CN113299690A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

显示装置可以包括：基板；第一像素列，配置在基板上；第二像素列，与第一像素列相邻；第三像素列，与第二像素列相邻；以及第一布线、第二布线和第三布线，第一布线与第一像素列连接，第二布线与第二像素列连接，第三布线与第三像素列连接，第一布线、第二布线和第三布线分别包括：第一线；第二线，与第一线连接，且配置在与第一线不同的层；以及第三线，与第二线连接，且配置在与第一线及第二线不同的层。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及显示装置。更详细而言，本发明涉及减少各像素列之间的亮度差的显示装置。

背景技术

显示装置是用于向使用者提供视觉信息的显示图像的装置。最近，在显示装置之中，尤其是有机发光显示装置备受瞩目。有机发光显示装置具有自发光特性，而且不同于液晶显示装置，不需要额外的光源，因此可以减少厚度和重量。此外，有机发光显示装置表现出低功耗、高亮度、快的反应速度等高品质特性。

显示装置可以包括具有多个像素的多个像素列。各像素列分别与布线连接，从布线可以接受如数据信号等信号和电压的提供。但是，各布线之间的电阻差相对大的情况下，各布线传送的各数据信号的压降差异可能会增加，由此各像素列之间的亮度差可能会增加。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种减少各像素列之间的亮度差的显示装置。

但是，本发明的目的并不限于以上所述的目的，在不超出本发明的思想以及领域的范围内可以进行各种扩展。

为了达成前述的本发明的一目的，各实施例涉及的显示装置可以包括：基板；第一像素列，配置在所述基板上；第二像素列，与所述第一像素列相邻；第三像素列，与所述第二像素列相邻；以及第一布线、第二布线和第三布线，所述第一布线与所述第一像素列连接，所述第二布线与所述第二像素列连接，并且所述第三布线与所述第三像素列连接。所述第一布线、所述第二布线和所述第三布线分别可以包括：第一线；第二线，与所述第一线连接，且配置在与所述第一线不同的层；以及第三线，与所述第二线连接，且配置在与所述第一线及所述第二线不同的层。

在一实施例中，可以是，所述第一布线包括：第一下部线；第一上部线，与所述第一下部线连接，并且距所述基板的距离比所述第一下部线远；以及第一中间线，与所述第一上部线连接，并且距所述基板的距离比所述第一下部线远且比所述第一上部线近。

在一实施例中，可以是，所述第二布线包括：第二上部线；第二中间线，与所述第二上部线连接，并且距所述基板的距离比所述第二上部线近；以及第二下部线，与所述第二中间线连接，并且距所述基板的距离比所述第二上部线及所述第二中间线近。

在一实施例中，可以是，所述第二下部线配置在与所述第一下部线相同的层，所述第二中间线配置在与所述第一中间线相同的层，并且所述第二上部线配置在与所述第一上部线相同的层。

在一实施例中，可以是，所述第三布线包括：第三中间线；第三下部线，与所述第三中间线连接，并且距所述基板的距离比所述第三中间线近；以及第三上部线，与所述第三下部线连接，并且距所述基板的距离比所述第三中间线及所述第三下部线远。

在一实施例中，可以是，所述第三下部线配置在与所述第一下部线相同的层，所述第三中间线配置在与所述第一中间线相同的层，并且所述第三上部线配置在与所述第一上部线相同的层。

在一实施例中，可以是，分别包括于所述第一像素列、所述第二像素列和所述第三像素列的像素包括：第一活性层，配置在所述基板上；第一绝缘层，配置在所述第一活性层上；第一栅电极，配置在所述第一绝缘层上且与所述第一活性层重叠；第二绝缘层，配置在所述第一栅电极上；电容器电极，配置在所述第二绝缘层上且与所述第一栅电极重叠；第三绝缘层，配置在所述电容器电极上；第二活性层，配置在所述第三绝缘层上；第四绝缘层，配置在所述第二活性层上；以及第二栅电极，配置在所述第四绝缘层上且与所述第二活性层重叠。

在一实施例中，可以是，所述第一线配置在与所述第一栅电极、所述电容器电极和所述第二栅电极之中的一个相同的层，所述第二线配置在与所述第一栅电极、所述电容器电极和所述第二栅电极之中的另一个相同的层，所述第三线配置在与所述第一栅电极、所述电容器电极和所述第二栅电极之中的再另一个相同的层。

