CN113211304A - 转子盘、双侧加工机和在双侧加工机中加工至少一个工件的方法 - Google Patents

转子盘、双侧加工机和在双侧加工机中加工至少一个工件的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于在双侧加工机中引导工件的转子盘，该转子盘包括至少一个工件开口，该工件开口用于在双侧加工机中接纳待在两侧以材料移除的方式加工的至少一个工件，其中转子盘的表面包括至少60°的水滴接触角。此外，本发明涉及双侧加工机和加工工件的方法。

Description

转子盘、双侧加工机和在双侧加工机中加工至少一个工件的 方法
技术领域
本发明涉及一种用于在双侧加工机中引导工件的转子盘，该转子盘包括至少一个工件开口，用于在双侧加工机中接纳至少一个待在两侧以材料移除方式加工的工件。此外，本发明涉及双侧加工机和在双侧加工机中加工至少一个工件的方法。
背景技术
工件，例如晶片，在双侧加工机，例如双侧抛光机中，在转子盘中被引导以进行加工。转子盘通常具有多个工件开口，待加工的工件以浮动方式容纳在工件开口中。在操作期间，转子盘布置在双侧加工机的工作盘之间由工作盘形成的工作间隙中。在工作盘之间的相对旋转过程中，转子盘一方面沿着圆形路径穿过工作间隙旋转，另一方面围绕它们自己的轴线旋转。结果，以浮动方式保持在转子盘中的工件沿着摆线轨迹移动通过工作间隙。这样移动的目的是引起尽可能均一的材料移除加工，并因此实现被加工工件的特别高的平面平行度和平整度。对于材料移除加工，加工流体，特别是所谓的浆料，通常被引入工作间隙。所述加工流体可以包含研磨成分。
在这种双侧加工机中加工的半导体晶片特别用于形成集成电路(IC)。由于集成电路的结构变得越来越小，在例如由硅制成的半导体晶片的制造过程中，以最佳可能的方式观察各种几何参数是至关重要的。特别是，整个工件上的厚度离散度最小，工件边缘处的平整度最大。此外，转子盘的磨损应降至最低。
迄今为止所使用的转子盘和加工方法导致工件在边缘或相应边际区域显著倒圆。此外，普通转子盘会受到相当大的磨损。在DE 10 2017 221931 A1中，提出了一种具有DLC(类金刚石碳)涂层和水滴接触角小于25°的亲水表面的转子盘，以增加耐磨性并改善边缘几何形状。然而，在实践中，这些措施并没有导致耐磨性的充分增加和工件边缘几何形状的充分改善。
发明内容
从所解释的现有技术开始，本发明的目的因此是提供上文所指示类型的转子盘、双侧加工机和方法，通过它们可以进一步优化工件的边缘几何形状，并且特别是进一步减轻转子盘的磨损。
对于上述类型的转子盘，本发明实现的目的在于转子盘的表面包括至少60°的水滴接触角。
此外，本发明通过一种双侧加工机来实现该目的，该双侧加工机包括具有第一工作表面的第一工作盘和具有第二工作表面的第二工作盘，其中，在第一工作表面和第二工作表面之间界定工作间隙，并且其中双侧加工机的工作盘中至少一个可以被旋转驱动，双侧加工机还包括用于将加工流体进给到工作间隙中的流体进给器，并且包括至少一个根据本发明的转子盘，利用该转子盘，至少一个工件可以在工作间隙中被引导，用于在两侧进行材料移除加工。
此外，本发明通过一种用于在根据本发明的双侧加工机中加工至少一个工件的方法来实现该目的，在该方法中，至少一个工件被接纳在至少一个转子盘的至少一个工件开口中，并且被引导以在双侧加工机的工作间隙中进行加工，其中双侧加工机的工作盘中至少一个被旋转驱动，并且其中加工流体在加工期间被进给到工作间隙中。
双侧加工机例如可以是双侧抛光机。转子盘通常包括多个工件开口。如上文所解释，例如由硅制成的工件，例如晶片，特别是半导体晶片，以浮动方式保持在转子盘的工件开口中。在操作期间，转子盘布置在双侧加工机的相对工作盘之间的工作间隙中。转子盘通常具有外齿，该外齿与设置在工作间隙的内边缘上的内齿以及设置在双侧加工机的工作盘(例如下工作盘)的外边缘上的外齿相啮合。在至少一个工作盘操作期间发生的旋转过程中，转子盘因此一方面沿着圆形路径旋转穿过工作间隙，另一方面围绕其自身的轴线旋转。结果，接纳在转子盘的工件开口中的工件以已知的方式沿着摆线轨迹被引导穿过工件，并以材料移除的方式被加工。同样，在加工过程中，加工流体，例如所谓的浆料，以已知的方式被引入到工作间隙中。加工流体可以包含磨料组分。
