CN113299666B - 显示面板及其驱动方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其驱动方法、显示装置。所述显示面板包括显示区；所述显示面板还包括设置于所述显示区内的第一晶体管与第二晶体管，所述第一晶体管包括第一有源层，所述第二晶体管包括第二有源层，且所述第二有源层的载流子迁移率小于所述第一有源层的载流子迁移率；其中，所述第一晶体管与所述第二晶体管并联以驱动所述显示面板显示。本发明可以提高显示面板的充电效率，并可以提高显示面板在不同显示频率下对充电需求的适用性。

Description

显示面板及其驱动方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其驱动方法、及具有该显示面板的显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是LCD显示装置中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。显示装置所用TFT需要考虑均一性、漏电流、有效驱动长度、面积效率、及滞后作用等多方面的因素。依据有源层材料的不同，TFT分为非晶硅(a-Si)TFT、低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)TFT、及金属氧化物(Metal Oxide)TFT。其中LTPS TFT具有迁移率高，尺寸较小，充电快开关速度快等优点，用于栅极驱动时具有很好的效果；而金属氧化物TFT具有均一性好及漏电流低的优点，可用于显示像素驱动。
目前，为了兼具LTPS TFT迁移率高和金属氧化物TFT漏电流低的优点，业界已有用LTPS TFT做栅极驱动和用金属氧化物TFT做显示区像素驱动的混合TFT，这样既能提高LCD栅极驱动电路中的驱动电流，并且降低LCD显示像素驱动时的漏电流。这种混合TFT可用于动态帧频显示，原因是金属氧化物TFT的漏电流很低，可以保证低频时屏幕闪烁较低。然而，金属氧化物TFT也存在着载流子迁移率低的缺点，当其应用于高频显示时，往往会有充电不足的风险。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其驱动方法、显示装置，能够解决现有技术中多种晶体管混用时，容易造成充电不足，进而影响显示面板的显示驱动的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区；
所述显示面板还包括设置于所述显示区内的第一晶体管与第二晶体管，所述第一晶体管包括第一有源层，所述第二晶体管包括第二有源层，且所述第二有源层的载流子迁移率小于所述第一有源层的载流子迁移率；
其中，所述第一晶体管与所述第二晶体管并联以驱动所述显示面板显示。
在本发明的一种实施例中，所述第一晶体管包括第一栅极、第一源极与第一漏极，所述第二晶体管包括第二栅极、第二源极与第二漏极，其中，所述第一栅极与所述第二栅极电性连接并接收栅极控制信号，所述第一漏极与第二漏极电性连接并传输像素显示信号，所述第一源极和/或所述第二源极接收显示数据信号。
在本发明的一种实施例中，所述第一有源层与所述第二有源层相对设置，且所述第一栅极与所述第二栅极一体成型以形成公共栅极，且所述公共栅极设置于所述第一有源层与所述第二有源层之间。
在本发明的一种实施例中，所述第一漏极与所述第二漏极一体成型以形成公共漏极，且所述公共漏极的一端与所述第一有源层搭接，另一端与所述第二有源层搭接。
在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述第一有源层上的第一绝缘层以及设置于所述公共栅极和所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第二有源层、所述第一源极、所述第二源极与所述公共漏极均设置于所述第二绝缘层上，所述显示面板还包括穿过所述第一绝缘层与所述第二绝缘层并位于所述第一有源层上的第一过孔以及第二过孔；
其中，所述第一源极通过所述第一过孔与所述第一有源层搭接，所述第二源极与所述第二有源层搭接，所述公共漏极的一端通过所述第二过孔与所述第一有源层搭接，另一端与所述第二有源层搭接。