在一实施例中，可以是，所述像素还包括：第五绝缘层，配置在所述第二栅电极上；以及第一源电极及第一漏电极，配置在所述第五绝缘层上且与所述第一活性层连接。

在一实施例中，可以是，所述第一布线、所述第二布线和所述第三布线分别还包括：第一连接部，连接所述第一线与所述第二线；以及第二连接部，连接所述第二线与所述第三线，所述第一连接部和所述第二连接部配置在与所述第一源电极及所述第一漏电极相同的层。

在一实施例中，可以是，所述第二像素列射出与所述第一像素列不同的颜色的光。

在一实施例中，可以是，所述第三像素列射出与所述第一像素列相同的颜色的光。

在一实施例中，可以是，所述第二线直接与所述第一线接触，并且所述第三线直接与所述第二线接触。

在一实施例中，可以是，所述第二线通过所述第一连接部与所述第一线连接，并且所述第三线通过所述第二连接部与所述第二线连接。

在一实施例中，可以是，所述第一连接部和所述第二连接部配置在与所述第一线、所述第二线及所述第三线不同的层。

在一实施例中，可以是，所述第一连接部和所述第二连接部距所述基板的距离比所述第一线、所述第二线及所述第三线远。

在一实施例中，可以是，所述第一线的长度、所述第二线的长度及所述第三线的长度彼此相同。

在一实施例中，可以是，所述第一线、所述第二线及所述第三线分别在平面上至少被弯曲一次。

为了达成前述的本发明的一目的，各实施例涉及的显示装置可以包括：像素列；驱动部，生成向所述像素列供给的信号；以及布线，连接所述像素列与所述驱动部。所述布线可以包括：第一线；第二线，与所述第一线连接，且配置在与所述第一线不同的层；以及第三线，与所述第二线连接，且配置在与所述第一线及所述第二线不同的层。

在一实施例中，可以是，所述第一线的长度、所述第二线的长度及所述第三线的长度彼此相同。

(发明效果)

在本发明的各实施例涉及的显示装置中，分别与第一像素列至第三像素列连接的第一布线至第三布线分别包括配置在彼此不同的层的第一线至第三线，从而可以减少第一布线至第三布线之间的电阻差，且可以减少分别从第一布线至第三布线接受数据信号的提供的第一像素列至第三像素列之间的亮度差。

但是，本发明的效果并不限于前述的效果，在不超出本发明的思想以及领域的范围内可以进行各种扩展。

附图说明

图1是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的平面图。

图2是表示图1的显示装置的像素区域的剖视图。

图3是表示图1的显示装置的布线区域的一例的平面图。

图4是沿着图3的I-I′线截取的剖视图。

图5是沿着图3的II-II′线截取的剖视图。

图6是沿着图3的III-III′线截取的剖视图。

图7是表示图1的显示装置的布线区域的其他例的平面图。

图8是沿着图7的IV-IV′线截取的剖视图。

图9是沿着图7的V-V′线截取的剖视图。

图10是沿着图7的VI-VI′线截取的剖视图。

(符号说明)

100：基板；110：第一活性层；111：第一绝缘层；112：第二绝缘层；113：第三绝缘层；114：第四绝缘层；115：第五绝缘层；120：第一栅电极；121：第一下部线；122：第二下部线；123：第三下部线；130：电容器电极；131：第一中间线；132：第二中间线；133：第三中间线；140：第二活性层；150：第二栅电极；151：第一上部线；152：第二上部线；153：第三上部线；161a：第一源电极；161b：第一漏电极；CP1：第一连接部；CP2：第二连接部；DV：驱动部；LN1：第一线；LN2：第二线；LN3：第三线；PC1：第一像素列；PC2：第二像素列；PC3：第三像素列；PX：像素；WR1：第一布线；WR2：第二布线；WR3：第三布线。

具体实施方式

以下，参照附图，更详细说明本发明的各实施例涉及的显示装置。对于附图上的相同的构成要素使用相同或类似的符号。

图1是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的平面图。

参照图1，本发明的一实施例涉及的显示装置可以包括像素区域PA、驱动区域DA和布线区域WA。

像素区域PA可以是显示图像的显示区域。像素区域PA可以具有实质上为矩形的平面形状。像素区域PA可以在第一方向DR1上具有第一宽度W1。

在像素区域PA可以配置多个像素。所述多个像素可以沿着作为行方向的第一方向DR1和作为列方向的第二方向DR2而被排列成实质上的矩阵形态。由此，通过所述多个像素，可以定义在第二方向DR2上延伸且沿着第一方向DR1排列的多个像素列。

