CN113302736A - 半导体模块和ac/dc转换器组件 - Google Patents

半导体模块和ac/dc转换器组件 Download PDF

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Abstract

半导体模块(A1)具备：半导体装置(B1)，其具有多个半导体元件(40)、多个输入输出端子(3A)、多个控制端子(3B)和覆盖多个半导体元件(40)的封固树脂(60)；第一基板(7)；以及第一连接器(8)，其固定于第一基板(7)且与控制端子(3B)连接。第一连接器(8)容许控制端子(3B)在与第一基板(7)的厚度方向即z方向垂直且彼此平行的x方向和y方向的至少任一方向上进行相对移动。采用这种结构，能够使端子连接容易进行并且更可靠地导通。

Description

半导体模块和AC/DC转换器组件
技术领域
本发明涉及半导体模块和AC/DC转换器组件。
背景技术
专利文献1公开了一种具备半导体装置的半导体模块，所述半导体装置具有半导体元件，该半导体元件具有开关功能。作为半导体元件，例如可采用IGBT芯片。这种半导体装置具有输入输出端子和控制端子，所述输入输出端子供作为开关控制对象的电流输入输出，控制端子供控制信号输入。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000－299419号公报
发明内容
发明所要解决的课题
构成半导体模块的基板等与输入输出端子或控制端子的连接会对半导体模块的特性和制造效率产生影响。
本公开是基于上述情况进行考虑而做出的，其课题在于提供一种半导体模块和AC/DC转换器组件，能够使端子连接容易进行并且更可靠地导通。
用于解决课题的方案
本公开的第一方案提供的半导体模块具备：半导体装置，其具有多个半导体元件、多个输入输出端子、多个控制端子和覆盖所述多个半导体元件的封固树脂；第一基板；以及第一连接器，其固定于所述第一基板且与所述控制端子连接，所述第一连接器容许所述控制端子在与所述第一基板的厚度方向垂直且彼此平行的第一方向和第二方向的至少任一方向上进行相对移动。
本公开第二方案提供的AC/DC转换器组件具备：输入模块，其输入交流电力；第一半导体模块，其由本公开的第一方案提供的半导体模块构成，且输入从所述输入模块输出的交流电流并输出直流电流；第二半导体模块，其由本公开的第一方案提供的半导体模块构成，且输入从所述第一半导体模块输出的直流电力并输出直流电力；以及输出模块，其输入从所述第二半导体模块输出的直流电力并输出直流电力，所述第一半导体模块的第一半导体装置的所述多个输入输出端子所包含的输出端子与所述第二半导体模块的第二半导体装置的所述多个输入输出端子所包含的输入端子通过第一固定单元直接连接。
发明的效果
根据本公开的半导体模块，能够使端子连接容易进行并且更可靠地导通。
本公开其他的特征和优点可以通过如下参照附图进行的详细说明而更加清楚。
附图说明
图1是表示本公开第一实施方式的半导体模块的分解立体图。
图2是表示本公开第一实施方式的半导体模块的立体图。
图3是表示本公开第一实施方式的半导体模块的立体图。
图4是表示本公开第一实施方式的半导体模块的俯视图。
图5是表示本公开第一实施方式的半导体模块的仰视图。
图6是表示本公开第一实施方式的半导体模块的正视图。
图7是表示本公开第一实施方式的半导体模块的侧视图。
图8是沿着图4的VIII－VIII线的剖视图。
图9是沿着图4的IX－IX线的剖视图。
图10是沿着图4的X－X线的剖视图。
图11是表示本公开第一实施方式的半导体模块的半导体装置的俯视图。
图12是沿着图11的XII－XII线的剖视图。
图13是沿着图11的XIII－XIII线的剖视图。
图14是表示本公开第一实施方式的半导体模块的半导体装置的主要部分放大俯视图。
图15是沿着图14的XV－XV线的主要部分放大剖视图。
图16是表示本公开第一实施方式的半导体模块的半导体装置的电路图。
图17是表示本公开第一实施方式的半导体模块的变形例的剖视图。
图18是表示半导体装置的变形例的俯视图。
图19是表示本公开第一实施方式的AC/DC转换器组件的框图。
图20是表示本公开第一实施方式的AC/DC转换器组件的俯视图。
图21是表示本公开第一实施方式的AC/DC转换器组件的主要部分俯视图。
图22是表示本公开第一实施方式的AC/DC转换器组件的半导体模块的正视图。
图23是沿着图21的XXIII－XXIII线的主要部分剖视图。
图24是沿着图21的XXIV－XXIV线的主要部分剖视图。
图25是沿着图21的XXV－XXV线的主要部分剖视图。
图26是沿着图21的XXVI－XXVI线的主要部分剖视图。
图27是沿着图20的XXVII－XXVII线的剖视图。
图28是沿着图20的XXVIII－XXVIII线的剖视图。
图29是表示本公开第一实施方式的AC/DC转换器组件的第一变形例的俯视图。
图30是表示本公开第一实施方式的AC/DC转换器组件的第二变形例的俯视图。
图31是表示本公开第一实施方式的AC/DC转换器组件的第三变形例的俯视图。
图32是表示本公开第一实施方式的AC/DC转换器组件的第三变形例的第三半导体装置的输入端子的主要部分剖视图。
图33是表示本公开第一实施方式的AC/DC转换器组件的第三变形例的第三半导体装置的输出端子的主要部分剖视图。
图34是表示本公开第一实施方式的AC/DC转换器组件的第四变形例的俯视图。
图35是表示本公开第一实施方式的AC/DC转换器组件的第五变形例的俯视图。
图36是表示本公开第二实施方式的AC/DC转换器组件的俯视图。
图37是表示本公开第二实施方式的AC/DC转换器组件的主要部分俯视图。
图38是沿着图37的XXXVIII－XXXVIII线的剖视图。
图39是沿着图37的XXXIX－XXXIX线的剖视图。
图40是沿着图37的XL－XL线的剖视图。
图41是沿着图37的XLI－XLI线的剖视图。
图42是沿着图37的XLII－XLII线的剖视图。
图43是表示本公开第二实施方式的AC/DC转换器组件的第一变形例的俯视图。
图44是表示本公开第二实施方式的AC/DC转换器组件的第二变形例的俯视图。
图45是表示本公开第三实施方式的半导体模块的立体图。
图46是表示本公开第三实施方式的半导体模块的俯视图。
图47是表示本公开第三实施方式的半导体模块的正视图。
图48是表示本公开第三实施方式的半导体模块的变形例的立体图。
图49是表示本公开第三实施方式的半导体模块的变形例的俯视图。
图50是表示本公开第三实施方式的半导体模块的变形例的正视图。
具体实施方式
以下基于本公开的优选实施方式并参照附图具体地进行说明。
在本公开中，“第一”、“第二”、“第三”等用语仅用作标签，而不是为这些对象排序。
〔第一实施方式半导体模块A1〕
图1～图16示出了本公开第一实施方式的半导体模块。本实施方式的半导体模块A1具备：半导体装置B1、第一基板7、多个电子器件700、多个连接端子76以及多个第一连接器8。
图1是表示半导体模块A1的分解立体图。图2是表示半导体模块A1的立体图。图3是表示半导体模块A1的立体图。图4是表示半导体模块A1的俯视图。图5是表示半导体模块A1的仰视图。图6是表示半导体模块A1的正视图。图7是表示半导体模块A1的侧视图。图8是沿着图4的VIII－VIII线的剖视图。图9是沿着图4的IX－IX线的剖视图。图10是沿着图4的X－X线的剖视图。图11是表示半导体模块A1的半导体装置B1的俯视图。图12是沿着图11的XII－XII线的剖视图。图13是沿着图11的XIII－XIII线的剖视图。图14是表示半导体模块A1的半导体装置B1的主要部分放大俯视图。图15是沿着图14的XV－XV线的主要部分放大剖视图。图16是表示半导体模块A1的半导体装置B1的电路图。
＜半导体装置B1＞
以下对构成半导体模块A1的半导体装置B1进行说明。图11所示的半导体装置B1是安装有MOSFET等多个开关元件的电力变换装置。半导体装置B1可用于电动机等的驱动源、各种电气产品的逆变器装置。半导体装置B1具备：基材10、导电部件20、辅助导电部件21、多个输入输出端子3A、多个控制端子3B、多个半导体元件40、以及封固树脂60。多个半导体元件40包含第一开关元件40A和第二开关元件40B。
在本实施方式的说明中，为了方便而将后述的第一基板7的厚度方向称为“z方向”。在本实施方式的说明中，基材10的厚度方向与z方向一致。与z方向垂直的方向即x方向相当于第一方向。与x方向和z方向垂直的方向即y方向相当于第二方向。半导体装置B1从z方向来看即俯视呈矩形状。y方向对应于半导体装置B1的短边方向。x方向对应于半导体装置B1的长边方向。另外，在半导体装置B1的说明中，为了方便而将y方向上的一对输入端子31所在侧称为“y方向的一侧”。y方向上的一对输出端子32所在侧称为“y方向的另一侧”。
如图11、图12和图13所示，基材10配置有导电部件20。基材10构成了对导电部件20和多个半导体元件40进行支撑的支撑部件。基材10具有电绝缘性。基材10的构成材料是导热性优异的陶瓷。作为这种陶瓷，例如可举出氮化铝(AlN)。基材10具有第一主面11A和第一背面12A。第一主面11A和第一背面12A在z方向上彼此朝向相反侧。第一主面11A朝向z方向的配置导电部件20的一侧。第一主面11A和导电部件20以及多个半导体元件40都被封固树脂60覆盖。如图5所示，第一背面12A从封固树脂60的树脂背面62露出。
如图11、图12和图13所示，导电部件20配置于基材10的第一主面11A。导电部件20、辅助导电部件21、一对输入端子31以及一对输出端子32一起构成了多个半导体元件40与安装在半导体装置B1上的配线基板的导电路径。导电部件20是金属板。该金属板的构成材料是铜(Cu)或者铜合金。导电部件20例如通过銀(Ag)膏等接合材料(省略图示)与第一主面11A接合。对导电部件20的表面例如可以镀银。此外，导电部件20也可以取代金属板而采用铜箔等金属箔。
如图11所示，在半导体装置B1所示例中，导电部件20包含第一导电部20A和一对第二导电部20B。此外，导电部件20的结构不限于本实施方式，可以自由地根据与半导体装置B1所要求的性能对应地设定的多个半导体元件40的个数来进行设定。
如图11所示，第一导电部20A在第一主面11A上位于y方向的一侧。从z方向来看，一对第一导电部20A呈矩形状。在第一导电部20A的表面电连接有一对第一开关元件40A。
如图11所示，一对第二导电部20B在第一主面11A上位于y方向的另一侧。第一导电部20A和一对第二导电部20B在y方向上彼此分离。从z方向来看，第二导电部20B呈矩形状。一对第二导电部20B在x方向上彼此分离。在一对第二导电部20B各自的表面电连接有第二开关元件40B。
如图11和图13所示，一对辅助导电部件21配置于基材10的第一主面11A。一对辅助导电部件21在第一主面11A上y方向的一侧并且在x方向上夹着第一导电部20A分离配置。从z方向来看，辅助导电部件21呈矩形状。辅助导电部件21是金属板。辅助导电部件21的构成材料与导电部件20的构成材料相同。辅助导电部件21例如通过銀(Ag)膏等接合材料(省略图示)与第一主面11A接合。对辅助导电部件21的表面例如可以镀银。此外，辅助导电部件21也可以取代金属板而采用铜箔等的金属箔。
如图11和图13所示，半导体装置B1还具备连结导电部件29。连结导电部件29沿着x方向并且以跨越第一导电部20A的状态与一对辅助导电部件21的表面连接。由此，一对辅助导电部件21经由连结导电部件29相互导通。连结导电部件29由多个引线构成。该引线的构成材料例如是铝(Al)。此外，连结导电部件29也可以取代多个引线而采用由铜等构成并且从z方向来看在x方向上延伸的金属片。