在本发明的一种实施例中，所述第一源极、所述第二源极以及所述公共漏极在同一道制程中形成。
在本发明的一种实施例中，所述第一有源层的材料包括低温多晶硅材料，所述第二有源层的材料包括金属氧化物材料。
在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括邻接于所述显示区的非显示区，以及设置于所述非显示区内的驱动模组、第三晶体管以及第四晶体管，所述第三晶体管连接于所述驱动模组与所述第一晶体管之间，所述第四晶体管连接于所述驱动模组与所述第二晶体管之间；
当所述显示面板处于第一显示频段时，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管均处于导通状态；
当所述显示面板处于第二显示频段时，所述第一晶体管与所述第三晶体管处于导通状态，所述第二晶体管与所述第四晶体管处于关闭状态；
当所述显示面板处于第三显示频段时，所述第二晶体管与所述第四晶体管处于导通状态，所述第一晶体管与所述第三晶体管处于关闭状态；
其中，所述第一显示频段中的最小显示频率大于所述第二显示频段中的最大显示频率，所述第二显示频段中的最小显示频率大于所述第三显示频段中的最大显示频率。
根据本发明的上述目的，提供一种显示面板的驱动方法，所述显示面板的驱动方法包括以下步骤：
当所述显示面板处于第一显示频段时，控制所述第一晶体管与所述第二晶体管导通；
当所述显示面板处于第二显示频段时，控制所述第一晶体管导通，所述第二晶体管关闭；
当所述显示面板处于第三显示频段时，控制所述第二晶体管导通，所述第一晶体管关闭；
其中，所述第一显示频段中的最小显示频率大于所述第二显示频段中的最大显示频率，所述第二显示频段中的最小显示频率大于所述第三显示频段中的最大显示频率。
根据本发明的上述目的，提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板。
本发明的有益效果：本发明通过在显示面板的显示区内设置并联的第一晶体管以及第二晶体管，进而增大了电流通道，提高了显示面板的充电效率。且第一晶体管包括第一有源层，第二晶体管包括第二有源层，第一有源层的载流子迁移率大于第二有源层的载流子迁移率，即本发明还设置具有载流子迁移率不同的两个晶体管，在应用上，可以选择性导通第一晶体管和/或第二晶体管，以满足不同显示频率下显示面板对充电的不同需求，进而提高了显示面板在不同显示频率下对充电需求的适用性。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的第一晶体管与第二晶体管驱动的等效电路图；
图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图4至图9为本发明实施例提供的显示面板的制程结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
为了兼具LTPS TFT迁移率高和金属氧化物TFT漏电流低的优点，业界采用LTPSTFT做栅极驱动和用金属氧化物TFT做显示区像素驱动的混合TFT，这样既能提高LCD栅极驱动电路中的驱动电流，并且降低LCD显示像素驱动时的漏电流。这种混合TFT可用于动态帧频显示，原因是金属氧化物TFT的漏电流很低，可以保证低频时屏幕闪烁较低。然而，金属氧化物TFT也存在着载流子迁移率低的缺点，当其应用于高频显示时，往往会有充电不足的风险。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板，请参照图1以及图2，显示面板包括显示区AA。
显示面板还包括设置于显示区AA内的第一晶体管T1以及第二晶体管T2，且第一晶体管T1与第二晶体管T2并联以驱动显示面板显示。
其中，第一晶体管T1包括第一有源层11，第二晶体管T2包括第二有源层21，且第二有源层21的载流子迁移率小于第一有源层11的载流子迁移率。
在实施应用过程中，本发明实施例通过在显示面板的显示区AA内设置并联的第一晶体管T1以及第二晶体管T2，进而增大了电流通道，提高了显示面板的充电效率，且第一晶体管T1包括第一有源层11，第二晶体管T2包括第二有源层21，第一有源层11的载流子迁移率大于第二有源层21的载流子迁移率。其中，本发明实施例还设置具有载流子迁移率不同的两个晶体管，以满足不同显示频率下显示面板对充电的不同需求，进而可以提高显示面板的充电效率。在应用上，可根据不同显示频率选择合适的晶体管进行驱动，进而提高了显示面板在不同显示频率下对充电需求的适用性，以达到低频降功耗和高频提升流畅度的效果。
