CN113267549A - BiVO4/CdS光阳极、制备方法及其在Cu2+检测上的应用 - Google Patents

BiVO4/CdS光阳极、制备方法及其在Cu2+检测上的应用 Download PDF

Info

Publication number
CN113267549A
CN113267549A CN202110743182.1A CN202110743182A CN113267549A CN 113267549 A CN113267549 A CN 113267549A CN 202110743182 A CN202110743182 A CN 202110743182A CN 113267549 A CN113267549 A CN 113267549A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bivo
anode
conductive glass
glass slide
cds
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110743182.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113267549B (zh
Inventor
曾慧慧
邱丽
黄检
管树萍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pingxiang University
Original Assignee
Pingxiang University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pingxiang University filed Critical Pingxiang University
Priority to CN202110743182.1A priority Critical patent/CN113267549B/zh
Publication of CN113267549A publication Critical patent/CN113267549A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113267549B publication Critical patent/CN113267549B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/28Electrolytic cell components
    • G01N27/30Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
    • G01N27/305Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells optically transparent or photoresponsive electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1216Metal oxides
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/416Systems
    • G01N27/48Systems using polarography, i.e. measuring changes in current under a slowly-varying voltage

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)

Abstract

本发明涉及BiVO4/CdS光阳极、制备方法及其在Cu2+检测上的应用,所述的BiVO4/CdS光阳极的制备方法包括以下步骤:预处理FTO导电玻片、制备BiVO4种子层、BiVO4纳米材料的制备、BiVO4/CdS光阳极。本发明制备了一种BiVO4/CdS光阳极,本发明的BiVO4/CdS光阳极将光电传感技术与现代纳米技术有机融合,以光作为激发信号,电作为输出信号,能实现环境水样中重金属Cu2+快速检测。

Description

BiVO4/CdS光阳极、制备方法及其在Cu2+检测上的应用
技术背景
铜元素是生物体内非常重要的一种过渡金属元素,铜离子(Cu2+)在各种酶如细胞色素c氧化酶,酪氨酸酶和超氧化物歧化酶中起着重要的催化辅助作用。然而,Cu2+的过量摄入会导致肝脏、肾脏、胃、肠道、皮肤或眼睛受损,严重情况下甚至会造成阿尔茨海默病等疾病。此外,由于广泛用于工业和农业,铜还是一个严重的环境污染源。因此,设计和开发高选择性和超灵敏的铜离子探针具有重要意义。
