。
进一步需要说明的是，上述判断过程均以第一凹槽5的几何中心的纵坐标与第一焊盘23的几何中心的纵坐标相同，且第二凹槽6的几何中心的纵坐标与第二焊盘24的几何中心的纵坐标相同的情况下，进行的分析和判断。
本发明的实施例提供的上述检测方法，以两个焊盘的几何中心为发光器件4的几何中心的理论位置，通过检测设备识别出目标图片中发光器件4几何中心的实际位置，将两者进行对比，以确定出发光器件4是否发生偏移，实现了发光器件4焊接偏移问题的可视化检测，避免了现有技术中通过将所有的目标图片拼接成一个合成图片，再通过确认合成图片中所有发光器件4的位置来判断偏差时，由于拼接过程带来的拼接误差对偏移误差的干扰，另外，本发明的实施例提供的上述检测方法，检测效率高，检测准确度高。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种发光基板，其特征在于，包括：
基底；
第一导电层，位于所述基底上，所述第一导电层包括多个焊接区，每个所述焊接区包括间隔设置的第一焊接子区和第二焊接子区；位于所述焊接区的所述第一导电层具有沿垂直于所述基底方向上设置的至少一个第一凹槽和至少一个第二凹槽，每个所述第一凹槽均位于所述第一焊接子区远离所述第二焊接子区的一侧，每个所述第二凹槽均位于所述第二焊接子区远离所述第一焊接子区的一侧；
保护层，覆盖所述第一导电层、所述第一凹槽和所述第二凹槽，所述保护层具有贯穿的过孔，且所述过孔暴露出位于所述第一焊接子区和所述第二焊接子区的所述第一导电层；
多个发光器件，每个所述发光器件通过所述过孔与位于所述第一焊接子区和所述第二焊接子区的所述第一导电层焊接；
其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述基底上的正投影，与所述发光器件在所述基底上的正投影均至少存在非重合区域。
2.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，在每个所述焊接区内，所述第一凹槽和所述第二凹槽的数量相同且均为多个，所有的所述第一凹槽同排设置，所有的所述第二凹槽同排设置；
其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽的排布方向均为第一方向，所述第一方向垂直于所述第一焊接子区指向所述第二焊接子区的方向，且平行于所述基底所在的平面。
3.根据权利要求1述的发光基板，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽均贯穿所述第一导电层。
4.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述基底上的正投影形状相同，且所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述基底上的正投影形状为圆形、三角形、矩形、十字形及五星形中的任意一种。
5.根据权利要求4所述的发光基板，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述基底上的正投影形状为圆形，所述发光器件在所述基底上的正投影形状为正方形，所述圆形的直径为所述正方形的边长的1/4～1/2倍。
6.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述发光器件包括发光器件本体和焊接层，所述焊接层位于所述发光器件本体靠近所述第一导电层的一侧；
所述焊接层包括间隔设置的第一焊接子层和第二焊接子层，所述第一焊接子层与位于所述第一焊接子区的所述第一导电层焊接，所述第二焊接子层与位于所述第二焊接子区的所述第一导电层焊接。
7.根据权利要求6所述的发光基板，其特征在于，位于所述第一焊接子区的所述第一导电层为第一焊盘，位于所述第二焊接子区的所述第一导电层为第二焊盘；
所述第一导电层还包括第一导线区和第二导线区，所述第一导线区和所述第一焊接子区相连接，所述第二导线区和所述第二焊接子区相连接。
8.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，每个所述第一凹槽的几何中心沿第二方向到所述第一焊接子区靠近所述第一凹槽的边缘的延长线之间的距离范围为0-500um；
每个所述第二凹槽的几何中心沿与所述第二方向相反的方向到所述第二焊接子区靠近所述第二凹槽的边缘的延长线之间的距离范围为0-500um；
其中，所述第二方向为所述第一焊接子区指向所述第二焊接子区的方向。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的发光基板，其特征在于，所述基底至少包括衬底、依次层叠设置在所述衬底上的过渡层、第二导电层、第一平坦层和第一绝缘层；
其中，所述保护层包括第二平坦层和第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第二平坦层远离所述基底的一侧。
10.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述发光器件为MiniLED器件或Micro LED器件。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10中任一项所述的发光基板。
12.一种发光基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一基底；
在所述基底上形成第一导电层；其中，所述第一导电层包括多个焊接区，每个所述焊接区包括间隔设置的第一焊接子区和第二焊接子区；位于所述焊接区的所述第一导电层具有沿垂直于所述基底方向上设置的至少一个第一凹槽和至少一个第二凹槽，每个所述第一凹槽均位于所述第一焊接子区远离所述第二焊接子区的一侧，每个所述第二凹槽均位于所述第二焊接子区远离所述第一焊接子区的一侧；
形成保护层；所述保护层覆盖所述第一导电层、所述第一凹槽和所述第二凹槽，所述保护层具有贯穿的过孔，且所述过孔暴露出位于所述第一焊接子区和所述第二焊接子区的所述第一导电层；
将每个发光器件通过所述过孔焊接在位于所述第一焊接子区和所述第二焊接子区的所述第一导电层上；
其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述基底上的正投影，与所述发光器件在所述基底上的正投影均至少存在非重合区域。
13.一种检测方法，其特征在于，应用于检测如权利要求1-10中任一项所述的发光基板，所述方法包括：
采集所述发光基板的目标图像；
根据所述目标图像中所述第一凹槽和所述第二凹槽的参数信息，确定所述发光基板中的所述发光器件是否虚焊，和/或所述发光器件的焊接位置是否偏移。
14.根据权利要求13所述的检测方法，其特征在于，所述参数信息包括形状信息；所述根据所述目标图像中所述第一凹槽和所述第二凹槽的参数信息，确定所述发光基板中的所述发光器件是否虚焊，和/或所述发光器件的焊接位置是否偏移的步骤，包括：
当所述目标图像中所述第一凹槽和所述第二凹槽的形状信息均与预设形状匹配时，确定所述发光基板中的所述发光器件焊接合格；
当未检测到所述目标图像中所述第一凹槽和所述第二凹槽的形状信息时，确定所述发光基板中的所述发光器件虚焊。
15.根据权利要求13所述的检测方法，其特征在于，所述参数信息包括位置信息，所述根据所述目标图像中所述第一凹槽和所述第二凹槽的参数信息，确定所述发光基板中的发光器件是否虚焊，和/或所述发光器件的焊接位置是否偏移的步骤，包括：
根据所述第一凹槽的几何中心的第一坐标信息和第一预设距离，确定所述第一焊接子区的所述第一导电层的几何中心的第二坐标信息；
根据所述第二凹槽的几何中心的第三坐标信息和第二预设距离，确定所述第二焊接子区的所述第一导电层的几何中心的第四坐标信息；
根据所述第二坐标信息和所述第四坐标信息，确定所述发光器件的几何中心的理论位置坐标；
当所述发光器件的几何中心的实际位置坐标，与所述理论位置坐标之间的偏差大于预设偏差时，确定所述发光器件的焊接位置偏移；
当所述发光器件的几何中心的实际位置坐标，与所述理论位置坐标之间的偏差小于或等于预设偏差时，确定所述发光器件的焊接位置未偏移。
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