CN118103762A - 驱动背板、发光基板、背光模组及显示装置 - Google Patents

Abstract

一种驱动背板包括基板、多个焊盘组和多个标记。多个焊盘组位于基板的一侧，一个焊盘组包括至少一个焊盘。多个标记与多个焊盘组位于基板的同侧，多个标记和多个焊盘组在基板上的正投影无交叠。其中，一个焊盘组与至少一个标记对应，在向基板上的正投影中，至少一个标记位于焊盘组对应区域的周侧，与焊盘组相邻，且与焊盘组具有第一间隔。

Description

驱动背板、发光基板、背光模组及显示装置 技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种驱动背板、发光基板、背光模组及显示装置。

背景技术

微型发光二极管(英文：Micro Light Emitting Diode，简称：Micro LED)或次毫米发光二极管(英文：Mini Light Emitting Diode，简称：Mini LED)，因其体积小、耗电量小、产品寿命长等优点，越来越受到关注。其中，Micro LED是指芯片的尺寸小于100μm的LED，Mini LED是指芯片的尺寸为100μm～300μm的LED。微型发光二极管灯板或者次毫米发光二极管的制备过程包括诸多工艺，例如：固晶工艺、自动光学检测(Automated Optical Inspection，简称：AOI)、重工(英文：Rework)和绑定(英文：Bonding)等。其中，固晶工艺是指晶圆上的芯片转移并绑定到驱动背板上的过程。

发明内容

一方面，提供一种驱动背板。所述驱动背板包括基板、多个焊盘组和多个标记。多个焊盘组位于所述基板的一侧，一个焊盘组包括至少一个焊盘。多个标记与多个焊盘组位于所述基板的同侧，所述多个标记和所述多个焊盘组在所述基板上的正投影无交叠。其中，一个所述焊盘组与至少一个标记对应，在向所述基板上的正投影中，所述至少一个标记位于所述焊盘组对应区域的周侧，与所述焊盘组相邻，且与所述焊盘组具有第一间隔。

在一些实施例中，一个所述焊盘组与多个标记对应，所述多个标记沿所述焊盘组对应区域的周侧间隔分布。

在一些实施例中，一个所述焊盘组与多个标记对应，在向所述基板的正投影中，每个所述标记几何中心与所述焊盘组对应区域的几何中心的间隔大致相等；且所述多个标记的几何中心，与所述焊盘组对应区域的几何中心大致重合。

在一些实施例中，至少一个标记位于相邻两个焊盘组之间；所述相邻两个焊盘组共用，位于所述相邻两个焊盘组之间的所述至少一个标记。

在一些实施例中，驱动背板还包括至少一个导电层和至少一个绝缘层。至少一个导电层位于所述基板的一侧，每个导电层包括多条连接线。至少一个绝缘层，所述至少一个导电层远离所述基板的一侧包括一个绝缘层，且在驱动背板包括多个导电层的情况下，相邻两个导电层之间包括至少一个所述 绝缘层。其中，所述多个标记设于至少一个导电层上。

在一些实施例中，所述多个标记包括至少一个第一标记，所述第一标记所在的导电层为第一目标导电层。在向所述基板的正投影中，所述第一标记与所述第一目标导电层的多条连接线无交叠。

在一些实施例中，所述多个标记还包括至少一个第二标记，所述第二标记所在的导电层为第二目标导电层。所述第二标记与所述第二目标导电层的一条连接线的边缘连接，且所述第二标记的外轮廓凸出所述连接线的轮廓。

在一些实施例中，所述多个标记还包括至少一个第三标记，所述第三标记所在的导电层为第三目标导电层；所述至少一个绝缘层包括上层绝缘层，所述上层绝缘层位于所述第三目标导电层远离所述基板的一侧。所述上层绝缘层包括多个第一开口，在向所述基板上的正投影中，一个第一开口位于，所述第三目标导电层的一条连接线的范围内。其中，所述连接线位于所述第一开口内的部分作为一个第三标记。

在一些实施例中，所述第三标记所在的连接线为目标连接线，所述目标连接线包括第一延伸段和第二延伸段。在向所述基板上的正投影中，所述第一开口位于所述第一延伸段内，所述第一延伸段的线宽大于所述第二延伸段的线宽，且所述第一延伸段的至少一个侧边的形状，与所述第一开口的至少部分边界的形状大致相同。

在一些实施例中，所述至少一个第一导电层包括第一导电层，所述第一导电层位于所述基板的一侧，所述第一导电层包括多条第一连接线；所述至少一个绝缘层包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一导电层远离所述基板的一侧；其中，所述多个标记设于所述第一导电层。

在一些实施例中，所述至少一个导电层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层相较于所述第二导电层远离所述基板；所述第一导电层包括多条第一连接线，所述第二导电层包括多条第二连接线；所述至少一个绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一导电层远离所述基板的一侧，所述第二绝缘层位于所述第一导电层与所述第二导电层之间；其中，所述多个标记设于所述第一导电层和/或所述第二导电层，且所述多个标记包括第一标记、第二标记和第三标记中的至少一者。

在一些实施例中，所述多个标记设于所述第一导电层，且所述多个标记包括所述第一标记和所述第二标记中的至少一者；所述第一绝缘层的材料包括透明材料；和/或，所述第一绝缘层设有多个第二开口，一个所述标记在所述基板上的正投影，至少部分位于一个第二开口在所述基板上的正投影内。

在一些实施例中，所述多个标记设于所述第一导电层，所述多个标记包括多个所述第三标记；所述第一绝缘层的材料包括光阻材料。

在一些实施例中，所述多个标记设于所述第二导电层，在向所述基板的正投影中，所述多个标记和所述多条第一连接线无交叠。

在一些实施例中，所述多个标记包括第一标记和所述第二标记中的至少一者；所述第一绝缘层的材料包括透明材料；和/或，所述第一绝缘层设有多个第三开口，一个所述标记在所述基板上的正投影，至少部分位于一个第三开口在所述基板上的正投影内；所述第二绝缘层的材料包括透明材料；和/或，所述第二绝缘层设有多个第四开口，一个所述标记在所述基板上的正投影，至少部分位于一个第四开口在所述基板上的正投影内。

在一些实施例中，所述多个标记包括第三标记；所述第一绝缘层的材料包括光阻材料，且所述第二绝缘层的材料包括透明材料；所述第一绝缘层设有多个第一开口，一个第一开口在所述基板上的正投影，位于一条第二连接线在所述基板上的正投影的范围内；所述第二绝缘层设有多个第五开口，每个第五开口的边界与一个第一开口的边界大致重合，或者，所述第二绝缘层在所述基板上的正投影，覆盖所述多个第一开口在所述基板上的正投影；或者，所述第二绝缘层的材料包括光阻材料，且所述第一绝缘层的材料包括透明材料；所述第二绝缘层设有多个第一开口，一个第一开口在所述基板上的正投影，位于一条第二连接线在所述基板上的正投影的范围内；所述第一绝缘层设有多个第六开口，每个第六开口的边界与一个第一开口的边界大致重合，或者，所述第一绝缘层在所述基板上的正投影，覆盖所述多个第一开口在所述基板上的正投影。

在一些实施例中，一个所述焊盘组与多个所述标记对应，在向所述基板上的正投影中，与所述焊盘组对应的多个所述标记呈中心对称，多个所述标记的对称中心与所述焊盘组的几何中心大致重合；其中，所述焊盘组的几何中心是指所述焊盘组对应区域的几何中心。

在一些实施例中，所述焊盘组与两个所述标记对应，在向所述基板的正投影中，两个所述标记，关于所述焊盘组的几何中心呈中心对称。

在一些实施例中，所述焊盘组包括的多个焊盘与同一个芯片绑定，在向所述基板上的正投影中，所述焊盘组的几何中心，与所述焊盘组对应的所述多个标记的对称中心大致重合。

在一些实施例中，所述焊盘组包括的多个焊盘与多个芯片绑定；在向所述基板上的正投影中，与至少一个芯片绑定的多个焊盘对应区域的几何中心， 和所述多个标记的对称中心大致重合。

在一些实施例中，所述焊盘组包括两个第一焊盘、两个第二焊盘、两个第三焊盘和多个第四焊盘，所述两个第一焊盘与发射第一颜色光的第一发光芯片绑定，所述两个第二焊盘与发射第二颜色光的第二发光芯片绑定，所述两个第三焊盘与发射第三颜色光的第三发光芯片绑定，所述多个第四焊盘与驱动芯片绑定；所述多个标记的对称中心，与所述两个第一焊盘、所述两个第二焊盘和所述两个第三焊盘的几何中心大致重合，或者，与所述多个第四焊盘的几何中心大致重合，或者，与所述焊盘组的几何中心大致重合。

在一些实施例中，所述两个第一焊盘、所述两个第二焊盘和所述两个第三焊盘分别沿第一方向并排设置，且所述两个第一焊盘、所述两个第二焊盘和所述两个第三焊盘沿第二方向排列；所述第一方向和所述第二方向交叉。沿所述第一方向，所述多个第四焊盘位于所述两个第一焊盘、所述两个第二焊盘和所述两个第三焊盘的一侧。