所述多个像素可以包括分别包括于第一像素列PC1和第三像素列PC3的第一像素PX1和第三像素PX3以及包括于第二像素列PC2的第二像素PX2。第二像素列PC2可以与第一像素列PC1在第一方向DR1上相邻，第三像素列PC3可以与第二像素列PC2在第一方向DR1上相邻。换言之，第二像素列PC2可以在第一方向DR1上位于第一像素列PC1与第三像素列PC3之间。在第一像素列PC1的第一行和第二行可以分别配置第一像素PX1和第三像素PX3，在第三像素列PC3的第一行和第二行可以分别配置第三像素PX3和第一像素PX1。在第二像素列PC2的第一行和第二行可以分别配置第二像素PX2。

第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以射出彼此不同的颜色的光。在一实施例中，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3分别可以射出红色光、绿色光和蓝色光。

第二像素列PC2包括第二像素PX2且第一像素列PC1包括第一像素PX1与第三像素PX3，因此第二像素列PC2可以射出与第一像素列PC1不同的颜色的光。此外，第一像素列PC1和第三像素列PC3分别包括第一像素PX1和第三像素PX3，因此第三像素列PC3可以射出与第一像素列PC1相同的颜色的光。换言之，第一像素列PC1和第三像素列PC3可以射出相同颜色的光，第二像素列PC2可以射出与第一像素列PC1及第三像素列PC3不同的颜色的光。

驱动区域DA可以从像素区域PA开始位于第二方向DR2上。驱动区域DA可以在第一方向DR1上具有比第一宽度W1小的第二宽度W2。

在驱动区域DA可以配置驱动部DV。驱动部DV可以生成向各所述的像素列供给的信号和电压。在一实施例中，驱动部DV可以生成向各所述的像素列供给的数据信号。

布线区域WA可以位于像素区域PA与驱动区域DA之间。驱动区域DA和布线区域WA可以是不显示图像的非显示区域。布线区域WA可以包括在第一方向DR1上具有第一宽度W1的第一部分以及在第一方向DR1上具有第二宽度W2的第二部分。布线区域WA的所述第一部分可以与像素区域PA相邻，布线区域WA的所述第二部分可以与驱动区域DA相邻。

在布线区域WA可以配置多个布线。各所述布线可以将配置于像素区域PA的各所述的像素列连接到配置于驱动区域DA的驱动部DV。例如，所述布线与所述的像素列可以一一对应。各所述布线可以向各所述的像素列提供由驱动部DV生成的信号和电压。在一实施例中，各所述布线可以向各所述像素列提供由驱动部DV生成的所述数据信号。

各所述布线可以包括与第一像素列PC1连接的第一布线WR1、与第二像素列PC2连接的第二布线WR2以及与第三像素列PC3连接的第三布线WR3。第二布线WR2可以与第一布线WR1在第一方向DR1上相邻，第三布线WR3可以与第二布线WR2在第一方向DR1上相邻。换言之，第二布线WR2可以在第一方向DR1上位于第一布线WR1与第三布线WR3之间。

布线区域WA可以包括可被弯曲的弯曲区域BA。弯曲区域BA可以与驱动区域DA相邻。在弯曲区域BA被弯曲成使布线区域WA与驱动区域DA重叠的情况下，作为非显示区域的驱动区域DA和布线区域WA的平面上的面积减少，因此可以减少显示装置的无效空间。

图2是表示图1的显示装置的像素区域PA的剖视图。例如，图2可以表示图1所示的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的任一个像素PX。

参照图1和图2，本发明的一实施例涉及的像素PX可以包括配置在基板100上的第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、电容器CAP和发光元件EL。

基板100可以是包括玻璃、石英、塑料等的绝缘性基板。在一实施例中，基板100可以包括第一柔性层、配置在第一柔性层上的第一阻挡层、配置在第一阻挡层上的第二柔性层以及配置在第二柔性层上的第二阻挡层。第一柔性层和第二柔性层可以包括如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘物质，第一阻挡层和第二阻挡层可以包括如硅氧化物、硅氮化物、非晶硅等的无机绝缘物质。