传统的Cu2+检测方法主要包括络合滴定法、原子光谱法、色谱法、电感耦合等离子体质谱法、分光光度法和电化学分析法等。相对于单独的光或电化学方法,光电传感技术(PEC)使用的激发源(光)与检测信号(电)完全独立、互不干扰,大大降低了背景干扰信号,从而提高了分析检测的灵敏度。同时,PEC法由于采用电化学设备作为检测元件,还具有分析速度快、设备小巧、成本低、简单易行、操作便利并可进行在线连续监测等优点,具有非常大的应用前景。近年来,基于各种新型纳米材料构建的光电化学检测方法得到了迅速发展,并成功应用于重金属离子的检测,例如,Ru-1/TiO2光电化学传感器成功应用于自来水/湖水样中Hg2+离子的监测;结合Pb2+诱导的构象转换,Yuan等设计信号“turn-on”的光电化学探针检测Pb2+。作为一种新兴检测方法,PEC传感技术在无机小分子及金属离子检测方面显示了很好的发展前景。然而,现有光电材料普遍存在的光生电子-空穴复合率高,光能利用率低,表面动力学性能较差等问题极大地限制了PEC传感性能。因此,设计和制备新型半导体及复合材料,并对其进行有序组装,提高光电转换效率是PEC传感技术一个亟待解决的难题。
发明内容
本发明提供BiVO4/CdS光阳极、制备方法及其在Cu2+检测上的应用,本发明的BiVO4/CdS光阳极将光电传感技术与现代纳米技术有机融合,它应用在电化学检测时能以光作为激发信号,电作为输出信号,从而能实现环境水样中重金属Cu2+快速检测。
BiVO4/CdS光阳极的制备方法,包括以下步骤:
(1)预处理FTO导电玻片:将FTO导电玻片用超纯水清洗干净,然后分别先后在超纯水和乙醇中超声处理15-25min,然后自然风干;
(2)制备BiVO4种子层:将Bi(NO3)3·5H2O溶解在浓硝酸中,然后加入纯净水、NH4VO3和聚乙烯醇,超声0.5-1.5h,得到蓝色溶液;其中Bi(NO3)3·5H2O、NH4VO3、聚乙烯醇、浓硝酸与纯净水的混合比为0.3-0.5g:0.05-0.08g:0.2-0.6g:1-3mL:2-5mL;
将蓝色溶液旋涂在经步骤(1)预处理后的FTO导电玻片的导电面上,旋涂时,转速为1000-3000rps,时间为30-60s;然后将旋涂后的FTO导电玻片在温度为400-550℃煅烧0.5-2.5h后,冷却至室温,取出得到具有BiVO4种子层的FTO导电玻片;
(3)BiVO4纳米材料的制备:将Bi(NO3)3·5H2O和NH4VO3溶解在浓硝酸中,然后加入超纯水制成前体溶液,本步骤的Bi(NO3)3·5H2O、NH4VO3、浓硝酸和超纯水的混合比为0.1-0.3g:0.02-0.05g:1.5-3.0mL:50-100mL;然后将所述的前体溶液加入具有聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压反应釜中,然后将步骤(2)制备的FTO导电玻片负载有BiVO4种子层的一面浸入所述的前体溶液中,然后在160-180℃反应10-24h,然后取出FTO导电玻片并用超纯水清洗,接着在温度为400-550℃煅烧0.5-2.5h后,冷却至室温,取出得到具有BiVO4纳米材料的FTO导电玻片;
(4)BiVO4/CdS光阳极:将步骤(3)制得的FTO导电玻片的具有BiVO4纳米材料的一面浸入Cd(NO3)2乙醇溶液中1-3min,然后用乙醇漂洗后,再浸入Na2S甲醇溶液中1-3min,最后先用甲醇漂洗,再用超纯水洗涤,自然风干,即得;所述的Cd(NO3)2乙醇溶液中Cd(NO3)2的浓度为0.05-0.15mol/L,Na2S甲醇溶液中Na2S的浓度为0.05-0.15mol/L。
进一步地,步骤(2)和步骤(3)所述的浓硝酸的质量百分含量在65%-68%之间。
进一步地,步骤(2)旋涂时,步骤(2)旋涂时,将50-100μL的蓝色溶液旋涂在尺寸为10-20mm×25-30mm的条状FTO导电玻片导电面上。
一种BiVO4/CdS光阳极,由所述的方法制备而成。
一种BiVO4/CdS光阳极在Cu2+检测上的应用,所述的BiVO4/CdS光阳极作为检测时的工作电极。
具体地,采用电化学工作站的三电极体系检测,检测时采用与所述的电化学工作站距离为30cm的LED光源,电压为0.5V;
所述的三电极体系包括由所述的BiVO4/CdS光电纳米材料做成的工作电极、铂丝对电极和Ag/AgCl参比电极,电解液为Na2SO4水溶液,然后分别往同一电解液中加入多个不同浓度的含Cu2+标准液,分别测量光阳极在含不同浓度Cu2+标准液存在下的光电流,然后绘制以Cu2+浓度为横坐标以光电流为纵坐标的检测线性图,最后再加入待测样品,检测待测样品的光电流,根据绘制的检测线性图计算待测样品的Cu2+浓度。
具体地,电解液的体积为50mL,待测样品和每次加入的Cu2+标准液的体积为10μL。
