CN109100894B - Goa电路结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种GOA电路结构及显示装置。所述GOA电路结构包括基板以及设于基板上的多个连接单元，每一个连接单元均包括：位于所述基板上的第一电极、设于所述第一电极和基板上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的第二电极、设于所述第二电极及第一绝缘层上的钝化层以及设于所述钝化层上的连接电极；所述第一电极通过穿过所述第一绝缘层和钝化层的至少一个第一过孔与所述连接电极电性连接，所述第二电极通过穿过所述钝化层的至少一个第二过孔与所述连接电极电性连接，从而通过所述连接电极电性连接所述第一电极和第二电极，不同连接单元中的第一电极和第二电极之间的连接阻抗相等，能够提升GOA电路的稳定性，改善产品品质。

Description

GOA电路结构
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种GOA电路结构。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。
主动式液晶显示器中，每个像素电性连接一个薄膜晶体管(TFT)，薄膜晶体管的栅极(Gate)连接至水平扫描线，漏极(Drain)连接至垂直方向的数据线，源极(Source)则连接至像素电极。在水平扫描线上施加足够的电压，会使得电性连接至该条水平扫描线上的所有TFT打开，从而数据线上的信号电压能够写入像素，控制不同液晶的透光度进而达到控制色彩与亮度的效果。目前主动式液晶显示面板水平扫描线的驱动主要由外接的集成电路板(Integrated Circuit，IC)来完成，外接的IC可以控制各级水平扫描线的逐级充电和放电。而GOA技术(Gate Driver on Array)即集成在阵列基板上的行扫描驱动技术，可以运用液晶显示面板的阵列制程将栅极驱动电路制作在TFT阵列基板上，实现对栅极逐行扫描的驱动方式。GOA技术能减少外接IC的焊接(bonding)工序，有机会提升产能并降低产品成本，而且可以使液晶显示面板更适合制作窄边框或无边框的显示产品。
常见的GOA电路包括上拉电路、上拉控制电路、下传电路、下拉电路、下拉保持电路、以及上升电路，其中上拉电路主要负责根据输入的时钟信号产生扫描信号输出至各个子像素的驱动薄膜晶体管的栅极，进行逐行扫描。上拉控制电路负责控制上拉电路的打开，一般是由上级GOA电路传递来的信号作用，下拉电路负责在输出扫描信号后，快速地将扫描信号拉低为低电平。下拉保持电路负责在非工作阶段将扫描信号和上拉电路的开关节点的信号保持在关闭状态。上升电路则负载在工作阶段对上拉电路的开关节点电位的进行二次抬升，确保扫描信号的正常输出。
一般的GOA电路中均包括多个电性连接的薄膜晶体管，在电路设计时，经常会出现以下连接单元：将第一金属层的电极与第二金属层的电极电性连接到一起，以传递信号，例如将一个薄膜晶体管的栅极与另一个薄膜晶体管的源极或漏极电性连接。由于各个薄膜晶体管的栅极通常位于第一金属层，而源极和漏极通常位于与第一金属层绝缘层叠的第二金属层，为了实现将一个薄膜晶体管的栅极与另一个薄膜晶体管的源极或漏极电性连接，现有技术通常会在第二金属层上的钝化层设置一个连接电极(与像素电极同层设置)，然后通过穿过第一金属层和第二金属层之间的绝缘层以及钝化层的第一过孔将一个薄膜晶体管的栅极与所述连接电极电性连接，通过穿过所述钝化层的第二过孔将一个薄膜晶体管的源极或漏极与所述连接电极电性连接，从而实现将一个薄膜晶体管的栅极与另一个薄膜晶体管的源极或漏极电性连接，这种连接单元在一个GOA电路中会频繁出现，但现有技术中在设计过程中未考虑该连接单元产生的阻抗对GOA电路的影响，经常会出现不同连接单元中产生的阻抗不同的情况，容易造成GOA电路工作不稳定，影响产品品质和生产良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种GOA电路结构，能够提升GOA电路的稳定性，改善产品品质。
本发明目的还在于提供一种显示装置，具有高稳定性的GOA电路和优良的产品品质。
