CN113249708B - 一种多路多控式抽真空系统设备及抽真空方法 - Google Patents

一种多路多控式抽真空系统设备及抽真空方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113249708B
CN113249708B CN202110730958.6A CN202110730958A CN113249708B CN 113249708 B CN113249708 B CN 113249708B CN 202110730958 A CN202110730958 A CN 202110730958A CN 113249708 B CN113249708 B CN 113249708B
Authority
CN
China
Prior art keywords
universal
vacuum pumping
vacuumizing
pumping
system equipment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110730958.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113249708A (zh
Inventor
封拥军
周东平
崔世甲
宋维聪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Betone Semiconductor Energy Technology Co ltd
Original Assignee
Shanghai Betone Semiconductor Energy Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Betone Semiconductor Energy Technology Co ltd filed Critical Shanghai Betone Semiconductor Energy Technology Co ltd
Priority to CN202110730958.6A priority Critical patent/CN113249708B/zh
Publication of CN113249708A publication Critical patent/CN113249708A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113249708B publication Critical patent/CN113249708B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber

Abstract

本发明提供一种多路多控式抽真空系统设备及抽真空方法，该设备包括本体、多个腔室、主管道、抽真空装置、多个分管道、多个控制阀门、多个万向抽气头及多个驱动机构，其中，多个驱动机构分别连接于不同的万向抽气头以改变万向抽气头的抽气方向，一个腔室内可设置至少一个万向抽气头，且各个万向抽气头可分别控制。本发明的抽真空方法在抽真空过程中可根据腔室内气体的不均匀度或沉积薄膜的不均匀度来调节腔室内万向抽气头的抽气速度及抽气方向，提高腔室内残留气体的分布均匀性或镀膜工艺反应时腔室内等离子体的分布均匀性，最终提高所镀膜层的厚度均匀性。万向抽气头的高度和/或方向可预先手动调节，其抽速及方向也可在抽真空过程中实时调节。

Description

一种多路多控式抽真空系统设备及抽真空方法
技术领域
本发明属于半导体高端制造设备领域，具体涉及一种多路多控式抽真空系统设备及抽真空方法。
背景技术
现今的薄膜制程无论是利用CVD（化学气相沉积法）或利用PVD（物理气相沉积法）皆必须利用到真空设备。在一般半导体或薄膜制程中，必须在一较高真空度的环境下进行，通常需要让沉积腔体内的真空度达到一定程度（约10-5 torr以下），才能继续进行后续薄膜沉积制程。在镀膜工艺过程中，需要不断的进行抽真空，镀膜，再抽真空，再镀膜的过程，目的是为了把前一次镀膜反应剩余的废气或者等离子抽离出去，防止对下一次镀膜的影响，如果废气或剩余等离子抽离的不干净或者局部空间位置有残留，则会导致下一次镀膜时腔体内的反应气体或者等离子分布不均匀，进而导致晶圆上所镀膜层不均匀。而气相沉积设备中涉及到双子腔抽真空的装置，主要是通过双子腔居中抽真空的方式实现的。居中抽真空的方式简单便捷但却不可控，且抽离难以达到彻底的效果，局部空间内会有残留：距离管道口较远的腔体边缘位置残留较多，且这种抽真空方式会导致腔体残留的气体分布不均匀，即残留在其他不同位置的气体均匀度也有差异，这种分布不均匀的残留的气体会影响下一次晶圆气相沉积所镀薄膜厚度的均匀性。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种多路多控式抽真空系统设备及抽真空方法，用于解决现有抽真空方式容易使得镀膜腔体内残留气体或等离子体不均匀分布，导致气相沉积所镀薄膜厚度不均匀的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种多路多控式抽真空系统设备，包括：