具体地，请继续参照图1以及图2，显示面板包括显示区AA以及围绕显示区AA的非显示区BA。
显示面板包括设置于显示区AA内且并联的第一晶体管T1以及第二晶体管T2，以及设置于非显示区BA内的栅极驱动晶体管Ts。其中，第一晶体管T1与第二晶体管T2并联设置于显示区AA内，以进行显示驱动，栅极驱动晶体管Ts设置于非显示区BA内，并具体可设置于GOA驱动电路中，以为显示区AA内提供栅极控制信号Vg，以导通第一晶体管T1以及第二晶体管T2。
可选的，栅极驱动晶体管Ts的有源层材料包括低温多晶硅材料，由于低温多晶硅材料具有高的载流子迁移率，进而可以增强传输至显示区中栅极控制信号Vg，提高显示区AA内的显示驱动电流，以提高显示效果。
进一步地，显示面板包括基板46、设置于基板46上的缓冲层45、设置于缓冲层45上的第一绝缘层41、设置于第一绝缘层41上的第二绝缘层42、设置于第二绝缘层42上的平坦层43以及设置于平坦层43上的钝化层44。此外，第一晶体管T1包括设置于缓冲层45上并被第一绝缘层41覆盖的第一有源层11，第二晶体管T2包括设置于第二绝缘层42上并被平坦层43覆盖的第二有源层21，且第一有源层11的载流子迁移率大于第二有源层21的载流子迁移率，第二有源层21的漏电流小于第一有源层11的漏电流。
可选的，第一有源层11的材料包括低温多晶硅材料，第二有源层21的材料包括金属氧化物材料。
进一步地，第一晶体管T1包括第一栅极、第一源极12以及第一漏极，第二晶体管T2包括第二栅极、第二源极22以及第二漏极。其中，第一栅极与第二栅极电性连接并接收栅极控制信号Vg，第一漏极与第二漏极电性连接并传输像素显示信号，第一源极12和/或第二源极22接收显示数据信号。
在本发明实施例中，第一有源层11与第二有源层21相对设置，且第一栅极与第二栅极一体成型以形成公共栅极31，且公共栅极31设置于第一有源层11与第二有源层21之间。第一漏极与第二漏极一体成型以形成公共漏极32，且公共漏极32的一端与第一有源层11搭接，另一端与第二有源层21搭接。本发明实施例通过将第一栅极与第二栅极一体成型设置，将第一漏极与第二漏极一体成型设置，进而使得第一晶体管T1与第二晶体管T2共用公共栅极31，并共用公共漏极32，进而可以节省工艺制程，节省工艺时间，降低生产成本。
显示面板还包括穿过第一绝缘层41以及第二绝缘层42并位于第一有源层11上的第一过孔61与第二过孔62。第一源极12设置于第二绝缘层42上，并通过第一过孔61与第一有源层11搭接，第二源极22设置于第二绝缘层42上，并与第二有源层21搭接，公共栅极31设置于第一绝缘层41上并被第二绝缘层42覆盖，公共漏极32设置于第二绝缘层42上，且公共漏极32的一端通过第二过孔62与第一有源层11搭接，另一端与第二有源层21搭接，以使得第一晶体管T1与第二晶体管T2并联。
在本发明实施例中，第一源极12的材料、第二源极22的材料以及公共漏极32的材料均相同，具体可为导电金属材料，在此不作限定。且第一源极12、第二源极22以及公共漏极32在同一道制程中形成，进而可以节省工艺工序，节省工艺时间。
进一步地，显示面板还包括设置于第二绝缘层42上的触控走线51，栅极驱动晶体管Ts还包括设置于第二绝缘层42上的源漏极，且栅极驱动晶体管Ts的源漏极、触控走线51、第一源极12、第二源极22以及公共漏极32均可在同一道制程中形成，以节省工艺工序。
显示面板还包括设置于平坦层43上的公共电极层52，公共电极层52通过穿过平坦层43的过孔与触控走线51电性连接，即公共电极层52还可复用为触控电极，以实现显示面板的触控功能。
显示面板还包括设置于平坦层43上的钝化层44，以及设置于钝化层44上的像素电极层53，且钝化层44覆盖公共电极层52，像素电极层53通过穿过钝化层44以及平坦层43的过孔与公共漏极32搭接，以接收公共漏极32传输的像素显示信号。
需要说明的是，如图1所示结构为显示面板的阵列基板结构，且显示面板还包括与阵列基板相对设置的彩膜基板以及设置阵列基板与彩膜基板之间的液晶层，且彩膜基板上还设置有色阻层以及对置公共电极层等，且上述结构均可参照常规工艺实现，在此不再赘述。