在一些实施例中，所述标记在所述基板上的正投影的形状为圆形、矩形、正多边形、十字型中的一种或多种。

另一方面，提供一种发光基板。所述发光基板包括如上述任一实施例所述的驱动背板、多个芯片和封装层。一个芯片与一个焊盘组中的至少一个焊盘绑定。反射层位于所述多个标记和所述多个焊盘组远离所述基板的一侧，设有多个第七开口，与一个芯片绑定的所述至少一个焊盘，在所述基板上的正投影，位于一个第七开口在所述基板上的正投影的范围内。

在一些实施例中，所述至少一个焊盘对应的至少一个标记，在所述基板上的正投影，位于一个第七开口在所述基板上的正投影范围内。

在一些实施例中所述反射层还设有多个第八开口，一个标记，在所述基板上的正投影，位于一个第八开口在所述基板上的正投影范围内。

在一些实施例中，所述多个标记在所述基板上的正投影位于所述反射层在所述基板上的正投影范围内。

又一方面，提供一种背光模组，所述背光模组包括如上述任一实施例所述的发光基板和设置于所述发光基板的出光侧的光学膜片，所述发光基板的封装层包括反射层。

又一方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括如上述任一实施例所述的背光模组和设置于所述背光模组的出光侧的显示面板。

又一方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括如上述任一实施例所述的发光基板。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

图1为根据一些实施例的显示装置的结构图；

图2为图1中沿剖切线A-A一种剖视图；

图3为根据一些实施例的背光模组的结构图；

图4为根据一些实施例的发光基板的结构图；

图5A为图4中B的局部放大图；

图5B为图4中C的局部放大图；

图6A为图5A中沿剖切线D-D一种剖视图；

图6B为图5A中沿剖切线D-D另一种剖视图；

图7为图5A中沿剖切线D-D又一种剖视图；

图8A～图8E为根据一些实施例的焊盘组与对应标记的位置关系图；

图9为根据一些实施例的焊盘组与对应标记的距离关系图；

图10为根据一些实施例的两个相邻焊盘组与对应标记的结构图；

图11为根据一些实施例的导电层的结构图；

图12A为图11中E的一种局部放大图；

图12B为图11中E的另一种局部放大图；

图12C为根据一些实施例的驱动背板的结构图；

图13A和图13B为根据一些实施例的发光基板的结构图；

图14A～图14D为根据一些实施例的发光基板的结构图；

图15A～图15E为根据一些实施例的发光基板的结构图；

图16A～图16D为根据一些实施例的焊盘组与对应标记的结构图；

图17A～图17D为根据一些实施例的不同形状的标记的结构图；

图18A～图18C为根据一些实施例的焊盘组绑定多个芯片的一种结构图；

图19为根据一些实施例的焊盘组绑定多个芯片的另一种结构图；

图20为根据一些实施例的焊盘组绑定多个芯片的又一种结构图；

图21为图5A中沿剖切线D-D又一种剖视图；

图22为图21的俯视图；

图23为图5A中沿剖切线D-D又一种剖视图；

图24为图23的俯视图；

图25为图5A中沿剖切线D-D又一种剖视图；

图26为图25的俯视图；

图27为图5A中沿剖切线D-D又一种剖视图；

图28为图5A中沿剖切线D-D又一种剖视图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在描述一些实施例时，可能使用了“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。

“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。

“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。

如本文中所使用，根据上下文，术语“如果”任选地被解释为意思是 “当……时”或“在……时”或“响应于确定”或“响应于检测到”。

本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。

如本文所使用的那样，“约”、“大致”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。

应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层的厚度和区域的面积。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

本公开的实施例提供了一种显示装置1000，如图1所示，显示装置1000是用于可视化的显示电子信息的装置或者设备。示例性地，显示装置1000可以是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、显示器或者电视。

在一些实施例中，如图2所示，显示装置1000包括背光模组100和设置于背光模组100的出光侧的显示面板200，显示面板200包括层叠设置的阵列基板210、液晶层220和彩膜基板230。阵列基板210相较于彩膜基板230靠近背光模组100。其中，背光模组100的出光侧是指：背光模组100发出光线的一侧。

示例性的，上述背光模组100可以作为光源，用于提供背光。比如背光模组100提供的背光可以为白光或蓝光。

示例性的，阵列基板210可以包括多个像素驱动电路和多个像素电极，多个像素驱动电路呈阵列状排布。多个像素驱动电路与多个像素电极一一对应电连接，像素驱动电路为相应的像素电极提供像素电压。

示例性的，液晶层220包括多个液晶分子。比如，在像素电极和公共电极之间可以形成电场，位于像素电极和公共电极之间的液晶分子可以在该电场的作用下发生偏转。

示例性的，彩膜基板230可以包括彩色滤光片等。比如，在背光模组100提供的背光为白光的情况下，上述彩色滤光片可以包括红色滤光部、绿色滤光部和蓝色绿光部等。红色滤光部仅可以使得入射光线中的红光透过，绿色滤光部仅可以使得入射光线中的绿光透过，蓝色滤光部仅可以使得入射光线中的蓝光透过。又比如，在背光模组100提供的背光为蓝光的情况下，上述彩色滤光片可以包括红色滤光部和绿色滤光部等。

可以理解的是，背光模组100提供背光，光线可以透过阵列基板210，入射至液晶层220的液晶分子。液晶分子在像素电极和公共电极之间形成的电场的作用下，发生偏转，从而改变透过液晶分子的光线的量，使得经液晶分子射出的光线达到预设亮度。上述光线穿过彩膜基板230中不同颜色的滤光部后射出。上述射出的光线的颜色包括多种，例如包括红色、绿色和蓝色等，各种颜色的光线相互配合，使得显示装置1000显示图像。

在一些实施例中，如图3所示，背光模组100包括发光基板110及位于发光基板110的出光侧的光学膜片120。其中，发光基板110的出光侧是指：发光基板110发出光线的一侧。

示例性的，光学膜片120包括层叠设置在发光基板110出光侧的扩散板121、量子点膜122、扩散片123和复合膜124，扩散板121相较于复合膜124靠近发光基板110。

示例性地，扩散板121和扩散片123用于降低灯影产生的风险，并将发光基板110发出的光线进行均匀化处理，提高射出的光线的均一性。

量子点膜122用于对发光基板110发出的光进行转换。比如，在发光基板110发出的光为蓝光的情况下，量子点膜122可以将该蓝光转换为白光，可以提高该白光的纯度。又比如，量子点膜122可以将蓝光转换为红光和绿光，这样，可以省去彩膜基板230中的彩色滤光片，进一步可以减小显示装置1000的厚度。

复合膜124用于提高发光基板110发出的光线的亮度。

发光基板110发出的光线，入射至上述光学膜片120后射出的光线的亮度得到增强，且射出的光线纯度更高，均匀性更好。

在另一些实施例中，显示装置1000包括发光基板110，即发光基板110直接用于显示，而不是作为背光源。发光基板110可以射出各种颜色的光线，例如红光的光线、绿光的光线和蓝光的光线。红色的光线、绿色的光线和蓝色的光线相互组合，使得显示装置1000显示图像。

在一些实施例中，如图3所示，发光基板110包括驱动背板10、多个芯 片20和封装层30。

在一些实施例中，多个芯片20可以包括发射第一颜色光的第一发光芯片21、发射第二颜色光的第二发光芯片22、发射第三颜色光的第三发光芯片23和驱动芯片24中的至少一种，本公开的实施例对第一颜色、第二颜色和第三颜色不做限制，可以为三基色，也可以为其他颜色。例如，第一颜色、第二颜色和第三颜色分别为红色、绿色和蓝色。

在发光基板110作为背光源的情况下，多个芯片20可以包括发射第一颜色光的第一发光芯片21，第一颜色可以是蓝色或者白色，本公开的实施例对第一颜色不做限制。封装层30还包括反射层301。

发光基板110可以通过反射前置工艺或者反射后置工艺形成，反射前置工艺是指：制备反射层301的步骤在固定芯片20的步骤(固晶)之前。反射后置工艺是指：制备反射层301的步骤在固定芯片20的步骤之后。

反射层301的材料包括白油，白油的材料可以包括环氧树脂、聚四氟乙烯树脂、二氧化钛和二丙二醇甲醚中的一种或者多种，本公开的实施例不再一一列举。

示例性地，在显示面板200包括彩膜基板230(彩膜基板230包括彩色滤光片的)的情况下，第一颜色可以包括白色。

示例性地，在背光模组100包括量子点膜122的情况下，第一颜色可以包括蓝色。

在发光基板110直接用于显示的情况下，多个芯片可以包括发射第一颜色光的第一发光芯片21、发射第二颜色光的第二发光芯片22、发射第三颜色光的第三发光芯片23和驱动芯片24，比如，第一颜色、第二颜色和第三颜色分别为红色、绿色和蓝色。

在一些实施例中，如图4、图5A、图5B、图6A和图6B所示(图中芯片20未示出)，驱动背板10包括基板1和多个焊盘组2。

多个焊盘组2位于基板1的一侧，一个焊盘组2包括至少一个焊盘201。示例性地，一个焊盘组2可以包括一个焊盘201、两个焊盘201或者四个焊盘201，本公开的实施例不再一一列举。比如，如图5A所示，一个焊盘组2包括两个焊盘201，又比如，如图5B所示，一个焊盘组包括四个焊盘201。