在基板100上可以配置缓冲层101。缓冲层101可以阻断通过基板100向基板100的上部扩散的如氧、水分等杂质。此外，缓冲层101可以在基板100的上部提供平坦的上表面。缓冲层101可以包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等的无机绝缘物质。

在缓冲层101上可以配置第一活性层110。在一实施例中，第一活性层110可以包括多晶硅。

第一活性层110可以包括第一源极区域、第一漏极区域以及配置在第一源极区域与第一漏极区域之间的第一沟道区域。可以利用P型或N型杂质掺杂第一源极区域及第一漏极区域。

在第一活性层110上可以配置第一绝缘层111。第一绝缘层111可以覆盖第一活性层110且配置在缓冲层101上。第一绝缘层111可以使配置在第一活性层110上的第一栅电极120与第一活性层110绝缘。第一绝缘层111可以包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等的无机绝缘物质。

在第一绝缘层111上可以配置第一栅电极120。第一栅电极120可以与第一活性层110的第一沟道区域重叠。第一栅电极120可以包括如钼(Mo)、铜(Cu)等的导电物质。第一活性层110、第一绝缘层111和第一栅电极120可以形成第一晶体管TR1。

在第一栅电极120上可以配置第二绝缘层112。第二绝缘层112可以覆盖第一栅电极120且配置在第一绝缘层111上。第二绝缘层112可以使配置在第一栅电极120上的电容器电极130与第一栅电极120绝缘。第二绝缘层112可以包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等的无机绝缘物质。

在第二绝缘层112上可以配置电容器电极130。电容器电极130可以与第一栅电极120重叠。第一栅电极120、第二绝缘层112和电容器电极130可以形成电容器CAP。

在电容器电极130上可以配置第三绝缘层113。第三绝缘层113可以覆盖电容器电极130且配置在第二绝缘层112上。第三绝缘层113可以包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等的无机绝缘物质。

在第三绝缘层113上可以配置第二活性层140。第二活性层140可以不与电容器电极130重叠。由此，第二活性层140也可以不与第一栅电极120及第一活性层110重叠。

在一实施例中，第二活性层140可以包括氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括铟镓锌氧化物(IGZO)、锌锡氧化物(ZTO)、铟锡氧化物(ITO)等。

第二活性层140可以包括第二源极区域、第二漏极区域以及配置在第二源极区域与第二漏极区域之间的第二沟道区域。可以利用P型或N型杂质掺杂第二源极区域及第二漏极区域。

在第二活性层140上可以配置第四绝缘层114。第四绝缘层114可以使配置在第二活性层140上的第二栅电极150与第二活性层140绝缘。第四绝缘层114可以与第二活性层140的第二沟道区域重叠。第四绝缘层114不覆盖第二活性层140的第二源极区域及第二漏极区域，因此第五绝缘层115可以直接与第二活性层140的第二源极区域及第二漏极区域接触。因此，氢从与第二活性层140的第二源极区域及第二漏极区域相邻的第五绝缘层115扩散，所以第二活性层140的第二源极区域及第二漏极区域可实现导体化。第四绝缘层114可以包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等的无机绝缘物质。

在第四绝缘层114上可以配置第二栅电极150。第二栅电极150可以与第二活性层140的第二沟道区域重叠。第二栅电极150可以包括如钼(Mo)、铜(Cu)等的导电物质。第二活性层140、第四绝缘层114和第二栅电极150可以形成第二晶体管TR2。

在第二栅电极150上可以配置第五绝缘层115。第五绝缘层115可以覆盖第二栅电极150且配置在第三绝缘层113上。第五绝缘层115可以包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等的无机绝缘物质和/或如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘物质。

在第五绝缘层115上可以配置第一源电极161a、第一漏电极161b、第二源电极162a和第二漏电极162b。第一源电极161a可以与第一活性层110的第一源极区域电连接，第一漏电极161b可以与第一活性层110的第一漏极区域电连接，第二源电极162a可以与第二活性层140的第二源极区域电连接，第二漏电极162b可以与第二活性层140的第二漏极区域电连接。第一源电极161a、第一漏电极161b、第二源电极162a和第二漏电极162b可以包括如铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)等的导电物质。