具体地,每次加入待测样品或者Cu2+标准液测试光电流前,通入20min以上的N2排除电解质中溶解的氧气。
具体地,所述的Na2SO4水溶液中Na2SO4的浓度为0.05mol/L且pH为6.5。
较之前的现有技术,本发明具有以下有益效果:
本发明制备了一种BiVO4/CdS光阳极,本发明的BiVO4/CdS光阳极将光电传感技术与现代纳米技术有机融合,以光作为激发信号,电作为输出信号,能实现环境水样中重金属Cu2+快速检测。
附图说明
图1是实施例1的BiVO4纳米材料的扫描电镜图;
图2是实施例1的BiVO4/CdS纳米材料的扫描电镜图;
图3是由实施例1的BiVO4制成的光阳极i-t图;
图4是由实施例1的BiVO4/CdS制成的光阳极i-t图;
图5是以实施例1的BiVO4/CdS为光阳极,不同浓度Cu2+存在时的i-t图;
图6是以实施例1的BiVO4/CdS为光阳极时,不同浓度的含Cu2+标准液的检测线性图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进一步阐述
实施例1
BiVO4/CdS光阳极的制备方法,包括以下步骤:
(1)预处理FTO导电玻片:将FTO导电玻片切成10mm×25mm条状,然后用超纯水清洗干净后,分别先后在超纯水和乙醇中超声处理20min,然后自然风干;
(2)制备BiVO4种子层:将Bi(NO3)3·5H2O溶解在浓硝酸中,然后加入纯净水、NH4VO3和聚乙烯醇,超声1h,得到蓝色溶液;其中Bi(NO3)3·5H2O、NH4VO3、聚乙烯醇、浓硝酸与纯净水的比为0.3234g:0.078g:0.2g:1mL:2mL;
将50μL的蓝色溶液旋涂在经步骤(1)预处理的FTO导电玻片后的导电面上,旋涂时,转速为1000rps,时间为30s;然后将旋涂后的FTO导电玻片在温度为450℃煅烧2h后,冷却至室温,取出得到具有BiVO4种子层的FTO导电玻片;
(3)BiVO4纳米材料的制备:将Bi(NO3)3·5H2O和NH4VO3溶解在浓硝酸中,然后加入超纯水制成前体溶液,本步骤的Bi(NO3)3·5H2O、NH4VO3、浓硝酸和超纯水的比为0.1164g:0.028g:1.5mL:600mL;然后将所述的前体溶液加入具有聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压反应釜中,然后将步骤(2)制备的FTO导电玻片的具有BiVO4种子层的一面浸入所述的前体溶液中,然后在180℃水热反应10h,然后取出FTO导电玻片并用超纯水清洗,接着在温度为450℃煅烧2h后,冷却至室温,取出负载BiVO4纳米材料的FTO导电玻片;(如图1所示的是本实施例制备的BiVO4光阳极纳米材料扫描电镜图)
(4)BiVO4/CdS光阳极:将步骤(3)制得的FTO导电玻片的具有BiVO4纳米材料的一面浸入Cd(NO3)2乙醇溶液中1min,然后用乙醇漂洗后,再浸入Na2S甲醇溶液中1min,最后先用甲醇漂洗,再用超纯水洗涤,自然风干,即得;所述的Cd(NO3)2乙醇溶液中Cd(NO3)2的浓度为0.05mol/L,Na2S甲醇溶液中Na2S的浓度为0.05mol/L。如图2所示的是本实施例制备的BiVO4/CdS光阳极纳米材料扫描电镜图。通过图1和图2说明CdS成功包覆在BiVO4纳米材料外。图3是由本实施例的BiVO4材料制成的光阳极i-t图,图4是由本实施例的BiVO4/CdS材料制成的光阳极i-t图,通过图3和图4说明包覆CdS异质结可以增强BiVO4/CdS光阳极的光电流。因此本发明的BiVO4/CdS光阳极,灵敏度高。
步骤(2)和步骤(3)所述的浓硝酸的硝酸的质量百分含量为65%。
实施例2
BiVO4/CdS光阳极的制备方法,包括以下步骤:
(1)预处理FTO导电玻片:将FTO导电玻片切成20mm×30mm条状,然后用超纯水清洗干净后,分别先后在超纯水和乙醇中超声处理25min,自然风干;
(2)制备BiVO4种子层:将Bi(NO3)3·5H2O溶解在浓硝酸中,然后加入纯净水、NH4VO3和聚乙烯醇,超声0.5-1.5h,得到蓝色溶液;其中Bi(NO3)3·5H2O、NH4VO3、聚乙烯醇、浓硝酸与纯净水的比为0.5g:0.08g:0.6g:3mL:5mL;
将100μL的蓝色溶液旋涂在经步骤(1)预处理的FTO导电玻片后的导电面上,旋涂时,转速为3000rps,时间为60s;然后将旋涂后的FTO导电玻片在温度为550℃煅烧2.5h后,冷却至室温,取出得到具有BiVO4种子层的FTO导电玻片;