在一些实施例中，驱动背板10还包括至少一个导电层3和至少一个绝缘层4，比如，驱动背板10还包括1、2或者3个导电层3，本公开的实施例不再一一列举。驱动背板10还包括1、2或者3个绝缘层4，本公开的实施例不再一一列举。至少一个导电层3位于基板1的一侧，每个导电层3包括多条 连接线。至少一个导电层3远离基板1的一侧为一个绝缘层4。在驱动背板10包括多个导电层3的情况下，相邻两个导电层3之间包括至少一个绝缘层4。

示例性地，如图6A和图6B所示，至少一个导电层3包括第一导电层31，至少一个绝缘层4包括第一绝缘层41，即驱动背板10还包括一个导电层3和一个绝缘层4，驱动背板10还包括第一导电层31和第一绝缘层41。

第一导电层31位于基板1的一侧，第一导电层31包括多条第一连接线311。第一导电层31的材料可以包括金属，金属的材料可以为银(英文：Argentum，简称：Ag)铝(英文：Aluminum，简称：Al)或者铜(英文：Cuprum，简称：Cu)，本公开的实施例不再一一列举。例如，第一导电层31的材料可以包括铜。

第一导电层31可以通过磁控溅射的方式形成叠层结构，示例性地，第一导电层31包括沿垂直于基板1且远离基板1的方向层叠设置的第一底层、第一传递信号层和第一保护层。第一底层设于基板1上，第一底层用于粘接基板1与第一传递信号层，比如，第一底层的材料包括 第一传递信号层设于第一底层远离所述基板1的一侧，第一传递信号层用于在多个芯片20之间传递电信号，比如，第一传递信号层包括铜。第一保护层设于第一传递信号层远离所述第一底层的一侧，第一保护层用于降低第一传递信号层的材料氧化的风险，比如，第一保护层的材料包括 比如，第一导电层31的结构为MoNb/Cu/MoNb的叠层结构，在第一导电层31的厚度较厚的情况下，由于单次磁控溅射形成的膜层的厚度有限，需要通过多次溅射形成上述第一导电层31。

第一导电层31还可以通过电镀的方式形成，先形成种子层MoNiTi提高晶粒成核密度，电镀后再制作防氧化层MoNiTi。

第一绝缘层41位于第一导电层31远离基板1的一侧，第一绝缘层41的材料可以包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅，本公开的实施例不再一一列举。

在驱动背板10包括第一导电层31和第一绝缘层41的情况下，第一导电层31包括第一连接线311，第一绝缘层41还设有多个第九开口411，一个第九开口411暴露一条第一连接线311部分区域；第一连接线311被第九开口411暴露的部分形成焊盘201。

在一些实施例中，如图7所示，至少一个导电层3包括第一导电层31和第二导电层32，至少一个绝缘层4包括第一绝缘层41和第二绝缘层42，即驱动背板10包括两个导电层3和两个绝缘层4，驱动背板10还包括第一导电 层31、第二导电层32、第一绝缘层41和第二绝缘层42。

第一导电层31相较于第二导电层32远离基板1，第一绝缘层41位于第一导电层31远离基板的一侧，第二绝缘层42位于第一导电层31与第二导电层32之间。第二导电层32包括多条第二连接线321。第二导电层32的材料与第一导电层31的材料可以相同。第二绝缘层42的材料与第一绝缘层41的材料可以相同。

第二导电层32也可以通过磁控溅射的方式形成叠层结构，示例性地，第二导电层32包括沿垂直于基板1且远离基板1的方向层叠设置的第二底层、第二传递信号层和第二保护层。第二底层设于基板1上，第二底层用于粘接基板1与第二底层，比如，第二底层的材料包括MoNb。第二传递信号层设于第二底层远离基板1的一侧，第二传递信号层用于在多个芯片20之间传递电信号，比如，第二传递信号层包括铜。第二保护层设于第二传递信号层远离所述第二底层的一侧，第二保护层用于降低第二传递信号层的材料氧化的风险和提高芯片20的牢固性，比如，第二保护层的材料包括CuNi。第二导电层的结构为MoNb/Cu/CuNi的叠层结构。

第一底层设于第二绝缘层42上，第一底层用于粘接第二绝缘层42与第一传递信号层。第一传递信号层设于第一底层远离所述基板1的一侧，第一传递信号层包括铜。第一保护层设于第一传递信号层远离所述第一底层的一侧。

在驱动背板10还包括第二导电层32和第二绝缘层42的情况下，第一绝缘层41还设有多个第九开口411，一个第九开口411暴露一条第一连接线311部分区域；第一连接线311被第九开口411暴露的部分形成焊盘201。

相关技术中，在驱动背板需要绑定的芯片的数量较多(例如,芯片的数量为百万级别)的情况下，固晶需要的时间较长，在整个固晶过程中，为了监控芯片绑定的质量，需要将驱动背板和已绑定的芯片在固晶机和自动光学检测机上多次移动，即需要在固晶机和自动光学检测机上多次上下料，这样，检测芯片位置精度的过程花费的时间较长。

为了解决上述问题，如图6A、图6B和图7所示，驱动背板10还包括多个标记7，多个标记7与多个焊盘组2位于基板1的同侧，多个标记7和多个焊盘组2在基板1上的正投影无交叠，将芯片20固定在焊盘组2上以后，芯片20不会遮挡标记7，这样，可以降低光学检测系统识别标记7失败的风险。

如图5A所示，一个焊盘组2与至少一个标记7对应，在向基板1的正投影中，至少一个标记7位于焊盘组2对应区域的周侧，与焊盘组2相邻是指： 焊盘组2和与焊盘组2对应区域的周侧的所有标记7，位于同一参考区8，即位于同一个光学检测系统形成的采光区内(图5A中虚线围成的区域)。

示例性地，如图8A所示，一个焊盘组2与一个标记7对应，焊盘组2和与对应的一个标记7位于同一参考区。如图8B和图8C所示，一个焊盘组2与两个标记7对应，焊盘组2和与对应的两个标记7位于同一参考区。如图8D所示，一个焊盘组2与三个标记7对应，焊盘组2和与对应的三个标记7位于同一参考区，如图8E所示，一个焊盘组2与四个标记7对应，焊盘组2和与对应的四个标记7位于同一参考区。本公开的实施例不再一一列举。

至少一个标记7与焊盘组具有第一间隔是指:位于焊盘组2对应区域的周侧的所有标记7与焊盘组具有第一间隔，第一间隔的尺寸大于芯片20绑定误差尺寸和安全电性间距尺寸，示例性地，安全电性间距尺寸为30μm。

芯片20绑定误差尺寸是指：在芯片20绑定到驱动背板10上且芯片20的位置精度为合格，即芯片20不会遮挡标记7的情况下，在向基板1的正投影中，芯片20的几何中心与焊盘组2的几何中心的间距。

示例性地，如图9所示，在芯片20在基板1上的正投影的形状为矩形，标记7基板上的正投影的形状为圆形的情况下，如图9所示，芯片20在基板1上的正投影的中心，和与芯片20绑定的焊盘组2在基板1上的正投影的中心的距离为A，预先设定一数值为A’，以焊盘组2的几何中心为圆心，A’为半径画圆，在A大于A’的情况下，即芯片20的几何中心落入圆外，芯片20位置精度为不合格，在A小于或者等于A’的情况下，即芯片20的几何中心落入圆内，芯片20位置精度为合格。

沿芯片20的长度方向，标记7在基板1上的正投影的中心与焊盘组在基板1上的正投影的边界的距离为D1，芯片20的实际几何中心与焊盘组2的几何中心的距离为B，沿芯片20的宽度的方向，标记7在基板1上的正投影的中心与焊盘组在基板1上的正投影的边界的距离为D2，芯片20的实际几何中心与焊盘组2的几何中心的距离为C。

其中，B、C、D1、D2和R1的关系为D1≥R1+B，D2≥R1+C，这样，将芯片20固定在焊盘组2上以后，芯片20不会遮挡标记7，可以降低标记7被芯片20阻挡，导致光学检测系统识别标记7失败的风险。

其中，参考区8为光学检测系统所形成的采光区与参考面的相交区域，参考面与基板1大致平行，且多个标记7位于参考面内。这样，光学检测系统可以通过与焊盘组2对应的至少一个标记7来计算焊盘组2的几何中心，即芯片20的理论几何中心，然后，光学检测系统将芯片20的理论几何中心 和芯片20的实际几何中心进行比对，判断芯片20的位置精度。这样，固晶机上的光学检测系统可以检测芯片20的位置精度，不需要在固晶机和自动光学检测机之间多次上下料，进而可以减少检测芯片20位置精度的过程的时间。

其中，焊盘组2的几何中心是指焊盘组2对应区域的几何中心。在焊盘组2包括一个焊盘201的情况下，焊盘组2对应区域的几何中心是指：一个焊盘201在基板1上的正投影的几何中心。在焊盘组2包括多个焊盘201的情况下。焊盘组2对应区域的几何中心是指：多个焊盘201作为一个整体构成的区域在基板1的正投影的几何中心，而不是焊盘组2包括的每个焊盘201在基板1的正投影的几何中心。