在第一源电极161a、第一漏电极161b、第二源电极162a和第二漏电极162b上可以配置第六绝缘层116。第六绝缘层116可以覆盖第一源电极161a、第一漏电极161b、第二源电极162a和第二漏电极162b且配置在第五绝缘层115上。第六绝缘层116可以在第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和电容器CAP的上部提供平坦的面。第六绝缘层116可以包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等的无机绝缘物质和/或如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘物质。

在第六绝缘层116上可以配置数据线171和连接电极172。数据线171可以在第二方向DR2上延伸且向像素PX提供数据信号。连接电极172可以通过在第六绝缘层116形成的接触孔而与第一晶体管TR1的第一源电极161a或第一漏电极161b接触。数据线171和连接电极172可以包括如铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)等的导电物质。

在数据线171和连接电极172上可以配置第七绝缘层117。第七绝缘层117可以覆盖数据线171和连接电极172并配置在第六绝缘层116上。第七绝缘层117可以包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等的无机绝缘物质和/或如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘物质。

在第七绝缘层117上可以配置第一电极180。第一电极180可以与连接电极172电连接。例如，第一电极180可以通过在第七绝缘层117形成的接触孔而与连接电极172接触。第一电极180可以包括如金属、合金、透明导电性氧化物等的导电物质。例如，第一电极180可以包括银(Ag)、铟锡氧化物(ITO)等。

在第一电极180上可以配置第八绝缘层118。第八绝缘层118可以覆盖第一电极180且配置在第七绝缘层117上。第八绝缘层118可以具有使第一电极180的至少一部分露出的像素开口。在一实施例中，像素开口可以使第一电极180的中央部露出，第八绝缘层118可以覆盖第一电极180的周边部。第八绝缘层118可以包括如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘物质。

在第一电极180上可以配置发光层190。发光层190可以配置在被像素开口露出的第一电极180上。发光层190可以包括有机发光物质和量子点之中的至少一种。

在一实施例中，有机发光物质可以包括低分子有机化合物或高分子有机化合物。例如，低分子有机化合物可以包括铜酞菁(copper phthalocyanine)、N,N’-二苯基-联苯胺(N,N’-diphenylbenzidine)、三(8-羟基喹啉)铝(tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum)等，高分子有机化合物可以包括聚3,4-乙撑二氧噻吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))、聚苯胺(polyaniline)、聚苯撑乙烯(poly-phenylenevinylene)、聚芴(polyfluorene)等。

在一实施例中，量子点可以包括具有II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物以及它们的组合的芯体。在一实施例中，量子点可以具有包括芯体和包围芯体的壳体的芯体-壳体(Core-Shell)结构。壳体可以执行用于防止芯体的化学变性来维持半导体特性的保护层的作用以及用于向量子点赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。

在发光层190上可以配置第二电极200。在一实施例中，第二电极200也可以配置在第八绝缘层118上。第二电极200可以包括如金属、合金、透明导电性氧化物等的导电物质。例如，第二电极200可以包括铝(Al)、铂(Pt)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)等。第一电极180、发光层190和第二电极200可以形成发光元件EL。

在第二电极200上可以配置封装层210。封装层210可以覆盖发光元件EL来保护发光元件EL免受氧、水分等杂质的影响。封装层210可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在一实施例中，封装层210可以包括配置在第二电极200上的第一无机封装层、配置在第一无机封装层上的有机封装层以及配置在有机封装层上的第二无机封装层。无机封装层可以包括硅氮化物、硅氮氧化物等，有机封装层可以包括环氧树脂、丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂等。

图3是表示图1的显示装置的布线区域WA的一例的平面图。图4是沿着图3的I-I′线截取的剖视图。图5是沿着图3的II-II′线截取的剖视图。图6是沿着图3的III-III′线截取的剖视图。

参照图2、图3、图4、图5和图6，第一布线WR1、第二布线WR2和第三布线WR3分别包括第一线LN1、与第一线LN1连接的第二线LN2以及与第二线LN2连接的第三线LN3。可以是，第二线LN2配置在与第一线LN1不同的层，第三线LN3配置在与第一线LN1及第二线LN2不同的层。换言之，第一线LN1、第二线LN2和第三线LN3可以配置在彼此不同的层。