为实现上述目的，本发明提供了一种GOA电路结构，包括基板以及设于基板上的多个连接单元，每一个连接单元均包括：位于所述基板上的第一电极、设于所述第一电极和基板上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的第二电极、设于所述第二电极及第一绝缘层上的钝化层以及设于所述钝化层上的连接电极；
所述第一电极通过穿过所述第一绝缘层和钝化层的至少一个第一过孔与所述连接电极电性连接，所述第二电极通过穿过所述钝化层的至少一个第二过孔与所述连接电极电性连接，从而通过所述连接电极电性连接所述第一电极和第二电极；
不同连接单元中的第一电极和第二电极之间的连接阻抗相等。
每一个连接单元还包括与所述第一电极同层设置的第一栅极和第二栅极以及与所述第二电极同层设置的第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极；
所述第一栅极和第二栅极间隔排列，所述第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极间隔排列；
所述第一电极与所述第一栅极电性连接，所述第二电极与所述第二源极或第二漏极电性连接。
每一个连接单元还包括第一半导体岛和第二半导体岛，第一半导体岛和第二半导体岛分别位于所述第一栅极和第二栅极上的第一绝缘层上，所述第一源极和第一漏极分别与所述第一半导体岛的两端接触，所述第二源极和第二漏极分别与第二半导体岛的两端接触。
每一个连接单元中设有一个第一过孔和一个第二过孔，不同连接单元中的第一过孔的尺寸相同，不同连接单元中的第二过孔的尺寸相同。
每一个连接单元中设有多个第一过孔和多个第二过孔，不同连接单元中的第一过孔的尺寸和数量均相同，不同连接单元中的第二过孔的尺寸和数量均相同。
不同连接单元中的第一电极的面积相等，不同连接单元中第二电极的面积相等，不同连接单元中的连接电极的面积相等。
所述第一过孔和第二过孔通过一道图案化制程同时形成。
所述第一电极和第二电极的材料钼、铝、铜及钛中的一种或多种的组合。
所述连接电极的材料为ITO。
本发明还提供一种显示装置，包括上述的GOA电路结构。
本发明的有益效果：本发明提供一种GOA电路结构，包括基板以及设于基板上的多个连接单元，每一个连接单元均包括：位于所述基板上的第一电极、设于所述第一电极和基板上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的第二电极、设于所述第二电极及第一绝缘层上的钝化层以及设于所述钝化层上的连接电极；所述第一电极通过穿过所述第一绝缘层和钝化层的至少一个第一过孔与所述连接电极电性连接，所述第二电极通过穿过所述钝化层的至少一个第二过孔与所述连接电极电性连接，从而通过所述连接电极电性连接所述第一电极和第二电极；不同连接单元中的第一电极和第二电极之间的连接阻抗相等，通过设置GOA电路中不同连接单元中的第一电极和第二电极之间的连接阻抗相等，能够提升GOA电路的稳定性，改善产品品质。本发明还提供一种显示装置，具有高稳定性的GOA电路和优良的产品品质。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的GOA电路结构的第一实施例的俯视图；
图2为图1中A-A处的剖视图；
图3为本发明的GOA电路结构的第二实施例的俯视图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1及图2所示，本发明提供一种GOA电路结构，包括基板10以及设于基板10上的多个连接单元1，每一个连接单元1均包括：位于所述基板10上的第一电极20、设于所述第一电极20和基板10上的第一绝缘层30、设于所述第一绝缘层30上的第二电极40、设于所述第二电极40及第一绝缘层30上的钝化层50以及设于所述钝化层50上的连接电极60。
具体地，所述第一电极20通过穿过所述第一绝缘层30和钝化层50的至少一个第一过孔71与所述连接电极60电性连接，所述第二电极40通过穿过所述钝化层50的至少一个第二过孔72与所述连接电极60电性连接，从而通过所述连接电极60电性连接所述第一电极20和第二电极40；
需要强调的是，为了避免阻抗差异的GOA电路不良，本发明中不同连接单元1中的第一电极20和第二电极40之间的连接阻抗相等。