多个输入输出端子3A包含一对输入端子31和一对输出端子32。多个输入输出端子3A是供半导体装置B1的开关的对象即主电流输入输出的端子。如图11所示，一对输入端子31在半导体装置B1中位于y方向的一侧。一对输入端子31在x方向上彼此分离。一对输入端子31被供给来自外部的直流电源。在半导体装置B1中，一对输入端子31、一对输出端子32、多个控制端子3B均由同一导线框构成。该导线框的构成材料是铜或者铜合金。一对输入端子31包含输入端子31A和输入端子31B。输入端子31A和输入端子31B各自具有焊垫部311和端子部312。
如图11所示，焊垫部311从z方向来看与基材10分离并且被封固树脂60覆盖。由此，一对输入端子31被封固树脂60支撑。在焊垫部311的表面连接有第一连接引线51。第一连接引线51的构成材料例如是铝。此外，对焊垫部311的表面例如可以镀银。
输入端子31A构成了一对输入端子31的正极(P端子)。如图11和图12所示，就与输入端子31A的焊垫部311的表面连接的第一连接引线51而言，其与第一导电部20A的表面连接。由此，输入端子31A与第一导电部20A导通。
输入端子31B构成了一对输入端子31的负极(N端子)。如图11所示，就与输入端子31B的焊垫部311的表面连接的第一连接引线51而言，其与一方的辅助导电部件21的表面连接。由此，输入端子31B与一对辅助导电部件21导通。
如图11所示，端子部312与焊垫部311相连并且从封固树脂60露出。端子部312在将半导体装置B1安装于配线基板时被利用。端子部312具有基部312A和立起部312B。基部312A与焊垫部311相连并且从位于y方向的一侧的封固树脂60的树脂第一侧面631(详情后述)起在y方向上延伸。如图6所示，立起部312B从基部312A的y方向上的前端起，向z方向的基材10的第一主面11A所朝向的一侧延伸。由此，如图7～图12所示，从x方向来看，端子部312形成为L字形。
如图11所示，一对输出端子32在半导体装置B1中位于y方向的另一侧。一对输出端子32在x方向上彼此分离。从一对输出端子32输出通过多个半导体元件40进行电力变换而产生的交流电力(电压)。一对输出端子32各自具有焊垫部321和端子部322。此外，输出端子32的个数不限于本实施方式，能够根据半导体装置B1所要求的性能而自由设定。
如图11所示，焊垫部321从z方向来看与基材10分离并且被封固树脂60覆盖。由此，一对输出端子32被封固树脂60支撑。在焊垫部321的表面连接有第二连接引线52。第二连接引线52的构成材料例如是铝。此外，对焊垫部321的表面例如可以镀银。如图11所示，就与一对焊垫部321的表面连接的多个第二连接引线52而言，其与一对第二导电部20B的表面连接。由此，一对输出端子32与一对第二导电部20B导通。
如图11所示，端子部322与焊垫部321相连并且从封固树脂60露出。端子部322在将半导体装置B1安装于配线基板时被利用。端子部322具有基部322A和立起部322B。基部322A与焊垫部321相连并且从位于y方向的另一侧的封固树脂60的树脂第一侧面631(详情后述)起在y方向上延伸。如图7～图12所示，立起部322B从基部322A的y方向上的前端起，向z方向的基材10的第一主面11A所朝向的一侧延伸。由此，从x方向来看，端子部322形成为L字形。此外，端子部322的形状与一对输入端子31的端子部312的形状相同。
如图11和图12所示，多个半导体元件40与导电部件20中的、第一导电部20A和一对第二导电部20B电连接。多个半导体元件40从z方向来看呈矩形状(在半导体装置B1中是正方形状)。在半导体装置B1的示例中，多个半导体元件40包含一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B。此外，多个半导体元件40的个数不限于本实施方式，可以根据半导体装置B1所要求的性能自由地进行设定。一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B是采用以碳化硅(SiC)为主的半导体材料构成的MOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。此外，一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B不限于MOSFET，也可以是包含MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属绝缘体半导体场效应晶体管)在内的场效应晶体管、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)等双极型晶体管。此外，多个半导体元件40不限于开关元件，也可以是肖特基势垒二极管等整流元件。在半导体装置B1的说明中，多个半导体元件40包含一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B，并且是n沟道型的MOSFET。
如图14和图15所示，一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B各自具有：元件主面401、元件背面402、主面电极41、背面电极42、栅极电极43和绝缘膜44。元件主面401和元件背面402在z方向上彼此朝向相反侧。期中，元件主面401朝向基材10的第一主面11A所朝向的一侧。
如图14和图15所示，主面电极41设置于元件主面401。在主面电极41中可流通源极电流。在半导体装置B1的示例中，主面电极41分割为四个区域。
如图14所示，在第一开关元件40A的主面电极41中，分割的四个区域分别连接有第一引线501。第一引线501的构成材料例如是铝。就与一对第一开关元件40A的主面电极41连接的多个第一引线501而言，其与一对第二导电部20B的表面连接。由此，一对第一开关元件40A的主面电极41与一对第二导电部20B分别导通。
如图14所示，在第二开关元件40B的主面电极41中，分割的四个区域分别连接有第二引线502。第二引线502的构成材料例如是铝。就与一对第二开关元件40B的主面电极41连接的多个第二引线502而言，其与一对辅助导电部件21的表面分别连接。由此，一对第二开关元件40B的主面电极41与一对辅助导电部件21分别导通。因此，输入端子31B经由辅助导电部件21与一对第二开关元件40B导通。
如图15所示，背面电极42在元件背面402的整体上设置。在背面电极42中可流通漏极电流。如图15所示，第一开关元件40A的背面电极42通过具有导电性的导电接合层49与第一导电部20A的表面电连接。导电接合层49的构成材料例如是以锡(Sn)为主成分的无铅焊料。由此，一对第一开关元件40A的背面电极42与一对第一导电部20A导通。与第一开关元件40A的背面电极42同样地，第二开关元件40B的背面电极42通过导电接合层49与第二导电部20B的表面电连接。由此，一对第二开关元件40B的背面电极42与一对第二导电部20B导通。
如图14所示，栅极电极43设置于元件主面401。对栅极电极43可施加栅极电压，该栅极电压用于对一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B分别进行驱动。栅极电极43的尺寸比主面电极41的尺寸小。
如图14和图15所示，绝缘膜44设置于元件主面401。绝缘膜44具有电绝缘性。绝缘膜44从z方向来看将主面电极41包围。绝缘膜44例如由二氧化硅(SiO2)层、氮化硅(Si3N4)层、聚苯并恶唑(PBO)层从元件主面401起依次层叠而成。此外，在绝缘膜44中，也可以取代该聚苯并恶唑层而采用聚酰亚胺层。
如图11所示，多个控制端子3B包含多个栅极端子33和多个检测端子34。在本实施方式中，多个控制端子3B分别在半导体装置B1的y方向两侧配置。如图11所示，多个栅极端子33在半导体装置B1中位于y方向的两侧。多个栅极端子33与一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B的个数对应地配置。对多个栅极端子33分别可施加栅极电压，该栅极电压用于对多个栅极端子33所对应的一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B的任一个进行驱动。多个栅极端子33各自具有焊垫部331和端子部332。
如图11所示，焊垫部331从z方向来看与基材10分离，并且被封固树脂60覆盖。由此，多个栅极端子33被封固树脂60支撑。在焊垫部331的表面连接有栅极引线503。栅极引线503的构成材料例如是铝。此外，对焊垫部331的表面例如可以镀银。如图11和图14所示，就与多个焊垫部331的表面连接的多个栅极引线503各自而言，与所对应的一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B的任一个的栅极电极43连接。由此，多个栅极端子33与一对第一开关元件40A的栅极电极43、和一对第二开关元件40B的栅极电极43分别导通。
如图11所示，端子部332与焊垫部331相连，并且从封固树脂60露出。端子部332在将半导体装置B1安装于配线基板时被利用。端子部332具有基部332A和立起部332B。基部332A与焊垫部331相连，并且从封固树脂60的一对树脂第一侧面631(详情后述)的任一个起在y方向上延伸。就基部332A的y方向上的尺寸而言，比一对输入端子31的基部312A、和一对输出端子32的基部322A各自的y方向上的尺寸小。如图6所示，立起部332B从基部332A的y方向上的前端起，向z方向的基材10的第一主面11A所朝向的一侧延伸。由此，如图7～图12所示，从x方向来看，端子部332呈L字形。
如图11所示，就与一对第一开关元件40A对应的一对栅极端子33而言，其在半导体装置B1上位于y方向的另一侧。该一对栅极端子33在x方向上位于一对输出端子32之间。另外，就与一对第二开关元件40B对应的一对栅极端子33而言，在半导体装置B1中位于y方向的一侧。该一对栅极端子33在x方向上位于一对输入端子31之间。
如图11所示，多个检测端子34在半导体装置B1中位于y方向的两侧。多个检测端子34与一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B的个数对应地配置。多个检测端子34分别位于与各自所对应的一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B的任一个的栅极电极43导通的栅极端子33的附近。对多个检测端子34分别可施加电压，该电压与在一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B的任一个的主面电极41中流通的源极电流对应。根据向多个检测端子34各自施加的电压来检测在半导体装置B1的外部电路中流通于主面电极41的源极电流。多个检测端子34各自具有焊垫部341和端子部342。
如图11所示，焊垫部341从z方向来看与基材10分离，并且被封固树脂60覆盖。由此，多个检测端子34被封固树脂60支撑。在焊垫部341的表面连接有检测引线504。检测引线504的构成材料例如是铝。此外，对焊垫部341的表面例如可以镀银。如图11和图14所示，就与多个焊垫部341的表面连接的多个检测引线504各自而言，与对应的一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B的任一个的主面电极41连接。由此，多个检测端子34与一对第一开关元件40A的主面电极41、和一对第二开关元件40B的主面电极41分别导通。