根据本发明，转子盘的表面包括至少60°的水滴接触角。也就是说，与上面解释的现有技术相比，表面不是亲水的。根据本发明，转子盘的表面可以包括优选至少为65°，更优选至少为70°的水滴接触角。发明人已经认识到，在现有技术中，加工流体在转子盘表面上以及因此在被加工工件上的非最佳分布导致转子盘的磨损增加和被加工工件的非最佳边缘几何形状。特别地，本发明人已经认识到，在现有技术中，在被加工的工件与工作盘的表面(例如抛光布)之间出现不均匀的流体膜，特别是从被加工工件的边缘到中间，流体膜的厚度减小，从而实现不均一的材料移除，这又导致工件的不希望的加强边缘倒圆。这与转子盘根据本发明的表面设计相反。由于转子盘表面的根据本发明的配置，与现有技术相比，在转子盘上以及因此在被加工的工件上实现了更均匀的流体膜。特别地，通过转子盘表面的根据本发明的配置，加工流体、尤其是抛光流体向工件中部的输送得到显著改善。这样，现有技术中出现的工件的不希望的边缘倒圆被最小化。总之，被加工工件的几何形状因此得到改善。同时，根据本发明的流体膜的均化最小化了转子盘的磨损，延长了寿命，并带来了相应的成本优势。本发明人已经认识到，尽管在DE 10 2017 221931 A1中提出了这一点，但实际上没有亲水性表面适合于此目的，相反，非亲水性表面或甚至疏水性表面是合适的。举例来说，根据本发明的转子盘可以由金属材料例如不锈钢组成。
根据一种配置，转子盘的表面包括不大于90°，优选不大于75°的水滴接触角。发明人还认识到，特别是在90°以上，工件的加强边缘倒圆再次发生。也就是说，对于接触角存在一个最佳窗口，在该窗口中边缘倒圆被最小化。
根据进一步的配置，根据本发明的表面的期望接触角可以通过粗糙化转子盘的表面来获得。也就是说，然后通过例如转子盘的相对应双侧加工过程，机械地调整期望的接触角。相对应粗糙化的转子盘可以保留，而没有任何进一步的涂层。特别地，金属材料，例如不锈钢，可以作为粗糙化转子盘的材料。
如果需要的话，还可以通过选择合适的转子盘材料来实现具有期望接触角的表面，不需要额外的涂层或粗糙化措施。举例来说，例如不锈钢的金属材料可以作为转子盘材料。
通过转子盘基材的合适涂层，也可以实现期望的表面接触角。例如，根据本发明，可以通过合适的DLC涂层来调整接触角，其中不必进行诸如粗糙化的进一步加工。举例来说，例如不锈钢的金属可以用作转子盘基材。
根据进一步的配置，除了至少一个工件开口之外，转子盘还可以包括至少一个辅助开口，在双侧加工机中加工至少一个工件的过程中，加工流体，优选为抛光流体，例如浆料，可以收集在该辅助开口中。转子盘尤其可以包括多个工件开口和/或多个辅助开口。由于一个或多个辅助开口的靶向设置，根据本发明的均化加工流体膜的效果可以进一步增强。已经表明，位于辅助开口中的加工流体使转子盘整个表面上的流体膜变平，因此也使被加工工件的表面上的流体膜变平。一方面，通过辅助开口在转子盘的上侧和下侧实现更均一的流体分布，其中在操作期间没有待加工的工件被接纳，因为加工流体可以相对自由地通过辅助开口逸出。另一方面，从转子盘的外部区域，特别是外齿区域到工件和转子盘中部的流体输送通过辅助开口得到改善。这样，可以进一步优化加工结果，并且可以进一步最小化转子盘的磨损。辅助开口尤其可以形成在工件开口之间。例如，在每种情况下，可以在两个相邻的工件开口之间形成多个辅助开口。这进一步改善了流体分布。
附图说明
参考附图，在下文中更详细地解释本发明的示例性实施例，其中：
图1以剖视图示意性示出了根据本发明的双侧加工机，
图2以顶视图示出了根据第一示例性实施例的根据本发明的转子盘；
图3以顶视图示意性地示出了根据另一示例性实施例的根据本发明的转子盘，并且
图4示意性地示出了以材料移除方式进行双侧加工的不同工件的平均厚度分布图。
除非另有说明，图中相同的附图标记表示相同的对象。
具体实施方式