具体地，所述第一电极20和第二电极40之间的连接阻抗的可通过改变第一过孔71和第二过孔72的尺寸、第一过孔71和第二过孔72的数量、第一电极20的尺寸、第二电极40的尺寸以及连接电极60的尺寸来进行调整。
进一步地，如图1或图3所示，每一个连接单元1还包括与所述第一电极20同层设置的第一栅极21和第二栅极22以及与所述第二电极40同层设置的第一源极41、第一漏极42、第二源极43和第二漏极44；
所述第一栅极21和第二栅极22间隔排列，所述第一源极41、第一漏极42、第二源极43及第二漏极44间隔排列；
所述第一电极20与所述第一栅极21电性连接，所述第二电极40与所述第二源极43或第二漏极44电性连接。
当然，所述第一绝缘层30也覆盖所述第一栅极21和第二栅极22，以避免影响电路的正常工作。
进一步地，如图1或图3所示，每一个连接单元1还包括第一半导体岛81和第二半导体岛82，第一半导体岛81和第二半导体岛82分别位于所述第一栅极21和第二栅极22上的第一绝缘层30上，所述第一源极41和第一漏极42分别与所述第一半导体岛81的两端接触，所述第二源极43和第二漏极44分别与第二半导体岛82的两端接触。
优选地，所述第一半导体岛81和第二半导体岛82的材料为多晶硅、非晶硅或金属氧化物半导体。
具体地，如图1所示，在本发明的第一实施例中，每一个连接单元1中设有一个第一过孔71和一个第二过孔72，且不同连接单元1中的第一过孔71的尺寸相同，不同连接单元1中的第二过孔72的尺寸相同，不同连接单元1中的第一电极20的面积相等，不同连接单元1中第二电极40的面积相等，不同连接单元1中的连接电极60的面积相等，从而保证不同连接单元1中的第一电极20和第二电极40之间的连接阻抗相等。
具体地，在本发明的第二实施例中，每一个连接单元1中设有多个第一过孔71和多个第二过孔72，不同连接单元1中的第一过孔71的尺寸和数量均相同，不同连接单元1中的第二过孔72的尺寸和数量均相同，且不同连接单元1中的第一过孔71的尺寸相同，不同连接单元1中的第二过孔72的尺寸相同，不同连接单元1中的第一电极20的面积相等，不同连接单元1中第二电极40的面积相等，不同连接单元1中的连接电极60的面积相等，从而保证不同连接单元1中的第一电极20和第二电极40之间的连接阻抗相等。如图3所示，每一个连接单元1中设有2个第一过孔71和2个第二过孔72。
具体地，制作时，所述第一过孔71和第二过孔72通过一道图案化制程同时形成，完整的制作可参照如下过程：首先通过一道光罩在基板10形成第一金属层，接着在第一金属层和基板10上形成第一绝缘层20，然后在第一绝缘层20上通过一道光罩形成半导体层，接着在第一绝缘层20及半导体层上通过一道光罩形成第二金属层，然后在第二金属层及第一绝缘层20上形成钝化层50，接着通过一道光罩同时图案化所述钝化层50及第一绝缘层20形成第一过孔71和第二过孔72，最后在所述钝化层50上形成第三金属层，其中所述第一金属层包括第一栅极21、第二栅极22及第一电极20，所述第二金属层包括第一源极41、第一漏极42、第二源极43、第二漏极44及第二电极40，所述第三金属层包括连接电极60，所述半导体层包括第一半导体岛81和第二半导体岛82，通过设置所述所述第一过孔71和第二过孔72通过一道图案化制程同时形成，能够节省光罩数量，提升生产效率。
优选地，所述第一电极20和第二电极40的材料钼、铝、铜及钛中的一种或多种的组合，所述连接电极60的材料为ITO。
本发明还提供一种显示装置，包括上述的GOA电路结构。
综上所述，本发明提供一种GOA电路结构，包括基板以及设于基板上的多个连接单元，每一个连接单元均包括：位于所述基板上的第一电极、设于所述第一电极和基板上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的第二电极、设于所述第二电极及第一绝缘层上的钝化层以及设于所述钝化层上的连接电极；所述第一电极通过穿过所述第一绝缘层和钝化层的至少一个第一过孔与所述连接电极电性连接，所述第二电极通过穿过所述钝化层的至少一个第二过孔与所述连接电极电性连接，从而通过所述连接电极电性连接所述第一电极和第二电极；不同连接单元中的第一电极和第二电极之间的连接阻抗相等，通过设置GOA电路中不同连接单元中的第一电极和第二电极之间的连接阻抗相等，能够提升GOA电路的稳定性，改善产品品质。本发明还提供一种显示装置，具有高稳定性的GOA电路和优良的产品品质。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种GOA电路结构，其特征在于，包括基板(10)及设于基板(10)上的多个连接单元(1)，每一个连接单元(1)均包括：位于所述基板(10)上的第一电极(20)、设于所述第一电极(20)和基板(10)上的第一绝缘层(30)、设于所述第一绝缘层(30)上的第二电极(40)、设于所述第二电极(40)及第一绝缘层(30)上的钝化层(50)以及设于所述钝化层(50)上的连接电极(60)；
所述第一电极(20)通过至少一个同时穿过所述第一绝缘层(30)和钝化层(50)的第一过孔(71)与所述连接电极(60)电性连接，所述第二电极(40)通过穿过所述钝化层(50)的至少一个第二过孔(72)与所述连接电极(60)电性连接，从而通过所述连接电极(60)电性连接所述第一电极(20)和第二电极(40)；
不同连接单元(1)中的第一电极(20)和第二电极(40)之间的连接阻抗相等。
2.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，每一个连接单元(1)还包括与所述第一电极(20)同层设置的第一栅极(21)和第二栅极(22)以及与所述第二电极(40)同层设置的第一源极(41)、第一漏极(42)、第二源极(43)和第二漏极(44)；
所述第一栅极(21)和第二栅极(22)间隔排列，所述第一源极(41)、第一漏极(42)、第二源极(43)及第二漏极(44)间隔排列；
所述第一电极(20)与所述第一栅极(21)电性连接，所述第二电极(40)与所述第二源极(43)或第二漏极(44)电性连接。
3.如权利要求2所述的GOA电路结构，其特征在于，每一个连接单元(1)还包括第一半导体岛(81)和第二半导体岛(82)，第一半导体岛(81)和第二半导体岛(82)分别位于所述第一栅极(21)和第二栅极(22)上的第一绝缘层(30)上，所述第一源极(41)和第一漏极(42)分别与所述第一半导体岛(81)的两端接触，所述第二源极(43)和第二漏极(44)分别与第二半导体岛(82)的两端接触。
4.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，每一个连接单元(1)中设有一个第一过孔(71)和一个第二过孔(72)，不同连接单元(1)中的第一过孔(71)的尺寸相同，不同连接单元(1)中的第二过孔(72)的尺寸相同。
5.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，每一个连接单元(1)中设有多个第一过孔(71)和多个第二过孔(72)，不同连接单元(1)中的第一过孔(71)的尺寸和数量均相同，不同连接单元(1)中的第二过孔(72)的尺寸和数量均相同。
6.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，不同连接单元(1)中的第一电极(20)的面积相等，不同连接单元(1)中第二电极(40)的面积相等，不同连接单元(1)中的连接电极(60)的面积相等。
7.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，所述第一过孔(71)和第二过孔(72)通过一道图案化制程同时形成。
8.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，所述第一电极(20)和第二电极(40)的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种的组合。
9.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，所述连接电极(60)的材料为ITO。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的GOA电路结构。
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