如图11所示，端子部342与焊垫部341相连，并且从封固树脂60露出。端子部342在将半导体装置B1安装于配线基板时被利用。端子部342具有基部342A和立起部342B。基部342A与焊垫部341相连，并且从封固树脂60的一对树脂第一侧面631(详情后述)的任一个起在y方向上延伸。就基部342A的y方向上的尺寸而言，比一对输入端子31的基部312A、和一对输出端子32的基部322A各自的y方向上的尺寸小。如图6所示，立起部342B从基部342A的y方向上的前端起，向z方向的基材10的第一主面11A所朝向的一侧延伸。由此，如图7～图12所示，从x方向来看，端子部342呈L字形。此外，端子部342的形状与多个栅极端子33的端子部332的形状相同。
如图11所示，在图示例中，输入端子31A的立起部312B、输入端子31B的立起部312B、y方向一侧的栅极端子33的立起部332B和y方向一侧的检测端子34的立起部342B的y方向上的位置大致一致。换言之，输入端子31A的立起部312B、输入端子31B的立起部312B、y方向一侧的栅极端子33的立起部332B和y方向一侧的检测端子34的立起部342B在x方向视角下彼此重叠。
如图11所示，在图示例中，一对输出端子32的立起部322B、y方向另一侧的栅极端子33的立起部332B和y方向另一侧的检测端子34的立起部342B的y方向上的位置大致一致。换言之，一对输出端子32的立起部322B、y方向另一侧的栅极端子33的立起部332B和y方向另一侧的检测端子34的立起部342B在x方向视角下彼此重叠。
图16示出了由上述的多个半导体元件40、导电部件20、辅助导电部件21、连结导电部件29、多个输入输出端子3A和多个控制端子3B构成的半导体装置B1电路。这种结构的半导体装置B1例如可用作AC/DC转换器。
如图1～图3、图5～图13所示，封固树脂60将基材10(但是第一背面12A除外)导电部件20、辅助导电部件21、连结导电部件29、多个半导体元件40(一对第一开关元件40A和一对第二开关元件40B)覆盖。封固树脂60还将多个第一引线501、多个第二引线502、多个栅极引线503、多个检测引线504、多个第一连接引线51和多个第二连接引线52覆盖。封固树脂60的构成材料例如是环氧树脂。封固树脂60包括：树脂主面61、树脂背面62、一对树脂第一侧面631、一对树脂第二侧面632、以及一对贯通孔64。
如图12和图13所示，树脂主面61朝向z方向的基材10的第一主面11A所朝向的一侧。树脂背面62朝向z方向的基材10的第一背面12A所朝向的一侧。如图5所示，第一背面12A从树脂背面62露出。树脂背面62呈将第一背面12A围绕的框状。
如图5和图6所示，一对树脂第一侧面631与树脂主面61和树脂背面62双方相连，并且朝向y方向。从树脂第一侧面631的y方向的一侧露出有：一对输入端子31的端子部312、与一对第二开关元件40B对应地配置的一对栅极端子33的端子部332、以及一对检测端子34的端子部342。从树脂第一侧面631的y方向的另一侧露出有：一对输出端子32的端子部322、与一对第一开关元件40A对应地配置的一对栅极端子33的端子部332、以及一对检测端子34的端子部342。
如图5和图7所示，一对树脂第二侧面632与树脂主面61和树脂背面62双方相连，并且朝向x方向。
如图5、图9和图13所示，一对贯通孔64在z方向上从树脂主面61到树脂背面62贯通封固树脂60。从z方向来看，一对贯通孔64的孔缘呈圆形状。一对贯通孔64位于基材10的x方向的两侧。
如图5和图9所示，一对凹部65从树脂背面62凹陷。一对凹部65如后述那样用于使半导体装置B1相对于散热器X1定位。
＜第一基板7＞
第一基板7与半导体模块A1连接，在本实施方式中，安装有多个电子器件700。如图1～图11所示，本实施方式的第一基板7具有：第一基板主面71、第一基板背面72、多个输入输出用贯通部73、多个控制用贯通部74、一对凹部75。第一基板7的形状没有特别限定，在图示例中，在z方向上呈矩形状。第一基板7例如具有：由环氧树脂构成的绝缘性的基材、和在该基材上形成的配线图案(省略图示)。
第一基板主面71是朝向z方向一侧的面。第一基板背面72是在z方向上朝向与第一基板主面71相反侧的面。在本实施方式中，第一基板背面72与半导体模块A1的封固树脂60的树脂主面61对置。
多个输入输出用贯通部73用于供半导体模块A1的多个输入输出端子3A、即输入端子31A、输入端子31B和一对输出端子32插通，且各自在z方向上贯通第一基板7。在本实施方式中，设置有四个输入输出用贯通部73。输入端子31A的立起部312B、输入端子31B的立起部312B和一对输出端子32的立起部322B分别插通于四个输入输出用贯通部73。在图示例中，输入端子31A的立起部312B、输入端子31B的立起部312B和一对输出端子32的立起部322B从第一基板主面71突出于z方向。
多个控制用贯通部74用于供与半导体模块A1的多个控制端子3B即多个栅极端子33和多个检测端子34连接的多个第一连接器8的一部分插通，且各自在z方向上贯通第一基板7。在图示例中，设置有四个控制用贯通部74。两个控制用贯通部74在x方向上位于两个输入输出用贯通部73之间，且在x方向视角下与这些控制用贯通部74重叠。另外两个控制用贯通部74在x方向上位于另外两个输入输出用贯通部73之间，并且在x方向视角下与这些控制用贯通部74重叠。在控制用贯通部74中插通有第一连接器8的一部分，并且经由第一连接器8插通有一个栅极端子33和一个检测端子34。
一对凹部75设置于第一基板7的x方向两端，并且向x方向内侧凹陷。如图4所示，凹部75在z方向视角下内置有半导体模块A1的封固树脂60的贯通孔64。
连接端子76是用于控制信号相对于半导体模块A1的输入输出的端子。在本实施方式中，多个连接端子76靠近第一基板7的x方向和y方向的中央配置。多个连接端子76配置于一对凹部75之间。
连接端子76具有支撑部761和多个连接针762。支撑部761固定于第一基板7，并且对多个连接针762进行支撑。在图示例中，支撑部761安装于第一基板7的第一基板主面71。多个连接针762从支撑部761突出于z方向。连接针762与第一基板7的配线图案(省略图示)导通。
多个电子器件700安装于第一基板7。在本实施方式中，多个电子器件700的用途和功能没有特别限定，例如构成为实现如下功能的电路，所述功能是：根据从多个连接端子76输入的控制信号生成向半导体模块A1的多个控制端子3B(多个栅极端子33)输入的控制信号；或将来自多个控制端子3B(检测端子34)的检测信号变换为应当向外部输出的输出信号。
如图1、图3和图4所示，在本实施方式中，多个电子器件700包括：多个电子器件701、多个电子器件702、多个电子器件703、多个电子器件704、多个电子器件705、多个电子器件706、多个电子器件707、多个电子器件708和多个电子器件709。
在图示例中，图3和如图4所示，多个电子器件701、多个电子器件702、多个电子器件703、多个电子器件704和多个电子器件705安装于第一基板7的第一基板主面71。如图1所示，多个电子器件706、多个电子器件707、多个电子器件708和多个电子器件709安装于第一基板7的第一基板背面72。
如图4所示，多个电子器件701相对于多个连接端子76配置于y方向两侧。电子器件701例如是肖特基势垒二极管。
多个电子器件702相对于多个连接端子76在x方向上排列配置。电子器件702例如是芯片电阻。
多个电子器件703夹着多个电子器件701且相对于多个连接端子76配置于y方向外侧。多个电子器件703在x方向上排列。电子器件703例如是芯片电阻。
多个电子器件704相对于多个电子器件703配置于y方向外侧。电子器件704例如是肖特基势垒二极管。
多个电子器件705相对于多个电子器件704配置于y方向外侧。多个电子器件705在第一基板主面71上配置于最接近控制用贯通部74的位置。电子器件705例如是陶瓷电容器。
如图1所示，多个电子器件706相对于多个连接端子76配置于y方向两侧。电子器件706例如是双极型晶体管。
多个电子器件707相对于多个706配置于y方向外侧。电子器件707例如是陶瓷电容器。
多个电子器件708相对于多个707在x方向上排列配置。电子器件708例如是MOS－FET。
多个电子器件709配置在多个707与多个电子器件708之间。电子器件709例如是芯片电阻。
＜第一连接器8＞
多个第一连接器8固定于第一基板7，并且与多个控制端子3B(多个33和多个检测端子34)连接。第一连接器8相对于第一基板7的固定位置、固定方法没有特别限定。在本实施方式中，多个第一连接器8安装于第一基板7的第一基板背面72侧。另外，在图示例中，第一连接器8的一部分插通于第一基板7的控制用贯通部74。
如图1、图8和图9所示，本实施方式的第一连接器8具有壳体81和多个插通孔82。壳体81例如由树脂等制成且构成了壳体81的主体部分。插通孔82贯通于z方向，且供栅极端子33的立起部332B或者检测端子34的立起部342B插通。
第一连接器8使栅极端子33和检测端子34、与第一基板7的配线图案(省略图示)的适当部位导通。另外，第一连接器8容许栅极端子33和检测端子34相对于第一基板7在x方向和y方向的至少任一个的方向上进行相对移动。在图示例中，第一连接器8如图8所示那样容许栅极端子33和检测端子34在y方向上相对于第一基板7进行相对移动，并且如图10所示那样容许栅极端子33和检测端子34在x方向上相对于第一基板7进行相对移动。另外，第一连接器8也可以是容许栅极端子33和检测端子34相对于第一基板7在z方向上进行相对移动的结构。作为这种第一连接器8，例如可以采用日本特开2018－113163号公报、日本特开2018－63886号公报、日本特开2017－139101号公报等所公开的现有公知的连接器。
在图示例中，在一个第一连接器8的两个插通孔82中插通有栅极端子33和检测端子34。另外，四个第一连接器8在x方向和y方向上排列配置。
如图6和图7所示，在本实施方式中，多个第一连接器8相对于封固树脂60配置于y方向外侧。另外，第一连接器8在y方向视角下与半导体模块A1的封固树脂60重叠。
根据本实施方式，如图1所示，在进行半导体模块A1的组装时，经由第一连接器8将半导体装置B1的多个控制端子3B(多个栅极端子33和多个检测端子34)与第一基板7连接。第一连接器8容许多个栅极端子33相对于第一基板7在x方向和y方向的至少任一个的方向上进行相对移动。因此，即使多个栅极端子33的立起部332B和多个检测端子34的立起部342B立起的角度具有偏差，也能够利用第一连接器8来吸收在x方向和y方向上的位置偏移。因此，可抑制以第一基板7为基准对栅极端子33和检测端子34的角度或位置进行修正。因此，采用半导体模块A1，能够使端子连接容易进行并且更可靠地导通。
第一连接器8在y方向视角下与封固树脂60重叠，从而能够通过设置第一连接器8来抑制半导体模块A1的z方向尺寸增大。
从第一基板7起，半导体模块A1的多个输入输出端子3A(输入端子31A、输入端子31B和一对输出端子32)和多个连接端子76的多个连接针762在z方向上向同一侧(第一基板主面71所朝向的一侧)突出。由此，能够将应当与多个输入输出端子3A和多个连接端子76连接的基板等在第一基板7的第一基板主面71所朝向的一侧集中配置。
〔第一实施方式变形例〕
图17示出了半导体模块A1的变形例。此外，在本图中对于和上述实施方式相同或者类似的要素附加了与上述例子相同的符号。
本变形例的半导体模块A11除了半导体模块A1的结构要素之外，还具备第二基板91、第三基板92和散热器X1。
第二基板91相对于第一基板7在z方向上配置于第一基板主面71所朝向的一侧。在第二基板91上例如安装有多个第二连接器911。第二连接器911与第一连接器8同样地，容许输入输出端子3A的立起部312B或立起部322B相对于第二基板91在x方向和y方向上进行相对移动，并且使第二基板91的适当部位与多个输入输出端子3A导通。在图示例中，第二连接器911设置于第二基板91中的朝向与第一基板7相反侧的面。第二基板91例如导通半导体模块A1的开关对象即电流。
第三基板92相对于第二基板91在z方向上配置于与第一基板7的相反侧。在第三基板92上例如安装有多个第三连接器921。第三连接器921与第一连接器8和第二连接器911同样地，容许连接端子76的连接针762相对于第三基板92在x方向和y方向上进行相对移动，并且使第三基板92的适当部位与多个连接针762导通。此外，在本例中，第二基板91具有供多个连接针762插通的贯通孔(省略图示)。第三基板92例如导通向多个连接端子76输入输出的控制信号。
散热器X1用于使多个半导体元件40产生的热量向外部散逸。散热器X1例如由铝等的金属制成。此外，散热器X1也可以在内部具有水冷用的水路。半导体装置B1利用螺栓X2安装于散热器X1。螺栓X2插通于封固树脂60的贯通孔64，并且与设置于散热器X1的内螺纹螺合。另外，在图示例中，在散热器X1设置有多个凸部X11。多个凸部X11用于通过与封固树脂60的多个凹部65嵌合而使半导体装置B1与散热器X1的定位准确地进行。
根据本变形例，也能够使端子连接容易进行并且更可靠地导通。另外，通过在第二基板91设置第二连接器911，并在第三基板92设置第三连接器921，从而使在半导体模块A1和第一基板7之外还设置第二基板91和第三基板92的作业更容易进行。
〔半导体装置B1变形例〕
图18示出了半导体装置B1的变形例。在本变形例的半导体装置B11中，多个输入输出端子3A的立起部312B和立起部322B、多个控制端子3B的立起部332B和立起部342B的y方向上的位置互不相同。更具体而言，多个控制端子3B的立起部332B和立起部342B与多个输入输出端子3A的立起部312B和立起部322B相比更靠近y方向内侧(接近封固树脂60的位置)配置。
根据本变形例，例如能够通过使立起部312B和立起部322B位于图17示例中的第一基板7的y方向外侧，从而省略在第一基板7设置输入输出用贯通部73。
〔第一实施方式AC/DC转换器组件C1〕
图19～图28示出了本公开第一实施方式的AC/DC转换器组件。本实施方式的AC/DC转换器组件C1具备：第一半导体模块A21、第二半导体模块A22、输入模块D、输出模块E、电容器模块F、绝缘电源模块G和变压器模块H。AC/DC转换器组件C1的用途没有特别限定，以下举出其中一例：对向输入模块D输入的AC电力(例如200V－36A)进行变换，并从输出模块E作为DC电力(例如，800V－9A，7.2kW)输出的AC/DC变换用途。
图19是表示AC/DC转换器组件C1的框图。图20是表示AC/DC转换器组件C1的俯视图。图21是表示AC/DC转换器组件C1的主要部分俯视图。图22是表示AC/DC转换器组件C1的半导体模块的正视图。图23是沿着图21的XXIII－XXIII线的主要部分剖视图。图24是沿着图21的XXIV－XXIV线的主要部分剖视图。图25是沿着图21的XXV－XXV线的主要部分剖视图。图26是沿着图21的XXVI－XXVI线的主要部分剖视图。图27是沿着图20的XXVII－XXVII线的剖视图。图28是沿着图20的XXVIII－XXVIII线的剖视图。
〔第一半导体模块A21〕
第一半导体模块A21是一部分与上述的半导体模块A1相同的结构。如图22所示，第一半导体模块A21具备：半导体装置B21、第一基板7、多个电子器件700、多个连接端子76和多个第一连接器8。第一基板7、多个电子器件700、多个连接端子76和多个第一连接器8例如与半导体模块A1中的结构相同。此外，图19的栅极驱动器和控制板等例如也可以由安装于第一基板7的多个电子器件700构成。
如图19所示，半导体装置B21具备两个开关元件即第一开关元件40A和第二开关元件40B。在本实施方式中，半导体装置B21例如构成了PFC(power factor correction：功率因数校正)电路，并发挥AC/DC变换功能。
如图19～图22所示，半导体装置B21具有：输入端子31A、输入端子31B、输出端子32A和输出端子32B。输入端子31A、输入端子31B、输出端子32A的端子部312和输出端子32B的端子部322与半导体装置B1中的结构不同，是没有立起部312B和立起部322B的、直线的形状。
如图20和图21所示，就输入端子31A的端子部312和输入端子31B的端子部312而言，向y方向一侧突出且在x方向上彼此分离。就输出端子32A的端子部322和输出端子32B的端子部322而言，向y方向另一侧突出且在在x方向上彼此分离。
如图19所示，输入端子31A与第一开关元件40A的源极电极(主面电极41)和第二开关元件40B的漏极电极(背面电极42)连接。输入端子31B与经由线圈串联地连接的两个二极管的连接点连接。输出端子32A与一个二极管的负极连接。输出端子32B与另一个二极管的正极连接。
输入端子31A和输入端子31B的端子部312具有紧固用孔313。紧固用孔313设置于端子部312的前端附近，且在z方向上贯通端子部312。
〔第二半导体模块A22〕
第二半导体模块A22是一部分与上述的半导体模块A1相同的结构。如图22所示，第二半导体模块A22具备：半导体装置B22、第一基板7、多个电子器件700、多个连接端子76和多个第一连接器8。第一基板7、多个电子器件700、多个连接端子76和多个第一连接器8例如与半导体模块A1中的结构相同。此外，图19的栅极驱动器和控制板等例如也可以由安装于第一基板7的多个电子器件700构成。
如图19所示，半导体装置B22具备两个第一开关元件40A和两个第二开关元件40B。在本实施方式中，半导体装置B22例如是用于与变压器模块H和输出模块E的半导体装置B23一起构成LLC谐振DC/DC转换器的H桥(全桥)电路。
如图19～图22所示，半导体装置B22具有：输入端子31A、输入端子31B、输出端子32A和输出端子32B。就半导体装置B22的输入端子31A、输入端子31B、输出端子32A的端子部312和输出端子32B的端子部322而言，与半导体装置B1中的结构不同，是不具有立起部312B和立起部322B的、直线的形状。
如图20和图21所示，就输入端子31A的端子部312和输入端子31B的端子部312而言，向y方向一侧突出且在x方向上彼此分离。就输出端子32A的端子部322和输出端子32B的端子部322而言，向y方向另一侧突出且在x方向上彼此分离。
如图19所示，输入端子31A与两个第一开关元件40A的漏极电极(背面电极42)连接。输入端子31B与两个第二开关元件40B的源极电极(主面电极41)连接。输出端子32A与一个第一开关元件40A的源极电极(主面电极41)和一个第二开关元件40B的漏极电极(背面电极42)连接。输出端子32B与另一个第一开关元件40A的源极电极(主面电极41)和另一个第二开关元件40B的漏极电极(背面电极42)连接。
半导体装置B22的输入端子31A和输入端子31B的端子部312具有紧固用孔313。紧固用孔313在端子部312的前端附近设置并且在z方向上贯通端子部312。
〔输入模块D〕
输入模块D是向AC/DC转换器组件C1输入电力的模块。输入模块D的具体的结构没有任何限定，在本实施方式中，如图19和图20所示，具有输入连接器D1、输入滤波器D2、电抗器D3、输出端子D41和输出端子D42。
输入连接器D1是通过与外部的连接器等连接而输入AC电力(例如200V－36A)的部位。输入滤波器D2是对向输入连接器D1输入的AC电力施加任意的滤波器处理的部位。电抗器D3夹在输入滤波器D2和输出端子D41之间。
输出端子D41和输出端子D42用于从输入连接器D1向第一半导体模块A21(半导体装置B21)进行输出。如图20、图21、图23和图24所示，输出端子D41和输出端子D42向y方向另一侧突出，并且在x方向上彼此分离。输出端子D41和输出端子D42例如由金属板构成。该金属板的构成材料是铜(Cu)或者铜合金。输出端子D41和输出端子D42是前端在y方向上向正上方延伸的形状。输出端子D41和输出端子D42具有紧固用孔D43。紧固用孔D43在输出端子D41和输出端子D42的前端附近设置，并且在z方向上贯通输出端子D41和输出端子D42。
〔输出模块E〕
输出模块E是从AC/DC转换器组件C1输出电力的模块。输出模块E的具体结构没有任何限定，在本实施方式中，如图19、图20和图28所示，具有输出连接器E1、输出滤波器E2、输出基板E3和半导体装置B23。
输出连接器E1用于通过与外部的连接器等连接而输出DC电力(例如，800V－9A、7.2kW)。输出滤波器E2是对从输出连接器E1输出的DC电力施加任意的滤波器处理的部位。输出基板E3例如是具有由玻璃环氧树脂构成的基材和在该基材上形成的配线图案的配线基板，例如安装有输出滤波器E2、半导体装置B23。
如图19所示，半导体装置B23具有四个二极管元件40C、输入端子31A、输入端子31B、输出端子32A和输出端子32B并且构成了桥式整流电路。如图20所示，输入端子31A和输入端子31B向y方向一侧突出，并且在x方向上彼此分离。输出端子32A和输出端子32B向y方向另一侧突出，并且在x方向上彼此分离。
〔电容器模块F〕
如图19～图21、图24和图25所示，电容器模块F与第一半导体模块A21的半导体装置B21的端子部322(输出端子32A)和第二半导体模块A22的半导体装置B22的端子部312(输入端子31A)、半导体装置B21的端子部322(输出端子32B)和半导体装置B22的端子部312(输入端子31B)连接。电容器模块F的具体结构没有任何限定，在本实施方式中，具有多个缓冲电容器F1、连接端子F21和连接端子F22。
多个缓冲电容器F1例如发挥对如下的浪涌电压进行吸收的功能，该浪涌电压是第一半导体模块A21(半导体装置B21)与第二半导体模块A22(半导体装置B22)的连接路径中的寄生电感所引起的开关断开时的浪涌电压。
连接端子F21和连接端子F22例如由金属板构成。该金属板的构成材料是铜(Cu)或者铜合金。连接端子F21与半导体装置B21的端子部322(输出端子32A)和半导体装置B22的端子部312(输入端子31A)连接。连接端子F22与半导体装置B21的端子部322(输出端子32B)和半导体装置B22的端子部312(输入端子31B)连接。
〔绝缘电源模块G〕
绝缘电源模块G是供给电力的模块，该电力用于对AC/DC转换器组件C1的第一半导体模块A21和第二半导体模块A22等进行驱动。绝缘电源模块G例如经由未图示的线缆与第一半导体模块A21和第二半导体模块A22等连接。
〔变压器模块H〕
如图19和图20所示，变压器模块H夹在第二半导体模块A22与输出模块E之间。变压器模块H与第二半导体模块A22和输出模块E一起发挥DC/DC转换器功能。变压器模块H的具体结构没有任何限定，在本实施方式中，具有变压器H3、输入端子H11、输入端子H12、输出端子H21和输出端子H22。
变压器H3使第二半导体模块A22侧(一次侧)和输出模块E侧(二次侧)绝缘，并发挥预定的电压变化功能。输入端子H11与第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输出端子32连接。输入端子H12与第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输出端子32B连接。输出端子H21与输出模块E的半导体装置B23的输入端子31A连接。输出端子H22与输出模块E的半导体装置B23的输入端子31B连接。
在本实施方式中，如图20和图21所示，在输入模块D的y方向另一侧配置有第一半导体模块A21、电容器模块F和绝缘电源模块G。第一半导体模块A21以在x方向上被电容器模块F和绝缘电源模块G夹持的方式配置。第二半导体模块A22在第一半导体模块A21的y方向另一侧配置。第二半导体模块A22以在x方向上被电容器模块F和绝缘电源模块G夹持的方式配置。变压器模块H在电容器模块F、第二半导体模块A22和绝缘电源模块G的y方向另一侧配置。输出模块E在变压器模块H的y方向另一侧配置。半导体装置B23配置为使得x方向上的位置与半导体装置B21和半导体装置B22大致相同。
