CN113314575A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113314575A
CN113314575A CN202110574112.8A CN202110574112A CN113314575A CN 113314575 A CN113314575 A CN 113314575A CN 202110574112 A CN202110574112 A CN 202110574112A CN 113314575 A CN113314575 A CN 113314575A
Authority
CN
China
Prior art keywords
active layer
transistor
display panel
insulating layer
via hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110574112.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113314575B (zh
Inventor
袁永
何水
谢锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN202110574112.8A priority Critical patent/CN113314575B/zh
Publication of CN113314575A publication Critical patent/CN113314575A/zh
Priority to US17/550,732 priority patent/US20220109037A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN113314575B publication Critical patent/CN113314575B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1229—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with different crystal properties within a device or between different devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1251—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
    • H01L29/78675—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with normal-type structure, e.g. with top gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括衬底基板；第一晶体管，第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源层包含硅；第二晶体管，第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，第二有源层包含硅；第三晶体管，第三晶体管包括第三有源层、第三栅极、第三源极和第三漏极，第三有源层包含氧化物半导体；像素电路为显示元件提供驱动电流，驱动电路为像素电路提供驱动信号；驱动电路包括第一晶体管，像素电路包括第二晶体管和第三晶体管；第一晶体管的亚阈值摆幅为SS1，第二晶体管的亚阈值摆幅为SS2，SS1＜SS2。本发明实施例的技术方案，可提升显示面板的显示效果。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板由于同时具备自发光、对比度高、厚度薄、反应速度快、可用于挠曲性面板等优点，在显示领域应用越来越广泛。
OLED显示面板的OLED元件属于电流驱动型元件，需要设置相应的像素电路以及驱动电路，驱动电路为像素电路提供驱动信号，以使像素电路为OLED元件提供驱动电流，驱动OLED元件发光。OLED显示面板的驱动电路和像素电路中均设置有晶体管。现有技术中，一般驱动电路中的晶体管和像素电路中的晶体管采用相同的工艺制程形成，具有相同的亚阈值摆幅，对于驱动电路中的晶体管，亚阈值摆幅偏大时会导致晶体管开启延迟，无法实现高频驱动。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以提升显示面板的显示效果。
第一方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括：
衬底基板；
第一晶体管，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层包含硅；
第二晶体管，所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层包含硅；
第三晶体管，所述第三晶体管包括第三有源层、第三栅极、第三源极和第三漏极，所述第三有源层包含氧化物半导体；
像素电路和驱动电路，所述像素电路为所述显示面板的显示元件提供驱动电流，所述驱动电路为所述像素电路提供驱动信号；其中，
所述驱动电路包括所述第一晶体管，所述像素电路包括所述第二晶体管和所述第三晶体管；
所述第一晶体管的亚阈值摆幅为SS1，所述第二晶体管的亚阈值摆幅为SS2，SS1＜SS2。
第二方面，本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法，用于制备上述的显示面板，包括：
S1：准备衬底基板；
S2：在所述衬底基板上形成：
第一有源层、第一栅极，所述第一有源层包含硅；
第二有源层、第二栅极，所述第二有源层包含硅；