一个焊盘组2是指：共用相同的至少一个标记7(用于一次光学检测的全部标记7)的多个焊盘；比如，一个焊盘组2与一个标记7对应的情况下，所有通过相同一个标记7，检测芯片20位置精度的多个焊盘201为一个焊盘组2；或者，一个焊盘组2与多个标记7对应的情况下，所有通过相同的多个标记7，检测芯片20位置精度的多个焊盘201为一个焊盘组2。

在一些实施例中，在检测芯片20位置精度的过程中，光学检测系统可以抽取驱动背板10上绑定的几个芯片20进行检测，如果抽取的芯片20的位置精度全部合格，即可推测，与这几个芯片20同一批绑定的芯片20的位置精度合格，这样，可以进一步减少检测芯片20位置精度的过程的时间。

在另一些实施例中，在检测芯片20位置精度的过程中，自光学检测系统可以将驱动背板10上绑定的每个芯片20进行检测，这样，检测更加全面，检测的结果更加准确，可以降低芯片20的位置精度差导致发光基板110损坏的风险。

在一些实施例中，一个焊盘组2与多个标记7对应，多个标记7沿焊盘组2对应区域的周侧间隔分布，即多个标记7没有位于焊盘组2对应区域的同一侧，示例性地，多个标记7沿焊盘组2对应区域的的周侧等间隔均匀分布。比如，如图8B和图8C所示，一个焊盘组2与两个标记7对应，两个标记7沿焊盘组2对应区域的周侧间隔分布，如图8B所示，一个标记7位于焊盘组2对应区域的上侧，另一个标记7位于焊盘组2对应区域的下侧。如图8C所示，一个标记位于焊盘组2对应区域的上侧，另一个标记7位于焊盘组2对应区域的左侧。如图8D所示，三个标记7沿焊盘组2对应区域的周侧间隔分布，一个标记7位于焊盘组2对应区域的左侧，另一个标记7位于焊盘组2对应区域的上侧，又一个标记7位于焊盘组2对应区域的右侧，本公开的实施例不再一一列举。

在一些实施例中，一个焊盘组2与多个标记7对应，在向基板的正投影中，每个标记7几何中心与焊盘组2对应区域的几何中心的间隔大致相等；且多个标记7的几何中心，与焊盘组2对应区域的几何中心大致重合。光学检测系统在识别芯片20的理论中心的过程中，只需要找到多个标记7的几何的中心，而不需要根据多个标记7的对称中心进行偏移，这样，可以降低光学检测系统中算法的难度，可以减少检测芯片20位置精度的过程的时间。其中，多个标记7的几何中心是指：在向基板1的正投影中，多个标记7作为一个整体构成的区域在基板1的正投影的几何中心，而不是每个标记7在基板1的正投影的几何中心。

示例性地，如图8B所示，一个焊盘组2与两个标记7对应，且每个标记7的几何中心与焊盘组2对应区域的几何中心的间隔大致相等，且两个标记7的几何中心与焊盘组2对应区域的几何中心大致重合。如图8D所示，一个焊盘组2与三个标记7对应，且三个标记7的几何中心与焊盘组2对应区域的几何中心的间隔大致相等，且三个标记7的几何中心与焊盘组2对应区域的几何中心大致重合。本公开的实施例不再一一列举。

在一些实施中，如图10所示，至少一个标记7位于相邻两个焊盘组2之间，相邻两个焊盘组2共用，位于相邻两个焊盘组2之间的至少一个标记7。其中，至少一个标记7位于相邻两个焊盘组2之间是指：位于焊盘组2对应区域的周侧的所有标记7中至少一个标记7，位于相邻两个焊盘组2之间。相邻两个焊盘组2共用，位于相邻两个焊盘组2之间的至少一个标记7是指：相邻两个焊盘组2共用，位于相邻两个焊盘组2之间的所有标记7中的至少一个标记7。这样，可以减少标记7的数量，并降低驱动背板10的制备成本。

示例性地，如图10所示，一个焊盘组2与两个标记7对应，在向基板1的正投影中，两个标记7位于焊盘组2对应区域的周侧，两个标记7与焊盘组2具有间隔，一个标记7位于相邻两个焊盘组2之间，上述一个标记7与相邻的两个焊盘组2对应，即上述一个标记7与相邻的两个焊盘组2分别位于同一参考区8。相邻两个焊盘组2共用上述一个标记7。

在一些实施例中，如图11所示，多个标记7设于至少一个导电层3上，这样，标记7和导电层3可以通过一次构图工艺形成，这样可以减少构图次数，能够节省生产成本和提高生产效率。标记7还可以通过激光刻蚀的加工方式形成，即先做导电层3，再做标记7。

在一些实施例中，多个标记7包括至少一个第一标记71，第一标记71所在的导电层3为第一目标导电层。示例性地，在第一标记71位于第一导电层 31的情况下，第一导电层31为第一目标导电层。或者，在第一标记71位于第二导电层32的情况下，第二导电层32为第一目标导电层。或者，在第一标记71分别位于第一导电层31和第二导电层32的情况下，第一导电层31和第二导电层32均为第一目标导电层。

其中，如图12A所示，在向基板1的正投影中，第一标记71与第一目标导电层的多条连接线无交叠。这样，标记7和多条连接线互不影响，可以降低光学检测系统识别标记7失败的风险。

在一些实施例中，多个标记7还包括至少一个第二标记72，第二标记72所在的导电层为第二目标导电层。示例性地，在第二标记72位于第一导电层31的情况下，第一导电层31为第二目标导电层。或者，在第二标记72位于第二导电层32的情况下，第二导电层32为第二目标导电层。或者，在第二标记72分别位于第一导电层31和第二导电层32的情况下，第一导电层31和第二导电层32均为第二目标导电层。

其中，如图12B所示，第二标记72与第二目标导电层的一条连接线的边缘连接，且第二标记72的外轮廓凸出连接线的轮廓。将示波器或者万用表的两端与连接线两端的第二标记72分别连接，同时在连接线两端的第二标记72加上电压，可以通过示波器或者万用表的读数来判断第二目标导电层中连接线为通路或者断路。

在一些实施中，多个标记7还包括至少一个第三标记73，第三标记73所在的导电层3为第三目标导电层。示例性地，在第三标记73位于第一导电层31的情况下，第一导电层31为第三目标导电层。或者，在第三标记73位于第二导电层32的情况下，第二导电层32为第三目标导电层。或者，在第三标记73分别位于第一导电层31和第二导电层32的情况下，第一导电层31和第二导电层32均为第三目标导电层。

其中，至少一个绝缘层4包括上层绝缘层43，上层绝缘层43位于第三目标导电层远离基板1的一侧。上层绝缘43设有多个第一开口431，在向基板1上的正投影中，一个第一开口431位于，第三目标导电层的一条连接线的范围内。其中，一条连接线位于第一开口431内的部分作为一个第三标记。

示例性地，在第一导电层31为第三目标导电层的情况下，第一绝缘层41为上层绝缘层43，第一绝缘层41设有多个第一开口431，在向基板1上的正投影中，一个第一开口431位于，第一导电层31的一条第一连接线311的范围内。其中，一条第一连接线311位于第一开口431内的部分作为一个第三标记73。

或者，在第二导电层32为第三目标导电层的情况下，第二绝缘层42为上层绝缘层43，第二绝缘层42设有多个第一开口431，在向基板1上的正投影中，一个第一开口431位于，第二导电层32的一条第二连接线321的范围内。其中，一条第二连接线321位于第一开口431内的部分作为一个第三标记73。

或者，在第一导电层31和第二导电层32均为第三目标导电层的情况下，第一绝缘层和第二绝缘层42均为上层绝缘层43，第一绝缘层41和第二绝缘层42均设有多个第一开口431。在向基板1上的正投影中，一个第一开口431位于，第一导电层31的一条第一连接线311的范围内，一条第一连接线311位于第一开口431内的部分作为一个第三标记73。一个第一开口431位于，第二导电层32的一条第二连接线321的范围内，一条第二连接线321位于第一开口431内的部分作为一个第三标记73。

示例性地，如图12C所示，第三标记73所在的连接线为目标连接线701，目标连接线701可以是第一连接线311、第二连接线321或者第一连接线311和第二连接线321，目标连接线701包括第一延伸段7011和第二延伸段7012。在向基板上的正投影中，第一开口431位于第一延伸段7011内，第一延伸段7011的线宽大于第二延伸段7012的线宽，且第一延伸段7011的至少一个侧边的形状，与第一开口431的至少部分边界的形状大致相同。比如，第一开口431的边界为圆形，第一延伸段7011的至少一个侧边的形状为半圆形。

在连接线不是通过曝光显影的方式制作，即连接线的制作精度较低的情况下，在导电层3上没有办法做小尺寸的标记7，此时，可以通过在上层绝缘43开设多个第一开口431，连接线中被第一开口431暴露的部分作为标记第三标记73。示例性地，上层绝缘层43的材料包括白油，且多个第一开口431通过曝光显影的方式制作。

在一些实施中，在至少一个导电层3包括第一导电层31的情况下，多个标记7设于第一导电层31。或者，在至少一个导电层3包括第一导电层31和第二导电层32的情况下，多个标记7设于第一导电层31；或者，多个标记7设于第二导电层32；或者多个标记7中的部分标记7设于第一导电层31，多个标记7中的部分标记设于第二导电层32。本公开的实施例不再一一列举。