在一实施例中，第一线LN1可以配置在与第一栅电极120、电容器电极130和第二栅电极150中的一个相同的层，第二线LN2可以配置在与第一栅电极120、电容器电极130和第二栅电极150中的另一个相同的层，第三线LN3可以配置在与第一栅电极120、电容器电极130和第二栅电极150中的再另一个不同的层。

在一实施例中，可以是，第一布线WR1的第一线LN1、第二布线WR2的第一线LN1以及第三布线WR3的第一线LN1配置在彼此不同的层，第一布线WR1的第二线LN2、第二布线WR2的第二线LN2以及第三布线WR3的第二线LN2配置在彼此不同的层，第一布线WR1的第三线LN3、第二布线WR2发第三线LN3及第三布线WR3的第三线LN3配置在彼此不同的层。

在一实施例中，第一布线WR1可以包括第一下部线121、与第一下部线121连接的第一上部线151以及与第一上部线151连接的第一中间线131。在该情况下，第一下部线121可以包括于第一线LN1，第一上部线151可以包括于第二线LN2，第一中间线131可以包括于第三线LN3。第一上部线151距基板100的距离可以比第一下部线121远，第一中间线131距基板100的距离可以比第一下部线121远且比第一上部线151近。

在一实施例中，第一下部线121可以配置在与第一栅电极120相同的层，第一上部线151可以配置在与第二栅电极150相同的层，并且第一中间线131可以配置在与电容器电极130相同的层。换言之，第一下部线121可以配置在第一绝缘层111上，第一中间线131可以配置在第二绝缘层112上，第一上部线151可以配置在第三绝缘层113上。

在一实施例中，第二布线WR2可以包括第二上部线152、与第二上部线152连接的第二中间线132以及与第二中间线132连接的第二下部线122。在该情况下，第二上部线152可以包括于第一线LN1，第二中间线132可以包括于第二线LN2，第二下部线122可以包括于第三线LN3。第二中间线132距基板100的距离可以比第二上部线152近，第二下部线122距基板100的距离可以比第二上部线152及第二中间线132近。

在一实施例中，第二下部线122可以配置在与第一下部线121相同的层，第二中间线132可以配置在与第一中间线131相同的层，第二上部线152可以配置在与第一上部线151相同的层。

在一实施例中，第二上部线152可以配置在与第二栅电极150相同的层，第二中间线132可以配置在与电容器电极130相同的层，第二下部线122可以配置在与第一栅电极120相同的层。换言之，第二下部线122可以配置在第一绝缘层111上，第二中间线132可以配置在第二绝缘层112上，第二上部线152可以配置在第三绝缘层113上。

在一实施例中，第三布线WR3可以包括第三中间线133、与第三中间线133连接的第三下部线123以及与第三下部线123连接的第三上部线153。在该情况下，第三中间线133可以包括于第一线LN1，第三下部线123可以包括于第二线LN2，第三上部线153可以包括于第三线LN3。第三下部线123距基板100的距离可以比第三中间线133近，第三上部线153距基板100的距离可以比第三中间线133及第三下部线123远。

在一实施例中，第三下部线123可以配置在与第一下部线121相同的层，第三中间线133可以配置在与第一中间线131相同的层，第三上部线153可以配置在与第一上部线151相同的层。此外，第三下部线123可以配置在与第二下部线122相同的层，第三中间线133可以配置在与第二中间线132相同的层，第三上部线153可以配置在与第二上部线152相同的层。

在一实施例中，第三中间线133可以配置在与电容器电极130相同的层，第三下部线123可以配置在与第一栅电极120相同的层，第三上部线153可以配置在与第二栅电极150相同的层。换言之，第三下部线123可以配置在第一绝缘层111上，第三中间线133可以配置在第二绝缘层112上，第三上部线153可以配置在第三绝缘层113上。

在一实施例中，第二线LN2可以直接与第一线LN1接触，第三线LN3可以直接与第二线LN2接触。在第一布线WR1中，第一上部线151可以通过在第二绝缘层112和第三绝缘层113形成的接触孔而直接与第一下部线121接触，第一中间线131可以通过在第三绝缘层113形成的接触孔而直接与第一上部线151接触。在第二布线WR2中，第二中间线132可以通过在第三绝缘层113形成的接触孔而直接与第二上部线152接触，第二下部线122可以通过在第二绝缘层112形成的接触孔而直接与第二中间线132接触。在第三布线WR3中，第三下部线123可以通过在第二绝缘层112形成的接触孔而直接与第三中间线133接触，第三上部线153可以通过在第二绝缘层112和第三绝缘层113形成的接触孔而直接与第三下部线123接触。