第三有源层、第三栅极，所述第三有源层包含氧化物半导体；
多层层间绝缘层，包括第一绝缘层；
S3：在所述多层层间绝缘层中形成第二过孔，所述第二过孔延伸至所述第二有源层；
S4：对所述显示面板进行去氢化处理；
S5：在所述多层层间绝缘层中形成第一过孔，所述第一过孔延伸至所述第一有源层；
S6：在所述多层层间绝缘层中的至少部分绝缘层中形成第三过孔，所述第三过孔延伸至所述第三有源层；
S7：在所述第二过孔上形成与所述第二有源层连接的第二源极和/或第二漏极，在所述第一过孔上形成与所述第一有源层连接的第一源极和/或第一漏极，在所述第三过孔上形成与所述第三有源层连接的第三源极和/或第三漏极。
第三方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板，包括：衬底基板；第一晶体管，第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源层包含硅；第二晶体管，第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，第二有源层包含硅；第三晶体管，第三晶体管包括第三有源层、第三栅极、第三源极和第三漏极，第三有源层包含氧化物半导体；像素电路和驱动电路，像素电路为显示面板的显示元件提供驱动电流，驱动电路为像素电路提供驱动信号；其中，驱动电路包括第一晶体管，像素电路包括第二晶体管和第三晶体管；第一晶体管的亚阈值摆幅为SS1，第二晶体管的亚阈值摆幅为SS2，SS1＜SS2。通过设置位于边框区的驱动电路和位于显示区的像素电路，驱动电路为像素电路提供驱动信号，像素电路为显示元件提供驱动电流；通过设置驱动电路中的第一晶体管的亚阈值摆幅小于像素电路中第二晶体管的亚阈值摆幅，即第一晶体管的亚阈值摆幅较小，以使驱动电路中的第一晶体管具有更快的响应速度，从而实现显示面板的高频驱动；第二晶体管的亚阈值摆幅较大，以使像素电路中的第二晶体管的具有更高的稳定性，以使得低亮度时显示更均匀，从而提升显示面板的显示效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图3为本发明实施例提供的制备方法中S2后的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的制备方法中S3后的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的制备方法中S5后的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的制备方法中S6后的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。需要注意的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，参考图1，本发明实施例提供的显示面板包括：衬底基板10；第一晶体管20，第一晶体管20包括第一有源层21、第一栅极22、第一源极23和第一漏极24，第一有源层21包含硅；第二晶体管30，第二晶体管30包括第二有源层31、第二栅极32、第二源极33和第二漏极34，第二有源层31包含硅；第三晶体管40，第三晶体管40包括第三有源层41、第三栅极42、第三源极43和第三漏极44，第三有源层44包含氧化物半导体；像素电路50和驱动电路60，像素电路50为显示面板的显示元件(图1中未示出显示元件)提供驱动电流，驱动电路60为像素电路50提供驱动信号；其中，驱动电路60包括第一晶体管20，像素电路50包括第二晶体管30和第三晶体管40；第一晶体管20的亚阈值摆幅为SS1，第二晶体管30的亚阈值摆幅为SS2，SS1＜SS2。
其中，衬底基板10可以为刚性基板，例如玻璃基板，也可以为柔性基板，例如聚酰亚胺基板，具体实施时可以根据实际情况选择，本发明实施例不作限定。参考图1，显示面板包括显示区AA和非显示区NAA，非显示区NAA位于显示区AA的至少一侧，图1以非显示区NAA位于显示区AA一侧为例进行说明，其中，像素电路50位于显示区AA中，驱动电路60位于非显示区NAA中，通过驱动电路60为显示区AA中的像素电路50提供驱动信号，以使像素电路50驱动与其位于同一子像素的显示元件发光，其中显示元件可以为OLED，实现显示面板的显示。具体的，第一晶体管20位于显示面板非显示区NAA的驱动电路60中，可以形成多个级联的移位寄存电路，为显示区AA提供驱动信号；第二晶体管30和第三晶体管40位于显示面板显示区AA内的像素电路60中，例如第二晶体管30或第三晶体管40可以为像素电路中的驱动晶体管，也可以为开关晶体管。
本实施例中，第一晶体管20、第二晶体管30和第三晶体管40可以为底栅晶体管，也可以为顶栅晶体管，图1以第一晶体管20、第二晶体管30和第三晶体管40为顶栅晶体管为例，即第一栅极22位于第一有源层21背离衬底基板10的一侧，第二栅极32位于第二有源层31背离衬底基板10的一侧，第三栅极42位于第三有源层41背离衬底基板10的一侧。第一源极23、第一漏极24、第二源极33、第二漏极34、第三源极43和第三漏极44均位于第三栅极42背离衬底基板10的一侧，且与第三栅极42绝缘设置。其中，第一源极23、第一漏极24、第二源极33、第二漏极34、第三源极43和第三漏极44可以同层设置，如此可以简化工艺步骤。此外，第一晶体管20中的第一有源层21、第二晶体管30的第二有源层31包含硅，可选为多晶硅，即第一有源层21和第二有源层31为多晶硅有源层，例如，为低温多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon，LTPS)有源层，以下实施例中均以第一有源层21和第二有源层31均包括LTPS有源层为例进行说明。第三晶体管40中的第三有源层41包括氧化物半导体，即第三有源层41为氧化物半导体有源层，例如，为IGZO有源层，以下实施例中均以第三有源层41包括IGZO有源层为例进行说明。低温多晶硅薄膜晶体管具有载流子迁移率高、响应快、和功耗小等的优点，氧化物半导体薄膜晶体管具有漏流小的优点。
第一晶体管20位于非显示区NAA的驱动电路60内，其均为开关晶体管，像素电路50的工作过程中包括数据写入帧和保持帧，无论在数据写入帧还是保持帧，都至少有1个驱动信号(扫描信号或者发光控制信号)是需要跳变的，这就要求为像素电路50提供驱动信号的驱动电路60输出信号的频率较大，其输出信号的频率至少大于像素电路50中一部分信号的变更频率，因此，就会导致驱动电路60中的晶体管的工作状态切换更频繁，其需要更快的响应速度。而对于晶体管来说，亚阈值摆幅会影响晶体管的响应速度，亚阈值摆幅越小，则晶体管越容易响应，因此，本实施例中，设定第一晶体管20的亚阈值摆幅SS1小于第二晶体管30的亚阈值摆幅SS2，从而使驱动电路60具有更快的响应速度。其中，晶体管的亚阈值摆幅表示源漏电流变化十倍所需要栅电压的变化量，亚阈值摆幅越小，晶体管越灵敏。
本发明实施例的技术方案，通过设置位于边框区的驱动电路和位于显示区的像素电路，驱动电路为像素电路提供驱动信号，像素电路为显示元件提供驱动电流；通过设置驱动电路中的第一晶体管的亚阈值摆幅小于像素电路中第二晶体管的亚阈值摆幅，即第一晶体管的亚阈值摆幅较小，以使驱动电路中的第一晶体管具有更快的响应速度，从而实现显示面板的高频驱动；第二晶体管的亚阈值摆幅较大，以使像素电路中的第二晶体管的具有更高的稳定性，以使得低亮度时显示更均匀，从而提升显示面板的显示效果。
在上述实施例的基础上，可选的，第一有源层21中的氢元素的浓度大于第二有源层31中的氢元素的浓度。
可以理解的是，因为对于LTPS有源层而言，氢元素有利于修复LTPS有源层中的缺陷，当氢浓度较大时，有利于更多缺陷的修复，而缺陷容易捕获载流子导致亚阈值摆幅增大，因此，当氢元素较多时，有源层中缺陷较少，亚阈值摆幅较小，而当氢元素较少时，则亚阈值摆幅较大。本实施例中，通过设置第一有源层21中的氢元素的浓度大于第二有源层31中的氢元素的浓度，从而使第一晶体管20的亚阈值摆幅SS1小于第二晶体管30的亚阈值摆幅SS2。
可选的，继续参考图1，第一晶体管20包括第一绝缘层70，第一绝缘层70位于第一源极23或第一漏极24与第一有源层21之间，第一绝缘层70延伸至第二晶体管30，且位于第二源极33或第二漏极34与第二有源层31之间；其中，第一绝缘层70位于第一晶体管20的区域为第一区域701，第一绝缘层70位于第二晶体管20的区域为第二区域702，第一区域701中氢元素的浓度大于第二区域702中氢元素的浓度。
通过设置第一绝缘层70在第一区域701的浓度大于第二区域702的浓度，可以让第一晶体管20的膜层中氢含量都较少，从而避免当氢浓度较大时，为LTPS层提供氢导致亚阈值摆幅减小。具体实施时，可以对第二晶体管部分或者整个AA区的第一绝缘层70做去氢化处理，去氢化处理后，导致第一绝缘层70的第二区域702的氢浓度减少，而第一区域701的氢浓度仍然保留。
可选的，继续参考图1，第一源极23与第一有源层21通过第一过孔25连接，第二源极33与第二有源层31通过第二过孔35连接；第一过孔25贯穿第一绝缘层70的第一区域701，第二过孔35贯穿第一绝缘层70的第二区域702；其中，第一绝缘层70邻接第一过孔25的一侧的氢元素浓度为C1，第一绝缘层70邻接第二过孔35的一侧的氢元素浓度为C2，C1＞C2。
通过设置第一绝缘层70在第一过孔25侧壁处的氢元素浓度C1大于第一绝缘层70在第二过孔35侧壁处的氢元素浓度C2，从而使第一有源层21附近区域的氢元素浓度大于第二有源层31附近区域的氢元素浓度，以利于第一有源层21中缺陷的修复，从而减小第一晶体管20的亚阈值摆幅。具体实施时，可以在去氢化处理前制作第二过孔35，然后进行去氢化处理，氢气经过第二过孔35扩散，而第一过孔25制作后未进行去氢化处理，因此，第一过孔25侧壁的氢元素的含量大于第二过孔35侧壁处的氢元素的含量。
可选的，继续参考图1，第一绝缘层70还延伸至第三晶体管40，且与第三有源层40至少部分交叠，第一绝缘层70与第三有源层41交叠的区域为第三区域703；其中，第一区域701中的氢元素的浓度大于第三区域703中的氢元素的浓度。
其中，因为第三晶体管40为氧化物半导体晶体管例如(IGZO晶体管)，因为IGZO对氢元素非常敏感，而第二晶体管30与第三晶体管40都位于显示区AA的像素电路区域，在第二过孔35制作后进行去氢化处理，位于临近区域的第三晶体管40对应的各个膜层中的氢气，也会通过第二过孔35释放，而第一晶体管20位于非显示区NAA的边框区域，其与像素电路50之间的距离远远大于第二晶体管30和第三晶体管40的距离，因此，第一区域701的氢元素的浓度较大，而第三区域703中的氢元素的浓度较小，这样有利于避免第三有源层41受到损伤，提升第三晶体管40的稳定性。
可选的，继续参考图1，第一绝缘层70位于第三有源层41背离衬底基板10的一侧，第三源极43通过第三过孔45与第三有源层41连接；其中，第三过孔45贯穿第一绝缘层70的第三区域703，第一绝缘层70邻接第三过孔45的一侧的氢元素浓度为C3，C1＞C3。
其中，第一绝缘层70位于第三有源层41背离衬底基板10的一侧仅是示意性的，在其他实施例中，第一绝缘层70可以位于第三绝缘层41和衬底基板之间，此时第三过孔45无需贯穿第一绝缘层70。在本实施例中，第三过孔45会贯穿第三区域703，具体实施时，第三过孔45是在去氢化之后形成的，但是因为其距离第二过孔35距离较近，有部分氢气通过第二过孔35释放掉，从而导致第三过孔45处的氢含量小于第一过孔25处的氢含量，即C3<C1。可选的，C3＞C2。由于进行去氢化处理时第三区域703无过孔，因此在第三区域703中氢元素去除程度会弱于第二区域702，从而使第三过孔45处的氢含量大于第二过孔35处的氢含量。
可以理解的是，第一漏极24与第一有源层21通过与第一过孔25结构相同的过孔连接，第二漏极34与第二有源层31通过与第二过孔35结构相同的过孔连接，第三漏极44与第三有源层41通过与第三过孔45结构相同的过孔连接，另外相邻的有源层与栅极之间、栅极与源/漏极之间需要根据实际情况设置多个绝缘层，其中第一绝缘层为多个绝缘层中的至少一层。
为了达到上述目的，本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法，图2为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图，用于制备本发明实施例提供的显示面板，参考图2，本实施例提供的显示面板的制备方法包括：
S1：准备衬底基板。
其中，衬底基板可以为刚性基板，例如玻璃基板，也可以为柔性基板，例如聚酰亚胺基板，具体实施使可以根据实际情况选择，本发明实施例不作限定。
S2：在衬底基板上形成：
第一有源层、第一栅极，第一有源层包含硅；
第二有源层、第二栅极，第二有源层包含硅；
第三有源层、第三栅极，第三有源层包含氧化物半导体；
多层层间绝缘层，包括第一绝缘层。
其中，显示面板包括位于显示区的像素电路和位于非显示区的驱动电路，像素电路为显示面板的显示元件提供驱动电流，驱动电路为像素电路提供驱动信号，驱动电路包括第一晶体管，像素电路包括第二晶体管和第三晶体管，第一有源层和第一栅极用来形成第一晶体管，第一有源层包含硅；第二有源层和第二栅极用来形成第二晶体管，第二有源层包含硅；第三有源层和第三栅极用来形成第三晶体管，第三有源层包含氧化物半导体；相邻两个膜层之间设置有绝缘层，用于避免不需要电连接的两个膜层发生电接触。
示例性的，图3为本发明实施例提供的制备方法中S2后的结构示意图，参考图3，衬底基板10上形成有第一有源层21、第一栅极22、第二有源层31、第二栅极32、第三有源层41和第三栅极42，多层层间绝缘层80，其中包括第一绝缘层70。
S3：在多层层间绝缘层中形成第二过孔，第二过孔延伸至第二有源层。
示例性的，图4为本发明实施例提供的制备方法中S3后的结构示意图，参考图4，形成两个第二过孔35，其中一个用来连接第二源极和第二有源层，另一个用来连接第二漏极和第二有源层。具体实施时，形成第二过孔35的工艺步骤可以根据现有制备工艺选择，本发明实施例不作限定。
S4：对显示面板进行去氢化处理。
在S3中形成图4所示的结构之后，对面板进行去氢化处理，由于此时第二晶体管对应区域设置有第二过孔35，因此第二晶体管附近区域在去氢化过程中产生的氢气会从第二过孔35释放，其他区域影响相对较小，从而使第二晶体管附近氢元素浓度降低，有利于增大第二晶体管的亚阈值摆幅。
S5：在多层层间绝缘层中形成第一过孔，第一过孔延伸至第一有源层。
在进行去氢化处理后，再形成连接第一源极和第一有源层、第一漏极和第一有源层的第一过孔，示例性的，图5为本发明实施例提供的制备方法中S5后的结构示意图，参考图5，形成两个第一过孔25，其中一个用来连接第一源极和第一有源层，另一个用来连接第一漏极和第一有源层。具体实施时，形成第一过孔25的工艺步骤可以与形成第二过孔35的工艺相同，仅是次序的差别。
S6：在多层层间绝缘层中的至少部分绝缘层中形成第三过孔，第三过孔延伸至第三有源层。
由于第三有源层包含金属氧化物有源层，一般与第一有源层和第二有源层不同层，因此第三过孔的深度与第一过孔或第二过孔的深度不同。示例性的，图6为本发明实施例提供的制备方法中S6后的结构示意图，参考图6，形成两个第三过孔45，其中一个用来连接第三源极和第三有源层，另一个用来连接第三漏极和第三有源层。
需要说明的是，图3～图6对应示出的是形成图1中显示面板的结构的制备过程，并不是对本发明实施例的限定，例如在其他实施例中，第一绝缘层70可以位于第三有源层41与衬底基板10之间，其实现步骤与上述类似。
S7：在第二过孔上形成与第二有源层连接的第二源极和/或第二漏极，在第一过孔上形成与第一有源层连接的第一源极和/或第一漏极，在第三过孔上形成与第三有源层连接的第三源极和/或第三漏极。
其中，第一源极、第二源极、第三源极、第一漏极、第二漏极和第三漏极可以利用相同的金属形成，在S7之后，可以形成图1所示的显示面板结构，由于在制备过程中，第二晶体管区域进行了去氢化处理，因此第二晶体管区域的氢元素浓度小于第一晶体管区域的氢元素浓度，第二晶体管的亚阈值摆幅大于第一晶体管的亚阈值摆幅，从而使得低亮度时显示更均匀，且能实现显示面板的高频驱动。
可选的，继续参考图1，在平行于衬底基板10的平面内，第一区域701中的第一位置a距离第一过孔25侧壁的最短距离为L，且第一位置a的氢元素浓度为C11，第二区域702中的第二位置b距离第二过孔35侧壁的最短距离为L，且第二位置b的氢元素浓度为C22，其中，C11＞C22，且C22＜C2。
其中，因为第二过孔35制作后经过去氢化处理，氢气通过第二过孔35释放，因此，第二过孔35侧壁的氢元素浓度较小，且其周围包含氢元素的距离范围较小，距离L后的位置的氢含量较小，而第一过孔25未进行去氢化，其侧壁浓度较高，且氢浓度的分布区域相对更大一些，距离L后的位置，氢浓度依旧保持较大。
图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图7，可选的，第一绝缘层70的第三区域703与第三有源层41直接接触。
其中，对于IGZO有源层，与其接触的膜层中的氢元素含量需要更小，以避免氢元素对于IGZO有源层的影响，因此，需要使得接触第三有源层41的绝缘层中的氢气尽量通过去氢化程序从距离相近的第二过孔35处释放掉。
可选的，第一绝缘层70位于第三有源层41朝向衬底基板10的一侧，即第一绝缘层70位于第三有源层40与衬底基板10之间，如图7所示。
可选的，第一绝缘层位于第一有源层和/或第二有源层上，且与第一有源层和/或第二有源层接触；或者，第一绝缘层位于第三有源层上，且与第三有源层接触。
示例性的，图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，由于第一晶体管20和第二晶体管30为同种类型的晶体管，为了简化工艺，设置第一有源层21和第二有源层31同层，第一绝缘层70位于第一有源层21和第二有源层31上方，且与第一有源层21和第二有源层31接触，即第一绝缘层70为第一晶体管20和第二晶体管30的栅极绝缘层。在其他实施例中，也可以设置第一有源层和第二有源层不同层，第一绝缘层与某一层有源层直接接触，具体实施时可以根据实际情况设计。
图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，该实施例中，第一绝缘层70位于第三有源层41上方，且与第三有源层41接触。即图8的实施例中，第一绝缘层为LTPS晶体管的栅极绝缘层，图9的实施例中，第一绝缘层为IGZO晶体管的栅极绝缘层，因为，过孔是从源/漏极打通至有源层的，而栅极绝缘层是最接近有源层的膜层，栅极绝缘层的氢元素浓度对于有源层的影响比较大，因此，这里将第一绝缘层限定为栅极绝缘层，以保证有源层的特性。
可选的，第二晶体管20为像素电路50的驱动晶体管。
通过将第二晶体管20设计为像素电路50的驱动晶体管，第二晶体管20的亚阈值摆幅较大，具有较高的稳定性，可以在显示面板在低亮度时显示更均匀。
图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，参考图10，可选的，显示面板还包括第四晶体管90，第四晶体管90包括第四有源层91、第四栅极92、第四源极93和第四漏极94，第四有源层91包含硅；其中，第四晶体管90为像素电路50的开关晶体管，第四有源层91中的氢元素的浓度大于第二有源层31中的氢元素的浓度。
其中，第二晶体管30为像素电路50的驱动晶体管，第四晶体管90为开关晶体管，由于开关晶体管的响应速度一般需要大于驱动晶体管，因此设置开关晶体管中的有源层中的氢元素浓度大于驱动晶体管中有源层的氢元素浓度，从而使开关晶体管的亚阈值摆幅较大，从而具有快速响应的能力。
可选的，第四有源层91中的氢元素浓度小于第一有源层21中的氢元素的浓度。
由于第四晶体管90与第二晶体管30的距离较近，在去氢化过程中，有一部分氢气从第二过孔25处释放，导致第四有源层91的氢浓度小于第一有源层21的氢浓度。
可选的，第一绝缘层70延伸至第四晶体管90，且位于第四源极93与第四有源层91之间；其中，第一绝缘层70位于第四晶体管90的区域为第四区域704，第四区域704中的氢元素的浓度大于第二区域702中氢元素的浓度。
可选的，继续参考图10，第四源极93与第四有源层94通过第四过孔95连接，第四过孔95贯穿第一绝缘层70的第四区域704；其中，第一绝缘层70邻接第四过孔95的一侧的氢元素浓度为C4，C4＞C2。
由于第二过孔25形成后进行了去氢化，而此时第四区域704未打孔，因此，第四区域704的氢元素浓度大于第二区域702的氢元素浓度，有利于减小开关晶体管的亚阈值摆幅。
可选的，C1≥C4。
其中，第一晶体管20和第四晶体管90同为开关晶体管，但是第四晶体管90距离第二晶体管30更近，受到去氢化处理的作用影响相对更大，因此第一晶体管20位置处的氢元素浓度大于或等于第四晶体管90位置处的氢元素浓度。
可选的，本实施例提供的制备方法中，S2还包括：
在衬底基板上形成第四有源层和第四栅极，第四有源层包含硅；
S5还包括：
在多层层间绝缘层中形成第四过孔，第四过孔延伸至第四有源层。
其中，第四过孔可以与第一过孔同时制作，这样可以使得开关晶体管第四晶体管的阈值电压也较小。
图11为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，参考图11，可选的，驱动电路60还包括第五晶体管100，第五晶体管100包括第五有源层101、第五栅极102、第五源极103和第五漏极104，第五有源层101包含氧化物半导体；第一绝缘层70还延伸至第五有源层101，且与第五有源层101至少部分交叠，第一绝缘层70与第五有源层101交叠的区域为第五区域705；其中，第五区域705中的氢元素的浓度大于第三区域703中的氢元素的浓度。
其中，第五晶体管100与第一晶体管20同位于驱动电路60，第二晶体管30与第三晶体管40同位于像素电路60，距离第二晶体管30更近的第三晶体管40受到去氢化处理的影响，其上的绝缘层的氢元素的浓度更低，相对的，第五晶体管100上的氢浓度更高；因为第三晶体管40承担着像素电路50的开关晶体管的作用，其主要的目的是减小面板在低频驱动时的漏电流，对其的性能要求更高，因此，其上的氢元素浓度更小，有助于保证像素电路在发光阶段的电流稳定，从而实现亮度稳定。
图12为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，参考图12，可选的，显示面板还包括弯折区200，弯折区200包括第五过孔210和第六过孔220，第五过孔210的底面为第一底面，第六过孔220形成于第一底面上，第六过孔220的底面为第二底面；其中，第二过孔35的高度等于第五过孔210的高度；且第六过孔220的高度等于第一过孔25的高度，或者，在另一实施例中，第六过孔220等于第三过孔45的高度。
其中，弯折区200的第五过孔210与第二过孔35同时制作，因此与第二过孔35同高；第六过孔220与第一过孔25或者第三过孔45同时制作，因此，第六过孔220与第一过孔25或第三过孔45同高；如此，可以通过三道过孔制程形成5道过孔，无需再增加额外的孔制程，不会增加制备的难度。
可选的，显示面板还包括弯折区；
S3还包括：
在多层层间绝缘层中形成第二过孔的同时，在弯折区形成第五过孔，第五过孔的高度等于第二过孔的高度；
S5还包括：
在多层层间绝缘层中形成第一过孔的同时，在弯折区形成第六过孔，第六过孔的高度等于第一过孔的高度；或者，
S6还包括：
在多层层间绝缘层中的至少部分绝缘层中形成第三过孔的同时，在弯折区形成第六过孔，第六过孔的高度等于第三过孔的高度。
可选的，继续参考图12，第六过孔220至少部分位于衬底基板10上，在衬底基板10上形成第一凹槽11，第六过孔220的第二底面为第一凹槽11的底面。