如图20、图21和图23所示，输入模块D的输出端子D41与第一半导体模块A21(半导体装置B21)的输入端子31A的端子部312利用螺栓351和螺母361直接连接。螺栓351和螺母361是本公开的紧固部件的一具体例，且为本公开的固定单元的一例。输出端子D41与端子部312彼此重叠，以使得紧固用孔D43和紧固用孔313在z方向视角下大致一致。螺栓351插通于紧固用孔D43和紧固用孔313。螺母361与螺栓351螺合。利用螺栓351与螺母361的紧固力对输出端子D41和端子部312(输入端子31A)进行紧固(固定)并且直接连接。
另外，输入模块D的输出端子D42与第一半导体模块A21(半导体装置B21)的输入端子31B的端子部312利用螺栓352和螺母362直接连接。螺栓352和螺母362是本公开的紧固部件的一具体例，且为本公开的固定单元的一例。输出端子D42与端子部312彼此重叠，以使得紧固用孔D43和紧固用孔313在z方向视角下大致一致。螺栓352插通于紧固用孔D43和紧固用孔313。螺母362与螺栓352螺合。利用螺栓352与螺母362的紧固力对输出端子D42和端子部312(输入端子31B)进行紧固(固定)并且直接连接。
如图20、图21、图24和图25所示，第一半导体模块A21(半导体装置B21)的输出端子32A的端子部322、与第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输入端子31A的端子部312利用螺栓353和螺母363直接连接。螺栓353和螺母363是本公开的紧固部件的一具体例，且为本公开的固定单元的一例。半导体装置B21的输出端子32A的端子部322与半导体装置B22的输入端子31A的端子部312彼此重叠，以使得紧固用孔323和紧固用孔313在z方向视角下大致一致。螺栓353插通于紧固用孔323和紧固用孔313。螺母363与螺栓353螺合。利用螺栓353与螺母363的紧固力对半导体装置B21的输出端子32A的端子部322和半导体装置B22的输入端子31A的端子部312进行紧固(固定)并且直接连接。
另外，在本实施方式中，半导体装置B21的输出端子32A的端子部322和半导体装置B22的输入端子31A的端子部312一起对连接端子F21进行紧固。本实施方式的连接端子F21具有第一部F211、第二部F212和第三部F213。第一部F211是从缓冲电容器F1侧起在x方向上呈直线状延伸的部分。第二部F212是连接端子F21的y方向上的前端部分，且相对于第一部F211位于z方向图中下方。第三部F213夹在第一部F211和第二部F212之间，并且相对于x方向和z方向倾斜。在第二部F212形成有紧固用孔F214。第二部F212与端子部322和端子部312彼此重叠，以使得紧固用孔F214与紧固用孔323和紧固用孔313在z方向视角下大致一致。螺栓353插通于紧固用孔F214、紧固用孔323和紧固用孔313。螺母363与螺栓353螺合。利用螺栓353与螺母363的紧固力对半导体装置B21的输出端子32A的端子部322和半导体装置B22的输入端子31A的端子部312与连接端子F21的第二部F212进行紧固(固定)，并且直接连接。
如图20、图21和图25所示，第一半导体模块A21(半导体装置B21)的输出端子32B的端子部322、与第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输入端子31B的端子部312利用螺栓354和螺母364直接连接。螺栓354和螺母364是本公开的紧固部件的一具体例，且为本公开的固定单元的一例。半导体装置B21的输出端子32B的端子部322与半导体装置B22的输入端子31B的端子部312彼此重叠，以使得紧固用孔323和紧固用孔313在z方向视角下大致一致。螺栓354插通于紧固用孔323和紧固用孔313。螺母364与螺栓354螺合。利用螺栓354与螺母364的紧固力对半导体装置B21的输出端子32B的端子部322和半导体装置B22的输入端子31B的端子部312进行紧固(固定)并且直接连接。
另外，在本实施方式中，半导体装置B21的输出端子32B的端子部322和半导体装置B22的输入端子31B的端子部312一起对连接端子F22进行紧固。本实施方式的连接端子F22具有第一部F221、第二部F222和第三部F223。第一部F221是从缓冲电容器F1侧起在x方向上呈直线状延伸的部分。第一部F221在z方向视角下与利用螺栓353和螺母363固定的端子部312、端子部322和第二部F212重叠。另外，第一部F221位于利用螺栓353和螺母363固定的端子部312、端子部322和第二部F212的z方向图中下方。第二部F222是连接端子F22的y方向上的前端部分，且相对于第一部F221位于z方向图中上方。第三部F223夹在第一部F221与第二部F222之间，并且相对于x方向和z方向倾斜。在第二部F222形成有紧固用孔F224。第二部F222与端子部322和端子部312彼此重叠，以使得紧固用孔F224与紧固用孔323和紧固用孔313在z方向视角下大致一致。螺栓354插通于紧固用孔F224、紧固用孔323和紧固用孔313。螺母364与螺栓354螺合。利用螺栓354与螺母364的紧固力对半导体装置B21的输出端子32B的端子部322和半导体装置B22的输入端子31B的端子部312与连接端子F22的第二部F222进行紧固(固定)，并且直接连接。
如图20、图21和图26所示，第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输出端子32A的端子部322、与变压器模块H的输入端子H11利用螺栓355和螺母365直接连接。螺栓355和螺母365是本公开的紧固部件的一具体例，且为本公开的固定单元的一例。半导体装置B22的输出端子32A的端子部322与变压器模块H的输入端子H11彼此重叠，以使得紧固用孔323和紧固用孔H13在z方向视角下大致一致。螺栓355插通于紧固用孔323和紧固用孔H13。螺母365与螺栓355螺合。利用螺栓355与螺母365的紧固力对半导体装置B22的输出端子32A的端子部322和变压器模块H的紧固用孔H13进行紧固(固定)并且直接连接。
另外，第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输出端子32B的端子部322、与变压器模块H的输入端子H12利用螺栓356和螺母366直接连接。螺栓356和螺母366是本公开的紧固部件的一具体例，且为本公开的固定单元的一例。半导体装置B22的输出端子32B的端子部322与变压器模块H的输入端子H12彼此重叠，以使得紧固用孔323和紧固用孔H13在z方向视角下大致一致。螺栓356插通于紧固用孔323和紧固用孔H13。螺母366与螺栓356螺合。利用螺栓356与螺母366的紧固力对半导体装置B22的输出端子32B的端子部322和变压器模块H的紧固用孔H13进行紧固(固定)并且直接连接。
如图20和图27所示，变压器模块H的输出端子H21、与半导体装置B23的输入端子31A的端子部312利用螺栓357和螺母367直接连接。螺栓357和螺母367是本公开的紧固部件的一具体例，且为本公开的固定单元的一例。变压器模块H的输出端子H21、与半导体装置B23的输入端子31A的端子部312彼此重叠，以使得紧固用孔H23和紧固用孔313在z方向视角下大致一致。螺栓357插通于紧固用孔H23和紧固用孔313。螺母367与螺栓357螺合。利用螺栓357与螺母367的紧固力对变压器模块H的输出端子H21、和半导体装置B23的输入端子31A的端子部312进行紧固(固定)并且直接连接。
另外，变压器模块H的输出端子H22、与半导体装置B23的输入端子31B的端子部312利用螺栓358和螺母368直接连接。螺栓358和螺母368是本公开的紧固部件的一具体例，且为本公开的固定单元的一例。变压器模块H的输出端子H22、与半导体装置B23的输入端子31B的端子部312彼此重叠，以使得紧固用孔H23和紧固用孔313在z方向视角下大致一致。螺栓358插通于紧固用孔H23和紧固用孔313。螺母368与螺栓358螺合。利用螺栓358与螺母368的紧固力对变压器模块H的输出端子H22、和半导体装置B23的输入端子31B的端子部312进行紧固(固定)并且直接连接。
如图20和图28所示，半导体装置B23的输出端子32A、与输出基板E3利用螺栓359和螺母369直接连接。螺栓359和螺母369是本公开的紧固部件的一具体例，且为本公开的固定单元的一例。半导体装置B23的输出端子32A的端子部322与输出基板E3彼此重叠，以使得紧固用孔323和紧固用孔E31在z方向视角下大致一致。螺栓359插通于紧固用孔323和紧固用孔E31。螺母369与螺栓359螺合。利用螺栓359与螺母369的紧固力对半导体装置B23的输出端子32A的端子部322和输出基板E3进行紧固(固定)并且直接连接。
另外，半导体装置B23的输出端子32B、与输出基板E3利用螺栓35a和螺母36a直接连接。螺栓35a和螺母36a是本公开的紧固部件的一具体例，且为本公开的固定单元的一例。半导体装置B23的输出端子32B的端子部322与输出基板E3彼此重叠，以使得紧固用孔323和紧固用孔E31在z方向视角下大致一致。螺栓35a插通于紧固用孔323和紧固用孔E31。螺母36a与螺栓35a螺合。利用螺栓35a与螺母36a的紧固力对半导体装置B23的输出端子32B的端子部322和输出基板E3进行紧固(固定)并且直接连接。
根据本实施方式，如图20～图22、图24和图25所示，第一半导体模块A21(半导体装置B21)的输出端子32A的端子部322与第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输入端子31A的端子部312利用固定单元即螺栓353和螺母363直接连接。由此，能够使输出端子32A与输入端子31A的连接路径中的电感减小，并进一步提高AC/DC转换器组件C1的响应性。另外，第一半导体模块A21(半导体装置B21)的输出端子32B的端子部322与第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输入端子31B的端子部312利用固定单元即螺栓354和螺母364直接连接。由此，能够使输出端子32B与输入端子31B的连接路径中的电感减小，并进一步提高AC/DC转换器组件C1的响应性。
就从封固树脂60突出的端子部312和端子部322而言，是在y方向上呈直线状延伸的形状。由此，能够使端子部312和端子部322自身的电感减小，并有助于进一步提高AC/DC转换器组件C1的响应性。
作为固定单元而采用紧固单元即螺栓353和螺母363、螺栓354和螺母364，能够实现可靠的连接并且将第一半导体模块A21(半导体装置B21)和第二半导体模块A22(半导体装置B22)的任意一方从AC/DC转换器组件C1取下，之后容易地进行安装。由此，能够更加容易地对第一半导体模块A21(半导体装置B21)和第二半导体模块A22(半导体装置B22)的任意一方进行更换。
如图20、图21、图24和图25所示，在本实施方式中，连接端子F21的第二部F212与输出端子32A的端子部322和输入端子31A的端子部312一起利用固定单元即螺栓353和螺母363彼此直接连接。由此，能够使将第一半导体模块A21(半导体装置B21)、第二半导体模块A22(半导体装置B22)和电容器模块F连接的连接路径的电感减小。