在图1中，极其示意性地示出了根据本发明的双侧加工机，特别是双侧抛光机。双侧加工机包括上承载盘10和与上承载盘相对设置的下承载盘12。上承载盘10承载上工作盘14，下承载盘12承载下工作盘16。举例来说，工作盘14、16可以设置有抛光覆盖物，特别是抛光垫。承载盘10、12以及与承载盘10、12一起的工作盘14、16可以通过驱动轴18、20绕其在图1中竖直延伸的轴线26旋转驱动，特别是在双侧加工机的操作过程中沿相反方向旋转驱动。
工作盘14、16在它们之间界定了工作间隙22。多个转子盘24布置在工作间隙中。在图1中，描绘了两个转子盘24。当然，也可以提供多于或少于两个转子盘。例如由硅制成的工件28，例如半导体晶片，将在两侧以材料移除的方式被加工，以浮动的方式被保持在工作间隙22中的转子盘24的工件开口中。转子盘24通常在其外边缘具有外齿，该外齿在图1中没有更详细地描绘，该外齿与布置在工作间隙22的内边缘上的内齿(该内齿在图1中没有更详细地描绘)以及布置在工作间隙22的外边缘上的外齿(该外齿同样在图1中没有更详细地描绘)啮合。结果，转子盘24在操作期间沿着圆形路径穿过工作间隙22旋转，并且在操作期间另外围绕它们的轴线旋转，使得工件28沿着摆线轨迹穿过工作间隙22移动。通过在图1中用附图标记30示意性示出的流体进给器，加工流体，特别是抛光流体(浆料)在操作期间被进给到工作间隙22中。转子盘24的表面具有至少60°的水滴接触角。例如，转子盘24的表面可以被机械粗糙化，以便获得所述接触角。转子盘24的表面可以由例如不锈钢构成，作为粗糙化的替代或补充，也可以设置有涂层，例如DLC涂层，以实现期望的接触角。
在图2中，示出了根据本发明的另一个转子盘124，其可以用在图1所示的双侧加工机中。在所示的示例中，转子盘124具有三个圆形工件开口132，用于加工的工件可以以浮动方式接纳在其中。此外，在图2中的转子盘124的情况下可以看到外齿134。图2所示的转子盘124也具有至少60°的水滴接触角。例如，转子盘124的表面可以被机械粗糙化，以实现所述接触角。转子盘124的表面可以由例如不锈钢构成，作为粗糙化的替代或补充，也可以设置有涂层，例如DLC涂层，以实现期望的接触角。
图3示出了转子盘224的另一示例性实施例，该转子盘同样可以用于图1所示的双侧加工机。它也具有三个圆形工件开口232以及外齿234，工件开口232用于以浮动方式接纳待加工的工件。与图2所示的转子盘124不同，图3所示的转子盘224除了三个工件开口232之外，还具有多个辅助开口236。在双侧加工机的工作间隙22中加工工件的过程中，进给的加工流体可以收集在辅助开口236中。辅助开口236用作加工流体的储存器，并导致转子盘224上的流体膜的最佳均化，并且实际上，在上侧和下侧以及各个侧上的流体膜的最佳均化，因此也在接纳在工件开口232中的工件上的流体膜的最佳均化。图3所示的转子盘224也具有至少60°的水滴接触角。例如，转子盘224的表面可以被机械粗糙化，以实现所述接触角。转子盘224的表面可以例如由不锈钢组成，作为粗糙化的替代或补充，也可以设置有涂层，例如DLC涂层，以实现期望的接触角。
图1-图3所示的所有或一些转子盘24、124、224可以包括优选不大于90°，更优选不大于75°的水滴接触角。此外，它们可以包括优选至少为65°，更优选至少为70°的水滴的接触角。例如，它们可以由不锈钢组成，或者在随后的涂覆过程中分别包括不锈钢作为基材。然而，它们也可以由其他材料组成。还可以想到，转子盘24、124、224由已经固有地具有期望接触角的材料组成，从而不需要后续的涂覆或粗糙化。如果转子盘24、124、224的表面被粗糙化，或者如果转子盘材料已经固有地具有期望的接触角，则这些可能没有任何进一步的涂层。
在图4中，描绘了用三个不同的转子盘加工的工件，特别是硅晶片的平均工件厚度分布。示出了从约114毫米的工件半径到约149毫米处外工件边缘的外部工件区域。特别是在工件中间区域的基本厚度，其可以在图4中例如对于工件半径114mm看到，对于所有工件可以基本相等或相应的标准化。出于说明的目的，这些曲线在图4中仅描绘为一个在另一个上方。平均工件厚度分布图是通过用三个转子盘中的一个加工多个工件的每种情况，并随后对厚度分布图进行平均而建立的。在属于申请人的双侧抛光机中示出的示例中实现该加工，其中在加工期间抛光流体(浆料)被进给到工作间隙中。