(3)BiVO4光阳极的制备:将Bi(NO3)3·5H2O和NH4VO3溶解在浓硝酸中,然后加入超纯水制成前体溶液,本步骤的Bi(NO3)3·5H2O、NH4VO3、浓硝酸和超纯水的比为0.3g:0.05g:3.0mL:100mL;然后将所述的前体溶液加入具有聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压反应釜中,然后将步骤(2)制备的FTO导电玻片负载有BiVO4种子层的一面浸入所述的前体溶液中,然后在180℃水热反应10h,然后取出FTO导电玻片并用超纯水清洗,接着在温度为550℃煅烧0.5h后,冷却至室温,取出得到具有BiVO4纳米材料的FTO导电玻片;
(4)BiVO4/CdS光阳极:将步骤(3)制得的FTO导电玻片的具有BiVO4纳米材料的一面浸入Cd(NO3)2乙醇溶液中3min,然后用乙醇漂洗后,再浸入Na2S甲醇溶液中3min,最后先用甲醇漂洗,再用超纯水洗涤,自然风干,即得;所述的Cd(NO3)2乙醇溶液中Cd(NO3)2的浓度为0.15mol/L,Na2S甲醇溶液中Na2S的浓度为0.15mol/L。
步骤(2)和步骤(3)所述的浓硝酸的质量百分含量在68%之间。
实施例3
BiVO4/CdS光阳极的制备方法,包括以下步骤:
(1)预处理FTO导电玻片:将FTO导电玻片切成15mm×25mm条状,然后用超纯水清洗干净后,分别先后在超纯水和乙醇中超声处理15min,然后自然风干;
(2)制备BiVO4种子层:将Bi(NO3)3·5H2O溶解在浓硝酸中,然后加入纯净水、NH4VO3和聚乙烯醇,超声0.5h,得到蓝色溶液;其中Bi(NO3)3·5H2O、NH4VO3、聚乙烯醇、浓硝酸与纯净水的比为0.3g:0.05g:0.3g:2mL:4mL;
将50-100μL蓝色溶液旋涂在经步骤(1)预处理的FTO导电玻片后的导电面上,旋涂时,转速为2000rps,时间为40s;然后将旋涂后的FTO导电玻片在温度为500℃煅烧1h后,冷却至室温,取出得到具有BiVO4种子层的FTO导电玻片;
(3)BiVO4纳米材料的制备:将Bi(NO3)3·5H2O和NH4VO3溶解在浓硝酸中,然后加入超纯水制成前体溶液,本步骤的Bi(NO3)3·5H2O、NH4VO3、浓硝酸和超纯水的比为0.2g:0.03g:2.0mL:60mL;然后将所述的前体溶液加入具有聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压反应釜中,然后将步骤(2)制备的FTO导电玻片负载有BiVO4种子层的一面浸入所述的前体溶液中,然后在170℃水热反应20h,然后取出FTO导电玻片并用超纯水清洗,接着在温度为500℃煅烧2h后,冷却至室温,取出得到具有BiVO4纳米材料的FTO导电玻片;
(4)BiVO4/CdS光阳极:将步骤(3)制得的FTO导电玻片负载有BiVO4纳米材料的一面浸入Cd(NO3)2乙醇溶液中2min,然后用乙醇漂洗后,再浸入Na2S甲醇溶液中2min,最后先用甲醇漂洗,再用超纯水洗涤,自然风干,即得;所述的Cd(NO3)2乙醇溶液中Cd(NO3)2的浓度为0.10mol/L,Na2S甲醇溶液中Na2S的浓度为0.10mol/L。
步骤(2)和步骤(3)所述的浓硝酸的质量百分含量在67%之间。
一种BiVO4/CdS光电纳米材料在Cu2+检测上的应用,采用电化学工作站的三电极体系检测,检测时采用与所述的电化学工作站距离为30cm的LED光源,电压为0.5V;
所述的三电极体系包括由所述的BiVO4/CdS光电纳米材料做成的工作电极、铂丝对电极和Ag/AgCl参比电极,电解液为Na2SO4水溶液,然后分别往同一电解液中加入多个不同浓度的含Cu2+标准液,分别测量光阳极在含不同浓度Cu2+标准液存在下的光电流,然后绘制以Cu2+浓度为横坐标以光电流为纵坐标的检测线性图,最后再加入待测样品,检测待测样品的光电流,根据绘制的检测线性图计算待测样品的Cu2+浓度。
电解液的体积为50mL,待测样品和每次加入的Cu2+标准液的体积为10μL。
每次加入待测样品或者Cu2+标准液测试光电流前,通入20min以上的N2排除电解质中溶解的氧气。
所述的Na2SO4水溶液中Na2SO4的浓度为0.05mol/L且pH为6.5。
图5是以实施例1的BiVO4/CdS为光阳极,不同浓度Cu2+存在时的i-t图;
图6是以实施例1的BiVO4/CdS为光阳极时,不同浓度的含Cu2+标准液的检测线性图。在一定浓度范围内,Cu2+浓度与材料的光电流信号成线性关系,实现Cu2+定量分析。通过图6可以看出,在0~1mM范围内,BiVO4/CdS的光电流与Cu2+浓度呈现良好的线性关系,最低检出限为0.01μM(如图6)。

Claims (5)

1.BiVO4/CdS光阳极的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)预处理FTO导电玻片:将条状FTO导电玻片用超纯水清洗干净,然后分别先后在超纯水和乙醇中超声处理15-25min,然后自然风干;