在一实施例中，第一布线WR1、第二布线WR2以及第三布线WR3各自的第一线LN1的长度、第二线LN2的长度以及第三线LN3的长度可以彼此相同。第一布线WR1、第二布线WR2以及第三布线WR3各自的第一线LN1、第二线LN2以及第三线LN3可以配置在彼此不同的层，因此即便包括彼此相同的物质，也可以根据不同的蚀刻特性而具有彼此不同的宽度，由此可以具有彼此不同的电阻。但是，在第一布线WR1、第二布线WR2以及第三布线WR3各自的第一线LN1的长度、第二线LN2的长度以及第三线LN3的长度相同的情况下，由于第一布线WR1、第二布线WR2以及第三布线WR3都包括第一线LN1、第二线LN2以及第三线LN3，因此第一布线WR1、第二布线WR2以及第三布线WR3可以具有实质上彼此相同的电阻。例如，由于配置在彼此相同的层的第一下部线121、第二下部线122以及第三下部线123的长度相同，配置在彼此相同的层的第一中间线131、第二中间线132以及第三中间线133的长度相同，配置在彼此相同的层的第一上部线151、第二上部线152以及第三上部线153的长度相同，因此第一布线WR1、第二布线WR2以及第三布线WR3可以具有实质上彼此相同的电阻。

在一实施例中，第一线LN1、第二线LN2以及第三线LN3分别可以在平面上至少被弯曲一次。如图1所示，由于与驱动区域DA相邻的布线区域WA的所述第二部分的第二宽度W2小于与像素区域PA相邻的布线区域WA的所述第一部分的第一宽度W1，因此从像素区域PA朝向驱动区域DA延伸的第一布线WR1、第二布线WR2以及第三布线WR3可以朝向驱动部DV被弯曲，由此第一布线WR1、第二布线WR2以及第三布线WR3各自的第一线LN1、第二线LN2以及第三线LN3可以至少被弯曲一次。

图7是表示图1的显示装置的布线区域WA的其他例的平面图。图8是沿着图7的IV-IV′线截取的剖视图。图9是沿着图7的V-V′线截取的剖视图。图10是沿着图7的VI-VI′线截取的剖视图。

在参照图7至图10说明的第一布线WR1、第二布线WR2以及第三布线WR3中，对于与参照图3至图6说明的第一布线WR1、第二布线WR2以及第三布线WR3实质上相同或类似的构成省略说明。

参照图7、图8、图9和图10，在一实施例中，第二线LN2可以通过第一连接部CP1与第一线LN1连接，第三线LN3可以通过第二连接部CP2与第二线LN2连接。换言之，第一布线WR1、第二布线WR2以及第三布线WR3分别还可以包括连接第一线LN1与第二线LN2的第一连接部CP1以及连接第二线LN2与第三线LN3的第二连接部CP2。

在一实施例中，第一连接部CP1和第二连接部CP2可以配置在与第一线LN1、第二线LN2以及第三线LN3不同的层。例如，第一连接部CP1和第二连接部CP2距基板100的距离可以比第一线LN1、第二线LN2以及第三线LN3远。

第一布线WR1可以包括连接第一下部线121与第一上部线151的第三连接部163以及连接第一上部线151与第一中间线131的第四连接部164，第二布线WR2可以包括连接第二上部线152与第二中间线132的第五连接部165以及连接第二中间线132与第二下部线122的第六连接部166，第三布线WR3可以包括连接第三中间线133与第三下部线123的第七连接部167以及连接第三下部线123与第三上部线153的第八连接部168。在该情况下，第三连接部163、第五连接部165以及第七连接部167包括于第一连接部CP1，第四连接部164、第六连接部166以及第八连接部168包括于第二连接部CP2。

在一实施例中，第一连接部CP1和第二连接部CP2可以配置在与第一源电极161a、第一漏电极161b、第二源电极162a以及第二漏电极162b相同的层。换言之，第一连接部CP1和第二连接部CP2可以配置在第五绝缘层115上。