在本发明的另一种实施例中，请参照图3，显示面板还包括设置于第二绝缘层42与平坦层43之间的第三绝缘层47，且第三绝缘层47至少覆盖第二有源层21，以进一步提高对第二有源层21的保护作用。在本发明实施例中，第二有源层21的材料包括金属氧化物，其易受到环境因素的影响，因此，本实施例中通过设置第三绝缘层47以提高对第二有源层21的保护作用，提高了显示面板的良品率。在本实施例中，第三绝缘层47覆盖栅极驱动晶体管Ts、触控走线51、第一源极12、第二源极22、第二有源层21以及公共漏极32。
请参照图1以及图2，显示面板还包括设置于非显示区BA内的驱动模组70、第三晶体管T3以及第四晶体管T4，其中，第三晶体管T3连接于第一晶体管T1与驱动模组70之间，第四晶体管T4连接于第二晶体管T2与驱动模组70之间。即第一晶体管T1的第一源极12连接于第三晶体管T3，第二晶体管T2的第二源极22连接于第四晶体管T4，第一晶体管T1与第二晶体管T2共用的公共漏极32连接于像素电极，以使第一晶体管T1与第二晶体管T2并联于驱动模组70与像素电极层53之间。则通过驱动模组70将显示数据信号经过第三晶体管T3与第四晶体管T4分别传输至第一源极12和/或第二源极22，然后通过导通第一晶体管T1和/或第二晶体管T2，并通过公共漏极32将像素显示信号传输至像素电极层53中。且像素电极层53与公共电极层52之间形成液晶电容Clc，形成电场，以使得液晶层中的液晶产生偏转。
可选的，所述第三晶体管的有源层的材料包括金属氧化物材料，所述第四晶体管的有源层的材料包括低温多晶硅材料，但并不限于此。
需要说明的是，液晶电容Clc可由位于阵列基板上的像素电极层53与公共电极层52形成，在本发明的其他实施例中，液晶电容Clc也可由位于阵列基板上的像素电极层53与位于彩膜基板上的对置公共电极形成，在此不作限定。
在本发明实施例中，第一晶体管T1与第二晶体管T2分别通过第三晶体管T3与第四晶体管T4电连接至驱动模组70，由于第一有源层11的载流子迁移率大于第二有源层21的载流子迁移率，第一有源层11的漏电流大于第二有源层21的漏电流，以使得第一晶体管T1与第二晶体管T2具有不同的充电效率即电学特征，其中，载流子迁移率高即具有高的充电效率，漏电流低则使得显示面板低频时屏幕闪烁较低，进而可以根据显示面板在不同的显示频率下导通不同的晶体管，以满足不同的显示需求，提高显示效果。
当显示面板处于第一显示频段时，即高频显示状态，则第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3以及第四晶体管T4均处于导通状态，以满足高频显示状态下的充电需求。
当显示面板处于第二显示频段时，即中频显示状态，第一晶体管T1与第三晶体管T3处于导通状态，第二晶体管T2与第四晶体管T4处于关闭状态，此时导通载流子迁移率较高的第一晶体管T1，以满足充电需求。
当显示面板处于第三显示频段时，即低频显示状态，第二晶体管T2与第四晶体管T4处于导通状态，第一晶体管T1与第三晶体管T3处于关闭状态，此时导通载流子迁移率较低且漏电流较低的第二晶体管T2，以保证显示面板在低频显示状态时屏幕闪烁较低，且同时可以满足充电需求。
其中，第一显示频段的最小显示频率大于第二显示频段的最大显示频率，第二显示频段的最小显示频率大于第三显示频段的最大显示频率。
承上，本发明实施例提供的显示面板通过设置并联的第一晶体管T1与第二晶体管T2，通过在显示面板处于不同显示频率的显示状态下，导通不同的晶体管，以满足不同的显示需求，以达到低频降功耗和高频提升流畅度的效果，提高了显示面板的显示效果。
此外，本发明实施例还提供一种上述实施例中所述的显示面板的制作方法，请参照图1以及图4至图9，且该制作方法包括以下步骤：
需要说明的是，本发明实施例中以第一有源层11的材料为低温多晶硅材料，第二有源层21的材料为金属氧化物材料为例，进行说明。
提供基板46，制备缓冲层45于基板46上。
采用低温多晶硅材料形成半导体薄膜于缓冲层45上，并对半导体薄膜进行图案化处理，以形成位于显示区AA内的第一有源层11，以及位于非显示区BA内的栅极驱动晶体管Ts的有源层。