另外，在本实施方式中，连接端子F22的第二部F222与输出端子32B的端子部322和输入端子31B的端子部312一起利用固定单元即螺栓354和螺母364彼此直接连接。由此，能够使将第一半导体模块A21(半导体装置B21)、第二半导体模块A22(半导体装置B22)和电容器模块F连接的连接路径的电感减小。
如图20、图21和图23所示，输入模块D的输出端子D41与第一半导体模块A21(半导体装置B21)的输入端子31A的端子部312利用固定单元即螺栓351和螺母361直接连接。另外，输入模块D的输出端子D42与第一半导体模块A21(半导体装置B21)的输入端子31B的端子部312利用螺栓352和螺母362直接连接。由此，能够使输出端子D41、D42与输入端子31A、31B的连接路径中的电感减小，并进一步提高AC/DC转换器组件C1的响应性。
输出端子D41、D42和端子部312是在y方向上呈直线状延伸的形状。由此，能够使输出端子D41、D42和端子部312自身的电感减小，并有助于进一步提高AC/DC转换器组件C1的响应性。
作为固定单元采用紧固单元即螺栓351和螺母361、螺栓352和螺母362能够实现可靠的连接，并且能够将输入模块D和第一半导体模块A21(半导体装置B21)的任意一方从AC/DC转换器组件C1取下，之后容易进行安装。由此，能够更加容易对输入模块D和第一半导体模块A21(半导体装置B21)的任意一方进行更换。
如图20、图21和图26所示，第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输出端子32A的端子部322与压器模块H的输入端子H11利用固定单元即螺栓355和螺母365直接连接。另外，第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输出端子32B的端子部322与变压器模块H的输入端子H12利用固定单元即螺栓356和螺母366直接连接。由此，能够使输出端子32A、32B与输入端子H11、H12的连接路径中的电感减小，并进一步提高AC/DC转换器组件C1的响应性。
端子部322和输入端子H11、H12是在y方向上呈直线状延伸的形状。由此，能够使端子部322和输入端子H11、H12自身的电感减小，并有助于进一步提高AC/DC转换器组件C1的响应性。
作为固定单元采用紧固单元即螺栓355和螺母365、螺栓356和螺母366能够实现可靠的连接，并且能够将第二半导体模块A22(半导体装置B22)和输出模块E的任意一方从AC/DC转换器组件C1取下，之后容易进行安装。由此，能够更加容易对第二半导体模块A22(半导体装置B22)和输出模块E的任意一方进行更换。
如图20和图27所示，变压器模块H的输出端子H21、与半导体装置B23的输入端子31A的端子部312利用固定单元即螺栓357和螺母367直接连接。另外，变压器模块H的输出端子H22、与半导体装置B23的输入端子31B的端子部312利用固定单元即螺栓358和螺母368直接连接。由此，能够使输出端子H21、H22与输入端子31A、31B的连接路径中的电感减小，并进一步提高AC/DC转换器组件C1的响应性。
输出端子H21、H22和端子部312是在y方向上呈直线状延伸的形状。由此，能够使输出端子H21、H22和端子部312自身的电感减小，并有助于进一步提高AC/DC转换器组件C1的响应性。
作为固定单元采用紧固单元即螺栓357和螺母367、螺栓358和螺母368能够实现可靠的连接，并且能够将变压器模块H和半导体装置B23的任意一方从AC/DC转换器组件C1取下，之后容易进行安装。由此，能够更加容易对变压器模块H和半导体装置B23的任意一方进行更换。
如图20和图28所示，半导体装置B23的输出端子32A的端子部322、与输出基板E3利用固定单元即螺栓359和螺母369直接连接。另外，半导体装置B23的输出端子32B的端子部322、与输出基板E3利用固定单元即螺栓35a和螺母36a直接连接。由此，能够使输出端子32A、32B与输出基板E3的连接路径中的电感减小，并进一步提高AC/DC转换器组件C1的响应性。
作为固定单元采用紧固单元即螺栓359和螺母369或者螺栓35a和螺母36a能够实现可靠的连接，并且能够将半导体装置B23从AC/DC转换器组件C1取下，之后容易进行安装。由此，能够更加容易对半导体装置B23进行更换。
图29～图50示出了本公开的变形例和其他实施方式。此外，在这些图中对于和上述实施方式相同或者类似的要素附加与上述实施方式相同的符号。
〔AC/DC转换器组件C1第一变形例〕
图29示出了AC/DC转换器组件C1的第一变形例。就本变形例的AC/DC转换器组件C11而言，第一半导体模块A21、第二半导体模块A22、电容器模块F、绝缘电源模块G和半导体装置B23的配置与上述的AC/DC转换器组件C1不同。
在本变形例中，电容器模块F在x方向上配置在绝缘电源模块G与第一半导体模块A21及第二半导体模块A22之间。另外，半导体装置B23配置为使得x方向上的位置与半导体装置B21和半导体装置B22相同，且为相对于输出模块E的x方向中心偏移的配置。
根据本变形例，也能够与AC/DC转换器组件C1同样地进一步提高响应性。另外，由本变形例可知，第一半导体模块A21、第二半导体模块A22、电容器模块F、绝缘电源模块G和半导体装置B23的配置等配置可以进行各种变更。
〔AC/DC转换器组件C1第二变形例〕
图30示出了AC/DC转换器组件C1的第二变形例。就本变形例的AC/DC转换器组件C12而言，半导体装置B23的配置与上述的AC/DC转换器组件C1不同。
在本变形例中，半导体装置B23相对于半导体装置B21和半导体装置B22配置于在x方向上偏移的位置。换言之，半导体装置B23在y方向视角下与半导体装置B21和半导体装置B22远离。根据本变形例，也能够与AC/DC转换器组件C1同样地进一步提高响应性。
〔AC/DC转换器组件C1第三变形例〕
图31～图33示出了AC/DC转换器组件C1的第三变形例。就本变形例的AC/DC转换器组件C13而言，输出端子H21和输出端子H22、与半导体装置B23的输入端子31A、输入端子31B、输出端子32A和输出端子32B的固定方式有别于上述的AC/DC转换器组件C1。
在本变形例中，如图31和图32所示，半导体装置B23的输入端子31A的端子部312利用固定单元的一例即焊接部377与输出基板E3直接固定。在图示例中，在输出基板E3的焊接用孔E32中插通有端子部312，并且设置有焊接部377。此外，焊接部377的具体的焊接形式没有任何限定。可以是利用所谓焊条来形成焊缝的方式，也可以是通过使端子部312等熔融来形成焊缝的方式。这一点对于以下各焊接部也是同样的。
另外，半导体装置B23的输入端子31B的端子部312利用固定单元的一例即焊接部378与输出基板E3直接固定。在图示例中，在输出基板E3的焊接用孔E32中插通有端子部312，并且设置有焊接部378。此外，焊接部378的具体的焊接形式没有任何限定。
如图31和图32所示，半导体装置B23的输出端子32A的端子部322利用固定单元的一例即焊接部379与输出基板E3直接固定。在图示例中，在输出基板E3的焊接用孔E32中插通有端子部322，并且设置有焊接部379。此外，焊接部379的具体的焊接形式没有任何限定。
另外，半导体装置B23的输出端子32B的端子部322利用固定单元的一例即焊接部37a与输出基板E3直接固定。在图示例中，在输出基板E3的焊接用孔E32中插通有端子部322，并且设置有焊接部37a。此外，焊接部37a的具体的焊接形式没有任何限定。
根据本变形例，也与AC/DC转换器组件C1同样地，能够进一步提高响应性。另外，在作为固定单元采用焊接部377、378、379、37a的情况下，也能够促进电感的减小。另外，本公开中的直接连接的结构的含义包括通过利用焊条形成的焊缝使双方固定的方式。
〔AC/DC转换器组件C1第四变形例〕
图34示出了AC/DC转换器组件C1的第四变形例。就本变形例的AC/DC转换器组件C14而言，第一半导体模块A21、第二半导体模块A22、电容器模块F、绝缘电源模块G和半导体装置B23的配置与上述的AC/DC转换器组件C13不同。
在本变形例中，电容器模块F在x方向上配置在绝缘电源模块G与第一半导体模块A21及第二半导体模块A22之间。另外，半导体装置B23配置为使得x方向上的位置与半导体装置B21和半导体装置B22相同，并且是相对于输出模块E的x方向中心偏移的配置。
根据本变形例，也与AC/DC转换器组件C1同样地，能够进一步提高响应性。另外，由本变形例可知，第一半导体模块A21、第二半导体模块A22、电容器模块F、绝缘电源模块G和半导体装置B23的配置等配置能够进行各种变更。
〔AC/DC转换器组件C1第五变形例〕
图35示出了AC/DC转换器组件C1的第五变形例。就本变形例的AC/DC转换器组件C15而言，半导体装置B23的配置与上述的AC/DC转换器组件C13不同。
在本变形例中，半导体装置B23相对于半导体装置B21和半导体装置B22配置于在x方向上偏移的位置。换言之，半导体装置B23在y方向视角下与半导体装置B21和半导体装置B22远离。根据本变形例，也与AC/DC转换器组件C1同样地，能够进一步提高响应性。
〔第二实施方式〕
图36～图42示出了本公开第二实施方式的AC/DC转换器组件。就本实施方式的AC/DC转换器组件C2而言，半导体装置B21和半导体装置B22的输入端子31A、输入端子31B、输出端子32A和输出端子32B的固定方式与上述的实施方式不同。
在本实施方式中，如图36～图38所示，输入模块D的输出端子D41与第一半导体模块A21(半导体装置B21)的输入端子31A的端子部312利用固定单元即焊接部371直接连接。焊接部371的焊接形式没有任何限定。另外，输入模块D的输出端子D42与第一半导体模块A21(半导体装置B21)的输入端子31B的端子部312利用固定单元即焊接部372直接连接。焊接部371的焊接形式没有任何限定。
另外，如图36、图37、图39～图41所示，第一半导体模块A21(半导体装置B21)的输出端子32A的端子部322与第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输入端子31A的端子部312利用固定单元即焊接部373直接连接。另外，在本实施方式中，连接端子F21的第二部F212利用焊接部373与输出端子32A的端子部322和输入端子31A的端子部312直接连接。在图示例中，焊接部373包含焊接部373a和焊接部373b。焊接部373a将端子部322和第二部F212固定。焊接部373b将端子部312和第二部F212固定。此外，焊接部373的具体方式没有任何限定。例如，在端子部322、端子部312和第二部F212全部重合的状态下，也可以利用一个焊接部373统一进行固定。
如图36、图37、图39～图41所示，第一半导体模块A21(半导体装置B21)的输出端子32B的端子部322与第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输入端子31B的端子部312利用固定单元即焊接部374直接连接。另外，在本实施方式中，连接端子F22的第二部F222利用焊接部374与输出端子32A的端子部322和输入端子31A的端子部312直接连接。在图示例中，焊接部374包含焊接部374a和焊接部374b。焊接部374a将端子部322和第二部F222固定。焊接部374b将端子部312和第二部F222固定。此外，焊接部374的具体方式没有任何限定。例如，在端子部322、端子部312和第二部F222全部重合的状态下，也可以利用一个焊接部374统一进行固定。
如图36、图37和图42所示，第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输出端子32A与变压器模块H的输入端子H11利用固定单元即焊接部375直接连接。焊接部375的焊接形式没有任何限定。另外，第二半导体模块A22(半导体装置B22)的输出端子32B与变压器模块H的输入端子H12利用固定单元即焊接部376直接连接。焊接部376的焊接形式没有任何限定。