(2)制备BiVO4种子层:将Bi(NO3)3·5H2O溶解在浓硝酸中,然后加入纯净水、NH4VO3和聚乙烯醇,超声0.5-1.5h,得到蓝色溶液;其中Bi(NO3)3·5H2O、NH4VO3、聚乙烯醇、浓硝酸与纯净水的混合比为0.3-0.5g:0.05-0.08g:0.2-0.6g:1-3mL:2-5mL;
将蓝色溶液旋涂在经步骤(1)预处理后的FTO导电玻片的导电面上,旋涂时,转速为1000-3000rps,时间为30-60s;然后将旋涂后的FTO导电玻片在温度为400-550℃煅烧0.5-2.5h后,冷却至室温,取出得到具有BiVO4种子层的FTO导电玻片;
(3)BiVO4纳米材料的制备:将Bi(NO3)3·5H2O和NH4VO3溶解在浓硝酸中,然后加入超纯水制成前体溶液,本步骤的Bi(NO3)3·5H2O、NH4VO3、浓硝酸和超纯水的混合比为0.1-0.3g:0.02-0.05g:1.5-3.0mL:50-100mL;然后将所述的前体溶液加入具有聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压反应釜中,然后将步骤(2)制备的FTO导电玻片负载有BiVO4种子层的一面浸入所述的前体溶液中,然后在160-180℃反应10-24h,然后取出FTO导电玻片并用超纯水清洗,接着在温度为400-550℃煅烧0.5-2.5h后,冷却至室温,取出得到具有BiVO4纳米材料的FTO导电玻片;
(4)BiVO4/CdS光阳极:将步骤(3)制得的FTO导电玻片的具有BiVO4纳米材料的一面浸入Cd(NO3)2乙醇溶液中1-3min,然后用乙醇漂洗后,再浸入Na2S甲醇溶液中1-3min,最后先用甲醇漂洗,再用超纯水洗涤,自然风干,即得;所述的Cd(NO3)2乙醇溶液中Cd(NO3)2的浓度为0.05-0.15mol/L,Na2S甲醇溶液中Na2S的浓度为0.05-0.15mol/L。
2.根据权利要求1所述的BiVO4/CdS光阳极的制备方法,其特征在于:步骤(2)和步骤(3)所述的浓硝酸的质量百分含量在65%-68%之间。
3.根据权利要求1所述的BiVO4/CdS光阳极的制备方法,其特征在于:步骤(2)旋涂时,将50-100μL的蓝色溶液旋涂在尺寸为10-20mm×25-30mm的条状FTO导电玻片导电面上。
4.一种BiVO4/CdS光阳极,其特征在于:由权利要求1所述的方法制备而成。
5.一种BiVO4/CdS光阳极在Cu2+检测上的应用,其特征在于:权利要求4所述的BiVO4/CdS光阳极作为Cu2+检测时的工作电极。
CN202110743182.1A 2021-07-01 2021-07-01 BiVO4/CdS光阳极、制备方法及其在Cu2+检测上的应用 Active CN113267549B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110743182.1A CN113267549B (zh) 2021-07-01 2021-07-01 BiVO4/CdS光阳极、制备方法及其在Cu2+检测上的应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110743182.1A CN113267549B (zh) 2021-07-01 2021-07-01 BiVO4/CdS光阳极、制备方法及其在Cu2+检测上的应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113267549A true CN113267549A (zh) 2021-08-17
CN113267549B CN113267549B (zh) 2023-05-30

Family

ID=77236226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110743182.1A Active CN113267549B (zh) 2021-07-01 2021-07-01 BiVO4/CdS光阳极、制备方法及其在Cu2+检测上的应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113267549B (zh)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102543465A (zh) * 2011-12-15 2012-07-04 天津大学 CdS单晶纳米线太阳能电池及其制备方法
CN103440989A (zh) * 2013-08-27 2013-12-11 天津儒创新材料科技有限公司 无机/有机共敏化纳米线太阳能电池光阳极及其制备方法