其中，多个标记7包括第一标记71、第二标记72和第三标记73中的至少一者。示例性地，多个标记7包括第一标记71、第二标记72、第三标记73、第一标记71和第二标记72、第二标记72和第三标记73、第一标记71和第三标记73或者第一标记71、第二标记72和第三标记73，本公开的实施例对 此不做限定。

在一些实施例中，多个标记7设于第一导电层31，且多个标记7包括第一标记71和第二标记72中的至少一者，比如，多个标记7包括第一标记71、第二标记72或者第一标记71和第二标记72，本公开的实施例不再一一列举。

其中，第一绝缘层41的材料包括透明材料；和/或，第一绝缘层41设有多个第二开口412，一个标记7在基板上的正投影，至少部分位于一个第二开口412在基板1上的正投影内，这样，光学检测系统可以识别设于第一导电层31上的标记。

可以理解的是，透明材料包括光线透过率大于或者等于85％的材料，比如，光线透过率为85％、90％或者95％，本公开的实施例不再一一列举，例如，透明材料可以是聚乙烯、聚氯乙烯或者透明聚四氟乙烯，本公开的实施例不再一一列举。

一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第二开口412在基板1上的正投影内是指：一个标记7在基板1上的正投影边界，位于一个第二开口412在基板1上的正投影边界内，且与第二开口412在基板1上的正投影边界有间隔；或者，一个标记7在基板1上的正投影边界，与一个第二开口412在基板1上的正投影边界大致重合；或者，一个标记7在基板1上的正投影边界位于一个第二开口412在基板1上的正投影边界外，且与第二开口412在基板1上的正投影边界有间隔。

示例性地，如图13A所示，第一绝缘层41的材料包括透明材料，且第一绝缘层41不设置第二开口412，这样，光学检测系统可以识别设于第一导电层31上的标记7。

示例性地，如图13B所示，第一绝缘层41设有多个第二开口412，一个标记7在基板1上的正投影，位于一个第二开口412在基板1上的正投影内，这样，光学检测系统可以识别设于第一导电层31上的标记7。

示例性地，如图13B所示，第一绝缘层41的材料包括透明材料。第一绝缘层41设有多个第二开口412，一个标记7在基板1上的正投影，位于一个第二开口412在基板1上的正投影内。这样，可以降低因第一绝缘层41厚度波动，导致光学识别系统识别多个标记7颜色不一致，进一步导致光学检测系统识别标记7失败的风险。

在一些实施例中，多个标记7设于第一导电层31，多个标记7包括多个第三标记73，第一绝缘层41的材料包括光阻材料，第一绝缘层41设有多个第一开口431，在向基板1上的正投影中，一个第一开口431位于，第一绝缘 层41的一条连接线的范围内。可以理解的是，光阻材料包括光线透过率小于或者等于15％的材料，比如，光线透过率为1％、8％或者15％，本公开的实施例不再一一列举。

可以理解的是，多个标记7设于第一导电层31，多个标记7还可以包括第一标记71和第三标记73；或者，第二标记72和第三标记73；或者，第一标记71、第二标记和第三标记73。

在一些实施例中，多个标记7设于第二导电层32，在向基板1的正投影中，多个标记7和多条第一连接线311无交叠，这样，可以降低标记7被多条第一连接线311阻挡，导致光学检测系统识别标记7失败的风险。

多个标记7包括第一标记71和第二标记72中的至少一者，比如，多个标记包括第一标记71、第二标记72或者第一标记71和第二标记72，本公开的实施例不再一一列举。

其中，第一绝缘层41的材料包括透明材料；和/或，第一绝缘层41设有多个第三开口413，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第三开口413在基板1上的正投影内。第二绝缘层42的材料包括透明材料；和/或，第二绝缘层42设有多个第四开口422，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第四开口422在基板1上的正投影内。这样，光学检测系统可以识别设于第二导电层32上的标记。

一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第三开口413在基板1上的正投影内是指：一个标记7在基板1上的正投影边界，位于一个第三开口413在基板1上的正投影边界内，且与第三开口413在基板1上的正投影边界有间隔；或者，一个标记7在基板1上的正投影边界，与一个第三开口413在基板1上的正投影边界大致重合；或者，一个标记7在基板1上的正投影边界位于一个第三开口413在基板1上的正投影边界外，且与第三开口413在基板1上的正投影边界有间隔。

一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第四开口422在基板1上的正投影内是指：一个标记7在基板1上的正投影边界，位于一个第四开口422在基板1上的正投影边界内，且与第四开口422在基板1上的正投影边界有间隔；或者，一个标记7在基板1上的正投影边界，与一个第四开口422在基板1上的正投影边界大致重合；或者，一个标记7在基板1上的正投影边界位于一个第四开口422在基板1上的正投影边界外，且与第四开口422在基板1上的正投影边界有间隔。

示例性地，如图14A所示，标记7设于第二导电层32，第一绝缘层41 和第二绝缘层42的材料均包括透明材料。这样，光学检测系统可以识别设于第二导电层32上的标记。

示例性地，如图14B所示，标记7设于第二导电层32，第一绝缘层41的材料包括透明材料，第二绝缘层42设有多个第四开口422，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第四开口422在基板1上的正投影内。这样，光学检测系统可以识别设于第二导电层32上的标记。

示例性地，如图14B所示第一绝缘层41的材料包括透明材料，第二绝缘层42的材料包括透明材料，且第二绝缘层42设有多个第四开口422，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第四开口422在基板1上的正投影内。这样，可以降低因第二绝缘层42厚度波动，导致光学识别系统识别多个标记7颜色不一致，进一步导致光学检测系统识别标记7失败的风险。

示例性地，如图14C所示，第一绝缘层41设有多个第三开口413，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第三开口413在基板1上的正投影内。第二绝缘层42的材料包括透明材料。

示例性地，如图14D所示，第一绝缘层41设有多个第三开口413，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第三开口413在基板1上的正投影内。第二绝缘层42设有多个第四开口422，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第四开口422在基板1上的正投影内，一个第三开口413的边缘与一个第四开口422的边界大致重合。这样，光学检测系统可以识别设于第二导电层32上的标记。

示例性地，如图14D所示，第一绝缘层41设有多个第三开口413，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第三开口413在基板1上的正投影内。第二绝缘层42的材料包括透明材料，且第二绝缘层42设有多个第四开口422，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第四开口422在基板1上的正投影内，一个第三开口413的边缘与一个第四开口422的边界大致重合。这样，可以降低因第二绝缘层42厚度波动，导致光学识别系统识别多个标记7颜色不一致，进一步导致光学检测系统识别标记7失败的风险。

示例性地，如图14C所示，第一绝缘层41的材料包括透明材料，且第一绝缘层41设有多个第三开口413，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第三开口413在基板1上的正投影内。第二绝缘层42的材料包括透明材料。这样，可以降低因第二绝缘层42厚度波动，导致光学识别系统识别多个标记7颜色不一致，进一步导致光学检测系统识别标记7失败的风险。

示例性地，如图14D所示，第一绝缘层41的材料包括透明材料，且第一绝缘层41设有多个第三开口413，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第三开口413在基板1上的正投影内。第二绝缘层42设有多个第四开口422，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第四开口422在基板1上的正投影内，一个第三开口413的边缘与一个第四开口422的边界大致重合。光学检测系统可以识别设于第二导电层32上的标记。

示例性地，如图14D所示，第一绝缘层41和第二绝缘层的材料包括透明材料，且第一绝缘层41设有多个第三开口413，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第三开口413在基板1上的正投影内。第二绝缘层42设有多个第四开口422，一个标记7在基板1上的正投影，至少部分位于一个第四开口422在基板1上的正投影内，一个第三开口413的边缘与一个第四开口422的边界大致重合。这样，可以降低因第一绝缘层41和第二绝缘层42厚度波动，导致光学识别系统识别多个标记7颜色不一致，进一步导致光学检测系统识别标记7失败的风险。

在一些实施例中，如图15A～图15E所示，多个标记设于第二导电层32，所述多个标记7包括第三标记73。

第一绝缘层41的材料包括光阻材料，且第二绝缘层42的材料包括透明材料，第一绝缘层41设有多个第一开口431，一个第一开口431在基板1上的正投影，位于一条第二连接线321在基板1上的正投影的范围内。如图15A所示，第二绝缘层42包括多个第五开口423，每个第五开口423的边界与一个第一开口431的边界大致重合，或者，图15B所示，第二绝缘层42在基板1上的正投影，覆盖多个第一开口431在基板1上的正投影。

或者，第二绝缘层42的材料包括光阻材料，且第一绝缘层41的材料包括透明材料。第二绝缘层42设有多个第一开口431，一个第一开口431在基板1的正投影，位于一条第二连接线321在基板1上的正投影的范围内。如图15C所示，第一绝缘层41设有多个第六开口414，每个第六开口414的边界与一个第一开口431的边界大致重合，或者，如图15D所示，第一绝缘层41在基板1上的正投影，覆盖多个第一开口431在基板1上的正投影。

或者，如图15E所示，第一绝缘层41和第二绝缘层42的材料均包括光阻材料，第一绝缘层41设有多个第一开口431，一个第一开口431在基板1上的正投影，位于一条第二连接线321在基板1上的正投影的范围内。第二绝缘层42设有多个第一开口431，一个第一开口431在基板1的正投影，位于一条第二连接线321在基板1上的正投影的范围内，每个位于第一绝缘层 41上的第一开口431的边界与一个位于第二绝缘层42上的第一开口431的边界重合。

在一些实施例中，多个标记7中的部分标记7设于第一导电层31，多个标记7中的部分标记设于第二导电层32，设于第一导电层31中的部分标记7包括第一标记71、第二标记72和第三标记73中的至少一者，设于第二导电层32中的部分标记7包括第一标记71、第二标记72和第三标记73中的至少一者。

在一些实施例中，如图8A所示，一个焊盘组2与一个标记对应，光学检测系统在识别芯片20的理论中心的过程中，需要找到上述标记7的几何中心，然后根据标记7的几何中心进行偏移，然后找到芯片20的理论几何中心，接着将芯片20的理论几何中心与芯片20的实际中心进行比对，判断芯片20的位置精度。

在一些实施例中，如图8B所示，一个焊盘组2与多个标记7对应，在向基板1上的正投影中，与一个焊盘组2对应的多个标记7呈中心对称，多个标记7的对称中心，与焊盘组2的几何中心大致重合。光学检测系统在识别芯片20的理论中心的过程中，只需要找到多个标记7的对称中心，而不需要根据多个标记7的对称中心进行偏移，这样，可以降低光学检测系统中算法的难度，可以减少检测芯片20位置精度的过程的时间。

示例性地，如图8B和图8E所示，一个焊盘组2与两个标记7对应，即两个标记7呈中心对称。在向基板1的正投影中，两个标记7，关于焊盘组2的几何中心呈中心对称，即两个标记7的对称中心与焊盘组2的几何中心大致重合。这样，在焊盘组2与对应的多个标记7的对称中心重合的情况下，标记7的数量最少，可以降低驱动背板10的制备成本。

示例性地，如图8E所示，焊盘组2与四个标记7对应，四个标记7呈中心对称，在向基板1的正投影中，四个标记7的对称中心与焊盘组2的几何中心大致重合。

在一些实施例中，在焊盘组2对应两个标记7的情况下，如图16A所示，一个标记7位于焊盘组2的上侧，另一个标记7位于焊盘组2的下侧。如图16B所示，一个标记7位于焊盘组2的左侧，另一个标记7位于焊盘组2的右侧。如图16C所示，一个标记7位于焊盘组2的右上侧，另一个标记7位于焊盘组2的左下侧。如图16D所示，一个标记7位于焊盘组2的左上侧，另一个标记7位于焊盘组2的右下侧。本公开的实施例对标记7相对于焊盘组2的位置不做限定。

在一些实施例中，标记7在基板1上的正投影的形状为圆形、矩形、正多边形、十字型中的一种或多种。示例性地，如图17A所示，标记7在基板1上的正投影的形状为圆形。或者如图17B所示，标记7在基板1上的正投影的形状为矩形。或者如图17C所示，标记7在基板1上的正投影的形状为正多边形，比如，形状为正三角形。或者如图17D所示，标记7在基板1上的正投影的形状为十字型。比如，标记7在基板1上的正投影的形状为圆形。圆形标记7与第一连接线311、第二连接线321和焊盘201的形状不同，圆形标记7识别成功率较高。再者，圆形标记7在基板1所在的平面上的正投影的面积较小。

可以理解的是，标记7在基板1上的正投影的形状并不限于上述形状，标记7在基板1上的正投影的形状能被光学检测系统识别即可。

示例性地，如图9所示，在标记7在基板1上的正投影的形状为圆形的情况下，标记的半径R1可以为50μm～500μm。示例性地，半径R1可以为50μm、260μm或者500μm，本公开的实施例不再一一列举。

焊盘组2中的至少一个焊盘201与至少一个芯片20绑定。

在一些实施例中，芯片20的间距较大，焊盘组2包括多个焊盘201被与一个芯片20绑定，在向基板1上的正投影中，焊盘组2的几何中心，与焊盘组2对应的多个标记7的对称中心大致重合。

示例性地，如图5A所示，焊盘组2包括的两个焊盘201与一个芯片20绑定，在向基板1上的正投影中，焊盘组2的几何中心，与焊盘组2对应的多个标记7的对称中心大致重合。

示例性地，如图5B所示，焊盘组2包括的四个焊盘201与一个芯片20绑定，在向基板1上的正投影中，焊盘组2的几何中心，与焊盘组2对应的多个标记7的对称中心大致重合。

在一些实施例中，如图18A～图18C所示，芯片20的间距较小，发光基板110包括的芯片的数量较多，可以将发光基板110划分更多的分区(比如分区的数量为上千级别)，每个分区独立控制，进而可以提高显示装置1000的对比度和亮度，可以提高用户的体验感。

焊盘组2包括的多个焊盘201与多个芯片20绑定。在向基板1上的正投影中，与至少一个芯片20绑定的多个焊盘201对应区域的几何中心，和多个标记7的对称中心大致重合。其中，多个焊盘201对应区域是指：多个焊盘201作为一个整体构成的区域的几何中心，而不是每个焊盘201的几何中心。

示例性地，如图18A～图18C所示，焊盘组2包括的多个焊盘201与四个 芯片20绑定。多个焊盘201可以包括两个第一焊盘2011、两个第二焊盘2012、两个第三焊盘2013和多个第四焊盘2014，两个第一焊盘2011与发射第一颜色光的第一发光芯片21绑定，两个第二焊盘2012与发射第二颜色光的第二发光芯片22绑定，两个第三焊盘2013与发射第三颜色光的第三发光芯片23绑定，多个第四焊盘2014与驱动芯片24绑定。

与至少一个芯片20绑定的多个焊盘201对应区域的几何中心，和多个标记7的对称中心大致重合是指：在向基板1的正投影中，一个芯片20绑定的多个焊盘201对应区域的几何中心，和多个标记7的对称中心大致重合，或者，多个芯片20绑定的多个焊盘201对应区域的几何中心，和多个标记7的对称中心大致重合。

示例性地，一个第一发光芯片21绑定的两个第一焊盘2011对应区域的几何中心，与两个标记7的几何中心大致重合。或者，一个第二发光芯片22绑定的两个第二焊盘2012对应区域的几何中心，与两个标记7的几何中心大致重合。或者，一个第三发光芯片23绑定的两个第三焊盘2013对应区域的几何中心，与两个标记7的几何中心大致重合。或者，如图18B所示，一个驱动芯片24绑定的多个第四焊盘2014对应区域的几何中心，与两个标记7的几何中心大致重合。本公开的实施例不再一一列举。

示例性地，一个第一发光芯片21与一个第二发光芯片22绑定的多个焊盘201对应区域的几何中心，与两个标记7的几何中心大致重合。或者，一个第一发光芯片21与一个第三发光芯片23绑定的多个焊盘201对应区域的几何中心，与两个标记7的几何中心大致重合。或者，一个第一发光芯片21与一个驱动芯片24绑定的多个焊盘201对应区域的几何中心，与两个标记7的几何中心大致重合。本公开的实施例不再一一列举。

示例性地，如图18A所示，一个第一发光芯片21、一个第二发光芯片22绑定的两个第二焊盘2012与一个第三发光芯片23绑定的多个焊盘201对应区域的几何中心，与两个标记7的几何中心大致重合。本公开的实施例不再一一列举。

示例性地，如图18C所示，一个第一发光芯片21、一个第二发光芯片22绑定的两个第二焊盘2012、一个第三发光芯片23、与一个驱动芯片24绑定的多个焊盘201对应的区域的几何中心，与两个标记7的几何中心大致重合。即焊盘组2的几何中心与两个标记7的几何中心大致重合。

在一些实施例中，如图18A～图18C所示，两个第一焊盘2011、两个第二焊盘2012和两个第三焊盘2013分别沿第一方向X并排设置，且两个第一 焊盘2011、两个第二焊盘2012和两个第三焊盘2013沿第二方向Y排列。沿第一方向X，多个第四焊盘2014位于两个第一焊盘2011、两个第二焊盘2012和两个第三焊盘2013的一侧。第一方向X和第二方向Y交叉，示例性地，第一方向X和第二方向Y相垂直。在多个标记7的对称中心与两个第一焊盘2011、两个第二焊盘2012和两个第三焊盘2013的几何中心大致重合的情况下，多个标记7的对称中心还与两个第二焊盘2012的几何中心大致重合。

在一些实施例中，如图19所示，在两个第一焊盘2011、两个第二焊盘2012、两个第三焊盘2013和多个第四焊盘2014未位于同一参考区8的情况下，多个标记7包括至少一个第一子标记74和至少一个第二子标记75。至少一个第一子标记74、第一焊盘2011、两个第二焊盘2012和两个第三焊盘2013位于同一参考区8。至少一个第二子标记75和多个第四焊盘2014位于同一参考区8，其中，第一子标记74和第二子标记75均包括第一标记71、第二标记72和第三标记73中的至少一者。

示例性地，多个标记7包括两个第一子标记74和两个第二子标记75，两个第一子标记74中的一个第一子标记74位于两个第一焊盘2011的上侧，另一个第一子标记74位于两个第三焊盘2013的下侧。两个第一子标记74，与两个第一焊盘2011、两个第二焊盘2012和两个第三焊盘位于同一参考区8，且两个第一子标记74的几何中心，与两个第一焊盘2011、两个第二焊盘2012和两个第三2013的几何中心大致重合。两个第二子标记75中的一个第二子标记75位于多个第四焊盘2014的上侧，另一个第二子标记75位于多个第四焊盘2014的下侧。