根据本实施方式，也与AC/DC转换器组件C1同样地能够进一步提高响应性。另外，只要是有助于减小电感的固定方式，则不限于紧固单元或者焊接部，而能够采用各种固定单元。
〔AC/DC转换器组件C2第一变形例〕
图43示出了AC/DC转换器组件C2的第一变形例。就本变形例的AC/DC转换器组件C21而言，第一半导体模块A21、第二半导体模块A22、电容器模块F和绝缘电源模块G的配置与上述的AC/DC转换器组件C2不同。
在本变形例中，电容器模块F在x方向上配置在绝缘电源模块G与第一半导体模块A21及第二半导体模块A22之间。另外，半导体装置B23的x方向上的位置配置在与半导体装置B21和半导体装置B22不同的位置。根据本变形例，也与AC/DC转换器组件C2同样地，能够进一步提高响应性。
〔AC/DC转换器组件C2第二变形例〕
图44示出了AC/DC转换器组件C2的第二变形例。就本变形例的AC/DC转换器组件C22而言，半导体装置B23的配置与上述的AC/DC转换器组件C2不同。
在本变形例中，半导体装置B23的x方向上的位置配置在与半导体装置B21和半导体装置B22不同的位置，并且是相对于输出模块E的x方向中心偏移的配置。根据本变形例，也与AC/DC转换器组件C2同样地，能够进一步提高响应性。
〔第三实施方式半导体模块A3〕
图45～图47示出了本公开第三实施方式的半导体模块。就本实施方式的半导体模块A3而言，主要是输入输出端子3A和控制端子3B的结构、第一基板7的具体结构与上述的实施方式不同。
半导体模块A3具备半导体装置B3。半导体装置B3例如发挥与上述的半导体装置B1同样的功能。半导体装置B3具有多个输入输出端子3A和多个控制端子3B。多个输入输出端子3A例如与上述的输入端子31A、输入端子31B、输出端子32A和输出端子32B对应。多个控制端子3B例如与上述的栅极端子33和检测端子34对应。
在本实施方式中，多个输入输出端子3A包含从封固树脂60向x方向的一侧突出的情况、和向x方向的另一侧突出的情况。即，多个输入输出端子3A从封固树脂60向x方向的两侧突出。另外，本实施方式的输入输出端子3A是以z方向为厚度方向的平板状或者帯板状的方式。
多个控制端子3B从封固树脂60向y方向的一侧突出。多个控制端子3B通过第一连接器8与第一基板7连接。
如图47所示，在封固树脂60形成有多个凸部66。多个凸部66通过与第一基板7的第一基板背面72抵接来规定第一基板7与封固树脂60(半导体装置B3)的z方向上的位置关系。多个凸部66的个数没有任何限定，在图示例中，在封固树脂60的四角配置有四个凸部66。
如图46所示，本实施方式的第一基板7设定有第一区域L1、第二区域L2和第三区域L3。第一区域L1、第二区域L2和第三区域L3是在第一基板7形成的配线图案中的彼此分离的部位。
多个电子器件700包含电子器件722和电子器件723。电子器件722跨越第一区域L1和第二区域L2安装。电子器件723跨越第一区域L1和第三区域L3安装。电子器件722和电子器件723例如是用于控制开关元件的专用的控制IC。
在第一基板7安装有连接器721。连接器721用于将半导体模块A3与外部电路连接。
根据本实施方式，也能够使端子连接容易进行并且更可靠地导通。另外，多个输入输出端子3A向x方向的两侧突出，从而使多个半导体模块A3适于在排列于y方向的状态下使用。
〔第三实施方式变形例半导体模块A31〕
图48～图50示出了半导体模块A3的变形例。就本变形例的半导体模块A31而言，主要是输入输出端子3A的结构与上述的实施方式不同。
在本变形例中，多个控制端子3B从封固树脂60向y方向的一侧突出，并且多个输入输出端子3A从封固树脂60向y方向的另一侧突出。多个输入输出端子3A在x方向上配置为2列。
另外，在第一基板7安装有电子器件724和电子器件725。电子器件724和电子器件722一起跨越第一区域L1和第二区域L2安装。电子器件725和电子器件723一起跨越第一区域L1和第三区域L3安装。电子器件724和电子器件725例如是进行变压并且使输入侧与输出侧绝缘的绝缘变压器。
根据本变形例，能够使端子连接容易进行并且更可靠地导通。另外，多个输入输出端子3A集中向y方向的另一侧突出。由此，在使多个半导体模块A3在x方向上排列的情况下，全部的输入输出端子3A向y方向的另一侧突出。其优点在于：当从外部与多个半导体模块A31的多个输入输出端子3A进行连接时，只要仅从y方向的另一侧进行连接即可。
就本公开的半导体模块和AC/DC转换器组件而言，不限于上述实施方式。本公开的半导体模块和AC/DC转换器组件各部的具体结构可自由地进行各种设计变更。
〔附记1〕
一种半导体模块，其具备：
半导体装置，其具有多个半导体元件、多个输入输出端子、多个控制端子和覆盖所述多个半导体元件的封固树脂；
第一基板；以及
第一连接器，其固定于所述第一基板且与所述控制端子连接，
所述第一连接器容许所述控制端子在与所述第一基板的厚度方向垂直且彼此平行的第一方向和第二方向的至少任一方向上进行相对移动。
〔附记2〕
根据附记1所述的半导体模块，其中，
所述控制端子具有在所述厚度方向上延伸的立起部，
所述第一连接器具有将所述立起部插通的插通孔。
〔附记3〕
根据附记2所述的半导体模块，其中，
所述控制端子具有从所述封固树脂向所述第二方向突出的基部，
所述立起部与所述基部的前端相连。
〔附记4〕
根据附记2或3所述的半导体模块，其中，
在所述第一方向上排列有多个所述控制端子。
〔附记5〕
根据附记4所述的半导体模块，其中，
多个所述控制端子夹着所述封固树脂分开配置在所述第二方向上。
〔附记6〕
根据附记4或5所述的半导体模块，其中，
多个所述输入输出端子在所述第一方向上配置于多个所述控制端子的外侧。
〔附记7〕
根据附记4所述的半导体模块，其中，
多个所述输入输出端子夹着所述封固树脂分开配置在所述第二方向上。
〔附记8〕
根据附记2至7中任一项所述的半导体模块，其中，
所述第一基板具有使所述输入输出端子插通的输入输出用贯通部。
〔附记9〕
根据附记2至8中任一项所述的半导体模块，其中，
所述第一基板具有在所述厚度方向上彼此朝向相反侧的第一基板主面和第一基板背面，
所述第一基板背面在所述厚度方向上与所述封固树脂对置。
〔附记10〕
根据附记9所述的半导体模块，其中，
所述第一连接器相对于所述第一基板配置在所述厚度方向上的所述第一基板背面侧。
〔附记11〕
根据附记10所述的半导体模块，其中，
在所述第一方向上排列配置有多个所述第一连接器。
〔附记12〕
根据附记11所述的半导体模块，其中，
多个所述第一连接器夹着所述封固树脂分开配置在所述第二方向上。
〔附记13〕
根据附记10至12中任一项所述的半导体模块，其中，
所述第一基板具有使所述第一连接器的一部分插通的控制用贯通部。
〔附记14〕
根据附记9至13中任一项所述的半导体模块，其中，
具备多个电子器件，该多个电子器件搭载于所述第一基板。
〔附记15〕
根据附记14所述的半导体模块，其中，
多个所述电子器件包括安装在所述第一基板主面的电子器件。
〔附记16〕
根据附记14或15所述的半导体模块，其中，
多个所述电子器件包括安装在所述第一基板背面的电子器件。
〔附记17〕
根据附记9至16中任一项所述的半导体模块，其中，
所述封固树脂具有贯通孔，该贯通孔用于使螺栓在所述厚度方向上插通，
所述第一基板具有凹部，该凹部在所述厚度方向视角下内置所述贯通孔。
〔附记18〕
一种AC/DC转换器组件，其具备：
输入模块，其输入交流电力；
第一半导体模块，其由附记1至5中任一项所述的半导体模块构成，且输入从所述输入模块输出的交流电流并输出直流电流；
第二半导体模块，其由附记1至5中任一项所述的半导体模块构成，且输入从所述第一半导体模块输出的直流电力并输出直流电力；以及
输出模块，其输入从所述第二半导体模块输出的直流电力并输出直流电力，
所述第一半导体模块的第一半导体装置的所述多个输入输出端子所包含的输出端子与所述第二半导体模块的第二半导体装置的所述多个输入输出端子所包含的输入端子通过第一固定单元直接连接。
〔附记19〕
根据附记18所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述第一固定单元是紧固部件。
〔附记20〕
根据附记18所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述第一固定单元是焊接部。
〔附记21〕
根据附记18至20中任一项所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述第一半导体模块是PFC用模块。
〔附记22〕
根据附记21所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述第二半导体模块是LLC用模块。
〔附记23〕
根据附记22所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述输入模块具有输出端子，
所述输入模块的所述输出端子与所述第一半导体模块的所述输入端子通过第二固定单元直接连接。
〔附记24〕
根据附记23所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述第二固定单元是紧固部件。
〔附记25〕
根据附记23所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述第二固定单元是焊接部。
〔附记26〕
根据附记23至25中任一项所述的AC/DC转换器组件，其中，
具备电容器模块，该电容器模块与所述第一半导体模块的所述输出端子和所述第二半导体模块的所述输入端子连接。
〔附记27〕
根据附记26所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述电容器模块通过所述第一固定单元与所述第一半导体模块的所述输出端子和所述第二半导体模块的所述输入端子直接连接。
〔附记28〕
根据附记26或27所述的AC/DC转换器组件，其中，
具备变压器模块，该变压器模块介于所述第二半导体模块与所述输出模块之间。
〔附记29〕
根据附记28所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述变压器模块具有输入端子和输出端子，
所述第二半导体模块的所述输出端子与所述变压器模块的所述输入端子通过第三固定单元直接连接。
〔附记30〕
根据附记29所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述第三固定单元是紧固部件。
〔附记31〕
根据附记29所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述第三固定单元是焊接部。
〔附记32〕
根据附记31所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述输出模块具备第三半导体装置，该第三半导体装置具有输入端子和输出端子，
所述变压器模块的所述输出端子与所述第三半导体装置的所述输入端子通过第四固定单元直接连接。
〔附记33〕
根据附记32所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述第四固定单元是紧固部件。
〔附记34〕
根据附记32或33所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述输出模块具有输出基板，
所述第三半导体装置的所述输出端子通过第五固定单元与所述输出基板直接连接。
〔附记35〕
根据附记34所述的AC/DC转换器组件，其中，
所述第五固定单元是紧固部件。

Claims (35)

1.一种半导体模块，其特征在于，具备：
半导体装置，其具有多个半导体元件、多个输入输出端子、多个控制端子和覆盖所述多个半导体元件的封固树脂；
第一基板；以及
第一连接器，其固定于所述第一基板且与所述控制端子连接，
所述第一连接器容许所述控制端子在与所述第一基板的厚度方向垂直且彼此平行的第一方向和第二方向的至少任一方向上进行相对移动。
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，
所述控制端子具有在所述厚度方向上延伸的立起部，
所述第一连接器具有将所述立起部插通的插通孔。
3.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，
所述控制端子具有从所述封固树脂向所述第二方向突出的基部，
所述立起部与所述基部的前端相连。
4.根据权利要求2或3所述的半导体模块，其特征在于，
在所述第一方向上排列有多个所述控制端子。
5.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，
多个所述控制端子夹着所述封固树脂分开配置在所述第二方向上。
6.根据权利要求4或5所述的半导体模块，其特征在于，
多个所述输入输出端子在所述第一方向上配置于多个所述控制端子的外侧。
7.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，
多个所述输入输出端子夹着所述封固树脂分开配置在所述第二方向上。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
所述第一基板具有使所述输入输出端子插通的输入输出用贯通部。
9.根据权利要求2至8中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
所述第一基板具有在所述厚度方向上彼此朝向相反侧的第一基板主面和第一基板背面，
所述第一基板背面在所述厚度方向上与所述封固树脂对置。
10.根据权利要求9所述的半导体模块，其特征在于，
所述第一连接器相对于所述第一基板配置在所述厚度方向上的所述第一基板背面侧。
11.根据权利要求10所述的半导体模块，其特征在于，
在所述第一方向上排列配置有多个所述第一连接器。
12.根据权利要求11所述的半导体模块，其特征在于，
多个所述第一连接器夹着所述封固树脂分开配置在所述第二方向上。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
所述第一基板具有使所述第一连接器的一部分插通的控制用贯通部。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
具备多个电子器件，该多个电子器件搭载于所述第一基板。
15.根据权利要求14所述的半导体模块，其特征在于，
多个所述电子器件包括安装在所述第一基板主面的电子器件。
16.根据权利要求14或15所述的半导体模块，其特征在于，
多个所述电子器件包括安装在所述第一基板背面的电子器件。
17.根据权利要求9至16中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
所述封固树脂具有贯通孔，该贯通孔用于使螺栓在所述厚度方向上插通，
所述第一基板具有凹部，该凹部在所述厚度方向视角下内置所述贯通孔。
18.一种AC/DC转换器组件，其特征在于，具备：
输入模块，其输入交流电力；
第一半导体模块，其由权利要求1至5中任一项所述的半导体模块构成，且输入从所述输入模块输出的交流电流并输出直流电流；
第二半导体模块，其由权利要求1至5中任一项所述的半导体模块构成，且输入从所述第一半导体模块输出的直流电力并输出直流电力；以及
输出模块，其输入从所述第二半导体模块输出的直流电力并输出直流电力，
所述第一半导体模块的第一半导体装置的所述多个输入输出端子所包含的输出端子与所述第二半导体模块的第二半导体装置的所述多个输入输出端子所包含的输入端子通过第一固定单元直接连接。
19.根据权利要求18所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述第一固定单元是紧固部件。
20.根据权利要求18所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述第一固定单元是焊接部。
21.根据权利要求18至20中任一项所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述第一半导体模块是PFC用模块。
22.根据权利要求21所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述第二半导体模块是LLC用模块。
23.根据权利要求22所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述输入模块具有输出端子，
所述输入模块的所述输出端子与所述第一半导体模块的所述输入端子通过第二固定单元直接连接。
24.根据权利要求23所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述第二固定单元是紧固部件。
25.根据权利要求23所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述第二固定单元是焊接部。
26.根据权利要求23至25中任一项所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
具备电容器模块，该电容器模块与所述第一半导体模块的所述输出端子和所述第二半导体模块的所述输入端子连接。
27.根据权利要求26所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述电容器模块通过所述第一固定单元与所述第一半导体模块的所述输出端子和所述第二半导体模块的所述输入端子直接连接。
28.根据权利要求26或27所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
具备变压器模块，该变压器模块介于所述第二半导体模块与所述输出模块之间。
29.根据权利要求28所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述变压器模块具有输入端子和输出端子，
所述第二半导体模块的所述输出端子与所述变压器模块的所述输入端子通过第三固定单元直接连接。
30.根据权利要求29所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述第三固定单元是紧固部件。
31.根据权利要求29所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述第三固定单元是焊接部。
32.根据权利要求31所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述输出模块具备第三半导体装置，该第三半导体装置具有输入端子和输出端子，
所述变压器模块的所述输出端子与所述第三半导体装置的所述输入端子通过第四固定单元直接连接。
33.根据权利要求32所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述第四固定单元是紧固部件。
34.根据权利要求32或33所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述输出模块具有输出基板，
所述第三半导体装置的所述输出端子通过第五固定单元与所述输出基板直接连接。
35.根据权利要求34所述的AC/DC转换器组件，其特征在于，
所述第五固定单元是紧固部件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023243464A1 (ja) * 2022-06-17 2023-12-21 ローム株式会社 半導体装置、半導体モジュール、および半導体モジュールの取付構造

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6421244B1 (en) * 1999-12-28 2002-07-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power module
US20110285226A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Denso Corporation Semiconductor module device and driving apparatus having the same
US20150340350A1 (en) * 2014-05-21 2015-11-26 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016100442A (ja) * 2014-11-20 2016-05-30 日産自動車株式会社 半導体モジュール及び半導体装置
WO2017170184A1 (ja) * 2016-04-01 2017-10-05 株式会社豊田自動織機 電力変換装置
CN107534025A (zh) * 2016-03-11 2018-01-02 新电元工业株式会社 半导体装置及其制造方法、引线框
WO2018185805A1 (ja) * 2017-04-03 2018-10-11 三菱電機株式会社 スイッチング素子駆動ユニット
WO2019012678A1 (ja) * 2017-07-14 2019-01-17 新電元工業株式会社 電子モジュール

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6421244B1 (en) * 1999-12-28 2002-07-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power module
US20110285226A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Denso Corporation Semiconductor module device and driving apparatus having the same
US20150340350A1 (en) * 2014-05-21 2015-11-26 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016100442A (ja) * 2014-11-20 2016-05-30 日産自動車株式会社 半導体モジュール及び半導体装置
CN107534025A (zh) * 2016-03-11 2018-01-02 新电元工业株式会社 半导体装置及其制造方法、引线框
WO2017170184A1 (ja) * 2016-04-01 2017-10-05 株式会社豊田自動織機 電力変換装置
WO2018185805A1 (ja) * 2017-04-03 2018-10-11 三菱電機株式会社 スイッチング素子駆動ユニット
WO2019012678A1 (ja) * 2017-07-14 2019-01-17 新電元工業株式会社 電子モジュール

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