CN105562034A (zh) * 2014-10-15 2016-05-11 南京理工大学 一种CdS/BiVO4复合半导体光催化剂、制备及应用
CN108663418A (zh) * 2018-05-07 2018-10-16 福州大学 基于DNAWalker信号放大构建“Z”型光电适配体分析方法
CN108940314A (zh) * 2018-08-07 2018-12-07 东北大学秦皇岛分校 一种水体综合处理BiVO4/CdS复合物及其制备方法和应用
CN109440130A (zh) * 2018-11-29 2019-03-08 山东大学 一种大尺寸的纳米多孔BiVO4光阳极及其制备方法与应用
CN110624565A (zh) * 2019-10-15 2019-12-31 常州大学 一种硫化镉(CdS)掺杂钒酸铋(BiVO4)复合光催化剂的制备方法
CN110993357A (zh) * 2019-12-24 2020-04-10 陕西理工大学 一种CdS1-xSex合金量子点敏化光阳极的制备方法
CN111441066A (zh) * 2020-02-26 2020-07-24 上海大学 一种基于阳极氧化铝模板的Ni/Ag/BiVO4/CdS纳米阵列光电极制备方法
CN111841576A (zh) * 2020-07-23 2020-10-30 西安工程大学 一种富含氧空位Bi/BiVO4-CdS光催化剂的制备方法
CN111871467A (zh) * 2020-08-12 2020-11-03 杭州肄康新材料有限公司 一种CdS/胺改性g-C3N4-BiVO4材料及其制备方法
CN112410819A (zh) * 2020-11-10 2021-02-26 北京化工大学 一种用于光电催化分解水的复合铋基光阳极及其制备方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102543465A (zh) * 2011-12-15 2012-07-04 天津大学 CdS单晶纳米线太阳能电池及其制备方法
CN103440989A (zh) * 2013-08-27 2013-12-11 天津儒创新材料科技有限公司 无机/有机共敏化纳米线太阳能电池光阳极及其制备方法
CN105562034A (zh) * 2014-10-15 2016-05-11 南京理工大学 一种CdS/BiVO4复合半导体光催化剂、制备及应用
CN108663418A (zh) * 2018-05-07 2018-10-16 福州大学 基于DNAWalker信号放大构建“Z”型光电适配体分析方法
CN108940314A (zh) * 2018-08-07 2018-12-07 东北大学秦皇岛分校 一种水体综合处理BiVO4/CdS复合物及其制备方法和应用
CN109440130A (zh) * 2018-11-29 2019-03-08 山东大学 一种大尺寸的纳米多孔BiVO4光阳极及其制备方法与应用
CN110624565A (zh) * 2019-10-15 2019-12-31 常州大学 一种硫化镉(CdS)掺杂钒酸铋(BiVO4)复合光催化剂的制备方法
CN110993357A (zh) * 2019-12-24 2020-04-10 陕西理工大学 一种CdS1-xSex合金量子点敏化光阳极的制备方法
CN111441066A (zh) * 2020-02-26 2020-07-24 上海大学 一种基于阳极氧化铝模板的Ni/Ag/BiVO4/CdS纳米阵列光电极制备方法
CN111841576A (zh) * 2020-07-23 2020-10-30 西安工程大学 一种富含氧空位Bi/BiVO4-CdS光催化剂的制备方法
CN111871467A (zh) * 2020-08-12 2020-11-03 杭州肄康新材料有限公司 一种CdS/胺改性g-C3N4-BiVO4材料及其制备方法
CN112410819A (zh) * 2020-11-10 2021-02-26 北京化工大学 一种用于光电催化分解水的复合铋基光阳极及其制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
RUIJIE YANG 等: "Construction of Artificial Inorganic Leaf CdS-BiVO4 Z-scheme and its Enhancement Activities for Pollutant Degradation and Hydrogen Evolution", 《CATALYSSCIENTECHNOLOGY》 *
杨锐捷 等: "人工无机树叶CdS-BiVO4Z型体系的构建及其光催化活性的研究", 中国优秀硕士论文电子期刊网 *