本体；
多个腔室，间隔设置于所述本体中；
主管道，包括一主接头及多个分接头；
抽真空装置，连接于所述主接头；
多个分管道，分别连接不同的所述分接头及不同的所述腔室，所述分管道包括一第一接头及至少一第二接头，所述第一接头连接所述分接头，所述第二接头连接所述腔室的底部；
多个控制阀门，一所述分管道连接至少一所述控制阀门；
多个万向抽气头，一所述腔室内设有至少一所述万向抽气头，且所述万向抽气头连接所述第二接头；
多个驱动机构，分别连接于不同的所述万向抽气头以改变所述万向抽气头的抽气方向。
可选地，一所述分管道包括多个所述第二接头，一所述腔室内设有多个所述万向抽气头。
可选地，多个所述第二接头均匀分布于所述腔室的底部。
可选地，所述分管道包括一一级管道及多个二级管道，所述一级管道连接于所述第一接头与所述二级管道之间，所述二级管道连接于所述一级管道与所述第二接头之间。
可选地，一所述分管道连接多个所述控制阀门，不同的所述二级管道分别与不同的所述控制阀门连接。
可选地，所述万向抽气头包括万向轴及抽气头，所述万向轴连接于所述第二接头与所述抽气头之间。
可选地，所述万向轴包括金属波纹管。
可选地，所述驱动机构包括驱动轴、驱动轮及转动轮，所述转动轮连接所述万向抽气头，所述驱动轴在垂直方向上贯穿所述腔室的底部并延伸进所述腔室内，所述驱动轴连接所述驱动轮，所述驱动轮与所述转动轮相啮合。
可选地，所述腔室的底部设有通孔，所述多路多控式抽真空系统设备还包括晶圆基座及升降轴，所述晶圆基座位于所述腔室内，所述升降轴连接所述晶圆基座的底部并穿过所述通孔。
可选地，所述分管道在水平方向上避开所述通孔。
可选地，所述分管道与所述升降轴在水平面上的投影至少部分重叠，且当所述晶圆基座降至预设最低位置时，所述分管道的顶部与所述升降轴的底部在垂直方向上间隔预设距离。
可选地，所述万向抽气头在垂直方向上的活动范围避开所述晶圆基座在垂直方向上的活动范围。
可选地，所述腔室包括物理气相沉积反应腔及化学气相沉积反应腔中的一种。
可选地，多个所述腔室分布于同一水平面上。
可选地，所述抽真空装置包括机械泵、干式泵、冷冻泵、涡轮分子泵中的至少一种。
可选地，所述分接头、所述分管道及所述腔室的数量相同。
可选地，所述腔室的数量范围是2-10个。
可选地，所述腔室内设有多个气压传感器。
本发明还提供一种抽真空方法，该方法在抽真空过程中调节腔室内万向抽气头的抽气速度及抽气方向。
所述腔室内设有多个所述万向抽气头，分别调节多个所述万向抽气头的抽气速度及抽气方向。
在抽真空过程中检测所述腔室内不同区域的气压，并根据所述腔室内的气压不均匀度调节所述万向抽气头的抽气速度及抽气方向。
在抽真空过程中于晶圆表面沉积薄膜，并检测薄膜的厚度，根据膜厚的不均匀度调节所述万向抽气头的抽气速度及抽气方向以改变所述腔室内的等离子体分布。
在关闭所述腔室抽真空前手动调节所述万向抽气头的高度和/或方向。
如上所述，本发明的多路多控式抽真空系统设备中，一个腔室内可设置至少一个万向抽气头，且各个万向抽气头可分别控制。本发明的抽真空方法在抽真空过程中可根据腔室内气体的不均匀度或沉积薄膜的不均匀度来调节腔室内万向抽气头的抽气速度及抽气方向，其中，可通过调节控制阀门开度的大小来调节气体的抽速，可通过驱动机构驱动万向抽气头水平旋转来改变抽气的方向，进而改变腔室内的气流方向，提高腔室内残留气体的分布均匀性或镀膜工艺反应时腔室内等离子体的分布均匀性，最终提高所镀膜层的厚度均匀性。另外，本发明中，在关闭所述腔室抽真空前可手动调节所述万向抽气头的高度和/或方向，在抽真空过程中可实时自动改变抽气的速度和方向。
附图说明
图1显示为本发明的多路多控式抽真空系统设备的俯视图。
图2显示为本发明的多路多控式抽真空系统设备的仰视图。
图3显示为本发明的多路多控式抽真空系统设备省去了本体时的俯视图。
图4显示为本发明的多路多控式抽真空系统设备省去了本体时的仰视图。
元件标号说明：1 本体，2 腔室，3 主管道，301 主接头，302 分接头，4 抽真空装置，5 分管道，501 第一接头，502 第二接头，503 一级管道，504 二级管道，6 控制阀门，7万向抽气头，701 万向轴，702 抽气头，8 驱动机构，801 驱动轴，802 驱动轮，803 转动轮，9 通孔。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