图4中的顶部曲线示出了使用普通无涂层不锈钢转子盘时的平均工件厚度分布图。图4中的中间曲线示出了当使用具有通常的DLC涂层的不锈钢转子盘时的平均工件厚度分布图。图4中的底部曲线示出了使用根据本发明的转子盘的平均工件厚度分布图，该转子盘对于水滴具有至少60°的表面接触角。
在图4中，在每种情况下，以字母A、B和C绘制了工件厚度分布图的边缘倒圆的高度。可以清楚地看到，当使用不锈钢转子盘时，边缘倒圆A最大，随后是当使用具有通常的DLC涂层的转子盘时的边缘倒圆B。相比之下，根据本发明的转子盘获得了相当低的边缘倒圆C。
附图标记列表
上承载盘10
下承载盘12
上工作盘14
下工作盘16
驱动轴18
驱动轴20
工作间隙22
转子盘24
轴线26
工件28
流体进给装置30
转子盘124
工件开口132
外齿134
转子盘224
工件开口232
外齿234
辅助开口236

Claims (7)

1.一种用于在双侧加工机中引导工件(28)的转子盘，包括至少一个工件开口(132，232)，用于在所述双侧加工机中接纳待在两侧以材料移除的方式加工的至少一个工件(28)，其特征在于，所述转子盘(24，124，224)的表面包括至少60°的水滴接触角。
2.根据权利要求1所述的转子盘，其特征在于，所述转子盘(24，124，224)的表面包括不大于90°的水滴接触角，优选不大于75°的水滴接触角。
3.根据前述权利要求中任一项所述的转子盘，其特征在于，所述转子盘(24，124，224)的表面是粗糙化的。
4.根据前述权利要求中任一项所述的转子盘，其特征在于，所述转子盘(24，124，224)的表面被涂覆。
5.根据权利要求4所述的转子盘，其特征在于，所涂覆的涂层是类金刚石碳涂层。
6.一种双侧加工机，包括：具有第一工作表面的第一工作盘(14)和具有第二工作表面的第二工作盘(16)，其中，所述第一工作表面和所述第二工作表面之间界定工作间隙(22)，并且其中，所述双侧加工机的所述第一工作盘(14)和所述第二工作盘(16)中的至少一个能够被旋转驱动；所述双侧加工机还包括用于将加工流体进给到所述工作间隙(22)中的流体进给器(30)；并且所述双侧加工机包括根据前述权利要求中任一项所述的至少一个转子盘(24，124，224)，利用所述双侧加工机，至少一个工件(28)能够在所述工作间隙(22)中被引导，用于在两侧进行材料移除加工。
7.在根据权利要求6所述的双侧加工机中加工至少一个工件(28)的方法，其中，所述至少一个工件(28)被接纳在所述至少一个转子盘(24，124，224)的至少一个工件开口(32，132，232)中，并且被引导用于在所述双侧加工机的工作间隙(22)中进行加工，其中，所述双侧加工机的至少一个工作盘(14，16)被旋转驱动，并且其中，加工流体在加工过程中被进给到所述工作间隙(22)中。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010030013A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Tocalo Co Ltd 被研磨物保持用キャリアおよびその製造方法
CN101722447A (zh) * 2008-10-22 2010-06-09 硅电子股份公司 用于扁平工件的双面处理的装置和用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法
CN102610510A (zh) * 2011-01-21 2012-07-25 硅电子股份公司 用于同时双面去除材料式加工半导体晶片的嵌件托架和方法