其中，在制作第六过孔220时，将衬底基板10刻出一个第一凹槽11，以便于后续有机层填充后，增加有机层与衬底基板10之间的附着力，避免衬底基板与有机层开裂的问题，同时充分提升弯折区的弯折能力。
可选的，S6还包括：
在弯折区形成第六过孔的同时，在衬底基板上形成第一凹槽，第六过孔的底面为第二底面，第二底面为第一凹槽的底面。
图13为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参考图13，该显示装置1包括本发明实施例提供的任意一种显示面板2。该显示装置1具体可以为手机、电脑以及智能可穿戴设备等。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (25)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
第一晶体管，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层包含硅；
第二晶体管，所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层包含硅；
第三晶体管，所述第三晶体管包括第三有源层、第三栅极、第三源极和第三漏极，所述第三有源层包含氧化物半导体；
像素电路和驱动电路，所述像素电路为所述显示面板的显示元件提供驱动电流，所述驱动电路为所述像素电路提供驱动信号；其中，
所述驱动电路包括所述第一晶体管，所述像素电路包括所述第二晶体管和所述第三晶体管；
所述第一晶体管的亚阈值摆幅为SS1，所述第二晶体管的亚阈值摆幅为SS2，SS1＜SS2。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一有源层中的氢元素的浓度大于所述第二有源层中的氢元素的浓度。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一晶体管包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一源极或所述第一漏极与所述第一有源层之间，所述第一绝缘层延伸至所述第二晶体管，且位于所述第二源极或所述第二漏极与所述第二有源层之间；其中，
所述第一绝缘层位于所述第一晶体管的区域为第一区域，所述第一绝缘层位于所述第二晶体管的区域为第二区域，所述第一区域中氢元素的浓度大于所述第二区域中氢元素的浓度。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述第一源极与所述第一有源层通过第一过孔连接，所述第二源极与所述第二有源层通过第二过孔连接；
所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层的所述第一区域，所述第二过孔贯穿所述第一绝缘层的所述第二区域；其中，
所述第一绝缘层邻接所述第一过孔的一侧的氢元素浓度为C1，所述第一绝缘层邻接所述第二过孔的一侧的氢元素浓度为C2，C1＞C2。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
在平行于所述衬底基板的平面内，第一区域中的第一位置距离所述第一过孔侧壁的最短距离为L，且所述第一位置的氢元素浓度为C11，第二区域中的第二位置距离所述第二过孔侧壁的最短距离为L，且所述第二位置的氢元素浓度为C22，其中，C11＞C22，且C22＜C2。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述第一绝缘层还延伸至所述第三晶体管，且与所述第三有源层至少部分交叠，所述第一绝缘层与所述第三有源层交叠的区域为第三区域；其中，
所述第一区域中的氢元素的浓度大于所述第三区域中的氢元素的浓度。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述第一绝缘层的所述第三区域与所述第三有源层直接接触。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
所述第一绝缘层位于所述第三有源层朝向所述衬底基板的一侧。
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述第一绝缘层位于所述第三有源层背离所述衬底基板的一侧，所述第三源极通过第三过孔与所述第三有源层连接；其中，
所述第三过孔贯穿所述第一绝缘层的所述第三区域，所述第一绝缘层邻接所述第三过孔的一侧的氢元素浓度为C3，C1＞C3。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，
C3＞C2。
11.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述第一绝缘层位于所述第一有源层和/或所述第二有源层上，且与所述第一有源层和/或所述第二有源层接触；或者，
所述第一绝缘层位于所述第三有源层上，且与所述第三有源层接触。
12.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述第二晶体管为所述像素电路的驱动晶体管。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括第四晶体管，所述第四晶体管包括第四有源层、第四栅极、第四源极和第四漏极，所述第四有源层包含硅；其中，
所述第四晶体管为所述像素电路的开关晶体管，所述第四有源层中的氢元素的浓度大于所述第二有源层中的氢元素的浓度。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
所述第四有源层中的氢元素浓度小于所述第一有源层中的氢元素的浓度。
15.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
所述第一绝缘层延伸至所述第四晶体管，且位于所述第四源极与所述第四有源层之间；其中，