本实施例中提供一种多路多控式抽真空系统设备，请参阅图1及图2，分别显示为该多路多控式抽真空系统设备的俯视图和仰视图，包括本体1、多个腔室2、主管道3、抽真空装置4、多个分管道5、多个控制阀门6、多个万向抽气头7及多个驱动机构8，其中，多个所述腔室2间隔设置于所述本体1中；所述主管道3包括一主接头301及多个分接头302；所述抽真空装置4连接于所述主接头301；多个所述分管道5分别连接不同的所述分接头302及不同的所述腔室2，所述分管道5包括一第一接头501及至少一第二接头502，所述第一接头501连接所述分接头302，所述第二接头502连接所述腔室2的底部；一所述分管道5连接至少一所述控制阀门6；一所述腔室2内设有至少一所述万向抽气头7，且所述万向抽气头7连接所述第二接头502；多个所述驱动机构8分别连接于不同的所述万向抽气头7以改变所述万向抽气头7的抽气方向。
作为示例，所述腔室2可包括物理气相沉积（PVD）反应腔及化学气相沉积（CVD）反应腔中的一种。多个所述腔室2可分布于同一水平面上或采用其它合适的排布方式。所述腔室2的数量可以根据需要进行调整，例如为2-10个，本实施例中以所述腔室2的数量以3个为例。
作为示例，所述分接头302、所述分管道5及所述腔室2的数量相同。
作为示例，所述抽真空装置4可包括机械泵(mechanical pump)、干式泵(drypump)等低真空泵，冷冻泵(cryo pump)、涡轮分子泵(turbo pump)等高真空泵中的任意一种或几种的组合。
作为示例，所述腔室2内设有多个气压传感器（未图示）以监测所述腔室2内的气压均匀性。
为了更加清楚显示所述腔室2内外各部件的连接关系，请参阅图3及图4，分别显示为省去了所述本体1的所述多路多控式抽真空系统设备的俯视图和仰视图。
作为示例，为了更精准地实现均匀度调控，一所述分管道5包括多个所述第二接头502，一所述腔室2内设有多个所述万向抽气头7，例如2-10个，本实施例中以一所述腔室2内设有三个所述万向抽气头7为例。
作为示例，多个所述第二接头502可均匀分布于所述腔室2的底部，例如，以所述腔室2底部的中心为圆心，各个所述第二接头502在同一圆周上均匀分布。当然，在其它实施例中，多个所述第二接头502的排布方式也可以根据需要进行调整，此处不应过分限制分发明的保护范围。
作为示例，与一个所述腔室2内的所述万向抽气头7的数量相对应，所述分管道5包括一一级管道503及多个二级管道504，所述一级管道503连接于所述第一接头501与所述二级管道504之间，所述二级管道504连接于所述一级管道503与所述第二接头502之间。
作为示例，一所述分管道5连接多个所述控制阀门6，不同的所述二级管道504分别与不同的所述控制阀门6连接，从而分别实现不同所述万向抽气头7的分别控制，其中，通过调节各个所述控制阀门6的开度的大小可以实现各个所述万向抽气头7的抽速。
作为示例，所述万向抽气头7包括万向轴701及抽气头702，所述万向轴701连接于所述第二接头502与所述抽气头702之间。本实施例中，所述万向轴701包括金属波纹管，其具有伸缩功能，所述抽气头702的开口方向及高度可在工艺前手动设置。
作为示例，所述驱动机构8包括驱动轴801、驱动轮802及转动轮803，其中，所述转动轮803连接所述万向抽气头7，例如连接所述万向轴701的四周并靠近所述万向轴701的底部，并与所述腔室2的底部间隔预设距离。所述驱动轴801在垂直方向上贯穿所述腔室2的底部并延伸进所述腔室2内。所述驱动轮802连接所述驱动轴801并与所述转动轮803相啮合。
具体的，所述转动轮803可以在所述驱动轴801及所述驱动轮802的驱动下，带动所述万向抽气头7一起转动，从而调节所述万向抽气头7的抽气方向。该方式可以在抽真空过程中对所述万向抽气头7的抽气方向进行改变，而无需打开所述腔室2进行手动设置。
作为示例，所述腔室2的底部设有通孔9，所述多路多控式抽真空系统设备还包括晶圆基座（未图示）及升降轴（未图示），所述晶圆基座位于所述腔室2内，所述升降轴连接所述晶圆基座的底部并穿过所述通孔9。
需要指出的是，所述分管道5的位置设计不能影响所述晶圆基座的正常工作，需要避开所述升降轴。在一种实现方式中，所述分管道5在水平方向上避开所述通孔9。在另一种实现方式中，所述分管道5可与所述升降轴在水平面上的投影至少部分重叠，且当所述晶圆基座降至预设最低位置时，所述分管道5的顶部与所述升降轴的底部在垂直方向上仍间隔预设距离。
需要指出的是，所述万向抽气头7在垂直方向上的活动范围也应避开所述晶圆基座在垂直方向上的活动范围，例如当所述万向抽气头7完全垂直于所述腔室2的底部时，其最大高度仍不高于所述晶圆基座正常活动的范围，即不会对所述晶圆基座造成影响。
本实施例的多路多控式抽真空系统设备中，一个腔室内可设置至少一个万向抽气头，且各个万向抽气头可分别控制，其中，可通过调节控制阀门开度的大小来调节气体的抽速，可通过驱动机构驱动万向抽气头水平旋转来改变抽气的方向，进而改变腔室内的气流方向，其中，万向抽气头的高度、方向在工艺反应前可手动调节，工艺反应过程中也可以实时自动调节抽气方向，提高镀膜均匀性。
实施例二
本实施例中提供一种抽真空方法，该方法在抽真空过程中调节腔室内万向抽气头的抽气速度及抽气方向。需要指出的是，该方法可采用实施例一中所述的多路多控式抽真空系统设备或其它合适的设备实现。
作为示例，为了更精准地实现均匀度调控，所述腔室内设有多个所述万向抽气头，分别调节多个所述万向抽气头的抽气速度及抽气方向以实现所述腔室内各区域气体或等离子体分布的均匀性。
作为示例，可在抽真空过程中检测所述腔室内不同区域的气压，并根据所述腔室内的气压不均匀度调节所述万向抽气头的抽气速度及抽气方向以改变所述腔室内残留气体的分布，提高所述腔室内气体的均匀性。
作为示例，也可在抽真空过程中于晶圆表面沉积薄膜，并检测薄膜的厚度，根据膜厚的不均匀度调节所述万向抽气头的抽气速度及抽气方向以改变所述腔室内的等离子体分布，提高所述腔室内等离子体的均匀性。
作为示例，可在关闭所述腔室抽真空前预先手动调节所述万向抽气头的高度和/或方向，并在抽真空过程中进一步实时自动调节抽气方向。
本实施例的抽真空方法在抽真空过程中可根据腔室内气体的不均匀度或沉积薄膜的不均匀度来调节腔室内万向抽气头的抽气速度及抽气方向，从而提高腔室内残留气体的分布均匀性或镀膜工艺反应时腔室内等离子体的分布均匀性，最终提高所镀膜层的厚度均匀性。
综上所述，本发明的多路多控式抽真空系统设备中，一个腔室内可设置至少一个万向抽气头，且各个万向抽气头可分别控制。本发明的抽真空方法在抽真空过程中可根据腔室内气体的不均匀度或沉积薄膜的不均匀度来调节腔室内万向抽气头的抽气速度及抽气方向，其中，可通过调节控制阀门开度的大小来调节气体的抽速，可通过驱动机构驱动万向抽气头水平旋转来改变抽气的方向，进而改变腔室内的气流方向，提高腔室内残留气体的分布均匀性或镀膜工艺反应时腔室内等离子体的分布均匀性，最终提高所镀膜层的厚度均匀性。另外，本发明中，在关闭所述腔室抽真空前可手动调节所述万向抽气头的高度和/或方向，在抽真空过程中可实时改变抽气的速度和方向。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (23)

1.一种多路多控式抽真空系统设备，其特征在于，包括：
本体；
多个腔室，间隔设置于所述本体中；
主管道，包括一主接头及多个分接头；
抽真空装置，连接于所述主接头；
多个分管道，分别连接不同的所述分接头及不同的所述腔室，所述分管道包括一第一接头及至少一第二接头，所述第一接头连接所述分接头，所述第二接头连接所述腔室的底部；
多个控制阀门，一所述分管道连接至少一所述控制阀门；
多个万向抽气头，一所述腔室内设有至少一所述万向抽气头，且所述万向抽气头连接所述第二接头；
多个驱动机构，分别连接于不同的所述万向抽气头以改变所述万向抽气头的抽气方向。
2.根据权利要求1所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：一所述分管道包括多个所述第二接头，一所述腔室内设有多个所述万向抽气头。
3.根据权利要求2所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：多个所述第二接头均匀分布于所述腔室的底部。
4.根据权利要求2所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：所述分管道包括一一级管道及多个二级管道，所述一级管道连接于所述第一接头与所述二级管道之间，所述二级管道连接于所述一级管道与所述第二接头之间。
5.根据权利要求4所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：一所述分管道连接多个所述控制阀门，不同的所述二级管道分别与不同的所述控制阀门连接。
6.根据权利要求1所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：所述万向抽气头包括万向轴及抽气头，所述万向轴连接于所述第二接头与所述抽气头之间。
7.根据权利要求6所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：所述万向轴包括金属波纹管。
8.根据权利要求1所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：所述驱动机构包括驱动轴、驱动轮及转动轮，所述转动轮连接所述万向抽气头，所述驱动轴在垂直方向上贯穿所述腔室的底部并延伸进所述腔室内，所述驱动轴连接所述驱动轮，所述驱动轮与所述转动轮相啮合。
9.根据权利要求1所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：所述腔室的底部设有通孔，所述多路多控式抽真空系统设备还包括晶圆基座及升降轴，所述晶圆基座位于所述腔室内，所述升降轴连接所述晶圆基座的底部并穿过所述通孔。
10.根据权利要求9所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：所述分管道在水平方向上避开所述通孔。
11.根据权利要求9所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：所述分管道与所述升降轴在水平面上的投影至少部分重叠，且当所述晶圆基座降至预设最低位置时，所述分管道的顶部与所述升降轴的底部在垂直方向上间隔预设距离。
12.根据权利要求9所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：所述万向抽气头在垂直方向上的活动范围避开所述晶圆基座在垂直方向上的活动范围。
13.根据权利要求1所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：所述腔室包括物理气相沉积反应腔及化学气相沉积反应腔中的一种。
14.根据权利要求1所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：多个所述腔室分布于同一水平面上。
15.根据权利要求1所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：所述抽真空装置包括机械泵、干式泵、冷冻泵、涡轮分子泵中的至少一种。
16.根据权利要求1所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：所述分接头、所述分管道及所述腔室的数量相同。
17.根据权利要求1所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：所述腔室的数量范围是2-10个。
18.根据权利要求1所述的多路多控式抽真空系统设备，其特征在于：所述腔室内设有多个气压传感器。
19.一种抽真空方法，其特征在于：所述抽真空方法应用于如权利要求1-18任意一项所述的多路多控式抽真空系统设备，所述抽真空方法在抽真空过程中调节腔室内万向抽气头的抽气速度及抽气方向。
20.根据权利要求19所述的抽真空方法，其特征在于：所述腔室内设有多个所述万向抽气头，分别调节多个所述万向抽气头的抽气速度及抽气方向。
21.根据权利要求19所述的抽真空方法，其特征在于：在抽真空过程中检测所述腔室内不同区域的气压，并根据所述腔室内的气压不均匀度调节所述万向抽气头的抽气速度及抽气方向。
22.根据权利要求19所述的抽真空方法，其特征在于：在抽真空过程中于晶圆表面沉积薄膜，并检测薄膜的厚度，根据膜厚的不均匀度调节所述万向抽气头的抽气速度及抽气方向以改变所述腔室内的等离子体分布。
23.根据权利要求19所述的抽真空方法，其特征在于：在关闭所述腔室抽真空前手动调节所述万向抽气头的高度和/或方向。
CN202110730958.6A 2021-06-30 2021-06-30 一种多路多控式抽真空系统设备及抽真空方法 Active CN113249708B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110730958.6A CN113249708B (zh) 2021-06-30 2021-06-30 一种多路多控式抽真空系统设备及抽真空方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110730958.6A CN113249708B (zh) 2021-06-30 2021-06-30 一种多路多控式抽真空系统设备及抽真空方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113249708A CN113249708A (zh) 2021-08-13
CN113249708B true CN113249708B (zh) 2021-09-28

Family

ID=77190183

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110730958.6A Active CN113249708B (zh) 2021-06-30 2021-06-30 一种多路多控式抽真空系统设备及抽真空方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113249708B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010249035A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Panasonic Corp 電動送風機及びこれを用いた電気掃除機