其中，第一发光芯片21、第二发光芯片22、第三发光芯片23的理论几何中心都是通过两个第一子标记74计算的，所以，两个第一焊盘2011、两个第二焊盘2012、两个第三焊盘2013形成一个焊盘组2。

驱动芯片24的理论几何中心是通过两个第二子标记75计算的，所以，多个第四焊盘2014形成一个焊盘组2。

两个第二子标记75和多个第四焊盘2014位于同一参考区8，且两个第二子标记75的几何中心和多个第四焊盘2014的几何中心大致重合。

在一些实施例中，如图20所示，在两个第一焊盘2011、两个第二焊盘2012、两个第三焊盘2013和多个第四焊盘2014位于同一参考区8的情况下，两个第一焊盘2011、两个第二焊盘2012、两个第三焊盘2013和多个第四焊盘2014也可以分为两个焊盘组，比如，两个第一焊盘2011、两个第二焊盘2012和两个第三焊盘2013为一个焊盘组，对应两个第一子标记74，多个第 四焊盘2014为一个焊盘组，对应两个第二子标记75。且两个第一子标记74关于两个第一焊盘2011、两个第二焊盘2012和两个第三焊盘2013的几何中心呈中心对称，两个第二子标记75关于多个第四焊盘2014的几何中心呈中心对称。这样，可以降低光学检测系统中算法的难度，进而可以降低光学检测系统检测芯片20位置精度的过程的时间。

在一些实施例中，如图21所示，封装层30位于多个标记7和多个焊盘组2远离基板1的一侧，封装层30设有多个第七开口302，一个芯片20在基板1上的正投影位于一个第七开口302在基板1上正投影的范围内，与一个芯片20绑定的至少一个焊盘201，在基板1上的正投影，位于一个第七开口302在基板1上的正投影的范围内，在发光基板110作为背光源的情况下，封装层30还包括反射层301。

在一些实施例中，如图22所示，与一个芯片20绑定的至少一个焊盘201对应的至少一个标记7，在基板1上的正投影，位于一个第七开口302在基板1上的正投影范围内。这样，封装层30不会覆盖标记7，进而不会影响光学检测系统识别标记7。在发光基板110作为背光源的情况下，封装层30还包括反射层301，反射层301可以通过丝网印刷工艺、曝光显影工艺或者3D打印技术制备。发光基板110可以通过反射前置工艺或者反射后置工艺制备。

在发光基板110通过反射前置工艺制备的情况下，反射层301通过丝网印刷工艺、曝光显影工艺制备。丝网印刷工艺成本低，可以降低发光基板的制备成本。曝光显影工艺的精度高，可以提高发光基板110的显示效果。

在发光基板110通过反射后置工艺制备的情况下，反射层301通过3D打印技术制备，3D打印的自由度高，打印喷头与待打印的基板1之间为非接触式出胶，且打印形成的反射层301对应的尺寸精度及与第七开口302的尺寸精度较高，有利于提高反射层301占据的基板1的面积比例，进而可以提高反射层130的反射率，提高芯片20发出光线的利用率。

采用3D打印工艺的一次打印厚度较厚，因此，采用3D打印工艺可以使得反射层301一次成型，在一定程度上可以提高所制备的反射层301的精度，避免丝网印刷中的多次印刷造成的反射层尺寸误差的叠加后增大以及呈阶梯状状的形貌特征，进一步提高了形成反射层301的尺寸精度，且3D打印工艺形成的反射层301的表面不存在网格状的压痕。

由于先在基板1上将芯片20固定，然后采用3D打印工艺形成反射层301，使得反射层301在固晶工艺(此处指的是将芯片20固定在基板1上的工艺)后形成，可以使得反射层301材料不会沉积到与芯片连接的焊盘201上，进 而可以降低在先形成反射层301的情况下，容易出现的反射层301材料沉积在焊盘201上而带来的灭灯或虚焊的风险，从而提高发光基板110的良率，此外，还可以降低固晶工艺中的回流焊工艺使得反射层301的反射率的降低的风险，进而可以提高反射层301的光效，提高发光基板110的发光率，进而提高背光模组100及显示装置1000的显示亮度，降低背光模组100及显示装置1000的功耗。

在一些实施例中，如图23和图24所示，封装层30还设有多个第八开口303，与一个芯片20绑定的至少一个焊盘201对应的至少一个标记7，在基板1上的正投影，位于一个第八开口303在基板1上的正投影范围内。这样，封装层30不会覆盖标记7，进而不会影响光学检测系统识别标记7。在发光基板110作为背光源的情况下，封装层30还包括反射层301，反射层301可以通过丝网印刷工艺、曝光显影工艺或者3D打印技术制备。发光基板110可以通过反射前置工艺或者反射后置工艺制备。

在一些实施例中，如图25和图26所示，多个标记7在基板1上的正投影位于封装层30在基板1上的正投影范围内。如果封装层30的制备步骤在固晶步骤之前，封装层30覆盖标记7，会影响光学检测系统识别标记7。如果封装层30的制备步骤在固晶步骤之后，此时，固晶已经完成，标记7的作用已经发挥完，封装层30覆盖标记7也没有任何影响。在发光基板110作为背光源的情况下，封装层30还包括反射层301，反射层301的面积较大，可以降低灯影产生的风险。反射层301通过3D打印技术制备，这样可以降低已经绑定在驱动背板10上的芯片20掉落的风险。发光基板110可以通过反射前置工艺制备。

在一些实施例中，如图27所示(图中标记7未示出)，在驱动背板10包括第一导电层31和第一绝缘层41的情况下，第一绝缘层41包括第一子绝缘层415和第二子绝缘层416，第一子绝缘层415相较于第二子绝缘层416靠近基板1，第一导电层31位于第一子绝缘层415和第二子绝缘层416之间。

在发光基板110作为背光源的情况下，反射层301包括第一子反射层3011和第二子反射层3012，第一子反射层3011相较于第二子反射层3012靠近第一绝缘层41。示例性地，第一子反射层3011的材料包括白油，第二子反射层3012为反射片。第一子反射层3011设有多个第十一开口331，第二子反射层3012设有多个第十二开口341，一个第十一开口331与一个第十二开口341形成上述一个第七开口302。

发光基板110还包括保护层40，保护层40位于芯片20远离第一绝缘层 41的一侧，保护层40被配置为封装芯片20，保护层40可以降低空气中的水汽进入芯片20的风险，可以提高芯片20的使用寿命。

示例性地，如图27所示，保护层40包括多个保护子层401，一个保护子层401被配置为保护一个焊盘组2所对应的芯片20，一个保护子层401位于一个第十二开口341内。

示例性地，示例性地，保护层40可以包括整层保护层40，整层保护层40覆盖多个芯片20。

在一些实施例中，如图28所示(图中标记7未示出)，驱动背板10包括第二导电层32和第二绝缘层42的情况下，驱动背板10还包括第一钝化层9、第二钝化层11、第三钝化层12和第四钝化层13。

第一钝化层9位于第二导电层32和基板1之间，第二钝化层11位于第二导电层32与第二绝缘层42之间，第三钝化层12位于第二绝缘层42远离第二钝化层11的一侧，第一导电层31位于第三钝化层12远离第二绝缘层42的一侧，第四钝化层13位于第一绝缘层41远离第三钝化层12的一侧。

封装层30包括第一子反射层3011和第二子反射层3012，第一子反射层3011相较于第二子反射层3012靠近第一绝缘层41。示例性地，第一子反射层3011和第二子反射层3012的材料均包括白油。第一子反射层3011设有多个第十一开口331，第二子反射层3012设有多个第十二开口341，一个第十一开口331与一个第十二开口341形成上述一个第七开口302。

发光基板110还包括保护层40，保护层40位于芯片20远离第一绝缘层41的一侧，保护层40被配置为封装芯片20，保护层40可以降低空气中的水汽进入芯片20的风险，可以提高芯片20的使用寿命。

示例性地，如图28所示，保护层40包括多个保护子层401，一个保护子层401被配置为保护一个焊盘组2所对应的芯片20，一个保护子层401位于第二子反射层3012远离第一子反射层3011的一侧，且与第二子反射层3012固定连接。

示例性地，示例性地，保护层40可以包括整层保护层40，整层保护层40覆盖多个芯片20。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (30)

1. 一种驱动背板，包括：

   基板；

   多个焊盘组，位于所述基板的一侧，一个焊盘组包括至少一个焊盘；

   多个标记，与多个焊盘组位于所述基板的同侧，所述多个标记和所述多个焊盘组在所述基板上的正投影无交叠；

   其中，一个所述焊盘组与至少一个标记对应，在向所述基板上的正投影中，所述至少一个标记位于所述焊盘组对应区域的周侧，与所述焊盘组相邻，且与所述焊盘组具有第一间隔。
2. 根据权利要求1所述的驱动背板，其中，一个所述焊盘组与多个标记对应，所述多个标记沿所述焊盘组对应区域的周侧间隔分布。
3. 根据权利要求1或2所述的驱动背板，其中，一个所述焊盘组与多个标记对应，在向所述基板的正投影中，每个所述标记几何中心与所述焊盘组对应区域的几何中心的间隔大致相等；且所述多个标记的几何中心，与所述焊盘组对应区域的几何中心大致重合。
4. 根据权利要求1～3中任一项所述的驱动背板，其中，至少一个标记位于相邻两个焊盘组之间；所述相邻两个焊盘组共用，位于所述相邻两个焊盘组之间的所述至少一个标记。
5. 根据权利要求1～4中任一项所述的驱动背板，还包括：

   至少一个导电层，位于所述基板的一侧，每个导电层包括多条连接线；

   至少一个绝缘层，所述至少一个导电层远离所述基板的一侧包括一个绝缘层，且在驱动背板包括多个导电层的情况下，相邻两个导电层之间包括至少一个所述绝缘层；

   其中，所述多个标记设于至少一个导电层上。
6. 根据权利要求5所述的驱动背板，其中，所述多个标记包括至少一个第一标记，所述第一标记所在的导电层为第一目标导电层；

   在向所述基板的正投影中，所述第一标记与所述第一目标导电层的多条连接线无交叠。
7. 根据权利要求5或6所述的驱动背板，其中，所述多个标记还包括至少一个第二标记，所述第二标记所在的导电层为第二目标导电层；

   所述第二标记与所述第二目标导电层的一条连接线的边缘连接，且所述第二标记的外轮廓凸出所述连接线的轮廓。
8. 根据权利要求5～7中任一项所述的驱动背板，其中，所述多个标记还包括至少一个第三标记，所述第三标记所在的导电层为第三目标导电层；所 述至少一个绝缘层包括上层绝缘层，所述上层绝缘层位于所述第三目标导电层远离所述基板的一侧；

   所述上层绝缘层设有多个第一开口，在向所述基板上的正投影中，一个第一开口位于，所述第三目标导电层的一条连接线的范围内；

   其中，所述连接线位于所述第一开口内的部分作为一个第三标记。
9. 根据权利要求8所述的驱动背板，其中，所述第三标记所在的连接线为目标连接线，所述目标连接线包括第一延伸段和第二延伸段；

   在向所述基板上的正投影中，所述第一开口位于所述第一延伸段内，所述第一延伸段的线宽大于所述第二延伸段的线宽，且所述第一延伸段的至少一个侧边的形状，与所述第一开口的至少部分边界的形状大致相同。
10. 根据权利要求5～9中任一项所述的驱动背板，其中，

    所述至少一个第一导电层包括第一导电层，所述第一导电层位于所述基板的一侧，所述第一导电层包括多条第一连接线；

    所述至少一个绝缘层包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一导电层远离所述基板的一侧；

    其中，所述多个标记设于所述第一导电层。
11. 根据权利要求5～9中任一项所述的驱动背板，其中，

    所述至少一个导电层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层相较于所述第二导电层远离所述基板；所述第一导电层包括多条第一连接线，所述第二导电层包括多条第二连接线；

    所述至少一个绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一导电层远离所述基板的一侧，所述第二绝缘层位于所述第一导电层与所述第二导电层之间；

    其中，所述多个标记设于所述第一导电层和/或所述第二导电层，且所述多个标记包括第一标记、第二标记和第三标记中的至少一者。
12. 根据权利要求10或11所述的驱动背板，其中，

    所述多个标记设于所述第一导电层，且所述多个标记包括所述第一标记和所述第二标记中的至少一者；

    所述第一绝缘层的材料包括透明材料；和/或，所述第一绝缘层设有多个第二开口，一个所述标记在所述基板上的正投影，至少部分位于一个第二开口在所述基板上的正投影内。
13. 根据权利要求10或11所述的驱动背板，其中，所述多个标记设于所述第一导电层，所述多个标记包括多个所述第三标记；

    所述第一绝缘层的材料包括光阻材料。
14. 根据权利要求11所述的驱动背板，其中，所述多个标记设于所述第二导电层，在向所述基板的正投影中，所述多个标记和所述多条第一连接线无交叠。
15. 根据权利要求14所述的驱动背板，其中，所述多个标记包括第一标记和所述第二标记中的至少一者；

    所述第一绝缘层的材料包括透明材料；和/或，所述第一绝缘层设有多个第三开口，一个所述标记在所述基板上的正投影，至少部分位于一个第三开口在所述基板上的正投影内；

    所述第二绝缘层的材料包括透明材料；和/或，所述第二绝缘层设有多个第四开口，一个所述标记在所述基板上的正投影，至少部分位于一个第四开口在所述基板上的正投影内。
16. 根据权利要求14所述的驱动背板，其中，所述多个标记包括第三标记；

    所述第一绝缘层的材料包括光阻材料，且所述第二绝缘层的材料包括透明材料；所述第一绝缘层设有多个第一开口，一个第一开口在所述基板上的正投影，位于一条第二连接线在所述基板上的正投影的范围内；所述第二绝缘层设有多个第五开口，每个第五开口的边界与一个第一开口的边界大致重合，或者，所述第二绝缘层在所述基板上的正投影，覆盖所述多个第一开口在所述基板上的正投影；

    或者，所述第二绝缘层的材料包括光阻材料，且所述第一绝缘层的材料包括透明材料；所述第二绝缘层设有多个第一开口，一个第一开口在所述基板上的正投影，位于一条第二连接线在所述基板上的正投影的范围内；所述第一绝缘层设有多个第六开口，每个第六开口的边界与一个第一开口的边界大致重合，或者，所述第一绝缘层在所述基板上的正投影，覆盖所述多个第一开口在所述基板上的正投影。
17. 根据权利要求1～16中任一项所述的驱动背板，其中，一个所述焊盘组与多个所述标记对应，在向所述基板上的正投影中，与所述焊盘组对应的多个所述标记呈中心对称，多个所述标记的对称中心与所述焊盘组的几何中心大致重合；其中，所述焊盘组的几何中心是指所述焊盘组对应区域的几何中心。
18. 根据权利要求1～17中任一项所述的驱动背板，其中，所述焊盘组与两个所述标记对应，在向所述基板的正投影中，两个所述标记，关于所述焊 盘组的几何中心呈中心对称。
19. 根据权利要求1～18中任一项所述的驱动背板，其中，所述焊盘组包括的多个焊盘与同一个芯片绑定，在向所述基板上的正投影中，所述焊盘组的几何中心，与所述焊盘组对应的所述多个标记的对称中心大致重合。
20. 根据权利要求1～18中任一项所述的驱动背板，其中，所述焊盘组包括的多个焊盘与多个芯片绑定；在向所述基板上的正投影中，与至少一个芯片绑定的多个焊盘对应区域的几何中心，和所述多个标记的对称中心大致重合。
21. 根据权利要求20所述的驱动背板，其中，所述焊盘组包括两个第一焊盘、两个第二焊盘、两个第三焊盘和多个第四焊盘，所述两个第一焊盘与发射第一颜色光的第一发光芯片绑定，所述两个第二焊盘与发射第二颜色光的第二发光芯片绑定，所述两个第三焊盘与发射第三颜色光的第三发光芯片绑定，所述多个第四焊盘与驱动芯片绑定；

    所述多个标记的对称中心，与所述两个第一焊盘、所述两个第二焊盘和所述两个第三焊盘的几何中心大致重合，或者，与所述多个第四焊盘的几何中心大致重合，或者，与所述焊盘组的几何中心大致重合。
22. 根据权利要求21所述的驱动背板，其中，所述两个第一焊盘、所述两个第二焊盘和所述两个第三焊盘分别沿第一方向并排设置，且所述两个第一焊盘、所述两个第二焊盘和所述两个第三焊盘沿第二方向排列；所述第一方向和所述第二方向交叉；

    沿所述第一方向，所述多个第四焊盘位于所述两个第一焊盘、所述两个第二焊盘和所述两个第三焊盘的一侧。
23. 根据权利要求1～22中任一项所述的驱动背板，所述标记在所述基板上的正投影的形状为圆形、矩形、正多边形、十字型中的一种或多种。
24. 一种发光基板，包括：

    根据权利要求1～23中任一项所述的驱动背板；

    多个芯片，一个芯片与一个焊盘组中的至少一个焊盘绑定；

    封装层，位于所述多个标记和所述多个焊盘组远离所述基板的一侧，设有多个第七开口，与一个芯片绑定的所述至少一个焊盘，在所述基板上的正投影，位于一个第七开口在所述基板上的正投影的范围内。
25. 根据权利要求24所述的发光基板，其中，所述至少一个焊盘对应的至少一个标记，在所述基板上的正投影，位于一个第七开口在所述基板上的正投影范围内。
26. 根据权利要求24所述的发光基板，其中，所述反射层还设有多个第八开口，一个标记，在所述基板上的正投影，位于一个第八开口在所述基板上的正投影范围内。
27. 根据权利要求24所述的发光基板，其中，所述多个标记在所述基板上的正投影位于所述反射层在所述基板上的正投影范围内。
28. 一种背光模组，包括：

    如权利要求24～27中任一项所述的发光基板，所述发光基板的封装层包括反射层；

    设置于所述发光基板的出光侧的光学膜片。
29. 一种显示装置，包括：

    如权利要求28所述的背光模组；

    设置于所述背光模组的出光侧的显示面板。
30. 一种显示装置，包括如权利要求24～27中任一项所述的发光基板。