形成第一绝缘层41于缓冲层45上，并覆盖第一有源层11与栅极驱动晶体管Ts的有源层。
采用导电金属材料形成金属层于第一绝缘层41上，并对金属层进行图案化处理，以形成公共栅极31以及栅极驱动晶体管Ts的栅极。其中，公共栅极31位于第一有源层11上方。
形成第二绝缘层42覆盖公共栅极31以及栅极驱动晶体管Ts的栅极。
采用金属氧化物制备第二有源层21于第二绝缘层42上，其中，第二有源层21位于公共栅极31上方。
采用黄光以及刻蚀工艺对应显示区AA形成第一过孔61以及第二过孔62，以及对应非显示区BA形成第三过孔63以及第四过孔64，其中，第一过孔61、第二过孔62、第三过孔63以及第四过孔64均穿过第一绝缘层41以及第二绝缘层42，且第一过孔61以及第二过孔62暴露第一有源层11的部分上表面，第三过孔63以及第四过孔64暴露栅极驱动晶体管Ts的有源层的部分上表面。
采用导电金属材料形成第一源极12、第二源极22、公共漏极32、触控走线51以及栅极驱动晶体管Ts的源漏极于第二绝缘层42上，其中，第一源极12通过第一过孔61与第一有源层11搭接，第二源极22与第二有源层21搭接，公共漏极32的一端与第二有源层21搭接，公共漏极32的另一端通过第二过孔62与第一有源层11搭接，栅极驱动晶体管Ts的源漏极分别通过第三过孔63以及第四过孔64与栅极驱动晶体管Ts的有源层搭接。
形成平坦层43于第二绝缘层42上，并覆盖第一源极12、第二源极22、公共漏极32、触控走线51以及栅极驱动晶体管Ts的源公共漏极，并于平坦层43中形成过孔以暴露触控走线51的部分上表面，以及公共漏极32的部分上表面。
形成公共电极层52于平坦层43上，且公共电极层52通过过孔与触控走线51搭接。
形成钝化层44与平坦层43上，并于钝化层44中形成过孔与平坦层43中的过孔相连通，以暴露公共漏极32的部分上表面。
形成像素电极层53于钝化层44上，且像素电极层53通过穿过钝化层44与平坦层43的过孔与公共漏极32搭接。
需要说明的是，在本发明的其他实施例中，请参照图3，显示面板还包括形成于第二绝缘层42与平坦层43之间的第三绝缘层47，且第三绝缘层47至少覆盖第二有源层21，以进一步提高对第二有源层21的保护作用。在本发明实施例中，第二有源层21的材料包括金属氧化物，其易受到环境因素的影响，因此，本实施例中通过设置第三绝缘层47以提高对第二有源层21的保护作用，提高了显示面板的良品率。在本实施例中，第三绝缘层47覆盖栅极驱动晶体管Ts、触控走线51、第一源极12、第二源极22、第二有源层21以及公共漏极32。
本发明实施例还提供一种显示面板的驱动方法，且显示面板即为上述实施例中所述的显示面板，且驱动方法包括以下步骤：
当显示面板处于第一显示频段时，控制第一晶体管T1与第二晶体管T2导通。
当显示面板处于第二显示频段时，控制第一晶体管T1导通，以及第二晶体管T2关闭。
当显示面板处于第三显示频段时，控制第二晶体管T2导通，以及所述第一晶体管T1关闭。
其中，第一显示频段中的最小显示频率大于第二显示频段中的最大显示频率，第二显示频段中的最小显示频率大于第三显示频段中的最大显示频率。
本发明实施例通过在显示面板处于不同显示频率的显示状态下，导通不同的晶体管，以满足不同的显示需求，以达到低频降功耗和高频提升流畅度的效果，提高了显示面板的显示效果。
另外，本发明实施例还提供一种显示装置，且所述显示装置包括上述实施例中所述的显示面板，其结构均与上述实施例中相同，在此不再赘述。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其驱动方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区；
所述显示面板还包括设置于所述显示区内的第一晶体管与第二晶体管，所述第一晶体管包括第一有源层，所述第二晶体管包括第二有源层，且所述第二有源层的载流子迁移率小于所述第一有源层的载流子迁移率；
所述显示面板还包括邻接于所述显示区的非显示区，以及设置于所述非显示区内的驱动模组、第三晶体管以及第四晶体管，所述第三晶体管连接于所述驱动模组与所述第一晶体管之间，所述第四晶体管连接于所述驱动模组与所述第二晶体管之间，所述驱动模组用于向所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管提供显示数据信号；