所述第一绝缘层位于所述第四晶体管的区域为第四区域，所述第四区域中的氢元素的浓度大于所述第二区域中氢元素的浓度。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，
所述第四源极与所述第四有源层通过第四过孔连接，所述第四过孔贯穿所述第一绝缘层的所述第四区域；其中，
所述第一绝缘层邻接所述第四过孔的一侧的氢元素浓度为C4，C4＞C2。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，
C1≥C4。
18.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述驱动电路还包括第五晶体管，所述第五晶体管包括第五有源层、第五栅极、第五源极和第五漏极，所述第五有源层包含氧化物半导体；
所述第一绝缘层还延伸至所述第五有源层，且与所述第五有源层至少部分交叠，所述第一绝缘层与所述第五有源层交叠的区域为第五区域；其中，
所述第五区域中的氢元素的浓度大于所述第三区域中的氢元素的浓度。
19.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板包括弯折区，所述弯折区包括第五过孔和第六过孔，所述第五过孔的底面为第一底面，所述第六过孔形成于所述第一底面上，所述第六过孔的底面为第二底面；其中，
所述第二过孔的高度等于所述第五过孔的高度；且
所述第六过孔的高度等于所述第一过孔的高度，或者，等于所述第三过孔的高度。
20.根据权利要求19所述的显示面板，其特征在于，
所述第六过孔至少部分位于所述衬底基板上，在所述衬底基板上形成第一凹槽，所述第六过孔的所述第二底面为所述第一凹槽的底面。
21.一种显示面板的制备方法，用于制备权利要求1-20任意一项所述的显示面板，其特征在于，包括：
S1：准备衬底基板；
S2：在所述衬底基板上形成：
第一有源层、第一栅极，所述第一有源层包含硅；
第二有源层、第二栅极，所述第二有源层包含硅；
第三有源层、第三栅极，所述第三有源层包含氧化物半导体；
多层层间绝缘层，包括第一绝缘层；
S3：在所述多层层间绝缘层中形成第二过孔，所述第二过孔延伸至所述第二有源层；
S4：对所述显示面板进行去氢化处理；
S5：在所述多层层间绝缘层中形成第一过孔，所述第一过孔延伸至所述第一有源层；
S6：在所述多层层间绝缘层中的至少部分绝缘层中形成第三过孔，所述第三过孔延伸至所述第三有源层；
S7：在所述第二过孔上形成与所述第二有源层连接的第二源极和/或第二漏极，在所述第一过孔上形成与所述第一有源层连接的第一源极和/或第一漏极，在所述第三过孔上形成与所述第三有源层连接的第三源极和/或第三漏极。
22.根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，
S2还包括：
在所述衬底基板上形成第四有源层和第四栅极，所述第四有源层包含硅；
S5还包括：
在所述多层层间绝缘层中形成第四过孔，所述第四过孔延伸至所述第四有源层。
23.根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，
所述显示面板还包括弯折区；
S3还包括：
在所述多层层间绝缘层中形成第二过孔的同时，在所述弯折区形成第五过孔，所述第五过孔的高度等于所述第二过孔的高度；
S5还包括：
在所述多层层间绝缘层中形成第一过孔的同时，在所述弯折区形成第六过孔，所述第六过孔的高度等于所述第一过孔的高度；或者，
S6还包括：
在所述多层层间绝缘层中的至少部分绝缘层中形成第三过孔的同时，在所述弯折区形成第六过孔，所述第六过孔的高度等于所述第三过孔的高度。
24.根据权利要求23所述的制备方法，其特征在于，
S6还包括：
在所述弯折区形成第六过孔的同时，在所述衬底基板上形成第一凹槽，所述第六过孔的底面为第二底面，所述第二底面为所述第一凹槽的底面。
25.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-20任意一项所述的显示面板。
CN202110574112.8A 2021-05-25 2021-05-25 显示面板及其制备方法、显示装置 Active CN113314575B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110574112.8A CN113314575B (zh) 2021-05-25 2021-05-25 显示面板及其制备方法、显示装置
US17/550,732 US20220109037A1 (en) 2021-05-25 2021-12-14 Display panel and preparation method thereof, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110574112.8A CN113314575B (zh) 2021-05-25 2021-05-25 显示面板及其制备方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113314575A true CN113314575A (zh) 2021-08-27
CN113314575B CN113314575B (zh) 2023-04-07

Family

ID=77374717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110574112.8A Active CN113314575B (zh) 2021-05-25 2021-05-25 显示面板及其制备方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220109037A1 (zh)