在第一布线WR1中，第三连接部163可以通过在第二绝缘层112、第三绝缘层113以及第五绝缘层115形成的接触孔而与第一下部线121接触，且可以通过在第五绝缘层115形成的接触孔而与第一上部线151接触。第四连接部164可以通过在第五绝缘层115形成的接触孔而与第一上部线151接触，且可以通过在第三绝缘层113以及第五绝缘层115形成的接触孔而与第一中间线131接触。

在第二布线WR2中，第五连接部165可以通过在第五绝缘层115形成的接触孔而与第二上部线152接触，且可以通过在第三绝缘层113和第五绝缘层115形成的接触孔而与第二中间线132接触。第六连接部166可以通过在第三绝缘层113和第五绝缘层115形成的接触孔而与第二中间线132接触，且通过在第二绝缘层112、第三绝缘层113和第五绝缘层115形成的接触孔而与第二下部线122接触。

在第三布线WR3中，第七连接部167可以通过在第三绝缘层113和第五绝缘层115形成的接触孔而与第三中间线133接触，且通过在第二绝缘层112、第三绝缘层113和第五绝缘层115形成的接触孔而与第三下部线123接触。第八连接部168可以通过在第二绝缘层112、第三绝缘层113和第五绝缘层115形成的接触孔而与第三下部线123接触，且通过在第五绝缘层115形成的接触孔而与第三上部线153接触。

(产业上的可利用性)

本发明的例示性的各实施例涉及的显示装置可适用于计算机、笔记本电脑、移动电话、智能手机、智能平板、PMP、PDA、MP3播放器等所包括的显示装置中。

以上，参照附图说明了本发明的例示性的各实施例涉及的显示装置，但是所述的各实施例是例示，在不超出权利要求书记载的本发明的技术思想的范围内，本领域技术人员可进行修正以及变更。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：

基板；

第一像素列，配置在所述基板上；

第二像素列，与所述第一像素列相邻；

第三像素列，与所述第二像素列相邻；以及

第一布线、第二布线和第三布线，所述第一布线与所述第一像素列连接，所述第二布线与所述第二像素列连接，并且所述第三布线与所述第三像素列连接，

所述第一布线、所述第二布线和所述第三布线分别包括：

第一线；

第二线，与所述第一线连接，且配置在与所述第一线不同的层；以及

第三线，与所述第二线连接，且配置在与所述第一线及所述第二线不同的层。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一布线包括：

第一下部线；

第一上部线，与所述第一下部线连接，并且距所述基板的距离比所述第一下部线远；以及

第一中间线，与所述第一上部线连接，并且距所述基板的距离比所述第一下部线远且比所述第一上部线近。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述第二布线包括：

第二上部线；

第二中间线，与所述第二上部线连接，并且距所述基板的距离比所述第二上部线近；以及

第二下部线，与所述第二中间线连接，并且距所述基板的距离比所述第二上部线及所述第二中间线近。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，

所述第二下部线配置在与所述第一下部线相同的层，所述第二中间线配置在与所述第一中间线相同的层，并且所述第二上部线配置在与所述第一上部线相同的层。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，

所述第三布线包括：

第三中间线；

第三下部线，与所述第三中间线连接，并且距所述基板的距离比所述第三中间线近；以及

第三上部线，与所述第三下部线连接，并且距所述基板的距离比所述第三中间线及所述第三下部线远。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，

所述第三下部线配置在与所述第一下部线相同的层，所述第三中间线配置在与所述第一中间线相同的层，并且所述第三上部线配置在与所述第一上部线相同的层。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

分别包括于所述第一像素列、所述第二像素列和所述第三像素列的像素包括：

第一活性层，配置在所述基板上；

第一绝缘层，配置在所述第一活性层上；

第一栅电极，配置在所述第一绝缘层上且与所述第一活性层重叠；

第二绝缘层，配置在所述第一栅电极上；

电容器电极，配置在所述第二绝缘层上且与所述第一栅电极重叠；

第三绝缘层，配置在所述电容器电极上；

第二活性层，配置在所述第三绝缘层上；

第四绝缘层，配置在所述第二活性层上；以及

第二栅电极，配置在所述第四绝缘层上且与所述第二活性层重叠。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第二像素列射出与所述第一像素列不同的颜色的光。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一线的长度、所述第二线的长度及所述第三线的长度彼此相同。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一线、所述第二线及所述第三线分别在平面上至少被弯曲一次。

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