其中，所述第一晶体管与所述第二晶体管并联以驱动所述显示面板显示。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管包括第一栅极、第一源极与第一漏极，所述第二晶体管包括第二栅极、第二源极与第二漏极，其中，所述第一栅极与所述第二栅极电性连接并接收栅极控制信号，所述第一漏极与第二漏极电性连接并传输像素显示信号，所述第一源极和/或所述第二源极接收所述显示数据信号。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层与所述第二有源层相对设置，且所述第一栅极与所述第二栅极一体成型以形成公共栅极，且所述公共栅极设置于所述第一有源层与所述第二有源层之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一漏极与所述第二漏极一体成型以形成公共漏极，且所述公共漏极的一端与所述第一有源层搭接，另一端与所述第二有源层搭接。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述第一有源层上的第一绝缘层以及设置于所述公共栅极和所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第二有源层、所述第一源极、所述第二源极与所述公共漏极均设置于所述第二绝缘层上，所述显示面板还包括穿过所述第一绝缘层与所述第二绝缘层并位于所述第一有源层上的第一过孔以及第二过孔；
其中，所述第一源极通过所述第一过孔与所述第一有源层搭接，所述第二源极与所述第二有源层搭接，所述公共漏极的一端通过所述第二过孔与所述第一有源层搭接，另一端与所述第二有源层搭接。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一源极、所述第二源极以及所述公共漏极在同一道制程中形成。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层的材料包括低温多晶硅材料，所述第二有源层的材料包括金属氧化物材料。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，当所述显示面板处于第一显示频段时，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管均导通所述显示数据信号；
当所述显示面板处于第二显示频段时，所述第一晶体管与所述第三晶体管导通所述显示数据信号，所述第四晶体管处于关闭状态，所述第二晶体管不导通所述显示数据信号；
当所述显示面板处于第三显示频段时，所述第二晶体管与所述第四晶体管导通所述显示数据信号，所述第三晶体管处于关闭状态，所述第一晶体管不导通所述显示数据信号；
其中，所述第一显示频段中的最小显示频率大于所述第二显示频段中的最大显示频率，所述第二显示频段中的最小显示频率大于所述第三显示频段中的最大显示频率。
9.一种显示面板的驱动方法，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至8任一项所述的显示面板，且所述显示面板的驱动方法包括以下步骤：
当所述显示面板处于第一显示频段时，控制所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管均导通所述显示数据信号；
当所述显示面板处于第二显示频段时，控制所述第一晶体管与所述第三晶体管导通所述显示数据信号，以及所述第四晶体管关闭，所述第二晶体管不导通所述显示数据线号；
当所述显示面板处于第三显示频段时，控制所述第二晶体管与所述第四晶体管导通所述显示数据信号，以及所述第三晶体管关闭，所述第一晶体管不导通显示数据信号；
其中，所述第一显示频段中的最小显示频率大于所述第二显示频段中的最大显示频率，所述第二显示频段中的最小显示频率大于所述第三显示频段中的最大显示频率。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至8任一项所述的显示面板。
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