CN (1) CN113314575B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115295560A (zh) * 2022-08-05 2022-11-04 厦门天马显示科技有限公司 显示面板和显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102598095A (zh) * 2009-11-13 2012-07-18 株式会社半导体能源研究所 显示器件以及包含显示器件的电子器件
US20180190743A1 (en) * 2016-08-31 2018-07-05 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same
CN110828486A (zh) * 2019-11-19 2020-02-21 云谷（固安）科技有限公司 显示面板的制作方法和显示面板
CN112366210A (zh) * 2020-11-25 2021-02-12 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板及装置
CN112652633A (zh) * 2020-12-30 2021-04-13 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN112768470A (zh) * 2020-12-30 2021-05-07 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102598095A (zh) * 2009-11-13 2012-07-18 株式会社半导体能源研究所 显示器件以及包含显示器件的电子器件
US20180190743A1 (en) * 2016-08-31 2018-07-05 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same
CN110828486A (zh) * 2019-11-19 2020-02-21 云谷（固安）科技有限公司 显示面板的制作方法和显示面板
CN112366210A (zh) * 2020-11-25 2021-02-12 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板及装置
CN112652633A (zh) * 2020-12-30 2021-04-13 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN112768470A (zh) * 2020-12-30 2021-05-07 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115295560A (zh) * 2022-08-05 2022-11-04 厦门天马显示科技有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220109037A1 (en) 2022-04-07
CN113314575B (zh) 2023-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108376672B (zh) 阵列基板及其制备方法，以及显示装置
CN111128080B (zh) 显示基板及显示装置
US10157973B2 (en) Organic light emitting display device
TWI425634B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
TWI602306B (zh) 陣列基板結構與顯示裝置
US20100182223A1 (en) Organic light emitting display device
WO2017024658A1 (zh) 有机发光显示器及其制造方法
CN103594476B (zh) 薄膜晶体管基板及其制造方法以及使用其的有机发光显示装置
WO2022179142A1 (zh) 显示面板及其制作方法和显示装置
CN111710685B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN109309122B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
WO2022156039A1 (zh) 显示面板及显示装置
CN112838098A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN109671722B (zh) 有机发光二极管阵列基板及其制造方法
TW201543981A (zh) 顯示裝置及其製造方法
CN111834292B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置
WO2021203358A1 (zh) 显示面板和显示装置
CN113314575B (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
CN109545836B (zh) 一种oled显示装置及其制作方法
JP2005300786A (ja) 表示装置及びその製造方法
CN111106154A (zh) 一种柔性显示面板及其制造方法
CN112951846B (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
JP6901070B2 (ja) Ｔｆｔバックプレーンの製造方法及びｔｆｔバックプレーン
CN215731717U (zh) 一种显示面板及显示装置
EP4106001A1 (en) Display panel and display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant