JPH06310469A - ガス供給装置およびそれを用いたガス供給方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 真空処理装置の液化ガスの供給において、半
導体ウエハの処理が行われないときに配管や流量制御機
内の供給ガスを液化させることなく、ガス流量を一定に
安定して供給する。 【構成】 配管３には、開閉弁７および開閉弁８が配設
され、その開閉弁７と開閉弁８の間にガスＡの流量を安
定させるための流量制御機９が配設されている。ガスＡ
の供給時は、開閉弁８および開閉弁９を開け、他のガス
が供給されるときには開閉弁９を閉めガスＡの供給を停
止させる。この時、開閉弁８は、開または閉のどちらで
も良い。そして、他のガスの供給が終了した後に開閉弁
８を開け、開閉弁９を閉めることより流量制御機９内の
真空引きを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液化ガスを使用する真
空処理設備に関し、特に、半導体ウエハ製造におけるド
ライエッチング装置やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等の液体ガスの供
給に適用して有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ドライエッチング装置等の真空処理装置
において、ドライエッチングがされていない時にガスの
供給を停止するには、ガス供給用の配管の処理室と流量
制御機の間に配設された開閉弁を閉じることによって停
止させている。

【０００３】また、この開閉弁を閉めることによって、
配管内やガスの流量を制御するための流量制御機内でガ
スが液化してしまうので、配管等を外部から加熱装置等
で加熱することによって、液化しないようにしている。

【０００４】なお、これに関する半導体ウエハの製造
は、たとえば、「日立評論・第７３巻・９号」等に記載
されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、この液化ガ
スの供給方法であると、配管等に加熱装置を設置しなけ
ればならず、ガス供給用の配管の構造が複雑になってし
まい、また、設備のコストも必要になる。

【０００６】さらに、配管等の加熱制御が困難であり、
配管内や流量制御機内等でガスが液化してしまうと、ガ
ス流量の制御ができなくなり、半導体ウエハの膜厚の均
一性が劣化したり、膜表面が損傷してしまったりする。

【０００７】本発明の目的は、半導体ウエハの処理が行
われないときに、配管や流量制御機内の供給ガスを液化
させることなく、ガス流量を一定に安定して供給できる
ガス供給用の配管を提供することにある。

【０００８】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１０】すなわち、ガス供給側にガスの流量を制御
するための第１の開閉手段と、ガス出力側にガスの流量
を制御するための第２の開閉手段と、第１の開閉手段と
第２の開閉手段との間にガスの流量を制御するための流
量制御機とを配設したものである。

【００１１】また、真空処理設備において、半導体ウエ
ハの処理が行われないときに、第１の開閉手段を閉じ
て、第２の開閉手段を開けることにより流量制御機内を
真空引きするものである。

【００１２】

【作用】上記のような構成のガス供給用の配管によれ
ば、配管内や流量制御機内のガスの液化がなくなるので
ガスの流量を安定して供給することができる。

【００１３】それにより、ガス供給流量に起因する半導
体ウエハの欠陥がなくなり、生産効率および製品の信頼
性が向上する。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。

【００１５】図１は、本発明の一実施例による半導体ウ
エハの真空処理装置の説明図、図２は、本発明の一実施
例による開閉弁の弁動作を表す図である。

【００１６】本実施例において、図示しない真空ポンプ
によって真空引きされる真空処理装置の処理室１には、
ガス供給用の配管２が接続され、この配管２には、さら
に、液化ガスであるガスＡの供給用の配管３と、気化ガ
スであるガスＢの配管４、ガスＣの配管５およびガスＤ
の配管６とが接続されている。また、これらの配管３、
配管４、配管５および配管６の一方には、それぞれのガ
スボンベ（図示せず）が接続されている。

【００１７】次に、配管３には、ガスの供給および停止
を行うための開閉弁（第１の開閉手段）７と開閉弁（第
２の開閉手段）８がそれぞれ配設されており、前記開閉
弁７と開閉弁８の間には、ガス流量を安定化させるため
の流量制御機９が配設されている。

【００１８】また、配管４、配管５および配管６にも、
流量制御機１０が配設され、流量制御機１０と配管２の
間には、開閉弁１１がそれぞれ配設されている。

【００１９】次に、本実施例における作用について説明
する。

【００２０】真空処理中のガスＡの処理室１への供給時
は、図２に示すように、配管３の開閉弁７および開閉弁
８を開けることによって行う。そして、ガスＢ，ガスＣ
およびガスＤ等の他のガスが供給されるときには、開閉
弁７を閉めることによってガスＡの供給を停止させる。
この時、開閉弁８は、開または閉のどちらでも良い。そ
して、他のガスの供給が終了した後、配管３の開閉弁７
を開け、開閉弁８を閉める。

【００２１】また、ガスＢ、ガスＣまたはガスＤの気化
ガスの場合には、開閉弁１１を閉めても流量制御機１０
内で液化しないので、開閉弁１１を閉めることによって
行い、ガス供給時には、開閉弁１１を開けることによっ
て供給を行う。

【００２２】それにより、本実施例によれば、液化ガス
の供給用の配管の流量制御機内が真空引きされるので、
流量制御機内および配管内の液化ガスの液化を防ぐこと
ができ、液化ガスの流量を一定に供給することができ
る。

【００２３】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。

【００２４】

【発明の効果】本発明によって開示される発明のうち、
代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれ
ば、以下のとおりである。

【００２５】（１）本発明によれば、流量制御機内およ
び配管内の液化ガスの液化を防ぐことができるので、液
化ガスの流量を一定に供給することができる。

【００２６】（２）また、上記（１）により、半導体ウ
エハの欠陥がなくなり、生産効率および製品の信頼性が
向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による半導体ウエハの真空処
理装置の説明図である。

【図２】本発明の一実施例による開閉弁の弁動作を表す
図である。

【符号の説明】

１ 処理室 ２ 配管 ３ 配管 ４ 配管 ５ 配管 ６ 配管 ７ 開閉弁（第１の開閉手段） ８ 開閉弁（第２の開閉手段） ９ 流量制御機 １０ 流量制御機 １１ 開閉弁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｂ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハの真空処理設備のガス供給
   用の配管において、ガス供給側にガスの流量を制御する
   ための第１の開閉手段と、ガス出力側にガスの流量を制
   御するための第２の開閉手段と、前記第１の開閉手段と
   前記第２の開閉手段との間に、ガスの流量を制御する流
   量制御機とを配設した構造よりなることを特徴とするガ
   ス供給装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載のガス供給装置を用いたガ
   ス供給方法であって、前記真空処理設備において、前記
   半導体ウエハの処理が行われないときに前記第１の開閉
   手段を閉じて、前記第２の開閉手段を開けることにより
   前記流量制御機を真空引きすることを特徴とするガス供
   給方法。