陈奕桦 等: "CdS/BiVO4复合半导体制备及其光催化性能", 《化学研究与应用》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN113267549B (zh) 2023-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wang et al. Dopamine sensitized nanoporous TiO2 film on electrodes: Photoelectrochemical sensing of NADH under visible irradiation
WO2022062409A1 (zh) 一种无酶葡萄糖传感器及其制备方法和用途
Qiu et al. Nanostructured TiO2 photocatalysts for the determination of organic pollutants
Wang et al. Photoelectrocatalytic determination of chemical oxygen demand under visible light using Cu2O-loaded TiO2 nanotube arrays electrode
Derbali et al. BiVO4/TiO2 nanocomposite: electrochemical sensor for hydrogen peroxide
CN104569096A (zh) 一种氧化亚铜薄膜基无酶-氧灵敏的葡萄糖光电化学传感器的构建方法和检测方法
CN111348728B (zh) 一种MOF和HrGO共修饰的钒酸铋电极及其制备方法和应用
US10844500B2 (en) Method for making a Pd-doped zinc oxide conducting electrode
CN110441364A (zh) 一种超薄MXene纳米材料及其制备方法和应用
CN108607569B (zh) 提高电催化还原co2过程中co选择性的催化剂的合成方法
GB2603835A (en) Enzyme-free glucose sensor, manufacturing method for same, and uses thereof
CN114524453A (zh) 一种ZIF-8衍生的ZnO/g-C3N4的制备方法及其在土霉素传感器中的应用
CN109738502B (zh) 一种Fe2O3薄膜电极的制备方法及其在光电化学葡萄糖传感器的应用
Wu et al. Construction of g-C3N4/Au/NH2-UiO-66 Z-scheme heterojunction for label-free photoelectrochemical recognition of D-penicillamine
CN113267549A (zh) BiVO4/CdS光阳极、制备方法及其在Cu2+检测上的应用
CN1696682A (zh) 纳米管阵列化学需氧量传感器的制备方法及其应用
Huang et al. A simple route to synthesize mixed BiPr oxide nanoparticles and polyaniline composites with enhanced L-cysteine sensing properties
CN114019001B (zh) 一种MOF/ZnO复合材料及其工作电极的制备方法、应用
Kiani et al. Glucose Electro‐oxidation on Graphite Electrode Modified with Nickel/Chromium Nanoparticles
Li et al. Investigation of p-CuNb2O6 for use as photocathodes for photoelectrochemical water splitting
CN101950630B (zh) 一种锐钛矿二氧化钛纳米纤维薄膜电极的制备方法
CN114277375A (zh) 一种MnIn2S4/TiO2纳米管束丛复合光阳极材料及其制备方法和应用
CN109187698B (zh) 一种基于硫化镍纳米酶的双氧水电化学传感器
CN114250472A (zh) 一种BiVO4/CoP薄膜电极及其制备方法和应用
CN110596208A (zh) 基于可见光响应型钒酸铋涂膜电极通过光电催化法测定水中cod的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant