CN113213466A - 含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料及其制备方法 - Google Patents

含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种氧化石墨烯膜，包括氧化石墨烯和填补在氧化石墨烯片层缺陷中的芳香族化合物，所述芳香族化合物与氧化石墨烯的质量比为(1‑10)：100。本发明提供的氧化石墨烯膜的片层搭接紧密，结合力好，使制备出的石墨烯导热膜的导热性能得到提升。

Description

含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种新型碳基导热材料及其制备工艺，具体涉及通过氧化石墨烯膜制备石墨烯导热膜的制备工艺。
背景技术
石墨烯理论上具有非常高的热导率，可以达到5300W/m·K，远远高于碳纳米管和金刚石的最高理论值。石墨烯的产品形式主要有两种，一种是通过CVD法制备的透明的单层石墨烯，另一种是单层或少层的粉体类的石墨烯聚集体。由CVD法制备的石墨烯很薄，难以达到微米级别，导致散热通量太小，因此，在导热领域一般采用粉体类的石墨烯聚集体。
粉体类的石墨烯聚集体通常通过以下方法制备：由石墨经强酸氧化得到氧化石墨烯浆料，将氧化石墨烯浆料组装成膜得到氧化石墨烯膜，再将氧化石墨烯膜还原得到石墨烯导热膜。
现有技术中氧化石墨烯组装成膜时定向堆叠不致密，导致加工性差，容易发生膜裂开、碎化等不良现象。
背景技术部分的内容仅仅是发明人所知晓的技术，并不当然代表本领域的现有技术。
发明内容
针对现有技术存在问题中的一个或多个，本发明提供一种高致密度的氧化石墨烯膜，该氧化石墨烯膜的片层搭接良好、致密，片层的结合力好，使制备出的石墨烯导热膜的导热性能得到提升。
本发明提供一种含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料，包括芳香族化合物和氧化石墨烯浆料，所述芳香族化合物与氧化石墨烯的质量比为(1-10)：100。
芳香族化合物含有苯环等大的共轭结构，能够与石墨烯、氧化石墨烯上的六元环以及双键等形成强的π-π作用，如果采用其他非芳香族的化合物，则难以形成如此强的作用力。
但是，芳香族化合物一般属于油溶性物质，在水中的分散效果并不好，一旦加入过量的芳香族化合物，会出现大量的团聚现象，则无法与氧化石墨烯片形成良好的均匀的相互作用。
作为本发明的一个方面，所述芳香族化合物包括含苯环类化合物、含萘环类化合物、蒽醌类化合物、苝系化合物或杂环类化合物中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述含苯环类化合物为苯系物及其衍生物，包括甲苯、乙苯、二甲苯、苯甲酸、苯乙酸、苯乙酸钠、苯酚、苯胺、氯苯或硝基苯中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述含萘环类化合物为含萘环的化合物及其衍生物，包括萘、氢化萘或萘二酰亚胺中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述蒽醌类化合物包括蒽醌及其衍生物、蒽酚、氧化蒽酚或蒽酮中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述苝系化合物包括苝、苝酰亚胺或苝酰亚胺的衍生物中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述杂环类化合物包括呋喃、噻吩、吡咯、噻唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲哚、喹啉、蝶啶或吖啶中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述氧化石墨烯浆料中氧化石墨烯的固含量为10-80g/L，优选30g/L。
本发明还提供一种含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料的制备方法，包括如下步骤：
配置氧化石墨烯分散液，将芳香族化合物分散在氧化石墨烯分散液中，直到芳香族化合物分散均匀。
根据本发明的一个方面，所述分散的方法包括搅拌、超声分散或研磨中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的固含量为10-80g/L，优选30g/L。
优选地，所述芳香族化合物与氧化石墨烯的质量比为(1-10)：100。
优选地，所述芳香族化合物包括含苯环类化合物、含萘环类化合物、蒽醌类化合物、苝系化合物或杂环类化合物中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述含苯环类化合物为苯系物及其衍生物，包括甲苯、乙苯、二甲苯、苯甲酸、苯乙酸、苯乙酸钠、苯酚、苯胺、氯苯或硝基苯中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述含萘环类化合物为含萘环的化合物及其衍生物，包括萘、氢化萘或萘二酰亚胺中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述蒽醌类化合物包括蒽醌及其衍生物、蒽酚、氧化蒽酚或蒽酮中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述苝系化合物包括苝、苝酰亚胺或苝酰亚胺的衍生物中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述杂环类化合物包括呋喃、噻吩、吡咯、噻唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲哚、喹啉、蝶啶或吖啶中的一种或两种以上的组合。
本发明还提供一种氧化石墨烯膜，包括氧化石墨烯和填补在氧化石墨烯片层缺陷中的芳香族化合物，所述芳香族化合物与氧化石墨烯的质量比为(1-10)：100。该氧化石墨烯膜致密度高。
含有芳香族化合物的氧化石墨烯，因为芳香族化合物与氧化石墨烯之间形成的强作用力，在组装成膜时片层搭接致密，组装效果良好。但是，芳香族化合物一旦超过氧化石墨烯的10％，则容易造成团聚，从而造成氧化石墨烯膜难以进行很好的组装，最终导致石墨烯导热膜的导热性能降低。例如：芳香族化合物和氧化石墨烯质量比为1:2的氧化石墨烯膜，通过高温还原得到的石墨烯导热膜的扩散系数仅为800W/m·K。
如果芳香族化合物加入的量少，虽然不会影响氧化石墨烯膜的组装，但是对于缺陷较多的氧化石墨烯膜的修复效果不明显，最终也会使制备的石墨烯导热膜导热性能不好。
根据本发明的一个方面，所述芳香族化合物包括含苯环类化合物、含萘环类化合物、蒽醌类化合物、苝系化合物或杂环类化合物中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述含苯环类化合物为苯系物及其衍生物，包括甲苯、乙苯、二甲苯、苯甲酸、苯乙酸、苯乙酸钠、苯酚、苯胺、氯苯或硝基苯中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述含萘环类化合物为含萘环的化合物及其衍生物，包括萘、氢化萘或萘二酰亚胺中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述蒽醌类化合物包括蒽醌及其衍生物、蒽酚、氧化蒽酚或蒽酮中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述苝系化合物包括苝、苝酰亚胺或苝酰亚胺的衍生物中的一种或两种以上的组合。
优选地，所述杂环类化合物包括呋喃、噻吩、吡咯、噻唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲哚、喹啉、蝶啶或吖啶中的一种或两种以上的组合。
根据本发明的一个方面，所述氧化石墨烯膜的厚度为100-300μm，优选200μm。
本发明还提供一种高致密度的氧化石墨烯膜的制备方法，包括如下步骤：
采用所述含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料的制备方法制备含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料；
将氧化石墨烯浆料涂布在基材上，形成湿润的氧化石墨烯浆料膜；和
将湿润的氧化石墨烯浆料膜烘干，剥离，得到高致密度的氧化石墨烯膜。
根据本发明的一个方面，所述涂布的方法包括刮涂、喷涂或辊涂。
根据本发明的一个方面，所述烘干的温度为60-90℃。
优选地，所述烘干的时间为30min-2h。
石墨烯导热膜的导热性能的产生是对氧化石墨烯制备的薄膜进行充分还原，使还原后石墨烯的片层之间发生定向的搭接，从而发生电子和声子的传导。氧化石墨烯在成膜时片层的搭接程度决定了后续还原后石墨烯片层搭接程度。氧化石墨烯经过还原发生官能图脱除，孔洞、缝隙等缺陷得以修复，方可获得导热性能。氧化石墨烯的片层搭接越致密，缺陷越少，最终还原后的石墨烯导热膜的导热性能越好。
本发明的发明人经过深入的研究发现，氧化石墨烯成膜之前，向氧化石墨烯中添加芳香族化合物，由于芳香族化合物具有环状闭合共轭体系的芳香性，π电子高度离域，可以和氧化石墨烯中的共轭结构的部分发生π-π作用，“面对面”地进行组装，拉近了氧化石墨烯片层之间的搭接距离。芳香族化合物分子较小，能够自由地填补在氧化石墨烯片层中间，修补了部分缺陷。通过添加芳香族化合物，使得到的氧化石墨烯膜的致密度增加，缺陷减少，最终使得还原后的石墨烯导热膜的导热性能提升。
本发明还提供一种高导热性能的石墨烯导热膜，所述石墨烯导热膜的导热系数为1000-1900W/m·K。
根据本发明的一个方面，所述石墨烯导热膜在膜厚度为12-25μm的范围内，导热系数为1600-1900W/m·K；在膜厚度为25-40μm的范围内，导热系数为1400-1700W/m·K；在膜厚度为40-100μm的范围内，导热系数为1000-1500W/m·K。
根据本发明的一个方面，所述石墨烯导热膜的密度为1.9-2.1g/cm3。
根据本发明的一个方面，所述石墨烯导热膜的拉伸轻度大于20MPa。
本发明还提供一种高导热性能的石墨烯导热膜的制备方法，包括如下步骤：
采用高致密度的氧化石墨烯膜的制备方法制备高致密度的氧化石墨烯膜；
将高致密度的氧化石墨烯膜进行还原，得到石墨烯泡沫；和
将石墨烯泡沫经压制，形成高导热性能的石墨烯导热膜。
根据本发明的一个方面，所述还原的方法包括热还原法或化学还原法，优选热还原法。
根据本发明的一个方面，所述热还原法还原氧化石墨烯膜的方法的步骤包括：将氧化石墨烯膜进行低温处理、中温处理和高温处理。
根据本发明的一个方面，所述低温处理的温度为200-500℃，时间为4-8h，优选6h。
优选地，所述低温处理的升温速率为0.05-1℃/min。
优选地，所述低温处理的气体环境包括空气、氮气或惰性气体。
根据本发明的一个方面，所述中温处理的温度为1000-1500℃，时间为2-6h，优选4h。
优选地，所述低温到中温的升温速率为1-5℃/min。
优选地，所述中温处理的气体环境包括氮气或惰性气体。
根据本发明的一个方面，所述高温处理的温度为2500-3000℃，时间为1-3h，优选2h。
优选地，所述中温到高温的升温速率为5-10℃/min。
优选地，所述高温处理的气体环境包括氮气或惰性气体。
根据本发明的一个方面，所述化学还原法还原氧化石墨烯膜的方法包括：将氧化石墨烯膜通过浸泡或熏蒸进行化学还原，去除残余化学试剂。
优选地，所述化学还原的还原剂包括水合肼、胺类化合物、抗坏血酸、碘化氢中的一种或两种以上的组合。
根据本发明的一个方面，所述去除残余化学试剂的方法包括用水浸泡、用水蒸汽熏蒸或热处理。
根据本发明的一个方面，所述压制的压力为50-200MPa，时间为2-24h。
本发明的有益效果是：
本发明在氧化石墨烯成膜之前，加入芳香族化合物，提升氧化石墨烯片层间的结合力，增加氧化石墨烯片层搭接的致密度，使氧化石墨烯膜不容易发生裂开、碎化。氧化石墨烯膜还原成的石墨烯导热膜片层之间紧密连接，导热性能提升。本发明添加芳香族化合物操作简单，也容易使芳香族化合物均匀地与氧化石墨烯混合，只需要简单的一步就能提升氧化石墨烯膜乃至石墨烯导热膜的良率，大大降低了制作成本。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是实施例1A的氧化石墨烯膜的SEM图；
图2是实施例2A的氧化石墨烯膜的SEM图；
图3是实施例3A的氧化石墨烯膜的SEM图；
图4是实施例4A的氧化石墨烯膜的SEM图；
图5是实施例5A的氧化石墨烯膜的SEM图；
图6是对比例6A的氧化石墨烯膜的SEM图。
具体实施方式
在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
作为本发明的第一种实施方式，展示了一种含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料，包括芳香族化合物和氧化石墨烯浆料，芳香族化合物与氧化石墨烯的质量比为(1-10)：100，例如：1:100、2:100、3:100、4:100、5:100、6:100、7:100、8:100、9:100、10:100，等。芳香族化合物含有苯环等大的共轭结构，能够与石墨烯、氧化石墨烯上的六元环以及双键等形成强的π-π作用，如果采用其他非芳香族的化合物，则难以形成如此强的作用力。但是，芳香族化合物一般属于油溶性物质，在水中的分散效果并不好，一旦加入过量的芳香族化合物，会出现大量的团聚现象，则无法与氧化石墨烯片形成良好的均匀的相互作用。
芳香族化合物包括含苯环类化合物、含萘环类化合物、蒽醌类化合物、苝系化合物或杂环类化合物中的一种或两种以上的组合。含苯环类化合物为苯系物及其衍生物，包括甲苯、乙苯、二甲苯、苯甲酸、苯乙酸、苯乙酸钠、苯酚、苯胺、氯苯或硝基苯中的一种或两种以上的组合。含萘环类化合物为含萘环的化合物及其衍生物，包括萘、氢化萘或萘二酰亚胺中的一种或两种以上的组合。蒽醌类化合物包括蒽醌及其衍生物、蒽酚、氧化蒽酚或蒽酮中的一种或两种以上的组合。苝系化合物包括苝、苝酰亚胺或苝酰亚胺的衍生物中的一种或两种以上的组合。杂环类化合物包括呋喃、噻吩、吡咯、噻唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲哚、喹啉、蝶啶或吖啶中的一种或两种以上的组合。氧化石墨烯浆料中氧化石墨烯的固含量为10-80g/L，例如：10g/L、11g/L、12g/L、13g/L、14g/L、15g/L、20g/L、25g/L、30g/L、35g/L、40g/L、45g/L、50g/L、55g/L、60g/L、65g/L、70g/L、75g/L、76g/L、77g/L、78g/L、79g/L、80g/L，等。作为优选的实施方式，氧化石墨烯浆料中氧化石墨烯的固含量为30g/L。
作为本发明的第二种实施方式，展示了一种含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料的制备方法，包括如下步骤：
配置氧化石墨烯分散液，将芳香族化合物分散在氧化石墨烯分散液中，直到芳香族化合物分散均匀。
分散的方法包括搅拌、超声分散或研磨中的一种或两种以上的组合。氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的固含量为10-80g/L，例如：10g/L、11g/L、12g/L、13g/L、14g/L、15g/L、20g/L、25g/L、30g/L、35g/L、40g/L、45g/L、50g/L、55g/L、60g/L、65g/L、70g/L、75g/L、76g/L、77g/L、78g/L、79g/L、80g/L，等。作为优选的实施方式，氧化石墨烯浆料中氧化石墨烯的固含量为30g/L。芳香族化合物与氧化石墨烯的质量比为(1-10)：100，例如：1:100、2:100、3:100、4:100、5:100、6:100、7:100、8:100、9:100、10:100，等。芳香族化合物包括含苯环类化合物、含萘环类化合物、蒽醌类化合物、苝系化合物或杂环类化合物中的一种或两种以上的组合。含苯环类化合物为苯系物及其衍生物，包括甲苯、乙苯、二甲苯、苯甲酸、苯乙酸、苯乙酸钠、苯酚、苯胺、氯苯或硝基苯中的一种或两种以上的组合。含萘环类化合物为含萘环的化合物及其衍生物，包括萘、氢化萘或萘二酰亚胺中的一种或两种以上的组合。蒽醌类化合物包括蒽醌及其衍生物、蒽酚、氧化蒽酚或蒽酮中的一种或两种以上的组合。苝系化合物包括苝、苝酰亚胺或苝酰亚胺的衍生物中的一种或两种以上的组合。杂环类化合物包括呋喃、噻吩、吡咯、噻唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲哚、喹啉、蝶啶或吖啶中的一种或两种以上的组合。
作为本发明的第三种实施方式，展示了一种高致密度的氧化石墨烯膜，包括氧化石墨烯和填补在氧化石墨烯片层缺陷中的芳香族化合物，芳香族化合物与氧化石墨烯的质量比为(1-10)：100，例如：1:100、2:100、3:100、4:100、5:100、6:100、7:100、8:100、9:100、10:100，等。含有芳香族化合物的氧化石墨烯，因为芳香族化合物与氧化石墨烯之间形成的强作用力，在组装成膜时片层搭接致密，组装效果良好。但是，芳香族化合物一旦超过氧化石墨烯的10％，则容易造成团聚，从而造成氧化石墨烯膜难以进行很好的组装，最终导致石墨烯导热膜的导热性能降低。如果芳香族化合物加入的量少，虽然不会影响氧化石墨烯膜的组装，但是对于缺陷较多的氧化石墨烯膜的修复效果不明显，最终也会使制备的石墨烯导热膜导热性能不好。
芳香族化合物包括含苯环类化合物、含萘环类化合物、蒽醌类化合物、苝系化合物或杂环类化合物中的一种或两种以上的组合。含苯环类化合物为苯系物及其衍生物，包括甲苯、乙苯、二甲苯、苯甲酸、苯乙酸、苯乙酸钠、苯酚、苯胺、氯苯或硝基苯中的一种或两种以上的组合。含萘环类化合物为含萘环的化合物及其衍生物，包括萘、氢化萘或萘二酰亚胺中的一种或两种以上的组合。蒽醌类化合物包括蒽醌及其衍生物、蒽酚、氧化蒽酚或蒽酮中的一种或两种以上的组合。苝系化合物包括苝、苝酰亚胺或苝酰亚胺的衍生物中的一种或两种以上的组合。杂环类化合物包括呋喃、噻吩、吡咯、噻唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲哚、喹啉、蝶啶或吖啶中的一种或两种以上的组合。氧化石墨烯膜的厚度为100-300μm，例如：100μm、120μm、150μm、180μm、200μm、220μm、250μm、280μm、300μm，等。作为优选的实施方式，氧化石墨烯膜的厚度为200μm。
作为本发明的第四种实施方式，展示了一种高致密度的氧化石墨烯膜的制备方法，包括如下步骤：
采用本发明第二种实施方式法制备含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料；
将氧化石墨烯浆料涂布在基材上，形成湿润的氧化石墨烯浆料膜；和
将湿润的氧化石墨烯浆料膜烘干，剥离，得到高致密度的氧化石墨烯膜。
涂布的方法包括刮涂、喷涂或辊涂。烘干的温度为60-90℃，例如：60℃、62℃、64℃、65℃、68℃、70℃、72℃、74℃、75℃、76℃、78℃、80℃、82℃、84℃、85℃、86℃、88℃、90℃，等。烘干的时间为30min-2h，例如：30min、40min、50min、1h、1h10min、1h20min、1h30min、1h40min、1h50min、2h，等。
石墨烯导热膜的导热性能的产生是对氧化石墨烯制备的薄膜进行充分还原，使还原后石墨烯的片层之间发生定向的搭接，从而发生电子和声子的传导。氧化石墨烯在成膜时片层的搭接程度决定了后续还原后石墨烯片层搭接程度。氧化石墨烯经过还原发生官能图脱除，孔洞、缝隙等缺陷得以修复，方可获得导热性能。氧化石墨烯的片层搭接越致密，缺陷越少，最终还原后的石墨烯导热膜的导热性能越好。
本发明的发明人经过深入的研究发现，氧化石墨烯成膜之前，向氧化石墨烯中添加芳香族化合物，由于芳香族化合物具有环状闭合共轭体系的芳香性，π电子高度离域，可以和氧化石墨烯中的共轭结构的部分发生π-π作用，“面对面”地进行组装，拉近了氧化石墨烯片层之间的搭接距离。芳香族化合物分子较小，能够自由地填补在氧化石墨烯片层中间，修补了部分缺陷。通过添加芳香族化合物，使得到的氧化石墨烯膜的致密度增加，缺陷减少，最终使得还原后的石墨烯导热膜的导热性能提升。
作为本发明的第五种实施方式，展示了一种高导热性能的石墨烯导热膜，所述石墨烯导热膜的导热系数为1000-1900W/m·K，例如：1000W/m·K、1100W/m·K、1200W/m·K、1300W/m·K、1400W/m·K、1500W/m·K、1600W/m·K、1700W/m·K、1800W/m·K、1900W/m·K，等。
石墨烯导热膜在膜厚度为12-25μm的范围内，导热系数为1600-1900W/m·K；在膜厚度为25-40μm的范围内，导热系数为1400-1700W/m·K；在膜厚度为40-100μm的范围内，导热系数为1000-1500W/m·K。石墨烯导热膜的密度为1.9-2.1g/cm3，例如：1.9g/cm3、1.91g/cm3、1.92g/cm3、1.93g/cm3、1.94g/cm3、1.95g/cm3、1.96g/cm3、1.97g/cm3、1.98g/cm3、1.99g/cm3、2g/cm3、2.01g/cm3、2.02g/cm3、2.03g/cm3、2.04g/cm3、2.05g/cm3、2.06g/cm3、2.07g/cm3、2.08g/cm3、2.09g/cm3、2.1g/cm3，等。石墨烯导热膜的拉伸轻度大于20MPa，例如：21MPa、22MPa、23MPa、24MPa、25MPa、26MPa、27MPa、28MPa、29MPa、30MPa、32MPa、35MPa、40MPa、42MPa、45MPa、50MPa，等。
作为本发明的第六种实施方式，展示了一种高导热性能的石墨烯导热膜的制备方法，包括如下步骤：
采用本发明的第四种实施方式制备高致密度的氧化石墨烯膜；
将高致密度的氧化石墨烯膜进行还原，得到石墨烯泡沫；和
将石墨烯泡沫经压制，形成高导热性能的石墨烯导热膜。
还原的方法包括热还原法或化学还原法，优选热还原法。
热还原法还原氧化石墨烯膜的方法的步骤包括：将氧化石墨烯膜进行低温处理、中温处理和高温处理。低温处理的温度为200-500℃，例如：200℃、210℃、220℃、230℃、240℃、250℃、280℃、300℃、320℃、350℃、380℃、400℃、420℃、450℃、460℃、470℃、480℃、490℃、500℃，等；时间为4-8h，例如：4h、4.5h、5h、5.5h、6h、6.5h、7h、7.5h、8h，等，优选6h。低温处理的升温速率为0.05-1℃/min，例如：0.05℃/min、0.06℃/min、0.07℃/min、0.08℃/min、0.09℃/min、0.1℃/min、0.2℃/min、0.3℃/min、0.4℃/min、0.5℃/min、0.6℃/min、0.7℃/min、0.8℃/min、0.9℃/min、0.92℃/min、0.95℃/min、0.96℃/min、0.97℃/min、0.98℃/min、0.99℃/min、1℃/min，等。低温处理的气体环境包括空气、氮气或惰性气体。中温处理的温度为1000-1500℃，例如：1000℃、1050℃、1100℃、1150℃、1200℃、1250℃、1300℃、1350℃、1400℃、1450℃、1500℃，等；时间为2-6h，例如：2h、2.5h、3h、3.5h、4h、4.5h、5h、5.5h、6h，等，优选4h。低温到中温的升温速率为1-5℃/min，例如：1℃/min、1.2℃/min、1.5℃/min、1.8℃/min、2℃/min、2.2℃/min、2.5℃/min、2.8℃/min、3℃/min、3.2℃/min、3.5℃/min、3.8℃/min、4℃/min、4.2℃/min、4.5℃/min、4.8℃/min、5℃/min，等。中温处理的气体环境包括氮气或惰性气体。高温处理的温度为2500-3000℃，例如：2500℃、2550℃、2600℃、2650℃、2700℃、2750℃、2800℃、2850℃、2900℃、2950℃、3000℃，等；时间为1-3h，例如：1h、1.5h、2h、2.5h、3h，等，优选2h。中温到高温的升温速率为5-10℃/min，例如：5℃/min、5.2℃/min、5.5℃/min、5.8℃/min、6℃/min、6.2℃/min、6.5℃/min、6.8℃/min、7℃/min、7.2℃/min、7.5℃/min、7.8℃/min、8℃/min、8.2℃/min、8.5℃/min、8.8℃/min、9℃/min、9.2℃/min、9.5℃/min、9.8℃/min、10℃/min，等。高温处理的气体环境包括氮气或惰性气体。
化学还原法还原氧化石墨烯膜的方法包括：将氧化石墨烯膜通过浸泡或熏蒸进行化学还原，去除残余化学试剂。化学还原的还原剂包括水合肼、胺类化合物、抗坏血酸、碘化氢中的一种或两种以上的组合。去除残余化学试剂的方法包括用水浸泡、用水蒸汽熏蒸或热处理。
压制的压力为50-200MPa，例如：50MPa、60MPa、70MPa、80MPa、90MPa、100MPa、110MPa、120MPa、130MPa、140MPa、150MPa、160MPa、170MPa、180MPa、190MPa、200MPa，等；时间为2-24h，例如：2h、3h、4h、5h、6h、7h、8h、9h、10h、11h、12h、13h、14h、15h、16h、17h、18h、19h、20h、21h、22h、23h、24h，等。
下面通过实施例和对比例来对本发明的优越性进行阐述：
实施例1A：
本实施例示出了一种高致密度的氧化石墨烯膜的制备工艺，具体包括如下步骤：
步骤1)：将30g氧化石墨烯分散在970L水中，再加入1.5g的苯胺，分散均匀，得到含有芳香族化合物的氧化石墨烯浆料。
步骤2)：将步骤1)的氧化石墨烯浆料涂布在基材上，形成湿润的氧化石墨烯浆料膜。
步骤3)：将步骤2)得到的湿润的氧化石墨烯浆料膜在60℃下烘干2h，剥离，得到高致密度的氧化石墨烯膜，该氧化石墨烯膜截面的SEM图如图1所示，从图中可以看出，氧化石墨烯层间距非常近，片层致密堆叠。
实施例1B：
本实施例示出了利用实施例1A的高致密度的氧化石墨烯膜制备高导热性能的石墨烯导热膜的制备工艺，具体包括如下步骤：
步骤1)：将实施例1A的高致密度的氧化石墨烯膜在0.01℃/min的速率下升温至200℃，处理6h；经1℃/min的速率升温至1000℃，处理4h；再经5℃/min的速率升温至2500℃，处理2h，得到石墨烯泡沫。
步骤2)：将步骤1)的石墨烯泡沫在压力为50MPa下压制24h，形成高导热性能的石墨烯导热膜。
该石墨烯导热膜的密度为1.95g/cm3，厚度为50μm，导热系数为1300W/m·K。
实施例2A：
本实施例示出了一种高致密度的氧化石墨烯膜的制备工艺，具体包括如下步骤：
步骤1)：将30g氧化石墨烯分散在970L水中，再加入1.2g的萘，分散均匀，得到含有芳香族化合物的氧化石墨烯浆料。
步骤2)：将步骤1)的氧化石墨烯浆料涂布在基材上，形成湿润的氧化石墨烯浆料膜。
步骤3)：将步骤2)得到的湿润的氧化石墨烯浆料膜在90℃下烘干30min，剥离，得到高致密度的氧化石墨烯膜，该氧化石墨烯膜截面的SEM图如图2所示，从图中可以看出，氧化石墨烯层间距非常近，片层致密堆叠。
实施例2B：
本实施例示出了利用实施例2A的高致密度的氧化石墨烯膜制备高导热性能的石墨烯导热膜的制备工艺，具体包括如下步骤：
步骤1)：将实施例2A的高致密度的氧化石墨烯膜在0.1℃/min的速率下升温至200℃，处理8h；经3℃/min的速率升温至1200℃，处理2h；再经8℃/min的速率升温至2800℃，处理3h，得到石墨烯泡沫。
步骤2)：将步骤1)的石墨烯泡沫在压力为100MPa下压制10h，形成高导热性能的石墨烯导热膜。
该石墨烯导热膜的密度为2.0g/cm3，厚度为40μm，导热系数为1450W/m·K。
实施例3A：
本实施例示出了一种高致密度的氧化石墨烯膜的制备工艺，具体包括如下步骤：
步骤1)：将30g氧化石墨烯分散在970L水中，再加入1.6g的蒽酚，分散均匀，得到含有芳香族化合物的氧化石墨烯浆料。
步骤2)：将步骤1)的氧化石墨烯浆料涂布在基材上，形成湿润的氧化石墨烯浆料膜。
步骤3)：将步骤2)得到的湿润的氧化石墨烯浆料膜在80℃下烘干1h，剥离，得到高致密度的氧化石墨烯膜，该氧化石墨烯膜截面的SEM图如图3所示，从图中可以看出，氧化石墨烯层间距非常近，片层致密堆叠。
实施例3B：
本实施例示出了利用实施例3A的高致密度的氧化石墨烯膜制备高导热性能的石墨烯导热膜的制备工艺，具体包括如下步骤：
步骤1)：将实施例3A的高致密度的氧化石墨烯膜在0.5℃/min的速率下升温至400℃，处理3h；经2℃/min的速率升温至1300℃，处理6h；再经7℃/min的速率升温至2700℃，处理6h，得到石墨烯泡沫。
步骤2)：将步骤1)的石墨烯泡沫在压力为150MPa下压制18h，形成高导热性能的石墨烯导热膜。
该石墨烯导热膜的密度为2.01g/cm3，厚度为60μm，导热系数为1457W/m·K。
实施例4A：
本实施例示出了一种高致密度的氧化石墨烯膜的制备工艺，具体包括如下步骤：
步骤1)：将30g氧化石墨烯分散在970L水中，再加入1.8g的苝，分散均匀，得到含有芳香族化合物的氧化石墨烯浆料。
步骤2)：将步骤1)的氧化石墨烯浆料涂布在基材上，形成湿润的氧化石墨烯浆料膜。
步骤3)：将步骤2)得到的湿润的氧化石墨烯浆料膜在70℃下烘干1.5h，剥离，得到高致密度的氧化石墨烯膜，该氧化石墨烯膜截面的SEM图如图4所示，从图中可以看出，氧化石墨烯层间距非常近，片层致密堆叠。
实施例4B：
本实施例示出了利用实施例4A的高致密度的氧化石墨烯膜制备高导热性能的石墨烯导热膜的制备工艺，具体包括如下步骤：
步骤1)：将实施例4A的高致密度的氧化石墨烯膜浸泡在碘化氢溶液中进行化学还原，再用水浸泡去除残余化学试剂，得到石墨烯泡沫。
步骤2)：将步骤1)的石墨烯泡沫在压力为180MPa下压制4h，形成高导热性能的石墨烯导热膜。
该石墨烯导热膜的密度为2.05g/cm3，厚度为65μm，导热系数为1500W/m·K。
实施例5A：
本实施例示出了一种高致密度的氧化石墨烯膜的制备工艺，具体包括如下步骤：
步骤1)：将30g氧化石墨烯分散在970L水中，再加入1.5g的吡啶，分散均匀，得到含有芳香族化合物的氧化石墨烯浆料。
步骤2)：将步骤1)的氧化石墨烯浆料涂布在基材上，形成湿润的氧化石墨烯浆料膜。
步骤3)：将步骤2)得到的湿润的氧化石墨烯浆料膜在75℃下烘干1.2h，剥离，得到高致密度的氧化石墨烯膜，该氧化石墨烯膜截面的SEM图如图5所示，从图中可以看出，氧化石墨烯层间距非常近，片层致密堆叠。
实施例5B：
本实施例示出了利用实施例5A的高致密度的氧化石墨烯膜制备高导热性能的石墨烯导热膜的制备工艺，具体包括如下步骤：
步骤1)：将实施例5A的高致密度的氧化石墨烯膜熏蒸水合肼溶液进行化学还原，再通过熏蒸水的方式去除残余化学试剂，得到石墨烯泡沫。
步骤2)：将步骤1)的石墨烯泡沫在压力为120MPa下压制20h，形成高导热性能的石墨烯导热膜。
该石墨烯导热膜的密度为1.90g/cm3，厚度为50μm，导热系数为1420W/m·K。
对比例6A：
本对比例示出了一种氧化石墨烯膜的制备工艺，具体包括如下步骤：
步骤1)：将30g氧化石墨烯分散在970L水中，分散均匀，得到氧化石墨烯浆料。
步骤2)：将步骤1)的氧化石墨烯浆料涂布在基材上，形成湿润的氧化石墨烯浆料膜。
步骤3)：将步骤2)得到的湿润的氧化石墨烯浆料膜在60℃下烘干2h，剥离，得到氧化石墨烯膜，该氧化石墨烯膜截面的SEM图如图6所示，从图中可以看出，氧化石墨烯片层堆叠松散。
对比例6B：
本对比例示出了利用对比例6A的氧化石墨烯膜制备石墨烯导热膜的制备工艺，具体包括如下步骤：
步骤1)：将对比例6A的氧化石墨烯膜在0.01℃/min的速率下升温至200℃，处理6h；经1℃/min的速率升温至1000℃，处理4h；再经5℃/min的速率升温至2500℃，处理2h，得到石墨烯泡沫。
步骤2)：将步骤1)的石墨烯泡沫在压力为50MPa下压制24h，形成石墨烯导热膜。
该石墨烯导热膜的密度为1.98g/cm3，厚度为40μm，导热系数为1260W/m·K。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料，其特征在于，包括芳香族化合物和氧化石墨烯浆料，所述芳香族化合物与氧化石墨烯的质量比为(1-10)：100。
2.根据权利要求1所述的含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料，其特征在于，所述芳香族化合物包括含苯环类化合物、含萘环类化合物、蒽醌类化合物、苝系化合物或杂环类化合物中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述含苯环类化合物为苯系物及其衍生物，包括甲苯、乙苯、二甲苯、苯甲酸、苯乙酸、苯乙酸钠、苯酚、苯胺、氯苯或硝基苯中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述含萘环类化合物为含萘环的化合物及其衍生物，包括萘、氢化萘或萘二酰亚胺中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述蒽醌类化合物包括蒽醌及其衍生物、蒽酚、氧化蒽酚或蒽酮中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述苝系化合物包括苝、苝酰亚胺或苝酰亚胺的衍生物中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述杂环类化合物包括呋喃、噻吩、吡咯、噻唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲哚、喹啉、蝶啶或吖啶中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述氧化石墨烯浆料中氧化石墨烯的固含量为10-80g/L，优选30g/L。
3.一种含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料的制备方法，其特征在于，包括：
配置氧化石墨烯分散液，将芳香族化合物分散在氧化石墨烯分散液中，直到芳香族化合物分散均匀。
4.根据权利要求3所述的含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料的制备方法，其特征在于，所述分散的方法包括搅拌、超声分散或研磨中一种或两种以上的组合；
优选地，所述氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的固含量为10-80g/L，优选30g/L；
优选地，所述芳香族化合物与氧化石墨烯的质量比为(1-10)：100；
优选地，所述芳香族化合物包括含苯环类化合物、含萘环类化合物、蒽醌类化合物、苝系化合物或杂环类化合物中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述含苯环类化合物为苯系物及其衍生物，包括甲苯、乙苯、二甲苯、苯甲酸、苯乙酸、苯乙酸钠、苯酚、苯胺、氯苯或硝基苯中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述含萘环类化合物为含萘环的化合物及其衍生物，包括萘、氢化萘或萘二酰亚胺中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述蒽醌类化合物包括蒽醌及其衍生物、蒽酚、氧化蒽酚或蒽酮中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述苝系化合物包括苝、苝酰亚胺或苝酰亚胺的衍生物中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述杂环类化合物包括呋喃、噻吩、吡咯、噻唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲哚、喹啉、蝶啶或吖啶中的一种或两种以上的组合。
5.一种氧化石墨烯膜，其特征在于，包括氧化石墨烯和填补在氧化石墨烯片层缺陷中的芳香族化合物，所述芳香族化合物与氧化石墨烯的质量比为(1-10)：100。
6.根据权利要求5所述的氧化石墨烯膜，其特征在于，所述芳香族化合物包括含苯环类化合物、含萘环类化合物、蒽醌类化合物、苝系化合物或杂环类化合物中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述含苯环类化合物为苯系物及其衍生物，包括甲苯、乙苯、二甲苯、苯甲酸、苯乙酸、苯乙酸钠、苯酚、苯胺、氯苯或硝基苯中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述含萘环类化合物为含萘环的化合物及其衍生物，包括萘、氢化萘或萘二酰亚胺中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述蒽醌类化合物包括蒽醌及其衍生物、蒽酚、氧化蒽酚或蒽酮中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述苝系化合物包括苝、苝酰亚胺或苝酰亚胺的衍生物中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述杂环类化合物包括呋喃、噻吩、吡咯、噻唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲哚、喹啉、蝶啶或吖啶中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述氧化石墨烯膜的厚度为100-300μm，优选200μm。
7.一种氧化石墨烯膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
用权利要求3或4所述的制备方法制备含芳香族化合物的氧化石墨烯浆料；
将氧化石墨烯浆料涂布在基材上，形成湿润的氧化石墨烯浆料膜；和
将湿润的氧化石墨烯浆料膜烘干，剥离，得到高致密度的氧化石墨烯膜。
8.根据权利要求7所述的氧化石墨烯膜的制备方法，其特征在于，所述涂布的方法包括刮涂、喷涂或辊涂；
优选地，所述烘干的温度为60-90℃；
优选地，所述烘干的时间为30min-2h。
9.一种高导热性能的石墨烯导热膜，其特征在于，所述石墨烯导热膜的导热系数为1000-1900W/m·K；
优选地，所述石墨烯导热膜在膜厚度为12-25μm的范围内，导热系数为1600-1900W/m·K；在膜厚度为25-40μm的范围内，导热系数为1400-1700W/m·K；在膜厚度为40-100μm的范围内，导热系数为1000-1500W/m·K；
优选地，所述石墨烯导热膜的密度为1.9-2.1g/cm3；
优选地，所述石墨烯导热膜的拉伸强度大于20MPa。
10.一种高导热性能的石墨烯导热膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
采用权利要求7或8的方法制备高致密度的氧化石墨烯膜；
将高致密度的氧化石墨烯膜进行还原，得到石墨烯泡沫；和
将石墨烯泡沫经压制，形成高导热性能的石墨烯导热膜；
优选地，所述还原方法包括热还原法或化学还原法，优选热还原法；
优选地，所述热还原法还原氧化石墨烯膜的方法包括将氧化石墨烯膜进行低温处理、中温处理和高温处理；
优选地，所述低温处理的温度为200-500℃，时间为3-8h，优选6h；进一步优选地，所述低温处理的升温速率为0.05-1℃/min；优选地，所述低温处理的气体环境包括空气、氮气或惰性气体；
优选地，所述中温处理的温度为1000-1500℃，时间为2-6h，优选4h；进一步优选地，从低温到中温的升温速率为1-5℃/min；优选地，所述中温处理的气体环境包括氮气或惰性气体；
优选地，所述高温处理的温度为2500-3000℃，时间为1-3h，优选2h；进一步优选地，从中温到高温的升温速率为5-10℃/min；优选地，所述高温处理的气体环境包括氮气或惰性气体；
优选地，所述化学还原法还原氧化石墨烯膜的方法包括将氧化石墨烯膜通过浸泡或熏蒸进行化学还原，去除残余化学试剂；
优选地，所述化学还原的还原剂包括水合肼、胺类化合物、抗坏血酸、碘化氢中的一种或两种以上的组合；
优选地，所述去除残余化学试剂的方法包括用水浸泡、用水蒸气熏蒸或热处理；
优选地，所述压制的压力为50-200MPa，时间为2-24h。
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CN104401976B (zh) * 2014-10-28 2016-04-20 华中科技大学 一种改性石墨烯及其制备方法
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