JP2013132744A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Asahi Glass Co Ltd 研磨キャリア、磁気記録媒体用ガラス基板の研磨方法、および、磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP2014077163A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 Tocalo Co Ltd アモルファスカーボン膜被覆部材
DE102017221931A1 (de) * 2017-12-05 2019-06-06 Siltronic Ag Läuferscheibe zum Führen von Halbleiterscheiben und Verfahren zur beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben
CN109983562A (zh) * 2016-12-09 2019-07-05 信越半导体株式会社 双面研磨装置用载体、双面研磨装置及双面研磨方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080166952A1 (en) * 2005-02-25 2008-07-10 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Carrier For Double-Side Polishing Apparatus, Double-Side Polishing Apparatus And Double-Side Polishing Method Using The Same
JP2015069671A (ja) 2013-09-30 2015-04-13 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
JP6330628B2 (ja) 2013-11-11 2018-05-30 旭硝子株式会社 ガラス基板の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010030013A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Tocalo Co Ltd 被研磨物保持用キャリアおよびその製造方法
CN101722447A (zh) * 2008-10-22 2010-06-09 硅电子股份公司 用于扁平工件的双面处理的装置和用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法
CN102610510A (zh) * 2011-01-21 2012-07-25 硅电子股份公司 用于同时双面去除材料式加工半导体晶片的嵌件托架和方法
JP2013132744A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Asahi Glass Co Ltd 研磨キャリア、磁気記録媒体用ガラス基板の研磨方法、および、磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP2014077163A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 Tocalo Co Ltd アモルファスカーボン膜被覆部材
CN109983562A (zh) * 2016-12-09 2019-07-05 信越半导体株式会社 双面研磨装置用载体、双面研磨装置及双面研磨方法
DE102017221931A1 (de) * 2017-12-05 2019-06-06 Siltronic Ag Läuferscheibe zum Führen von Halbleiterscheiben und Verfahren zur beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben

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