CN113249689B - 工件涂层及其制备方法与应用 - Google Patents

工件涂层及其制备方法与应用 Download PDF

Info

Publication number
CN113249689B
CN113249689B CN202110515640.6A CN202110515640A CN113249689B CN 113249689 B CN113249689 B CN 113249689B CN 202110515640 A CN202110515640 A CN 202110515640A CN 113249689 B CN113249689 B CN 113249689B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film layer
workpiece
vacuum chamber
bias voltage
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110515640.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113249689A (zh
Inventor
林海天
李立升
郑礼伟
陈松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Huasheng Nanotechnology Co ltd
Original Assignee
Dongguan Huasheng Vacuum Plated Film Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Huasheng Vacuum Plated Film Technology Co ltd filed Critical Dongguan Huasheng Vacuum Plated Film Technology Co ltd
Priority to CN202110515640.6A priority Critical patent/CN113249689B/zh
Publication of CN113249689A publication Critical patent/CN113249689A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113249689B publication Critical patent/CN113249689B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325—Electric arc evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C23C14/025—Metallic sublayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0617—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0635—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及零部件加工领域，特别是涉及一种工件涂层及其制备方法与应用。本发明通过在0V～‑200V的第一偏压下在工件上沉积厚度为100nm～200nm的第一膜层，使得第一膜层包含结晶取向的转变区，促使形成高密度的共格晶界，然后施加‑300V～‑2000V的第二偏压，沉积厚度为5nm～30nm的第二膜层，由于偏压的加速，沉积粒子的能量较高，阻断了第一膜层中晶体的连续生长，形成一个界面，使得再次施加第一偏压时，晶体从该界面重新生长，从而保证了结晶取向转变区和共格晶界在整个涂层中的占比较高，有效提升了整个涂层的硬度和韧性。

Description

工件涂层及其制备方法与应用
技术领域
本发明涉及零部件加工领域，特别是涉及一种工件涂层及其制备方法与应用。
背景技术
通过在工件表面制备数百纳米至数微米的硬质涂层，可以大幅提升工件的表面硬度、耐磨性及耐腐蚀性，进而提升工件的使用寿命。因此，涂层在零部件加工领域有着广泛的应用。
涂层对于工件的防护效果和涂层硬度有着密切关系，一般情况下，涂层的硬度越高，对工件表面强度的提升也越好，因此提升涂层的硬度是目前的一个研究热点。然而，在目前的加工技术中，涂层的硬度和韧性大部分时候是此消彼长的，材料硬度的提升，往往会带来材料韧性的下降。当涂层韧性较差时，在承受负荷外的冲击时会大大降低甚至丧失防护效果。因此，同步提升材料硬度和韧性的矛盾亟待解决。
发明内容
基于此，有必要提供一种能同时提高工件涂层硬度和韧性的涂层制备方法。
本发明的一个方面，提供了一种工件涂层的制备方法，其包括通过物理气相沉积在工件上交替沉积第一膜层和第二膜层：
所述第一膜层在0V～-200V的偏压下沉积，厚度为100nm～200nm；
所述第二膜层在-300V～-2000V的偏压下沉积，厚度为5nm～30nm；
所述第一膜层的材质和所述第二膜层的材质独立地选自金属碳化物和金属氮化物。
本发明通过在0V～-200V的第一偏压下沉积厚度为100nm～200nm的第一膜层，使得第一膜层包含结晶取向的转变区，促使形成高密度的共格晶界，然后施加-300V～-2000V的第二偏压，沉积厚度为5nm～30nm的第二膜层，由于偏压的加速，沉积粒子的能量较高，阻断了第一膜层中晶体的连续生长，形成一个界面，使得再次施加第一偏压时，晶体从该界面重新生长，从而保证了结晶取向转变区和共格晶界在整个涂层中的占比较高，有效提升了整个涂层的硬度和韧性。
在其中一个实施例中，所述金属碳化物和金属氮化物中的金属是指铬、钛、钨、铝或合金中的至少一种，所述合金由铬、钛、钨、铝中的至少两种组成。
在其中一个实施例中，所述金属碳化物和金属氮化物由所述金属和反应性气体制备而成。
在其中一个实施例中，所述反应性气体为氮气、氧气、甲烷、乙烷、乙烯和乙炔中的至少一种。
在其中一个实施例中，在所述工件上交替沉积第一膜层和第二膜层前，先在所述工件上制备过渡层；
所述第一膜层的材质为金属碳化物，所述过渡层的材质为金属/金属碳化物；所述第一膜层的材质为金属氮化物，所述过渡层的材质为金属/金属氮化物。
在其中一个实施例中，制备所述过渡层的偏压为-80V～-120V。
在其中一个实施例中，所述过渡层的厚度为600nm～1000nm。
在其中一个实施例中，在所述工件上制备所述过渡层前，先对所述工件进行清洗，所述清洗包括有机溶剂清洗和离子源清洗中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述工件的材质为钢材、硅片、刚玉、陶瓷中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述物理气相沉积为真空蒸镀，所述真空蒸镀的蒸发源为电弧蒸发源。
在其中一个实施例中，所述电弧蒸发源的电弧电流为80A～100A。
本发明的另一方面，提供了一种工件涂层，其前述的制备方法制得。
本发明还提供了一种刀具，其包括前述的工件涂层。
附图说明
图1为透射电镜检测的实施例1的微观结构图；其中，(a)为涂层的全貌图，(b)为(a)中黑框内的放大图，(c)为涂层的局部高分辨图，(d)为(c)进行拟合后得到的拟合图，能更清晰地看出涂层中的结晶取向变化；
图2为实施例1和对比例1的截面形貌对比图；
图3为实施例1和对比例1的压痕形貌图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本发明的描述中，“若干”的含义是至少一个，例如一个，两个等，除非另有明确具体的限定。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明提供了一种工件涂层的制备方法，包括通过物理气相沉积在工件上交替沉积第一膜层和第二膜层：
第一膜层在0V～-200V的偏压下沉积，厚度为100nm～200nm；
第二膜层在-300V～-2000V的偏压下沉积，厚度为5nm～30nm；
第一膜层的材质和第二膜层的材质独立地选自金属碳化物和金属氮化物。
当涂层内存在共格晶界时，由于晶粒方向有一定的调整，对外力具备一定的缓冲作用，能避免涂层受到冲击时外力始终沿着连续的晶粒方向传递而直接造成整个涂层的碎裂，因此，共格晶界的存在能使得涂层具备更好的韧性，同时，由于共格晶界本身的高密度，存在共格晶界也能有效提高涂层的硬度。然而，当晶粒沿着同一方向连续生长时，所能形成的共格晶界的厚度是有限的，因此，如果能有效提升共格晶界在整个涂层中的占比，将可以实现涂层硬度和韧性的大幅提升。
可以理解，本发明中的第一偏压和第二偏压记作负值是由于连接了负极电压，但就电压值而言，应当取偏压的绝对值，即，第二偏压的电压值是大于第一偏压的：例如，“-300V”的电压值较“-100V”的电压值大200V。因此，由于偏压的加大，第二膜层中所沉积粒子的能量较高，从而阻断了第一膜层中晶体的连续生长，形成一个界面，使得再次施加第一偏压时，晶体从该界面重新生长，从而使得在一定厚度的涂层内能存在若干个结晶取向转变区和共格晶界，有效提升了整个涂层的硬度和韧性。
在一些实施方式中，第一偏压例如可以是-80V～-100V，又如还可以是-5V、-15V、-25V、-35V、-45V、-55V、-65V、-75V、-85V、-95V、-105V、-115V、-125V、-135V、-145V、-155V、-165V、-175V、-185V、-195V。
在一些实施方式中，第一膜层的厚度例如可以是105nm、110nm、115nm、120nm、125nm、130nm、135nm、140nm、145nm、150nm、155nm、160nm、165nm、170nm、175nm、180nm、185nm、190nm、195nm。当第一膜层的厚度位于预设范围内时，既能使得第一膜层内顺利形成共格晶界，又能使得晶体连续生长的厚度不至于过厚，导致共格晶界在整个膜层中的占比过低，影响硬度和韧性的提高。在预设范围内，第一膜层的厚度越薄越好。
在一些实施方式中，第二偏压例如可以是-1500V～-2000V，又如还可以是-400V、-500V、-600V、-700V、-800V、-900V、-1000V、-1100V、-1200V、-1300V、-1400V、-1550V、-1600V、-1650V、-1700V、-1750V、-1800V、-1850V、-1900V、-1950V。当第二偏压位于预设范围内时，能够使得沉积的粒子具备较高的能量，从而有效地阻断第一膜层中晶体的连续生长，同时，不至于能量过高，导致膜层被刻蚀。在预设范围内，第二偏压越高越好。
在一些实施方式中，第二膜层的厚度例如可以是10nm、15nm、20nm、25nm。优选地，第二膜层的厚度为10nm～20nm。第二膜层的厚度位于预设范围内，能在阻断第一膜层晶体连续生长的同时，使得相邻的膜层之间具备较好的结合力，并且尽可能少地影响共格晶界在整个涂层中占比的提升；同时，能够使得涂层在受到较大的外力冲击时，外力能够被有效地缓冲，并随着晶体方向的多次变化传递而逐渐衰减，进一步提高涂层硬度和韧性。
在一些实施方式中，第一膜层的材质和第二膜层的材质分别独立地选自金属碳化物和金属氮化物。优选地，第一膜层和第二膜层选用相同的材质。
在一些实施方式中，金属碳化物或金属氮化物中的金属是指铬、钛、钨、铝，或它们的合金中的至少一种。可以理解，前述的合金由铬、钛、钨、铝中的至少两种组成。
在一些实施方式中，在工件上交替沉积第一膜层和第二膜层前，先在工件上制备过渡层，过渡层可以有效提升工件和第一膜层之间的结合力。
在一些实施方式中，制备过渡层时向工件施加-80V～-120V的偏压。
在一些实施方式中，若第一膜层的材质为金属碳化物，则过渡层的材质为金属/金属碳化物；若第一膜层的材质为金属氮化物，则过渡层的材质为金属/金属氮化物。
在一个具体示例中，第一膜层的材质为CrN，过渡层的材质为Cr/CrNx(0≤x≤1)。
在一个具体示例中，第一膜层的材质为WC，过渡层的材质为W/WCx(0≤x≤1)。
在一个具体示例中，第一膜层的材质为TiAlN，过渡层的材质为TiAl/TiAlNx(0≤x≤1)。
在一些实施方式中，过渡层的厚度为600nm～1000nm。
在一些实施方式中，在工件上制备过渡层前，先对工件进行清洗，清洗包括有机溶剂清洗和离子源清洗中的至少一种。有机溶剂清洗可以去除工件表面吸附的油渍、尘埃等污渍；离子源清洗能够一致且可靠地去除工件表面的污染物，活化工件表面，使其更易于结合所沉积的膜层。
在一些实施方式中，有机溶剂为乙醇、异丙醇等醇类溶剂。
优选地，有机溶剂清洗方式为超声清洗。
进一步优选地，超声清洗后采用干燥气流吹干工件。
当进行离子源清洗时：
在一些实施方式中，将工件置于真空腔室中，并使得真空腔室的压强低于4×10- 3Pa，然后开启离子源进行清洗。
在一些实施方式中，在采用离子源进行清洗的过程中，向真空腔室中通入保护性气体，在通入保护性气体的同时对真空腔室抽真空，保持真空腔室中的气压为0.1Pa～1Pa。优选地，真空腔室中的气压为0.8Pa～1Pa。
在一些实施方式中，保护性气体为氩气、氦气及氖气中的至少一种。
在一些实施方式中，保护性气体的流速为300sccm～400sccm。
在一些实施方式中，离子源功率设置为0.5kW～1.5kW，清洗时间为20min～60min。
在一些实施方式中，在清洗工件的过程中，向工件施加-800V～-1000V的偏压。
在一些实施方式中，工件的材质为钢材、硅片、刚玉、陶瓷中的至少一种。
在一些实施方式中，物理气相沉积为真空蒸镀。可以理解，当采用真空蒸镀时，需将工件置于真空腔室中。
在一些实施方式中，真空蒸镀的蒸发源为电弧蒸发源。
在一些实施方式中，电弧蒸发源的电弧电流为80A～100A。
当沉积过渡层、第一膜层或第二膜层时：
在一些实施方式中，向真空腔室中通入保护性气体，并同时对真空腔室进行抽真空处理，保持真空腔室中的气压为0.4Pa～0.6Pa。
在一些实施方式中，保护性气体为氩气、氮气、氦气及氖气中的至少一种。
在一些实施方式中，保护性气体的流速为50sccm～200sccm。优选地，保护性气体的流速为150sccm～200sccm。
在一些实施方式中，向真空腔室中通入反应性气体，反应性气体用于与金属靶材反应，以形成金属碳化物或金属氮化物。
在一些实施方式中，反应性气体为氮气、氧气、甲烷、乙烷、乙烯和乙炔中的至少一种。
在一些实施方式中，反应性气体与沉积过渡层、第一膜层或第二膜层时的保护性气体的流速比值为(1～15):10。
优选地，反应性气体与沉积过渡层、第一膜层或第二膜层时的保护性气体的流速比值为1:1。
本发明的另一方面，提供了一种工件涂层，其前述的制备方法制得。
本发明还提供了一种刀具，其包括前述的工件涂层。
以下结合具体实施例和对比例对本发明做进一步详细的说明。可理解，以下实施例所用的仪器和原料较为具体，在其他具体实施例中，可不限于此。
实施例1
(1)工件清洗：用乙醇超声清洗硅片，然后用去离子水漂洗，并采用干燥压缩空气吹干；将乙醇清洗后的硅片置于真空腔室的工件支架上，对真空室抽真空，至真空度达到1.0×10-3Pa，然后开启离子源，向真空腔室中通入流速为400sccm的氩气，保持真空腔室的整体气压为1Pa；设置离子源功率为1kW，设置工件支架的偏压为-1000V，清洗30分钟后停止；
(2)沉积Cr/CrNx过渡层：向真空室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-100V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并逐渐通入高纯氮气，直至高纯氮气的流速达到200sccm，沉积厚度为800nm的过渡层；
(3)在第一偏压下沉积CrN第一膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-100V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流100A，并逐渐通入高纯氮气，高纯氮气的流速为200sccm，沉积厚度为100nm的第一膜层；
(4)在第二偏压下沉积CrN第二膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-500V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并逐渐通入高纯氮气，高纯氮气的流速为200sccm，沉积厚度为10nm的第二膜层；
(5)分别重复步骤(3)和步骤(4)各25次，使得最后沉积的第一膜层和第二膜层总厚度为2750nm。
(6)关闭电源，待真空腔室温度降至室温，打开真空腔室，取出涂层沉积完成的硅片。
实施例2
(1)工件清洗：用乙醇超声清洗不锈钢片，然后用去离子水漂洗，并采用干燥压缩空气吹干；将乙醇清洗后的不锈钢片置于真空腔室的工件支架上，对真空室抽真空，至真空度达到1.0×10-3Pa，然后开启离子源，向真空腔室中通入流速为400sccm的氩气，保持真空腔室的整体气压为1Pa；设置离子源功率为1kW，设置工件支架的偏压为-1000V，清洗30分钟后停止；
(2)沉积W/WCx过渡层：向真空室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将不锈钢的偏压设置为-200V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并逐渐通入高纯乙炔，直至高纯乙炔的流速为200sccm，沉积厚度为800nm的过渡层；
(3)在第一偏压下沉积WC第一膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将不锈钢的偏压设置为-200V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流100A，并通入高纯乙炔，高纯乙炔的流速为200sccm，沉积厚度为200nm的第一膜层；
(4)在第二偏压下沉积WC第二膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将不锈钢的偏压设置为-2000V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并通入高纯乙炔，高纯乙炔的流速为200sccm，沉积厚度为20nm的第二膜层；
(5)分别重复步骤(3)和步骤(4)各10次，使得最后沉积的第一膜层和第二膜层总厚度为2200nm。
(6)关闭电源，待真空腔室温度降至室温，打开真空腔室，取出涂层沉积完成的不锈钢。
实施例3
(1)工件清洗：用乙醇超声清洗蓝宝石片，然后用去离子水漂洗，并采用干燥压缩空气吹干；将乙醇清洗后的蓝宝石片置于真空腔室的工件支架上，对真空室抽真空，至真空度达到1.0×10-3Pa，然后开启离子源，向真空腔室中通入流速为400sccm的氩气，保持真空腔室的整体气压为1Pa；设置离子源功率为1kW，设置工件支架的偏压为-1000V，清洗30分钟后停止；
(2)沉积TiAl/TiAlNx过渡层：向真空室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将蓝宝石片的偏压设置为-150V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并逐渐通入高纯氮气，直至高纯乙炔的流速达到200sccm，沉积厚度为800nm的过渡层；
(3)在第一偏压下沉积TiAlN第一膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将蓝宝石片的偏压设置为-200V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流100A，并通入高纯氮气，高纯氮气的流速为200sccm，沉积厚度为100nm的第一膜层；
(4)在第二偏压下沉积TiAlN第二膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将蓝宝石片的偏压设置为-1000V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并通入高纯氮气，高纯氮气的流速为200sccm，沉积厚度为10nm的第二膜层；
(5)分别重复步骤(3)和步骤(4)各25次，使得最后沉积的第一膜层和第二膜层总厚度为2750nm。
(6)关闭电源，待真空腔室温度降至室温，打开真空腔室，取出涂层沉积完成的蓝宝石片。
对比例1
(1)工件清洗：用乙醇超声清洗硅片，然后用去离子水漂洗，并采用干燥压缩空气吹干；将乙醇清洗后的硅片置于真空腔室的工件支架上，对真空室抽真空，至真空度达到1.0×10-3Pa，然后开启离子源，向真空腔室中通入流速为400sccm的氩气，保持真空腔室的整体气压为1Pa；设置离子源功率为1kW，设置工件支架的偏压为-1000V，清洗30分钟后停止；
(2)沉积Cr/CrNx过渡层：向真空室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-100V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并逐渐通入高纯氮气，直至高纯氮气的流速达到200sccm，沉积厚度为800nm的过渡层；
(3)在第一偏压下沉积CrN膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-100V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流100A，并逐渐通入高纯氮气，高纯氮气的流速达到200sccm，沉积厚度为2750nm的膜层；
(4)关闭电源，待真空腔室温度降至室温，打开真空腔室，取出涂层沉积完成的硅片。
对比例2
(1)工件清洗：用乙醇超声清洗硅片，然后用去离子水漂洗，并采用干燥压缩空气吹干；将乙醇清洗后的硅片置于真空腔室的工件支架上，对真空室抽真空，至真空度达到1.0×10-3Pa，然后开启离子源，向真空腔室中通入流速为400sccm的氩气，保持真空腔室的整体气压为1Pa；设置离子源功率为1kW，设置工件支架的偏压为-1000V，清洗30分钟后停止；
(2)沉积Cr/CrNx过渡层：向真空室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-100V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并逐渐通入高纯氮气，直至高纯氮气的流速达到200sccm，沉积厚度为800nm的过渡层；
(3)在第一偏压下沉积CrN第一膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-100V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流100A，并逐渐通入高纯氮气，高纯氮气的流速为200sccm，沉积厚度为50nm的第一膜层；
(4)在第二偏压下沉积CrN第二膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-500V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并逐渐通入高纯氮气，高纯氮气的流速为200sccm，沉积厚度为10nm的第二膜层；
(5)分别重复步骤(3)和步骤(4)各46次，使得最后沉积的第一膜层和第二膜层总厚度为2760nm。
(6)关闭电源，待真空腔室温度降至室温，打开真空腔室，取出涂层沉积完成的硅片。
对比例3
(1)工件清洗：用乙醇超声清洗硅片，然后用去离子水漂洗，并采用干燥压缩空气吹干；将乙醇清洗后的硅片置于真空腔室的工件支架上，对真空室抽真空，至真空度达到1.0×10-3Pa，然后开启离子源，向真空腔室中通入流速为400sccm的氩气，保持真空腔室的整体气压为1Pa；设置离子源功率为1kW，设置工件支架的偏压为-1000V，清洗30分钟后停止；
(2)沉积Cr/CrNx过渡层：向真空室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-100V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并逐渐通入高纯氮气，直至高纯氮气的流速达到200sccm，沉积厚度为800nm的过渡层；
(3)在第一偏压下沉积CrN第一膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-100V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流100A，并逐渐通入高纯氮气，高纯氮气的流速为200sccm，沉积厚度为300nm的第一膜层；
(4)在第二偏压下沉积CrN第二膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-500V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并逐渐通入高纯氮气，高纯氮气的流速为200sccm，沉积厚度为10nm的第二膜层；
(5)分别重复步骤(3)和步骤(4)各9次，使得最后沉积的第一膜层和第二膜层总厚度为2790nm。
(6)关闭电源，待真空腔室温度降至室温，打开真空腔室，取出涂层沉积完成的硅片。
对比例4
(1)工件清洗：用乙醇超声清洗硅片，然后用去离子水漂洗，并采用干燥压缩空气吹干；将乙醇清洗后的硅片置于真空腔室的工件支架上，对真空室抽真空，至真空度达到1.0×10-3Pa，然后开启离子源，向真空腔室中通入流速为400sccm的氩气，保持真空腔室的整体气压为1Pa；设置离子源功率为1kW，设置工件支架的偏压为-1000V，清洗30分钟后停止；
(2)沉积Cr/CrNx过渡层：向真空室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-100V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并逐渐通入高纯氮气，直至高纯氮气的流速达到200sccm，沉积厚度为800nm的过渡层；
(3)在第一偏压下沉积CrN第一膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-100V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流100A，并逐渐通入高纯氮气，高纯氮气的流速为200sccm，沉积厚度为100nm的第一膜层；
(4)在第二偏压下沉积CrN第二膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-200V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并逐渐通入高纯氮气，高纯氮气的流速为200sccm，沉积厚度为10nm的第二膜层；
(5)分别重复步骤(3)和步骤(4)各25次，使得最后沉积的第一膜层和第二膜层总厚度为2750nm。
(6)关闭电源，待真空腔室温度降至室温，打开真空腔室，取出涂层沉积完成的硅片。
对比例5
(1)工件清洗：用乙醇超声清洗硅片，然后用去离子水漂洗，并采用干燥压缩空气吹干；将乙醇清洗后的硅片置于真空腔室的工件支架上，对真空室抽真空，至真空度达到1.0×10-3Pa，然后开启离子源，向真空腔室中通入流速为400sccm的氩气，保持真空腔室的整体气压为1Pa；设置离子源功率为1kW，设置工件支架的偏压为-1000V，清洗30分钟后停止；
(2)沉积Cr/CrNx过渡层：向真空室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-100V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并逐渐通入高纯氮气，直至高纯氮气的流速达到200sccm，沉积厚度为800nm的过渡层；
(3)在第一偏压下沉积CrN第一膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-100V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流100A，并逐渐通入高纯氮气，高纯氮气的流速为200sccm，沉积厚度为100nm的第一膜层；
(4)在第二偏压下沉积CrN第二膜层：向真空腔室通入流速为200sccm的氩气，控制真空腔室的整体气压为0.6Pa；同时将硅片的偏压设置为-2100V，开启电弧蒸发源，设置电弧电流为100A，并逐渐通入高纯氮气，高纯氮气的流速为200sccm，沉积厚度为10nm的第二膜层；
(5)分别重复步骤(3)和步骤(4)各25次，使得最后沉积的第一膜层和第二膜层总厚度为2750nm。
(6)关闭电源，待真空腔室温度降至室温，打开真空腔室，取出涂层沉积完成的硅片。
表1
Figure BDA0003061893970000151
Figure BDA0003061893970000161
从表1可知，本发明的方案制备得到的工件涂层硬度可高达3000HV～3550HV，断裂韧性可高达12.65MPa·m1/2～14.98MPa·m1/2。对比例1相较于实施例1，仅在第一偏压下连续沉积涂层，涂层中形成的共格晶界有限，因此涂层的硬度和断裂韧性不及实施例1的一半；对比例2相较于实施例1，第一膜层的厚度过小，未能形成共格晶界，因此硬度和断裂韧性也较实施例1大幅下降，但是由于涂层中的晶体生长方向不连续，其硬度和韧性较对比例1有一定程度的提升；对比例3相较于实施例1，由于第一膜层的厚度过大，影响了共格晶界在整个涂层中的占比，因此涂层的硬度和断裂韧性也有较大的下降；对比例4相较于实施例1，第二偏压过低，导致粒子能量过低，不足以使膜层间形成差异较大的界面，因此涂层的硬度和断裂韧性也较差；对比例5相较于实施例1，第二偏压过高，导致膜层被一定程度的刻蚀，也影响了涂层最终的硬度和断裂韧性。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。

Claims (13)

1.一种工件涂层的制备方法，其特征在于，包括通过真空蒸镀在工件上交替沉积第一膜层和第二膜层：
所述第一膜层在0V～-200V的偏压下沉积，厚度为100nm～200nm；
所述第二膜层在-300V～-2000V的偏压下沉积，厚度为10nm～20nm；
所述第一膜层的材质和所述第二膜层的材质独立地选自金属碳化物和金属氮化物。
2.根据权利要求1所述的工件涂层的制备方法，其特征在于，所述金属碳化物和金属氮化物中的金属是指铬、钛、钨、铝或合金中的至少一种，所述合金由铬、钛、钨、铝中的至少两种组成。
3.根据权利要求2所述的工件涂层的制备方法，其特征在于，所述金属碳化物和金属氮化物由所述金属和反应性气体制备而成。
4.根据权利要求3所述的工件涂层的制备方法，其特征在于，所述反应性气体为氮气、氧气、甲烷、乙烷、乙烯和乙炔中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的工件涂层的制备方法，其特征在于，在所述工件上交替沉积第一膜层和第二膜层前，先在所述工件上制备过渡层；
所述第一膜层的材质为金属碳化物，所述过渡层的材质为金属/金属碳化物；所述第一膜层的材质为金属氮化物，所述过渡层的材质为金属/金属氮化物。
6.根据权利要求5所述的工件涂层的制备方法，其特征在于，制备所述过渡层的偏压为-80V～-120V。
7.根据权利要求5所述的工件涂层的制备方法，其特征在于，所述过渡层的厚度为600nm～1000nm。
8.根据权利要求5所述的工件涂层的制备方法，其特征在于，在所述工件上制备所述过渡层前，先对所述工件进行清洗，所述清洗包括有机溶剂清洗和离子源清洗中的至少一种。
9.根据权利要求1～8任一项所述的工件涂层的制备方法，其特征在于，所述工件的材质为钢材、硅片、陶瓷中的至少一种。
10.根据权利要求1～8任一项所述的工件涂层的制备方法，其特征在于，所述真空蒸镀的蒸发源为电弧蒸发源。
11.根据权利要求10所述的工件涂层的制备方法，其特征在于，所述电弧蒸发源的电弧电流为80A～100A。
12.一种工件涂层，其特征在于，由权利要求1～11任一项所述的制备方法制得。
13.一种刀具，其特征在于，包括权利要求12所述的工件涂层。
CN202110515640.6A 2021-05-12 2021-05-12 工件涂层及其制备方法与应用 Active CN113249689B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110515640.6A CN113249689B (zh) 2021-05-12 2021-05-12 工件涂层及其制备方法与应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110515640.6A CN113249689B (zh) 2021-05-12 2021-05-12 工件涂层及其制备方法与应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113249689A CN113249689A (zh) 2021-08-13
CN113249689B true CN113249689B (zh) 2021-12-10

Family

ID=77222942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110515640.6A Active CN113249689B (zh) 2021-05-12 2021-05-12 工件涂层及其制备方法与应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113249689B (zh)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100900529B1 (ko) * 2008-07-16 2009-06-02 한국야금 주식회사 내마모성과 인성이 우수한 복합 다층경질 박막
EP2298954B1 (en) * 2009-09-18 2013-03-13 Sandvik Intellectual Property Ab A PVD method for depositing a coating onto a body and coated bodies made thereof
US9341923B2 (en) * 2011-09-14 2016-05-17 Nikon Corporation Composite plastic member and method for producing the same
CN108165943B (zh) * 2018-01-23 2020-03-10 温州职业技术学院 具有结构梯度的TiB2涂层的制备方法
CN108390075B (zh) * 2018-01-24 2019-04-02 上海交通大学 抗腐蚀导电膜及其脉冲偏压交替磁控溅射沉积方法和应用
CN108796462A (zh) * 2018-06-25 2018-11-13 宁波中材钰翔新材料科技有限公司 用于腐蚀性介质摩擦环境的纳米多层涂层及其制备方法
JP6798534B2 (ja) * 2018-09-11 2020-12-09 株式会社タンガロイ 被覆切削工具
US20220297196A1 (en) * 2019-06-19 2022-09-22 Ab Sandvik Coromant Method of producing a coated cutting tool and a coated cutting tool
CN112144013A (zh) * 2019-06-28 2020-12-29 陕西航天时代导航设备有限公司 一种GT35球碗零件内表面TiN厚膜制备方法
CN110735111B (zh) * 2019-08-16 2021-12-31 缙云县先锋工具有限公司 一种可实现圆锯片干切削的高硬度复合涂层及其制备方法
CN111945119B (zh) * 2020-09-10 2022-05-06 东莞市华升真空镀膜科技有限公司 碳基薄膜、碳基薄膜的制备方法、刀具及应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN113249689A (zh) 2021-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8309236B2 (en) Protective alumina film and production method thereof
EP0826074B1 (en) Disordered coating with cubic boron nitride dispersed therein
EP0990060B1 (en) A method of coating edges with diamond-like carbon
CN100577860C (zh) 一种低应力氮化铬多层硬质薄膜的制备方法
WO2010101051A1 (ja) スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2002355704A (ja) 切削工具インサート
EP2835445A1 (en) PVD coating for metal machining
WO2014003172A1 (ja) Ｄｌｃ膜成形体
CN109097743B (zh) 一种超硬W-Cr-Al-Ti-N纳米梯度多层膜及其制备方法
EP2561118B1 (en) Pvd coating for metal machining
WO2022241952A1 (zh) 一种纳米多层结构过渡金属氮化物涂层及其制备方法和应用
CN111511490A (zh) 包覆切削工具
CN112095079B (zh) 阴极磁场调制的硬质涂层刀具及其制备方法和应用
CN111560582A (zh) 一种在合金刀具上制作超硬高熵合金氮化物涂层的方法
CN108611638A (zh) 高磨耗比、高断裂强度微米金刚石厚膜及其制备方法
US20210237168A1 (en) Silicon nitride ceramic tool comprising diamond film and method of preparing the same
CN113249689B (zh) 工件涂层及其制备方法与应用
KR101930812B1 (ko) 입방정계 질화붕소(cBN) 박막의 합성 방법
WO2018097286A1 (ja) 金型およびその製造方法
KR100947331B1 (ko) 사용 수명이 향상된 보강층을 갖는 렌즈 금형 코어의 박막구조물 및 이의 형성 방법
CN111139440B (zh) 一种含有碳化硅纳米插入层的涂层及其制备方法
JPH08144045A (ja) 立方晶窒化ホウ素被覆部材
Chun et al. Metallic multilayers by new pulsed vacuum arc
CN117620238A (zh) 涂覆切削工具
CN113403579A (zh) 一种强韧化CrTiNiSiN纳米复合涂层制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 523835 Room 401 and 501, building 5, No.2 mashanmiao Road, baihuadong, Dalingshan Town, Dongguan City, Guangdong Province

Patentee after: Guangdong Huasheng Nanotechnology Co.,Ltd.

Address before: 523835 Room 401 and 501, building 5, No.2 mashanmiao Road, baihuadong, Dalingshan Town, Dongguan City, Guangdong Province

Patentee before: DONGGUAN HUASHENG VACUUM PLATED FILM TECHNOLOGY CO.,LTD.