CN206000712U (zh) * 2016-08-31 2017-03-08 常州天曜机电科技有限公司 维持炉内压力平衡的抽气装置及用于炉的抽气系统
CN207526665U (zh) * 2018-01-17 2018-06-22 深圳市速程精密科技有限公司 一种多路真空输出装置
CN111501020A (zh) * 2020-06-10 2020-08-07 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备
CN112813401A (zh) * 2019-11-15 2021-05-18 湘潭宏大真空技术股份有限公司 镀膜生产线的真空系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010249035A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Panasonic Corp 電動送風機及びこれを用いた電気掃除機
CN206000712U (zh) * 2016-08-31 2017-03-08 常州天曜机电科技有限公司 维持炉内压力平衡的抽气装置及用于炉的抽气系统
CN207526665U (zh) * 2018-01-17 2018-06-22 深圳市速程精密科技有限公司 一种多路真空输出装置
CN112813401A (zh) * 2019-11-15 2021-05-18 湘潭宏大真空技术股份有限公司 镀膜生产线的真空系统
CN111501020A (zh) * 2020-06-10 2020-08-07 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN113249708A (zh) 2021-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10998172B2 (en) Substrate processing chamber having improved process volume sealing
US20180087156A1 (en) Gas Introduction Mechanism and Processing Apparatus
TWI804537B (zh) 低溫冷卻的可旋轉靜電卡盤
EP0287384A2 (en) Dial deposition and processing apparatus
TWI727024B (zh) 微體積沉積腔室
US6478923B1 (en) Vacuum operation apparatus
KR101825503B1 (ko) 가스 유동 패턴을 제어하기 위한 프로세스 챔버 장치, 시스템들, 및 방법들
US9429248B2 (en) Process chamber gas flow apparatus, systems, and methods
TWI748049B (zh) 用於多壓力建制的使用同心泵送的設備
TWI754913B (zh) 基板處理裝置
JP2007046158A (ja) 排気可能なマグネトロンチャンバ
CN113249708B (zh) 一种多路多控式抽真空系统设备及抽真空方法
CN105280483B (zh) 多晶片转盘ald中的集成两轴升降旋转电动机的中央基座
CN110875167B (zh) 冷却腔室及半导体加工设备
US20100294431A1 (en) Equipment for producing semiconductors, corresponding pumping device and substrate holder
TW202121574A (zh) 用於改善的流量均勻性的泵送襯墊
JP4483040B2 (ja) 熱処理装置
FI20207193A1 (en) Device for forming patterns on the surface of a substrate plate
US20230116153A1 (en) System for uniform temperature control of cluster platforms
CN209929265U (zh) 多区可旋转扩散器装置
CN117189914A (zh) 一种多出气口节流阀及抽真空方法
JPWO2021170209A5 (zh)
KR20010093568A (ko) 스퍼터링 작업 장치
JPH06310469A (ja) ガス供給装置およびそれを用いたガス供給方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant